JP2014170948A - 構造体及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 193
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 72
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 36
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 24
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 68
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000000047 product Substances 0.000 description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 31
- -1 vapor deposition Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 11
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 10
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001075 voltammogram Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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Abstract
【解決手段】柱状体2に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態のものを塗布することにより、半導体8をコーティングする。その回りに、4本の絶縁線6、糸を縞状に接合したものを巻き付け、1本の絶縁線6をはがし、その跡に銅を蒸着して銅線9を形成する。銅線9に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線10を形成する。銅線9、アルミニウム線10の間の抵抗値を測ることにより、半導体8に照射している光の強度を知ることができる。4本の絶縁線の太さ、銅線9、アルミニウム線10のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることで設計が容易になる。また絶縁線6として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。
【選択図】図6
Description
請求項2に係る発明は、前記コーティング工程の後に、前記柱状体の表面から少なくとも一部の前記線状体を取り除く工程を有する請求項2記載の柱状電気素子の製造方法。
請求項3に係る発明は、少なくとも、複数の絶縁性の線状体を互いに密着して接合形成した板状体を柱状体の表面に螺旋状に巻き付ける工程と、前記柱状体の表面から一部の線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に導電性物質をコーティングして第一の導電線を形成する工程と、前記柱状体の表面から少なくとも一部の線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に導電性物質をコーティングして第二の導電線を形成する工程とからなる柱状電気素子の製造方法。
請求項4に係る発明は、前記第二の導電線を形成する工程の後に、前記柱状体の表面から少なくとも一部の前記線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に半導体物質をコーティングして半導体線を形成する工程とからなる請求項3記載の柱状電気素子の製造方法。
請求項5に係る発明は、前記板状体を巻き付ける工程の前に、前記柱状体の表面に半導体膜又は透明電極と半導体膜の積層膜をコーティングにより形成する工程を有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の柱状電気素子の製造方法。
請求項6に係る発明は、前記半導体膜又は前記半導体線を形成した後に、複数の前記導電線間に電流を流して電気特性を測定しながら前記半導体膜又は前記半導体線へのドーピングを行う請求項4又は5項記載の柱状電気素子の製造方法。
請求項7に係る発明は、少なくとも、柱状体又は表面に半導体膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に互いに一定間隔離間して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線及び第二の導電線とから構成され、前記第一の導電線と前記第二の導電線が異なる材料からなるセンサ又は太陽電池。
請求項8に係る発明は、少なくとも、柱状体又は表面に半導体膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に互いに密着して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線、半導体線、及び第二の導電線とから構成されるセンサ又は太陽電池。
請求項9に係る発明は、前記半導体膜及び/又は前記半導体線が、フラーレンをドープした有機半導体からなる請求項7又は8の記載のセンサ又は太陽電池。
請求項10に係る発明は、少なくとも、表面に絶縁性の膜を配置した導電性の柱状体と、前記柱状体の表面に互いに密着して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線、半導体線、及び第二の導電線とから構成されるトランジスタ。
請求項11に係る発明は、少なくとも、表面に透明電極膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に螺旋状に等間隔で巻き付けた形状を有する導電線とから構成され、前記透明電極膜がITO又はPVAからなる光センサ又は太陽電池。
参考例1は、絶縁性の柱状体の外周面にマスク材を螺旋状に巻き付け、その隙間に導電性物質をコーティングして導電線を形成するようにしたことを特徴とする柱状電気素子の製造方法である。
参考例24は、絶縁性の柱状体の外周面に2本の導電線と2本の半導体線を交互に縞状に接合した板状生成物を巻き付けるようにしたことを特徴とする柱状電気素子の製造方法である。
(単線から成る柱状電気素子)
図1に、本発明による「単線から成る柱状電気素子」の一つである温度センサの斜視図を示す。例えばプラスチックから成る絶縁性の柱状体2の外周面に、白金線4が巻き付けられている。白金線4の両端に取出し口3が取り付けられており、これらを測定器1に接続して抵抗値を測ることにより、温度を知ることができる。
(板状の半導体から成る柱状電気素子)
図5に、本発明による「板状の半導体から成る柱状電気素子」の一つである光センサの斜視図を示す。絶縁性の柱状体2の外周面には、半導体8、例えばフラーレンをドーピングした導電性高分子から成る有機半導体が板状にコーティングされている。更にその外側に、銅線9とアルミニウム線10が巻き付けられている。このセンサに照射する光が半導体8で電気に変化する。銅線9とアルミニウム線10との間を流れる電流を測定器1で測定することにより、センサに照射している光の強度を知ることができる。
05〜1mmの導電線を密に巻き付けることにより、超小型の柱状電気素子がえられる。
(半導体線から成る柱状電気素子)
図9に本発明による「半導体線から成る有機電気素子」の斜視図を示す。これは絶縁性の柱状体2の回りに第一導電線11及び第二導電線12を巻いて、2本の導電線の間に半導体8をコーティングしたものである。
(2種類の半導体を用いた柱状電気素子)
図10に本発明による「2種類の半導体を用いた柱状電気素子」の斜視図を示す。絶縁性の柱状体2の外周面に第一半導体13をコーティングしてから、その外側に第一導電線11及び第二導電線12を巻き付けている。更に2本の導電線の間に第二半導体14をコーティングしている。導電線11、12の巻き付けや第二半導体14のコーティングは、「板状の半導体から成る柱状電気素子」及び「半導体線から成る柱状電気素子」で説明したのと同じ方法を用いることができる。またここでは2種類の半導体を用いることができるので、検出できるガスの種類が広がる等、本発明によるセンサの用途を拡げることができる。
(導電性の柱状体を有する柱状電気素子)
図12に、本発明による「導電性の柱状体を有する柱状電気素子」の一実施例である光センサの斜視図を示す。導電性の柱状体16の外周面には、半導体17がコーティングされている。その外側には導電線19が巻き付けられている。
(柱状トランジスタ)
本発明によれば、柱状のトランジスタも製造することができる。例えば導電性の柱状体に絶縁物をコーティングする。コーティングは、蒸着、或いは絶縁物の溶融液、溶解液又はゲル状のものを塗布することにより行なう。その外側に2本の導電線を巻き付けることにより、完成する。2本の導電線の巻き付けは、参考例9乃至14のいずれか1項に記載された方法を用いればよい。
2 絶縁性の柱状体
3 取出し口
4 白金線
5 マスク材
6 絶縁線
7 導電線
8 半導体
9 銅線
10 アルミニウム線
11 第一導電線
12 第二導電線
13 第一半導体
14 第二半導体
15 台
16 導電性の柱状体
17 半導体
18 透明電極
19 導電線
20 導電性の柱状体(ゲート電極)
21 絶縁物
22 導電線(ソース電極、ドレイン電極)
23 ドーパント溶液
Claims (11)
- 少なくとも、複数の線状体を互いに密着して接合形成した板状体を柱状体の表面に螺旋状に巻き付ける工程と、前記柱状体の表面から一部の前記線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に導電性物質又は半導体物質をコーティングするコーティング工程とからなる柱状電気素子の製造方法。
- 前記コーティング工程の後に、前記柱状体の表面から少なくとも一部の前記線状体を取り除く工程を有する請求項2記載の柱状電気素子の製造方法。
- 少なくとも、複数の絶縁性の線状体を互いに密着して接合形成した板状体を柱状体の表面に螺旋状に巻き付ける工程と、前記柱状体の表面から一部の線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に導電性物質をコーティングして第一の導電線を形成する工程と、前記柱状体の表面から少なくとも一部の線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に導電性物質をコーティングして第二の導電線を形成する工程とからなる柱状電気素子の製造方法。
- 前記第二の導電線を形成する工程の後に、前記柱状体の表面から少なくとも一部の前記線状体を取り除く工程と、露出した前記柱状体表面に半導体物質をコーティングして半導体線を形成する工程とからなる請求項3記載の柱状電気素子の製造方法。
- 前記板状体を巻き付ける工程の前に、前記柱状体の表面に半導体膜又は透明電極と半導体膜の積層膜をコーティングにより形成する工程を有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の柱状電気素子の製造方法。
- 前記半導体膜又は前記半導体線を形成した後に、複数の前記導電線間に電流を流して電気特性を測定しながら前記半導体膜又は前記半導体線へのドーピングを行う請求項4又は5項記載の柱状電気素子の製造方法。
- 少なくとも、柱状体又は表面に半導体膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に互いに一定間隔離間して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線及び第二の導電線とから構成され、前記第一の導電線と前記第二の導電線が異なる材料からなるセンサ又は太陽電池。
- 少なくとも、柱状体又は表面に半導体膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に互いに密着して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線、半導体線、及び第二の導電線とから構成されるセンサ又は太陽電池。
- 前記半導体膜及び/又は前記半導体線が、フラーレンをドープした有機半導体からなる請求項7又は8の記載のセンサ又は太陽電池。
- 少なくとも、表面に絶縁性の膜を配置した導電性の柱状体と、前記柱状体の表面に互いに密着して螺旋状に巻き付けた形状を有する第一の導電線、半導体線、及び第二の導電線とから構成されるトランジスタ。
- 少なくとも、表面に透明電極膜を配置した柱状体と、前記柱状体の表面に螺旋状に等間隔で巻き付けた形状を有する導電線とから構成され、前記透明電極膜がITO又はPVAからなる光センサ又は太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014079293A JP2014170948A (ja) | 2003-11-20 | 2014-04-08 | 構造体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003390149 | 2003-11-20 | ||
JP2003390149 | 2003-11-20 | ||
JP2014079293A JP2014170948A (ja) | 2003-11-20 | 2014-04-08 | 構造体及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012257920A Division JP2013093585A (ja) | 2003-11-20 | 2012-11-26 | 柱状電気素子及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016040361A Division JP6283383B2 (ja) | 2003-11-20 | 2016-03-02 | 構造体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014170948A true JP2014170948A (ja) | 2014-09-18 |
Family
ID=34616328
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005515683A Pending JPWO2005050745A1 (ja) | 2003-11-20 | 2004-11-22 | 柱状電気素子及び柱状トランジスタ、並びにそれらの製造方法 |
JP2008259754A Expired - Fee Related JP5369264B2 (ja) | 2003-11-20 | 2008-10-06 | 柱状電気素子及びその製造方法 |
JP2009200749A Pending JP2010016394A (ja) | 2003-11-20 | 2009-08-31 | 柱状電気素子及び柱状トランジスタ、並びにそれらの製造方法 |
JP2012257920A Pending JP2013093585A (ja) | 2003-11-20 | 2012-11-26 | 柱状電気素子及びその製造方法 |
JP2014079293A Pending JP2014170948A (ja) | 2003-11-20 | 2014-04-08 | 構造体及びその製造方法 |
JP2016040361A Expired - Fee Related JP6283383B2 (ja) | 2003-11-20 | 2016-03-02 | 構造体の製造方法 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005515683A Pending JPWO2005050745A1 (ja) | 2003-11-20 | 2004-11-22 | 柱状電気素子及び柱状トランジスタ、並びにそれらの製造方法 |
JP2008259754A Expired - Fee Related JP5369264B2 (ja) | 2003-11-20 | 2008-10-06 | 柱状電気素子及びその製造方法 |
JP2009200749A Pending JP2010016394A (ja) | 2003-11-20 | 2009-08-31 | 柱状電気素子及び柱状トランジスタ、並びにそれらの製造方法 |
JP2012257920A Pending JP2013093585A (ja) | 2003-11-20 | 2012-11-26 | 柱状電気素子及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016040361A Expired - Fee Related JP6283383B2 (ja) | 2003-11-20 | 2016-03-02 | 構造体の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7495307B2 (ja) |
JP (6) | JPWO2005050745A1 (ja) |
WO (1) | WO2005050745A1 (ja) |
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-
2004
- 2004-11-22 JP JP2005515683A patent/JPWO2005050745A1/ja active Pending
- 2004-11-22 US US10/579,920 patent/US7495307B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-22 WO PCT/JP2004/017367 patent/WO2005050745A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-09-11 US US12/208,567 patent/US7763912B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-06 JP JP2008259754A patent/JP5369264B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-31 JP JP2009200749A patent/JP2010016394A/ja active Pending
-
2012
- 2012-11-26 JP JP2012257920A patent/JP2013093585A/ja active Pending
-
2014
- 2014-04-08 JP JP2014079293A patent/JP2014170948A/ja active Pending
-
2016
- 2016-03-02 JP JP2016040361A patent/JP6283383B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016139815A (ja) | 2016-08-04 |
US7763912B2 (en) | 2010-07-27 |
JP6283383B2 (ja) | 2018-02-21 |
JP5369264B2 (ja) | 2013-12-18 |
US20070108556A1 (en) | 2007-05-17 |
US7495307B2 (en) | 2009-02-24 |
JP2009099979A (ja) | 2009-05-07 |
JP2010016394A (ja) | 2010-01-21 |
US20090008635A1 (en) | 2009-01-08 |
JP2013093585A (ja) | 2013-05-16 |
WO2005050745A1 (ja) | 2005-06-02 |
JPWO2005050745A1 (ja) | 2008-03-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140718 |
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|
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