JP2014165397A - Image pickup device and imaging apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image pickup device which properly adjusts an image sensor in a height direction, and to provide an imaging apparatus.SOLUTION: An image pickup device includes: an image sensor 10; a substrate 20 on which the image sensor 10 is arranged; and wiring members 30 which are provided on the substrate 20 and have a predetermined height. The imaging sensor 10 is bonded contacting with the wiring members 30.

Description

本発明は、車載カメラ等に適用可能な撮像素子及び撮像装置に関する。   The present invention relates to an imaging element and an imaging apparatus that can be applied to a vehicle-mounted camera or the like.

従来のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサは、ダイボンド樹脂により接着してインターポーザ基板上に配設することにより撮像素子として構成し、当該撮像素子をカメラ等の撮像装置に実装していた(例えば特許文献1等)。   Conventional image sensors such as CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) are configured as an image sensor by adhering with a die bond resin and arranged on an interposer substrate, and the image sensor is mounted on an image sensor such as a camera. (For example, Patent Document 1).

特開2010−062750号公報JP 2010-062750 A

図15に従来の撮像素子100の断面図を示す。図15に示すように従来の撮像素子100において、イメージセンサ110は、ダイボンド樹脂150により接着されてインターポーザ基板120上に配設される。インターポーザ基板120は、基材121、回路パターン122、及びソルダーレジスト層123により構成される。イメージセンサ110は、インターポーザ基板120上の回路パターン122のうちソルダーレジスト層123で覆われていない部分(ボンディング電極)とワイヤ140を介して接続(ワイヤボンディング)され、インターポーザ基板120と電気的に接続される。   FIG. 15 shows a cross-sectional view of a conventional image sensor 100. As shown in FIG. 15, in the conventional image sensor 100, the image sensor 110 is disposed on the interposer substrate 120 by being bonded with a die bond resin 150. The interposer substrate 120 includes a base material 121, a circuit pattern 122, and a solder resist layer 123. The image sensor 110 is connected (wire bonding) to a portion (bonding electrode) of the circuit pattern 122 on the interposer substrate 120 that is not covered with the solder resist layer 123 via a wire 140 and is electrically connected to the interposer substrate 120. Is done.

ここで従来のイメージセンサ110は、ダイボンド樹脂150と当接してインターポーザ基板120上に配置されている。ダイボンド樹脂150は、接着時の熱処理加工に応じて厚さにばらつきが生じる。さらにインターポーザ基板120のソルダーレジスト層123の厚さは均一でない。そのため従来の撮像素子100において、イメージセンサ110の光軸方向の位置、すなわち高さ方向にばらつきが生じていた。   Here, the conventional image sensor 110 is disposed on the interposer substrate 120 in contact with the die bond resin 150. The die bond resin 150 varies in thickness depending on the heat treatment during bonding. Furthermore, the thickness of the solder resist layer 123 of the interposer substrate 120 is not uniform. Therefore, in the conventional image sensor 100, the position of the image sensor 110 in the optical axis direction, that is, the height direction varies.

またダイボンド樹脂150の厚さ、ソルダーレジスト層123の厚さが不均一であることに起因して、イメージセンサ110とインターポーザ基板120とが平行にならず、高さ方向の煽りが生じていた。このような高さ方向の位置のばらつき及び煽りがある場合、イメージセンサ110上で撮影画像のピントが合わなくなり、また撮影画像の一部分が不鮮明になってしまう等、イメージセンサ110がレンズからの光を適切に受光できなくなる。そこで従来は、高さ方向に関して、レンズの高さ方向の位置を撮影時等におけるバックフォーカスにより調整、すなわちレンズを駆動することにより調整していた。また煽りに対しては、撮像素子毎に適宜煽りに応じてレンズの実装角度を調整する対応をしていた。   Further, the thickness of the die bond resin 150 and the thickness of the solder resist layer 123 are not uniform, and the image sensor 110 and the interposer substrate 120 are not parallel to each other, and the height direction is distorted. When there is such a variation in position in the height direction, and the image sensor 110 is not focused on the image sensor 110, and a part of the photographed image becomes unclear, the image sensor 110 emits light from the lens. Cannot be received properly. Therefore, conventionally, with respect to the height direction, the position of the lens in the height direction is adjusted by back focus at the time of shooting or the like, that is, adjusted by driving the lens. In addition, the lens mounting angle is appropriately adjusted for each image sensor in accordance with the angle of the lens.

しかしながらバックフォーカスによる方法はレンズを可動させる必要があるため、例えば車載カメラ等、可動部分を設けることが好ましくない撮像装置においては適切な方法とはいえない。また煽りに対する従来の実装方法は、撮像素子毎に適宜調整が必要となるため、極めて煩雑であった。   However, since the method using the back focus needs to move the lens, it cannot be said to be an appropriate method in an imaging apparatus in which it is not preferable to provide a movable part, such as an in-vehicle camera. In addition, the conventional mounting method for turning is extremely complicated because it is necessary to appropriately adjust each image pickup device.

従って、上記のような問題点に鑑みてなされた本発明の目的は、イメージセンサの高さ方向の調整(コントロール)を適切に行うことができる撮像素子及び撮像装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention made in view of the above problems is to provide an imaging device and an imaging apparatus capable of appropriately adjusting (controlling) the height direction of an image sensor.

上記課題を解決するために本発明に係る撮像素子は、
イメージセンサと、
前記イメージセンサが配設される基板と、
前記基板上に設けられる所定の高さの配線部材と、
を備え、
前記イメージセンサが前記配線部材に当接した状態で接着されていることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, an image sensor according to the present invention includes:
An image sensor;
A substrate on which the image sensor is disposed;
A wiring member having a predetermined height provided on the substrate;
With
The image sensor is bonded while being in contact with the wiring member.

また本発明に係る撮像素子は、
前記配線部材は、複数の部材を有することを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The wiring member has a plurality of members.

また本発明に係る撮像素子は、
前記複数の部材は、3つ以上の突起状の配線部材であることを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The plurality of members are three or more protruding wiring members.

また本発明に係る撮像素子は、
前記基板は、ソルダーレジスト層を有し、
前記所定の高さは、前記ソルダーレジスト層よりも高いことを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The substrate has a solder resist layer,
The predetermined height is higher than the solder resist layer.

また本発明に係る撮像素子は、
前記配線部材は、前記基板上に形成された回路パターンの一部を含んで構成されることを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The wiring member includes a part of a circuit pattern formed on the substrate.

また本発明に係る撮像素子は、
前記配線部材は、前記回路パターンの一部上に設けられたメッキを含んで構成されることを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The wiring member includes a plating provided on a part of the circuit pattern.

また本発明に係る撮像素子は、
前記メッキは銅であることを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The plating is copper.

また本発明に係る撮像素子は、
前記配線部材は、前記回路パターンの一部上に設けられたスタッドバンプを含んで構成することを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The wiring member includes a stud bump provided on a part of the circuit pattern.

また本発明に係る撮像素子は、
前記回路パターンの一部は、他の回路パターンとは導通しないことを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
A part of the circuit pattern is not conductive with other circuit patterns.

また本発明に係る撮像素子は、
前記イメージセンサと前記配線部材とは電気的に接続され、前記配線部材は接地されていることを特徴とする。
Moreover, the image sensor according to the present invention includes:
The image sensor and the wiring member are electrically connected, and the wiring member is grounded.

また、本発明に係る撮像装置は、
イメージセンサと、
前記イメージセンサが配設される基板と、
前記イメージセンサと対向するレンズと、
前記レンズが取り付けられる筐体と、
前記基板上に設けられる所定の高さの配線部材と、
を備え、
前記筐体内で、前記イメージセンサが前記配線部材に当接した状態で接着されていることを特徴とする。
In addition, an imaging apparatus according to the present invention includes:
An image sensor;
A substrate on which the image sensor is disposed;
A lens facing the image sensor;
A housing to which the lens is attached;
A wiring member having a predetermined height provided on the substrate;
With
In the housing, the image sensor is bonded in a state of being in contact with the wiring member.

本発明における撮像素子及び撮像装置によれば、イメージセンサの高さ方向の調整を適切に行うことができる。   According to the imaging device and the imaging apparatus of the present invention, it is possible to appropriately adjust the height direction of the image sensor.

実施の形態1の撮像素子の上面図である。2 is a top view of the image sensor according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1の撮像素子の断面図である。2 is a cross-sectional view of the image sensor according to Embodiment 1. FIG. イメージセンサ配設前のインターポーザ基板の上面図である。It is a top view of the interposer board | substrate before image sensor arrangement | positioning. イメージセンサ配設前のインターポーザ基板の断面図である。It is sectional drawing of the interposer board | substrate before image sensor arrangement | positioning. インターポーザ基板にマスクをした断面図である。It is sectional drawing which masked the interposer board | substrate. インターポーザ基板にメッキをした断面図である。It is sectional drawing which plated the interposer board | substrate. インターポーザ基板にダイボンド樹脂を塗布した断面図である。It is sectional drawing which apply | coated the die bond resin to the interposer board | substrate. 実施の形態1の撮像素子を実装した撮像装置の実装例である。2 is a mounting example of an image pickup apparatus on which the image pickup element of Embodiment 1 is mounted. 実施の形態2の撮像素子の断面図である。4 is a cross-sectional view of an image sensor according to Embodiment 2. FIG. インターポーザ基板にスタッドバンプを形成した図である。It is the figure which formed the stud bump in the interposer substrate. スタッドバンプをフラッタリングした図である。It is the figure which fluttered the stud bump. インターポーザ基板にダイボンド樹脂を塗布した断面図である。It is sectional drawing which apply | coated the die bond resin to the interposer board | substrate. 変形例1に係る撮像素子の断面図である。10 is a cross-sectional view of an image sensor according to Modification Example 1. FIG. 変形例2に係る撮像素子の上面図である。FIG. 10 is a top view of an image sensor according to Modification Example 2. 従来の撮像素子の断面図である。It is sectional drawing of the conventional image pick-up element.

以下、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1に係る撮像素子1の上面図を示す図である。説明の便宜上、図1の左右方向をx軸とし、上下方向をy軸とする。また、xy平面と直交する方向をz軸とする。図1に示すように、本発明に係る撮像素子1は、イメージセンサ10と、インターポーザ基板20(基板20)と、支持用配線部材30(配線部材30)と、ワイヤ40とを備える。支持用配線部材30は、イメージセンサ10と、インターポーザ基板20との間に備えられるため、破線にて示している。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram showing a top view of an image sensor 1 according to Embodiment 1 of the present invention. For convenience of explanation, the left-right direction in FIG. 1 is the x-axis, and the up-down direction is the y-axis. The direction orthogonal to the xy plane is taken as the z axis. As shown in FIG. 1, the imaging device 1 according to the present invention includes an image sensor 10, an interposer substrate 20 (substrate 20), a supporting wiring member 30 (wiring member 30), and a wire 40. Since the supporting wiring member 30 is provided between the image sensor 10 and the interposer substrate 20, it is indicated by a broken line.

イメージセンサ10は、CMOSイメージセンサ等の受光センサであり、撮影対象からの光を、平面状のダイ上に並べられたフォトダイオードで受光して電気信号に変換する。ここでイメージセンサ10はCMOSイメージセンサに限らず、CCDイメージセンサ、その他の如何なる受光センサであってもよい。   The image sensor 10 is a light receiving sensor such as a CMOS image sensor, and receives light from a subject to be photographed by a photodiode arranged on a planar die and converts it into an electrical signal. Here, the image sensor 10 is not limited to a CMOS image sensor, and may be a CCD image sensor or any other light receiving sensor.

インターポーザ基板20は、イメージセンサ10が配設される基板である。インターポーザ基板20は、イメージセンサ10を支持する支持用配線部材30を備える。図1では、支持用配線部材30は突起状で、4つ設けられている例を示す。この場合、4つの支持用配線部材30により4点でイメージセンサ10を支持する。ここで支持用配線部材30が突起状である場合、支持用配線部材30は少なくとも3つ設け、3点以上でイメージセンサ10を支持する。3点あれば平面が規定されるため、平面状のイメージセンサ10を安定して支持することができる。   The interposer substrate 20 is a substrate on which the image sensor 10 is disposed. The interposer substrate 20 includes a supporting wiring member 30 that supports the image sensor 10. FIG. 1 shows an example in which four supporting wiring members 30 are formed in a protruding shape. In this case, the image sensor 10 is supported at four points by the four supporting wiring members 30. Here, when the supporting wiring member 30 has a protruding shape, at least three supporting wiring members 30 are provided to support the image sensor 10 at three or more points. Since the plane is defined with three points, the planar image sensor 10 can be stably supported.

イメージセンサ10とインターポーザ基板20上の回路パターンとは、ワイヤ40によりワイヤボンディングされ、電気的に接続される。図1に示すように、ワイヤ40はイメージセンサ10の各端部の複数の端子と、インターポーザ基板上の複数端子とを接続し、複数本設けられている。好適にはワイヤ40は金(Au)により構成されるワイヤであるが、これに限定されるものではない。   The image sensor 10 and the circuit pattern on the interposer substrate 20 are wire-bonded by a wire 40 and electrically connected. As shown in FIG. 1, a plurality of wires 40 are provided to connect a plurality of terminals at each end of the image sensor 10 and a plurality of terminals on the interposer substrate. The wire 40 is preferably a wire made of gold (Au), but is not limited thereto.

図2は、図1の撮像素子1のA−A断面図を示す図である。説明の便宜上、図2の上下方向をz軸とする。図2に示すように、インターポーザ基板20は、基材21と、回路パターン22と、ソルダーレジスト層23と、支持用配線部材30とを備える。   FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the image sensor 1 of FIG. For convenience of explanation, the vertical direction in FIG. As shown in FIG. 2, the interposer substrate 20 includes a base material 21, a circuit pattern 22, a solder resist layer 23, and a supporting wiring member 30.

基材21は、インターポーザ基板20を構成する平面状の絶縁体である。基材21上には回路パターン22が設けられる。回路パターン22は好適には銅(Cu)により構成されるパターンであり、イメージセンサ10の信号線として機能する。ソルダーレジスト層23は、基材21及び回路パターン22を覆うように設けられる絶縁体層であり、インターポーザ基板20上の回路パターン22及び各種素子間のショートの防止、防塵等の目的で設けられる。回路パターン22のうち、ワイヤ40の接点であるボンディング電極221はソルダーレジスト層23が設けられず、ワイヤ40が回路パターン22に接続可能なように構成される。   The base material 21 is a planar insulator constituting the interposer substrate 20. A circuit pattern 22 is provided on the substrate 21. The circuit pattern 22 is preferably a pattern made of copper (Cu) and functions as a signal line of the image sensor 10. The solder resist layer 23 is an insulator layer provided so as to cover the base material 21 and the circuit pattern 22, and is provided for the purpose of preventing a short circuit between the circuit pattern 22 and various elements on the interposer substrate 20 and preventing dust. Of the circuit pattern 22, the bonding electrode 221 that is a contact point of the wire 40 is configured so that the solder resist layer 23 is not provided and the wire 40 can be connected to the circuit pattern 22.

支持用配線部材30は、回路パターン31と、メッキ32とから構成される。回路パターン31は、回路パターン22と同様にインターポーザ基板20の基材21上に設けられた回路パターンであり、好適には銅(Cu)により構成されるパターンである。回路パターン31は回路パターン22とは異なり、イメージセンサ10との電気信号用のパターン、すなわち信号線としては機能しない。すなわち、回路パターン31はインターポーザ基板20の表層の回路パターン22のみならず、スルーホールなど含む内層の回路パターンとも導通せず、フローティング状態とされる。   The supporting wiring member 30 includes a circuit pattern 31 and a plating 32. The circuit pattern 31 is a circuit pattern provided on the base material 21 of the interposer substrate 20 similarly to the circuit pattern 22, and is preferably a pattern made of copper (Cu). Unlike the circuit pattern 22, the circuit pattern 31 does not function as a pattern for an electrical signal with the image sensor 10, that is, a signal line. That is, the circuit pattern 31 does not conduct not only with the surface layer circuit pattern 22 of the interposer substrate 20 but also with the inner layer circuit pattern including through holes, and is in a floating state.

メッキ32は回路パターン31上に設けられる。図2に示すように支持用配線部材30のz軸方向の高さは、回路パターン22及びソルダーレジスト層23のz軸方向の高さの合計よりも高く、すなわちソルダーレジスト層23よりもz軸方向において高い所定の高さを有する。ソルダーレジスト層23の高さ(回路パターン22とソルダーレジスト層23とのz軸方向の高さの合計)は約40μmであるため、好適には当該所定の高さは約42μmである。好適にはメッキ32は主に銅(Cu)より構成される。銅であれば、比較的短時間でメッキ32を所定の高さ(膜厚)に析出できるためである。   The plating 32 is provided on the circuit pattern 31. As shown in FIG. 2, the height of the supporting wiring member 30 in the z-axis direction is higher than the total height of the circuit pattern 22 and the solder resist layer 23 in the z-axis direction, that is, the z-axis direction is higher than that of the solder resist layer 23. It has a high predetermined height in the direction. Since the height of the solder resist layer 23 (the total height in the z-axis direction of the circuit pattern 22 and the solder resist layer 23) is about 40 μm, the predetermined height is preferably about 42 μm. Preferably, the plating 32 is mainly composed of copper (Cu). This is because the plating 32 can be deposited at a predetermined height (film thickness) in a relatively short time if copper is used.

図2に示すように、イメージセンサ10は、ダイボンド樹脂50によりインターポーザ基板20に接着されて配設される。ここでイメージセンサ10は支持用配線部材30に当接し、支持用配線部材30がイメージセンサ10の高さ方向の位置決めをする。支持用配線部材30を構成する回路パターン31及びメッキ32は、それぞれミクロン単位でz軸方向の長さを規定して構成することができるため、イメージセンサ10の高さ方向(z軸方向)の位置決めをミクロン単位で行うことができる。   As shown in FIG. 2, the image sensor 10 is disposed by being bonded to the interposer substrate 20 with a die bond resin 50. Here, the image sensor 10 contacts the supporting wiring member 30, and the supporting wiring member 30 positions the image sensor 10 in the height direction. Since the circuit pattern 31 and the plating 32 that constitute the supporting wiring member 30 can be configured by defining the length in the z-axis direction in units of microns, the height of the image sensor 10 (z-axis direction) can be increased. Positioning can be performed in microns.

図3から図7により、本発明の実施形態1に係る撮像素子1の製造工程を示す。図3は、イメージセンサ10を配設する前のインターポーザ基板20の上面図である。図3に示すように、インターポーザ基板20上には、ボンディング電極221及び回路パターン31以外の部分がソルダーレジスト層23により覆われている。ここでボンディング電極221はワイヤ40によりワイヤボンディングするためにソルダーレジスト層23により覆われていない。また回路パターン31は、メッキ32を施すためにソルダーレジスト層23により覆われていない。   3 to 7 show manufacturing steps of the image sensor 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a top view of the interposer substrate 20 before the image sensor 10 is disposed. As shown in FIG. 3, a portion other than the bonding electrode 221 and the circuit pattern 31 is covered with a solder resist layer 23 on the interposer substrate 20. Here, the bonding electrode 221 is not covered with the solder resist layer 23 for wire bonding with the wire 40. The circuit pattern 31 is not covered with the solder resist layer 23 in order to apply the plating 32.

図4は、図3のB−B断面を示す断面図である。イメージセンサ10配設前のインターポーザ基板20は、基材21上に、回路パターン22と、当該回路パターンと同一の高さの回路パターン31とを備える。図3にて説明したように、ソルダーレジスト層23は、ボンディング電極221及び回路パターン31以外の部分を覆う。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a BB cross section of FIG. The interposer substrate 20 before the image sensor 10 is disposed includes a circuit pattern 22 and a circuit pattern 31 having the same height as the circuit pattern on a base material 21. As described with reference to FIG. 3, the solder resist layer 23 covers portions other than the bonding electrode 221 and the circuit pattern 31.

図5及び図6は、図3のインターポーザ基板20にメッキ32を施す工程を示す。図5に示すように、まずボンディング電極221をマスク60によりマスキングする。当該マスキングは、ボンディング電極221が極めて微細なパターンであるため、当該微細なパターンにメッキ32を付着させないために行う。続いて図6に示すように、メッキ32を施す。メッキ32を施すことにより、支持用配線部材30を所定の高さにする。具体的には、回路パターン31の高さ(z軸方向の長さ)が約20μmである場合、メッキ32を22μmの高さ(膜厚)で形成する。このようにすることで、支持用配線部材30の高さは所定の高さ(例えば42μm)に調整できる。   5 and 6 show a process of applying plating 32 to the interposer substrate 20 of FIG. As shown in FIG. 5, the bonding electrode 221 is first masked with a mask 60. The masking is performed to prevent the plating 32 from adhering to the fine pattern because the bonding electrode 221 has a very fine pattern. Subsequently, plating 32 is applied as shown in FIG. By applying the plating 32, the supporting wiring member 30 is brought to a predetermined height. Specifically, when the height (length in the z-axis direction) of the circuit pattern 31 is about 20 μm, the plating 32 is formed with a height (film thickness) of 22 μm. By doing so, the height of the supporting wiring member 30 can be adjusted to a predetermined height (for example, 42 μm).

メッキ32を施した後、図7に示すようにダイボンド樹脂50をインターポーザ基板20上に塗布する。続いてイメージセンサ10を図7のダイボンド樹脂50上から配線部材30に当接するまで押圧した後、熱処理によりダイボンド樹脂50を硬化させ、イメージセンサ10をインターポーザ基板20上に接着して配設し、図1に示す撮像素子1が完成する。   After the plating 32 is applied, a die bond resin 50 is applied onto the interposer substrate 20 as shown in FIG. Subsequently, after pressing the image sensor 10 from above the die bond resin 50 in FIG. 7 until it contacts the wiring member 30, the die bond resin 50 is cured by heat treatment, and the image sensor 10 is adhered and disposed on the interposer substrate 20, The imaging device 1 shown in FIG. 1 is completed.

このように実施の形態1の撮像素子1によれば、インターポーザ基板20上に設けられた支持用配線部材30により高さ方向の位置決めをするため、ダイボンド樹脂50、又はソルダーレジスト層23の不均一性による高さ方向のばらつきを抑えることができ、イメージセンサ10の高さ方向の調整を適切に行うことができる。   As described above, according to the imaging device 1 of the first embodiment, the die bonding resin 50 or the solder resist layer 23 is not uniform because the supporting wiring member 30 provided on the interposer substrate 20 positions in the height direction. The variation in the height direction due to the property can be suppressed, and the adjustment in the height direction of the image sensor 10 can be appropriately performed.

図8に実施の形態1の撮像素子1を実装した撮像装置70の実装例を示す。撮像装置70は、第1レンズ71と、第2レンズ72と、第3レンズ73と、レンズ支持部材74と、撮像素子1と、基板75と、基板支持部材76と筐体77とを備える。   FIG. 8 shows a mounting example of the imaging device 70 in which the imaging device 1 of the first embodiment is mounted. The imaging device 70 includes a first lens 71, a second lens 72, a third lens 73, a lens support member 74, an image sensor 1, a substrate 75, a substrate support member 76, and a housing 77.

第1レンズ71から第3レンズ73は、被写体からの光を撮像素子1上に導くためのレンズである。ここで図8ではレンズを3枚備える例を示しているがレンズの枚数はこれに限らず、1枚であってもよく、複数枚であってもよい。レンズ支持部材74は第1レンズ71から第3レンズ73を支持する。基板75には、撮像素子1を含む各種撮像装置70のデバイスが実装される。すなわち撮像素子1は、レンズ(第1レンズ71から第3レンズ73)と基板75との間に設けられ、レンズはイメージセンサ10と対向する。基板75は、基板支持部材76により支持される。第1レンズ71から第3レンズ73、レンズ支持部材74、撮像素子1、基板75、及び基板支持部材76は、筐体77内に設けられる。ここで撮像素子1のイメージセンサ10の高さ方向の位置決めが支持用配線部材30により行われるため、撮像装置70毎のバックフォーカスによる調整、煽りの調整が不要、又は簡素化することが可能となる。   The first lens 71 to the third lens 73 are lenses for guiding light from the subject onto the image sensor 1. Here, FIG. 8 shows an example in which three lenses are provided, but the number of lenses is not limited to this, and may be one or more. The lens support member 74 supports the first lens 71 to the third lens 73. On the substrate 75, devices of various imaging devices 70 including the imaging device 1 are mounted. That is, the imaging device 1 is provided between the lens (the first lens 71 to the third lens 73) and the substrate 75, and the lens faces the image sensor 10. The substrate 75 is supported by the substrate support member 76. The first lens 71 to the third lens 73, the lens support member 74, the image sensor 1, the substrate 75, and the substrate support member 76 are provided in the housing 77. Here, since the image sensor 10 is positioned in the height direction of the image sensor 10 by the support wiring member 30, it is possible to eliminate or simplify the adjustment by the back focus and the adjustment of the tilt for each imaging device 70. Become.

(実施の形態2)
以下に、本発明の実施の形態2について説明をする。図9は本発明の実施の形態2の撮像素子1bの構成を示す断面図である。実施の形態1と同一の構成については同一の符号を付し、説明は省略する。実施の形態2に係る撮像素子1は、実施の形態1にかかる構成と比較して、支持用配線部材30が回路パターン31と、スタッドバンプ32bにより構成される点が相違する。
(Embodiment 2)
The second embodiment of the present invention will be described below. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the image sensor 1b according to Embodiment 2 of the present invention. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The imaging element 1 according to the second embodiment is different from the configuration according to the first embodiment in that the supporting wiring member 30 is configured by a circuit pattern 31 and a stud bump 32b.

スタッドバンプ32bは、好適には金(Au)により構成される。図10から12により、本発明の実施形態2に係る撮像素子1bの製造工程を示す。   The stud bump 32b is preferably made of gold (Au). 10 to 12 show the manufacturing process of the image sensor 1b according to the second embodiment of the present invention.

図10及び図11は、図3のインターポーザ基板20上に、スタッドバンプ32bを施す工程を示す。図10に示すように、まずスタッドバンプ装置により回路パターン31上にスタッドバンプ32bを形成する。続いて図11に示すように各スタッドバンプの天面を、スタッドバンプ装置により押圧しバンプフラッタリングをする。スタッドバンプ32bを設けることにより、支持用配線部材30を所定の高さに調整する。具体的には、回路パターン31の高さ(z軸方向の長さ)が約20μmである場合、スタッドバンプ32bを22μm程度の高さ(z軸方向の長さ)に調整する。   10 and 11 show a process of applying the stud bump 32b on the interposer substrate 20 of FIG. As shown in FIG. 10, a stud bump 32b is first formed on a circuit pattern 31 by a stud bump device. Subsequently, as shown in FIG. 11, the top surface of each stud bump is pressed by a stud bump device to perform bump fluttering. By providing the stud bump 32b, the supporting wiring member 30 is adjusted to a predetermined height. Specifically, when the height (the length in the z-axis direction) of the circuit pattern 31 is about 20 μm, the stud bump 32 b is adjusted to a height of about 22 μm (the length in the z-axis direction).

スタッドバンプ32bを設けた後、図12に示すようにダイボンド樹脂50をインターポーザ基板20上に塗布する。続いてイメージセンサ10を図7のダイボンド樹脂50上から配線部材30に当接するまで押圧した後、熱処理によりダイボンド樹脂50を硬化させ、イメージセンサ10をインターポーザ基板20上に接着して配設し図9に示す撮像素子1bが完成する。   After providing the stud bump 32b, a die bond resin 50 is applied on the interposer substrate 20 as shown in FIG. Subsequently, the image sensor 10 is pressed from above the die bond resin 50 in FIG. 7 until it abuts against the wiring member 30, and then the die bond resin 50 is cured by heat treatment, and the image sensor 10 is adhered and disposed on the interposer substrate 20. 9 is completed.

このように実施の形態2の撮像素子1bによれば、インターポーザ基板20上に設けられた支持用配線部材30により高さ方向の位置決めをするため、ダイボンド樹脂50、又はソルダーレジスト層23の不均一性による高さ方向のばらつきを抑えることができ、イメージセンサ10の高さ方向の調整を適切に行うことができる。   As described above, according to the imaging device 1b of the second embodiment, the die bonding resin 50 or the solder resist layer 23 is not uniform because the supporting wiring member 30 provided on the interposer substrate 20 positions in the height direction. The variation in the height direction due to the property can be suppressed, and the adjustment in the height direction of the image sensor 10 can be appropriately performed.

特に支持用配線部材30の高さの調整を、スタッドバンプ32bを設けることにより行うため、実施の形態1に示すメッキ処理を施すための比較的大規模な設備が不要となり、少数ロットの生産をする場合等において有用である。   In particular, since the height of the supporting wiring member 30 is adjusted by providing the stud bump 32b, a relatively large-scale facility for performing the plating process shown in the first embodiment is not required, and a small number of lots can be produced. This is useful when

(変形例1)
図13に本発明の変形例1の撮像素子1cの例を示す。実施の形態1及び2においては、支持用配線部材30がいずれも回路パターン31と、メッキ32又はスタッドバンプ32bにより構成していたが、変形例においては支持用配線部材30が回路パターン31のみにより構成される。ここで当該構成は、インターポーザ基板20の、イメージセンサ10に対向する面に回路パターン22及びソルダーレジスト層23が存在しない場合において採用することができる。
(Modification 1)
FIG. 13 shows an example of an image sensor 1c according to Modification 1 of the present invention. In the first and second embodiments, the supporting wiring member 30 is composed of the circuit pattern 31 and the plating 32 or the stud bump 32b. However, in the modified example, the supporting wiring member 30 is composed only of the circuit pattern 31. Composed. Here, this configuration can be adopted when the circuit pattern 22 and the solder resist layer 23 do not exist on the surface of the interposer substrate 20 facing the image sensor 10.

(変形例2)
図14に本発明の変形例2の撮像素子1dから撮像素子1fついて説明する。上記の実施の形態においては、支持用配線部材30がいずれも突起状であったが、変形例2においては支持用配線部材30が線状である。具体的には撮像素子1dから撮像素子1fの支持用配線部材30は、それぞれコの字状、十字状、V字状である。このように構成することで、単一の支持用配線部材30であってもイメージセンサ10を支持することができる。
(Modification 2)
FIG. 14 illustrates the image sensor 1d to the image sensor 1f according to the second modification of the present invention. In the above-described embodiment, the supporting wiring member 30 has a protruding shape, but in the second modification, the supporting wiring member 30 has a linear shape. Specifically, the supporting wiring member 30 from the image pickup device 1d to the image pickup device 1f has a U shape, a cross shape, and a V shape. With this configuration, the image sensor 10 can be supported even with the single supporting wiring member 30.

以上、実施形態では配線部材30をフローティングとするケースを例に説明を行ったが、イメージセンサ10の裏面を設置させることが望ましいような使用の場合には、配線部材30を回路パターン31のグランドラインに接続させるよう構成してもよい。   As described above, in the embodiment, the case where the wiring member 30 is floating has been described as an example. However, in the case where it is desirable to install the back surface of the image sensor 10, the wiring member 30 is connected to the ground of the circuit pattern 31. You may comprise so that it may connect to a line.

本発明を諸図面や実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各素子及び各部材は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、各素子及び各部材を1つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。   Although the present invention has been described based on the drawings and examples, it should be noted that those skilled in the art can easily make various modifications and corrections based on the present disclosure. Therefore, it should be noted that these variations and modifications are included in the scope of the present invention. For example, each element and each member can be rearranged so that there is no logical contradiction, and each element and each member can be combined into one or divided.

1、1b、1c、1d、1f 撮像素子
10 イメージセンサ
20 インターポーザ基板(基板)
21 基材
22 回路パターン
221 ボンディング電極
23 ソルダーレジスト層
30 支持用配線部材(配線部材)
31 回路パターン
32 メッキ
32b スタッドバンプ
40 ワイヤ
50 ダイボンド樹脂
60 マスク
70 撮像装置
71 第1レンズ
72 第2レンズ
73 第3レンズ
74 レンズ支持部材
75 基板
76 基板支持部材
77 筐体
100 撮像素子
110 イメージセンサ
120 インターポーザ基板
121 基材
122 回路パターン
123 ソルダーレジスト層
140 ワイヤ
150 ダイボンド樹脂
1, 1b, 1c, 1d, 1f Image sensor 10 Image sensor 20 Interposer substrate (substrate)
21 Substrate 22 Circuit pattern 221 Bonding electrode 23 Solder resist layer 30 Supporting wiring member (wiring member)
Reference Signs List 31 Circuit Pattern 32 Plating 32b Stud Bump 40 Wire 50 Die Bond Resin 60 Mask 70 Imaging Device 71 First Lens 72 Second Lens 73 Third Lens 74 Lens Support Member 75 Substrate 76 Substrate Support Member 77 Housing 100 Image Sensor 110 Image Sensor 120 Interposer substrate 121 Base material 122 Circuit pattern 123 Solder resist layer 140 Wire 150 Die bond resin

Claims (11)

イメージセンサと、
前記イメージセンサが配設される基板と、
前記基板上に設けられる所定の高さの配線部材と、
を備え、
前記イメージセンサが前記配線部材に当接した状態で接着されていることを特徴とする撮像素子。
An image sensor;
A substrate on which the image sensor is disposed;
A wiring member having a predetermined height provided on the substrate;
With
An image sensor, wherein the image sensor is bonded in contact with the wiring member.
前記配線部材は、複数の部材を有することを特徴とする、請求項1に記載の撮像素子。   The imaging element according to claim 1, wherein the wiring member has a plurality of members. 前記複数の部材は、3つ以上の突起状の配線部材であることを特徴とする、請求項2に記載の撮像素子。   The imaging device according to claim 2, wherein the plurality of members are three or more protruding wiring members. 前記基板は、ソルダーレジスト層を有し、
前記所定の高さは、前記ソルダーレジスト層よりも高いことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の撮像素子。
The substrate has a solder resist layer,
4. The image sensor according to claim 1, wherein the predetermined height is higher than the solder resist layer. 5.
前記配線部材は、前記基板上に形成された回路パターンの一部を含んで構成されることを特徴とする、請求項4に記載の撮像素子。   The imaging device according to claim 4, wherein the wiring member includes a part of a circuit pattern formed on the substrate. 前記配線部材は、前記回路パターンの一部上に設けられたメッキを含んで構成されることを特徴とする、請求項5に記載の撮像素子。   The image pickup device according to claim 5, wherein the wiring member includes a plating provided on a part of the circuit pattern. 前記メッキは銅であることを特徴とする、請求項6に記載の撮像素子。   The imaging device according to claim 6, wherein the plating is copper. 前記配線部材は、前記回路パターンの一部上に設けられたスタッドバンプを含んで構成することを特徴とする、請求項5に記載の撮像素子。   The imaging device according to claim 5, wherein the wiring member includes a stud bump provided on a part of the circuit pattern. 前記回路パターンの一部は、他の回路パターンとは導通しないことを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の撮像素子。   The imaging device according to claim 1, wherein a part of the circuit pattern is not electrically connected to another circuit pattern. 前記イメージセンサと前記配線部材とは電気的に接続され、前記配線部材は接地されていることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の撮像素子。   The image sensor according to any one of claims 1 to 8, wherein the image sensor and the wiring member are electrically connected, and the wiring member is grounded. イメージセンサと、
前記イメージセンサが配設される基板と、
前記イメージセンサと対向するレンズと、
前記レンズが取り付けられる筐体と、
前記基板上に設けられる所定の高さの配線部材と、
を備え、
前記筐体内で、前記イメージセンサが前記配線部材に当接した状態で接着されていることを特徴とする撮像装置。
An image sensor;
A substrate on which the image sensor is disposed;
A lens facing the image sensor;
A housing to which the lens is attached;
A wiring member having a predetermined height provided on the substrate;
With
An image pickup apparatus, wherein the image sensor is bonded to the wiring member in the casing.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111164957A (en) * 2017-10-18 2020-05-15 日东电工株式会社 Substrate laminate and imaging device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109786A (en) * 1991-10-18 1993-04-30 Fujitsu Ltd Structure for mounting semiconductor chip
JP2007059581A (en) * 2005-08-24 2007-03-08 Konica Minolta Opto Inc Solid-state imaging apparatus and camera module
JP2007067142A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Smk Corp Circuit board for sensor chip
JP2008288327A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp Semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP2009206496A (en) * 2008-01-30 2009-09-10 Panasonic Corp Semiconductor chip and semiconductor device
JP2011035476A (en) * 2009-07-29 2011-02-17 Kyocera Corp Imaging module, imaging apparatus and method of manufacturing imaging module
WO2012017576A1 (en) * 2010-08-04 2012-02-09 パナソニック株式会社 Solid-state image pickup device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012069851A (en) * 2010-09-27 2012-04-05 Sony Corp Method of manufacturing solid state image pickup device, and solid state image pickup device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109786A (en) * 1991-10-18 1993-04-30 Fujitsu Ltd Structure for mounting semiconductor chip
JP2007059581A (en) * 2005-08-24 2007-03-08 Konica Minolta Opto Inc Solid-state imaging apparatus and camera module
JP2007067142A (en) * 2005-08-31 2007-03-15 Smk Corp Circuit board for sensor chip
JP2008288327A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp Semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP2009206496A (en) * 2008-01-30 2009-09-10 Panasonic Corp Semiconductor chip and semiconductor device
JP2011035476A (en) * 2009-07-29 2011-02-17 Kyocera Corp Imaging module, imaging apparatus and method of manufacturing imaging module
WO2012017576A1 (en) * 2010-08-04 2012-02-09 パナソニック株式会社 Solid-state image pickup device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111164957A (en) * 2017-10-18 2020-05-15 日东电工株式会社 Substrate laminate and imaging device
CN111164957B (en) * 2017-10-18 2022-04-05 日东电工株式会社 Substrate laminate and imaging device

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