JP2014162944A

JP2014162944A - Ｓｎめっき材料

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Publication number: JP2014162944A
Application number: JP2013034008A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Yoshida; 和生吉田; Yoshiaki Kobayashi; 良聡小林; Shuichi Kitagawa; 秀一北河
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Furukawa Automotive Systems Inc
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd; Furukawa Automotive Systems Inc
Priority date: 2013-02-23
Filing date: 2013-02-23
Publication date: 2014-09-08

Abstract

【課題】本発明は、特にＳｎめっき後にリフロー処理を行うことなく、優れた耐ウィスカ性およびレーザ溶接性と低接触抵抗とを有するＳｎめっき材料等を提供する。
【解決手段】本発明のＳｎめっき材料１は、Ｓｎめっき皮膜３が、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層４と、少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層５とを、１層ずつ交互に積層して形成した複層Ｓｎめっきからなり、複層Ｓｎめっきを構成する最上層が無光沢めっき層５であることを特徴とする。また、本発明のＳｎめっき材料１の製造方法は、金属基材２上に、直接、またはＣｕめっき７層を介して、もしくはＮｉめっき層６およびＣｕめっき層７を介して間接的にＳｎめっき皮膜３を形成し、Ｓｎめっき皮膜３は、電析法により、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層４と少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層５とを、１層ずつ交互に積層し、最表層が無光沢Ｓｎめっき層５となる複層めっきとして形成され、その後、熱処理を行わないか、あるいは１５０℃未満の低温での熱処理のみを行うことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、金属基材上にＳｎめっき皮膜を有するＳｎめっき材料に関し、特にＳｎめっき皮膜形成後にリフロー処理のような高温熱処理を行うことなく、優れた耐ウィスカ性およびレーザ溶接性と低接触抵抗とを有するＳｎめっき材料およびその製造方法に関する。

金属基材上、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金からなる金属基材上に、錫（Ｓｎ）や錫合金からなるめっき皮膜を有するＳｎめっき材料は、金属基材自体が具備する、優れた導電性や十分な強度と、ＳｎやＳｎ合金自体が具備する、優れた電気接触特性、耐食性および溶接性等とを併せ持った高機能材料として、缶用材料、電気製品、端子やコネクタなどの電子部品などの広い技術分野にわたって汎用されている。

このようなＳｎめっき鋼板は、Ｓｎめっき皮膜の表面からＳｎの単結晶からなる針状の結晶、いわゆるウィスカ（Ｗｈｉｓｋｅｒ）が経時的に発生しやすい傾向があり、この傾向は、特にＳｎめっき皮膜の表面が光沢Ｓｎめっきである場合に顕著である。このウィスカの発生は、例えば電子部品では、端子間または回路間で電気的に短絡を生じさせるおそれがあることから、ウィスカの発生を抑制するための手段を開発することが必要である。

ウィスカの発生を防止するための従来の手段としては、例えばＳｎめっき皮膜形成後に、熱処理炉内で230〜300℃程度の実体温度で数秒間のリフロー処理のような高温熱処理を行うことが有用である。

しかしながら、Ｓｎめっき材料に高温熱処理を施すと、金属基材が、例えばＣｕ合金基材の場合、高温熱処理によってＣｕ合金基材中のＣｕが、Ｓｎめっき皮膜中を熱拡散し、拡散したＣｕの一部がＳｎめっき皮膜の表面に存在するようになる結果、安定してＳｎめっき特有の低接触抵抗を安定して得られなくなり、加えて、高温熱処理を行う場合には、そのための熱処理炉を設ける必要があり、これは、設備コストの上昇をもたらすという問題があった。

金属基材上にＳｎめっき皮膜を有する従来のＳｎめっき材料としては、例えば特許文献１〜７が挙げられる。

特許文献1に記載されためっき材料は、Ｓｎめっき層が光沢Ｓｎめっき層であるか、あるいはＳｎめっき皮膜形成後にリフロー処理したものであって、前者は、めっき中の内部応力が高いため、厳しい使用環境下では、ウィスカの発生を十分に抑制することはできず、加えて、リフロー処理のための熱処理炉の設置が必要であり、設備コストの上昇の問題もある。

特許文献２に記載された導電材料は、Ｓｎめっき皮膜形成後に熱処理を行ってＣｕ−Ｓｎ合金層を形成したものであるため、安定してＳｎめっき特有の低接触抵抗を安定して得られず、加えて、リフロー処理のための熱処理炉の設置が必要であり、設備コストの上昇の問題がある。

特許文献３に記載されためっきを施した銅または銅合金は、Ｓｎめっき皮膜形成後にリフロー処理したものであるため、安定してＳｎめっき特有の低接触抵抗を安定して得られず、加えて、リフロー処理のための熱処理炉の設置が必要であり、設備コストの上昇の問題がある。

特許文献４に記載された光沢スズめっき法は、被めっき体に表面に無光沢スズめっきを行い、このめっき膜上に光沢スズめっきを行ったものであって、最表層の光沢スズめっきは、内部応力が高く、ウィスカが発生しやすいという問題がある。

特許文献５に記載された錫めっき金属板は、金属板上に、光沢剤濃度を変化させた錫めっき浴を用いて、炭素含有量を制限した光沢錫めっき層を形成したものであって、最表層の光沢錫めっき層は、内部応力が高いので、炭素含有量を制限しただけではウィスカの発生を十分に抑制することは難しいという問題がある。

特許文献６に記載された電子部品用リード部材は、芯材の表面に無光沢錫めっきと光沢錫めっきとで構成されており、最表層が光沢錫めっきであり、めっき中の内部応力が高いため、厳しい使用環境下では、ウィスカの発生を十分に抑制することはできないという問題がある。

特許文献７に記載されたリフローＳｎめっき部材は、導電性基材の表面に、ＳｎまたはＳｎ合金層からなる無光沢Ｓｎめっきと、ＳｎまたはＳｎ合金からなる光沢Ｓｎめっきを順次形成した後に、リフロー処理をするものであるため、Ｓｎめっき自体と比べて、接触抵抗が大きくなる傾向があり、加えて、リフロー処理のための熱処理炉の設置が必要であり、設備コストの上昇の問題もある。

このため、Ｓｎめっき皮膜形成後に高温熱処理を行わなくてもウィスカの発生を防止できる技術を開発することが望まれるようになってきた。

特開２００３−１７１７９０号公報特開２００４−６８０２６号公報特開２００３−２９３１８７号公報特開昭５１−１４３５３３号公報特開平２−２７０９８６号公報特開２００３−１０５５８６号公報特開２００５−１０５３０７号公報

本発明の目的は、特にＳｎめっき皮膜形成後にリフロー処理のような高温熱処理を行うことなく、優れた耐ウィスカ性およびレーザ溶接性と低接触抵抗とを有するＳｎめっき材料およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）金属基材上にＳｎめっき皮膜を有するＳｎめっき材料であって、前記Ｓｎめっき皮膜は、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層と、少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層とを、１層ずつ交互に積層して形成した複層Ｓｎめっきからなり、該複層Ｓｎめっきを構成する最上層が無光沢Ｓｎめっき層であることを特徴とするＳｎめっき材料。

（２）前記Ｓｎめっき皮膜は、１層の光沢Ｓｎめっき層と１層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる上記（１）に記載のＳｎめっき材料。

（３）前記Ｓｎめっき皮膜は、１層の光沢Ｓｎめっき層と２層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる上記（１）に記載のＳｎめっき材料。

（４）前記Ｓｎめっき皮膜は、２層の光沢Ｓｎめっき層と２層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる上記（１）に記載のＳｎめっき材料。

（５）前記金属基材が、鉄、銅およびアルミニウムの群から選択されるいずれかの金属または合金からなる上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のＳｎめっき材料。

（６）前記金属基材と前記Ｓｎめっき皮膜との間に、鉄、銅、コバルトおよびニッケルの群から選択されるいずれか１種の金属または合金からなる１層の下地めっき層をさらに有する上記（１）〜（５）のいずれか1項に記載のＳｎめっき材料。

（７）前記金属基材と前記Ｓｎめっき皮膜との間に、鉄、銅、コバルトおよびニッケルの群から選択されるいずれか２種の金属または合金のそれぞれからなる２層の下地めっき層をさらに有する上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載のＳｎめっき材料。

（８）金属基材上に、直接、またはＣｕめっき層を介して、もしくはＮｉめっき層およびＣｕめっき層を介して間接的にＳｎめっき皮膜を形成するＳｎめっき材料の製造方法であって、前記Ｓｎめっき皮膜は、電析法により、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層と少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層とを、１層ずつ交互に積層し、最表層が無光沢Ｓｎめっき層となる複層めっきとして形成され、その後、熱処理を行わないか、あるいは、１５０℃未満の低温での熱処理のみを行うことを特徴とするＳｎめっき材料の製造方法。

本発明によれば、特にＳｎめっき皮膜形成後にリフロー処理のような高温熱処理を行うことなく、優れた耐ウィスカ性およびレーザ溶接性と低接触抵抗とを有するＳｎめっき材料およびその製造方法を提供することが可能になった。

図1は、本発明に従う代表的なＳｎめっき材料の断面図である。図２は、本発明の別のＳｎめっき材料の断面図である。図３は、本発明の他のＳｎめっき材料の断面図である。図４は、本発明の他のＳｎめっき材料の断面図である。

次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら以下で説明する。
図１は、本発明に従う代表的なＳｎめっき材料の断面構成を模式的に示したものである。図１に示すＳｎめっき材料１は、金属基材２と、その金属基材２上に配置されたＳｎめっき皮膜３とで構成されている。

ここで、金属基材２は、本発明の効果を奏する観点からは、特に限定する必要はないが、缶用材料、電気製品、端子やコネクタなどの電子部品などの技術分野に使用する場合には、鉄、銅およびアルミニウムの群から選択されるいずれかの金属または合金からなることが好ましい。

そして、本発明の構成上の主な特徴は、Ｓｎめっき皮膜３を、異なる物性をもつ二種類のＳｎめっき層を積層した複層めっきとして形成することにあり、より具体的には、Ｓｎめっき皮膜を、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層４と、少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層５とを、１層ずつ交互に積層して形成した複層Ｓｎめっきとして形成し、この複層Ｓｎめっきを構成する最上層を、無光沢Ｓｎめっき層５とすることにあり、この構成を採用することによって、特にＳｎめっき皮膜３の形成後にリフロー処理のような高温熱処理を行うことなく、Ｓｎめっき材料１に、優れた耐ウィスカ性およびレーザ溶接性と、低接触抵抗とを具備させることができる。

すなわち、本発明者らは、低接触抵抗を本来有するＳｎめっき層を、最表層めっきとして形成した際に、リフロー処理のような高温熱処理を行うことなく、ウィスカ性の発生を抑制させるとともに、レーザ溶接性を向上させるための手段について鋭意検討した結果、意外にも、Ｓｎめっき皮膜を、内部応力が高く比較的硬質の光沢Ｓｎめっき層と、内部応力が低く比較的軟質の無光沢Ｓｎめっき層とを積層して複層Ｓｎめっきとして形成すると、リフロー処理のような高温熱処理を行わなくても、Ｓｎめっき皮膜全体の内部応力が経時的に小さくなり、Ｓｎめっき皮膜本来の低接触抵抗は維持しつつ、ウィスカの発生も抑制できることを見出した。さらに、Ｓｎめっき皮膜を構成する最上層を、無光沢Ｓｎめっき層とすることによって、レーザ溶接を行う際に照射されるレーザの吸収効率が高くなって、レーザ溶接性が向上することも判明し、本発明を完成するに至ったものである。

なお、本発明のＳｎめっき材料を構成するＳｎめっき皮膜全体の内部応力が経時的に小さくなるメカニズムについては定かではないが、内部応力が高い光沢Ｓｎめっき層と、内部応力が低い無光沢Ｓｎめっき層とをそれらの界面で接触するように積層することによって、それらめっき層境界では内部応力に差を生じることとなり、さらに高角粒界を有している境界を起点に再結晶粒が発生し、最終的には、内部応力の低いＳｎめっき層になっていくためと推定される。また、Ｓｎめっき皮膜を構成する最上層を無光沢Ｓｎめっき層とすることによってレーザ溶接性が向上するメカニズムについても定かではないが、無光沢Ｓｎめっき層の表面は、光沢Ｓｎめっき層の表面や、リフロー処理したＳｎめっき表面に比べて、マクロな表面粗さが大きく、照射されたレーザの反射率が低下するのに伴って吸収効率が上昇するためと推定される。

また、Ｓｎめっき皮膜を、光沢Ｓｎめっき層と無光沢Ｓｎめっき層とを積層して複層Ｓｎめっきとして形成すると、このＳｎめっき皮膜の硬さは、比較的硬質な光沢めっき層の硬さと、比較的軟質な無光沢めっき層の硬さの間にはならず、意外にも、無光沢めっき層の硬さよりもさらに小さくなることも判明した。よって、本発明のＳｎめっき材料は、曲げ加工性の向上効果も期待できることから、曲げ加工が必要な用途に使用する場合にも適している。

ここで、「異なる物性をもつ二種類のＳｎめっき層」とは、Ｓｎめっき層の組成自体は実質的に差がないが、めっき層中に存在する内部応力に伴う硬さの違いや、めっき層表面性状の違いなどの物性値が異なる二種類のＳｎめっき層を意味する。

また、光沢Ｓｎめっき層と無光沢Ｓｎめっき層の区別については、例えば、これらのＳｎめっき層を電析法によって形成する場合、Ｓｎめっき層を形成する際に、表面光沢を生じさせるために用いる光沢剤等の添加剤をめっき浴組成に添加して形成するＳｎめっき層を、光沢Ｓｎめっき層といい、表面光沢を生じさせるための添加剤をめっき浴組成に添加しないで形成するＳｎめっき層を無光沢Ｓｎめっき層として両者を区別することとした。

また、本発明では、最上層が無光沢めっき層であって、Ｓｎめっき皮膜を構成する光沢Ｓｎめっき層と無光沢Ｓｎめっき層とが接触するように積層されていればよいため、例えば、図２に示すように、Ｓｎめっき皮膜３を、金属基材２側から、無光沢Ｓｎめっき層５ａ，光沢Ｓｎめっき層４および無光沢Ｓｎめっき層５ｂの順に積層された、１層の光沢Ｓｎめっき層４と２層の無光沢Ｓｎめっき層５ａ、５ｂとの複層Ｓｎめっきで構成し、あるいは、図３に示すように、Ｓｎめっき皮膜３を、金属基材２側から、光沢Ｓｎめっき層４ａ、無光沢Ｓｎめっき層５ａ、光沢Ｓｎめっき層４ｂおよび無光沢Ｓｎめっき層５ｂの順に積層された、２層の光沢Ｓｎめっき層４ａ、４ｂと２層の無光沢Ｓｎめっき層５ａ、５ｂとの複層Ｓｎめっきで構成してもよく、光沢Ｓｎめっき層と無光沢Ｓｎめっき層の層数は、必要に応じて増減させることができる。

なお、Ｓｎめっき皮膜の内部応力を有効に低減させる観点からは、光沢Ｓｎめっき層および無光沢Ｓｎめっき層の各Ｓｎめっき層の厚さをできるだけ薄くして、配設層数を多くすることが再結晶の発生を促進する上で好ましいが、配設層数の上限は、製造上の点から実質的に制限される。

また、本発明は、金属基材２とＳｎめっき皮膜３との間に、必要に応じて鉄、銅、コバルトおよびニッケルの群から選択されるいずれか１種の金属または合金からなる１層の下地めっき層をさらに設けることもできる。図４は、本発明の他のＳｎめっき材料の断面構成を示したものであって、金属基材２側から、Ｎｉめっき層６、銅めっき層７、光沢めっき層４および無光沢めっき層５を順に積層形成したものである。

なお、上述した実施形態では、Ｓｎめっき皮膜を構成する光沢Ｓｎめっき層および無光沢Ｓｎめっき層を電析法で形成する場合で説明してきたが、Ｓｎめっき皮膜３を、異なる物性をもつ二種類のＳｎめっき層を積層した複層めっきとして形成することができるのであれば、無電解めっき法のような他の湿式めっき法や、蒸着法のような乾式めっき法によって形成することも可能である。

次に、本発明のＳｎめっき材料の製造方法の一例を以下で説明する。
本発明のＳｎめっき材料の製造方法は、金属基材２を、常法による脱脂、酸洗を順次行った後、この金属基材２上に、電析法により、直接、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層と少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層とを、１層ずつ交互に積層し、最表層が無光沢Ｓｎめっき層となるように形成する。

また、必要に応じて、Ｓｎめっき皮膜形成前に、金属基材２上に、電析法によって、Ｃｕめっき層を形成した後、あるいは、電析法によってＮｉめっき層とＣｕめっき層を順次形成した後に、Ｓｎめっき皮膜を形成してもよい。

本発明のＳｎめっき材料を構成する、光沢Ｓｎめっき層、無光沢めっき層、銅めっき層およびＮｉめっき層を形成するのに好適なめっき浴およびめっき条件を、一例として表１に示す。めっき層の厚さの調整はめっき時間によって調整を図った。めっき層の厚さの確認は、たとえば蛍光Ｘ線にめっき厚分析等の測定によって確認することができる。

そして、本発明のＳｎめっき材料は、Ｓｎめっき皮膜形成後、常温で、１日から1週間程度の期間にわたって大気中に放置しておけばよく、従来のＳｎめっき材料において、Ｓｎめっき皮膜形成後に行われているリフロー処理のような高温熱処理は省略することができるが、光沢Ｓｎめっき層と無光沢Ｓｎめっき層の境界からの再結晶粒の発生を促進する観点から、１５０℃未満の低温での熱処理であれば行ってもよい。

なお、上述したところは、この発明の実施形態の例を示したにすぎず、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。

次に、この発明に従うＳｎめっき材料を試作し、性能評価を行ったので、以下で説明する。

発明例１〜２１は、金属基材として銅合金（古河電工（株）製ＦＡＳ−６８０組成：Ｎｉ２．３質量％、Ｓｉ０．５５質量％、Ｚｎ０．５質量％、Ｓｎ０．１５質量％、Ｍｇ０．１質量％、残部はＣｕ及び不可避不純物）を用い、この銅合金基材上に、表１に示すめっき浴組成及びめっき条件の下、表２に示す皮膜構成のめっき皮膜を形成してＳｎめっき材料を試作した。なお、試作したＳｎめっき材料の一部については、その後、表2に示す低温熱処理を行った。

比較のため、Ｓｎめっき皮膜を１層の無光沢Ｓｎめっき層で形成した比較例１、Ｓｎめっき皮膜を１層の光沢Ｓｎめっき層で形成した比較例２、Ｓｎめっき皮膜を１層のＳｎめっき層で形成した後、２４０℃で６秒間のリフロー処理を行った比較例３および４、並びに、Ｓｎめっき皮膜を、１層の光沢Ｓｎめっき層と１層の無光沢Ｓｎめっき層で形成し、最表層を光沢Ｓｎめっき層とした比較例５についても併せて試作したので、発明例と同様に性能を評価した。

各試作材の性能評価は、Ｓｎめっき皮膜の硬さ、耐ウィスカ性、接触抵抗およびレーザ溶接性について行った。

（性能評価）
１．Ｓｎめっき皮膜の硬さ
Ｓｎめっき皮膜の硬さは、ＪＩＳＺ２２５１：２００９の「ヌープ硬さ試験−試験方法」に規定されている方法に準拠して測定を行った。測定条件は、荷重：１ｇ、時間：15秒である。表２に硬さの評価結果を示す。なお、表２中に示す硬さは、ヌープ硬さが３０ＨＫ以下の場合を「◎」５０ＨＫ以下の場合を「○」、５０ＨＫ超えの場合を「×」として記載した。

２．耐ウィスカ性
耐ウィスカ性は、ＪＥＩＴＡＲＣ−５２４１に準拠した外部応力型ウィスカ試験（[２]荷重試験）により評価した。
ウィスカ試験条件は、球圧子法１ｍｍφのジルコニア球を用いた一定荷重（標準条件２Ｎ)、試験時間１２０ｈ、室温条件で行い、ウィスカの発生の有無と発生時の長さを調査した。表２に耐ウィスカ性の評価結果を示す。なお、表２中に示す耐ウィスカ性は、ウィスカ長が、２μｍ未満の場合を「◎」、２μｍ以上１０μｍ未満の場合を「○」、そして、１０μｍ以上の場合を「×」として示す。

３．接触抵抗
接触抵抗の測定は、四端子法によって行った。測定条件は、荷重：１０ｇｆ，曲率半径Ｒ２．５ｍｍのＡｇプローブを用いた。表２に接触抵抗の評価結果を示す。なお、表２中に示す接触抵抗は、５ｍΩ以下の場合を「○」、５ｍΩ超えの場合を「×」として示す。

４．レーザ溶接性
レーザ溶接性は、グロスメータ（日本電色工業製Gloss Meter VG2000）を用い，各種Snめっき条の光沢度を測定し評価した。試験条件は、入射／受光角を60度とし、圧延方向に平行／垂直の向きに各３点ずつ（Ｎ＝３）測定した。表２にレーザ溶接性の評価結果を示す。なお、表２中に示すレーザ溶接性は、圧延方向、直角方向のいずれの方向も光沢度の平均値が６００未満である場合を「○」、いずれか一方でも６００以上である場合を「×」として示す。

表２に示す評価結果から、発明例１〜２１は、いずれもＳｎめっき層の硬さが軟らかく、耐ウィスカ性およびレーザ溶接性に優れ、接触抵抗が低かった。
これに対し、比較例1は、耐ウィスカ性が悪く、比較例２は、Ｓｎめっき層の硬さが硬く、耐ウィスカ性とレーザ溶接が劣っており、比較例３および４は、接触抵抗が高く、レーザ溶接が劣っており、そして、比較例５は、耐ウィスカ性とレーザ溶接が劣っていた。

１、１Ａ、１Ｂ、１ＣＳｎめっき材料
２金属基材
３Ｓｎめっき皮膜
４、４ａ、４ｂ光沢Ｓｎめっき層
５、５ａ、５ｂ無光沢Ｓｎめっき層
６Ｎｉめっき層
７Ｃｕめっき層

Claims

金属基材上にＳｎめっき皮膜を有するＳｎめっき材料であって、
前記Ｓｎめっき皮膜は、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層と、少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層とを、１層ずつ交互に積層して形成した複層Ｓｎめっきからなり、
該複層Ｓｎめっきを構成する最上層が無光沢Ｓｎめっき層であることを特徴とするＳｎめっき材料。
前記Ｓｎめっき皮膜は、１層の光沢Ｓｎめっき層と１層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる請求項１に記載のＳｎめっき材料。
前記Ｓｎめっき皮膜は、１層の光沢Ｓｎめっき層と２層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる請求項１に記載のＳｎめっき材料。
前記Ｓｎめっき皮膜は、２層の光沢Ｓｎめっき層と２層の無光沢Ｓｎめっき層との複層Ｓｎめっきからなる請求項１に記載のＳｎめっき材料。
前記金属基材が、鉄、銅およびアルミニウムの群から選択されるいずれかの金属または合金からなる請求項１〜４のいずれか１項に記載のＳｎめっき材料。
前記金属基材と前記Ｓｎめっき皮膜との間に、鉄、銅、コバルトおよびニッケルの群から選択されるいずれか１種の金属または合金からなる１層の下地めっき層をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のＳｎめっき材料。
前記金属基材と前記Ｓｎめっき皮膜との間に、鉄、銅、コバルトおよびニッケルの群から選択されるいずれか２種の金属または合金のそれぞれからなる２層の下地めっき層をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のＳｎめっき材料。
金属基材上に、直接、またはＣｕめっき層を介して、もしくはＮｉめっき層およびＣｕめっき層を介して間接的にＳｎめっき皮膜を形成するＳｎめっき材料の製造方法であって、
前記Ｓｎめっき皮膜は、電析法により、少なくとも１層の光沢Ｓｎめっき層と少なくとも１層の無光沢Ｓｎめっき層とを、１層ずつ交互に積層し、最表層が無光沢Ｓｎめっき層となる複層めっきとして形成され、その後、熱処理を行わないか、あるいは、１５０℃未満の低温での熱処理のみを行うことを特徴とするＳｎめっき材料の製造方法。