JP2014159565A - 信頼性の高い白色発光ダイオードデバイスのための蛍光体組成 - Google Patents

信頼性の高い白色発光ダイオードデバイスのための蛍光体組成 Download PDF

Info

Publication number
JP2014159565A
JP2014159565A JP2014013960A JP2014013960A JP2014159565A JP 2014159565 A JP2014159565 A JP 2014159565A JP 2014013960 A JP2014013960 A JP 2014013960A JP 2014013960 A JP2014013960 A JP 2014013960A JP 2014159565 A JP2014159565 A JP 2014159565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
oxynitride
nitride
based phosphor
phosphor composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014013960A
Other languages
English (en)
Inventor
Yao-Yu Yang
耀瑜 楊
Kuang-Mao Lu
▲こう▼懋 呂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Everlight Electronics Co Ltd
Original Assignee
Everlight Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Everlight Electronics Co Ltd filed Critical Everlight Electronics Co Ltd
Publication of JP2014159565A publication Critical patent/JP2014159565A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

【課題】信頼性の高い白色LEDデバイスのための、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)蛍光体と同様の発光及び高温状態での熱安定性を有する蛍光体組成の提供。
【解決手段】蛍光体組成は、緑色光を発する第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、赤色光を発する第2の窒化物ベースの蛍光体とを備える。第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比が、約8:2から約9:1までである場合に、蛍光体組成の発光スペクトルは、550nmにピークを有する黄色YAG蛍光体の発光スペクトルに非常に似る。蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発する。第一の酸化物ベースの蛍光体はM(II)Siで表わされ、第二の窒化物ベースの蛍光体はCAAlSiNで表わされる蛍光体組成である
【選択図】図1

Description

[関連出願]
本願は、2013年2月7日出願の米国出願61/761,924号に係る本出願であり、当該出願の優先権を主張するものであり、当該出願の全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、蛍光体組成、より具体的には、白色発光ダイオード(LED)デバイスに用いられる蛍光体組成に関する。
画像表示装置における薄型化及びハイパフォーマンス化の需要増加の最近の傾向に伴い、液晶ディスプレイ(LCD)は、テレビ、コンピュータモニタ及びスマートフォンディスプレイを含む幅広いコンピュータ製品に広く用いられている。LCDパネルはそれ自身では、光を発することができないため、バックライト部等の別個の光源部を要する。バックライト部は、明るさ、コントラスト及びその他の視覚の多くの面に著しく影響を与えるため、LCDのためにバックライト部を選択することは重要な検討事項である。白色LEDは最近、その低消費電力、信頼性の高さ及び動作寿命の長さによりバックライト部として人気を得ている。
白色LEDは、一般的に青色LED及び黄色蛍光体から構成されている。青色LEDによって発せられる青色光の一部は、黄色光を発する黄色蛍光体を励起する。黄色は、青色LEDからの青色光の別の一部と混合されて白色光を生成する。また、LEDは、LEDの青色光を少なくとも部分的に緑色及び赤色発光放射に変換する緑色及び赤色蛍光体の混合物を使用し得る。その結果得られた青色、赤色及び緑色の加法混色により、白色光を生成することができる。一般的に、蛍光体は、白色LEDの発光効率、演色、色温度及び寿命を決定する。
製造コストを抑えるためには、バックライト部1つ当たりの白色LEDの数を減らす必要がある。白色LEDの数を減らしながらも、バックライト部の明るさを同じままにするには、白色LEDをかなり高い電圧で駆動する必要がある。このため、白色LEDにおいて、高い熱安定性を有する蛍光体を利用する必要がある。
当分野において、最も一般的に用いられる黄色発光蛍光体は、比類なき効率性を示すCeがドープされたイットリウムアルミニウムガーネット(YAG:Ce)である。YAGに代わるものとして、ケイ酸塩ベースの蛍光体が発展してきた。しかしながら、ケイ酸塩ベースの蛍光体は、高温及び高湿度環境において安定性に乏しい。このため、これらの蛍光体は、室温では高効率であるが、高温状態では比較的大きい消光性をこうむる。よって、YAG蛍光体と同様の発光及び熱安定性を有し、YAG蛍光体の有望な代わりとしての、新たな蛍光体組成の発展の必要性が続いている。
本開示は、上記課題を解決するための蛍光体組成、及びそのような蛍光体組成を用いた信頼性の高い白色LEDデバイスを提供する。
1つの側面から、蛍光体組成を説明する。蛍光体組成は、緑色光を発する第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、赤色光を発する第2の窒化物ベースの蛍光体とを備えてもよい。蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発してもよい。
1つの形態では、第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、M(II)aSibOcNdCe:Aとの一般式によって表されてもよい。M(II)aSibOcNdCe:Aにおいて、M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cd又はこれらの組み合わせを含んでもよい。Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含んでもよい。さらに、6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2との条件を満たしてもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体は、CaAlSiN:Euとの式によって表されてもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までであってもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8.04:1.95であってもよい。
1つの形態では、蛍光体組成のCIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれてもよい。
1つの形態では、蛍光体組成の発光のCIE色座標は、(0.365、0.372)であってもよい。
別の側面から、蛍光体組成を説明する。蛍光体組成は、M(II)Si:Aとの一般式によって表される第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、CaAlSiN:Euとの式によって表される第2の窒化物ベースの蛍光体とを備える。M(II)Si:Aにおいて、M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含んでもよい。Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含んでもよい。さらに、6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2との条件を満たしてもよい。第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までであってもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8.04:1.95であってもよい。
1つの形態では、蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発してもよい。
1つの形態では、蛍光体組成の発光のCIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれてもよい。
別の側面から、蛍光体組成を説明する。蛍光体組成は、M(II)Si:Aとの一般式によって表される第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、CaAlSiN:Euとの式によって表される第2の窒化物ベースの蛍光体とを備える。M(II)Si:Aにおいて、M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含んでもよい。Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含んでもよい。さらに、6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2との条件を満たしてもよい。蛍光体組成は、0.356≦x≦0.365及び0.372≦y≦0.380の範囲のCIE色座標の光を発してもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8.04:1.95であってもよい。
1つの形態では、蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発してもよい。
さらなる別の側面から、発光ダイオード(LED)デバイスを説明する。LEDデバイスは、450nmから460nmまでの範囲にピーク発光波長を有する青色LEDと、当該LED上または当該LEDに覆って設けられた蛍光体組成とを備えてもよい。蛍光体組成は、550nmから560nmまでの範囲にピーク発光波長を有する第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、570nmから600nmまでの範囲にピーク発光波長を有する第2の窒化物ベースの蛍光体とを備えてもよい。蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発してもよい。
1つの形態では、第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、M(II)Si:Aとの一般式によって表されてもよい。M(II)Si:Aにおいて、M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cd又はこれらの組み合わせを含んでもよい。Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含んでもよい。さらに、6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2との条件を満たしてもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体は、CaAlSiN:Euとの式によって表されてもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までであってもよい。
1つの形態では、第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8.04:1.95であってもよい。
1つの形態では、蛍光体組成の発光のCIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれてもよい。
1つの形態では、蛍光体組成の発光のCIE色座標は、0.356≦x≦0.365及び0.372≦y≦0.380の範囲である。
1つの形態では、LEDデバイスの発光のCIE色座標は、0.28≦x≦0.39及び0.25≦y≦0.35の範囲である。
1つの形態では、LEDデバイスはさらにディフューザを備えてもよい。
1つの形態では、ディフューザは、ZnO、SiO、TiO、Al又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
本開示の多様な形態の特徴及び利点をより理解する目的で、多様な形態の詳細の記載を、添付の図面を参照して以下に示す。
本開示の1つの実施例における白色発光ダイオードデバイスの断面図を示す。 本開示の1つの実施例における蛍光体組成と黄色YAG蛍光体との発光の比較を示す。
本開示は、信頼性の高い白色LEDデバイスのための、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)蛍光体と同様の発光及び熱安定性を有する蛍光体組成を提供する。
図1に、本開示の1つの実施例における白色発光ダイオード(LED)デバイス100の断面図を示す。図1を参照すると、白色LEDデバイス100は、青色LED101、反射シェル103、及び導電性リードフレーム105を備える。青色LED101は、反射シェル103の内部に設けられ、複数の導電性ワイア107を介してリードフレーム105に電気的に接続される。カプセル層109は、反射シェル103の内部に満たされ、青色LED101を覆う。蛍光体組成111は、カプセル層109に混ぜられ、青色LED101上に且つ青色LED101をまたがって設けられる。青色LED101は、約450nmから460nmまでのピーク波長を有する410nmから480nmまでの波長範囲の光を発する。白色LEDデバイス100は、0.28≦x≦0.39及び0.25≦y≦0.35の範囲のCIE色座標を有する光を発する。
上記の白色LEDデバイス100の蛍光体組成111において、YAG蛍光体の発光と同様の発光をするために、第1の酸窒化物ベースの緑色発光蛍光体と第2の窒化物ベースの赤色発光蛍光体とが適切な割合で混合される。第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、青色光または紫外光で励起されたときに、約550nmから560nmまでの発光ピーク範囲を有する緑色領域で発光する。第2の窒化物ベースの蛍光体は、青色光または紫外光で励起されたときに、約570nmから600nmまでの発光ピーク範囲を有する赤色領域で発光する。
上記の蛍光体組成111において、第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、M(II)Si:Aとの一般式によって表される。6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2である。好ましくは、6.5<a<7.5、8.5<b<12.5、14<c<16、6<d<7.5、及び0<e<1である。M(II)は、少なくとも1つの二価陽イオンを含み、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、及びCdからなる群から選択されてもよい。Aは、M(II)に対して約0.001モルパーセントから約20モルパーセントまでの濃度、好ましくは、約0.1モルパーセントから約10モルパーセントの濃度である第1の酸窒化物ベースの蛍光体の母体結晶にドープされる発光アクチベーターを含む。1つの実施例では、Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSb、好ましくは、Eu2+、Ce3+、Tb3+、Yb2+及びMn2+からなる群から選択されてもよい。
第2の窒化物ベースの蛍光体は、CaAlSiN:Euとの式によって表される。
第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の混合重量比は、好ましくは、約9:1から約8:2まで、より好ましくは、約8.04:1.95である。蛍光体組成の発光のCIE色座標は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たす。蛍光体組成の発光のCIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれる。
表1に、本開示に準じた蛍光体組成の複数の実施例におけるCIE色座標をまとめた。
図2に、本開示の1つの実施例における蛍光体組成と黄色YAG蛍光体との発光の比較を示す。蛍光体組成111における第2の窒化物ベースの蛍光体に対する第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8.04:1.05である。図2に示されたとおり、蛍光体組成111は、約550nmにピーク波長を有する480nmから730nmまでの広域発光領域を有する。蛍光体組成の発光スペクトラムは、黄色YAG蛍光体の発光スペクトラムと非常に似ている。
上記の蛍光体組成111は、白色LEDデバイス100の明るさを上げるべく、ディフューザ(1−10μmの粒子サイズD50を有する5−15パーセント(w/w))を含んでもよい。ディフューザは、例えば、ZnO、SiO、TiO、Al又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
白色LEDデバイス100の蛍光体組成111の励起効率を向上するために、蛍光体組成111の濃度は、カプセル層109の表面から青色LED101の表面に向かって徐々に増加してもよいことに留意されたい。青色LED101は、一般的な蛍光体組成111によって覆われてもよい。この場合には、一般的な蛍光体組成111は、吹き付け、成形、印刷等によって形成されてもよい。あるいは、青色LED101は、蛍光体組成111によって間接的に覆われてもよい。蛍光体組成111は、青色LED101と距離を空けて設けられてもよく、それでもなお青色LED101によって励起されてもよい。例えば、蛍光体組成111は、蛍光体プレートまたはライトガイドプレートを形成するために樹脂と混合されてもよく、または、樹脂プレートに吹き付けられてもよく、または、ライトガイドプレート上に設けられてもよい。このようにして、蛍光体組成111の光均一性及び青色LED101によって生成される高熱に対する蛍光体組成111の熱耐性が向上され得る。
要するに、本開示の白色LEDデバイスに使用される蛍光体組成は、黄色YAG蛍光体の発光領域と同様に黄色領域において発光し、ケイ酸塩ベースの蛍光体に係る問題である熱不安定性をもたない。よって、本開示の蛍光体組成は、信頼性の高い白色LEDを提供するために、従来のYAG蛍光体及びケイ酸塩ベースの蛍光体に効果的に取って変わることができる。
本開示の多くの実施例をここでは示してきた。しかしながら、当業者であれば、本開示の範囲は、開示された実施例には限定されないこと、及びされ得ないことは理解できるであろう。より具体的には、当業者であれば、開示された実施例に基づいて、多様な変更及び改良をし得るであろう。そのような変更及び改良も本開示の範囲に含まれる。よって、本開示から生まれる特許の保護範囲は、以下の請求項によって決定される。

Claims (25)

  1. 緑色光を発する第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、
    赤色光を発する第2の窒化物ベースの蛍光体と
    を備え、
    y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発する
    蛍光体組成。
  2. 前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、M(II)Si:Aとの一般式によって表され、
    M(II)は、Be、Mg、 Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含み、
    Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含み、
    6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2である、請求項1に記載の蛍光体組成。
  3. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体は、CaAlSiN:Euとの式によって表される、請求項1又は2に記載の蛍光体組成。
  4. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までである、請求項1から3の何れか1項に記載の蛍光体組成。
  5. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の前記重量比は、約8.04:1.95である、請求項4に記載の蛍光体組成。
  6. 前記蛍光体組成が発する前記光の前記CIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれる、請求項1から5の何れか1項に記載の蛍光体組成。
  7. 前記蛍光体組成が発する前記光の前記CIE色座標は、(0.365、0.372)である、請求項6に記載の蛍光体組成。
  8. M(II)Si:Aとの一般式によって表される第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、
    CaAlSiN:Euとの式によって表される第2の窒化物ベースの蛍光体と
    を備え、
    M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、 Zn、及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含み、
    Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含み、
    6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2であり、
    前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までである
    蛍光体組成。
  9. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の前記重量比は、約8.04:1.95である、請求項8に記載の蛍光体組成。
  10. y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発する、請求項8又は9に記載の蛍光体組成。
  11. 前記蛍光体組成が発する前記光の前記CIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれる、請求項10に記載の蛍光体組成。
  12. M(II)Si:Aとの一般式によって表される第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、
    CaAlSiN:Euとの式によって表される第2の窒化物ベースの蛍光体と
    を備え、
    M(II)は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含み、
    Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含み、
    6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2であり、
    0.356≦x≦0.365及び0.372≦y≦0.380の範囲のCIE色座標の光を発する
    蛍光体組成。
  13. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までである、請求項12に記載の蛍光体組成。
  14. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の前記重量比は、約8.04:1.95である、請求項13に記載の蛍光体組成。
  15. y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発する、請求項12から14の何れか1項に記載の蛍光体組成。
  16. 450nmから460nmまでの範囲にピーク発光波長を有する青色LEDと、
    前記青色LED上または前記青色LEDに覆って設けられた蛍光体組成と
    を備え、
    前記蛍光体組成は、
    550nmから560nmまでの範囲にピーク発光波長を有する第1の酸窒化物ベースの蛍光体と、
    615nmから700nmまでの範囲にピーク発光波長を有する第2の窒化物ベースの蛍光体と
    を備え、
    前記蛍光体組成は、y=0.0805x−154.06x+97017x−2E+07という式を満たすCIE色座標の光を発する
    LEDデバイス。
  17. 前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体は、M(II)Si:Aとの一般式によって表され、
    M(II)は、Be、Mg、 Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn及びCdからなる群から選択された少なくとも1つの二価陽イオンを含み、
    Aは、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、及びSbからなる群から選択された発光アクチベーターを含み、
    6<a<8、8<b<14、13<c<17、5<d<9、及び0<e<2である、請求項16に記載のLEDデバイス。
  18. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体は、CaAlSiN:Euとの式によって表される、請求項16又は17に記載のLEDデバイス。
  19. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の重量比は、約8:2から約9:1までである、請求項16から18の何れか1項に記載のLEDデバイス。
  20. 前記第2の窒化物ベースの蛍光体に対する前記第1の酸窒化物ベースの蛍光体の前記重量比は、約8.04:1.95である、請求項19に記載のLEDデバイス。
  21. 前記蛍光体組成が発する前記光の前記CIE色座標は、(0.30、0.25)、(0.30、0.43)、(0.39、0.25)及び(0.39、0.43)の座標を有する点によって規定される領域に含まれる、請求項16から20の何れか1項に記載のLEDデバイス。
  22. 前記蛍光体組成が発する前記光の前記CIE色座標は、0.356≦x≦0.365及び0.372≦y≦0.380の範囲である、請求項21に記載のLEDデバイス。
  23. 前記LEDデバイスが発する光のCIE色座標は、0.28≦x≦0.39及び0.25≦y≦0.35の範囲である、請求項16から22の何れか1項に記載のLEDデバイス。
  24. ディフューザをさらに備える、請求項16から23の何れか1項に記載のLEDデバイス。
  25. 前記ディフューザは、ZnO、SiO、TiO、Al又はこれらの組み合わせを含む、請求項24に記載のLEDデバイス。
JP2014013960A 2013-02-07 2014-01-29 信頼性の高い白色発光ダイオードデバイスのための蛍光体組成 Pending JP2014159565A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361761924P 2013-02-07 2013-02-07
US61/761,924 2013-02-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014159565A true JP2014159565A (ja) 2014-09-04

Family

ID=49999844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014013960A Pending JP2014159565A (ja) 2013-02-07 2014-01-29 信頼性の高い白色発光ダイオードデバイスのための蛍光体組成

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140217447A1 (ja)
EP (1) EP2765175A3 (ja)
JP (1) JP2014159565A (ja)
TW (1) TW201432953A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107527593B (zh) * 2017-08-21 2023-09-08 易美芯光(北京)科技有限公司 一种高光效的tft-lcd背光显示驱动方法
CN108147669A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 武汉理工大学 一种嵌有yag微晶相的闪烁微晶玻璃及其制备方法
CN109987932B (zh) * 2018-01-02 2022-08-09 上海航空电器有限公司 用于白光照明的复相荧光陶瓷、制备方法及光源装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261512A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
WO2008020541A1 (fr) * 2006-08-14 2008-02-21 Fujikura Ltd. Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage
WO2011142880A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Lightscape Materials, Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4902513B2 (ja) * 2007-12-11 2012-03-21 シャープ株式会社 発光装置およびこれを利用した照明装置、表示装置
EP2708925B1 (en) * 2010-04-10 2022-03-30 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light source device
TWI464241B (zh) * 2011-08-02 2014-12-11 Everlight Electronics Co Ltd 螢光粉組成及使用該螢光粉組成的白色發光裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261512A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
WO2008020541A1 (fr) * 2006-08-14 2008-02-21 Fujikura Ltd. Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage
WO2011142880A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Lightscape Materials, Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20140217447A1 (en) 2014-08-07
EP2765175A3 (en) 2014-09-03
TW201432953A (zh) 2014-08-16
EP2765175A2 (en) 2014-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI616515B (zh) 用於一般照明與顯示器背光源之磷光體轉換白光發光裝置及光致發光化合物
JP3956972B2 (ja) 蛍光物質を用いた発光装置
JP5604482B2 (ja) 発光装置
US8436527B2 (en) Light emitting device
JP5511820B2 (ja) アルファ−サイアロン発光体
JP4896129B2 (ja) 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
US9279081B2 (en) Phosphor composition and white light emitting device using the same
JP2009280763A (ja) 蛍光体調製物およびそれを用いた発光装置
JP2009079094A (ja) 蛍光体およびそれを用いたledランプ
JP2012077290A (ja) 発光装置
JP5390390B2 (ja) 蛍光体およびそれを用いたledランプ
JP4187033B2 (ja) 発光装置
CN102916113B (zh) 荧光粉组成及使用该荧光粉组成的白色发光装置
JP2014159565A (ja) 信頼性の高い白色発光ダイオードデバイスのための蛍光体組成
JP2005146172A (ja) 発光装置および発光装置用蛍光体
KR101176212B1 (ko) 알카리 토류 포스포러스 나이트라이드계 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP4492189B2 (ja) 発光装置
JP2016207824A (ja) 発光装置及びその製造方法
KR100707871B1 (ko) 조명용 백색 발광장치
JP2013214718A (ja) 酸窒化物系蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2004123764A (ja) 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光素子
KR100647823B1 (ko) 조명용 백색 발광장치
KR20170054801A (ko) 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
CN103980891A (zh) 荧光粉组成及发光二极管元件
JP2012077208A (ja) 炭窒化物系蛍光体、およびこれを用いた発光装置、並びに炭窒化物系蛍光体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150406

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150707