JP2014157809A - ドナーフィルム、その製造方法、及びそれを用いる有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 185
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 13
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【課題】精密な転写パターンを形成できるドナーフィルム及びそのドナーフィルムを用いる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】ドナーフィルムは、ベースフィルム、光−熱変換パターン、反射膜及び転写層を含む。前記ベースフィルムは第１領域と前記第１領域を囲むとともに有機物に対する結合特性が前記第１領域とは異なる第２領域と、を備える。前記光−熱変換パターンは前記ベースフィルム上の前記第１領域に配置される。前記反射膜は前記ベースフィルム上の前記第２領域に配置される。前記転写層は前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に配置される。
【選択図】図２
【解決手段】ドナーフィルムは、ベースフィルム、光−熱変換パターン、反射膜及び転写層を含む。前記ベースフィルムは第１領域と前記第１領域を囲むとともに有機物に対する結合特性が前記第１領域とは異なる第２領域と、を備える。前記光−熱変換パターンは前記ベースフィルム上の前記第１領域に配置される。前記反射膜は前記ベースフィルム上の前記第２領域に配置される。前記転写層は前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に配置される。
【選択図】図２
Description
本発明は、ドナーフィルム、その製造方法及びそれを用いる有機発光表示装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、精密な転写パターンを形成することができるドナーフィルム、その製造方法及びそれを用いる有機発光表示装置の製造方法に関する。
一般に有機発光表示装置は薄膜トランジスタ基板、対向基板及び前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置される複数の有機発光素子を備える。各有機発光素子は画素定義膜によって一部が露出されるアノード電極上に有機膜が配置され、前記有機膜上にカソード電極が配置される構造を有する。前記有機発光素子は正孔（ｈｏｌｅ）と電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が前記アノード電極と前記カソード電極から前記有機膜に注入され、前記電子と前記正孔は前記有機膜で再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成する。前記励起子は励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底（ｇｒｏｕｎｄ）状態に落ちるとき放出されるエネルギーを光の形で放出する。
一方、前記有機膜は様々な方法を用いて形成できる。例えば、前記有機膜は蒸着法、印刷法、転写法のうちいずれか一つの方法により形成できる。
最近では、ドナーフィルムを用いて前記有機膜を微細パターン状に形成できる転写法の研究が進められている。
本発明の一目的は精密な転写パターンを形成できるドナーフィルムを提供することである。
また、本発明の他の目的は前記ドナーフィルムの製造方法を提供することである。
また、本発明の更なる他の目的は前記ドナーフィルムを用いる有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
本発明の一目的を達成するためのドナーフィルムはベースフィルム、光−熱変換パターン、反射膜及び転写層を含む。前記ベースフィルムは第１領域と、前記第１の領域を囲むとともに有機物に対する結合特性が前記第１領域とは異なる第２領域と、を備える。前記光−熱変換パターンは前記ベースフィルム上の前記第１領域に配置できる。前記反射膜は前記ベースフィルム上の前記第２領域に配置できる。前記転写層は前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に配置できる。
前記ベースフィルムの前記第１領域の表面は親液性を有し、前記ベースフィルムの前記第２領域の表面は撥液性を有する。
前記光−熱変換パターンは有機バインダーと、前記有機バインダー内に分散された光吸収物質と、を含み、前記光吸収物質はカーボンブラックからなる。
前記反射膜はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びマグネシウム合金（Ｍｇ ａｌｌｏｙ）のうちいずれか一つを含む。
前記転写層と前記光−熱変換パターン及び前記反射膜との間に配置される中間層をさらに含む。
本発明の他の目的を達成するためのドナーフィルムの製造方法は、ベースフィルムの表面に親液性を有する第１領域及び前記第１領域を囲むとともに撥液性を有する第２領域を形成する段階、前記ベースフィルム上に有機バインダー及び前記有機バインダー内に分散された光吸収物質を含む混合物を塗布して、前記ベースフィルム上の前記第１領域に光−熱変換パターンを形成する段階、前記ベースフィルム上の前記第２領域に反射膜を形成する段階、前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に転写層を形成する段階を含む。
前記第１領域及び前記第２領域を形成する段階は、開口を有するマスクを使用してベースフィルムに光を照射して前記開口に対応する前記ベースフィルムの領域、即ち、前記第１領域が親液性を有するようにする。
本発明の更なる他の目的を達成するための有機発光表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ基板及び前記薄膜トランジスタ基板上に配置される第１電極を備えるアクセプタ基板を準備する段階と、前記アクセプタ基板上にドナーフィルムを配置する段階と、前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記第１電極上に有機膜を形成する段階と、前記有機膜上に第２電極を形成する段階と、を含む。
前記のようなドナーフィルムは光−熱変換パターンが配置されていない領域に反射膜を備えて、精密な転写パターンを具現できる。従って、前記ドナーフィルムを用いる有機発光表示装置の製造方法は転写された有機膜が精密なパターン形状を有する。
本発明は、様々な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定の実施形態を図面に例示して詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むものと理解されるべきである。
各図面の説明において、類似な参照符号は類似な構成要素について使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は様々な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使用される。例えば、本発明の権利範囲から外れなく、第１構成要素は第２構成要素として命名でき、同様に第２構成要素も第１構成要素として命名できる。単数の表現は、文脈上明らかに違わない限り複数の表現を含む。
本出願では、“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するもので、一つ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除してはならない。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるものとすれば、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけではなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“下に”あるものとすれば、これは他の部分の“すぐ下に”ある場合だけではなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳しく説明する。
図１は本発明の一実施形態によるドナーフィルムを説明するための平面図であり、図２は図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
図１及び図２を参照すると、ドナーフィルム１００は、ベースフィルム１１０、光−熱変換パターン１２０、反射膜１３０、中間層１４０及び転写層１５０を含む。
ベースフィルム１１０は光、例えば、レーザーに対する透過度及び耐熱性の高い材料を含む。例えば、ベースフィルム１１０はポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔａｌａｔｅ、ＰＥＮ）フィルムからなる。また、ベースフィルム１１０の厚さは１０〜５００μｍである。
また、ベースフィルム１１０の一面はマトリックスの形で配列されている第１領域ＦＡ及び前記第１領域ＦＡを含み、第１領域ＦＡと、有機物に対する結合特性が第１領域ＦＡとは異なる第２領域ＳＡとに区分される。ここで、第１領域ＦＡのベースフィルム１１０の表面は親液性を有し、前記第２領域ＳＡの前記ベースフィルム１１０の表面は撥液性を有する。
光−熱変換パターン１２０はベースフィルム１１０上の第１領域ＦＡに配置できる。従って、光−熱変換パターン１２０はベースフィルム１１０上にマトリックスの形で配列される。また、光−熱変換パターン１２０は有機バインダー（ｂｉｎｄｅｒ）及び有機バインダー内に分散された光吸収物質を含む。光吸収物質は外部から照射される光を吸収して熱に変換させる。例えば、光吸収物質はカーボンブラック（Ｃａｒｂｏｎ Ｂｌａｃｋ）からなる。
反射膜１３０はベースフィルム１１０上の第２領域ＳＡに配置できる。即ち、反射膜１３０はベースフィルム１１０上の光−熱変換パターン１２０が配置されていない領域に配置され、光−熱変換パターン１２０を囲む形態をなす。また、反射膜１３０は光反射特性を有し、ドナーフィルム１００に入射される光を反射させる。例えば、反射膜１３０はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びマグネシウム合金（Ｍｇ ａｌｌｏｙ）のうちいずれか一つを含む。
中間層１４０は光−熱変換パターン１２０及び反射膜１３０上に配置される。中間層１４０は光−熱変換パターン１２０に含まれた光吸収物質が前記転写層１５０を汚染することを防ぐ。また、中間層１４０は光−熱変換パターン１２０から発生するアウトガスを遮断することができる。中間層１４０は熱耐性の高い物質を含み、転写層１５０との接着力を有する。また、中間層１４０は有機膜、無機膜および有機・無機複合層のうちいずれか一つである。有機膜はアクリル樹脂またはアルキド樹脂を含む高分子フィルムからなる。無機膜は金属酸化膜からなる。
転写層１５０は中間層１４０上に配置される。また、転写層１５０は有機発光表示装置の製造工程のうち、第１領域ＦＡに対応する部分が転写されて有機膜として作用する。従って、転写層１５０は少なくとも発光層ＥＭＬを含み、一般的に多層薄膜構造を有する。例えば、転写層１５０は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層ＥＭＬ、正孔抑制層（ｈｏｌｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨｂＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を備える。正孔注入層は発光層に正孔を注入する。正孔輸送層は正孔の輸送性が優れており、発光層から正孔と結合していない電子の移動を抑制する。従って、正孔輸送層は正孔と電子の再結合の機会を増加させる。発光層は注入された電子と正孔の再結合によって光を放出する。正孔抑制層は発光層から結合していない正孔の移動を抑制する。電子輸送層は電子を発光層に円滑に輸送する。電子注入層は発光層に電子を注入する。
ドナーフィルム１００は第２領域ＳＡに反射膜１３０を備える。従って、ドナーフィルム１００に光が供給されても、第２領域ＳＡに照射された光は反射膜１３０によって反射される。従って、ドナーフィルム１００は第１領域ＦＡに対応する転写層１５０だけがアクセプタ基板（図示せず）に転写される。従って、アクセプタ基板上に転写された転写層１５０のパターン形状を精密にすることができる。
以下、図３乃至図７を参照して、ドナーフィルムの製造方法を説明する。
図３乃至図７は、図１及び図２に示したドナーフィルムの製造方法を説明するための工程断面図である。
まず、図３を参照すると、ベースフィルム１１０を用意する。ベースフィルム１１０は光、例えば、レーザーに対する透過度及び耐熱性の高い材料を含む。例えば、ベースフィルム１１０はポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔａｌａｔｅ、ＰＥＮ）フィルムのうちいずれか一つである。また、ベースフィルム１１０は表面処理によって撥液性を有することができる。の表面処理はプラズマ処理やフッ素処理方法を利用できる。
次に、ベースフィルム１１０の一面にマトリックスの形で配列される開口ＯＰを有するマスクＭを使用して紫外線を照射する。紫外線によって開口ＯＰに対応するベースフィルム１１０の領域は親液性を有する。従って、ベースフィルム１１０は親液性を有する第１領域ＦＡと撥液性を有する第２領域ＳＡに区分される。
図４を参照すると、紫外線を照射した後にベースフィルム１１０上の第１領域ＦＡに光−熱変換パターン１２０を形成する。
これをより詳しく説明すると、ベースフィルム１１０上に有機バインダーおよび有機バインダー内に分散された光吸収物質を含む混合物を塗布する。光吸収物質はカーボンブラックからなる。また、混合物を塗布する方法はスリットコーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷法などを使用して行うことができる。
第１領域ＦＡは親液性を有し、第２領域ＳＡは撥液性を有するので混合物は親液性を有する第１領域ＦＡにのみ配置される。つまり、別のパターニング工程を実行しなくても混合物が第１領域ＦＡにのみ配置されて、光−熱変換パターン１２０が第１領域ＦＡのベースフィルム１１０上に配置される。
図５を参照すると、光−熱変換パターン１２０を形成した後、ベースフィルム１１０上の第２領域ＳＡに反射膜１３０を形成する。反射膜１３０は光反射特性を有する物質を含む。例えば、反射膜１３０はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びマグネシウム合金（Ｍｇ ａｌｌｏｙ）のうちいずれか一つを含む。
一方、マグネシウムは有機バインダーを含む光−熱変換パターン１２０と結合されない特性を持つ。従って、反射膜１３０がマグネシウムを含む場合、別のマスクを使用せずに蒸着によって第２領域ＳＡに反射膜１３０を形成することができる。
図６を参照すると、反射膜１３０を形成した後、光−熱変換パターン１２０及び反射膜１３０上に中間層１４０を形成する。中間層１４０は有機膜、無機膜または有機・無機複合層からなる。有機膜はアクリル樹脂及びアルキド樹脂のうちいずれか一つを含む高分子フィルムである。無機膜は金属酸化膜からなる。
中間層１４０は光−熱変換パターン１２０に含まれる光吸収物質が転写層１５０を汚染することを防止できる。また、中間層１４０は光−熱変換パターン１２０から発生するアウトガスを遮断する。
図７を参照すると、中間層１４０を形成した後、中間層１４０上に転写層１５０を形成する。
転写層１５０は少なくとも発光層ＥＭＬを含み、一般的に多層薄膜構造を有する。例えば、転写層１５０は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層ＥＭＬ、正孔抑制層（ｈｏｌｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨｂＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を備える。
転写層１５０を形成した後、転写層１５０上に転写層１５０が汚染されることを防止する保護フィルム（図示せず）を付着する。
図８から図１０は、図１及び図２に示したドナーフィルムを用いる有機発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。有機発光表示装置は背面発光型有機発光表示装置、前面発光型有機発光表示装置、両面発光型有機発光表示装置などあるが、背面発光型有機発光表示装置を例として説明する。
図８を参照すると、まず、アクセプタ基板ＡＳを用意する。アクセプタ基板ＡＳは、薄膜トランジスタ基板２１０と、薄膜トランジスタ基板２１０上に配置される第１電極２２０を含む。
薄膜トランジスタ基板２１０は複数の画素領域を備える。また、薄膜トランジスタ基板２１０はベース基板（図示せず）及びベース基板上に配置される薄膜トランジスタ（図示せず）を備える。ベース基板はガラスや透明なプラスチックなどの高分子からなるリジッドタイプ（ｒｉｇｉｄ ｔｙｐｅ）の絶縁基板である。ここで、ベース基板がプラスチック基板からなる場合、ベース基板はポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、繊維強化プラスチック（ｆｉｂｅｒ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｐｌａｓｔｉｃ）またはポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）などからなる。また、ベース基板は透明フレキシブルタイプ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｔｙｐｅ）の絶縁基板から構成できる。
第１電極２２０は各画素領域に配置され、薄膜トランジスタと電気的に接続される。第１電極２２０は透明導電膜からなる。例えば、第１電極２２０はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＴＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）のうちいずれか一つの透明導電性酸化物を含む。
一方、第１電極２２０は画素定義膜ＰＤＬによって露出される。
アクセプタ基板ＡＳを準備した後、アクセプタ基板ＡＳ上にドナーフィルム１００を用意する。ドナーフィルム１００はベースフィルム１１０、光−熱変換パターン１２０、反射膜１３０、中間層１４０及び転写層１５０を含む。
ベースフィルム１１０はポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔａｌａｔｅ、ＰＥＮ）フィルムのうちいずれか一つである。
光−熱変換パターン１２０はベースフィルム１１０上にマトリックスの形で配列される。また、光−熱変換パターン１２０は有機バインダー及び有機バインダー内に分散される光吸収物質を含む。光吸収物質は外部から照射される光を吸収して熱に変換する。例えば、光吸収物質はカーボンブラック（Ｃａｒｂｏｎ Ｂｌａｃｋ）からなる。
反射膜１３０はベースフィルム１１０上の光−熱変換パターン１２０が配置されていない領域に配置されて、光−熱変換パターン１２０を囲む形状を有する。反射膜１３０はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びマグネシウム合金（Ｍｇ ａｌｌｏｙ）のいずれかを含み、ドナーフィルム１００に入射される光を反射させる。
中間層１４０は光−熱変換パターン１２０及び反射膜１３０上に配置される。中間層１４０は光−熱変換パターン１２０に含まれる光吸収物質が転写層１５０を汚染することを防止できる。また、中間層１４０は光−熱変換パターン１２０から発生するアウトガスを遮断する。
転写層１５０は中間層１４０上に配置される。転写層１５０は少なくとも発光層ＥＭＬを含み、一般的に多層薄膜構造を持つ。例えば、転写層１５０は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層ＥＭＬ、正孔抑制層（ｈｏｌｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨｂＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を備える。
ドナーフィルム１００を準備した後、アクセプタ基板ＡＳ上にドナーフィルム１００を配置する。ここで、第１電極２２０及び転写層１５０は互いに向かい合い、光−熱変換パターン１２０と第１電極２２０が対応するように配置される。
図９を参照すると、アクセプタ基板ＡＳ上にドナーフィルム１００を配置した後、ドナーフィルム１００のベースフィルム１１０に向かって光、例えば、レーザーを照射する。
ベースフィルム１１０に照射されたレーザーはベースフィルム１１０を透過して、光−熱変換パターン１２０及び反射膜１３０に照射される。光−熱変換パターン１２０はレーザーを吸収して熱に変換させる。また、反射膜１３０は前記レーザーを反射させて転写層１５０にレーザーが照射されることを防止する。
光−熱変換パターン１２０から発生した熱は中間層１４０及び転写層１５０との間の接着力を低下させる。従って、転写層１５０は光−熱変換パターン１２０と同じ形状を有する状態で、アクセプタ基板ＡＳの第１電極２２０上に転写される。第１電極２２０上に転写された転写層１５０は有機発光表示装置の有機膜２３０からなる。
図１０を参照すると、有機膜２３０上に第２電極２４０を形成する。
第２電極２４０は第１電極２２０に比べて仕事関数が小さい物質を含む。例えば、第２電極２４０はＭｏ、Ｗ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの合金のうち少なくとも一つを含む。また、第２電極２４０上には第２電極２４０の電圧降下（ＩＲ−ｄｒｏｐ）を防止するために導電膜（図示せず）をさらに構成する。
第２電極２４０を形成した後、一般的な封止工程を経て有機発光表示装置を製造する。例えば、第２電極２４０の上部に透明な絶縁物質を含む封止基板（図示せず）を配置し、薄膜トランジスタ基板２１０と封止基板を合着して、有機発光表示装置を製造する。
また、第２電極２４０の上部に絶縁膜（図示せず）を形成し、絶縁膜の下部構造を外部環境から隔離されるようにして有機発光表示装置を製造することもできる。
以上の詳細な説明は、本発明を例示して説明するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、前述したように本発明は様々な組み合わせ、変更及び環境で使用することができ、本明細書に開示された発明の概念の範囲、開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術や知識の範囲内で変更または修正が可能である。従って、本発明の詳細な説明は開示された実施の状態に本発明を制限する意図はない。また、添付の特許請求の範囲は他の実施状態も含むものと解釈されるべきである。
１００・・・ドナーフィルム
１１０・・・ベースフィルム
１２０・・・光−熱変換パターン
１３０・・・反射膜
１４０・・・中間層
１５０・・・転写層
２１０・・・薄膜トランジスタ基板
２２０・・・第１電極
２３０・・・有機膜
２４０・・・第２電極
ＦＡ・・・第１領域
ＳＡ・・・第２領域
Ｍ・・・マスク
ＯＰ・・・開口
ＡＳ・・・アクセプタ基板
ＰＤＬ・・・画素定義膜
１１０・・・ベースフィルム
１２０・・・光−熱変換パターン
１３０・・・反射膜
１４０・・・中間層
１５０・・・転写層
２１０・・・薄膜トランジスタ基板
２２０・・・第１電極
２３０・・・有機膜
２４０・・・第２電極
ＦＡ・・・第１領域
ＳＡ・・・第２領域
Ｍ・・・マスク
ＯＰ・・・開口
ＡＳ・・・アクセプタ基板
ＰＤＬ・・・画素定義膜
Claims (10)
- 第１領域と、前記第１領域を囲むとともに有機物に対する結合特性が前記第１領域とは異なる第２領域と、を備えるベースフィルムと、
前記ベースフィルム上の前記第１領域に配置される光−熱変換パターンと、
前記ベースフィルム上の前記第２領域に配置される反射膜と、
前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に配置される転写層と、を含むことを特徴とするドナーフィルム。 - 前記ベースフィルムの前記第１領域の表面は親液性を有し、前記ベースフィルムの前記第２領域の表面は撥液性を有することを特徴とする請求項１に記載のドナーフィルム。
- 前記光−熱変換パターンは有機バインダー及び前記有機バインダーに分散される光吸収物質を含むことを特徴とする請求項２に記載のドナーフィルム。
- 前記光吸収物質はカーボンブラックであることを特徴とする請求項３に記載のドナーフィルム。
- 前記反射膜はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）及びマグネシウム合金（Ｍｇ ａｌｌｏｙ）のうちいずれか一つを含むことを特徴とする請求項３に記載のドナーフィルム。
- 前記転写層と前記光−熱変換パターン及び前記反射膜との間に配置される中間層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のドナーフィルム。
- ベースフィルムの表面に親液性を有する第１領域及び前記第１領域を囲むとともに撥液性を有する第２領域を形成する段階と、
前記ベースフィルム上に有機バインダー及び前記有機バインダー内に分散される光吸収物質を含む混合物を塗布して、前記ベースフィルム上の前記第１領域に光−熱変換パターンを形成する段階と、
前記ベースフィルム上の前記第２領域に反射膜を形成する段階と、
前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に転写層を形成する段階と、を含むことを特徴とするドナーフィルムの製造方法。 - 前記第１領域及び前記第２領域を形成する段階は、開口を有するマスクを使用してベースフィルムに光を照射して前記開口に対応する前記ベースフィルムの領域が親液性を有するようにすることを特徴とする請求項７に記載のドナーフィルムの製造方法。
- 前記転写層と前記光−熱変換パターン及び前記反射膜との間に配置される中間層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のドナーフィルムの製造方法。
- 薄膜トランジスタ基板及び前記薄膜トランジスタ基板上に配置される第１電極を備えるアクセプタ基板を準備する段階と、
前記アクセプタ基板上にドナーフィルムを配置する段階と、
前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記第１電極上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記ドナーフィルムは、
親液性を有する第１領域及び前記第１領域を囲むとともに撥液性を有する第２領域を備えるベースフィルムと、
前記ベースフィルム上の前記第１領域に配置される光−熱変換パターンと、
前記ベースフィルム上の前記第２領域に配置される反射膜と、
前記光−熱変換パターン及び前記反射膜上に配置される転写層と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0015965 | 2013-02-14 | ||
| KR1020130015965A KR20140102518A (ko) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 도너 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014157809A true JP2014157809A (ja) | 2014-08-28 |
Family
ID=51296873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013217136A Pending JP2014157809A (ja) | 2013-02-14 | 2013-10-18 | ドナーフィルム、その製造方法、及びそれを用いる有機発光表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9099686B2 (ja) |
| JP (1) | JP2014157809A (ja) |
| KR (1) | KR20140102518A (ja) |
| CN (1) | CN103991301A (ja) |
| TW (1) | TW201432976A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI560924B (en) * | 2015-10-08 | 2016-12-01 | Yinglight Technology Co Ltd | Light emitting unit and an anode patterning method thereof |
| JP6410282B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2018-10-24 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| KR102180071B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2020-11-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치 |
| KR20200115749A (ko) | 2019-03-25 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-02-14 KR KR1020130015965A patent/KR20140102518A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-07-16 US US13/943,564 patent/US9099686B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-18 JP JP2013217136A patent/JP2014157809A/ja active Pending
- 2013-10-22 TW TW102138062A patent/TW201432976A/zh unknown
- 2013-11-05 CN CN201310542602.5A patent/CN103991301A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9099686B2 (en) | 2015-08-04 |
| US20140225074A1 (en) | 2014-08-14 |
| KR20140102518A (ko) | 2014-08-22 |
| TW201432976A (zh) | 2014-08-16 |
| CN103991301A (zh) | 2014-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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