JP2014152388A - 導電性物質の形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハに設けられた複数の微細孔に、厚さが均一で一様に導電性物質の堆積が可能な、微細孔内への導電性物質の形成装置を提供する。
【解決手段】本発明の形成装置は、超臨界流体又は亜臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を反応容器へ導入し、その容器内に配したウェハに設けられた微細孔の内壁へ導電性物質を形成する。その容器の内部空間は、仕切り部材により第一空間αと第二空間βに区分される。ウェハを貫通する、微細孔の中を流体が進行するように、ウェハの他面を全面に亘って支持し、第二空間へ流体が通過する微細な連通孔を内在する支持部材が仕切り部材上に配される。ウェハの他面に接する支持部材の一面は、ウェハの最外周より、全周に亘って第一空間に露呈する部位を備え、かつ、該部位の面積を制御する手段を有する。仕切り部材に接する支持部材の他面は、その中央域において仕切り部材に設けられた第二空間に通じる単一の流路に面する。
【選択図】図２

Description

本発明は、超臨界流体又は亜臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を用いて、基体に設けられた微細孔内への導電性物質の形成装置に関する。

近年、有機溶媒など環境負荷の大きな物質を用いずに物質合成を行う技術が必要となっている。従来、集積回路の製造などの超微細加工プロセスは、真空中又は希薄気体雰囲気中、あるいはプラズマ放電雰囲気中等の、ドライプロセス（真空プロセス）を多用している。

ドライプロセスは、単独の原子や分子あるいはそのイオンを直接加工に利用できる点から、極めて有効な手段としてこれまで発展してきた。しかし、真空環境を維持するための設備が必要であり、また、他の物質を溶解する能力（溶媒能）が高いなど、特異な性質を兼ね備えている。プラズマ発生装置が必要であること等が高コスト化の要因となっている。一方、メッキや洗浄など液体を使うウェットプロセスでは、大量の廃液が発生する。そのため、その廃液処理に要するコストが大きく、また環境に対する負荷も大きい、という問題がある。

ＣＯ_２ を媒質とする超臨界流体は、液体と気体の中間の性質を有し、表面張力がゼロの状態であり、また、他の物質を溶解する能力（溶媒能）が高いなど、特異な性質を兼ね備えている。更に、化学的に安定、かつ安価、無害、低コストといった利点も兼ね備えている。これらに加え、気化・再液化により、ＣＯ_２そのものの、及びＣＯ_２ 流体中に溶解している物質のリサイクルも可能という多くの特徴がある。

集積回路製造プロセスにおけるウェハ洗浄工程を中心に、超臨界ＣＯ_２を利用する研究・開発が進められている。例えば、洗浄工程では、超臨界ＣＯ_２の溶媒能と安全性・リサイクル性に着目したプロセスが開発されている。また、超臨界ＣＯ_２中では、表面張力がゼロであることに着目し、ナノレベルの配線を形成する微細加工プロセスの研究開発が行われている（例えば、特許文献１）。

超臨界流体は表面張力がゼロであり、拡散係数も大きいので、ナノレベルの微細孔であっても、その内部に極めてよく進入する。超臨界流体そのものを薄膜形成の反応場として用いることができれば、超微細な構造内に物質を形成・充填することが可能となり、さらにＣＶＤやメッキに替わる、低コストのクリーンプロセスを構築できる。

近年、小型で高機能な電子機器の発展に伴いＬＳＩの高い実装密度が必要とされており、現行の二次元的な実装技術では、限界が近いといわれている。そのためＬＳＩチップを重ねて積層する三次元実装技術が必須となっており、半導体基板を貫通して縦方向（積層方向）を配線する貫通電極が実用化されている。

貫通電極の用途としては、上記ＬＳＩチップの三次元積層の他、これらＬＳＩを高密度で実装するための配線基板（インターポーザ）などにも利用される。貫通電極の代表的な形状としては、導電性物質を微細孔内部に完全に充填したものと、導電性物質を微細孔の内壁に薄膜状に堆積したものの二つがある。ＬＳＩの高性能化やパッケージの高密度化、高集積化に伴う配線の多ピン化により、貫通配線にも、より微細化、挟ピッチ化が求められるため、微細で高アスペクトな孔の内部に、如何に導電性物質を完全に充填するか、あるいは如何に厚さが均一で一様に導電性物質を堆積させるか、が課題となっている。
特に、上記ＬＳＩチップは、当該チップの面積に比べて大面積であるウェハからダイシングして作製される物品であるが、各チップとなる領域にそれぞれ設けられる貫通配線はウェハ状態において一括して形成される。ゆえに、チップ面積に比べて大面積なウェハ（の主面）全域に亘って、上述した課題を解決できる、微細孔内への導電性物質の形成装置の開発が期待されていた。

国際公開第２００５／１１８９１０号

本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、チップ面積に比べて大面積なウェハ（の主面）全域に亘って、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域ごとに設けられた複数の微細孔に、厚さが均一で一様に導電性物質を堆積させることが可能な、微細孔内への導電性物質の形成装置を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置は、超臨界流体又は亜臨界流体に少なくとも金属錯体を溶解してなる流体を反応容器へ導入し、該反応容器内において連続的に特定の方向へ移動する該流体の中に、ウェハを配して、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域ごとに設けられた複数の微細孔の内壁へ導電性物質を形成する装置であって、前記反応容器の内部空間は、仕切り部材により区分された、前記流体が導入される第一空間と該流体が導出される第二空間とを備え、前記ウェハの一面から他面に向けて該ウェハを貫通する、前記微細孔の中を前記流体が進行するように、前記ウェハの他面を全面に亘って支持するとともに、前記第二空間へ該流体が通過する、微細な連通孔を内在する支持部材が前記仕切り部材上に配置されており、前記ウェハの他面に接する前記支持部材の一面は、該ウェハの最外周より、全周に亘って前記第一空間に露呈する部位を備え、かつ、該部位の面積を制御する手段を有しており、前記仕切り部材に接する前記支持部材の他面は、その中央域において前記仕切り部材に設けられた前記第二空間に通じる単一の流路に面していることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置は、請求項１において、前記部位の面積を制御する手段は、リング状の部材であることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置は、請求項１又は２において、前記リング状の部材と前記ウェハとの離間距離は、ウェハの全周に亘って、略同一（同レベル）にあることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置は、請求項１乃至３のいずれか一項において、前記基体の他面に接する前記支持部材のうち、該支持部材の一面側は少なくとも前記流体に対して濡れ性の高い部材から構成されていることを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置は、請求項１乃至４のいずれか一項において、前記支持部材の一面側が、ＰＦ（ポリフロンフィルター）からなることを特徴とする。

本発明では、超臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を反応容器へ導入し、該反応容器内において連続的に特定の方向へ移動する該流体の中に、平板状のウェハを配して、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域ごとに設けられた微細孔の内壁へ導電性物質を形成する装置において、前記反応容器は、仕切り部材により区分された、前記流体が導入される第一空間と該流体が導出される第二空間とを備え、該ウェハの一面（第一空間側に位置する面）から他面（第二空間側に位置する面）に向けて、該ウェハの微細孔の中を前記流体が進行するように、前記ウェハの他面を全面に亘って支持しているので、微細孔の内部に流体を強制的に輸送させることができる。

また、本発明では、前記ウェハの他面を全面に亘って支持するとともに、前記第二空間へ該流体が通過する、微細な連通孔を内在する支持部材を配置しているので、ウェハ上下面での差圧が大きくなり、より確実に微細孔に導電性物質を堆積させることが可能である。また、この支持部材は、第一空間と第二空間との差圧によって、ウェハにかかる負荷の軽減を図ることにも寄与する。これによりウェハの破損を防ぐとともに、配管の閉塞や機器の故障を防止することができるので、本発明によれば長期稼働に耐える装置を提供することが可能となる。

特に本発明の装置では、前記ウェハの他面（下面）に接する前記支持部材の一面（上面）は、該ウェハの最外周より、全周に亘って前記第一空間に露呈する部位を備え、かつ、該部位の面積を制御する手段を有している。一方、前記仕切り部材に接する前記支持部材の他面（下面）は、その中央域において前記仕切り部材に設けられた前記第二空間に通じる単一の流路に面している。本発明の装置は、これらの構成を併せ持つことにより、支持部材の外周域から流れ込んだ流体は、支持部材の内周域に向けて支持部材の内部を進入し、支持部材の内周域に至って第二空間に通じる単一の流路へ誘導される。ゆえに、ウェハは、その一面（上面／表面）に加えて、その他面（下面／裏面）からも支持部材の内部に流体を、均等に流入させることができるので、より確実かつ均一に微細孔に導電性物質を堆積させることが可能となる。

さらに、前記露呈した部位の面積を制御する手段を有しているので、ウェハの大きさに合わせて、前記領域の面積を変更することができる。また、前記領域の面積を制御することにより、流体の流れを制御することができ、より良好な堆積が可能となる。

その結果、本発明に係る形成装置によれば、安定した稼働状態が可能であり、ウェハにかかる負荷の軽減を図りつつ、差圧の増大によって、ウェハの前記領域ごとに設けられた微細孔の長さが増えた場合やウェハサイズが変更された場合でも、ウェハに設けられた微細孔の長手方向において、厚さが均一で一様に導電性物質を堆積できる距離をさらに延ばすことが可能となる。
したがって、本発明は、ウェハ口径（面積）に依存することなく、ウェハサイズに柔軟に対応できるとともに、確実かつ均一に微細孔に導電性物質を堆積させることが可能な形成装置の提供に貢献する。

本発明に係る装置の一構成例を模式的に示す図。 図１に示す装置において、反応容器の内部構成を模式的に示す図。 図２の反応容器のウェハ支持具において、ウェハと微細な連通孔を内在する支持部材との位置関係を示す図。 図１に示す装置において、反応容器の内部構成の一例を模式的に示す図。 図１に示す装置において、反応容器の内部構成の一例を模式的に示す図。 微細孔を有するウェハと、流体の流れ方向との位置関係を模式的に示す図。

以下、本発明の装置及び方法の好適な一実施形態について説明する。
なお、本明細書で超臨界流体とは、ＣＯ_２ などの気体をその臨界点以上に保つことにより、気液の差がなくなり液体でも気体でもない流体である状態をいう。

図１は、本発明に係る装置の一構成例を模式的に示す図である。
この装置は、フロー式薄膜堆積装置であり、Ｈ_２ ボンベ１と、ＣＯ_２ ボンベ２と、圧力調整器３と、供給バルブ４と、ミキサ５と、送液ポンプ６と、冷却器７と、原料容器８と、原料送液ポンプ９と、手前バルブ１０と、マントルヒーター１１と、プリヒート配管１２と、反応容器１３と、背圧調整器（ＢＰＲ）１４と、恒温槽１５を備える。
この装置では、一定圧力・流量のＣＯ_２ を超臨界状態又は亜臨界流体で連続的に反応容器１３内に供給し、還元剤Ｈ_２ により、基体に設けられた微細孔の内壁に導電性物質（例えばＣｕ）を析出・堆積させ、貫通電極を形成する。

物質は温度や圧力により、気体、液体、固体と変化する。超臨界流体とは、温度・圧力が臨界点を超えたときの物質の状態である。この状態では高密度・低粘性、つまりそれぞれ液体と気体の性質を併せ持つ。また液体と気体の中間の拡散係数を持ち、表面張力は０（ゼロ）である。これらのことから、超臨界流体は液体並みの溶解力と気体並みの流動性を持つといえる。よって超臨界流体を反応溶媒として用いることでナノレベルの浸透性、高速反応が期待できる。また、条件によっては、超臨界流体に代えて亜臨界流体を用いても、同様の作用・効果が得られる場合がある。

Ｈ_２ ボンベ１には、還元剤であるＨ_２ ガスが入っており、Ｈ_２ガスは、圧力調整器３、供給バルブ４を通じてミキサ５へと導入される。
ＣＯ_２ ボンベ２には、超臨界流体の媒質であるＣＯ_２ ガスが入っており、ＣＯ_２ ガスはＣＯ_２ ボンベ２から冷却器７で液化された後、送液ポンプ８で昇圧され、ミキサ５へと導入される。
Ｈ_２ ガスとＣＯ_２ ガスは、ミキサ５にて混合され、反応容器１３に導入される。

原料容器８は、原料となる導電性物質の金属錯体が入っている。本実施形態では、アセトンに溶解したビスイソブチリルメタナト銅（Ｃｕ(ｄｉｂｍ)_２ )を用いた場合を例に挙げて説明しているが、有機溶媒と金属錯体の組み合わせは、これに限定されるものではない。
金属錯体は原料送液ポンプ９を通じて反応容器１３に導入される。原料の供給の制御は反応容器のガス供給口に近接して設けられている手前バルブ１０により行われる。
なお、本実施形態では、有機溶媒に溶解させた金属錯体を用いたが、固体状の金属錯体であっても、その材料に応じた供給手段を採用することにより反応容器１３へ導入可能である。また、液体の金属錯体も同様に用いることができる。

反応容器１３は、例えばステンレス製の耐圧・耐熱容器から構成されることが好ましいが、これに限定されるものではない。この反応容器１３は、例えばオートクレーブ（加圧脱泡装置）を加工することで作製できる。
反応容器１３の手前にはプリヒート配管１２が設けられており、さらに、プリヒート配管１２及び反応容器１３にはマントルヒーター１１、恒温層１５が設けられ、これらにより流体を所定の温度に加熱・保持されるとともに、温度の調節ができる。
反応容器１３の下流には、背圧調整器（ＢＰＲ）１４が配されている。反応容器１３内で反応が終了した後、反応容器１３内の超臨界流体は、背圧調整器１４を通じて排気される。

図２は、本発明の装置において、反応容器１３の内部構成を模式的に示す図である。また、図３は、図２の反応容器のウェハ支持具において、ウェハ２０と微細な連通孔を内在する支持部材との位置関係を示す図である。図中、矢印は、流体Ｆの流れを示している。

反応容器１３は、上チャンバ３０と下チャンバ３５とを有し、上チャンバ３０と下チャンバ３５とは、例えばボルト（図示せず）を用いて固定される。そして、上チャンバ３０と下チャンバ３５とにより、反応空間が規定される。この反応空間は、仕切り部材３８によって、流体Ｆ１（Ｆ）が導入される第一空間αと、流体Ｆ４（Ｆ）が導出される第二空間βとに区分される。
上チャンバ３０には、流体Ｆ１（Ｆ）を供給する導入路３１が設けられている。
下チャンバ３５には凹部３６と導出路３６とが設けられており、この凹部３６の最外周領域において、Ｏリング３７を介して仕切り部材（パーテーションプレート）３８が配されている。この仕切り部材３８は、ウェハ２０を支持する、ウェハ支持具としても機能する。
具体的には、仕切り部材３８上に支持部材４０が配され、その上にウェハ２０が設置される。

ウェハ２０としては、例えばガラスやシリコンからなるウェハが用いられる。また、ウェハ２０には前もって、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに、微細孔２２が設けられている。
支持部材４０は、ウェハ２０よりも大面積を有し、ウェハ２０の他面（下面）に接する支持部材４０の一面（上面）４０ａ上において、ウェハ２０の最外周より、全周に亘って第一空間αに露呈する部位４２を備えている。
また、支持部材４０の外周部には、例えば金属製のリング状部材４５が配されている。このリング状部材４５によって、支持部材４０の一面（上面）４０ａにおいて、ウェハ２０の最外周より全周に亘って第一空間αに露呈する部位４２の面積が制御される。

例えば、リング状部材４５の内径の大きさを変えることにより、前記部位４２の面積を容易に変更することができる。このように、ウェハの大きさに合わせて、前記領域の面積を制御することができる。また、前記領域の面積を制御することにより、流体の流れを制御することができ、より良好な堆積が可能となる。
特に、リング状部材４５と前記ウェハ２０との離間距離ｒ（図３）は、ウェハ２０の全周に亘って、略同一（同レベル）にあることが好ましい。これにより、ウェハ２０の全面に亘って、各領域２１ごとに均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。

前述したように、反応容器１３は流体Ｆ１（Ｆ）が導入される第一空間αと流体Ｆ４（Ｆ）が導出される第二空間βとを備えている。
このような装置において、超臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を反応容器１３へ導入し、該反応容器１３内において連続的に特定の方向へ移動する該流体の中に、平板状のウェハ２０を配して、該ウェハ２０に設けられた微細孔２２の内壁へ導電性物質を形成する。

流体Ｆは、Ｆ１→Ｆ２→Ｆ３→Ｆ４の順に、図２に示した矢印の方向へ移動する。すなわち、導入路３１から第一空間αへ移動した流体Ｆは、露呈する部位４２から支持部材４０の内部へ入り込む。次いで、流体Ｆは、支持部材４０に内在される連通孔４１を通じて、ウェハ外周域から内周域の方向へ移動し、仕切り部材３８の中心に配置された流路３９を通じて、第二空間βへ至り、最終的には導出路３６から反応容器１３の外部へ排出される。

つまり、本発明の装置は、反応容器は流体Ｆが導入される第一空間αと流体Ｆが導出される第二空間βとを備え、ウェハ２０の一面２０ａから他面２０ｂに向けて、ウェハ２０の微細孔２２の中を流体が進行するように、ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持するとともに、第二空間βへ流体が通過する、微細な連通孔４１を内在する支持部材４０が配置・構成されている。

このような配置・構成を採用したことより、本発明の装置においては、超臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を反応容器へ導入し、該反応容器内において連続的に特定の方向へ移動する該流体の中に、平板状のウェハを配して、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域ごとに設けられた微細孔の内壁へ導電性物質を形成することができる。
本発明の装置を構成する反応容器は、仕切り部材３８により区分された、流体Ｆ１（Ｆ）が導入される第一空間αと流体Ｆ４（Ｆ）が導出される第二空間βとを備えいる。この仕切り部材３８は、ウェハ２０の一面（第一空間側に位置する面）２０ａから他面（第二空間側に位置する面）２０ｂに向けて、ウェハ２０に事前に形成された微細孔２２の中を流体Ｆが進行するように、ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持しているので、微細孔２２の内部に流体Ｆを強制的に輸送させることが可能となる。

ゆえに、本発明の装置は、ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持するとともに、第二空間βへ流体Ｆが通過する、微細な連通孔４１を内在する支持部材４０を配置する構成を採用したことにより、ウェハ２０の上面２０ａと下面２０ｂとの間で差圧が大きくなり、より確実に微細孔２２に導電性物質を堆積させることができる。また、この支持部材４０は、第一空間αと第二空間βとの差圧によって、ウェハ２０にかかる負荷の軽減を図れる。これにより、ウェハ２０の破損を防ぐことができる。また、不図示の配管における閉塞や機器の故障などを防止することも可能となる。したがって、本発明の装置は、優れた長期稼働性を有する。

本発明の装置は、ウェハ２０の他面（下面）２０ｂに接する支持部材４０の一面（上面）４０ａは、ウェハ２０の最外周より、全周に亘って第一空間αに露呈する部位４２と、該部位４２の面積を制御する手段４５を有している。この手段４５として、たとえば金属などの剛体からなるリング状部材を用いると、上チャンバと下チャンバとの間を重ねた状態にした場合、Ｏリングが変形することにより、反応容器の内部空間を外部から密閉された状態とすることができる。

また、本発明の装置では、仕切り部材３８に接する支持部材４０の他面（下面）４０ｂは、その中央域において仕切り部材３８に設けられた、第二空間βに通じる単一の流路３９に面している。ゆえに、支持部材４０の他面（下面）４０ｂのうち、単一の流路３９に面している部分以外の領域は全て、仕切り部材３８と接した状態にある。
仕切り部材３８に設けられた単一の流路３９は、支持部材４０の他面（下面）４０ｂ側に位置する（流入側の）開口部の数は、１つが最も好ましい。開口部を複数とする場合には、ウェハ２０の他面（下面）２０ｂの中心から外周へ向けて、バランスの良い配置（角度、距離、開口部の面積など）を考慮する必要がある。開口部の形状は特に規定されるものではないが、対称性を備えた形状が好ましく、中でも円形が最も好ましい。一方、仕切り部材３８に設けられた単一の流路３９において、第二空間β側に位置する（流出側の）開口部の数は、特に規定されない。１つでも良いし、複数でも構わない。流体Ｆ３（Ｆ）の流動性を向上させるために、流入側から流出側に向けて流路３９の横断面積が拡大するように構成してもよい。また、何れ（流入側、流出側）の開口部も、その深さ方向に向けて面取り形状（たとえば、R形状やL形状）を備えることが好ましい。面取り形状は、導入・導出する流体の流れをさらにスムーズなものとする。

前述の通り、支持部材４０は、単一の流路３９に面している部分以外の領域は全て、一面（上面）側にはウェハ２０が存在し、他面（下面）４０ｂ側には仕切り部材３８が存在する。つまり、支持部材４０は、両者（ウェハ２０と仕切り部材３８）によって挟み込まれた状態にある。したがって、導入路３１から第一空間αへ移動した流体Ｆは、露呈する部位４２から支持部材４０の内部へ入り込み、支持部材４０に内在される連通孔４１を通じて、ウェハ外周域から内周域の方向へ移動し、仕切り部材３８の中心に配置され、仕切り部材３８に対して一穴をなす流路３９を通じて、第二空間βへ導かれる。その結果、支持部材４０の内部における流体Fの流れは、何れの（角度に位置する）外周域から支持部材４０に進入しても、全て中央域（に配された一穴をなす流路３９）に向かって誘導されることになるので、支持部材４０の内部における流れは、常時安定して（ウェハ外周域から内周域へ向かう方向に）等方的なものとなる。これにより、支持部材４０の一面（上面）側に載置されたウェハ２０の他面（下面）２０ｂは、ウェハ２０内の何れの位置にある領域２１においても、この安定した流れFの影響を同様に受けることが可能となる。よって、本発明の装置によれば、ウェハ２０のサイズに依存することなく、ウェハ２０の中央域から外周域の広域に亘って、支持部材の内部からウェハ２０の他面（下面）２０ｂに向かって流体を、均等に作用（流入）させることができるので、より確実かつ均一に微細孔に導電性物質を堆積させることが可能となる。

本発明の装置は、上述した特徴的な各構成を備えているので、安定した稼働状態が可能であり、ウェハ２０にかかる負荷の軽減とともに、差圧の増大も図れる。特に、差圧の増大は、ウェハ２２の前記領域２１ごとに設けられた微細孔２２の長さが増えた場合やウェハ２０のサイズが変更された場合でも、ウェハ２０に設けられた微細孔２２の長手方向において、厚さが均一で一様に導電性物質を堆積できる距離をさらに延ばすことに寄与する。
したがって、本発明は、ウェハ口径（面積）に依存することなく、ウェハサイズに柔軟に対応できるとともに、確実かつ均一に微細孔に導電性物質を堆積させることが可能な形成装置の提供に貢献する。

ここで、流体の輸送方法は、「流れ」と「拡散」の二つに分けられる。イメージとして流体を水にインクを垂らしたときのインクに例えると、「流れ」は、棒でかき混ぜたとき、「拡散」はかき混ぜることなく勝手にひろがっていくときの様子に似ている。

図６は、微細孔２２を有するウェハ２０と、反応容器１３内の流体Ｆの流れ方向との位置関係を模式的に示す図である。以下では、反応容器１３内において流体Ｆの流れ方向との関係を事前に考察した結果について述べる。
図６（ａ）は、ウェハ２０の一面（上面）のみが流体Ｆの流れ方向と平行を成して流れＦに曝され、他面（下面）が反応容器１３の内面に接して配置された場合である。この場合は、原料（流体Ｆ）は微細孔２２へ拡散のみで翰送されると考えられる。

図６（ｂ）は、ウェハ２０の両面（上下面）が流体Ｆの流れ方向と平行を成して流れＦに曝されるように配置された場合である。この場合には、反応容器１３内の中央から外れた位置にウェハ２０を配置するとよい［図６（ｂ）は、反応容器１３の直径に対して、上側に描いた反応容器１３の内壁から１／３、下側に描いた反応容器１３の内壁から２／３の位置とした構成例である］。ウェハ２０を反応容器１３内の中央から外れた位置に配置することにより、ウェハ２０の両面を流れる流体の流れ方を変えることができる。反応容器１３の内壁からの距離が狭い側では、微細孔２２に向けての「流れ」が活発になる。「流れ」は、反応容器１３の内壁の影響を受けるので、内壁からの距離をウェハ２０の上下面で適宜調整することにより、ウェハ２０の微細孔２２への流体の進入を制御することが可能となる。

上述した考察に基づき本発明では、微細孔２２に厚さが均一で一様に導電性物質を堆積させることが可能である装置として、図２、図４および図５に示す構成の反応容器１３を備えた装置を考案した。

図２、図４および図５に示す反応容器は何れも、仕切り部材により区分された、流体が導入される第一空間αと流体が導出される第二空間βとを備え、ウェハ２０の一面（第一空間側に位置する面）から他面（第二空間側に位置する面）に向けて、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに設けられた複数の微細孔２２の中を流体Ｆが進行するように、ウェハ２０の他面を全面に亘って支持するとともに、微細な連通孔４１を内在する支持部材４０を配置するように構成した。支持部材４０は、その上下面がそれぞれ、ウェハ２０と仕切り部材３８の挟まれて配されて、かつ、仕切り部材３８の中央には内部空間βに連通する流路３９が設けされている。ゆえに、支持部材４０の露呈する部位４２から内部へ入り込んだ流体Ｆは、支持部材４０に内在される連通孔４１を通じて、ウェハ２０の外周域から内周域の方向へ移動し、仕切り部材３８の中心に配置された流路３９を通じて、第二空間βへ至り、最終的には導出路３６から反応容器１３の外部へ排出される。

したがって、何れの反応容器（図２、図４、図５）においても、２つの流れが発生する。すなわち、第一の流れは、ウェハ２０の一面（第一空間側に位置する面）から他面（第二空間側に位置する面）に向けて、ウェハ２０の微細孔２２の中を前記流体が進行し、支持部材４０に内在される連通孔４１に至る流れであり、支持部材４０の内部において次に説明する第二の流れと合流する。第二の流れは、支持部材４０の露呈する部位４２から支持部材４０の内部へ入り込み、支持部材４０に内在される連通孔４１を通じて、ウェハ外周域から内周域の方向へ向けて仕切り部材３８の中心へ進み、仕切り部材３８の中心に位置する一穴をなす流路３９へ至る流れである。何れの反応容器（図２、図４、図５）であっても、支持部材４０によってウェハ２０の他面２０ｂが全面に亘って支持されているので、微細孔２２の内部に流体Ｆを強制的に輸送させることが可能となる。

図２、図４および図５に示す反応容器１３は、第一空間α内に流体Ｆを導入する構成において、それぞれ特徴を有している。
図２の反応容器１３は、第一空間αに連通するように上チャンバ３０内に配管状の導入路３１を設けた、最もシンプルな構成である。図２では、導入路３１を１本とした構成例を示しているが、必要に応じて複数本の導入路３１としても良い。

図２に示すように、導入路３１から第一空間αへ導出された流体Ｆ２（Ｆ）は、ウェハ２０の一面（上面）２０ａに向かって進むとともに、支持部材４０の露呈する部位４２が存在するウェハ２０の外周方向へ導かれ、図２に点線で示すような裾広がりの流れとなる。つまり、第一空間αの高さ（導入路３１の導出部とウェハ２０の一面２０ａとの距離）が低い場合には、図２の反応容器１３は有効である。第一空間αの高さを低く抑えることにより、第一空間αの容積が小さくなるので、処理に必要とする流体の流量を少なくできる。ゆえに、図２の反応容器１３を採用すれば、原料となる流体の消費が減るので、稼働コストを抑制できる装置の提供が可能となる。ただし、第一空間αの高さ（導入路３１の導出部とウェハ２０の一面２０ａとの距離）が高い場合にはその影響を受け易く、ウェハ２０の微細孔２２の中に流体Ｆが十分に進入できないケースが想定される。このようなケースには、後述する図４や図５の反応容器１３が有効となる。

図４の反応容器１３は、導入路３１が第一空間α内においてウェハ２０に向かって延びるような誘導路（ノズル）３２を設けた点のみ、図２の反応容器１３と異なっており、他の点は図２と同様である。図４では、誘導路（ノズル）３２を１本とした構成例を示しているが、たとえば複数本の導入路３１としても良い。たとえば、必要に応じて設けた複数本の導入路３１から個別に延設されるように誘導路（ノズル）３２を配して、複数の誘導路（ノズル）３２とすれば良い。あるいは、１本の導入路３１から不図示の分岐部を介して複数の誘導路（ノズル）３２を設ける構成を採用しても良い。何れにしても、図４の反応容器１３では、導入路３１が第一空間α内においてウェハ２０と誘導路（ノズル）３２の先端との離間距離を調整することが可能となる。

図４に示すように、誘導路（ノズル）３２の先端をウェハ２０の一面２０ａに近づけて配置することにより、誘導路（ノズル）３２の先端から反応容器１３の内部へ導入された流体Ｆは、矢印Ｆ２（Ｆ）にて示すように、拡散することなくウェハ２０の一面２０ａに沿って移動する。つまり、ウェハ２０の中心から外縁の方向（中央域から外周域の方向）へ放射状の流れを誘導することができる。ゆえに、ウェハ２０に前もって、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに、微細孔２２が設けられている場合、ウェハ内におけるチップ位置に依存することなく、何れのチップにおいても微細孔２２の中に流体Ｆを誘導することができる。

図５の反応容器１３は、図４の装置が備えた誘導路（ノズル）３２に代えて、導入路３１が第一空間α内においてウェハ２０と対向して広がる貯留空間３２、及び、ウェハ２０の一面２０ａに向けて複数の開口部を有する流体放出部（以下、シャワー部とも呼ぶ）３３を設けた点のみ、図２の反応容器１３と異なっており、他の点は図２と同様である。図５では、開口部を等間隔としたパターンを示しているが、たとえば中央域から外縁域に向かって開口部の間隔が離れるパターン、あるは近づくパターンいて複数本の導入路３１としても良い。また、開口部の大きさや形状は一定でも、異なっていてもよい。

図５に示すように、導入路３１を移動する流体Ｆ１（Ｆ）は、いきなり内部空間αに放出されるのではなく、まず流体放出部３３の貯留空間３２に誘導された後、複数の開口部から各々ウェハ２０の一面２０ａに向けて、矢印Ｆ２（Ｆ）で示すように放出される。複数の開口部間には、流体放出部３３を構成する筐体の外面が存在し、各々ウェハ２０の一面２０ａに対向するように配されている。ゆえに、流体放出部３３の各開口部から内部空間αに放出された流体Ｆは、流体放出部３３を構成する筐体の外面と、ウェハ２０の一面２０ａに挟み込まれた狭い空間内を、拡散することなくウェハ２０の一面２０ａに沿って移動せざるを得ない。つまり、ウェハ２０の中心から外縁の方向（中央域から外周域の方向）へ放射状の流れを、より精密に誘導することができる。この誘導力は、流体放出部３３を構成する筐体の外面と、ウェハ２０の一面２０ａに挟み込まれた狭い空間の設計や、流体放出部３３の各開口部の設計により、適宜制御することが可能である。ゆえに、ウェハ２０に前もって、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに、微細孔２２が設けられている場合、ウェハ内におけるチップ位置に依存することなく、何れのチップにおいても微細孔２２の中に流体Ｆを誘導することができる。

したがって、ウェハ２０の一面２０ａに対する流体Ｆ２（Ｆ）の制御性は、図２に比べて図４の方が、図４に比べて図５の方が、より高度化が図れ、流体Ｆ２（Ｆ）の誘導効果がさらに向上するのでより好ましい。しかしながら、これに比例して、内部空間αにおける内部構造が複雑化することから、内部空間αに流体Ｆを導入する構成は、必要に応じて図２、図４、図５の構成例から選択すればよい。

図２、図４、図５に示す何れの構成とした場合でも、本発明では、ウェハ２０の一面２０ａから他面２０ｂに向けて、ウェハ２０の微細孔２２の中を流体が進行するように、ウェハ２０の他面を全面に亘って支持するとともに、第二空間βへ流体が通過する、微細な連通孔４１を内在する支持部材４０が配置されているので、ウェハ上部とウェハ下部の圧力差が大きくかつ均一になり、微細孔２２の内部に流体を強制的に輸送させることができる。これにより本発明では、ウェハ２０に設けられた微細孔２２に厚さが均一で一様に導電性物質を堆積させることが可能である。

さらに、図３に示すように、図２、図４、図５に示す何れの構成とした場合でも、ウェハ２０の他面２０ｂに接する支持部材４０の一面４０ａ上において、ウェハ２０の最外周より、全周に亘って第一空間αに露呈する部位４２を備えているので、ウェハ２０の上方に加えて、側方から（ひいてはウェハ２０の下方から）も流体を流入させることができる。これにより、一段と確実かつ均一に微細孔２２の内壁に導電性物質を堆積させることが可能である。
前記部位４２の面積を制御する手段は、たとえばリング状部材４５が好適に用いられる。リング状部材４５と前記ウェハ２０との離間距離ｒは、ウェハ２０の全周に亘って、略同一（同レベル）にある。これにより、ウェハ２０の全面に亘って、各領域２１ごとに均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。

さらに、支持部材４０の他面４０ｂは、第一空間αと第二空間βとを区切っている、仕切り部材３８上に配置されており、仕切り部材３８の中央には内部空間βに連通する流路３９が設けされている。このような構成を採用したことにより、流体Ｆは、ウェハ２０の他面２０ｂ側において、支持部材４０に内在された微細な連通孔４１を通して、ウェハ２０の外周域から中央域に向かて移動する。そして、ウェハ２０の中央域に至った流体Ｆは、流路３９を通して内部空間βへ自ずと誘導される。このような流体Ｆの流れにより、ウェハ２０の他面（下面）２０ｂにおいても、ウェハ２０はその全面に亘って、各領域２１ごとに均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能となる。

換言すると、図２、図４および図５に示す何れの構成とした場合でも、上述したように、内部空間αに配されたウェハ２０の一面２０ａに向けて、流体Ｆを導入路３１から供給し、ウェハ２０の一面２０ａに吹きつけている。これにより、第一空間αから第二空間βに向かう流体を、強制的に微細孔２２内を流通させ、原料輸送を促進させることができる。また、ウェハ２０を安定に支持するために、図２、図４および図５に示す何れの構成においても、反応容器１３を縦型とした（図２、図４および図５において、紙面下方が重力方向を表す）。すなわち、図２、図４および図５に示した反応容器１３では、導入路３１や流路３８、導出路３６において、流体が流れる方向（実線あるいは点線で示す矢印の方向）が何れも、重力方向となるように配置されている。

上記のような強制輸送法では、ウェハ２０の上下での差圧が、被覆性を促進させたと考えられる。この差圧はウェハ上部とウェハ下部とでは流体Ｆの流速が異なるため生ずるものである。
ここで、流体のエネルギー保存則あるベルヌーイの定理の圧力での表現を式(１)に示す。式（１）において、ρは密度、ｖは流速、ｇは重力加速度、ｚは高さ、ｐは圧力である。
１／２×ｐｖ^２+ρｇｚ+ｐ＝一定 （１）
式(１)から、圧力が高いと流速が小さくなり、圧力が低いと流速が大きくなることがわかる。

図２、図４および図５に示す構成とした反応容器１３に置き換えて説明すると、流入からウェハ２０の上面（一面２０ａ）までが低流速領域であり、ウェハ２０の下面（他面２０ｂ）から流出までが高流速領域である。その結果としてウェハ２０の上下面で差圧が生じ、流体が微細孔２２内を流通したと考えられる。

さらに、本発明の装置では、支持部材４０において、該流体Ｆが導出される第二空間βへ、該流体Ｆが通過する微細な連通孔４１を内在している。
本実施形態では、微細な連通孔４１を内在する支持部材４０として、ガラスフィルターを用いているが、これに限定されるものではない。なお、ガラスフィルターとはガラス繊維(グラスファイバー)を原料とする、ろ過用フィルターなどが好適に用いられる。たとえば、「ＧＦ／Ａ」は、変性蛋白質のろ過に最も広く使用される、効率の高い一般目的用ろ紙であり、大気汚染分析にも使用される。
ウェハ２０の支持部材４０としてガラスフィルターを用いることで、Ｏ−リングを用いた場合と比べて、ウェハ２０と仕切り部材３８との隙間が小さくなりウェハ２０の上下面での差圧が大きくなると考えられる。その結果、更なる被覆性促進効果が期待できる。

従来、ウェハ２０を流体Ｆの流れ方向に対して垂直となるように、Ｏリングを用いて支持部材４０に取り付けた場合、Ｏリングが小さいと、微細孔２２の内部に流体を強制的に輸送させる際に、ウェハ２０の支持箇所に負荷がかかり、ウェハ２０が破損してしまう虞があった。砕けたガラスがライン内に流れると配管の閉塞、また機器の故障を引き起こす可能性もあった。
そこで本発明では、図２、図４及び図５に示すように、前記ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持するとともに、支持部材４０に微細な連通孔４１を内在させ、流体が通過する誘導路とすることで、ウェハ２０にかかる負荷の軽減を図ることが可能である。これによりウェハ２０の破損を防止し、配管の閉塞や機器の故障を防止することができる。

さらに、本実施形態では、ウェハ２０の他面に接する支持部材４０のうち、支持部材４０の一面側には、少なくとも流体に対して濡れ性の高い部材から構成されていることが好ましい。これにより、支持部材４０の内部において、ウェハ２０の他面に接する側の部位（濡れ性の高い部材）に内在される連通孔を通じて、残りの部位に比べて、より積極的な流体Ｆの流れが生じる。つまり、ウェハ２０の他面に近づくほど、支持部材４０の内部を流れる流体Ｆの流れが大きくなるように設計できる。その結果、同じ圧力で進む流体Ｆであったとしても、支持部材４０の内部をより長距離に亘って進むことが可能となるので、より大口径のウェハに対して有利となる。
このような流体に対して濡れ性の高い部材としては、例えばＰＦ（ポリフロンフィルター）などの有機系の樹脂、特にフッ素含有樹脂が好ましいものとして挙げられる。
支持部材４０は、その一面４０ａ側が上記のような濡れ性の高い部材から構成されていればよい。例えば濡れ性の高い材料からなる第一部材と、第二部材とを有し、第一部材と、第二部材とは、一体に形成したものでもよいし、単に積層されたものであってもよい。

また、ウェハ２０の他面２０ｂに接する支持部材４０の一面４０ａが、ウェハ２０の他面より大面積であり、該ウェハ２０の最外周より、全周に亘って前記第一空間αに露呈する部位４２を備えている。これによりウェハ２０の上方に加えて、側方からウェハ２０の下方へも流体を流入させることができ、より確実かつ均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能となる。

特に、本発明では、露呈した部位４２の面積を制御する手段を有しているので、ウェハの大きさに合わせて、前記領域の面積を制御することができる。前記領域の面積を制御することにより、流体の流れを制御することができ、より良好な堆積が可能となる。
前記部位４２の面積を制御する手段は、例えばリング状部材４５である。リング状部材４５とウェハ２０との離間距離ｒは、ウェハ２０の全周に亘って、略同一（同レベル）にある。これにより、ウェハ２０の全面に亘って、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。

超臨界流体の媒質はＣＯ_２ の他、Ａｒ、Ｈ_２ 、Ｘｅなどの不活性ガス類や、ＣＦ_４ 、ＣＨＦ_３ 、ＣＣｌ_４ などのハロゲンガス類、ＮＨ_３ 、ＣＨ_３ＯＨ、Ｈ_２Ｏなどの極性ガスを用いることができる。

しかし、特に超臨界媒質を反応物質として用いない場合には、安全性、低環境負荷性、コスト、および溶媒能を有する点から、ＣＯ_２ が好ましい。
ＣＯ_２ の臨界点は、臨界温度３１．１℃. 臨界圧力７．３８２ＭＰａと、他の超臨界流体に比べて低温・低圧力で超臨界状態になるため扱いやすい。またＣＯ_２ は大気中にも存在する無毒・不燃性の物質であり、反応溶媒として使用後、気体として排出する際、環境面の負荷とならない。
さらに、他の薄膜形成法（蒸着法・スパッタ・ＣＶＤ等）に比べて高拡散・ゼロ表面張力という性質から微細孔２１への形成に優れる。この技術を応用すると、環境に配慮した有機溶媒として超微細なＣｕ配線を作ることが可能である。

前記流体には、添加ガスとして、還元剤がさらに溶解されているものを用いることが望ましい。還元剤を溶解することにより、微細孔への流体の進入がさらに促進される。本発明では、還元剤としてＨ_２ を用いているが、還元剤としては、Ｈ_２ 以外に、メタノール等が挙げられる。

反応圧力としては、特に限定されるものではないが、媒質の臨界点以上（ＣＯ_２ の場合、７．４ＭＰａ以上）であればよく、原料を溶解する能力（溶媒能）があれば亜臨界状態でもかまわない。ＣＯ_２ の場合には溶媒能を発揮させるにはその圧力を６ＭＰａ以上とすることが好ましい。例えば１０〜１５ＭＰａとする。

また、反応温度としては、原料である金属錯体や還元剤の種類によって最適化すればよく、特に限定されるものではないが、例えば原料である金属錯体の融点を下限とし、集積回路配線のプロセス許容温度４００℃を上限とし、その範囲で決定する。温度上昇につれ、膜厚は厚くなるが、孔内への深さは減少し、不均一になる傾向がある。

ウェハ２０に向けて吹きつける流体の速度としては、特に限定されるものではないが、流速が遅すぎると、流体を確実に微細孔２２に送り込むことが難しい。一方、流速が高すぎると、ウェハ２０に強い圧力がかかり、ウェハ２０が損傷する虞がある。

特に、流体の媒質であるＣＯ_２ の流量は、１．０ｍ１／ｍｉｎ以上であることが好ましい。ポンプの圧力変動や、低圧のＨ_２ ガス添加時の圧力低下の影響を抑制するために最低でもＣＯ_２ の流量は、１．０ｍ1／ｍｉｎ必要である。
特に、流体の媒質であるＣＯ_２ の流量は、線速度で換算して１ｃｍ／ｍｉｎ以上であることが好ましい。ここで、線速度は、たとえばポンプ６で送る液体ＣＯ_２ の体積流量を反応容器の断面積で除して求めることができる。ポンプの圧力変動や、低圧のＨ_２ ガス添加時の圧力低下の影響を抑制するために、最低でもその値が必要である。

また、反応時間としては、特に限定されるものではなく、所望の膜厚になるように適宜決めればよい。

図１に示した装置を用いて、ウェハ２０に設けられた微細孔２２の内壁へ導電性物質を堆積させる手順について説明する。
（１）まず、ウェハ２０を反応容器１３に封入し、反応容器１３を装置のラインに接続する。このとき、図２および図３に示すように、ウェハ２０の一面２０ａに向けて、前記流体Ｆが進行するように前記ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持して支持部材４０に取り付ける。ウェハ２０には、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに設けられた複数の微細孔２２が形成されている。

支持部材４０には、前記第二空間βへ該流体Ｆが通過する、微細な連通孔４１が内在されている。支持部材４０の他面４０ｂ側において、第二空間βの開口部３８ａは、支持部材４０の中央域に１つ設けられている。なお、ウェハ２０の他面２０ｂに接する支持部材４０の一面４０ａは、ウェハ２０の最外周より、全周に亘って第一空間αに露呈する部位４２を備えている。

（２）次に、マントルヒーター１１、恒温槽１５以外の機器を起動させ、ＣＯ_２ ボンベ２、Ｈ_２ ボンベ２を開栓する状態で反応容器１３からの漏れがないかを確認する(リークチェック)。
（３）恒温槽１５、マントルヒーター１１を起動させ、設定温度まで加熱する。

（４）原料容器８において、導電性物質の原料（Ｃｕ(ｄｉｂｍ)_２ )、アセトンを使用分計量し、混合する。
（５）設定温度で安定したら（４）を原料送液ポンプ９で流し、所定堆積時間の測定開始とする。流体は、ノズルから基体の一面に向けて吹きつけられる。
（６）所定堆積時間の間、Ｈ_２ 圧力調整器３の圧力や原料が確実に送液されているかなど、各装置が正常に作動しているか定期的に確認する。

（７）所定堆積時間に達したら、原料送液ポンプ９、還元剤Ｈ_２ 供給のシーケンサを停止し、Ｈ_２ ボンベ１のコックを閉栓．ＣＯ_２ 送液ポンプ６は３０分程度作動させる。
（８）恒温槽１５、マントルヒーター１１の加熱を停止し、５０℃程度まで自然冷却する。
（９）ＣＯ_２ ボンベ２を閉栓し、背圧調整器１４で装置内のＣＯ_２ を排気する。
（１０）反応容器１３をラインから外し、全ての機器の電源を切る。
（１１）最後に、反応容器１３からウェハ２０を取り出す。

このように本発明では、前記流体Ｆの流れ方向に対して前記ウェハ２０の一面２０ａを垂直とし、かつ、該ウェハ２０の一面２０ａに向けて、前記流体Ｆが進行するように前記ウェハ２０を配置することで、微細孔２２の内部に流体を強制的に輸送させることができ、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに設けられた複数の微細孔２２に、厚さが均一で一様に導電性物質を堆積させることが可能である。

さらに、支持部材４０において、前記第二空間βへ該流体Ｆが通過する、微細な連通孔４１が内在されているので、ウェハ２０とジグの隙間が小さくなりウェハ２０上下面での差圧が大きくなると考えられる。その結果、より確実に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。
また、支持部材４０に微細な連通孔４１が内在されているとともに、ウェハ２０の他面２０ｂを全面に亘って支持することで、ウェハ２０にかかる負荷の軽減を図ることが可能である。これによりウェハ２０の破損を防止し、配管の閉塞や機器の故障を防止することができる。

特に本発明では、ウェハ２０が有する、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに設けられた複数の微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。これにより、比較的大面積を有するウェハ２０に対しても好適に処理することができる。
また、ウェハ２０の他面に接する支持部材４０の一面が、ウェハ２０の他面より大面積であり、かつ流体が導入される第一空間αに対して、支持部材４０の一面の外周域が露呈されていることで、ウェハ２０の上方に加えて、側方からも流体を流入させることができ、ウェハ２０の全面に亘って、より確実かつ均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。

支持部材４０の露呈した部位４２の面積を制御する手段である、リング状部材４５と、ウェハ２０との離間距離は、ウェハ２０の全周に亘って、略同一（同レベル）にある。これにより、ウェハ２０の全面に亘って、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域２１ごとに均一に微細孔２２に導電性物質を堆積させることが可能である。

このように、本発明では、ウェハ２０を支持部材４０に載せるという簡単な構成で、第一空間αと第二空間βとの間の差圧を大きくし、結果として第一空間αの圧力が均一化され、流体を均一に流すことができる。

なお、上述した実施形態では、超臨界流体を流体の媒質として用いた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、亜臨界流体を流体の媒質として用いた場合にも、同様に適用可能である。

以上、本発明の装置及び方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。

本発明は、超臨界流体に金属錯体を溶解してなる流体を用いて、ウェハに設けられた微細孔の内壁へ導電性物質を形成する装置及び方法に広く適用可能である。

１ Ｈ_２ ボンベ、２ ＣＯ_２ ボンベ、３ 圧力調整器、４ 供給バルブ、５ ミキサ、６ 送液ポンプ、７ 冷却器、８ 原料溶器、９ 原料送液ポンプ、１０ 手前バルブ、１１ マントルヒーター、１２ ブリヒート配管、１３ 反応容器、１４ 背圧調整器（ＢＰＲ）、１５ 恒温槽、２０ ウェハ、２１ 領域、２２ 微細孔、３０ 上チャンバ、３１ ノズル、３５ 下チャンバ、３６ 凹部、３７ Ｏリング、３８ 仕切り部材（ウェハ支持具）、３８ａ 開口部、４０ 支持部材、４１ 連通孔、４２ 部位、α 第一空間、β 第二空間。

Claims (5)

1. 超臨界流体又は亜臨界流体に少なくとも金属錯体を溶解してなる流体を反応容器へ導入し、該反応容器内において連続的に特定の方向へ移動する該流体の中に、ウェハを配して、後工程においてダイシングした際に個別のチップとなる各領域ごとに設けられた複数の微細孔の内壁へ導電性物質を形成する装置であって、
   前記反応容器の内部空間は、仕切り部材により区分された、前記流体が導入される第一空間と該流体が導出される第二空間とを備え、
   前記ウェハの一面から他面に向けて該ウェハを貫通する、前記微細孔の中を前記流体が進行するように、前記ウェハの他面を全面に亘って支持するとともに、前記第二空間へ該流体が通過する、微細な連通孔を内在する支持部材が前記仕切り部材上に配置されており、
   前記ウェハの他面に接する前記支持部材の一面は、該ウェハの最外周より、全周に亘って前記第一空間に露呈する部位を備え、かつ、該部位の面積を制御する手段を有しており、前記仕切り部材に接する前記支持部材の他面は、その中央域において前記仕切り部材に設けられた前記第二空間に通じる単一の流路に面していることを特徴とする微細孔内への導電性物質の形成装置。
2. 前記部位の面積を制御する手段は、リング状の部材であることを特徴とする請求項１に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置。
3. 前記リング状の部材と前記ウェハとの離間距離は、ウェハの全周に亘って、略同一にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置。
4. 前記基体の他面に接する前記支持部材のうち、該支持部材の一面側は少なくとも前記流体に対して濡れ性の高い部材から構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の微細孔内への導電性物質の形成装置。
5. 前記支持部材の一面側が、ＰＦ（ポリフロンフィルター）からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性物質の形成装置。

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