JP2014149177A - 欠陥検査装置および欠陥検査方法 - Google Patents

欠陥検査装置および欠陥検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014149177A
JP2014149177A JP2013016909A JP2013016909A JP2014149177A JP 2014149177 A JP2014149177 A JP 2014149177A JP 2013016909 A JP2013016909 A JP 2013016909A JP 2013016909 A JP2013016909 A JP 2013016909A JP 2014149177 A JP2014149177 A JP 2014149177A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
image
images
unit
image acquisition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013016909A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6009956B2 (ja
Inventor
Toshifumi Honda
敏文 本田
Takahiro Urano
貴裕 浦野
Hidetoshi Nishiyama
英利 西山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2013016909A priority Critical patent/JP6009956B2/ja
Priority to US14/764,985 priority patent/US9778206B2/en
Priority to PCT/JP2014/050708 priority patent/WO2014119376A1/ja
Publication of JP2014149177A publication Critical patent/JP2014149177A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6009956B2 publication Critical patent/JP6009956B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N2021/9513Liquid crystal panels

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】欠陥検査方法及びその装置において、試料の表面に存在する微小な欠陥を複数の検査条件を用いて高感度に検出することを可能にする。
【解決手段】欠陥検査方法において、試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して試料の同一の領域について複数の画像を取得し、この取得した試料の複数の画像をそれぞれ処理して複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて取得した複数の画像から抽出した欠陥候補とこの欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出し、この切り出した複数の部分画像における欠陥候補の特徴量を求め、抽出した欠陥候補のうち試料上の同一の座標の欠陥候補で画像取得条件が異なる条件で検出された欠陥候補の対応付けを行い、多次元の特徴量空間においてこの対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出し、この抽出した欠陥の情報を出力するようにした。
【選択図】図1A

Description

本発明は、試料表面に存在する微小な欠陥を高感度に検査する欠陥検査装置および欠陥検査方法に関する。
半導体ウェハ、液晶ディスプレイ、ハードディスク磁気ヘッドなどの薄膜デバイスは多数の加工工程を経て製造される。このような薄膜デバイスの製造においては、歩留まり向上および安定化を目的として、いくつかの一連の工程毎に外観検査が実施される。
特許文献1(特許第3566589号公報)には、「外観検査では本来同一形状となるように形成された2つのパターンの対応する領域を、ランプ光、レーザ光または電子線などを用いて得られた参照画像と検査画像を元に、パターン欠陥あるいは異物などの欠陥を検出する」方法が開示されている。
また、特許文献2(特開2006−98155号公報)では「大多数のNuisanceの中に少数のDOIが含まれる状況で、DOIを効率よく抽出し、教示する事により、最適な検査条件出しが可能となる検査方法」が開示されている。
さらに検査感度を向上させる手法として、特許文献3(米国特許7221992号明細書)および特許文献4(米国公開特許2008/0285023号明細書)にて、「複数の異なる光学条件による画像を同時検出し、参照画像との明るさの比較を条件ごとに行い、その比較値を統合して欠陥とノイズの判別を行う方法」が開示されているが、各光学条件にて高解像に取得した欠陥画像を欠陥判別部に送るための高いデータ転送レートが必要であることと、複数条件の画像を一度に処理するため、高い処理性能のプロセッサを必要とする点に課題がある。
特許文献5(米国特許7283659号明細書)には、「プロセス情報などの非画像特徴による欠陥候補の分類と、欠陥画像特徴による分類の、二段階の判定により、効率的な欠陥分類を実施する方法」が開示されている。
特許文献6(特開2012−112915号公報)には、複数の撮像条件で検出した画像のそれぞれより欠陥候補を抽出し、いずれかの条件、あるいはそれぞれの画像を処理して得られた特徴量を統合して得られた判定結果に基づき、全ての撮像条件で欠陥候補を中心とした狭領域画像を処理して詳細特徴量を抽出、この特徴量に基づき欠陥を判定する方法が開示されている。
特許第3566589号公報 特開2006−98155号公報 米国特許第7221992号明細書 米国公開特許2008/0285023号明細書 米国特許第7283659号明細書 特開2012-112915号公報
上記従来技術では、基本的には、検査画像と、これと同一の参照画像を比較して、その差分が大きい領域を欠陥として検出する。欠陥の検出にはその欠陥が存在する領域、あるいは欠陥の属性によって、検出しやすい検出条件と、されにくい検出条件があり、特許文献1、2のような一つの検出条件に基づく検査では、どのような種類の欠陥でも同時に検出する検査を実現することは困難である。よって、複数の光学条件を用いる方式が必要になる。特許文献3の方式では検出の方式について言及されていないが、特許文献4の方式では、明視野画像と暗視野画像の両方を同時に取得している。
しかし、明視野画像で欠陥を検出するためには、検出するセンサの画素サイズと同等か、数分の1程度のサイズの欠陥までしか検出できないのに対して、暗視野画像では十分の1以下のサイズの欠陥まで検出できるのが一般的である。センサの撮像時間は一般に画素サイズに比例するため、明視野画像で適正な画素サイズにすると暗視野画像の特性である高速検査が実現できず、また、暗視野画像の検出で適正な画素サイズにすると、明視野画像でもセンサの撮像時間の制約で画素を大きくせざるをえず、低感度な検査しか実行できない。すなわち、同時に明視野での検査と暗視野での検査を同時に実施するとスループットにギャップがありすぎ、適正な検査が実現できない。また、暗視野と暗視野を組み合わせた検査などでは、暗視野検査は照明の方位角、偏光等によって検出される欠陥が変化するため、ひとつの照明条件で複数の検出系を備えたとしても、欠陥の捕捉率を十分向上させることができない。
このため、複数回シーケンシャルに検査を行い、この検査結果を複合させる方法が考えられるが、この場合に特許文献4のFig.7に示されているような、複数の検出系の差分結果を統合して検査する手法を単純に適用することは難しい。複数回の検査結果を統合する場合、一度の検査では非常に大量のデータが取得され、これを保存しなければ、各画素の複数回の検査の対応関係を求めることができない。完全にこれを求めるには例えば大容量のハードディスク等の外部記憶が必要になり、システムの複雑化、スループットの低下が引き起こされる。
また、特許文献5に示される方式では、各画素毎の複数の検出系のデータの統合は、それぞれの検出系で取得した画像毎に欠陥判定が行われるため、すべての検出条件での検査において、特許文献4のFig. 7に代表される複数の検出系の評価結果を統合する手法は用いることができない。同様の理由で特許文献2に開示されている方法を複数の検出の検査に拡張すると、シーケンシャルな欠陥判定の後に算出される画像特徴量をもとに検出系欠陥とヌイサンスの両方の判定をしようとしても、両方の検出系において欠陥、あるいはヌイサンスの両方が撮像されることが無いため、特徴量をプロットできない欠陥候補が発生していた。
特許文献6では、複数の検出条件で撮影された画像で得られた欠陥特徴量に基づき、評価値を越えたものは、蓄積された画像から、狭領域画像を処理していたが、同一の対象を複数回検査する場合には、複数回スキャンした後で無ければこの判定を行うことができないため、膨大な画像撮像バッファが必要となり、現実的には並行して複数条件で画像を撮像する場合にしか適用が困難であった。
本発明では、上記した従来技術の課題を解決して、試料の表面に存在する微小な欠陥を複数の検査条件を用いて高感度に検出することを可能にする欠陥検査方法及びその装置を提供するものである。
上記した課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法において、試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して試料の同一の領域について複数の画像を取得し、この取得した試料の複数の画像をそれぞれ処理して複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて取得した複数の画像から抽出した欠陥候補とこの欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出し、この切り出した複数の部分画像における欠陥候補の特徴量を求め、抽出した欠陥候補のうち試料上の同一の座標の欠陥候補で画像取得条件が異なる条件で検出された欠陥候補の対応付けを行い、この対応付けした欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出し、この抽出した欠陥の情報を出力するようにした。
また、上記した課題を解決するために、本発明では、欠陥検査方法において、試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像してこの試料の同一の領域について複数の画像を取得し、この取得した複数の画像をそれぞれ処理して複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出し、この抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて取得した複数の画像から抽出した欠陥候補とこの欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出し、複数の画像を取得することと欠陥候補を抽出することと部分画像を切り出すこととを複数の画像取得条件を変えて複数回行い、この複数の画像取得条件を変えて複数回撮像して得た画像から部分画像を切り出す工程において切り出された部分画像に含まれる欠陥候補のうち試料上での座標が同じ欠陥候補の対応付けを行い、この対応付けした欠陥候補の特徴量を求め、対応付けした欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出し、この抽出した欠陥の情報を出力するようにした。
更に、上記した課題を解決するために、本発明では、欠陥検査装置を、試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して該試料の同一の領域について複数の画像を取得する画像取得手段と、この画像取得手段で取得した試料の複数の画像をそれぞれ処理して複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて上記画像取得手段で取得した複数の画像から抽出した欠陥候補とこの欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出す部分画像切り出し手段と、この部分画像切り出し手段で切り出した複数の部分画像における欠陥候補の特徴量を求める特徴量算出手段と、欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補のうち試料上の同一の座標の欠陥候補で画像取得条件が異なる条件で検出された欠陥候補の対応付けを行う欠陥候補対応付け手段と、特徴量算出手段で求めた欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて欠陥候補対応付け手段により対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、この欠陥抽出手段で抽出した欠陥の情報を出力する出力手段とを備えて構成した。
更にまた、上記した課題を解決するために、本発明では、欠陥検査装置を、試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して試料の同一の領域について複数の画像を取得する画像取得手段と、この画像取得手段で取得した複数の画像をそれぞれ処理して複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、この欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて画像取得手段で取得した複数の画像から抽出した欠陥候補とこの欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出す部分画像切り出し手段と、画像取得手段と欠陥候補抽出手段と部分画像切り出し手段とを制御して前記画像取得手段で複数の画像を取得することと欠陥候補抽出手段で欠陥候補を抽出することと部分画像切り出し手段で部分画像を切り出すこととを複数の画像取得条件を変えて複数回実行する制御手段と、この制御手段で制御して画像取得手段の複数の画像取得条件を変えて複数回撮像して得た画像から部分画像切り出し手段により切り出された部分画像に含まれる欠陥候補のうち試料上での座標が同じ欠陥候補の対応付けを行う欠陥候補対応付け手段と、この欠陥候補対応付け手段で対応付けした欠陥候補の特徴量を求める特徴量算出手段と、この特徴量算出手段で求めた欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて欠陥候補対応付け手段により対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、この欠陥抽出手段で抽出した欠陥の情報を出力する出力手段とを備えて構成した。
本願において開示される発明によれば、試料表面に存在する微小な欠陥を高感度に検査する欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供することが可能となる。
本発明の実施例1に係る欠陥検査装置の全体概略構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1に係る欠陥検査装置の第1の変形例の全体概略構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1に係る欠陥検査装置の第2の変形例の全体構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における画像取得部の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置の欠陥候補抽出部の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥候補抽出方式を説明する3次元の散布図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥候補検出部の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における検査対象である半導体ウェハのダイの構成を示す半導体ウェハの平面図と複数のダイの拡大図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における検査対象である半導体ウェハのダイの構成を示す半導体ウェハの平面図と複数のダイの拡大図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における検査対象である半導体ウェハ状に形成されたダイの内部の領域を分割した例を示す半導体ウェハの平面図と複数のダイの拡大図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における検査対象である半導体ウェハ状に形成されたダイの内部の領域を分割して、この分割した領域ごとの検査条件をまとめた処理条件のリストの一例である。 本発明の実施例1の変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥候補選択部の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥候補選択部の変形例の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置において、検出した欠陥の座標の規則性を判定する座標判定ルールの一例を説明する欠陥候補の分布図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥判定部の特徴空間の一例を示す3次元のグラフである。 特定の条件でのみ検出される場合の一例を示す検査対象パターンの正面図である。 特定の条件でのみ検出される場合の一例を示す検査対象パターンの斜視図である。 検査画像と参照画像との差分を各照明条件で構成した3次元空間にプロットしたグラフである。 1回目の検査スキャンで検出した欠陥の条件1と条件2の2次元空間における分布を示す他グラフである。 2回目の検査スキャンで検出した欠陥の条件3と条件4の2次元空間における分布を示す他グラフである。 本発明の実施例1の変形例1に係る欠陥検査装置の図1Bに示した構成における画像処理部の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥判定のフローの一例を示すフロー図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥判定のフローの一例を示す図であって、画像取得条件を変更して複数回画像を取得する場合のフロー図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥判定のフローの一例を示す図であって、画像取得条件を変更して複数回画像を取得する場合であって、取得した画像を共通のバッファに一旦記憶する場合のフロー図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における欠陥判定のフローの一例を示す図であって、画像取得条件を変更して複数回画像を取得し、切り出し画像の詳細解析を行わずに欠陥候補を判定する場合のフロー図である。 本発明の実施例1の変形例2に係る欠陥検査装置における欠陥判定のフローの一例を示す図であって、画像取得条件を変更して複数回画像を取得する場合に、異なる検査で得られた欠陥候補を対応付けしてから欠陥判定を行う処理のフロー図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置における、欠陥候補教示用のGUIの拡張表示の一例を示す画面の正面図である。 本発明の実施例2に係る欠陥検査装置の全体概略の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例3に係る欠陥検査装置の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例3の変形例に係る欠陥検査装置の形態の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の実施例4に係るSEM式検査装置の概略の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置の検査データの出力例を示すデータシートの図である。 本発明の実施例1乃至3に係る欠陥検査装置の欠陥判定部1における位置ずれ検出・補正の一例を示す欠陥候補のマップの図である。
本発明は、複数の画像取得条件で取得したそれぞれの画像から欠陥候補を抽出して、複数の画像間で抽出した欠陥候補を統合して処理することにより、画像データを増やすことなく、微小な欠陥を高感度に、かつ、高速に検査することができるようにしたものである。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
以下において、本発明の欠陥検査技術(欠陥検査方法および欠陥検査装置)の第1の実施例を図1から図11を用いて、詳細に説明する。
本発明のパターン検査技術の第1の実施例として、半導体ウェハを対象とした暗視野照明による欠陥検査装置および欠陥検査方法を例にとって説明する。
図1Aは実施例1の欠陥検査装置の構成の一例を示したものである。実施例1に係る欠陥検査装置は、画像取得部110(画像取得ユニット110−1、110−2、110−3)、画像格納バッファ部120(画像格納バッファ120−1、120−2、120−3、120−4)、特徴量格納バッファ125(125−1)、欠陥候補抽出部130(欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3)、欠陥候補選択部140、制御部150、画像転送部160、画像処理部170、欠陥判定部180、結果出力部190を有して構成される。
画像取得部110では、各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3で検査対象物である半導体ウェハの検査画像データを取得し、画像格納バッファ部120の各画像格納バッファ120−1、120−2、120−3と欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3に画像データを転送する。欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3は、画像取得部110の各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3から転送された画像データから、後述する処理にて欠陥候補を抽出し、欠陥候補を欠陥候補選択部140に転送する。欠陥候補選択部140では、前記欠陥候補からノイズなどの誤検出である虚報やユーザが検出を希望しないヌイサンス(Nuisance)を取り除き、残った欠陥候補情報を制御部150へ送信する。
欠陥候補選択部140から欠陥候補の情報を受け取った制御部150からは、画像格納バッファ部120の各画像格納バッファ120−1、2、3へ、前記残った欠陥候補の座標情報を送信する。画像格納バッファ部120では、各画像格納バッファ120−1、2、3に格納されている画像取得部110から入力された前記画像データから、制御部150から受信した欠陥候補の座標情報に基づいて欠陥候補を含む画像を切り出し、この切り出した欠陥候補を含む画像を画像転送部160へ転送する。画像転送部160は、各画像格納バッファ120−1、2、3から転送された欠陥候補を含む画像をバッファ121に格納する。
本実施例におけるパターン検査では、検査対象となる試料を複数回検査する。すなわち、図1Aに示した、バッファ121には、複数回(複数の検査条件)の検査によって取得される欠陥候補を含む切り出し画像が格納される。この画像データのサイズは典型的には例えば、32×32の欠陥を中心としたサイズであり、検査画像と同一設計部の画像である参照画像のデータとなっている。バッファ121に蓄積された画像は、画像処理部170に転送される。画像処理部170では、欠陥候補の画像特徴量、すなわち、検査画像と参照画像の差分明度、検査画像と参照画像の差画像の欠陥部の明度、差画像のテキスチャ、欠陥部の形状特徴量、差画像の欠陥部のパターン形状のうち、1つ以上の特徴からなる特徴量ベクトルが算出され、バッファ125−1に格納される。この特徴量ベクトルは欠陥判定部180に転送され、多次元特徴空間にて欠陥判定が行われる。
なお、多次元特徴空間での欠陥とヌイサンスとの弁別には、よく知られている分類手法、例えば、バイナリーツリー、サポートベクターマシン、マハラノビス距離法、ニューラルネットワークのうち、いずれか一つ、あるいはその組合せを用いる。この判定により、ユーザが検出を希望する欠陥であるDOI(Defect of Interest)のみを抽出し、DOIを結果出力部190に出力する。
図1Aでは、3つの異なる検査画像の取得条件にて画像取得を行う画像取得部110−1、110−2、110−3に1対1に対応する画像格納バッファ120−1、120−2、120−3と欠陥候補抽出部130−1、130−2、130−3を有する構成を示した。ここで、検査画像の取得条件とは、試料に対する照明条件(試料に対する照明光の入射方向、照明光の波長、照明光の偏光状態など)や検出条件(試料からの反射散乱光の検出方向、検出波長領域、偏光状態など)、異なる検出感度での検査画像取得などである。
図1Aで説明した実施例1における欠陥検査の構成を拡張したのが図1Bである(第1の変形例)。微小なDOIで、特に溝底の短絡やヘアショートと呼ばれる細い短絡は、欠陥を顕在化することが困難であり、特定の検出条件でなければ顕在化できない。本発明は、異なる複数の撮像条件で複数回検査して、DOIの捕捉率を向上させるものであるが、顕在化が困難な欠陥では、すべての検査で欠陥が検出できるわけではない。
図1Aで説明した実施例1における欠陥検査の構成では、3つの並列に検出ができる画像取得部を備えているが、例えば、M回の検査のうち、N回の検査でしか欠陥を顕在化できなければ、バッファ121に格納される欠陥候補の切り出し画像には、3N枚の切り出し画像しか得られないことになる。各、欠陥候補において、何枚の切り出し画像が得られるかは未知であるため、ある特定の特徴ベクトルの次元数を想定して、弁別を行うマハラノビス距離法や、サポートベクターマシンの適用で高い性能を期待することは困難である。
そこで、図1Bに示した第1の変形例における欠陥検査装置の構成では、バッファ121の切り出し画像を用いない多次元特徴分類器を備えている。125−2は特徴量格納バッファであり、欠陥候補抽出部の各欠陥候補抽出ユニット130−1、2、3で欠陥候補の抽出に用いられる特徴量が格納される。この特徴量は、検査画像と参照画像の差分、同一座標のダイ間明度ばらつき、参照画像の欠陥候補と類似したパターンにおける差分画像ばらつき、参照画像のエッジ強度のうち、1つ、あるいはこの組合せにより構成される。この特徴量データは、M回の検査分格納される。ここで特徴量格納バッファ125−2には、バッファ121に格納される切り出し画像よりも多くのデータを格納できるようにする。
バッファ121に格納される画像データは、例えば典型的には32×32のサイズで検査画像、参照画像の両方を必要とするため、およそ2KBのデータを1画像取得データ毎に必要とするが、特徴量格納バッファ125−2に格納されるデータは、例えば特徴量ベクトルが4次元であり、それぞれが2バイトの固定小数点で表されたとすると、8Bのデータで済むため、同一容量のバッファを用意した場合、150倍程度のデータを格納することが可能である。また、画像処理部170を用いた処理も必要としないため、演算コストも基本的には必要としない。従って、欠陥候補選択部140は、バッファ121に蓄積する欠陥候補数に対して特徴量格納バッファ125−2に蓄積する欠陥候補数は2桁程度多くなるように欠陥候補を選択する。
図1Aに示した欠陥検査装置における欠陥判定部180は図1Bに示した第1の変形例の欠陥検査装置の構成では2つに分けられており、欠陥判定部1:180−1は特徴量格納バッファ125−2に蓄積された欠陥候補の特徴量ベクトルに基づき多次元空間に判別境界を設定した判定処理を行い、欠陥判定部2:180−2は画像処理部170で抽出され、バッファ125−1に蓄積された特徴量データから処理を行うようにする。欠陥判定部2:180−2は、欠陥判定部1:180−1の判定結果に基づき、想定される欠陥候補の属性毎に、判定に用いる画像特徴量を絞り込み、欠陥候補毎にすべての切り出し画像が揃っていない課題を軽減する。例えば欠陥判定部1:180−1でDOI種のスクラッチの可能性が高いとされたら、欠陥判定部2:180−2においてはスクラッチ判定用の画像特徴量のみを用いて判定し、欠陥判定部1:180−1で異物の可能性が高いとされれば、欠陥判定部2:180−2においては異物判定用の画像特徴量のみを用いて判定する。
図1Cに欠陥検査装置の第2の変形例の構成を示す。図1Cに示した欠陥検査装置の第2の変形例の構成は図1Bに示した欠陥検査装置の第1の変形例の構成と類似した構成であるが、欠陥判定部1:181−1と欠陥判定部2:181−2の動作が図1Bで説明した欠陥検査装置の動作と異なる。図1Bの場合では欠陥判定部1:180−1が欠陥判定部2:180−2の前処理となっているのに対して、図1Cの構成では欠陥判定部2:181−2が欠陥判定部1:181−1の欠陥判定の前処理になっている。欠陥判定部1:181−1の欠陥判定は、複数回の検査における、ある一回の検査においてバッファ125−1に蓄積された特徴量データにより多次元特徴空間にて欠陥判定が行われ、仮判定結果がバッファ125−3に転送される。
この場合、ある特定の画像において、欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3のいずれかにおいて、ある座標で欠陥候補が抽出されれば、たとえ、欠陥候補抽出の特定しきい値を超えずともこれと対応する座標の切り出し画像を保存するように欠陥候補選択部140が動作するように設定し、欠陥の切り出し画像がそろわない課題を発生させずに、欠陥判定部2:181−2での欠陥判定の実行を可能にしている。この欠陥判定部2:181−2において明らかな欠陥、たとえばヌイサンスの除去や傷欠陥の判定を実施し、この判定結果をバッファ126−3に蓄積する。
また、バッファ125−3には、画像処理部170で抽出した特徴量も含めるようにする。画像処理部170では、切り出し画像をもとにした画像処理を実施するため、欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3における欠陥候補抽出用の画像処理に比較して、演算コストを要する画像処理、たとえば画像の明度、コントラスト補正やノイズ除去、画像のデコンボリューションによる画質復元、パターンを認識した詳細なノイズ判定などを行う。これにより、欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3における欠陥候補抽出で出力する欠陥候補の特徴量と同一の特徴量であっても、より妥当な結果を算出できる。
185は特徴量変更部であり、特徴量格納バッファ125−2に蓄積された特徴量のうち、欠陥判定部2:181−2で蓄積された特徴量をバッファ125−3に蓄積された特徴量に置き換え、また、欠陥判定部2:181−2でヌイサンスと判定されたにも関わらず、欠陥判定で重要な判定基準となる検査画像と参照画像の差分が大と判定された結果の差分値に1以下の0に近いゲインをかけるか、あるいは、ダイ間明度ばらつき、あるいは差分画像ばらつきに1以上のゲインを乗じる。これにより、バッファ125−2に蓄積された、ヌイサンスと判定された欠陥候補が欠陥と判定されることを抑制する。また、ヌイサンスと判定された検査の差分信号値を0にするなど、二値論理を実施しても良い。
この特徴量変換部185で変換された特徴量格納バッファ125−2に蓄積された特徴量をもとに、欠陥判定部1:181−1において、図1Bで説明した第1の変形例と同様の方式で欠陥の属性を判定する。
上述した判定を、図15に示したデータシートを用いて説明する。図15において、1501は欠陥候補IDであり、各欠陥候補につけられる識別子である。1502は検査IDであり、複数回の試料の検査にそれぞれつけられた識別子である。欠陥候補ID1501は複数回の検査で得られた欠陥候補の座標1503をもとに、異なる検査で得られた同一位置の欠陥候補を対応付けて、識別子を割り振る。また、欠陥候補の座標1503としては異なっていても、ライン状に点列が並んでいる等の情報から、同一の欠陥として一つの欠陥IDを割り振るようにする。
図15の1504は図1Cの特徴量格納バッファ125−2に蓄積された特徴量より算出した欠陥判定特徴量を示しており、典型的には、検査画像と参照画像の差分を、画素ごとに算出する差分画像のばらつきで割った値である。1505は欠陥判定部2:181−2で判定された仮の欠陥判定結果であり、たとえば、傷欠陥や、強い強度のパターンのエッジ部で発生したヌイサンスなど、明らかに判定結果がわかるものに対して判定結果を出力し、それ以外のものに対しては不定との結果を出力する。また、欠陥である確からしさを示す尤度を出力し、これをゲインHで表す。もっとも簡単な方法としては、ヌイサンスと判定されたものを0、それ以外を1とする。より高度な実装においては、欠陥判定部181−2において形成される多次元特徴空間において、特定の欠陥とヌイサンスとを識別する境界面を0.5とおき、この境界面からヌイサンス側に離れるに従い、距離を引数としてとるシグモイド関数によって尤度を表し、この尤度をゲインHとする。
図15の1506は欠陥判定部181−2で得られたゲインHをもとに、欠陥判定特徴量1504の評価値を変換したものである。切り出し画像を蓄積しなかったデータに対しては、ゲインHを算出できないため、あらかじめ設定しておいたゲインH0を与えて変換する。H0は一般的には0.5以上、1以下の値であるが、適当な値は前述したシグモイド関数のプロファイルを決定するパラメータにより変化するため、ユーザが設定するパラメータとして与えるのが良い。
図2は、実施例1及び変形例1と2における、画像取得部110の構成の具体的な例として、暗視野照明による画像取得部110´の構成の一例を示した図である。画像取得部110´は、ステージ220、メカニカルコントローラ230、照明部240の2つの照明光学系240−1、240−2、検出光学系(上方検出系)250−1、(斜方検出系)250−2、イメージセンサ260−1、260−2を有し、上方検出系250−1は、対物レンズ251−1、空間周波数フィルタ252−1、結像レンズ253−1、検光子254−1を備えている。また、斜方検出系250−2は、対物レンズ251−2、空間周波数フィルタ252−2、結像レンズ253−2、検光子254−2を備えている。
試料210は例えば半導体ウェハなどの被検査物である。ステージ220は試料210を搭載してXY平面内の移動および回転(θ)とZ方向への移動が可能である。メカニカルコントローラ230はステージ220を駆動するコントローラである。照明部240の照明光学系240−1または240−2の何れかから発射された照明光を試料210に斜方から照射し、試料210からの散乱光を上方検出系250−1、斜方検出系250−2でそれぞれ結像させ、結像された光学像を各々のイメージセンサ260−1および260−2で受光して、画像信号に変換する。このとき、試料210をX‐Y‐Z‐θ駆動のステージ220に搭載し、該ステージ220を水平方向に移動させながら異物散乱光を検出することで、検出結果を2次元画像として得ることができる。
照明部240の2つの照明光学系240−1及び240−2の照明光源は、レーザを用いても、ランプを用いてもよい。また、各照明光源の波長の光は短波長であってもよく、また、広帯域の波長の光(白色光)であってもよい。短波長の光を用いる場合、検出する画像の分解能を上げる(微細な欠陥を検出する)ために、紫外領域の波長の光(Ultra Violet Light:UV光)を用いることもできる。レーザを光源として用いる場合、それが単波長のレーザである場合には、可干渉性を低減する手段(図示せず)を照明部240の2つの照明光学系250−1及び250−2の各々に備えることも可能である。
また、図2に示した画像取得部110には、上方検出系250−1の対物レンズ251−1を介して試料210を照明する落射照明用の光源240−3を備えており、空間フィルタ251の位置の折り返しミラー(図示せず)で光路を変更し、上方からの照明光の入射を可能にしている。更に、図示していない波長板を照明部240の各照明光学系240−1、240−2、240−3と試料210との間に備えることにより、試料210に入射する照明の偏光の状態を変えることを可能にする。波長板の回転角度は270の制御部で可動できるようにして、検査条件毎の照明偏光の切り替えを可能にする。
また、イメージセンサ260−1及び260−2にそれぞれ複数の1次元イメージセンサを2次元に配列して構成した時間遅延積分型のイメージセンサ(Time Delay Integration Image Sensor:TDIイメージセンサ)を採用しステージ220の移動と同期して各1次元イメージセンサが検出した信号を次段の1次元イメージセンサに転送して加算することにより、比較的高速で高感度に2次元画像を得ることが可能になる。このTDIイメージセンサとして複数の出力タップを備えた並列出力タイプのセンサを用いることにより、センサからの出力を並列に処理することができ、より高速な検出が可能になる。また、イメージセンサ260−1および260−2に、裏面照射型のセンサを用いると表面照射型のセンサを用いた場合と比べて検出効率を高くすることができる。
イメージセンサ260−1、260−2から出力される検出結果は、制御部270を介し、画像格納バッファ120−1、120−2と、欠陥候補抽出部130の欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2に転送される。
図3Aは、実施例1及び変形例1と2における、欠陥候補抽出部130の欠陥候補抽出ユニット130−1構成の一例を示す図である。欠陥候補抽出ユニット130−1は、前処理部310−1、画像メモリ部320−1、欠陥候補検出部330−1、パラメータ設定部340−1、制御部350−1、記憶部360−1、入出力部370−1を備えてなる。欠陥候補抽出ユニット130−2も同様な構成を備えている。
まず、前処理部310−1では、画像取得部110−1より入力した画像データに対してシェーディング補正、暗レベル補正、ビット圧縮等の画像補正を行い、一定単位の大きさの画像に分割し、画像メモリ320−1へ格納する。画像メモリ320−1に格納された被検査領域の画像(以下、検出画像と記載)と対応する領域の画像(以下、参照画像と記載)のデジタル信号を読み出す。
ここで、参照画像は隣接するチップの画像としても良いし、隣接する複数のチップ画像から作成した、画像内に欠陥のない理想画像としても良い。さらに、隣接する複数のチップ欠陥候補検出部330−1において位置を合わせるための補正量を算出し、算出された位置の補正量を用いて、検出画像と参照画像の位置合せを行い、対応する画素の特徴量を用いて特徴空間上ではずれ値となる画素を欠陥候補として出力する。
パラメータ設定部340−1は、外部から入力される、欠陥候補を抽出する際の特徴量の種類やしきい値などの検査パラメータを設定し、欠陥候補検出部330−1に与える。欠陥候補検出部330−1は制御部350−1を介し、欠陥候補選択部140へ抽出した欠陥候補の画像や特徴量などを出力する。制御部350−1は、各種制御を行うCPUを備え、ユーザからの検査パラメータ(特徴量の種類、しきい値など)の変更を受け付けたり、検出された欠陥情報を表示したりする表示手段と入力手段を持つ入出力部351−1、検出された欠陥候補の特徴量や画像などを記憶する記憶装置352−1と接続されている。
ここで、図1A乃至図1Cで説明した制御部150、図2で説明した制御部270、及び図3Aで説明した制御部350−1および350−2はすべて同一の制御ユニットであっても良いし、それぞれ異なる制御ユニットにて構成され、それぞれが互いに接続されていても良い。
欠陥候補を抽出する典型的な特徴量を説明する。ここでは、ダイ内座標(x、y)、検出画像の取得条件の識別子をkとして、検査画像と参照画像の差分Diff、 欠陥候補位置の参照画像の微分フィルタ強度をedge、同一のダイ内座標の明度ばらつきをΔdie、欠陥候補の位置におけるパターン属性をid(x、y)として、このパターン部における検査画像と参照画像の差分のばらつきをΔcategとすると、基本形としては(数1)を満たすものが欠陥候補として抽出される。
Figure 2014149177
A(k)、B(k)、C(k)は、検査画像の取得条件毎に設定するパラメータであり、この値の設定を、120に残す欠陥候補と125に残す欠陥候補の基準で異なる値に設定して、後述するが、このA(k)、B(k)、C(k)は座標ごとに変更しても良いし、想定する欠陥種毎に変更しても良い。欠陥種毎にA、B、Cを変更する場合、多次元空間において、最も感度の良い境界面を選択することとする。
図3Bは欠陥候補検出部のはずれ値検出方法の説明図である。(数1)を変形したものが(数2)であり、この(数2)の状態の散布図を図示したのが360である。361と362がDOI、それ以外の分布である363がヌイサンスである。
Figure 2014149177
なお、ここでは、典型的な例として、特徴量を二乗した和をもとに判定式を記述したが、特徴量を2乗せずに、線形のまま用いても良い。
次式の(数3)は(数1)のしきい値でノーマライズして、各検出条件毎のゲインG(k)を乗じたものであり、複数検出条件における判定式となっている。
Figure 2014149177
(数3)は(数2)で欠陥候補が選択されなければ正確な演算を行うことができない。そこで、(数2)のA、B、Cは一般的な1画像からのみの欠陥検出に対して小さな値に設定する。ただし、A、B、Cをあまりに小さく設定すると、欠陥候補数が多くなりすぎ、巨大なバッファが必要になる、あるいは後段の処理時間が大幅に増大する、という課題がある。本検査方法はN回の検査を統合して検査する方式であるため、予め、欠陥候補が選択された位置を欠陥候補検出部に入力しておき、複数の検査間のずれ量許容値範囲内で例外的に小さなしきい値を設定するか、最も欠陥である可能性の高い画素を欠陥候補として出力する機構を設け、パラメータ、A、B、Cを極端に下げずに済むようにしている。
図4は、実施例1及び変形例1と2における、欠陥候補検出部330−1の構成の一例について示す。欠陥候補検出部330−1は位置合せ部430−1、特徴量演算部440−1、特徴空間形成部450−1、はずれ画素検出部460−1を備えてなる。位置合わせ部430−1は、画像メモリ部320−1から入力した、検出画像410−1と参照画像420−1の位置ずれを検出し、補正する。特徴量演算部440−1では、位置合わせ部430−1にて位置ずれを補正した検出画像440−1と参照画像420−1の対応する画素から特徴量を算出する。ここで算出する特徴量は、検出画像440−1と参照画像420−1の明度差や、一定領域内の明度差の総和やばらつき、などとする。
特徴空間形成部450−1は、任意に選択した特徴量に基づき、図3Bの360に相当する特徴空間を形成する。はずれ画素検出部460−1にて、特徴空間内で外れた位置にある画素を欠陥候補として出力する。特徴空間形成部450−1では、各欠陥候補のばらつきなどに基づき正規化を実施しても良い。ここで、欠陥候補を判定するための基準は(数1)、(数2)以外にも、特徴空間内のデータ点のばらつきや、データ点の重心からの距離などを用いることができる。このとき、パラメータ設定部340−1から入力されたパラメータを利用し、判定基準を決定しても良い。
図5Aと図5Bは、本発明の実施例1及び変形例1と2に係る欠陥検査装置において検査対象とするチップの構成の一例を示す図であり、欠陥候補検出部330−1での欠陥候補の検出について説明する。検査対象となる試料(半導体ウェハ、ウェハとも記す)210はメモリマット部501と周辺回路部502とを備えてなる同一パターンのチップ500が多数、規則的に並んでいる。制御部270では試料である半導体ウェハ210をステージ220により連続的に移動させ、これに同期して、順次、503、504の照明を行うことで、チップの像をイメージセンサ260−1、260−2より取り込み、検出画像に対し、規則的に配列されたチップの同じ位置、例えば図5Aの検出画像の領域530に対し、領域510、520、540、550のデジタル画像信号を参照画像とし、参照画像の対応する画素や検出画像内の他の画素と比較し、差異の大きな画素を欠陥候補として検出する。ここで、図5Bの試料509は図5Aの試料210のウェハを90度回転させたものである。
図5A及び図5Bにおいて、502の領域のパターンは503の照明により、503の照明の長手方向に周期的なパターンが顕在化し、501の領域のパターンは504の照明により照明方向の長手方向に周期的なパターンが顕在化する。これらの周期的なパターンは図2に示した空間フィルタ252−1および252−2でパターンからの散乱光をカットすることができるが、照明の短手方向に周期的なパターンは空間フィルタにおいて散乱光をカットすることが難しい。このように、照明の方向と空間フィルタの組合せにより、ノイズをカットできる領域が変化するため、複数回の画像取得条件を変化させた検査が必要になる。
図6Aは図5A及び図5Bに示したパターンに対して領域を分割したパターンである。601〜606はそれぞれ、検査条件を設定する領域を示している。前述のように、図2で示した構成の画像取得部110を用いて検査をした場合、検査するパターンと照明との関係から、ノイズの出方は領域によって変化する。このため、領域毎に特徴空間形成部450−1で形成する特徴空間を変更し、欠陥判定基準を変化させる。更に、試料210のノイズの発生状態、さらに欠陥の発生状態は試料210の中央650、周辺660、端670によって変化するため、このそれぞれを601〜607といったダイ内の領域と組み合わせて、図6Bに示すような、651〜656、 661〜666、671〜676といった領域に分離して特徴量空間を設定する。更に、欠陥種類毎に顕在化させる画像取得条件が異なり、また、ユーザの検出優先度も変わるため、この欠陥判定基準を欠陥種類毎に持たせるようにする。
この判定基準には、以下の評価値に対する基準を含んでいる。
(a)図3Aに示した330−1の欠陥候補検出部の評価値
(b)図1Bの欠陥候補選択部140における、切り出し画像をバッファ121に格納する評価値
(c)特徴量データを特徴量格納バッファ125−2に格納する評価値
(d)欠陥判定部1:180−1において、欠陥とヌイサンスを分離する評価値
(e)欠陥判定部1:180−2において欠陥とヌイサンスを分離する評価値
図7Aは本発明の実施例1の変形例1と2に係る欠陥検査装置における、欠陥候補選択部140の構成の一例を示す図である。欠陥候補選択部140は、位置ずれ検出・補正部710と、欠陥候補対応付け部720と、外れ値検出部730とを備えてなる。位置ずれ検出・補正部710は、各欠陥候補抽出部130−1、130−2、130−3から複数の欠陥候補の画像や特徴量と、ウェハ上の検出位置を入力し、各欠陥候補におけるウェハ座標の位置ずれを検出して補正する。
欠陥候補対応付け部720は、位置ずれ検出・補正部710にて検出位置を補正した欠陥候補の対応付けをすることで、同一の位置で別の条件で取得した画像から欠陥候補群をグルーピングする。ウェハ座標上であらかじめ設定した範囲内で欠陥候補が重なるかどうかを判定する方法などにより、対応付けを実施する。欠陥候補が重なる範囲にない場合には、欠陥候補対応付け部720から欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3の評価データにアクセスして、特徴量データを取得するようにするのが良い。また、システムの複雑性を回避するため、特定の欠陥候補が検出できなかった画像取得条件を除いて外れ値検出部730を実行しても良い。なお、欠陥候補対応付け部720と同一の欠陥候補対応付け部は、欠陥判定部180−1(181−1)にも組み込んでおり、複数回の検査において、同一の欠陥候補からの特徴量を収集することができるようにしている。
外れ値検出部730は、欠陥候補対応付け部720にて対応付けされた欠陥候補に対し、しきい値を設定し、特徴空間内で外れた位置にある欠陥候補を検出し、欠陥候補の特徴量や、検出位置などを制御部150に出力する。このとき、典型的には、(数3)に示す判定式を満たすものを欠陥と判定する。多次元空間における特徴ベクトルの各要素は典型的には(数4)のように表される。
Figure 2014149177
同一座標の欠陥候補をグルーピングする中で、特定の画像に欠陥候補がなかった場合、(数3)を正確に求めることは不可能であるが、(数1)と(数3)の関係から、検出できなかった画像kの特徴量はG(k)以下となる。G(k)は(数3)の分母、すなわち、(数1)の右辺を小さくすることにより、小さくすることが可能になる。
一般に、(数1)の右辺は、欠陥信号値となるDiffの標準偏差のX倍等に設定されるため、欠陥候補が検出されなかった位置の特徴は、G(k) 0.5/Xといった値に設定することができる。このように特徴量の欠陥信号を欠陥検出しきい値で正規化することにより、欠陥候補が検出できない場合においても、大きな誤差がなく、特徴量を推定できる。また、(数1)の右辺を小さく、すなわち、前述のXを小さくするに従い、G(k)が小さくなるので、欠陥候補がなかった部分の特徴を0にしても大きな誤差にはならなくなる。なお、ここでは、(数1)、(数2)、(数3)が二乗の形式の例を示したが、線形の式であったとしても、欠陥信号Diffが欠陥候補を検出するしきい値でノーマライズされた形式で表されるか、逆にしきい値が欠陥信号Diffによってノーマライズされていれば、同様の特徴量の推定が可能である。
図6Bに示す表には典型的には、(数3)におけるパラメータA(k)、B(k)、C(k)、G(k)が格納され、それぞれの欠陥種とヌイサンスとを分離するパラメータとなる。いずれかの欠陥種において、(数4)を満たせば、その欠陥種の欠陥候補として仮判定される。外れ値検出部730では制御部150と特徴量格納バッファ125−2に出力を行うが、パラメータA(k)、B(k)、C(k)の値を制御部150と特徴量格納バッファ125−2用に設けることでこれを実現する。
制御部150ではA(k)、B(k)、C(k)、G(k)の値を特徴量格納バッファ125−2に出力するためのパラメータに対して大きく設定することで、バッファ120の各バッファ120−1、120−2、120−3に保存する切り出し画像数の数を特徴量格納バッファ125−2に保存する特徴量数に対して典型的には少なくする。また、それぞれのバッファに保存する欠陥候補数に上限を設定してもよく、上限を超えた場合、(数3)の境界面から大きくはずれた欠陥から、制御部150に欠陥候補を出力してもよい。なお、(数2)、(数3)はそれぞれの特徴量が2乗がされた形で定式化されているが、これが2乗がされていない形式や、その他の変形、特徴量数の増減でも本構成は実施可能である。
図7Bは図7Aで説明した欠陥候補選択部140を変形させた実施例であり、欠陥候補選択部140´として、図7Aで説明した欠陥候補選択部140に欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3から出力される欠陥候補の座標に対して、その座標の規則性に基づきヌイサンス除去、あるいは欠陥抽出を行う座標ルール判定ユニット705−1、2、3を備えた座標ルール判定部705を追加している。
図7Cが座標判定ルールの一例を示す欠陥候補の分布図であり、傷と回路パターン境界部のヌイサンスとを弁別するものである。欠陥候補の座標に対して、例えばHough変換といった直線検出アルゴリズムをかけると、欠陥候補の並びより点線で囲んだ直線状に並んだ点列750、751、752とそれ以外の点群とを識別することができる。
欠陥座標において直線状に並ぶものの原因としては、実際にライン状の欠陥が発生した場合と、明度ばらつきの大きい回路パターンの境界部をヌイサンスとして検出してしまった場合と大きく分けて2つの場合が考えられる。ヌイサンスの場合はラインが一般には回路パターンの並びに対して水平、垂直方向に並ぶことが多く、これに対して傷欠陥の場合には特定の方向に発生しやすいといったことはない。よって、水平又は垂直に直線状に並んだ点列750、751はヌイサンスの可能性が高く、斜め方向に直線状に並んだ点列752は傷欠陥である可能性が高い。また、傷欠陥は、点列が続くという形状特徴のため、ノイズやヌイサンスとの弁別ができるが、各欠陥候補の点のみではノイズやヌイサンスとの弁別が非常に困難なことが多い。よって、予め水平又は垂直に直線状に並んだ点列750や751のような回路パターンに対して水平、垂直方向に並ぶ欠陥候補はヌイサンスとして判定、斜め方向に直線状に並んだ点列752のように水平・垂直以外の方向に並ぶ点列は傷欠陥として判定する。
直線状に並んだ欠陥候補群は1つの欠陥候補としてグルーピングを行い、特徴量を統合し、その始点と終点を後段の外れ値検出部730に転送する。統合の方法としては、統合した特徴量の検査画像と参照画像の差分が、直線状に並んだ点列(欠陥候補群)の和になるようにしても良いし、あるいは、より望ましくは2乗和の平方根になるようにしても良い。この統合した欠陥候補のデータを点753、754、755のように直線状に並んでいない欠陥候補のデータとともに外れ値検出部730で判定する。ヌイサンスと判定された欠陥候補群は、それ以降の処理から除外する。
なお、図7Bに示した構成では、欠陥候補抽出部130の各欠陥抽出ユニット130−1、130−2、130−3で抽出した欠陥候補の座標より独立して座標ルール判定部705で座標ルール判定を実施する構成を記述しているが、欠陥候補対応付け部720の後に、欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1〜3から出力される座標をマージした後に座標ルール判定を実施する構成にしても良い。
実施例1の欠陥判定部180及び変形例1と2における欠陥判定部1:180−1、または欠陥判定部1:181−1の欠陥判定の概念を図8Aに示す条件1〜3を軸とする3次元の特徴量空間のグラフで説明する。欠陥判定部180又は欠陥判定部1:180−1、または欠陥判定部1:181−1は特徴量格納バッファ125−2に蓄積された欠陥候補に基づき欠陥判定を行う。欠陥判定部180又は欠陥判定部1:180−1、または欠陥判定部1:181−1の構成は図7A、あるいは図7Bで示した欠陥候補選択部140と同様である。ただし、欠陥判定部180又は欠陥判定部1:180−1、または欠陥判定部1:181−1は複数回の検査結果で蓄積された欠陥候補に対して判定を行うため、特徴空間の次元数が大きくなり、シーケンシャルに検査が行われる。
よって、欠陥候補対応付け部720では、異なる条件での画像取得において同一の座標に欠陥候補がなかった場合に、欠陥候補抽出部130の評価データにアクセスしてこの情報を取得することが実現できたが、欠陥判定部180又は欠陥判定部1:180−1、または欠陥判定部1:181−1ではこれを行うことができない。よって、欠陥候補が無い状態で(数3)で示される特徴量を算出し、欠陥判定を実施する。ここで、特徴量は図では、説明の容易化のため、3回の検査結果が蓄積された特徴量格納バッファ125−2に保存された欠陥候補の特徴量による3次元の特徴空間のみを図示するが、典型的には実際にはN回の検査により、図1Aの構成で処理した場合、3Nの次元をもつ。各次元の座標は(数5)で表される。
Figure 2014149177
欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3にて、単一欠陥のしきい値であるしきい値830−1、2、3以上であった欠陥候補のうち、一部の画像取得条件のみで検出された欠陥が欠陥810−1、2である。
一方、欠陥判定部180、または欠陥判定部1:180−1、または、欠陥判定部181−1は、一般的な130−1、130−2、130−3のような、ある画像に対するしきい値以外に複数の検出条件で形成された特徴空間の原点からの距離に、あるしきい値850を設け、このしきい値で外れ値の判定も実施する。すなわち、このしきい値に対して原点より外れた欠陥候補を外れ値(図中○で囲まれた欠陥候補)とする。
さらにしきい値850のような連続な境界面以外に論理的な判定方法も同時に採用できるようにする。例えば画像取得条件2(図8Aの条件2)に対して、しきい値830−3に示すしきい値を設定しておき、共通欠陥のしきい値であるしきい値850の境界面よりも強度が強いか、あるいはしきい値830−3よりも強度が強い、といったように設定した境界面に対する欠陥候補の強度に基づき、論理演算を可能にしておく。更には、この論理演算をファジーロジックの演算にすることも可能にする。この場合に、特定の画像取得条件のみで欠陥が検出されていると、特徴空間内での原点からの距離が正確に算出できない課題が発生する。
図8Aにおける欠陥810−2、3に示すような、特定の条件でのみ検出される欠陥について、図8B乃至図8Fを用いて説明する。図8Bにおいて、1801は試料のパターンであり、1802が欠陥である。図2に示した光学式検査装置の場合、照明の偏光を切り替えて照明することが可能であるが、電場の方向がパターン1801の溝と直交するS偏光やTE偏光では照明が溝の奥まで到達するため、欠陥を検出しやすいが、これと直交するTM偏光やP偏光では照明が届かないため、欠陥の検出は困難である。
図8Cパターン1803には1804のようにパターンの上に形成された穴に発生した非開口の欠陥1805を図示する。TE偏光では溝の底まで光が届く反面、溝部分のラフネスにより大きなノイズを検出する傾向がある。この結果、非開口欠陥1805に対しては溝の底まで光が届かないTM偏光のみによって欠陥が顕在化される傾向がある。図8Dの3次元の空間に示した点線で囲んだ面1810は各照明条件と欠陥信号、すなわち、検査画像と参照画像の差分を示したものであるが、上記のような性質があるため、欠陥は特定の条件でしか顕在化されない。この性質を用いて欠陥種毎に図8Aに示したような境界面8301〜4を設定すれば、欠陥種毎に感度設定が可能になり、必要としない欠陥の検出感度を抑制して、ヌイサンスの検出数の抑制が可能になる。
図8Aは複数回の検査全体での特徴空間を示したものであるが、図8E及び図8Fは図8Aの特徴空間を各検査毎(1回目の検査と2回目の検査)の特徴空間に分離したものであり外れ値検出部730の処理である。図8A、E、Fに示した例では、しきい値830−1、830−2、830−3、840−4の複数のしきい値で検出した点と、いずれかのみで検出された点の両方が図示されている。しきい値を超えない条件のデータに対しては、一般にはその特徴空間内での座標は不明であるが、図7Aの欠陥候補対応付け部720によって、この座標を求めることも可能である。すなわち、いずれかの条件でしきい値を越えたデータに関しては、同一の撮像タイミングで検出されるデータに対して、欠陥候補抽出部130のデータにアクセスし、しきい値を越えるデータが無い場合にも、その対応する位置を欠陥候補として出力させる構成をとることを可能にする。
本機構により、いずれか一方のみで検出されるデータを無くすことが可能になり、正確な特徴空間内での位置を求めることが可能である。例えば3検出系を備えた検査装置でN回の検査を行った場合、あるI回目の検査において異なる検出系においては、いずれかの検出系で欠陥を検出した場合、これ以外の2つの検出系でもその欠陥候補と対応する欠陥を見出すことが可能になる。しかし、Iとは異なるJ回目の検査においては、この欠陥候補に対応するデータが無い場合が発生する。すなわち、同一のタイミングで検査が行われない、複数条件での検査においては、ある条件においては欠陥候補として抽出されても、別の条件では欠陥として検出できなくなるケースが発生することになる。
図8Eにおける面860と図8Fにおける面870が各検査における欠陥弁別面であり、はずれ値検出部730にて判定に用いられる弁別面である。この弁別面を超えると、画像の切り出しや特徴量の出力が行われる。図8Aに示す全検査、全検査条件で決定される識別面850にもとづき、その部分空間である各検査で得られる特徴空間において欠陥弁別面860、870を設定する。
図8Aで表される特徴空間で表現される識別面は、図8E及び図8Fに示されるそれよりも低い次元の特徴空間ではその弁別面を一意に表現することができない。この結果、図8Aで示される特徴空間における欠陥候補の位置によっては、設定した欠陥弁別面860、870よりも850の境界面は原点側に存在するケースが発生する。これは部分空間で設定した欠陥弁別面が原点より遠くに設定され、感度が低下することを意味する。よって、図8Eや8Fの特徴空間において欠陥候補として選択する境界面は、850の境界面が図8Eや8Fで表される空間と交わる境界よりも内側に境界面を設定することが望ましい。ただし、あまりに内側に境界面を設定すると、欠陥候補数が極端に増大してしまうため、欠陥候補数等によって制限をかける。
図8Fに示した2回目の検査のデータ820は欠陥弁別面(境界面)870位置を、欠陥をより多く検出するように外側(条件3、条件4の矢印の側)へずらしたとしても、大幅にヌイサンスの検出数を増大させない限り、より多くの欠陥を検出できるようにすることが難しい。そこで、図8Eに示すような1回目の検査において、データ820に示すように欠陥弁別境界面より外れた欠陥候補の試料面上での座標を記憶しておき、同一の座標になったものに対して、欠陥候補として残すようにすることで、図8Fで示されるこれに続くデータを確保する。
図9は本発明の実施例1の変形例1に係る欠陥検査装置における、画像格納バッファと120と、画像処理部170の構成の一例を示す図である。制御部150は、欠陥候補選択部140から外れ値と判定された欠陥候補の位置情報を受け取り、画像取得部110で取得されて画像格納バッファ部120に記憶されている検査画像から部分的に切り出すための画像切り出し位置を設定する。欠陥切り出しは、画像格納バッファ部120の全てのバッファ120−1、120−2、120−3において行い、各欠陥候補それぞれに対し、欠陥候補を含む被検査領域の前記検出画像と、比較対象の前記参照画像を切り出す。このとき、欠陥候補選択部140にて単一欠陥と判定された欠陥候補に対しても、全てのバッファ120−1、120−2、120−3に対し同じ画像切り出し位置を設定する。
画像転送部160は、画像格納バッファ部120の各バッファ120−1、120−2、120−3から、制御部150にて決定した画像切り出し位置の部分画像データを受け取り、この画像をバッファ120−4に転送し、制御部150の制御信号(図示せず)により画像処理部170を構成する前処理部910に転送する。前処理部910は、入力された部分画像データに対し、各画像格納バッファ120の部分画像データに対し、サブピクセル単位の画像位置あわせや、各画像データ間の画像の明るさずれ補整などを実施する。
特徴量抽出部920は、前処理部910から、各画像取得条件における前記検出画像と前記参照画像の部分画像データを受け取り、欠陥候補の特徴量を算出する。算出する特徴量は各(1)明るさ、(2)コントラスト、(3)濃淡差、(4)近傍画素の明るさ分散値、(5)相関係数、(6)近傍画素との明るさの増減、(7)2次微分値などとする。
特徴量抽出部920は、一定数の欠陥候補数となるか、欠陥候補抽出部130において複数回の検査が終了するまでバッファ125−1に特徴量を格納する。欠陥判定部180−2は、バッファ125−1に格納された、欠陥候補の特徴量を入力し、特徴空間を作成し、特徴空間内での欠陥候補の分布に基づき分類を実施する。
ここで、欠陥判定部2、180−2は欠陥判定部180−1で判定された仮判定結果を用いて、欠陥種、あるいは欠陥領域毎に180−1での判定に用いる特徴量を選択し、特徴空間を算出する。これは、(a)180−1での特徴空間を用いた判定は、バッファ125−2に格納されている欠陥候補数が125−1に格納されているそれに対して非常に多いことと、(b)欠陥判定境界面が予め、(数3)、(数4)に示されるように特定の関係を満たしていること、(c)用いられる特徴量が、定式化されている式と、欠陥候補位置以外の統計量から容易に推定できること、といった特徴があるため、複数回の検査において、特に実欠陥において、複数回の検査において欠陥を多数の検査条件において欠陥候補として検出しやすく、また、検出できていなかったとしても、その特徴量を推定して多次元空間において判定しやすいためである。
一方、125−1に格納されている画像ベースの特徴量はこれを満たしていない。そこで、予め180−1で判定された結果をもとに、特徴空間に用いる特徴を削減、すなわち、判定に必要のない検査条件からの特徴量を用いずに欠陥判定を行う。これにより、複数条件の検査において、対応関係がとれない欠陥候補があった場合でも、欠陥判定を安定に行うことを可能にする。ここで、180−2は、ユーザインターフェース950と接続されており、ユーザの教示を入力することもできる。ユーザはユーザインターフェース950を介し、検出を希望するDOIを教示することができる。結果出力部190では、欠陥判定部2:180−2にて判定、あるいは欠陥を分類した結果を出力する。
ユーザインターフェース950での教示は欠陥判定部1:180−1の教示にも同時に行い、レシピの設定を容易化する。例えば、欠陥判定部1:180−1の境界面を最適化する方式としてはサポートベクトルマシンのアルゴリズムを用い、(数3)のG(k)を最適化する。同様の方式により、G(k)の最適化によって、外れ値検出部の境界面730が算出され、(数2)のA(k)、 B(k)、C(k)の最適化により、130−1の境界面を設定する。
図10Aは本発明に係る欠陥検査装置の第一の実施例及び変形例1と2における、欠陥検査の処理フローの一例を示す図であり、ここでは、画像取得条件が2条件であった場合の処理フローを示す。先ず画像取得部110で、試料上の同一の個所の画像を各画像取得条件にて同時に取得し(S1000−1、S1000−2)、画像格納バッファ120−1、120−2へ格納する(S1010−1、S1010−2)。次に、欠陥候補抽出部130で各々の条件にて取得した画像から欠陥候補を抽出する(S1020−1、S1020−2)。次に、欠陥候補選択部140にて、各画像取得条件の欠陥候補の対応付けと、外れ値算出により、欠陥候補選択を実施する(S1030)。次に、欠陥候補選択部140は、制御部150を介して画像格納バッファ部120へ、部分画像切り出し位置を設定し(S1040)、画像格納バッファ部120から画像転送部160を介して画像処理部170へ部分画像データを転送する(S1050−1、S1050−2)。画像処理部170では、各条件の画像を統合し、欠陥候補の画像特徴量を抽出する(S1060)。次いで、欠陥判定部180で各検査毎の欠陥候補の座標より、同一欠陥候補で異なる取得条件で検出した欠陥候補の対応付けを行う(S1065)。次に、多次元の特徴量空間にこの対応付けした欠陥候補をプロットし、この多次元の特徴量空間にプロットされた欠陥候補を予め設定されたしきい値と比較して欠陥を判定する欠陥判定、あるいは欠陥と判定した欠陥候補の分類を行い(S1070)、結果出力部190から欠陥検出結果を出力する(S1080)。
図10Bは、図10Aが1回の検査結果に基づく検査結果であったのに対して、複数回の検査を実行し、これを統合して検査結果を出力するフローの一例である。図10Aと異なる箇所のみを説明する。S1050−1及びS1050−2での画像処理部170への画像転送が終了した後、S1055で終了判定を行い、検査が未終了であった場合には、S1059にて画像取得条件を変更して、再度S1000−1及びS1000−2の画像取得を行う。S1055における判定の結果検査を終了する場合には、異なる検査で得られた欠陥候補の対応付けを行い(S1065)、S1090で180−1において実施する特徴量に基づく統合欠陥候補選択を実施し、S1060で部分画像詳細解析による特徴抽出を行って欠陥判定を実施する欠陥候補、その判定に用いる特徴量、あるいは特徴量の算出に用いた条件付き画像の選択を行い、あとは、図10Aのフローと同様に特徴に基づく欠陥判定・分類の処理(S1070)、分類結果出力の処理(S1080)を行う。
図10Cは図10Bの欠陥候補抽出の工程S1020−1とS1020−2とをハードウェア的に1つのプロセッシングユニットで実施したものである(S1020)。これにより、図7Aの外れ値検出部において、複数の条件で検出した画像からの欠陥候補で、特徴量の欠落がなく、外れ値検出を行うことが可能になり、感度向上を図ることができる。これ以外は図10Bと同一のフローである。
図10Dは図10Cのフローにあった、画像切り出し欠陥候補選択(S130)から詳細解析後処理部へ画像転送(S1050)までの工程を実施しないフローである。図10Cで説明した処理フローにおいては、統合欠陥候補選択(S1090)は切り出された画像の詳細解析の前処理との位置づけであったが、図10Dに示した処理フローにおいては、統合欠陥候補選択(S1090)において最終的な欠陥判定を実施している。なお、図10A、及び図10Bで説明した処理フローでも同様に、切りだされた画像による判定(S1030からS1050−1、S1050−2まで)を割愛し、S1090による判定を最終判定とするモードを備える。
図10Eに示した処理フローは実施例1の変形例2で説明した図1Cの構成における処理フロー図を示しており、画像を切り出して詳細解析を行う画像処理部170へ転送するまで(S1000−1、S1000−2からS1050−1、S1050−2)は図10Bで説明した処理と同一のシーケンスであるが、S1060の部分画像詳細解析による特徴抽出の工程がS1050−1、S1050−2の工程後に各検査(各画像取得条件ごと)で実施され、図10Bの処理フローにおけるS1070の最終的な欠陥判定の代わりに、図10EではS1075の部分画像特徴に基づく欠陥仮判定・分類を各検査(各画像取得条件ごと)で実施している。S1075では欠陥の仮判定とともに、欠陥尤度を算出する。画像撮影条件をS1059で変更しながら、複数回検査を実施し、それぞれの検査で得られた欠陥候補の対応付けをS1065で実施したのち、図1Cの185で実施する、特徴量の変換をS1094で実施し、S1090で複数の検査で得られた特徴量に基づく統合欠陥判定を実施し、S1080で分類結果を出力する。
図11は、本発明に係る欠陥検査装置の実施例1及び変形例1と2における、ユーザインターフェース950に表示するグラフィックユーザインターフェース(Graphic User Interface: GUI)1100の一例を示す図である。GUI:1100は、各検査欠陥判定結果表示領域1101、欠陥候補選択結果表示領域1102、統合欠陥判定結果表示領域1103を備えて構成されている。
ユーザは、GUI:1100の各検査欠陥判定結果表示領域1101に、欠陥判定部2:180−2における欠陥判定により得られた結果を示すウェハマップ1110を表示させ、欠陥候補選択結果表示領域1102に、検査ID入力領域1125にユーザが入力した検査IDごとに、それぞれの検査条件ごとに欠陥判定部1、140にて、欠陥候補の外れ値を判定するための特徴空間1120や、欠陥候補選択の結果を統合した後に画像処理部170へ出力される欠陥候補を示すウェハマップ1130を表示させる。また、統合欠陥判定結果表示領域1103には、各検査で得られた検査結果を統合して欠陥判定部180−1にて、実欠陥と虚報の分類を実施した場合の結果を示すウェハマップ1140を表示させる。
評価・教示結果表示領域1135は各欠陥候補IDとその評価結果、さらに教示された欠陥属性が表示される領域であり、画面をGUIのポインターで指定することにより、検査ID入力部1145から入力されて指定された検査IDに対応する欠陥候補の画像が、それぞれの検出条件ごとに画像表示領域1150に表示される。なお、図では、欠陥候補が検出されなかった条件3では画像が表示されていない。照明・撮像条件表示領域1146には、この検査IDにおいて用いられた照明条件や、ウェハの回転方向などの撮影条件が表示される。
教示タイプ選択領域1160は教示用の欠陥属性を選択する領域であり、教示タイプ選択領域1160に表示されている欠陥属性のいずれかをポインターで指定し、セットボタン1170をポインターでクリックすることで指定された欠陥IDに対して欠陥属性を教示する。1180は教示ボタンであり、GUIのポインターでクリックすることで教示された結果に基づき、パラメータ設定部340を介して欠陥候補検出部330でそれぞれの欠陥属性毎に欠陥と虚報との弁別を行う判別境界を設定する。判別境界の設定方法としては、サポートベクトルマシンや線形判別を用いる。教示を行った結果は、検査条件表示領域1195の表示内容で確認可能である。
検査条件表示領域1195に表示される情報は、各検査IDの各検査条件の検査に与える寄与度を示している。検査条件表示領域1195に表示されるデータ1196及び1197は教示によって得られた典型的には数4のG(k)の値となっている。パラメータ入力領域1190にはユーザが手動でパラメータを入力することも可能にしておき、先見的にわかっている各検査の検出条件の基準ばらつきに対するはずれ度合を入力したり、あるいは、特定の検出条件が、特定の欠陥属性の判定には寄与しないなどの情報を入力できるようにする。
本実施例によれば、複数の検出系で検出した大量の画像データのうち欠陥候補を含む局所的な画像データを抽出し統合して処理することにより、データ容量を極端に増やすことなく欠陥検出感度を上げることができ、また、試料の撮像と画像処理とを平行して実行できるので、微小な欠陥を高感度に、かつ、高速に検査することができる。
図12に示す構成は、実施例2に関する欠陥検査装置の概略の構成を示すブロック図で、実施例1で図1Bを用いて説明した構成に対して一部を変更した構成を示す図である。実施例1と同じ番号を付した構成については、実施例1で説明したのと同様な機能を有している。実施例1で説明した図1Bに示した構成では、画像取得部110の各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3にて取得した画像データを欠陥候補抽出部130のそれぞれ異なる欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3にて欠陥候補を抽出したが、実施例2における図12に示した構成では、これを統合した統合欠陥候補抽出部135において行う。
統合欠陥候補抽出部135の内部には、実施例1における欠陥抽出ユニット130−1、130−2、130−3に相当する各画像データを処理する構成を含むが、欠陥候補を出力する際に、画像取得部110の各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3のいずれかからの画像で検出された欠陥候補を出力する場合には、別の画像取得ユニットで取得された画像からでは欠陥候補として選択されない場合でも欠陥候補の特徴量を出力するようにしている。また、フローとしては典型的には図10C、あるいは図10Dが適用される。
本実施例においても、実施例1の場合と同様な効果を得ることができる。
実施例3における図13Aに示した構成は、実施例2において図12を用いて説明した構成を変形した例である。図13Aに示した構成では、画像取得部110の各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3の入力をバッファ部120の各バッファ120−1、120−2、120−3に格納し、各バッファ120−1、120−2、120−3から切り出し画像を画像転送部160に転送していた。これは、実施例1において図1−2に示した構成で、欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3で独立して欠陥候補を抽出していたため、欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3のいずれかで欠陥候補と判定した場合に、バッファ部120の各バッファ120−1、120−2、120−3に記憶しておいた画像から切り出した画像を画像転送部160に転送できるようにしていたものであった。
これに対して、実施例1で説明した欠陥候補抽出部130の各欠陥候補抽出ユニット130−1、130−2、130−3を統合した統合欠陥候補抽出部135に置き換えた図13Aに示した構成では、統合欠陥候補抽出部135において各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3から送られてきた画像から欠陥候補を抽出してこの抽出して欠陥候補を含む周辺の画像を切り出す。そして統合欠陥候補抽出部135からは、欠陥候補選択部140にこの切り出した欠陥候補とその周囲の画像を転送し、この切り出し画像をバッファ120−5に保存する構成をとっている。
図13Bに示した構成は、図13Aの構成の変形例である。図13Aに示した構成は、実施例1における図1Bで説明した構成の異なる実施の形態であったが、図13Bに示した構成は、実施例1において図1Cで説明した構成の異なる実施の形態であり、図1Cで説明した構成と同様に、欠陥判定部2:180−2が欠陥判定部1:180−1の前処理として実行され、欠陥判定部2:180−1が最終的な欠陥の判定を行う。新規に追加されたバッファ125−3、特徴量変更部185は、実施例1において図1Cで説明したものと同様の動作を行う。
図16は、欠陥判定部1:180−1での欠陥候補の位置ずれ補正の一例を示す。画像取得条件1で取得した画像から検出した欠陥候補のマップ1610と、画像取得条件2で取得した画像から検出した欠陥候補のマップ欠陥候補1620とから、位置ずれ検出に利用する欠陥候補1630、1640を選択し、選択した欠陥候補からずれ量を算出する。求めたずれ量を基に、画像取得条件1、2の欠陥候補1610、1620の位置ずれを補正したマップ1650を作成する(1650)。ただし、マップ1650は必ずしも作成する必要はなく、各欠陥候補について位置ずれを補正したデータを保管するようにすればよい。
上記実施例1から3では、検査装置として暗視野検査装置による実施例を示したが、明視野検査装置、SEM式検査装置など、全ての方式の検査装置に適用することができ、複数の画像取得条件として、上記複数の方式の検査装置により画像取得し、欠陥判定を実施する事ができる。
図14は、画像取得部110の構成の別な例として、SEM式検査装置110”の構成の一例を示す図である。実施例1及び変形例1と2で図2を用いて説明した暗視野式検査装置と同じ、または同等の動作をする部分は同一の番号を付けた。
図14に示したSEM式検査装置110”の構成において、1410は電子ビームを発射する電子線源、1420と1430は電子線源1410から発射された電子ビームを収束させるコンデンサーレンズ、1440は収束させた電子ビームの非点収差やアライメントずれを調整する電子線軸調整機、1480は非点収差やアライメントずれが調整された電子ビームを通過させるための1次電子線通過穴を有した反射板、1450と1460は電子ビームを走査する走査ユニット、1470は対物レンズ、1490は電子ビームが照射されたウェハ210で発生した反射電子のうち1次電子線通過穴を有した反射板1480で反射された反射電子を検出する反射電子検出器。1491及び1492は電子ビームが照射されたウェハ210で発生した2次電子を検出する2次電子検出器、1500、1501、1502はそれぞれ反射電子検出器1490、2次電子検出器1491、1492で反射電子または2次電子を検出して得られた検出信号をデジタル信号に変換するA/Dコンバータ、270は各D/Cコンバータ1500、1501、1502から出力された信号を受けて欠陥候補抽出部130へこの検出信号を送ると共にSEM式検査装置110”全体を制御する制御部である。
このような構成においてSEM式検査装置110”は、電子線源1410から照射された電子ビームはコンデンサーレンズ1420、1430を通過した後、電子線軸調整器1440により非点収差やアライメントずれを補正される。走査ユニット1450、1460により電子ビームを偏向し、電子ビームを照射する位置を制御された後、電子ビームは対物レンズ1470により収束されてウェハ210の撮像対象領域1400に対して照射される。撮像対象領域1400からはこの結果、2次電子と反射電子が放出され、2次電子および反射電子は1410の一次電子線通過穴を有した反射板に衝突し、そこで発生した二次電子が反射電子検出器1490で検出される。また、撮像対象領域から発生した2次電子は、2次電子検出器1491、1492で検出される。その結果、撮像対象領域1400とそれぞれ3方向の異なる位置に配置した電子検出器により検出する。
反射電子検出器1490、及び2次電子検出器1491、1492で検出された2次電子および反射電子はそれぞれA/Dコンバータ1500、1501、1502でデジタル信号に変換され、制御部270へ送られて欠陥候補抽出部130へ転送される。電子検出器1490、1491、1492とA/Dコンバータ1500、1501、1502との組合せは、図1A〜C、図12、図13A、図13Bに示した画像取得部110の各画像取得ユニット110−1、110−2、110−3と同一のものとみなすことが可能である。また、検出条件としては、SEMの場合には、電子ビームの加速電圧やウェハ210と対物レンズ1470間の電位差を含む条件を変更し、同一検査対象を複数回検査することで、これまでと同様の方式により、検査感度を向上させることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
110・・・画像取得部 120・・・画像格納バッファ 125・・・特徴量格納バッファ 130・・・欠陥候補抽出部 140・・・欠陥候補選択部 150・・・制御部 160・・・画像転送部 170・・・画像処理部 180・・・欠陥判定部 190・・・結果出力部 210・・・ウェハ 220・・・ステージ 230・・・コントローラ 240・・・照明系 250・・・検出系 310・・・前処理部 320・・・画像メモリ部 330・・・欠陥候補検出部、340・・・パラメータ設定部、350・・・制御部、410・・・検出画像 420・・・参照画像 430・・・位置合わせ部 440・・・特徴量演算部 450・・・特徴空間形成部 460・・・はずれ画素検出部 710・・・位置ずれ検出・補正部 720・・・欠陥候補対応付け部 730・・・外れ値検出部 910・・・前処理部 920・・・特徴量抽出部 930・・・特徴量記憶部 940・・・欠陥分類部 950・・・ユーザインターフェース。

Claims (12)

  1. 試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して該試料の同一の領域について複数の画像を取得し、
    該取得した前記試料の複数の画像をそれぞれ処理して該複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出し、
    該抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて前記取得した複数の画像から前記抽出した欠陥候補と該欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出し、
    該切り出した複数の部分画像における欠陥候補の特徴量を求め、
    前記抽出した欠陥候補のうち座標が同じ欠陥候補で前記画像取得条件が異なる条件で検出された欠陥候補の対応付けを行い、
    該対応付けした欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて前記対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出し、
    該抽出した欠陥の情報を出力する
    ことを特徴とする欠陥検査方法。
  2. 請求項1記載の欠陥検査方法であって、前記試料の同一の領域について複数の画像を取得することを、前記画像取得条件を変えて複数回行い、前記欠陥の情報を出力する工程において、前記画像取得条件を変えて複数回取得した画像から抽出した欠陥候補を対応付けして統合し、該統合した欠陥の情報を出力することを特徴とする欠陥検査方法。
  3. 試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して該試料の同一の領域について複数の画像を取得し、
    該取得した複数の画像をそれぞれ処理して該複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出し、
    該抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて前記取得した複数の画像から前記抽出した欠陥候補と該欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出し、
    前記複数の画像を取得することと前記欠陥候補を抽出することと前記部分画像を切り出すことを前記複数の画像取得条件を変えて複数回行い、
    該複数の画像取得条件を変えて複数回撮像して得た画像から前記部分画像を切り出す工程において切り出された部分画像に含まれる欠陥候補のうち前記試料上での座標が同じ欠陥候補の対応付けを行い、
    該対応付けした欠陥候補の特徴量を求め、
    該対応付けした欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて前記対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出し、
    該抽出した欠陥の情報を出力する
    ことを特徴とする欠陥検査方法。
  4. 請求項1又は3に記載の欠陥検査方法であって、前記試料の同一の領域について複数の画像を取得することを、画像取得条件が異なる複数の画像取得ユニットを用いて取得することを特徴とする欠陥検査方法。
  5. 請求項1又は3に記載の欠陥検査方法であって、前記対応付けした欠陥候補の中から該欠陥候補の座標情報に基づいて虚報を除去し、該虚報を除去した欠陥候補に前記多次元の特徴量空間情報を付与することを特徴とする欠陥検査方法。
  6. 請求項1又は3に記載の欠陥検査方法であって、前記抽出した欠陥を分類し、該分類した欠陥の情報を出力することを特徴とする欠陥検査方法。
  7. 試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して該試料の同一の領域について複数の画像を取得する画像取得手段と、
    該画像取得手段で取得した前記試料の複数の画像をそれぞれ処理して該複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、
    該欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて前記画像取得手段で取得した複数の画像から前記抽出した欠陥候補と該欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出す部分画像切り出し手段と、
    該部分画像切り出し手段で切り出した複数の部分画像における欠陥候補の特徴量を求める特徴量算出手段と、
    前記欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補のうち座標が同じ欠陥候補で前記画像取得条件が異なる条件で検出された欠陥候補の対応付けを行う欠陥候補対応付け手段と、
    前記特徴量算出手段で求めた前記欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて前記欠陥候補対応付け手段により対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、
    該欠陥抽出手段で抽出した欠陥の情報を出力する出力手段と
    を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
  8. 請求項7記載の欠陥検査装置であって、前記画像取得手段は、前記試料の同一の領域について複数の画像を取得することを前記画像取得条件を変えて複数回行い、前記欠陥抽出手段において、前記画像取得手段で画像取得条件を変えて複数回取得した画像から抽出した欠陥候補を対応付けして統合し、前記出力手段は、前記欠陥抽出手段で統合した欠陥の情報を前記出力手段から出力することを特徴とする欠陥検査装置。
  9. 試料の同一の領域を異なる複数の画像取得条件で撮像して該試料の同一の領域について複数の画像を取得する画像取得手段と、
    該画像取得手段で取得した複数の画像をそれぞれ処理して該複数の画像のそれぞれにおいて欠陥候補を抽出する欠陥候補抽出手段と、
    該欠陥候補抽出手段で抽出した欠陥候補の位置情報に基づいて前記画像取得手段で取得した複数の画像から前記抽出した欠陥候補と該欠陥候補の周辺の画像を含む部分画像を切り出す部分画像切り出し手段と、
    前記画像取得手段と前記欠陥候補抽出手段と部分画像切り出し手段とを制御して前記前記画像取得手段で複数の画像を取得することと前記欠陥候補抽出手段で欠陥候補を抽出することと前記部分画像切り出し手段で部分画像を切り出すこととを前記複数の画像取得条件を変えて複数回実行する制御手段と、
    該制御手段で制御して前記画像取得手段の複数の画像取得条件を変えて複数回撮像して得た画像から前記部分画像切り出し手段により切り出された部分画像に含まれる欠陥候補のうち前記試料上での座標が同じ欠陥候補の対応付けを行う欠陥候補対応付け手段と、
    該欠陥候補対応付け手段で対応付けした欠陥候補の特徴量を求める特徴量算出手段と、
    該特徴量算出手段で求めた前記欠陥候補の特徴量の多次元の特徴量空間データに基づいて前記欠陥候補対応付け手段により対応付けした欠陥候補の中から欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、
    該欠陥抽出手段で抽出した欠陥の情報を出力する出力手段と
    を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
  10. 請求項7又は9に記載の欠陥検査装置であって、前記画像取得手段は画像取得条件が異なる複数の画像取得ユニットを有することを特徴とする欠陥検査装置。
  11. 請求項7又は9に記載の欠陥検査装置であって、前記特徴量算出手段は、前記欠陥候補対応付け手段で対応付けした欠陥候補の中から該欠陥候補の座標情報に基づいて虚報を除去し、該虚報を除去した欠陥候補に前記多次元の特徴量空間情報を付与することを特徴とする欠陥検査装置。
  12. 請求項7又は9に記載の欠陥検査方法であって、前記欠陥抽出手段は、更に、前記抽出した欠陥を分類し、前記出力手段は該分類した欠陥の情報を出力することを特徴とする欠陥検査装置。
JP2013016909A 2013-01-31 2013-01-31 欠陥検査装置および欠陥検査方法 Expired - Fee Related JP6009956B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013016909A JP6009956B2 (ja) 2013-01-31 2013-01-31 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US14/764,985 US9778206B2 (en) 2013-01-31 2014-01-16 Defect inspection device and defect inspection method
PCT/JP2014/050708 WO2014119376A1 (ja) 2013-01-31 2014-01-16 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013016909A JP6009956B2 (ja) 2013-01-31 2013-01-31 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014149177A true JP2014149177A (ja) 2014-08-21
JP6009956B2 JP6009956B2 (ja) 2016-10-19

Family

ID=51262090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013016909A Expired - Fee Related JP6009956B2 (ja) 2013-01-31 2013-01-31 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9778206B2 (ja)
JP (1) JP6009956B2 (ja)
WO (1) WO2014119376A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9964500B2 (en) 2014-12-08 2018-05-08 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection device, display device, and defect classification device
KR20190022757A (ko) * 2016-09-27 2019-03-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법
JP2019506739A (ja) * 2016-01-06 2019-03-07 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 外れ値検出を通じた特徴選択及び自動処理窓監視
JP2019530117A (ja) * 2016-09-14 2019-10-17 ケーエルエー コーポレイション 画像融合のための畳込みニューラルネットワークベースのモード選択および欠陥分類
KR20190118627A (ko) * 2017-03-21 2019-10-18 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 표면 결함 검사 방법 및 표면 결함 검사 장치
JP2020115131A (ja) * 2019-01-17 2020-07-30 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 試験片の調査の方法およびそのシステム
JP2021047104A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 学習装置、検査装置、学習方法および検査方法
KR20210066411A (ko) * 2019-11-28 2021-06-07 동의대학교 산학협력단 기계학습 전처리를 통한 원형 플러그의 전기 아연 도금 불량 판별 방법
KR102286711B1 (ko) * 2020-11-04 2021-08-06 (주)캠시스 카메라 모듈의 멍 이물 검사 시스템 및 방법
JP2021532347A (ja) * 2018-07-20 2021-11-25 ケーエルエー コーポレイション 半導体検査における多モードの欠陥分類
WO2023149192A1 (ja) * 2022-02-02 2023-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 処理システム、検査システム、処理方法、及びプログラム

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10102619B1 (en) * 2011-03-28 2018-10-16 Hermes Microvision, Inc. Inspection method and system
IL250028B (en) * 2014-07-14 2022-08-01 Nova Ltd Method and optical system for detecting defects in three-dimensional structures
US9696265B2 (en) * 2014-11-04 2017-07-04 Exnodes Inc. Computational wafer inspection filter design
JP2016109485A (ja) * 2014-12-03 2016-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及び欠陥観察装置
JP6543070B2 (ja) * 2015-04-01 2019-07-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法および検査装置
US20170069075A1 (en) * 2015-09-04 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Classifier generation apparatus, defective/non-defective determination method, and program
WO2017110279A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 富士フイルム株式会社 損傷情報処理装置及び損傷情報処理方法
WO2017149689A1 (ja) * 2016-03-02 2017-09-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置、パターンチップ及び欠陥検査方法
US10458924B2 (en) * 2016-07-04 2019-10-29 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
US10489589B2 (en) * 2016-11-21 2019-11-26 Cylance Inc. Anomaly based malware detection
US10679909B2 (en) * 2016-11-21 2020-06-09 Kla-Tencor Corporation System, method and non-transitory computer readable medium for tuning sensitivies of, and determining a process window for, a modulated wafer
US10386627B2 (en) * 2017-01-20 2019-08-20 Verily Life Sciences Llc Simultaneous visible and fluorescence endoscopic imaging
US10262408B2 (en) * 2017-04-12 2019-04-16 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer
CN111065915B (zh) * 2017-07-07 2023-03-10 株式会社高迎科技 优化对目标物体外部检查的设备及其方法
CN109387518B (zh) * 2017-08-02 2022-06-17 上海微电子装备(集团)股份有限公司 自动光学检测方法
KR102638267B1 (ko) 2018-12-03 2024-02-21 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 불량 분석 시스템 및 그것의 동작 방법
CA3161159A1 (en) 2019-11-12 2021-05-20 Bright Machines, Inc. Image analysis system for testing in manufacturing
US11610296B2 (en) * 2020-01-09 2023-03-21 Kla Corporation Projection and distance segmentation algorithm for wafer defect detection
US11800036B2 (en) 2020-01-23 2023-10-24 Hewlett, Packard Development Company, L.P. Determining minimum scanning resolution
US20220392043A1 (en) * 2020-01-23 2022-12-08 Hewleit-Packard Development Company, L.P. Generation of feature vectors for assessing print quality degradation
CN112461546A (zh) * 2020-10-27 2021-03-09 江苏大学 基于改进二叉树支持向量机的泵轴承故障诊断模型的构建方法及诊断方法
CN116368375A (zh) * 2020-12-15 2023-06-30 Agc株式会社 缺陷检查装置、缺陷检查方法以及制造方法
CN114596280B (zh) * 2022-03-08 2022-09-09 常州市宏发纵横新材料科技股份有限公司 一种碳纤维布面生产过程中碎屑纸的检测方法及装置
CN115797353B (zh) * 2023-02-08 2023-05-09 山东乾钢金属科技有限公司 一种冷轧带钢质量智能检测系统及方法
CN115861987B (zh) * 2023-02-27 2023-05-12 江苏天南电力股份有限公司 一种用于输电线路在线监测的智能电力金具缺陷识别方法
CN117670820A (zh) * 2023-12-04 2024-03-08 深圳市强辉科技有限公司 一种塑料薄膜生产缺陷检测方法及系统
CN118196080A (zh) * 2024-05-13 2024-06-14 宝鸡拓普达钛业有限公司 一种用于钛合金产品的缺陷智能识别方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007248198A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Sharp Corp 特性分布の特徴量抽出方法および特性分布の分類方法
JP2010151824A (ja) * 2005-01-14 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp パターン検査方法及びその装置
JP2011047724A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置およびその方法
JP2012112915A (ja) * 2010-11-29 2012-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法および欠陥検査装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411377B1 (en) 1991-04-02 2002-06-25 Hitachi, Ltd. Optical apparatus for defect and particle size inspection
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
JP3566589B2 (ja) 1998-07-28 2004-09-15 株式会社日立製作所 欠陥検査装置およびその方法
US7283659B1 (en) 2002-01-09 2007-10-16 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for searching through and analyzing defect images and wafer maps
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
JP4374303B2 (ja) 2004-09-29 2009-12-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法及びその装置
JP2006220644A (ja) 2005-01-14 2006-08-24 Hitachi High-Technologies Corp パターン検査方法及びその装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010151824A (ja) * 2005-01-14 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp パターン検査方法及びその装置
JP2007248198A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Sharp Corp 特性分布の特徴量抽出方法および特性分布の分類方法
JP2011047724A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置およびその方法
JP2012112915A (ja) * 2010-11-29 2012-06-14 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法および欠陥検査装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9964500B2 (en) 2014-12-08 2018-05-08 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection device, display device, and defect classification device
JP2019506739A (ja) * 2016-01-06 2019-03-07 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 外れ値検出を通じた特徴選択及び自動処理窓監視
JP2019530117A (ja) * 2016-09-14 2019-10-17 ケーエルエー コーポレイション 画像融合のための畳込みニューラルネットワークベースのモード選択および欠陥分類
KR102103853B1 (ko) 2016-09-27 2020-04-24 주식회사 히타치하이테크 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법
KR20190022757A (ko) * 2016-09-27 2019-03-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법
KR102257734B1 (ko) * 2017-03-21 2021-05-27 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 표면 결함 검사 방법 및 표면 결함 검사 장치
US10859507B2 (en) 2017-03-21 2020-12-08 Jfe Steel Corporation Surface defect inspection method and surface defect inspection apparatus
KR20190118627A (ko) * 2017-03-21 2019-10-18 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 표면 결함 검사 방법 및 표면 결함 검사 장치
JP2021532347A (ja) * 2018-07-20 2021-11-25 ケーエルエー コーポレイション 半導体検査における多モードの欠陥分類
JP7398432B2 (ja) 2018-07-20 2023-12-14 ケーエルエー コーポレイション 半導体検査における多モードの欠陥分類
US11668655B2 (en) 2018-07-20 2023-06-06 Kla Corporation Multimode defect classification in semiconductor inspection
JP2020115131A (ja) * 2019-01-17 2020-07-30 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 試験片の調査の方法およびそのシステム
JP7402061B2 (ja) 2019-01-17 2023-12-20 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 試験片の調査の方法およびそのシステム
JP2021047104A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 学習装置、検査装置、学習方法および検査方法
JP7317647B2 (ja) 2019-09-19 2023-07-31 株式会社Screenホールディングス 学習装置、検査装置、学習方法および検査方法
KR102316081B1 (ko) * 2019-11-28 2021-10-21 동의대학교 산학협력단 기계학습 전처리를 통한 원형 플러그의 전기 아연 도금 불량 판별 방법
KR20210066411A (ko) * 2019-11-28 2021-06-07 동의대학교 산학협력단 기계학습 전처리를 통한 원형 플러그의 전기 아연 도금 불량 판별 방법
KR102286711B1 (ko) * 2020-11-04 2021-08-06 (주)캠시스 카메라 모듈의 멍 이물 검사 시스템 및 방법
WO2023149192A1 (ja) * 2022-02-02 2023-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 処理システム、検査システム、処理方法、及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US20150369752A1 (en) 2015-12-24
US9778206B2 (en) 2017-10-03
WO2014119376A1 (ja) 2014-08-07
JP6009956B2 (ja) 2016-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6009956B2 (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP5417306B2 (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP3990981B2 (ja) 基板を検査するための方法及び装置
US9811897B2 (en) Defect observation method and defect observation device
US10436576B2 (en) Defect reviewing method and device
TWI614722B (zh) 用於檢測晶圓上缺陷之系統
US7952085B2 (en) Surface inspection apparatus and method thereof
US6944325B2 (en) Inspecting method and apparatus for repeated micro-miniature patterns
US20100004875A1 (en) Defect Inspection Method and Apparatus
US20080292176A1 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
TWI778258B (zh) 缺陷偵測之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體
KR102550474B1 (ko) 자율 결함 세그먼트화
KR20180081820A (ko) 다이 내부 검사에 있어서의 등록 및 설계 주변부에서 야기된 노이즈의 저감
US20120293795A1 (en) Defect inspection device and method of inspecting defect
US20230238290A1 (en) Defect observation method, apparatus, and program
CN112740383A (zh) 在晶片上检测逻辑区域中的缺陷
JP2023109690A (ja) 欠陥観察方法、装置、およびプログラム
US20150109435A1 (en) Inspection apparatus
US11631169B2 (en) Inspection of noisy patterned features
JP2000097869A (ja) パターンの欠陥検査方法およびその装置
JP2012154895A (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20141027

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160915

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6009956

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees