以下、本発明のアクティブマトリクス基板、検査方法、及び電気機器の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置及び情報端末に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置及び情報端末を説明する図である。図1において、本実施形態の情報端末100には、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置1が含まれている。すなわち、情報端末100では、その筐体101の内部に対して、液晶表示装置1が収納されている。また、この情報端末100では、その表示部が液晶表示装置1の有効表示領域Aによって構成されている。
具体的には、情報端末100は、筐体101に組み付けられる蓋体(図示せず)を備えている。この蓋体には、開口部が設けられており、当該開口部を介して上記有効表示領域Aが視認できるように構成されている(図示せず)。
また、情報端末100には、マイク、スピーカー、センサー、カメラ、またはボタン等の電子部品102が設けられている。この電子部品102では、図1に示すように、その一部分が本発明のアクティブマトリクス基板に設けられた切り欠き部Kの内部に配置されるようになっている。これにより、本実施形態の情報端末100では、切り欠き部Kの内部に電子部品102の一部分を配置しない場合に比べて、当該情報端末100の外形寸法を小さくして、狭額縁化を図ることができるように構成されている。
また、上記アクティブマトリクス基板では、後に詳述するように、有効表示領域Aにおいて、複数のデータ配線(ソース配線)及び複数の走査配線(ゲート配線)がマトリクス状に配列されている。また、これらの各データ配線及び各走査配線は、それぞれ接続配線D−1及びG−1により、有効表示領域Aの外部に引き出されている。さらに、これらの接続配線D−1及びG−1は、図1に示すように、例えば後述のデータドライバとゲートドライバを一体的に構成したドライバIC(ドライバチップ)103に接続されており、外部からの映像信号に応じた情報表示が、液晶表示装置1の有効表示領域Aで行われるようになっている。
次に、図2を参照して、本実施形態の液晶表示装置1について、具体的に説明する。
図2は、上記液晶表示装置を説明する図である。
図2において、本実施形態の液晶表示装置1は、図2の上側が視認側(表示面側)として設置される液晶パネル2と、液晶パネル2の非表示面側(図1の下側)に配置されて、当該液晶パネル2を照明する照明光を発生するバックライト装置3とが設けられている。
液晶パネル2は、一対の基板を構成する対向基板4及び本発明のアクティブマトリクス基板5と、対向基板4及びアクティブマトリクス基板5の各外側表面にそれぞれ設けられた偏光板6、7とを備えている。対向基板4とアクティブマトリクス基板5との間には、後述の液晶層が挟持されている。また、対向基板4及びアクティブマトリクス基板5には、平板状の透明なガラス材またはアクリル樹脂などの透明な合成樹脂が使用されている。偏光板6、7には、TAC(トリアセチルセルロース)またはPVA(ポリビニルアルコール)などの樹脂フィルムが使用されており、液晶パネル2に設けられた表示面の有効表示領域を少なくとも覆うように対応する対向基板4またはアクティブマトリクス基板5に貼り合わせられている。なお、偏光板6、7と液晶層との間にλ/4位相差板(4分の1波長板)を配置する場合もある。
また、アクティブマトリクス基板5は、上記一対の基板の一方の基板を構成するものであり、アクティブマトリクス基板5では、液晶パネル2の表示面に含まれる複数の画素に応じて、画素電極や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)などが上記液晶層との間に形成されている(詳細は後述。)。一方、対向基板4は、一対の基板の他方の基板(対向基板)を構成するものであり、対向基板4には、カラーフィルタや対向電極などが上記液晶層との間に形成されている(図示せず)。
また、液晶パネル2では、当該液晶パネル2の駆動制御を行う制御装置(図示せず)に接続されたFPC(Flexible Printed Circuit)8が設けられており、上記液晶層を画素単位に動作することで表示面を画素単位に駆動して、当該表示面上に所望画像を表示するようになっている。
尚、液晶パネル2の液晶モードや画素構造は任意である。また、液晶パネル2の駆動モードも任意である。すなわち、液晶パネル2としては、情報を表示できる任意の液晶パネルを用いることができる。それ故、図2においては液晶パネル2の詳細な構造を図示せず、その説明も省略する。
バックライト装置3は、光源としての発光ダイオード9と、発光ダイオード9に対向して配置された導光板10とを備えている。また、バックライト装置3では、断面L字状のベゼル14により、導光板10の上方に液晶パネル2が設置された状態で、発光ダイオード9及び導光板10が挟持されている。また、対向基板4には、ケース11が載置されている。これにより、バックライト装置3は、液晶パネル2に組み付けられて、当該バックライト装置3からの照明光が液晶パネル2に入射される透過型の液晶表示装置1として一体化されている。
また、ベゼル14には、上記電子部品102が挿通される開口部(図示せず)が設けられており、液晶表示装置1が情報端末100の筐体101に組み込まれるのを阻害しないようになっている。
導光板10には、例えば透明なアクリル樹脂などの合成樹脂が用いられており、発光ダイオード9からの光が入光される。導光板10の液晶パネル2と反対側(対向面側)には、反射シート12が設置されている。また、導光板10の液晶パネル2側(発光面側)には、レンズシートや拡散シートなどの光学シート13が設けられており、導光板10の内部を所定の導光方向(図2の右側から左側への方向)に導かれた発光ダイオード9からの光が均一な輝度をもつ平面状の上記照明光に変えられて液晶パネル2に与えられる。
尚、上記の説明では、導光板10を有するエッジライト型のバックライト装置3を用いた構成について説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、直下型のバックライト装置を用いてもよい。また、発光ダイオード以外の冷陰極蛍光管や熱陰極蛍光管などの他の光源を有するバックライト装置も用いることができる。
次に、図3も参照して、本実施形態の液晶パネル2について具体的に説明する。
図3は、図2に示した液晶パネルの構成を説明する図である。
図3において、液晶表示装置1(図2)には、文字や画像等の情報を表示する上記表示部としての液晶パネル2(図2)の駆動制御を行うパネル制御部15と、このパネル制御部15からの指示信号を基に動作するデータドライバ(ソースドライバ)16及びゲートドライバ17が設けられている。
パネル制御部15は、上記制御装置内に設けられたものであり、液晶表示装置1の外部からの映像信号が入力されるようになっている。また、パネル制御部15は、入力された映像信号に対して所定の画像処理を行ってデータドライバ16及びゲートドライバ17への各指示信号を生成する画像処理部15aと、入力された映像信号に含まれた1フレーム分の表示データを記憶可能なフレームバッファ15bとを備えている。そして、パネル制御部15が、入力された映像信号に応じて、データドライバ16及びゲートドライバ17の駆動制御を行うことにより、その映像信号に応じた情報が液晶パネル2に表示される。
また、データドライバ16及びゲートドライバ17には、上述したように、例えば互いに一体的に構成されたドライバIC103が用いられており、このドライバIC103は、図1に示したように、アクティブマトリクス基板5上に設置されている。
また、データドライバ16及びゲートドライバ17は、液晶パネル2側に設けられた複数の画素Pを画素単位に駆動する駆動回路であり、データドライバ16及びゲートドライバ17には、複数のデータ配線(ソース配線)D1〜DM(Mは、2以上の整数、以下、“D”にて総称する。)及び複数のゲート配線(走査配線)G1〜GN(Nは、2以上の整数、以下、“G”にて総称する。)がそれぞれ接続されている。これらのデータ配線D及びゲート配線Gは、アクティブマトリクス基板5に含まれた透明なガラス材または透明な合成樹脂製の後述の基材上で互いに交差するように、マトリクス状に配列されている。すなわち、データ配線Dは、マトリクス状の列方向(液晶パネル2の縦方向)に平行となるように上記基材上に設けられ、ゲート配線Gは、マトリクス状の行方向(液晶パネル2の横方向)に平行となるように上記基材上に設けられている。
また、これらのデータ配線Dと、ゲート配線Gとの交差部の近傍には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ18と、薄膜トランジスタ18に接続された画素電極19を有する上記画素Pが設けられている。また、各画素Pでは、対向電極20が液晶パネル2に設けられた上記液晶層を間に挟んだ状態で画素電極19に対向するよう構成されている。すなわち、アクティブマトリクス基板5では、薄膜トランジスタ18及び画素電極19が画素単位に設けられている。
尚、上記の説明以外に、薄膜トランジスタの代わりに、スイッチング素子として、例えば電界効果トランジスタを用いることもできる。
また、アクティブマトリクス基板5では、データ配線Dと、ゲート配線Gとによってマトリクス状に区画された各領域に、複数の各画素Pの領域が形成されている。これら複数の画素Pには、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の画素が含まれている。また、これらのRGBの画素は、例えばこの順番で、各ゲート配線G1〜GNに平行に順次配設されている。さらに、これらのRGBの画素は、対向基板4側に設けられた上記カラーフィルタ層により、対応する色の表示を行えるようになっている。
また、アクティブマトリクス基板5では、ゲートドライバ17は、画像処理部15aからの指示信号に基づいて、ゲート配線G1〜GNに対して、対応する薄膜トランジスタ18のゲート電極をオン状態にする走査信号(ゲート信号)を順次出力する。また、データドライバ16は、画像処理部15aからの指示信号に基づいて、表示画像の輝度(階調)に応じたデータ信号(電圧信号(階調電圧))を対応するデータ配線D1〜DMに出力する。
次に、図4及び図5も参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板5の主要部について具体的に説明する。
図4は、図3に示したアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。図5は、上記アクティブマトリクス基板の要部を示す拡大断面図である。
図4に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、例えば半円状の切り欠き部Kが上記有効表示領域Aの外側、つまり複数のデータ配線D及び複数のゲート配線Gのマトリクス状に配列された領域の外側に形成されている。
また、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査端子部21と第1の検査配線22が切り欠き部Kの近傍に設けられている。第1の検査端子部21は、2つの端子部(電極パット)21a及び21bを備えている。また、第1の検査端子部21では、その端子部21aまたは21bに対して、第1の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
また、第1の検査配線22には、2本の第1の分岐配線22a及び22bが含まれている。第1の分岐配線22aでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。同様に、第1の分岐配線22bでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22aは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22a1と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22a2を有している。また、第1の分岐配線22bは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22b1と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22b2を有している。
また、第1の検査配線22では、第1の検査端子部21と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a及び22bが設けられたものであり、第1の分岐配線22a及び22bでは、切断部22a2及び22b2は切り欠き部Kによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが形成される前においては、第1の分岐配線22a及び22bは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21の端子部21a及び21bに接続されている。そして、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが当該切り欠き部Kのスペックのうち、最小許容範囲(図4に一点鎖線“M2”にて図示)よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a及び22bに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22は、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Kによって2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
また、第1の検査配線22は、切り欠き部Kがその最大許容範囲(図4に一点鎖線“M1”にて図示)よりも大きく形成された場合においても、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられる。但し、この場合、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、上記最大許容範囲M1の近傍に設けられた接続配線G−1(図1)が切り欠き部Kによって分断されることにより、当該切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことが判別できるようになっている。
また、第1の検査端子部21及び第1の検査配線22は、上記画素電極19と同じ導電層によって構成されている。具体的にいえば、図5に例示するように、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、例えばガラス材によって構成された上記基材5aと、この基材5a上に順次形成されたゲート絶縁膜23及び層間絶縁膜24を有している。そして、第1の検査端子部21の端子部21a及び第1の分岐配線22aは、例えば画素電極19と同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜24上に形成されている。
続いて、図6を参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板5での具体的な検査工程について説明する。尚、以下の説明では、切り欠き部Kに対する検査工程について主に説明する。
図6は、上記アクティブマトリクス基板の具体的な検査工程を示すフローチャートである。
図6のステップS1に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、まず第1の検査信号が入力されるとともに、断線を検出する第1の検査端子部21を設ける工程が行われる。すなわち、第1の検査端子部21の端子部21a及び21bが、層間絶縁膜24上に設置される。
続いて、ステップS2に示すように、第1の検査端子部21に接続されるとともに、一部分が切り欠き部Kの形成位置に設けられるように、第1の検査配線22を配線する工程が行われる。すなわち、第1の検査配線22が、層間絶縁膜24上に配線される。
尚、この説明以外に、ステップS1及びS2を同時に行う構成でもよい。つまり、上述したように、画素電極19と同時に、かつ、同じ導電層により、第1の検査端子部21の端子部21a及び21bと第1の検査配線22を層間絶縁膜24上に設けてもよい。
続いて、ステップS3に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、複数のデータ配線D及び複数のゲート配線Gのマトリクス状に配列された領域の外側に切り欠き部Kを形成する工程が行われて、切り欠き部Kが形成される。
次に、ステップS4に示すように、第1の検査端子部21に第1の検査信号を入力して、第1の検査配線22が断線もしくは導通しているかについて判別することにより、切り欠き部Kの形成状態を検査する工程が行われる。すなわち、第1の検査信号を用いて、切り欠き部Kの検査が行われる。具体的にいえば、第1の検査信号が、例えば第1の検査端子部21の端子部21aに入力され、端子部21bから出力されるかどうかについて判別することにより、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されたどうかについて検査する。すなわち、切り欠き部Kがその最小許容範囲よりも小さく形成されている場合、第1の検査配線22は、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分断されておらず、導通しているので、第1の検査信号は、端子部21aに入力されて、第1の検査配線22を経て端子部21bから出力される。この結果、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されていることが判別される。
一方、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも大きく形成されている場合、図4に例示したように、第1の検査配線22は、当該切り欠き部Kによって2本の第1の分岐配線22a及び22bに分断されている。これにより、第1の検査信号は、端子部21aに入力されても、端子部21bから出力されない。この結果、第1の検査配線22の断線が検出されて、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも大きく形成されていることが判別される。
また、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成された場合、上述したように、当該最大許容範囲M1の近傍に設けられた接続配線G−1が切り欠き部Kによって分断されることにより、その接続配線G−1に接続されているゲート配線Gが不導通の状態(つまり、信号が流れない状態)となる。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていることが判別される。
また、この切り欠き部Kの検査は、例えばデータ配線D及び/またはゲート配線Gの検査と同時に行われるようになっており、アクティブマトリクス基板5の検査工程の工程数を増加しないようになっている。
以上のように構成された本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査端子部21と、この第1の検査端子部21に接続されるとともに、切り欠き部Kによって切断されている第1の検査配線22が設けられている。また、第1の検査端子部21に対して、第1の検査信号が入力されて、断線を検出するように構成されている。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、切り欠き部を形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板5を構成することができる。
すなわち、上記従来例では、カメラ、露光装置、及び画像処理装置等の装置を用いた光学的な検査が行われていたので、これら装置の設置場所を確保したり、検査工程の増加を招いたりします。一方、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査信号を用いた電気的な検査であり、しかも、上述したように、データ配線D及び/またはゲート配線Gの検査と同時に行うことができるので、検査工程の工程数の増加を招きません。また、上記の光学的な検査と異なり、アクティブマトリクス基板5に生じた微細なクラックの検出も容易に行うことができます。さらに、本実施形態のアクティブマトリクス基板の検査方法では、上記従来例と異なり、切り欠き部Kの大きさや形状などが変更された場合でも、このような切り欠き部Kの変更に迅速に対応することができ、検査工程を容易に行うことができます。
また、本実施形態では、第1の検査配線22には、複数の第1の分岐配線22a及び22bが含まれるとともに、複数の第1の各分岐配線22a及び22bでは、一端側が第1の検査端子部21に接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。これにより、本実施形態では、複数の分岐配線22a及び22bにより、切り欠き部Kの高精度な検査を確実に行うことができる。
また、本実施形態では、切り欠き部Kを形成した場合でも、検査工程を増加させることなく、高精度な検査を容易に行うことができるアクティブマトリクス基板5が用いられているので、高性能でコンパクトな情報端末(電気機器)100を容易に構成することができる。
[第2の実施形態]
図7は、本発明の第2の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第1の実施形態との主な相違点は、第2の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第2の検査端子部と、切り欠き部の近傍に設けられるとともに、第2の検査端子部と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部に接続された第2の検査配線を設けた点である。なお、上記第1の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図7において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第2の検査端子部25と第2の検査配線26が切り欠き部Kの近傍に設けられている。第2の検査端子部25は、2つの端子部(電極パット)25a及び25bを備えている。また、第2の検査端子部25では、その端子部25aまたは25bに対して、第2の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続されている。さらに、第2の検査配線26では、図7に示すように、その一部分が切り欠き部Kの最大許容範囲M1に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部Kによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部Kによって断線された状態となり、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことを判別することができる。
また、第2の検査端子部25及び第2の検査配線26は、第1の検査端子部21及び第1の検査配線22と同様に、上記画素電極19と同じ導電層によって構成されている。
続いて、図8を参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板5での具体的な検査工程について説明する。尚、以下の説明では、切り欠き部Kに対する検査工程について主に説明する。
図8は、図7に示したアクティブマトリクス基板の具体的な検査工程を示すフローチャートである。
図8のステップS5に例示するように、上記ステップS1が行われた後、第2の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第2の検査端子部25を設ける工程が行われる。すなわち、第2の検査端子部25の端子部25a及び25bが、層間絶縁膜24上に設置される。
続いて、ステップS6に示すように、上記ステップS2が行われた後、切り欠き部Kの形成位置の近傍に設けられるとともに、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続された第2の検査配線26を配線する工程が行われる。すなわち、第2の検査配線26が、層間絶縁膜24上に配線される。
尚、この説明以外に、ステップS1、S2、S5、及びS6を同時に行う構成でもよい。つまり、上述したように、画素電極19と同時に、かつ、同じ導電層により、第1の検査端子部21の端子部21a及び21b、第1の検査配線22、第2の検査端子部25の端子部25a及び25b、及び第2の検査配線26を層間絶縁膜24上に設けてもよい。
続いて、ステップS3に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kを形成する工程が行われて、切り欠き部Kが形成される。
次に、ステップS7に示すように、上記ステップS4が行われた後、第2の検査端子部25に第2の検査信号を入力して、第2の検査配線26が導通もしくは断線しているかについて判別することにより、切り欠き部Kの形成状態を検査する工程が行われる。具体的にいえば、第2の検査信号が、例えば第2の検査端子部25の端子部25aに入力され、端子部25bから出力されるかどうかについて判別することにより、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたどうかについて検査する。すなわち、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成されている場合、第2の検査配線26は、図7に例示したように、分断されておらず、導通しているので、第2の検査信号は、端子部25aに入力されて、第2の検査配線26を経て端子部25bから出力される。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成されていることが判別される。
一方、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されている場合、第2の検査配線26は、当該切り欠き部Kによって分断されている。これにより、第2の検査信号は、端子部25aに入力されても、端子部25bから出力されない。この結果、第2の検査配線26の断線が検出されて、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていることが判別される。
尚、この説明以外に、ステップS4及びS7を同時に行う構成でもよい。つまり、第1及び第2の検査端子部21及び25への第1及び第2の検査信号の入力動作を、例えばデータ配線D及び/またはゲート配線Gの検査と同時に行う構成でもよい。
以上の構成により、本実施形態では、上記第1の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第2の検査信号が入力されるとともに、導通を検出する第2の検査端子部25と、切り欠き部Kの近傍に設けられるとともに、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続された第2の検査配線26を備えている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Kに対して、より高精度な検査を行うことができる。
[第3の実施形態]
図9は、本発明の第3の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第2の実施形態との主な相違点は、1つの切り欠き部に対して、第1の検査端子部と第1の検査配線との組を2個設けるとともに、第2の検査端子部と第2の検査配線との組を2個設けた点である。なお、上記第2の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図9において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査端子部21’と第1の検査配線22’、及び第2の検査端子部25’と第2の検査配線26’が切り欠き部Kの近傍に設けられている。すなわち、1つの切り欠き部Kに対して、第1の検査端子部21及び21’と第1の検査配線22及び22’との組が2個設けられるとともに、第2の検査端子部25及び25’と第2の検査配線26及び26’との組が2個設けられている。
第1の検査端子部21’は、2つの端子部(電極パット)21a’及び21b’を備えている。また、第1の検査端子部21’では、その端子部21a’または21b’に対して、第1の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
また、第1の検査配線22’には、2本の第1の分岐配線22a’及び22b’が含まれている。第1の分岐配線22a’では、その一端側が第1の検査端子部21’の端子部21a’に接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。同様に、第1の分岐配線22b’では、その一端側が第1の検査端子部21’の端子部21b’に接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22a’は、一端側が第1の検査端子部21’の端子部21a’に接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22a1’と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22a2’を有している。また、第1の分岐配線22b’は、一端側が第1の検査端子部21’の端子部21b’に接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22b1’と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22b2’を有している。
また、第1の検査配線22’では、第1の検査端子部21’と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a’及び22b’が設けられたものであり、第1の分岐配線22a’及び22b’では、切断部22a2’及び22b2’は切り欠き部Kによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22’は、切り欠き部Kが形成される前においては、第1の分岐配線22a’及び22b’は1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21’の端子部21a’及び21b’に接続されている。そして、第1の検査配線22’は、切り欠き部Kが適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a’及び22b’に分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22’は、切り欠き部Kが当該切り欠き部Kのスペックのうち、最小許容範囲M2よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a’及び22b’に分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22’は、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Kによって2本の第1の分岐配線22a’及び22b’に分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
また、第1の検査端子部21’及び第1の検査配線22’は、上記画素電極19と同じ導電層によって構成されている。
第2の検査端子部25’は、2つの端子部(電極パット)25a’及び25b’を備えている。また、第2の検査端子部25’では、その端子部25a’または25b’に対して、第2の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
また、第2の検査配線26’は、第2の検査端子部25’と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25’に接続されている。さらに、第2の検査配線26’では、図9に示すように、その一部分が切り欠き部Kの最大許容範囲M1に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26’は当該切り欠き部Kによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26’は当該切り欠き部Kによって断線された状態となり、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことを判別することができる。
また、第2の検査端子部25’及び第2の検査配線26’は、第1の検査端子部21’及び第1の検査配線22’と同様に、上記画素電極19と同じ導電層によって構成されている。
以上の構成により、本実施形態では、上記第2の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、1つの切り欠き部Kに対して、第1の検査端子部21及び21’と第1の検査配線22及び22’との組が2個設けられるとともに、第2の検査端子部25及び25’と第2の検査配線26及び26’との組が2個設けられている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Kの検査精度をより容易に向上させることができる。すなわち、本実施形態では、局所的な割れやヒビなどの発生を容易に検出することができる。
[第4の実施形態]
図10は、本発明の第4の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第2の実施形態との主な相違点は、複数の第1の分岐配線を第1の検査配線に含めるとともに、第2の検査端子部に対し、複数の閉回路が構成されるように第2の検査配線を設けた点である。なお、上記第2の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図10において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査端子部21と第1の検査配線22、及び第2の検査端子部25と第2の検査配線26が切り欠き部Kの近傍に設けられている。
第1の検査端子部21は、3つの端子部(電極パット)21a、21b、及び21cを備えている。また、第1の検査端子部21では、その端子部21a、21b、または21cに対して、第1の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
また、第1の検査配線22には、複数、例えば3本の第1の分岐配線22a、22b、及び22cが含まれている。第1の分岐配線22aでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。同様に、第1の分岐配線22bでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。同様に、第1の分岐配線22cでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21cに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22aは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22a1と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22a2を有している。また、第1の分岐配線22bは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22b1と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22b2を有している。また、第1の分岐配線22cは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21cに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断された配線部22c1と、切り欠き部Kによって切断されている切断部22c2を有している。
また、第1の検査配線22では、第1の検査端子部21と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a、22b、及び22cが設けられたものであり、第1の分岐配線22a、22b、及び22cでは、切断部22a2、22b2、及び22c2は切り欠き部Kによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが形成される前においては、第1の分岐配線22a、22b、及び22cは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21の端子部21a、21b、及び21cに接続されている。そして、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが適正に形成されることにより、3本の第1の分岐配線22a、22b、及び22cに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22は、切り欠き部Kが当該切り欠き部Kのスペックのうち、最小許容範囲M2よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a、22b、及び22cに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22は、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Kによって3本の第1の分岐配線22a、22b、及び22cに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
第2の検査端子部25は、3つの端子部(電極パット)25a、25b、及び25cを備えている。また、第2の検査端子部25では、その端子部25a、25b、または25cに対して、第2の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25と複数、例えば3つの閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続されている。すなわち、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25の端子部25a、25b、及び25cに対して、3つの閉回路(つまり、2つの端子部を各々含んだ3つの閉回路)が構成されるように、これら端子部25a、25b、及び25cに接続されている。さらに、第2の検査配線26では、図10に示すように、その一部分が切り欠き部Kの最大許容範囲M1に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部Kによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部Kによって断線された状態となり、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことを判別することができる。
以上の構成により、本実施形態では、上記第2の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第1の検査配線22には、3本の第1の分岐配線22a、22b、及び22cが含まれている。また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25に対し、3つの閉回路が構成されるように、設けられている。これにより、本実施形態では、第3の実施形態のものと同様に、切り欠き部Kの検査精度を容易に向上させることができる。また、本実施形態では、第3の実施形態のものに比べて、第1及び第2の各検査端子部21及び25での端子部の設置数の増加を抑えることができる。
[第5の実施形態]
図11は、本発明の第5の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第2の実施形態との主な相違点は、半楕円状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第2の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図11において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、半楕円状の切り欠き部K1が設けられており、この切り欠き部K1の近傍には、第1の検査端子部21と第1の検査配線22、及び第2の検査端子部25と第2の検査配線26が設けられている。
また、第1の検査配線22には、2本の第1の分岐配線22a及び22bが含まれている。第1の分岐配線22aでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K1によって切断されている。同様に、第1の分岐配線22bでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K1によって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22aは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K1によって切断された配線部22a1と、切り欠き部K1によって切断されている切断部22a2を有している。また、第1の分岐配線22bは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K1によって切断された配線部22b1と、切り欠き部K1によって切断されている切断部22b2を有している。
また、第1の検査配線22では、第1の検査端子部21と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a及び22bが設けられたものであり、第1の分岐配線22a及び22bでは、切断部22a2及び22b2は切り欠き部K1によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22は、切り欠き部K1が形成される前においては、第1の分岐配線22a及び22bは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21の端子部21a及び21bに接続されている。そして、第1の検査配線22は、切り欠き部K1が適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22は、切り欠き部K1が当該切り欠き部K1のスペックのうち、最小許容範囲(図11に一点鎖線“M4”にて図示)よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a及び22bに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22は、切り欠き部K1がその最小許容範囲M4よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部K1によって2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K1がその最小許容範囲M4よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続されている。さらに、第2の検査配線26では、図11に示すように、その一部分が切り欠き部K1の最大許容範囲(図11に一点鎖線“M3”にて図示)に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K1がその最大許容範囲M3よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K1がその最大許容範囲M3よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K1によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部K1がその最大許容範囲M3よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部K1がその最大許容範囲M3よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K1によって断線された状態となり、切り欠き部K1がその最大許容範囲M3よりも大きく形成されたことを判別することができる。
以上の構成により、本実施形態では、上記第2の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
[第6の実施形態]
図12は、本発明の第6の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第3の実施形態との主な相違点は、多角形状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第3の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図12において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、多角形状、例えば三角形状の切り欠き部K2が設けられており、この切り欠き部K2の近傍には、第1の検査端子部21及び21’と第1の検査配線22及び22’、及び第2の検査端子部25及び25’と第2の検査配線26及び26’が設けられている。
また、第1の検査配線22には、2本の第1の分岐配線22a及び22bが含まれている。第1の分岐配線22aでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断されている。同様に、第1の分岐配線22bでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22aは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断された配線部22a1と、切り欠き部K2によって切断されている切断部22a2を有している。また、第1の分岐配線22bは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断された配線部22b1と、切り欠き部K2によって切断されている切断部22b2を有している。
また、第1の検査配線22では、第1の検査端子部21と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a及び22bが設けられたものであり、第1の分岐配線22a及び22bでは、切断部22a2及び22b2は切り欠き部K2によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22は、切り欠き部K2が形成される前においては、第1の分岐配線22a及び22bは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21の端子部21a及び21bに接続されている。そして、第1の検査配線22は、切り欠き部K2が適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22は、切り欠き部K2が当該切り欠き部K1のスペックのうち、最小許容範囲(図12に一点鎖線“M6”にて図示)よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a及び22bに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22は、切り欠き部K2がその最小許容範囲M6よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部K2によって2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最小許容範囲M6よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
同様に、第1の検査配線22’には、2本の第1の分岐配線22a’及び22b’が含まれている。第1の分岐配線22a’では、その一端側が第1の検査端子部21’の端子部21a’に接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断されている。同様に、第1の分岐配線22b’では、その一端側が第1の検査端子部21’の端子部21b’に接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22a’は、一端側が第1の検査端子部21’の端子部21a’に接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断された配線部22a1’と、切り欠き部K2によって切断されている切断部22a2’を有している。また、第1の分岐配線22b’は、一端側が第1の検査端子部21’の端子部21b’に接続され、他端側が切り欠き部K2によって切断された配線部22b1’と、切り欠き部K2によって切断されている切断部22b2’を有している。
また、第1の検査配線22’では、第1の検査端子部21’と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a’及び22b’が設けられたものであり、第1の分岐配線22a’及び22b’では、切断部22a2’及び22b2’は切り欠き部K2によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22’は、切り欠き部K2が形成される前においては、第1の分岐配線22a’及び22b’は1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21’の端子部21a’及び21b’に接続されている。そして、第1の検査配線22’は、切り欠き部K2が適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a’及び22b’に分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22’は、切り欠き部K2が当該切り欠き部K1のスペックのうち、最小許容範囲M6よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a’及び22b’に分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22’は、切り欠き部K2がその最小許容範囲M6よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部K2によって2本の第1の分岐配線22a’及び22b’に分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最小許容範囲M6よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続されている。さらに、第2の検査配線26では、図12に示すように、その一部分が切り欠き部K2の最大許容範囲(図12に一点鎖線“M5”にて図示)に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K2によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K2によって断線された状態となり、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されたことを判別することができる。
同様に、第2の検査配線26’は、第2の検査端子部25’と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25’に接続されている。さらに、第2の検査配線26’では、図12に示すように、その一部分が切り欠き部K2の最大許容範囲M5に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26’は当該切り欠き部K2によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26’は当該切り欠き部K2によって断線された状態となり、切り欠き部K2がその最大許容範囲M5よりも大きく形成されたことを判別することができる。
以上の構成により、本実施形態では、上記第3の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
[第7の実施形態]
図13は、本発明の第7の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。
図において、本実施形態と上記第2の実施形態との主な相違点は、直線状の切り欠き部を設けた点である。なお、上記第2の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図13において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、直線状の切り欠き部K3が設けられており、この切り欠き部K3の近傍には、第1の検査端子部21と第1の検査配線22、及び第2の検査端子部25と第2の検査配線26が設けられている。
また、第1の検査配線22には、2本の第1の分岐配線22a及び22bが含まれている。第1の分岐配線22aでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K3によって切断されている。同様に、第1の分岐配線22bでは、その一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K3によって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線22aは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21aに接続され、他端側が切り欠き部K3によって切断された配線部22a1と、切り欠き部K3によって切断されている切断部22a2を有している。また、第1の分岐配線22bは、一端側が第1の検査端子部21の端子部21bに接続され、他端側が切り欠き部K3によって切断された配線部22b1と、切り欠き部K3によって切断されている切断部22b2を有している。
また、第1の検査配線22では、第1の検査端子部21と閉回路を構成するように、第1の分岐配線22a及び22bが設けられたものであり、第1の分岐配線22a及び22bでは、切断部22a2及び22b2は切り欠き部K3によって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線22は、切り欠き部K3が形成される前においては、第1の分岐配線22a及び22bは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部21の端子部21a及び21bに接続されている。そして、第1の検査配線22は、切り欠き部K3が適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線22は、切り欠き部K3が当該切り欠き部K1のスペックのうち、最小許容範囲(図13に一点鎖線“M8”にて図示)よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線22a及び22bに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線22は、切り欠き部K3がその最小許容範囲M8よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部K3によって2本の第1の分岐配線22a及び22bに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K3がその最小許容範囲M8よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
また、第2の検査配線26は、第2の検査端子部25と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部25に接続されている。さらに、第2の検査配線26では、図13に示すように、その一部分が切り欠き部K3の最大許容範囲(図13に一点鎖線“M7”にて図示)に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K3がその最大許容範囲M7よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部K3がその最大許容範囲M7よりも小さく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K3によって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部K3がその最大許容範囲M7よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部K3がその最大許容範囲M7よりも大きく形成された場合、第2の検査配線26は当該切り欠き部K3によって断線された状態となり、切り欠き部K3がその最大許容範囲M7よりも大きく形成されたことを判別することができる。
以上の構成により、本実施形態では、上記第2の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
[第8の実施形態]
図14は、本発明の第8の実施形態にかかるアクティブマトリクス基板の要部を示す拡大平面図である。図15は、図14のXVで囲んだ部分を示す拡大断面図である。
図において、本実施形態と上記第2の実施形態との主な相違点は、互いに異なる導電層によって第1及び第2の検査配線を構成するとともに、切り欠き部に沿うように、かつ、第1の検査配線と交差するように、第2の検査配線を設けた点である。なお、上記第2の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
すなわち、図14において、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、第1の検査端子部27と第1の検査配線28、及び第2の検査端子部29と第2の検査配線30が切り欠き部Kの近傍に設けられている。
第1の検査端子部27は、2つの端子部(電極パット)27a及び27bを備えている。また、第1の検査端子部27では、その端子部27aまたは27bに対して、第1の検査信号が入力されるようになっており、断線を検出するように構成されている。
また、第1の検査配線28には、2本の第1の分岐配線28a及び28bが含まれている。第1の分岐配線28aでは、その一端側が第1の検査端子部27の端子部27aに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。同様に、第1の分岐配線28bでは、その一端側が第1の検査端子部27の端子部27bに接続され、他端側が切り欠き部Kによって切断されている。
具体的にいえば、第1の分岐配線28aは、一端側が第1の検査端子部27の端子部27aに接続された配線部28a1と、この配線部28a1から分岐するとともに、切り欠き部Kによって切断された配線部28a2及び28a3と、切り欠き部Kによって切断されている切断部28a4及び28a5を有している。また、第1の分岐配線28bは、一端側が第1の検査端子部27の端子部27bに接続された配線部28b1と、この配線部28b1から分岐するとともに、切り欠き部Kによって切断された配線部28b2及び28b3と、切り欠き部Kによって切断されている切断部28b4及び28b5を有している。
また、第1の検査配線28では、第1の検査端子部27と閉回路を構成するように、第1の分岐配線28a及び28bが設けられたものであり、第1の分岐配線28a及び28bでは、切断部22a4、28a5、28b4、及び28b5は切り欠き部Kによって切断される前は互いに接続されている。すなわち、第1の検査配線28は、切り欠き部Kが形成される前においては、第1の分岐配線28a及び28bは1本の配線によって構成されており、一端側及び他端側がそれぞれ第1の検査端子部27の端子部27a及び27bに接続されている。そして、第1の検査配線28は、切り欠き部Kが適正に形成されることにより、2本の第1の分岐配線28a及び28bに分けられる。
具体的にいえば、第1の検査配線28は、切り欠き部Kが当該切り欠き部Kのスペックのうち、最小許容範囲(図14に一点鎖線“M2”にて図示)よりも大きく形成された場合に、第1の分岐配線28a及び28bに分断されるようになっている。言い換えれば、第1の検査配線28は、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成された場合には、当該切り欠き部Kによって2本の第1の分岐配線28a及び28bに分けられない。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最小許容範囲M2よりも小さく形成されたことが判別できるように構成されている。
第2の検査端子部29は、2つの端子部(電極パット)29a及び29bを備えている。また、第2の検査端子部29では、その端子部29aまたは29bに対して、第2の検査信号が入力されるようになっており、導通を検出するように構成されている。
また、第2の検査配線30は、第2の検査端子部29と閉回路を構成するように当該第2の検査端子部29に接続されている。すなわち、第2の検査配線30は、一端側が第2の検査端子部29の端子部29aに接続された配線部30aと、この配線部30aに順次接続された配線部30b、30c、30d、30e、30f、及び30gを備えている。また、配線部30gの一端側は、第2の検査端子部29の端子部29bに接続されている。また、配線部30hが、配線部30dと配線部30gの間に設けられている。
さらに、第2の検査配線30では、図14に示すように、配線部30dが切り欠き部Kの最大許容範囲(図14に一点鎖線“M1”にて図示)に沿うように設けられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことが判別できるように構成されている。
具体的にいえば、本実施形態のアクティブマトリクス基板5では、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも小さく形成された場合、第2の検査配線30は当該切り欠き部Kによって断線されずに、導通している状態で維持される。この結果、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されていないことを判別することができる。
一方、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成された場合、第2の検査配線30は当該切り欠き部Kによって断線された状態となり、切り欠き部Kがその最大許容範囲M1よりも大きく形成されたことを判別することができる。
また、第1の検査端子部27、第1の検査配線28、及び第2の検査端子部27は、上記画素電極19と同じ導電層によって構成されている。一方、第2の検査配線30は、上記データ配線Dと同じ導電層によって構成されており、第1及び第2の検査配線28及び30は、立体的に交差するようになっている。
具体的にいえば、図15に例示するように、配線部30gは、例えばデータ配線Dと同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜24に覆われるようにゲート絶縁膜23上に設けられている。また、配線部28a3は、例えば画素電極19と同時に、かつ、同じ導電層により、層間絶縁膜24上に形成されている。
以上の構成により、本実施形態では、上記第2の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、第1の検査配線28と第2の検査配線30とが、互いに異なる導電層によって構成され、第2の検査配線30が、切り欠き部Kに沿うように、かつ、第1の検査配線28と交差するように、設けられている。これにより、本実施形態では、切り欠き部Kに対して、より高精度な検査を容易に行うことができる。
尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。
例えば、上記の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明のアクティブマトリクス基板はこれに限定されるものではなく、複数の画素を有する表示領域と、画素を駆動するための信号を伝達する配線を有するあらゆる表示装置に対して本発明のアクティブマトリクス基板を適用することができる。例えば、有機ELディスプレイ、又は、マイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置その他表示装置に本発明を適応することができる。マイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置は、例えば、表示領域に形成されたマイクロカプセル層に画素ごとに電圧を印加することで、画像を表示する構成とすることができる。表示装置は、例えば、画素ごとに設けられた画素電極にスイッチング素子を介して接続された表示領域の配線と、表示領域の配線に接続された引き出し線を備える基板を備える構成とすることができ、この基板を例えば、上記実施形態におけるアクティブマトリクス基板のように構成することができる。また、このような表示装置以外に、本発明のアクティブマトリクス基板は、例えばX線検出装置用のセンサー基板等の各種センサー基板に適用することができる。
また、上記の説明では、液晶表示装置を有する情報端末を構成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、携帯電話やデジタルカメラなどの他の電気機器に適用することもできる。
また、上記の説明では、情報端末に設けられたマイク、スピーカー、センサー、カメラ、またはボタン等の電子部品を配置するための切り欠き部を設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば電気機器の筐体を組み立てるためのボルトなどの固定具を設置するための切り欠き部でもよい。
また、上記の説明では、1つの切り欠き部を設けた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の切り欠き部を設けたアクティブマトリクス基板に適用することができる。
また、上記の説明では、半円状、楕円状、多角形状、または直線状の切り欠き部を設けた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば円形の切り欠き部をアクティブマトリクス基板に設けてもよい。
また、上記の説明では、データドライバとゲートドライバを一体的に構成したドライバIC(ドライバチップ)を用いた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばデータドライバとゲートドライバとの各々を互いに異なるドライバICによって構成したり、データドライバ及びゲートドライバの少なくとも一方をアクティブマトリクス基板の基材上にモノリシックに形成したりする構成でもよい。
また、上記の第1の実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第1の検査端子部と第1の検査配線を構成した場合について説明し、第2〜第7の各実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第1及び第2の検査端子部と第1及び第2の検査配線を構成した場合について説明した。また、第8の実施形態の説明では、画素電極と同じ導電層によって第1及び第2の検査端子部と第1の検査配線を構成するとともに、第2の検査配線をデータ配線と同じ導電層によって構成した場合について説明した。
しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、第1の検査端子部、第1の検査配線、第2の検査端子部、及び第2の検査配線の各々が、画素電極またはデータ配線と異なる導電層によって構成されてもよい。
但し、上記の各実施形態のように、第1の検査端子部、第1の検査配線、第2の検査端子部、及び第2の検査配線の各々が、複数のデータ配線、複数の走査配線、及び画素電極の少なくとも1つと同じ導電層により構成されている場合の方が、アクティブマトリクス基板の製造工程が増加するのを防ぐことができる点で好ましい。