JP2014142988A5 - - Google Patents

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JP2014142988A5
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  1. ビットセルのアレイを有する不揮発性メモリをソフトプログラムする方法であって、ソフトプログラミングは前記ビットセルを消去した後に行われ、
    過消去ビットセルを判定すること、
    温度を検出すること、
    前記温度に基づいて第1のソフトプログラムゲート電圧を提供すること、
    前記第1のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行すること、
    任意の残りの過消去ビットセルを特定すること、
    残りの過消去ビットセルがある場合、前記第1のソフトプログラムゲート電圧から増分された第2のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記残りの過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行することを備える、方法。
  2. ビットセルのアレイを有する不揮発性メモリをソフトプログラムする方法であって、ソフトプログラミングは前記ビットセルを消去した後に行われ、
    過消去ビットセルを判定すること、
    温度を検出すること、
    前記温度に基づいて第1のソフトプログラムゲート電圧を提供すること、
    前記第1のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行すること、
    任意の残りの過消去ビットセルを特定すること、
    残りの過消去ビットセルがある場合、前記第1のソフトプログラムゲート電圧から増分された第2のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記残りの過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行することを備え、
    前記温度を検出することは、
    温度センサを使用して温度関連電圧を提供すること、
    前記温度関連電圧をアナログ−デジタル変換器に接続することを含む、方法。
  3. ビットセルのアレイを有する不揮発性メモリをソフトプログラムする方法であって、ソフトプログラミングは前記ビットセルを消去した後に行われ、
    過消去ビットセルを判定すること、
    温度を検出すること、
    前記温度に基づいて第1のソフトプログラムゲート電圧を提供すること、
    前記第1のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行すること、
    任意の残りの過消去ビットセルを特定すること、
    残りの過消去ビットセルがある場合、前記第1のソフトプログラムゲート電圧から増分された第2のソフトプログラムゲート電圧を使用して前記残りの過消去ビットセルに対してソフトプログラミングを実行することを備え、
    前記第1のソフトプログラムゲート電圧を提供することは、
    アナログ−デジタル信号の出力に応答した電圧選択信号を提供すること、
    プログラマブル電圧生成器を使用して前記電圧選択信号に応答した前記第1のソフトプログラムゲート電圧を提供することを備える、方法。
  4. 不揮発性メモリであって、
    ビットセルのアレイと、
    温度センサと、
    前記温度センサに接続されたソフトプログラムゲート電圧選択器と、
    前記ソフトプログラムゲート電圧選択器に接続されたソフトプログラムロジックであって、該ソフトプログラムロジックは、前記ビットセルのソフトプログラミングを制御する、ソフトプログラムロジックと、
    前記ソフトプログラムロジックに接続されたプログラマブルゲート電圧生成器と、
    前記プログラマブルゲート電圧生成器、前記ビットセルのアレイ、および前記ソフトプログラムロジックに接続された行デコーダと、
    前記ソフトプログラムロジックおよび前記ビットセルのアレイに接続された列ロジックとを備え、
    前記ソフトプログラムロジックは、前記プログラマブルゲート電圧生成器を使用して、ソフトプログラミング動作の間にソフトプログラムゲート電圧を前記行デコーダに提供し、
    前記ソフトプログラムゲート電圧は、前記温度センサによって検知される温度に基づいて選択される、不揮発性メモリ。
  5. 不揮発性メモリであって、
    ビットセルのアレイと、
    温度センサと、
    前記温度センサに接続されたソフトプログラムゲート電圧選択器と、
    前記ソフトプログラムゲート電圧選択器に接続されたソフトプログラムロジックであって、該ソフトプログラムロジックは、前記ビットセルのソフトプログラミングを制御する、ソフトプログラムロジックと、
    前記ソフトプログラムロジックに接続されたプログラマブルゲート電圧生成器と、
    前記プログラマブルゲート電圧生成器、前記ビットセルのアレイ、および前記ソフトプログラムロジックに接続された行デコーダと、
    前記ソフトプログラムロジックおよび前記ビットセルのアレイに接続された列ロジックとを備え、
    前記ソフトプログラムロジックは、前記プログラマブルゲート電圧生成器を使用して、ソフトプログラミング動作の間にソフトプログラムゲート電圧を前記行デコーダに提供し、
    前記ソフトプログラムゲート電圧は、前記温度センサによって検知される温度に基づいて選択され、
    前記ソフトプログラムロジックは、過消去されているビットセルに対してソフトプログラミングを実行する、不揮発性メモリ。
JP2013270487A 2013-01-22 2013-12-26 温度センサを使用した不揮発性メモリに対する適応的ソフトプログラミングのためのシステムおよび方法 Active JP6274648B2 (ja)

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