JP2014139971A - Multiple mounted component of lead frame with resin, and multiple mounted component of optical semiconductor device - Google Patents

Multiple mounted component of lead frame with resin, and multiple mounted component of optical semiconductor device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multiple mounted component of a lead frame with a resin capable of suppressing manufacture of a defective optical semiconductor device, and a multiple mounted component of an optical semiconductor device.SOLUTION: A multiple mounted component of a lead frame with a resin R comprises: a multiple mounted component MS of a lead frame having a plurality of terminal parts 11, 12, and in which a lead frame 10 used for an optical semiconductor device 1 in which an LED element 2 is connected to at least of one surface of terminal parts 11, 12, is multiple-mounted to a frame F; and a light reflection resin layer 20 consisting of a frame resin part 20a formed on an outer peripheral side of the lead frame 10 and between terminal parts 11, 12, a reflector resin part 20b formed to be projected on the outer surface of the lead frame 10, a frame resin part 20c formed on at least part of the front or rear surface of the frame F and connected to the frame resin part 20a and a side surface resin part 20d connected to the frame resin part 20c and formed on at least part of the outer peripheral side of the frame F.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to a multi-sided body of a lead frame with a resin for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, and a multi-sided body of an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、光半導体装置の製造過程において製造される樹脂付きリードフレームの多面付け体のなかには、その外周側面に、リードフレームの多面付け体の外周側面となる金属面が表出するものがある。このような樹脂付きリードフレームの多面付け体は、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納される場合があり、その場合に外周側面に表出する金属面と収納ケースのレールとが摩擦接触し、外周側面から金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、光半導体素子を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
In such an optical semiconductor device, a reflector is formed so that a resin layer covering the terminal portion surrounds the optical semiconductor element and protrudes from the mounting surface of the optical semiconductor element. Some control the direction. In such an optical semiconductor device, a resin layer is formed on a multi-sided lead frame (a multi-sided body of a lead frame) to produce a multi-sided body of a lead frame with resin, and the optical semiconductor elements are electrically connected. A plurality of products are manufactured simultaneously by forming transparent resin layers and cutting them into package units.
Here, among the multi-faced body of the resin-attached lead frame manufactured in the manufacturing process of the optical semiconductor device, there is one in which a metal surface serving as the outer side face of the multi-faced body of the lead frame is exposed on the outer peripheral side face thereof. Such a multi-faceted body of a lead frame with a resin may be housed in a storage case that is laminated at a predetermined interval, and in this case, the metal surface that appears on the outer peripheral surface and the rail of the storage case are There was a case where metal powder was generated from the outer peripheral side due to frictional contact. If this metal powder adheres to the terminal part of the lead frame, the terminal part may be short-circuited, and the optical semiconductor device 1 having a defect such that the optical semiconductor element cannot emit light is manufactured. It was.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a multi-sided body of a lead frame with a resin and a multi-sided body of an optical semiconductor device capable of preventing generation of metal powder from the outer peripheral side surface.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）と、前記リードフレームの表面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）と、前記枠体の表面又は裏面の少なくとも一部に形成され前記フレーム樹脂部に連接する枠体樹脂部（２０ｃ）と、前記枠体樹脂部に連接し前記枠体の外周側面の少なくとも一部に形成される側面樹脂部（２０ｄ）とから構成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第２の発明は、第１の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体（Ｆ）は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部（１１、１２）の裏面に対して窪んでおり、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体（Ｆ）の裏面に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第１の発明又は第２の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体（Ｆ）の両面に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体樹脂部（２０ｃ）は、前記枠体（Ｆ）の裏面側の樹脂の厚みが、表面側の樹脂の厚みよりも厚く形成されていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。 1st invention has a some terminal part (11,12), The lead frame used for the optical semiconductor device (1) by which an optical semiconductor element (2) is connected to at least one surface among the said terminal parts. (10) is a multi-faceted body (MS) of a lead frame that is multi-faced to the frame (F), a frame resin part (20a) formed between the outer periphery of the lead frame and the terminal part, and the lead frame A reflector resin portion (20b) formed to protrude from the surface of the frame body, a frame body resin portion (20c) formed on at least a part of the front or back surface of the frame body and connected to the frame resin portion, and the frame body resin A resin-attached lead frame multi-faced body (R) comprising a resin layer (20) composed of a side resin part (20d) formed on at least a part of the outer peripheral side surface of the frame body. is there.
According to a second aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the resin-attached lead frame of the first aspect, the frame (F) has at least a part of the back surface of the terminal portion (11, 12). The frame body resin portion (20c) is formed in a recessed portion of the frame body, and is a multi-faced body of a lead frame with resin.
According to a third aspect of the present invention, in the multi-faced body (R) of the lead frame with resin of the first aspect or the second aspect, the frame body resin portion (20c) is formed on the back surface of the frame body (F). This is a multi-faced body of a lead frame with a resin characterized by the above.
According to a fourth aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with resin of the first aspect or the second aspect, the frame body resin portion (20c) is formed on both surfaces of the frame body (F). This is a multi-faced body of a lead frame with a resin characterized by the above.
According to a fifth aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the resin-attached lead frame according to the fourth aspect, the frame body resin portion (20c) has a thickness of the resin on the back surface side of the frame body (F). A multi-sided body of a lead frame with resin, characterized in that it is formed thicker than the thickness of the resin on the side.

第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）の前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a resin-coated lead frame multifaceted body (R) according to any one of the first to fifth inventions, and the resin leadframe multifaceted body of the leadframe (10). The optical semiconductor element (2) connected to at least one of the terminal portions (11, 12) and the surface of the multifaceted body of the lead frame with resin connected to the optical semiconductor element. And a transparent resin layer (30) covering the optical semiconductor element.

本発明によれば、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体は、外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。   According to the present invention, the multi-sided body of the lead frame with resin and the multi-sided body of the optical semiconductor device can prevent the metal powder from being generated from the outer peripheral side surface.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。1 is an overall view of a multifaceted body MS of a lead frame according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付リードフレームの多面付け体Ｒを収納する収納ケースを示す概略図である。It is the schematic which shows the storage case which stores the multi-faced body R of the lead frame with resin of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. トランスファ成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of transfer molding. インジェクション成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of injection molding. 第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with a resin of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 3rd Embodiment. 第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin of 3rd Embodiment. 第４実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin of 4th Embodiment. 第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body MS of the lead frame of 5th Embodiment. 第５実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin of 5th Embodiment. 変形形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body R of the lead frame with a resin of a deformation | transformation form. 変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device of a deformation | transformation form.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。
図３は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
図５は、第１実施形態の樹脂付リードフレームの多面付け体Ｒを収納する収納ケースを示す概略図である。
各図において、光半導体装置１、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. . FIG.1 (d) shows the dd sectional drawing of Fig.1 (a).
FIG. 2 is an overall view of the multi-faceted body MS of the lead frame of the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame according to the first embodiment.
3 (a) and 3 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body MS of the lead frame, respectively, and FIGS. 3 (c) and 3 (d) respectively show FIG. 3 (a). A cc sectional view and a dd sectional view are shown.
FIG. 4 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
4 (a) and 4 (b) respectively show a plan view and a back view of the multi-faced body R of the lead frame with resin, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) respectively show FIG. The cc sectional view of a) and the dd sectional view are shown.
FIG. 5 is a schematic view showing a storage case for storing the multi-faced body R of the lead frame with resin according to the first embodiment.
In each figure, in the plan view of the optical semiconductor device 1, the lead frame multi-faced body MS, and the resin-attached lead frame multi-faced body R, the left-right direction is the X direction, the up-down direction is the Y direction, and the thickness direction is the Z direction.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
In the optical semiconductor device 1, the light reflecting resin layer 20 is formed on the multi-sided lead frame 10 (lead-frame multi-sided body MS, see FIG. 2) to form a multi-sided body R of the lead frame with resin (see FIG. 4). Is manufactured by electrically connecting the LED elements 2, forming the transparent resin layer 30, and cutting (dicing) into package units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
As shown in FIG. 3, the terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
The terminal portions 11 and 12 have plating layers C formed on the front and back surfaces thereof (see FIG. 6E), and the plating layer C on the front surface side serves as a reflective layer that reflects the light emitted from the LED element 2. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 As shown in FIG. 3, the terminal portions 11 and 12 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the outer peripheral portion on the back surface side.
The recess M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the terminal portions 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, and the thickness of the recess is 1/3 to 2 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. / 3 or so.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   As shown in FIG. 4, when the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or in the gap S between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. The recess M is also filled with resin, and the contact area between the light reflecting resin layer 20 and the terminal portions 11 and 12 is increased. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in a plane direction (X direction, Y direction) and a thickness direction.

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図７参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。 The connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 10 and the frame F. The connecting portion 13 has an outer shape that forms the lead frame 10 when the LED element 2 or the like is mounted on each of the multiple lead frames 10 and a multi-faced body (see FIG. 7) of the optical semiconductor device 1 is formed. Dicing (cutting) is performed along a line (broken line in FIGS. 3A and 3B).
The connection part 13 is formed in the edge | side except the edge | side which the terminal parts 11 and 12 oppose among each edge | side which forms the terminal parts 11 and 12. FIG.

具体的には、連結部１３ａは、図３（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。   Specifically, as shown in FIG. 3A, the connecting portion 13a is formed on the right (+ X) side of the terminal portion 12 and the left (−) of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the right side. X) is connected to the side, and the left side of the terminal portion 11 is connected to the right side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the left side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame body F, the connecting portion 13a connects the frame body F with the left side of the terminal portion 11 or the right side of the terminal portion 12.

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portion 11 adjacent to the frame F, the connecting portion 13b connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 11.
The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. For the terminal portion 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 c connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 12.

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 d (reinforcing portion) is formed so as to cross over the extension of the gap S between the terminal portion 11 and the terminal portion 12. Here, “on the extension of the gap S” means a region where the gap S is extended in the vertical (Y) direction. In the present embodiment, the connecting portion 13d is located on the opposite side of the terminal portion (12, 11) and the gap S between the terminal portions, and is adjacent to the upper or lower lead frame. In order to connect the parts (11, 12), it is formed in a shape that is inclined (for example, 45 degrees) with respect to the upper side of the terminal part 11 and the lower side of the terminal part 12.
Specifically, the connecting part 13d connects the upper side of the terminal part 12 and the lower side of the terminal part 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side of the terminal part 11 Are connected to the upper side of the terminal portion 12 of the other lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13d connects the frame F with the upper side of the terminal portion 12 or the lower side of the terminal portion 11. .

連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。   By providing the connecting portion 13d, in the step of forming the light reflecting resin layer 20, the multifaceted body MS of the lead frame has a gap between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 or the terminal portions 11 and 12 are connected to each other. It is possible to suppress twisting with respect to the frame F. Moreover, the connection part 13d can improve the intensity | strength of the space | gap part S of the optical semiconductor device 1, and can suppress damaging in the space | gap part S. FIG.

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図３（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   The terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frames 10 by the connecting portion 13. However, after the multifaceted body of the optical semiconductor device 1 is formed, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 according to the outer shape of the semiconductor device 1 (lead frame 10) (broken line in FIG. 3A). Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 3B and 3C, the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in substantially the same plane as the bottom surface (recessed portion) of the concave portion M of each terminal portion 11, 12. Thereby, when the resin of the light reflection resin layer 20 is filled, as shown in FIG. 4B and FIG. 4C, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflection resin layer 20 is The peeling from the lead frame 10 can be suppressed.
Further, as shown in FIG. 4B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.

リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図２及び図３に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材である。 The multi-faced body MS of the lead frame refers to a structure in which the above-described lead frame 10 is multi-faced in the frame F. In this embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of sets G (four sets in this embodiment) of the lead frames 10 connected by the connecting portions 13 in the vertical and horizontal directions are arranged in the left-right direction. They are arranged and formed in the frame F.
The frame body F is a member that fixes the lead frame 10 for each aggregate G of the lead frames 10.

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂと、枠体樹脂部２０ｃと、側面樹脂部２０ｄとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。 As shown in FIG. 4, the light reflecting resin layer 20 includes a frame resin portion 20a, a reflector resin portion 20b, a frame body resin portion 20c, and a side surface resin portion 20d.
The frame resin portion 20 a is formed not only on the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 (the outer periphery of the lead frame 10 and the gap portion S), but also on the concave portions M provided in each terminal portion and the back surface of the connecting portion 13. .
The reflector resin portion 20b is formed so as to protrude to the surface side of the lead frame 10 (the side to which the LED element 2 of the lead frame 10 is connected), and the direction of light emitted from the LED element 2 connected to the lead frame 10 The reflector which controls etc. is comprised. The reflector resin portion 20b protrudes to the front surface side of the lead frame 10 so as to surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, and emits light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a. The light is efficiently reflected from the optical semiconductor device 1 by reflection.
The reflector resin portion 20b is formed so that its outer shape is along the inner peripheral edge of the frame F, and its thickness (height) dimension is greater than the thickness dimension of the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a. Are also formed with large dimensions.

枠体樹脂部２０ｃは、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、枠体Ｆの表面及び裏面の全面に形成される樹脂層である。すなわち、枠体樹脂部２０ｃは、枠体Ｆを挟み込むようにして、枠体Ｆを樹脂で覆う。この構成によって、枠体樹脂部２０ｃは、後述の枠体Ｆの外周側面に形成される側面樹脂部２０ｄと枠体Ｆの表裏面の両面側から結合するので、側面樹脂部２０ｄが枠体Ｆから剥離してしまうのを抑制する。
ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂ及び枠体樹脂部２０ｃの一部（枠体Ｆの表面側の樹脂）が形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、枠体Ｆの裏面側の枠体樹脂部２０ｃが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒに反りが発生してしまうこととなる。 The frame body resin portion 20c is a resin layer formed on the entire surface of the front surface and the back surface of the frame body F as shown in FIGS. 4 (b) to 4 (d). That is, the frame body resin portion 20c covers the frame body F with resin so as to sandwich the frame body F. With this configuration, the frame body resin portion 20c is coupled from the side surface resin portion 20d formed on the outer peripheral side surface of the frame body F, which will be described later, and the front and back surfaces of the frame body F. Suppressing from peeling.
Here, the lead frame 10 is formed of a metal such as copper, the light reflecting resin layer 20 is formed of a resin such as a thermosetting resin, and the linear expansion coefficients of the two materials are different. As described above, the lead frame multi-sided body MS is formed with a portion of the reflector resin portion 20b and the frame body resin portion 20c (resin on the surface side of the frame body F) on the front surface side. A lot of resin is formed on the side. Therefore, if the frame body resin portion 20c on the back surface side of the frame body F is not formed, warping occurs in the multi-faced body R of the lead frame with resin due to the difference in the linear expansion coefficient during the resin curing process. Will end up.

上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、線膨張率の調整自体をすることができない。
そのため、本実施形態では、枠体Ｆの裏面全面に枠体樹脂部２０ｃが設けられているため、リードフレーム１０の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等になるように近づけることができる。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、上述の反りの発生を抑制することができる。 In order to suppress the occurrence of the warp, a specific filler (powder) may be included in the resin of the light reflecting resin layer 20 so that the linear expansion coefficient is close to that of the metal of the lead frame 10. However, in order to maintain the light reflection characteristics of the light reflecting resin layer 20, the filler content is limited, and the linear expansion coefficient of the resin may not be sufficiently close to that of the metal. Further, when a thermoplastic resin is used as the resin, the linear expansion coefficient cannot be adjusted itself.
Therefore, in this embodiment, since the frame body resin portion 20c is provided on the entire back surface of the frame body F, the amount of resin formed on the front and back surfaces of the lead frame 10 can be made close to each other. . Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with a resin according to the present embodiment can suppress the occurrence of the above-described warpage in the curing process of the resin.

また、枠体Ｆの裏面側の枠体樹脂部２０ｃは、その内周縁が、枠体Ｆに隣接するリードフレーム１０の外形線（図４（ａ）中の破線）の一部と重なるように形成されている。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上記反りの抑制効果をより効果的に奏することができるとともに、枠体樹脂部２０ｃが、個片化された光半導体装置１の裏面から突出して残存してしまうのを防ぐことができる。
本実施形態では、枠体樹脂部２０ｃは、表面側の樹脂の厚みと裏面側の樹脂の厚みとがほぼ同等に形成される。 Further, the inner periphery of the frame body resin portion 20c on the back surface side of the frame body F overlaps with a part of the outline of the lead frame 10 adjacent to the frame body F (broken line in FIG. 4A). Is formed. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin can more effectively exhibit the effect of suppressing the warp, and the frame body resin portion 20c protrudes from the back surface of the separated optical semiconductor device 1. Can be prevented from remaining.
In the present embodiment, the frame body resin portion 20c is formed so that the thickness of the resin on the front surface side and the thickness of the resin on the back surface side are substantially equal.

側面樹脂部２０ｄは、枠体樹脂部２０ｃに連接して枠体Ｆの外周側面の全面に形成された樹脂層である。すなわち、側面樹脂部２０ｄは、枠体Ｆの表裏面を挟み込むようにして形成された枠体樹脂部２０ｃの表面側の樹脂及び裏面側の樹脂と結合している。
樹脂付きリードフレームの多面付け体は、図５に示すように、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケース５０に収納される。樹脂付きリードフレームの多面付け体は、側面樹脂部２０ｄが形成されていない場合、その外周側面から、枠体Ｆの外周側面の金属面が表出する。そのため、樹脂付きリードフレームの多面付け体は、その収納の時に、枠体Ｆの外周側面と収納ケース５０のレール５１とが摩擦接触し、枠体から金属粉が発生してしまう場合があった。この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部１１、１２間を短絡させてしまう場合があり、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。
そのため、本実施形態では、枠体Ｆの外周側面に側面樹脂部２０ｄを形成し、枠体Ｆの外周側面が収納ケース５０のレール５１に接触しても、側面樹脂部２０ｄがレール５１と接触することとなり、上記金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述したような不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを回避することができる。 The side resin portion 20d is a resin layer formed on the entire outer peripheral side surface of the frame F so as to be connected to the frame resin portion 20c. That is, the side surface resin portion 20d is combined with the resin on the front surface side and the resin on the back surface side of the frame body resin portion 20c formed so as to sandwich the front and back surfaces of the frame F.
As shown in FIG. 5, the multi-sided body of the lead frame with resin is stored in a storage case 50 in which a plurality of sheets are stacked at a predetermined interval. When the side resin portion 20d is not formed in the multi-sided body of the lead frame with resin, the metal surface of the outer peripheral side surface of the frame F is exposed from the outer peripheral side surface. Therefore, in the multi-faced body of the lead frame with resin, the outer peripheral side surface of the frame body F and the rail 51 of the storage case 50 may come into frictional contact when the housing is stored, and metal powder may be generated from the frame body. . If the metal powder adheres to the lead frame, the terminal portions 11 and 12 may be short-circuited, and the optical semiconductor device 1 having a problem such that the LED element 2 cannot emit light is manufactured. It was.
Therefore, in this embodiment, the side resin portion 20d is formed on the outer peripheral side surface of the frame F, and the side resin portion 20d is in contact with the rail 51 even if the outer peripheral side surface of the frame F contacts the rail 51 of the storage case 50. Therefore, generation of the metal powder can be prevented. Thereby, the multi-faced assembly R of the lead frame with resin can avoid the optical semiconductor device 1 having the above-described defects from being manufactured.

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。 The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. Since it is necessary to obtain chemical adhesion with the lead frame, a thermosetting resin is desirable.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. As illustrated in FIG. 1, the transparent resin layer 30 is formed on the LED terminal surfaces 11 a and 12 a surrounded by the reflector resin portion 20 b of the light reflecting resin layer 20.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図６においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 6 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 6A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 6B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG. 6C shows the metal substrate 100 after the etching process. FIG. 6D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 6E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 6, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a multi-faced body MS of the lead frame is manufactured from one metal substrate 100.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図６（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 6A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front surface and back surface that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 6B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive solution using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, in the lead frame 10, the outer peripheries of the terminal portions 11, 12, the space penetrating like the gap portion S between the terminal portions 11, 12, the concave portion M, and the back surface of the connecting portion 13. There is a recessed space where the thickness is reduced without penetrating (see FIG. 3). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 6C, terminal portions 11 and 12 having recesses M are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100.

次に、図６（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 6D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 6 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame body F as shown in FIGS. In FIGS. 2 and 3, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図７は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図８は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図８（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図８（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図８（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図８においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図８（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 7 is a view showing a multi-faced body of the optical semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 8 is a diagram for explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
8A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED element 2 is electrically connected. . FIG. 8C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 8D shows a cross-sectional view of the optical semiconductor device 1 separated by dicing.
In FIG. 8, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100. 8A to 8D are each based on the cross-sectional view of FIG.

図８（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。更に、枠体樹脂部２０ｃが、枠体Ｆの表面及び裏面の全面に形成されるとともに、それに連接して、側面樹脂部２０ｄも枠体Ｆの外周側面の全面に形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
以上により、図４に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。 As shown in FIG. 8A, the light reflecting resin layer 20 is formed by filling the outer periphery of the lead frame 10 formed by etching on the metal substrate 100 with the resin having the above-described light reflection characteristics. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting resin, for example, transfer molding or injection molding (injection molding), or lead frame 10 It is formed by a method such as screen printing of resin. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 to the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13, and the frame resin portion 20 a is formed and joined to the lead frame 10.
At the same time, the reflector resin portion 20b is formed so as to protrude to the surface side of the lead frame and surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, respectively. Further, the frame body resin portion 20c is formed on the entire surface of the front and back surfaces of the frame F, and the side resin portion 20d is also formed on the entire outer peripheral side surface of the frame F in connection therewith. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin is in a state in which the LED terminal surfaces 11a and 12a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 are exposed on the front and back surfaces, respectively. (See FIG. 4 (a) and FIG. 4 (b)).
In this way, the multi-faced body R of the lead frame with resin shown in FIG. 4 is formed.

次に、図８（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 8B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図８（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図７に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図８（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図７中の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 And as shown in FIG.8 (c), the transparent resin layer 30 is formed so that the LED element 2 enclosed by the reflector resin part 20b may be covered.
The transparent resin layer 30 may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. As described above, as shown in FIG. 7, the multi-faced body of the optical semiconductor device is manufactured.
Finally, as shown in FIG. 8D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 is formed in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1 (broken line in FIG. 7). By cutting (dicing, punching, cutting, etc.), the optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (divided into one package) is obtained.

次に、上述の図８（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図９は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図９（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図９（ｂ）〜図９（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１０は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図９及び図１０において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。 Next, transfer molding and injection molding for forming the light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10 in FIG. 8A will be described.
FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of transfer molding. FIG. 9A is a diagram for explaining the configuration of the mold, and FIGS. 9B to 9I are diagrams for explaining the steps until the multi-faced body R of the lead frame with resin is completed. It is.
FIG. 10 is a diagram for explaining the outline of injection molding. FIG. 10A to FIG. 10C are diagrams for explaining the process until the multifaceted body R of the lead frame with resin is completed.
9 and 10, for the sake of clarity, a diagram in which the light reflecting resin layer 20 is formed on a single lead frame 10 is shown. Actually, however, the lead frame multifaceted body MS is shown. A light reflecting resin layer 20 is formed.

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図９（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図９（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図９（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。 (Transfer molding)
In the transfer molding, as shown in FIG. 9A, a mold 110 including an upper mold 111 and a lower mold 112 is used.
First, the operator heats the upper mold 111 and the lower mold 112, and then places the multi-faced body MS of the lead frame between the upper mold 111 and the lower mold 112 as shown in FIG. 9B. The pot portion 112a provided with the lower mold 112 is filled with a resin that forms the light reflecting resin layer 20.
Then, as shown in FIG. 9C, the upper mold 111 and the lower mold 112 are closed (clamping), and the resin is heated. When the resin is sufficiently heated, as shown in FIGS. 9 (d) and 9 (e), pressure is applied to the resin by the plunger 113 to fill (transfer) the resin into the mold 110, and the predetermined The pressure is kept constant for a period of time.

所定の時間の経過後、図９（ｆ）及び図９（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図９（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図９（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 9 (f) and 9 (g), the upper mold 111 and the lower mold 112 are opened, and light is emitted from the upper mold 111 by the ejector pins 111 a provided on the upper mold 111. The lead frame multi-faced body MS in which the reflective resin layer 20 is molded is removed. Thereafter, as shown in FIG. 9 (h), the excess resin portion such as the flow path (runner) portion of the upper mold 111 is removed from the product portion, and the light reflection is performed as shown in FIG. 9 (i). A multi-faced body R of a lead frame with a resin on which the resin layer 20 is formed is completed.

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図１０（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。 (Injection molding)
As shown in FIG. 10A, the injection molding uses a mold 120 including a nozzle plate 121, a sprue plate 122, a runner plate 123 (upper mold), a lower mold 124, and the like in order from the top.
First, the operator arranges the multi-faced body MS of the lead frame between the runner plate 123 and the lower mold 124, and closes the mold 120 (clamping).
Then, as shown in FIG. 10B, the nozzle 125 is disposed in the nozzle hole of the nozzle plate 121, and the resin that forms the light reflecting resin layer 20 is injected into the mold 120. The resin injected from the nozzle 125 passes through the sprue 122a of the sprue plate 122, passes through the runner 123a and the gate sprue 123b of the runner plate 123, and then in the mold 120 in which the multifaceted body MS of the lead frame is arranged. Filled with resin.

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図１０（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After holding for a predetermined time after the resin is filled, the operator opens the runner plate 123 from the lower mold 124 and reflects light by the ejector pins 124a provided on the lower mold 124 as shown in FIG. The lead frame multi-faced body MS on which the resin layer 20 is formed is removed from the lower mold 124. Then, excess burrs and the like are removed from the multi-sided body MS of the lead frame on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and the multi-sided body R of the lead frame with resin is completed.

なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。   In the injection molding die 120 of the present embodiment, the resin flow path is branched from a single sprue to a plurality of gates via a runner, so that the multi-faced body MS of the lead frame is Resin is injected evenly from multiple locations. As a result, the resin can be appropriately filled in each lead frame 10 of the multi-sided body MS of the lead frame, and a multi-sided body R of the lead frame with resin without resin unevenness can be obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの外周側面の全面に側面樹脂部２０ｄが形成されているので、収納ケース５０に収納された場合においても、レール５１との接触により金属粉が枠体Ｆの外周側面から発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを抑制することができる。
また、電子線硬化樹脂を用いた場合、側面樹脂部２０ｄは厚み方向に金属が存在する他の部分に比べ電子線が透過し易く、硬化が促進されやすいため、枠体Ｆの樹脂がより強固となり好適である。
（２）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に枠体樹脂部２０ｃが形成されているので、光反射樹脂層２０の成形過程において、リフレクタ樹脂部２０ｂの存在により樹脂付きリードフレームに反りが生じてしまうのを抑制することができる。
また、電子線硬化樹脂を用いた場合、成形加工後の電子線照射による硬化収縮が大きいが、成形時に枠体Ｆの裏面にも光反射樹脂層２０の樹脂が充填されているため、成形過程だけでなく、電子線照射による硬化時においての反りの発生も抑制することが可能である。
（３）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの表面及び裏面に枠体樹脂部２０ｃが形成されているので、側面樹脂部２０ｄを、枠体Ｆの表面側及び裏面側から枠体樹脂部２０ｃと結合させることができる。これにより、側面樹脂部２０ｄが、枠体Ｆの外周側面から剥離してしまうのを抑制することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the side surface resin portion 20d is formed on the entire outer peripheral side surface of the frame F, the multi-faced body R of the lead frame with resin has contact with the rail 51 even when stored in the storage case 50. Therefore, it is possible to prevent the metal powder from being generated from the outer peripheral side surface of the frame F. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin can suppress the production of the optical semiconductor device 1 having a defect such that the LED element 2 cannot emit light.
Further, when the electron beam curable resin is used, the side surface resin portion 20d is more permeable to the electron beam than other portions where metal exists in the thickness direction, and the curing is easily promoted, so that the resin of the frame F is stronger. It is suitable.
(2) Since the frame body resin portion 20c is formed on the back surface of the frame F, the multifaceted body R of the lead frame with resin has a resin due to the presence of the reflector resin portion 20b in the molding process of the light reflecting resin layer 20. It is possible to suppress warping of the attached lead frame.
In addition, when an electron beam curable resin is used, curing shrinkage due to electron beam irradiation after molding is large, but the back surface of the frame F is filled with the resin of the light reflecting resin layer 20 at the time of molding. In addition, it is possible to suppress the occurrence of warpage during curing by electron beam irradiation.
(3) Since the frame body resin portion 20c is formed on the front and back surfaces of the frame F, the multifaceted body R of the lead frame with resin has the side resin portions 20d from the front and back sides of the frame F. It can be combined with the frame resin portion 20c. Thereby, it can suppress that the side resin part 20d peels from the outer peripheral side surface of the frame F.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１１は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１１（ｃ）、図１１（ｄ）は、それぞれ図１１（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body R of the lead frame with resin according to the second embodiment. 11 (a) and 11 (b) show a plan view and a back view, respectively, of the multifaceted body R of the lead frame with resin, and FIGS. 11 (c) and 11 (d) are respectively the same as FIG. 11 (a). Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面に形成される枠体樹脂部２２０ｃの形状が、第１実施形態の枠体樹脂部２０ｃの形状と相違する。
光反射樹脂層２２０は、図１１に示すように、フレーム樹脂部２２０ａと、リフレクタ樹脂部２２０ｂと、枠体樹脂部２２０ｃと、側面樹脂部２２０ｄとから構成される。
枠体樹脂部２２０ｃは、枠体Ｆの表面及び裏面の全面に形成される樹脂層である。また、枠体樹脂部２２０ｃは、枠体Ｆの裏面側の樹脂の厚みが、表面側の樹脂の厚みよりも厚く形成されている。より具体的には、枠体Ｆの表面側の枠体樹脂部２２０ｃは、その厚み寸法が、リフレクタ樹脂部２２０ｂの厚み寸法よりも小さく、極力薄くなるように形成されている。これに対して、枠体Ｆの裏面側の枠体樹脂部２２０ｃは、その厚み寸法が、表面側の枠体樹脂部２２０ｃの厚み寸法よりも大きくなるように形成され、本実施形態では、リフレクタ樹脂部２２０ｂの厚み寸法とほぼ同等に形成されている。 In the multifaceted body R of the lead frame with resin of the second embodiment, the shape of the frame resin portion 220c formed on the back surface of the frame F is different from the shape of the frame resin portion 20c of the first embodiment.
As shown in FIG. 11, the light reflecting resin layer 220 includes a frame resin portion 220a, a reflector resin portion 220b, a frame body resin portion 220c, and a side surface resin portion 220d.
The frame body resin portion 220c is a resin layer formed on the entire front and back surfaces of the frame F. The frame body resin portion 220c is formed such that the thickness of the resin on the back surface side of the frame body F is larger than the thickness of the resin on the front surface side. More specifically, the frame body resin portion 220c on the front surface side of the frame body F is formed so that its thickness dimension is smaller than the thickness dimension of the reflector resin portion 220b and is as thin as possible. On the other hand, the frame body resin portion 220c on the back surface side of the frame body F is formed so that the thickness dimension thereof is larger than the thickness dimension of the frame body resin portion 220c on the front surface side. The resin portion 220b is formed to be approximately equal to the thickness dimension.

これにより、本実施形態の枠体樹脂部２２０ｃは、リードフレーム１０の表裏面に形成される光反射樹脂層２２０の樹脂量を均等若しくは略均等にすることができ、上記反りの発生を抑制することができる。
なお、枠体樹脂部２２０ｃの厚み寸法は、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面に対するリフレクタ樹脂部２２０ｂや枠体Ｆの表面側の枠体樹脂部２２０ｃの占有率や、これらの樹脂部の厚み寸法等に応じて適宜変更することができる。 Thereby, the frame body resin part 220c of this embodiment can make the resin amount of the light reflection resin layer 220 formed on the front and back surfaces of the lead frame 10 equal or substantially equal, and suppress the occurrence of the warp. be able to.
The thickness dimension of the frame body resin portion 220c is determined by the occupancy ratio of the reflector resin portion 220b and the frame body resin portion 220c on the surface side of the frame body F with respect to the surface of the multifaceted body MS of the lead frame, and the thicknesses of these resin portions. It can be appropriately changed according to the dimensions and the like.

以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様の効果を奏することができる。特に、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、上述したように、枠体Ｆの裏面側の枠体樹脂部２２０ｃの厚みを、表面側の枠体樹脂部２２０ｃの厚みよりも厚く形成しているので、リードフレーム１０の表裏面に形成される樹脂量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、反りが発生してしまうのを、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの場合よりも効果的に抑制することができる。   With the above configuration, the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the present embodiment can achieve the same effects as the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the first embodiment described above. In particular, as described above, the multifaceted body R of the lead frame with resin is formed such that the thickness of the frame body resin portion 220c on the back surface side of the frame body F is larger than the thickness of the frame body resin portion 220c on the front surface side. Therefore, the amount of resin formed on the front and back surfaces of the lead frame 10 is made equal or substantially equal. As a result, the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the present embodiment is warped during the resin curing process, as compared with the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the first embodiment. Can also be effectively suppressed.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図１２は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）は、それぞれ図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１３は、第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame of the third embodiment. 12 (a) and 12 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame, and FIGS. 12 (c) and 12 (d) are views of FIG. 12 (a), respectively. A cc sectional view and a dd sectional view are shown.
FIG. 13 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin according to the third embodiment. FIGS. 13A and 13B are a plan view and a back view, respectively, of a multifaceted body R of a lead frame with a resin, and FIGS. 13C and 13D are FIGS. Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの形状が、第１実施形態の枠体Ｆの形状と相違する。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材である。枠体Ｆは、図１２に示すように、その裏面全面が、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。より具体的には、枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。
光反射樹脂層３２０は、図１３に示すように、フレーム樹脂部３２０ａと、リフレクタ樹脂部３２０ｂと、枠体樹脂部３２０ｃと、側面樹脂部３２０ｄとから構成される。
枠体樹脂部３２０ｃは、枠体Ｆの表面及び裏面の全面に形成される樹脂層である。また、枠体樹脂部３２０ｃは、枠体Ｆの裏面側に形成される樹脂が、枠体Ｆの段部Ｄ上に形成され、フレーム樹脂部３２０ａと結合している。そのため、枠体樹脂部３２０ｃは、その裏面が、フレーム樹脂部３２０ａの裏面及び端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成しており、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面を平坦にする。 The multi-faced body R of the lead frame with resin of the third embodiment is different from the shape of the frame F of the first embodiment in the shape of the frame F.
The frame body F is a member that fixes the lead frame 10 for each aggregate G of the lead frames 10. As shown in FIG. 12, the frame body F is formed with a step portion D so that the entire back surface is recessed with respect to the external terminal surfaces 11 b and 12 b of the terminal portions 11 and 12. More specifically, the stepped portion D of the frame body F has a recessed surface that is flush with the back surface of the connecting portion 13.
As shown in FIG. 13, the light reflecting resin layer 320 includes a frame resin portion 320a, a reflector resin portion 320b, a frame body resin portion 320c, and a side surface resin portion 320d.
The frame body resin portion 320c is a resin layer formed on the entire front and back surfaces of the frame F. In the frame body resin portion 320c, the resin formed on the back surface side of the frame body F is formed on the step portion D of the frame body F and is coupled to the frame resin portion 320a. Therefore, the back surface of the frame body resin portion 320c forms substantially the same plane as the back surface of the frame resin portion 320a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12, and the multifaceted body of the lead frame with resin The back surface of R is flattened.

以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態の樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面を平坦にすることができるので、特殊な治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。 With the above configuration, the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the present embodiment can achieve the same effects as the multi-faceted body R of the lead frame with resin of the first embodiment described above.
Moreover, since the back surface of the multifaceted body R of the lead frame with resin of the present embodiment can be flattened, it can be placed on a transport device or the like without requiring a special jig.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１４は、第４実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１４（ｃ）、図１４（ｄ）は、それぞれ図１４（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin according to the fourth embodiment. 14 (a) and 14 (b) are a plan view and a back view, respectively, of the multifaceted body R of the lead frame with resin, and FIGS. 14 (c) and 14 (d) are respectively the same as FIG. 14 (a). Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第４実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体樹脂部４２０ｃの形状が、第１実施形態の枠体樹脂部２０ｃの形状と相違する。
光反射樹脂層４２０は、図１４に示すように、フレーム樹脂部４２０ａと、リフレクタ樹脂部４２０ｂと、枠体樹脂部４２０ｃと、側面樹脂部４２０ｄとから構成される。
枠体樹脂部４２０ｃは、枠体Ｆの裏面の全面にのみ形成される樹脂層である。そのため、枠体Ｆの表面には、樹脂が形成されず金属面が表出する部分が存在することとなる。本実施形態の枠体樹脂部４２０ｃは、その厚み寸法が、リフレクタ樹脂部４２０ｂの厚み寸法と同等に形成されている。
側面樹脂部４２０ｄは、枠体樹脂部４２０ｃに連接して枠体Ｆの外周側面の全面に形成された樹脂層であり、枠体Ｆの裏面に形成された枠体樹脂部４２０ｃと結合している。 In the multifaceted body R of the lead frame with resin of the fourth embodiment, the shape of the frame body resin portion 420c is different from the shape of the frame body resin portion 20c of the first embodiment.
As shown in FIG. 14, the light reflecting resin layer 420 includes a frame resin portion 420a, a reflector resin portion 420b, a frame body resin portion 420c, and a side surface resin portion 420d.
The frame resin portion 420c is a resin layer formed only on the entire back surface of the frame F. Therefore, on the surface of the frame F, there is a portion where the resin is not formed and the metal surface is exposed. The frame resin portion 420c of the present embodiment has a thickness dimension equivalent to the thickness dimension of the reflector resin portion 420b.
The side resin portion 420d is a resin layer formed on the entire outer peripheral side surface of the frame body F so as to be connected to the frame body resin portion 420c, and is coupled to the frame body resin portion 420c formed on the back surface of the frame body F. Yes.

以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様に、収納ケース５０に収納された場合に、レール５１との接触により外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、ＬＥＤ素子２を発光することができなくなる等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを抑制することができる。
また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面にのみ枠体樹脂部２２０ｃを形成しているので、リードフレーム１０の表裏面に形成される樹脂量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、反りが発生してしまうのを第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの場合よりも効果的に抑制することができる。
更に、枠体Ｆの表面側に樹脂が形成されずに、金属面が表出する部分が設けられているので、その金属面に、アライメントマークを付すことができ、枠体Ｆを基準とした位置決めを行うことができる。なお、金属面には、アライメントマークの他に、ダイシング、ボンディング等のマークを付すことも可能である。 With the above configuration, the multi-faced body R of the resin-attached lead frame of the present embodiment is stored in the storage case 50 in the same manner as the multi-faceted body R of the resin-attached lead frame of the first embodiment described above. It can prevent that metal powder will generate | occur | produce from an outer peripheral side surface by the contact with the rail 51. FIG. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin can suppress the production of the optical semiconductor device 1 having a defect such that the LED element 2 cannot emit light.
In addition, since the multi-faced body R of the lead frame with resin forms the frame body resin portion 220c only on the back surface of the frame body F, the amount of resin formed on the front and back surfaces of the lead frame 10 is made equal or substantially equal. To do. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin according to the present embodiment causes the warpage to occur in the curing process of the resin more than the case of the multi-faced body R with the lead frame with resin according to the first embodiment. It can be effectively suppressed.
Furthermore, since the resin surface is not formed on the surface side of the frame body F and a portion where the metal surface is exposed is provided, an alignment mark can be attached to the metal surface, and the frame body F is used as a reference. Positioning can be performed. In addition to the alignment marks, marks such as dicing and bonding can be attached to the metal surface.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１５は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１５（ａ）、図１５（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１５（ｃ）、図１５（ｄ）は、それぞれ図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１６は、第５実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１６（ａ）、図１６（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１６（ｃ）、図１６（ｄ）は、それぞれ図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a diagram for explaining the details of the multi-faced body MS of the lead frame of the fifth embodiment. FIGS. 15A and 15B are a plan view and a back view, respectively, of the multi-faced body MS of the lead frame, and FIGS. 15C and 15D are views of FIG. 15A, respectively. A cc sectional view and a dd sectional view are shown.
FIG. 16 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin according to the fifth embodiment. 16 (a) and 16 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body R of the lead frame with resin, respectively, and FIGS. 16 (c) and 16 (d) respectively show FIG. 16 (a). Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第５実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆ及び枠体樹脂部５２０ｃの形状が、第１実施形態の枠体Ｆ及び枠体樹脂部２０ｃの形状と相違する。
枠体Ｆは、図１５に示すように、その裏面全面が、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂに対して窪むように段部Ｄが形成されている。より具体的には、枠体Ｆの段部Ｄは、その窪んだ面が、連結部１３の裏面と同一平面を形成している。
光反射樹脂層５２０は、図１６に示すように、フレーム樹脂部５２０ａと、リフレクタ樹脂部５２０ｂと、枠体樹脂部５２０ｃと、側面樹脂部５２０ｄとから構成される。 In the multifaceted body R of the lead frame with resin of the fifth embodiment, the shapes of the frame body F and the frame body resin portion 520c are different from the shapes of the frame body F and the frame body resin portion 20c of the first embodiment.
As shown in FIG. 15, the frame body F is formed with a step portion D so that the entire back surface is recessed with respect to the external terminal surfaces 11 b and 12 b of the terminal portions 11 and 12. More specifically, the stepped portion D of the frame body F has a recessed surface that is flush with the back surface of the connecting portion 13.
As shown in FIG. 16, the light reflecting resin layer 520 includes a frame resin portion 520a, a reflector resin portion 520b, a frame body resin portion 520c, and a side surface resin portion 520d.

枠体樹脂部５２０ｃは、枠体Ｆの裏面の全面にのみ形成される樹脂層である。そのため、枠体Ｆの表面には、樹脂が形成されず金属面が表出する部分が存在することとなる。枠体樹脂部５２０ｃは、枠体Ｆの段部Ｄ上に形成され、フレーム樹脂部５２０ａと結合している。また、枠体樹脂部５２０ｃは、その裏面が、フレーム樹脂部５２０ａの裏面及び端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成しており、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの裏面を平坦にする。
側面樹脂部５２０ｄは、枠体樹脂部５２０ｃに連接して枠体Ｆの外周側面の全面に形成された樹脂層であり、枠体Ｆの裏面に形成された枠体樹脂部５２０ｃと結合している。 The frame body resin portion 520 c is a resin layer formed only on the entire back surface of the frame body F. Therefore, on the surface of the frame F, there is a portion where the resin is not formed and the metal surface is exposed. The frame body resin portion 520c is formed on the step portion D of the frame body F and is coupled to the frame resin portion 520a. The frame body resin portion 520c has a back surface that is substantially flush with the back surface of the frame resin portion 520a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12, and is a multi-faced body of a lead frame with resin. The back surface of R is flattened.
The side resin portion 520d is a resin layer that is connected to the frame body resin portion 520c and is formed on the entire outer peripheral side surface of the frame body F, and is coupled to the frame body resin portion 520c formed on the back surface of the frame body F. Yes.

以上の構成により、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、上述の第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒと同様に、収納ケース５０に収納された場合に、レール５１との接触により外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、ＬＥＤ素子２を発光することができなくなる等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを抑制することができる。   With the above configuration, the multi-faced body R of the resin-attached lead frame of the present embodiment is stored in the storage case 50 in the same manner as the multi-faceted body R of the resin-attached lead frame of the first embodiment described above. It can prevent that metal powder will generate | occur | produce from an outer peripheral side surface by the contact with the rail 51. FIG. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin can suppress the production of the optical semiconductor device 1 having a defect such that the LED element 2 cannot emit light.

また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの裏面にのみ枠体樹脂部２２０ｃを形成しているので、リードフレーム１０の表裏面に形成される樹脂量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、樹脂の硬化過程において、上述の反りが発生してしまうのを抑制することができる。
更に、本実施形態の樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面を平坦にすることができるので、特殊な治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。
また、樹脂つきリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの表面側に樹脂が形成されずに、金属面が表出する部分が設けられているので、その金属面に、アライメントマークを付することができ、枠体Ｆを基準とした位置決めを行うことができる。なお、金属面には、アライメントマークの他に、ダイシング、ボンディング等のマークを付すことも可能である。 In addition, since the multi-faced body R of the lead frame with resin forms the frame body resin portion 220c only on the back surface of the frame body F, the amount of resin formed on the front and back surfaces of the lead frame 10 is made equal or substantially equal. To do. Thereby, the multi-faced body R of the lead frame with resin of the present embodiment can suppress the occurrence of the above-described warpage during the resin curing process.
Furthermore, since the back surface of the multifaceted body R of the lead frame with resin of the present embodiment can be flattened, it can be placed on a transport device or the like without requiring a special jig.
In addition, since the multi-faced body R of the lead frame with resin is not formed with resin on the surface side of the frame body F, and a metal surface is exposed, an alignment mark is attached to the metal surface. And positioning based on the frame F can be performed. In addition to the alignment marks, marks such as dicing and bonding can be attached to the metal surface.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１７は、本発明の変形形態の樹脂付リードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。
図１８は、本発明の変形形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態においては、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、枠体Ｆの外周側面の全面に側面樹脂部２０ｄが形成される例を示したがこれに限定されない。例えば、図１７（ａ）に示すように、側面樹脂部６２０ｄは、枠体Ｆの外周側面のうち収納ケース５０に挿入される方向（Ｘ方向）に平行な辺の側面に形成されるようにしてもよい。こうすることで、レール５１と金属面とが接触しない部分に対しては、樹脂部を形成するのを省略することができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒで使用する樹脂量を低減することができる。
また、図１７（ｂ）に示すように、側面樹脂部７２０ｄは、枠体Ｆの収納ケース５０に挿入される方向（例えば、枠体Ｆの長手方向）に平行な辺の側面に、収納ケース５０のレール５１との挿入に支障がない程度に、部分的に形成してもよい。 FIG. 17 is a view showing a multifaceted body R of a lead frame with resin according to a modification of the present invention.
FIG. 18 is a diagram showing a multifaceted body of an optical semiconductor device according to a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In each of the embodiments, the multifaceted body R of the lead frame with a resin has been illustrated in which the side resin portion 20d is formed on the entire outer peripheral side surface of the frame F, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 17A, the side surface resin portion 620d is formed on the side surface of the side parallel to the direction (X direction) inserted into the storage case 50 among the outer peripheral side surfaces of the frame F. May be. By doing so, it is possible to omit the formation of the resin portion for the portion where the rail 51 does not contact the metal surface, and the amount of resin used in the multi-faced body R of the lead frame with resin is reduced. be able to.
Further, as shown in FIG. 17B, the side resin portion 720d is provided on the side surface of the side parallel to the direction in which the frame F is inserted into the storage case 50 (for example, the longitudinal direction of the frame F). You may form partially so that insertion with 50 rails 51 may not interfere.

（２）各実施形態において、枠体Ｆの裏面に形成される枠体樹脂部２０ｃは、枠体Ｆの裏面全面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、枠体Ｆの裏面のうち、端子部１１、１２間の空隙部Ｓに対応する位置にのみ枠体樹脂部を形成するようにしてもよい。こうすることで、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光反射樹脂層で使用する樹脂量を更に低減することができる。
また、枠体Ｆの表面側の枠体樹脂部２０ｃについても、同様に、枠体Ｆの表面全面に形成される場合に限定されず、枠体Ｆの表面の一部に形成されるようにしてもよい。
更に、枠体Ｆにアライメントマークや、治具孔が設けられている場合、枠体樹脂部は、このアライメントマークや治具孔を避けるようにして形成されるようにしてもよい。こうすることで、枠体Ｆを枠体樹脂部で覆うような構成とした場合においても、枠体Ｆに設けられたアライメントマークや治具孔を利用することができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒのアライメントや搬送を容易にすることができる。 (2) In each embodiment, although the frame resin part 20c formed in the back surface of the frame F showed the example formed in the whole back surface of the frame F, it is not limited to this. For example, the frame body resin portion may be formed only at a position corresponding to the gap S between the terminal portions 11 and 12 on the back surface of the frame F. By doing so, the multifaceted body R of the lead frame with resin can further reduce the amount of resin used in the light reflecting resin layer.
Similarly, the frame resin portion 20c on the surface side of the frame F is not limited to being formed on the entire surface of the frame F, and is formed on a part of the surface of the frame F. May be.
Furthermore, when the alignment mark and jig hole are provided in the frame body F, the frame body resin portion may be formed so as to avoid the alignment mark and jig hole. By doing so, even when the frame F is configured to be covered with the frame resin portion, the alignment marks and jig holes provided on the frame F can be used, and the multiple faces of the lead frame with resin can be used. The attachment R can be easily aligned and transported.

（３）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１８に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（８１１）にはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（８１２）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。
（４）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。 (3) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with the 3 or more terminal part. For example, as shown in FIG. 18, three terminal portions are provided, LED element 2 is mounted on one (811), and LED element 2 is connected to the other two (812) via bonding wire 2a. You may connect.
(4) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions. In this case, the outer shapes of the two terminal portions may be formed equally.

（５）第１実施形態、第２実施形態、第４実施形態において、枠体樹脂部２０ｃは、その内周縁が、リフレクタ樹脂部２２０ｂの外形とほぼ重なる位置に形成されている例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、枠体樹脂部は、その内周縁が、リフレクタ樹脂部２２０ｂの外形よりも外側に位置するように形成してもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (5) In the first embodiment, the second embodiment, and the fourth embodiment, the frame resin portion 20c has an example in which the inner peripheral edge is formed at a position that substantially overlaps the outer shape of the reflector resin portion 220b. However, the present invention is not limited to this. For example, the frame body resin portion may be formed such that its inner peripheral edge is located outside the outer shape of the reflector resin portion 220b.
(6) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
２０ｃ 枠体樹脂部
３０ 透明樹脂層
５０ 収納ケース
５１ レール
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical semiconductor device 2 LED element 10 Lead frame 11 Terminal part 12 Terminal part 13 Connection part 20 Light reflection resin layer 20a Frame resin part 20b Reflector resin part 20c Frame body resin part 30 Transparent resin layer 50 Storage case 51 Rail F Frame G Assembly M Recess MS Multi-faceted body of lead frame R Multi-faceted body of lead frame with resin S Air gap

Claims (6)

複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部と、前記リードフレームの表面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部と、前記枠体の表面又は裏面の少なくとも一部に形成され前記フレーム樹脂部に連接する枠体樹脂部と、前記枠体樹脂部に連接し前記枠体の外周側面の少なくとも一部に形成される側面樹脂部とから構成される樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。 A lead frame multi-faced body having a plurality of terminal portions, and a lead frame used in an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element is connected to at least one surface of the terminal parts;
A frame resin portion formed between the outer periphery of the lead frame and the terminal portion, a reflector resin portion formed to protrude from the surface of the lead frame, and formed on at least a part of the front surface or the back surface of the frame body A resin layer composed of a frame resin portion connected to the frame resin portion, and a side resin portion connected to the frame resin portion and formed on at least a part of the outer peripheral side surface of the frame;
A multi-faceted body of a lead frame with resin comprising: 請求項１に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体は、その裏面の少なくとも一部が、前記端子部の裏面に対して窪んでおり、
前記枠体樹脂部は、前記枠体の窪んだ部分に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 1,
The frame body has at least a part of the back surface recessed with respect to the back surface of the terminal portion,
The frame resin portion is formed in a recessed portion of the frame;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１又は請求項２に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、前記枠体の裏面に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 1 or 2,
The frame body resin portion is formed on a back surface of the frame;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１又は請求項２に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、前記枠体の両面に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 1 or 2,
The frame resin part is formed on both sides of the frame;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項４に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、前記枠体の裏面側の樹脂の厚みが、表面側の樹脂の厚みよりも厚く形成されていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 4,
The frame resin part is formed such that the thickness of the resin on the back side of the frame is thicker than the thickness of the resin on the front side,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 A multi-faced body of a resin-attached lead frame according to any one of claims 1 to 5,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of each lead frame of the multi-faced body of the resin-attached lead frame;
A transparent resin layer that is formed on a surface to which the optical semiconductor element is connected of the multifaceted body of the lead frame with resin, and covers the optical semiconductor element;
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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