JP2015032699A - Multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, multifaceted body of optical semiconductor device, lead frame, lead frame with resin, and optical semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multifaceted body of lead frame, a multifaceted body of lead frame with resin, a multifaceted body of optical semiconductor device, a lead frame, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device which allows for enhancement of cutting efficiency.SOLUTION: A multifaceted body MS of lead frame includes a lead frame 10 multifaceted to a frame F, and used for an optical semiconductor device 1 to which an LED element 2 is connected. The frame F includes a first intermediate frame part F2, in a package region forming the outline of the optical semiconductor device 1.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a multifaceted body of a lead frame for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a multifaceted body of a lead frame with resin, a multifaceted body of an optical semiconductor device, a lead frame, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device It is about.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって製造される。
ここで、このようなリードフレームの多面付け体は、多面付けされたリードフレームを囲むようにして枠体が形成されているが、光半導体装置の製造過程において、ハンドリング等された場合に変形したり、多面付けされる各リードフレームが枠体に対して捩れたり、それぞれの間隔がずれたりしてしまう場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
In such an optical semiconductor device, a resin layer is formed on a multi-sided lead frame (a multi-sided body of a lead frame) to produce a multi-sided body of a lead frame with resin, and the optical semiconductor elements are electrically connected. It is manufactured by forming a transparent resin layer and cutting it into package units.
Here, the multifaceted body of such a lead frame is formed so as to surround the multifaceted leadframe, but it is deformed when handled in the manufacturing process of the optical semiconductor device, In some cases, the multiple lead frames are twisted with respect to the frame body, and the respective intervals are shifted.

特開２０１３−１１５１１５号公報JP2013-115115A

上述のような問題を回避するために、多面付けされるリードフレームの外周だけでなく、各リードフレーム間にも金属部材からなる枠体を形成し、リードフレームの多面付け体の全体としての強度を向上させることが考えられる。この場合、各リードフレーム間に設けられた枠体は、個片化した後には不要となるため、光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域の外側に設けられる。
ここで、リードフレームの多面付け体に樹脂層や光半導体素子等を実装して、光半導体装置の多面付け体が形成され、光半導体装置が個片化される場合、上記パッケージ領域の外側が切断領域となり、この切断領域に金属部材からなる枠体が存在することとなる。そのため、個片化における切断加工の加工時間をより多く要したり、刃物の寿命が短くなったりして切断加工の効率が低下してしまう場合があった。
そこで、本発明の課題は、上述の切断加工の効率を向上させることができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置を提供することである。 In order to avoid the above problems, a frame made of a metal member is formed not only on the outer periphery of the lead frame to be multi-faced but also between each lead frame, so that the strength of the multi-face lead body of the lead frame as a whole It is conceivable to improve. In this case, the frame provided between the lead frames becomes unnecessary after being separated into individual pieces, and thus is provided outside the package region that forms the outer shape of the optical semiconductor device.
Here, when a multi-sided body of an optical semiconductor device is formed by mounting a resin layer, an optical semiconductor element, or the like on the multi-sided body of the lead frame, and the optical semiconductor device is singulated, the outside of the package region is A cutting region is formed, and a frame made of a metal member is present in the cutting region. For this reason, there are cases where the processing time of the cutting process in singulation is longer, or the life of the cutter is shortened and the efficiency of the cutting process is lowered.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, a multi-sided body of an optical semiconductor device, a lead frame, and a lead with resin that can improve the efficiency of the above-described cutting process. It is to provide a frame and an optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内にパッケージ内枠体部（Ｆ２）を備えること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明に記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記リードフレーム（１０）は、互いに絶縁された複数の端子部（１１、１２）から形成されており、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記複数の端子部間の空隙部（Ｓ）の延長上を横切るようにして設けられること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記パッケージ内枠体部（Ｆ２）は、前記リードフレーム（３１０）の角部を覆うようにして形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。 A first aspect of the invention is a lead frame multi-faced body (MS) in which a lead frame (10) used in an optical semiconductor device (1) to which an optical semiconductor element (2) is connected is multi-faced to a frame (F). The frame body is a multi-faced body of a lead frame characterized in that a package inner frame body portion (F2) is provided in a package region that forms the outer shape of the optical semiconductor device.
According to a second aspect of the present invention, in the lead frame multi-faced body (MS) according to the first aspect, the lead frame (10) is formed of a plurality of terminal portions (11, 12) insulated from each other. The package inner frame portion (F2) is a multi-faced body of a lead frame, characterized in that the package inner frame portion (F2) is provided so as to cross over an extension of the gap portion (S) between the plurality of terminal portions.
According to a third aspect of the present invention, in the multi-faced body (MS) of the lead frame according to the first or second aspect, the package inner frame portion (F2) covers a corner portion of the lead frame (310). A multi-faced body of a lead frame characterized by being formed as described above.

第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの多面付け体の前記リードフレーム（１０）の外周に形成される樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第５の発明は、第４の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の前記光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ａ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。 The fourth invention is formed on the outer periphery of the multi-faced body (MS) of any one of the lead frames from the first invention to the third invention and the lead frame (10) of the multi-faceted body of the lead frame. And a resin-coated lead frame multi-faced body (R).
According to a fifth aspect of the present invention, in the multi-faced body (R) of the lead frame with resin according to the fourth aspect of the invention, the resin layer (20) is connected to the optical semiconductor element (2) of the lead frame (10). A multi-sided body of a lead frame with a resin characterized by having a reflector resin portion (20a) formed so as to protrude from the side surface.

第６の発明は、第４の発明又は第５の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided at least one of the multi-faced body (R) of the resin-equipped lead frame according to the fourth or fifth aspect and the lead frames (10) of the multi-faced body of the resin-attached lead frame. A transparent resin layer (30) formed on a surface of the multi-sided body of the lead frame with resin connected to the optical semiconductor element, and covering the optical semiconductor element A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by comprising:

第７の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とするリードフレーム（１０）である。   The seventh invention is characterized in that the multi-faced body (MS) of any one of the lead frames from the first invention to the third invention is separated along the outer shape of the optical semiconductor device (1). The lead frame (10).

第８の発明は、第４の発明又は第５の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。   An eighth invention is characterized in that the multi-faced body (R) of the lead frame with resin of the fourth invention or the fifth invention is separated along the outer shape of the optical semiconductor device (1). Lead frame with resin.

第９の発明は、第６の発明の光半導体装置の多面付け体を前記光半導体装置（１）の外形に沿って個片化したこと、を特徴とする光半導体装置である。   A ninth invention is an optical semiconductor device characterized in that the multifaceted body of the optical semiconductor device of the sixth invention is divided into pieces along the outer shape of the optical semiconductor device (1).

本発明によれば、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置は、切断加工の効率を向上させることができる。   According to the present invention, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, a multi-sided body of an optical semiconductor device, a lead frame, a lead frame with a resin, and an optical semiconductor device improve the efficiency of the cutting process. be able to.

第１実施形態の光半導体装置の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame of 1st Embodiment. 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame with resin of 1st Embodiment. リードフレームの製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of a lead frame. 光半導体装置の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of an optical semiconductor device. 第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device of 1st Embodiment. 光半導体装置の他の形態を説明する図である。It is a figure explaining the other form of an optical semiconductor device. 第２実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame of 3rd Embodiment. 第４実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame of 4th Embodiment. 第５実施形態のリードフレームの多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame of 5th Embodiment.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図２（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の裏面を示す図である。図２（ｄ）は、図２（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図２（ｅ）は、図２（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図３は、第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを示す図である。図３（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの全体を模式化した平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）の裏面を示す図である。図３（ｄ）は、図３（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図３（ｅ）は、図３（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
図１〜図３において、リードフレームの多面付け体ＭＳ及び樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. . FIG.1 (d) shows the dd sectional drawing of Fig.1 (a).
FIG. 2 is a view showing the multi-faced body MS of the lead frame of the first embodiment. FIG. 2A is a plan view schematically illustrating the entire multi-faced body MS of the lead frame. FIG. 2B is a diagram showing details of the part b in FIG. FIG.2 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.2 (b). FIG. 2D is a dd sectional view of FIG. FIG. 2E is a cross-sectional view taken along the line ee of FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a multifaceted body R of the lead frame with resin according to the first embodiment. FIG. 3A is a plan view schematically illustrating the entire multifaceted body R of the lead frame with resin. FIG.3 (b) is a figure which shows the b section detail of Fig.3 (a). FIG.3 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.3 (b). FIG. 3D is a dd sectional view of FIG. FIG. 3E is an ee cross-sectional view of FIG.
In FIG. 1 to FIG. 3, in the plan view of the multi-faced body MS of the lead frame and the multi-faced body R of the lead frame with resin R, the left-right direction is the X direction, the up-down direction is the Y direction, and the thickness direction is the Z direction.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
In the optical semiconductor device 1, the light reflecting resin layer 20 is formed on the multi-sided lead frame 10 (see FIG. 2) to produce a multi-sided body R (see FIG. 3) of the lead frame with resin. It manufactures by electrically connecting, forming the transparent resin layer 30, and cutting | disconnecting into a package unit (dicing) (details are mentioned later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
リードフレーム１０の外形は、略矩形状に形成されている。ここで、リードフレーム１０は、図２に示すように、端子部１１、１２、連結部１３等から構成されるが、リードフレーム１０の外形とは、光半導体装置１の１パッケージを形成する外形をいい、図２（ｂ）に示す破線を示すものをいう。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
The outer shape of the lead frame 10 is formed in a substantially rectangular shape. Here, as shown in FIG. 2, the lead frame 10 includes terminal portions 11 and 12, a connecting portion 13, and the like. The outer shape of the lead frame 10 is an outer shape that forms one package of the optical semiconductor device 1. Which shows the broken line shown in FIG.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
The terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置され、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the LED element 2 is placed on the surface of the terminal portion 11, the LED terminal surface 11 a to be connected is formed, and the external terminal surface 11 b mounted on an external device is formed on the back surface of the terminal portion 11. A so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
The terminal portions 11 and 12 have plating layers C formed on the front and back surfaces thereof (see FIG. 4E), and the plating layer C on the front surface side serves as a reflective layer that reflects the light emitted from the LED element 2. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 As shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the terminal portions 11 and 12 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the outer peripheral portion on the back surface side.
The recess M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the terminal portions 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, and the thickness of the recess is 1/3 to 2 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. / 3 or so.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   When the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light-reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or in the gap S between the terminal portions 11 and 12, FIG. As shown in FIG. 3D, the recess M is also filled with resin, and the contact area between the light reflecting resin layer 20 and each of the terminal portions 11 and 12 is increased. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in a plane direction (X direction, Y direction) and a thickness direction.

連結部１３は、図２に示すように、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形（図２（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２のそれぞれに１つずつ設けられており、その各連結部１３が枠体Ｆと連結している。より具体的には、枠体Ｆの外周枠体部Ｆ１（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と外周枠体部Ｆ１とを連結している。また、枠体Ｆの第２中間枠体部Ｆ３（詳細は後述する）に隣接する端子部の連結部１３は、その端子部と第２中間枠体部Ｆ３とを連結している。 As shown in FIG. 2, the connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 that are multifaceted in the frame F to the frame F. When the LED element 2 or the like is mounted on each multi-sided lead frame 10 and the multi-sided body (see FIG. 6) of the optical semiconductor device 1 is formed, the connecting portion 13 is connected to the lead frame 10 (optical semiconductor device). It is diced (cut) with the outer shape of 1) (broken line in FIG. 2B).
One connecting portion 13 is provided for each of the terminal portions 11 and 12, and each connecting portion 13 is connected to the frame body F. More specifically, the connecting portion 13 of the terminal portion adjacent to the outer peripheral frame portion F1 (details will be described later) of the frame F connects the terminal portion and the outer peripheral frame portion F1. Moreover, the connection part 13 of the terminal part adjacent to the 2nd intermediate frame part F3 (details are mentioned later) of the frame F has connected the terminal part and the 2nd intermediate frame part F3.

なお、端子部１１、１２は、連結部１３及び枠体Ｆによって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１２、１１と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３及び枠体Ｆを切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   The terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 12 and 11 of other adjacent lead frames 10 by the connecting portion 13 and the frame body F, but form a multifaceted body of the optical semiconductor device 1. After that, the connecting portions 13 and the frame body F are cut (diced) in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1 to be insulated. Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｃ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in substantially the same plane as the bottom surface (recessed portion) of the concave portion M of each terminal portion 11, 12. As a result, when the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled, as shown in FIGS. 3C and 3D, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflecting resin layer 20 is The peeling from the lead frame 10 can be suppressed.
Further, as shown in FIG. 3C, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.

リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、図２（ａ）に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体（キャビティ）Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右（Ｘ）方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０を多面付けした状態で固定する部材である。枠体Ｆは、集合体Ｇの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、端子部１１、１２の配列方向（Ｘ方向）とは直交する方向（Ｙ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第１中間枠体部Ｆ２と、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成される第２中間枠体部Ｆ３とを備える。すなわち、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレーム１０が多面付けされる集合体Ｇ内に形成されている。 The lead frame multi-sided body MS is obtained by multi-sided the above-described lead frame 10 in the frame body F. In this embodiment, as shown in FIG. 2A, a plurality of sets (four sets in the present embodiment) of aggregates (cavities) G of lead frames 10 connected by a connecting portion 13 in a plurality of vertical and horizontal directions, They are arranged in the left and right (X) directions and formed in the frame F.
The frame F is a member that fixes the lead frame 10 in a multifaceted state. The frame F is a lead frame arranged in a direction (Y direction) perpendicular to the outer peripheral frame part F1 formed so as to surround the outer periphery of the assembly G and the arrangement direction (X direction) of the terminal parts 11 and 12. The first intermediate frame portion F2 formed between the lead frames 10 arranged in the direction parallel to the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12 (X direction). With. That is, the first intermediate frame portion F2 and the second intermediate frame portion F3 are formed in the assembly G where the lead frame 10 is multifaceted.

外周枠体部Ｆ１は、上述したように各集合体Ｇの外周を囲んでおり、リードフレームの多面付け体ＭＳの外形を形成している。外周枠体部Ｆ１は、その厚みが、端子部１１、１２の最大の厚みとなる部分と同等の厚みを有している。
第１中間枠体部Ｆ２は、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向に延在して設けられた枠体であり、第２中間枠体部Ｆ３は、リードフレームの多面付け体ＭＳの短手方向に延在して設けられた枠体である。 As described above, the outer peripheral frame portion F1 surrounds the outer periphery of each assembly G, and forms the outer shape of the multifaceted body MS of the lead frame. The outer peripheral frame portion F1 has a thickness equivalent to that of the portion where the maximum thickness of the terminal portions 11 and 12 is obtained.
The first intermediate frame body part F2 is a frame body provided extending in the longitudinal direction of the multi-faced body MS of the lead frame, and the second intermediate frame body part F3 is a short part of the multi-faced body MS of the lead frame. It is a frame provided extending in the hand direction.

第１中間枠体部Ｆ２は、各リードフレーム１０の端子部１１、１２を挟み込むようにして各端子部の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）のそれぞれに設けられている。また、各第１中間枠体部Ｆ２は、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、上下方向（Ｙ方向）から第１中間枠体部Ｆ２によって挟み込まれる構成となり、上下方向において外周枠体部Ｆ１とは隣り合わない構成となる。   The first intermediate frame portion F2 is provided on each of the upper side (+ Y side) and the lower side (−Y side) of each terminal portion so as to sandwich the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10. Further, each first intermediate frame body portion F2 extends in a direction (X direction) parallel to the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12, and both ends thereof are connected to the second intermediate frame body portion F3, or The outer peripheral frame part F1 and the second intermediate frame part F3 are connected. Accordingly, the terminal portions 11 and 12 of the lead frame 10 are configured to be sandwiched by the first intermediate frame body portion F2 from the vertical direction (Y direction), and are not adjacent to the outer peripheral frame body portion F1 in the vertical direction. Become.

また、第１中間枠体部Ｆ２は、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形の内側、すなわち光半導体装置１のパッケージ領域（図２（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成されている。ここで、光半導体装置の多面付け体（図６参照）が形成され、光半導体装置１が個片化される場合、上述のパッケージ領域の外側が切断領域となる。そのため、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上記切断領域に第１中間枠体部Ｆ２が存在してしまうのを回避することができ、切断領域に含まれる金属部材の量を減らすことができる。これにより、切断加工の時間を短縮させたり、刃物の寿命が短くなってしまうのを抑制したりして、切断加工の効率を向上させることができる。また、金属部材の切断量が減少することによって、切断加工によって発生するバリの発生も抑制することができる。   The first intermediate frame portion F2 is formed so as to cross the inside of the outer shape of the lead frame 10 (optical semiconductor device 1), that is, across the package region of the optical semiconductor device 1 (within the broken line in FIG. 2B). ing. Here, when a multi-faced body (see FIG. 6) of the optical semiconductor device is formed and the optical semiconductor device 1 is singulated, the outside of the above-described package region becomes a cutting region. Therefore, the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment can avoid the first intermediate frame body portion F2 from being present in the cutting area, and reduce the amount of metal members included in the cutting area. be able to. Thereby, the time of a cutting process can be shortened, or it can suppress that the lifetime of a cutter shortens, and the efficiency of a cutting process can be improved. Moreover, since the cutting amount of the metal member is reduced, the generation of burrs generated by the cutting process can be suppressed.

さらに、第１中間枠体部Ｆ２は、図２（ｂ）に示すように、各リードフレーム１０の端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられている。そのため、個片化された光半導体装置１内（パッケージ領域）には、切断された第１中間枠体部Ｆ２の一部がパッケージ内枠体部として残存することとなる。従って、光半導体装置１内に残存する第１中間枠体部Ｆ２は、樹脂のみで形成され他の部位に比べ強度が低くなる光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて光半導体装置１が破損してしまうのを抑制することができる。
ここで、パッケージ内枠体部とは、光半導体装置１が個片化された場合に、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内（図２（ａ）の破線内）に残存する枠体部をいい、本実施形態や後述の第２、第３実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部となる。なお、後述の第４実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２の一部だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の一部が、第５実施形態においては、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく第２中間枠体部Ｆ３の全部が、パッケージ内枠体部に含まれることとなる。 Further, as shown in FIG. 2B, the first intermediate frame body part F <b> 2 is provided so as to cross over the extension of the gap S between the terminal parts 11 and 12 of each lead frame 10. Therefore, a part of the cut first intermediate frame portion F2 remains as a package inner frame portion in the separated optical semiconductor device 1 (package region). Therefore, the first intermediate frame body portion F2 remaining in the optical semiconductor device 1 can improve the strength of the gap portion S of the optical semiconductor device 1 that is formed only of resin and has lower strength than other portions. It is possible to suppress the optical semiconductor device 1 from being damaged in the gap S.
Here, the inner frame body portion of the package means a frame remaining in the package region (inside the broken line in FIG. 2A) that forms the outer shape of the optical semiconductor device 1 when the optical semiconductor device 1 is separated into pieces. The body portion is referred to as a part of the first intermediate frame body portion F2 in the present embodiment and second and third embodiments described later. In the fourth embodiment to be described later, not only a part of the first intermediate frame body part F2 but also a part of the second intermediate frame body part F3 is the first intermediate frame body part F2 in the fifth embodiment. Not only the entire second intermediate frame portion F3 but also the inner frame body portion of the package is included.

第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成されている。また、第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の配列方向と垂直な方向（Ｙ方向）に延在しており、その両端部が第１中間枠体部Ｆ２と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。これにより、リードフレーム１０の端子部１２の右側（＋Ｘ側）には、第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
第２中間枠体部Ｆ３は、上述の第１中間枠体部Ｆ２とは相違して、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形、すなわちパッケージ領域内には形成されておらず、パッケージ領域外の切断領域に設けられている。そのため、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置１が個片化された場合において、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内には残存しない。 The second intermediate frame portion F3 is formed between the lead frames 10 arranged in a direction (X direction) parallel to the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12. Further, the second intermediate frame body part F3 extends in a direction (Y direction) perpendicular to the arrangement direction of the terminal parts 11 and 12, and both ends thereof are connected to the first intermediate frame body part F2, or It is connected to the outer peripheral frame part F1 and the first intermediate frame part F2. Accordingly, the second intermediate frame body portion F3 is present on the right side (+ X side) of the terminal portion 12 of the lead frame 10.
Unlike the above-described first intermediate frame portion F2, the second intermediate frame portion F3 is not formed in the outer shape of the lead frame 10 (optical semiconductor device 1), that is, in the package region. It is provided in the outer cutting area. Therefore, when the optical semiconductor device 1 is separated into pieces from the multi-faced body of the optical semiconductor device, the second intermediate frame body portion F3 does not remain in the package region.

このように第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、多面付けされたリードフレーム１０の周囲の強度を向上させることができる。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の製造過程におけるハンドリング等において変形したり、多面付けされるリードフレーム１０が枠体Ｆに対して捩れたり、間隔がずれたりしてしまうのを抑制することができる。   By providing the first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3 in this way, the multi-faced body MS of the lead frame can improve the strength around the multi-faced lead frame 10. . As a result, the multi-faced body MS of the lead frame is deformed in handling or the like in the manufacturing process of the optical semiconductor device 1, or the lead frame 10 to be multi-faced is twisted with respect to the frame body F or the interval is shifted. Can be suppressed.

第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、端子部１１、１２の厚みよりも薄く形成されている。より具体的には、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成され、かつ、その裏面が、連結部１３の裏面と同一平面内に形成されている。第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、光反射樹脂層２０を形成する樹脂がリードフレームの多面付け体ＭＳに充填された場合に、その裏面にも樹脂が充填されることとなるので、光反射樹脂層２０とリードフレームの多面付け体ＭＳとの密着面積を増やすことができる。これにより、光反射樹脂層２０がリードフレームの多面付け体ＭＳから剥離してしまうのを抑制することができる。   The first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3 are formed thinner than the thicknesses of the terminal parts 11 and 12. More specifically, the first intermediate frame body portion F2 and the second intermediate frame body portion F3 are formed so that the surfaces thereof are in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12, and the back surfaces thereof are connected to the connecting portion 13. It is formed in the same plane as the back surface of. The first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3 are filled with resin on the back surface when the resin forming the light reflecting resin layer 20 is filled in the multi-faced body MS of the lead frame. As a result, the contact area between the light reflecting resin layer 20 and the multi-faced body MS of the lead frame can be increased. Thereby, it can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the multi-faced body MS of a lead frame.

光反射樹脂層２０は、図１及び図３に示すように、リードフレーム１０の外周、すなわち各端子部１１、１２の外周側面と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面と、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の裏面とに充填された樹脂の層である。また、光反射樹脂層２０には、リードフレーム１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ２０ａが形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 3, the light reflecting resin layer 20 includes an outer periphery of the lead frame 10, that is, an outer peripheral side surface of each terminal portion 11, 12, a recess M provided in each terminal portion, and a connection portion 13. This is a resin layer filled in the back surface and the back surfaces of the first intermediate frame body portion F2 and the second intermediate frame body portion F3. The light reflecting resin layer 20 is formed with a reflector 20a on the surface of the lead frame 10 (the surface on which the LED element 2 is placed) for controlling the direction of light emitted from the LED element 2 and the like. .

リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ素子２が配置される部分、すなわち、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出している。これにより、リフレクタ２０ａは、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。また、リフレクタ２０ａは、第１中間枠体部Ｆ２の表面上にも形成されるので、樹脂付きリードフレームの表面から、第１中間枠体部Ｆ２の表面が表出してしまうのを防ぎ、製造された光半導体装置１の外観を良好に保つことができる。リフレクタ２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。   The reflector 20a protrudes to the surface side of the lead frame 10 so as to surround a portion where the LED element 2 is disposed, that is, the LED terminal surfaces 11a, 12a of the terminal portions 11, 12. Thereby, the reflector 20a reflects the light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a, and efficiently irradiates the light from the optical semiconductor device 1. Further, since the reflector 20a is also formed on the surface of the first intermediate frame body portion F2, it is possible to prevent the surface of the first intermediate frame body portion F2 from being exposed from the surface of the lead frame with resin. The appearance of the optical semiconductor device 1 thus made can be kept good. The reflector 20a is formed such that its height dimension is larger than the height dimension of the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a.

なお、光反射樹脂層２０の裏面は、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置１の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを搬送装置等に載置することができる。   The back surface of the light reflecting resin layer 20 forms substantially the same plane as the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12. Thereby, in the manufacturing process of the optical semiconductor device 1, the multi-sided body R of the lead frame with resin R has a flat back surface, so that the multi-sided mounting of the lead frame with resin is not required without a special fixing jig. The body R can be placed on a transport device or the like.

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。 The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. Since it is necessary to obtain chemical adhesion with the lead frame, a thermosetting resin is desirable.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、光反射樹脂層２０のリフレクタ２０ａによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. The transparent resin layer 30 is formed on the LED terminal surfaces 11 a and 12 a surrounded by the reflector 20 a of the light reflecting resin layer 20.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図４は、リードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 4 is a diagram illustrating the manufacturing process of the lead frame 10.
FIG. 4A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 4B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG. 4C shows the metal substrate 100 after the etching process. FIG. 4D is a view showing the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 4E is a diagram showing the metal substrate 100 that has been plated.
In FIG. 4, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a multi-faced body MS of the lead frame is manufactured from one metal substrate 100.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 4A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 4B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive solution using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面や、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, the lead frame 10 includes an outer peripheral portion of the terminal portions 11 and 12, a space penetrating like a gap portion S between the terminal portions 11 and 12, a back surface of the concave portion M and the connecting portion 13, There is a recessed space in which the thickness is reduced without penetrating like the back surfaces of the intermediate frame portion F2 and the second intermediate frame portion F3 (see FIG. 2). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 4C, terminal portions 11 and 12 having recesses M are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100.

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０ａ、４０ｂを除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 4D, the resist patterns 40a and 40b are removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 4 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame F as shown in FIG. In FIG. 2, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図５（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。図６（ａ）は、それぞれ光半導体装置の多面付け体の全体を模式化した平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図６（ｃ）は、図６（ｂ）の裏面を示す図である。図６（ｄ）は、図６（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図６（ｅ）は、図６（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、多面付けされた光半導体装置１が製造されるものとする。また、図５（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1.
5A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 5B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED element 2 is electrically connected. . FIG. 5C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 5D shows a cross-sectional view of the optical semiconductor device 1 singulated by dicing.
FIG. 6 is a diagram illustrating a multifaceted body of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment. FIG. 6A is a plan view schematically illustrating the entire multifaceted body of the optical semiconductor device. FIG.6 (b) is a figure which shows the b section detail of Fig.6 (a). FIG.6 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.6 (b). FIG. 6D is a dd cross-sectional view of FIG. FIG. 6E is a cross-sectional view taken along the line ee of FIG.
In FIG. 5, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but in actuality, an optical semiconductor device 1 with multiple faces is manufactured. 5 (a) to 5 (d) are based on the cross-sectional view of FIG. 4 (a).

図５（ａ）に示すように、エッチング加工により金属基板１００から形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０の外周等に、上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。   As shown in FIG. 5A, the outer periphery of each lead frame 10 of the multi-sided body MS of the lead frame formed from the metal substrate 100 by etching is filled with the resin having the above-described light reflection characteristics, and the light A reflective resin layer 20 is formed. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting resin, for example, transfer molding or injection molding (injection molding), or lead frame 10 It is formed by a method such as screen printing of resin. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 to the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13 to join the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20 together.

また、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の表面側にリフレクタ２０ａが各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むように形成される。これにより、光反射樹脂層２０を形成したリードフレームの多面付け体ＭＳの表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図３（ｂ）、図３（ｃ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。 The light reflecting resin layer 20 is formed on the front surface side of the lead frame 10 so that the reflector 20 a surrounds the LED terminal surfaces 11 a and 12 a of the terminal portions 11 and 12. As a result, the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12 and the external terminal surfaces 11b and 12b are exposed on the front and back surfaces of the multi-sided body MS of the lead frame on which the light reflecting resin layer 20 is formed. (See FIG. 3 (b) and FIG. 3 (c)).
In this way, the multi-faced body R of the lead frame with resin shown in FIG. 3 is formed.

次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 5B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図５（ｃ）に示すように、リフレクタ２０ａに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。ここで、透明樹脂層３０は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図６（ｂ）の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 Then, as shown in FIG. 5C, a transparent resin layer 30 is formed so as to cover the LED element 2 surrounded by the reflector 20a. Here, the transparent resin layer 30 may have optical functions such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. As described above, as shown in FIG. 6, the multifaceted optical semiconductor device 1 is formed.
Finally, as shown in FIG. 5D, the connecting portion of the lead frame 10 together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1 (broken line in FIG. 6B). 13 is cut (dicing, punching, cutting, etc.) to obtain the optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (separated) into one package.

図７は、光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図７（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図７（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図７（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、リードフレーム１０の表面にリフレクタ２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、図７に示すように、リフレクタ２０ａを有さず、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置１に適用してもよい。
ここで、第１中間枠体部Ｆ２は、その表面が端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａから窪むように形成してもよい。こうすることにより、図７（ａ）に示すように、光半導体装置１の表面及び裏面から第１中間枠体部Ｆ２が視認されないようすることができ、光半導体装置１の外観を良好に維持し、光半導体装置の組立におけるアライメント容易性および、ボード実装時の半田とびを抑制することができる。 FIG. 7 is a diagram for explaining another form of the optical semiconductor device 1.
7A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 7B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 7C shows a back view of the optical semiconductor device 1. .
In the above description, the example of the so-called cup-type optical semiconductor device 1 in which the reflector 20a is formed on the surface of the lead frame 10 has been described. However, as shown in FIG. 7, the lead frame 10 does not have the reflector 20a. And the light reflecting resin layer 20 may be applied to a so-called flat type optical semiconductor device 1 having substantially the same thickness.
Here, the first intermediate frame portion F2 may be formed such that the surface thereof is recessed from the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12. By doing so, as shown in FIG. 7A, the first intermediate frame body portion F2 can be prevented from being visually recognized from the front surface and the back surface of the optical semiconductor device 1, and the appearance of the optical semiconductor device 1 is maintained well. In addition, the ease of alignment in assembling the optical semiconductor device and the solder jump at the time of board mounting can be suppressed.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレームの多面付け体ＭＳは、光半導体装置１の外形を形成するパッケージ領域内に第１中間枠体部Ｆ２を備えているので、パッケージ領域外の切断領域に金属部材からなる第１中間枠体部Ｆ２が存在してしまうのを極力回避することができる。これにより、切断領域における金属部材の量を減らすことができ、切断加工の時間を短縮させたり、刃物の寿命が短くなるのを抑制したりして切断加工の効率を向上させることができることに加え、切断する刃物を薄くすることができるため、リードフレームの面付数を増加させることが可能である。また、金属部材の切断量が減少することにより、切断加工によって発生するバリの発生も抑制することができる。
（２）リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、各リードフレーム１０の端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられている。これにより、個片化された光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the multi-faced body MS of the lead frame includes the first intermediate frame body part F2 in the package region that forms the outer shape of the optical semiconductor device 1, the first frame made of a metal member is formed in a cutting region outside the package region. The existence of the one intermediate frame portion F2 can be avoided as much as possible. As a result, the amount of the metal member in the cutting region can be reduced, the cutting process time can be shortened, and the life of the blade can be suppressed from being shortened to improve the efficiency of the cutting process. Since the cutting tool can be thinned, the number of surface areas of the lead frame can be increased. Moreover, generation | occurrence | production of the burr | flash which generate | occur | produces by cutting process can also be suppressed by reducing the cutting amount of a metal member.
(2) The lead frame multi-faced body MS is provided such that the first intermediate frame part F2 crosses over the extension of the gap S between the terminal parts 11 and 12 of each lead frame 10. Thereby, the intensity | strength of the space | gap part S of the optical semiconductor device 1 separated into pieces can be improved.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図８（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図８（ｃ）は、図８（ｂ）の裏面を示す図である。図８（ｄ）は、図８（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図８（ｅ）は、図８（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram showing a multi-sided body MS of a lead frame according to the second embodiment. FIG. 8A is a plan view schematically showing the entire multi-faced body MS of the lead frame. FIG. 8B is a diagram showing the details of the part b in FIG. FIG.8 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.8 (b). FIG.8 (d) is dd sectional drawing of FIG.8 (b). FIG.8 (e) is ee sectional drawing of FIG.8 (b).
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図８に示すように、多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２の上側（＋Ｙ側）においてのみ、端子部２１１、２１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部２１１、２１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図８（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム２１０の各端子部２１１、２１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。 The lead frame multi-sided body MS of the second embodiment differs from the lead frame multi-sided body MS of the first embodiment in the form of the first intermediate frame body part F2.
As shown in FIG. 8, the first intermediate frame portion F2 is parallel to the arrangement direction of the terminal portions 211 and 212 only on the upper side (+ Y side) of the terminal portions 211 and 212 of the lead frame 210 to be multifaceted. It extends in the direction (X direction), and both ends thereof are connected to the second intermediate frame part F3 or connected to the outer peripheral frame part F1 and the second intermediate frame part F3. Thereby, each terminal part 211, 212 of the present embodiment has a configuration in which the first intermediate frame part F2 exists only on the upper side (+ Y side).
Further, the first intermediate frame portion F2 is formed so as to cross the package region of the optical semiconductor device (the broken line in FIG. 8B).
The terminal portions 211 and 212 of the lead frame 210 to be multifaceted are electrically isolated by being separated into pieces in the package region. Further, the external terminals may be arranged symmetrically with respect to the X axis within the package region.

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部２１１、２１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。
また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。 As described above, the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment described above.
Further, the multi-faceted body MS of the lead frame of the present embodiment has the first intermediate frame body portion F2 formed only on the upper side of the terminal portion, so that it is different from the multi-faceted body MS of the lead frame of the first embodiment. Thus, the outer shape of each of the terminal portions 211 and 212 formed in the package region can be increased. Thereby, the freedom degree of design of an optical semiconductor device can be improved.
Further, when the external terminals are arranged symmetrically with respect to the X axis in the package area, alignment is easy when mounting the board, and the optical semiconductor device can be mounted accurately.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図９（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図９（ｃ）は、図９（ｂ）の裏面を示す図である。図９（ｄ）は、図９（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図９（ｅ）は、図９（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a view showing a multi-sided body MS of a lead frame according to the third embodiment. FIG. 9A is a plan view schematically showing the entire multi-faced body MS of the lead frame. FIG.9 (b) is a figure which shows the b section detail of Fig.9 (a). FIG.9 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.9 (b). FIG.9 (d) is dd sectional drawing of FIG.9 (b). FIG. 9E is a cross-sectional view taken along line ee of FIG.

第３実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図９に示すように、多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部３１１、３１２を挟み込むようにコの字状に形成されており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部３１１、３１２には、上側（＋Ｙ側）と、左右方向（Ｘ方向）の両端の連結部３１３より上側とに第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。
また、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図９（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成される。
多面付けされるリードフレーム３１０の各端子部３１１、３１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。 The multi-faceted body MS of the lead frame of the third embodiment is different from the multi-faceted body MS of the lead frame of the first embodiment in the form of the first intermediate frame body portion F2.
As shown in FIG. 9, the first intermediate frame portion F2 has a U-shape so as to sandwich the terminal portions 311 and 312 on the upper side (+ Y side) of the terminal portions 311 and 312 of the lead frame 310 to be multifaceted. The both end portions are connected to the second intermediate frame portion F3 or connected to the outer peripheral frame portion F1 and the second intermediate frame portion F3. Thereby, each terminal part 311 and 312 of this embodiment has the 1st intermediate frame part F2 which exists in the upper side (+ Y side) and the connection part 313 of the both ends of the left-right direction (X direction). It becomes.
Further, the first intermediate frame portion F2 is formed so as to cross the package region of the optical semiconductor device (the broken line in FIG. 9B).
The terminal portions 311 and 312 of the lead frame 310 to be multifaceted are electrically isolated by being separated into pieces in the package region. Further, the external terminals may be arranged symmetrically with respect to the X axis within the package region.

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が端子部３１１、３１２を挟み込むようにしてコの字状に形成されているので、光半導体装置内に残存する第１中間枠体部Ｆ２を、リードフレーム３１０の角部を覆うようにして配置することができる。これにより、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
更に、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、端子部３１１、３１２の上側にのみ形成されているので、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳに比して、パッケージ領域内に形成される各端子部３１１、３１２の外形を大きくすることができる。これにより、光半導体装置の設計の自由度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。 As described above, the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment described above.
Further, the multi-faceted body MS of the lead frame is formed in a U shape so that the first intermediate frame body portion F2 sandwiches the terminal portions 311 and 312. Therefore, the first intermediate frame portion F2 remains in the optical semiconductor device. The frame body portion F2 can be disposed so as to cover the corner portion of the lead frame 310. Thereby, the intensity | strength of the corner | angular part of the optical semiconductor device which is easy to be damaged by contact etc. can be improved.
Furthermore, since the first intermediate frame body part F2 is formed only above the terminal parts 311 and 312 in the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment, the multi-faceted body of the lead frame of the first embodiment. As compared with the MS, the outer shape of each of the terminal portions 311 and 312 formed in the package region can be increased. Thereby, the freedom degree of design of an optical semiconductor device can be improved. Further, when the external terminals are arranged symmetrically with respect to the X axis in the package area, alignment is easy when mounting the board, and the optical semiconductor device can be mounted accurately.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１０は、第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１０（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）の裏面を示す図である。図１０（ｄ）は、図１０（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１０（ｅ）は、図１０（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a view showing a multi-faced body MS of a lead frame according to the fourth embodiment. FIG. 10A is a plan view schematically showing the entire multi-faced body MS of the lead frame. FIG.10 (b) is a figure which shows the b section detail of Fig.10 (a). FIG.10 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.10 (b). FIG.10 (d) is dd sectional drawing of FIG.10 (b). FIG. 10E is a cross-sectional view taken along line ee of FIG.

第４実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１０に示すように、多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２の上側（＋Ｙ側）において、端子部４１１、４１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、本実施形態の各端子部４１１、４１２には、上側（＋Ｙ側）にのみ第１中間枠体部Ｆ２が存在する構成となる。 The multi-faced body MS of the lead frame of the fourth embodiment is different from the multi-faceted body MS of the lead frame of the first embodiment in the form of the first intermediate frame part F2 and the second intermediate frame part F3.
As shown in FIG. 10, the first intermediate frame portion F2 is parallel to the arrangement direction of the terminal portions 411 and 412 on the upper side (+ Y side) of the terminal portions 411 and 412 of the lead frame 410 to be multifaceted. It extends in the (X direction), and both end portions thereof are connected to the second intermediate frame portion F3 or connected to the outer peripheral frame portion F1 and the second intermediate frame portion F3. Thereby, each terminal part 411, 412 of this embodiment becomes a structure in which the 1st intermediate frame part F2 exists only in the upper side (+ Y side).

第２中間枠体部Ｆ３は、多面付けされるリードフレーム４１０の端子部４１２の右側（＋Ｘ側）において、端子部４１１、４１２の配列方向と垂直な方向（Ｙ方向）に延在しており、その両端部が第１中間枠体部Ｆ２と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。これにより、本実施形態の端子部４１２には、右側（＋Ｘ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３は、それぞれ光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成されており、両者はパッケージ領域内において交差している。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の一部がパッケージ内枠体部に該当する。
多面付けされるリードフレーム４１０の各端子部４１１、４１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置されても良い。 The second intermediate frame portion F3 extends in the direction (Y direction) perpendicular to the arrangement direction of the terminal portions 411 and 412 on the right side (+ X side) of the terminal portion 412 of the lead frame 410 to be multifaceted. The both end portions are connected to the first intermediate frame portion F2, or are connected to the outer peripheral frame portion F1 and the first intermediate frame portion F2. Thereby, the terminal part 412 of the present embodiment has a configuration in which the second intermediate frame part F3 exists only on the right side (+ X side).
Each of the first intermediate frame body portion F2 and the second intermediate frame body portion F3 is formed so as to cross within the package region of the optical semiconductor device (within the broken line in FIG. 10B). At That is, in this embodiment, a part of 1st intermediate frame part F2 and 2nd intermediate frame part F3 correspond to a package inner frame part.
The terminal portions 411 and 412 of the lead frame 410 to be multifaceted are electrically isolated by being separated into pieces in the package region. Further, the external terminals may be arranged symmetrically with respect to the X axis within the package region.

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２だけでなく、第２中間枠体部Ｆ３の大部分も、パッケージ領域内に含まれているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比して更に減らすことができる。これにより、切断時間をより短縮し、また、刃物の磨耗もより効率的に抑制することができ、切断加工の効率を更に向上させることができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム４１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられているので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。また、パッケージ領域内で外部端子がＸ軸に線対称に配置された場合、ボード実装時に位置合わせが容易であり、光半導体装置の正確な実装が可能となる。 As described above, the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment described above.
Further, in the lead frame multi-faced body MS of the present embodiment, not only the first intermediate frame body part F2 but also most of the second intermediate frame body part F3 is included in the package region. When the optical semiconductor device is separated from the multi-faced body of the device, the metal portion remaining in the cutting region can be further reduced as compared with the case of the first embodiment. Thereby, the cutting time can be further shortened, the wear of the blade can be more efficiently suppressed, and the efficiency of the cutting process can be further improved.
Further, the multi-faceted body MS of the lead frame is provided with the first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3 so as to cover the corners of the lead frame 410. The strength of the corner of the optical semiconductor device can be improved. Further, when the external terminals are arranged symmetrically with respect to the X axis in the package area, alignment is easy when mounting the board, and the optical semiconductor device can be mounted accurately.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１１は、第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図１１（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を模式化した平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のｂ部詳細を示す図である。図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）の裏面を示す図である。図１１（ｄ）は、図１１（ｂ）のｄ−ｄ断面図である。図１１（ｅ）は、図１１（ｂ）のｅ−ｅ断面図である。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a view showing a multi-faced body MS of the lead frame of the fifth embodiment. FIG. 11A is a plan view schematically showing the entire multi-faced body MS of the lead frame. FIG.11 (b) is a figure which shows the b section detail of Fig.11 (a). FIG.11 (c) is a figure which shows the back surface of FIG.11 (b). FIG.11 (d) is dd sectional drawing of FIG.11 (b). FIG.11 (e) is ee sectional drawing of FIG.11 (b).

第５実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３の形態が第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳと相違する。
第１中間枠体部Ｆ２は、図１１に示すように、多面付けされるリードフレーム５１０の端子部５１１、５１２を挟み込むようにして各端子部の上側（＋Ｙ側）及び下側（−Ｙ側）に設けられている。また、各第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１１（ｂ）の破線内）を横切るようにして端子部５１１、５１２の配列方向と平行な方向（Ｘ方向）に延在しており、その両端部が第２中間枠体部Ｆ３と接続、又は、外周枠体部Ｆ１及び第２中間枠体部Ｆ３と接続されている。これにより、リードフレーム１０の各端子部５１１、５１２は、上下方向（Ｙ方向）から第１中間枠体部Ｆ２によって挟み込まれる構成となり、上下方向において外周枠体部Ｆ１とは隣り合わない構成となる。
更に、第１中間枠体部Ｆ２は、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。具体的には、第１中間枠体部Ｆ２は、延在するＸ方向のほぼ中央において、上下方向（Ｙ方向）に隣接する他のリードフレームに形成された第１中間枠体部Ｆ２と接続されている。なお、外周枠体部Ｆ１に隣接する第１中間枠体部Ｆ２については、その外周枠体部Ｆ１に接続されている。 The lead frame multi-faced body MS of the fifth embodiment is different from the lead frame multi-faced body MS of the first embodiment in the form of the first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3.
As shown in FIG. 11, the first intermediate frame body portion F2 has an upper side (+ Y side) and a lower side (−Y side) of each terminal portion so as to sandwich the terminal portions 511 and 512 of the lead frame 510 to be multifaceted. ). Each first intermediate frame portion F2 crosses the package region of the optical semiconductor device (the broken line in FIG. 11B) and is parallel to the arrangement direction of the terminal portions 511 and 512 (X direction). The both ends are connected to the second intermediate frame body part F3, or are connected to the outer peripheral frame body part F1 and the second intermediate frame body part F3. Thereby, each terminal part 511,512 of the lead frame 10 becomes a structure inserted | pinched by the 1st intermediate | middle frame part F2 from the up-down direction (Y direction), and the structure which is not adjacent to the outer periphery frame body part F1 in an up-down direction. Become.
Furthermore, the first intermediate frame body portion F2 is connected to the first intermediate frame body portion F2 of another adjacent lead frame. Specifically, the first intermediate frame body part F2 is connected to the first intermediate frame body part F2 formed on another lead frame adjacent in the up-down direction (Y direction) at substantially the center in the extending X direction. Has been. Note that the first intermediate frame body part F2 adjacent to the outer frame part F1 is connected to the outer frame part F1.

第２中間枠体部Ｆ３は、多面付けされる各リードフレーム５１０の左右方向（Ｘ方向）の端部に設けられている。左側（−Ｘ側）に設けられた第２中間枠体部Ｆ３は、端子部５１１の連結部５１３と、リードフレーム５１０の下側に形成された第１中間枠体部Ｆ２とを接続するようにして光半導体装置のパッケージ領域内に設けられている。また、右側（＋Ｘ側）に設けられた第２中間枠体部Ｆ３は、端子部５１２の連結部５１３と、リードフレーム５１０の上側に形成された第１中間枠体部Ｆ２とを接続するようにして光半導体装置のパッケージ領域内に設けられている。これにより、リードフレーム１０の端子部５１１の左側（−Ｘ側）には、連結部５１３よりも下側（−Ｙ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在し、また、端子部５１２の右側（＋Ｘ側）には、連結部５１３よりも上側（＋Ｙ側）にのみ第２中間枠体部Ｆ３が存在する構成となる。
多面付けされるリードフレーム５１０の各端子部５１１、５１２は、パッケージ領域で個片化されることによって、電気的に絶縁される。
上述の構成により、第１中間枠体部Ｆ２は、光半導体装置のパッケージ領域内（図１０（ｂ）の破線内）を横切るようにして形成され、また、第２中間枠体部Ｆ３は、パッケージ領域内に形成され、両者はパッケージ領域内において交差する。すなわち、本実施形態では、第１中間枠体部Ｆ２の一部及び第２中間枠体部Ｆ３の全部がパッケージ内枠体部に該当する。
パッケージ領域内では第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称であってもよい。 The second intermediate frame portion F3 is provided at the end in the left-right direction (X direction) of each lead frame 510 to be multifaceted. The second intermediate frame portion F3 provided on the left side (−X side) connects the connecting portion 513 of the terminal portion 511 and the first intermediate frame portion F2 formed below the lead frame 510. And provided in the package region of the optical semiconductor device. The second intermediate frame portion F3 provided on the right side (+ X side) connects the connecting portion 513 of the terminal portion 512 and the first intermediate frame portion F2 formed on the upper side of the lead frame 510. And provided in the package region of the optical semiconductor device. Accordingly, the second intermediate frame portion F3 exists only on the left side (−X side) of the terminal portion 511 of the lead frame 10 only on the lower side (−Y side) than the connecting portion 513, and the terminal portion 512. On the right side (+ X side), the second intermediate frame body part F3 exists only on the upper side (+ Y side) of the connecting part 513.
The terminal portions 511 and 512 of the lead frame 510 to be multifaceted are electrically insulated by being separated into pieces in the package region.
With the above-described configuration, the first intermediate frame portion F2 is formed so as to cross the package region of the optical semiconductor device (within the broken line in FIG. 10B), and the second intermediate frame portion F3 is It is formed in the package region, and the two intersect in the package region. That is, in this embodiment, a part of the first intermediate frame body part F2 and the entire second intermediate frame body part F3 correspond to the package inner frame body part.
In the package region, the second intermediate frame portion F3 may be 180 ° rotated or line-symmetric with respect to the X axis.

以上より、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、第２中間枠体部Ｆ３がパッケージ領域内に形成されているので、光半導体装置の多面付け体から光半導体装置を個片化する場合において、切断領域に残存する金属部分を第１実施形態の場合に比してより減らすことができる。これにより、切断領域の加工が容易になり、切断加工の効率を向上させるとともに、刃物の磨耗を抑制することができる。
さらに、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム５１０の角部を覆うようにして第１中間枠体部Ｆ２及び第２中間枠体部Ｆ３が設けられるので、接触等により破損し易い光半導体装置の角部の強度を向上させることができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が、隣接する他のリードフレームの第１中間枠体部Ｆ２と接続されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体の強度を向上させることができる。
さらに、パッケージ領域内で第２中間枠体部Ｆ３が１８０度回転対象、あるいは、Ｘ軸に対して、線対称に配置された場合、実装後の熱ストレスなどによるパッケージの応力を均一に分散させることが可能であるため、信頼性の向上が可能である。 As described above, the multi-faced body MS of the lead frame of the present embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment described above.
In the lead frame multi-faced body MS of the present embodiment, the second intermediate frame body portion F3 is formed in the package region, so that the optical semiconductor device is separated from the multi-faceted body of the optical semiconductor device. The metal portion remaining in the cutting region can be further reduced as compared with the case of the first embodiment. Thereby, the process of a cutting area | region becomes easy, and while improving the efficiency of a cutting process, the abrasion of a cutter can be suppressed.
Furthermore, since the lead frame multi-faceted body MS is provided with the first intermediate frame body part F2 and the second intermediate frame body part F3 so as to cover the corners of the lead frame 510, the optical semiconductor easily damaged by contact or the like. The strength of the corners of the device can be improved.
Further, the lead frame multi-faced body MS is such that the first intermediate frame body part F2 is connected to the first intermediate frame body part F2 of another adjacent lead frame, so that the entire multi-faced body MS of the lead frame The strength of can be improved.
Further, when the second intermediate frame portion F3 is rotated 180 degrees or arranged in line symmetry with respect to the X axis in the package region, the package stress due to thermal stress after mounting is uniformly distributed. Therefore, the reliability can be improved.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

（変形形態）
（１）第３実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２は、各端子部３１１、３１２の上側に設けられる例を示したが、これに限定されるものでなく、例えば、端子部の上側及び下側の両方に設けるようにしてもよい。こうすることで、第１中間枠体部Ｆ２がリードフレームの角部の全てを覆うように配置されるので、光半導体装置の角部の強度を更に向上させることができる。
（２）第４実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の上側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１２の右側に形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、リードフレームの多面付け体ＭＳは、第１中間枠体部Ｆ２が各端子部の下側に形成され、第２中間枠体部Ｆ３が端子部４１１の左側に形成されるようにしてもよい。 (Deformation)
(1) In 3rd Embodiment, although the 1st intermediate frame part F2 showed the example provided in the upper side of each terminal part 311 and 312, it is not limited to this, For example, the upper side of a terminal part And may be provided on both the lower side and the lower side. By doing so, the first intermediate frame body portion F2 is arranged so as to cover all the corner portions of the lead frame, so that the strength of the corner portions of the optical semiconductor device can be further improved.
(2) In the fourth embodiment, the first intermediate frame portion F2 is formed on the upper side of each terminal portion, and the second intermediate frame portion F3 is formed on the right side of the terminal portion 412. It is not limited to. For example, the multifaceted body MS of the lead frame may be configured such that the first intermediate frame body portion F2 is formed below each terminal portion, and the second intermediate frame body portion F3 is formed on the left side of the terminal portion 411. Good.

（３）第１実施形態において、第１中間枠体部Ｆ２は、パッケージ領域内を横切るようにして形成される例を示したが、これに限定されるものでなく、第１中間枠体部Ｆ２の代わりに第２中間枠体部Ｆ３がパッケージ領域内を横切るようにして形成されるようにしてもよい。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子を実装し、他の２つにはボンディングワイヤを介してＬＥＤ素子と接続してもよい。 (3) In 1st Embodiment, although the 1st intermediate frame body part F2 showed the example formed so that the inside of a package area might be crossed, it is not limited to this, The 1st intermediate frame body part Instead of F2, the second intermediate frame portion F3 may be formed so as to cross the package region.
(4) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with the 2 or more terminal part. For example, three terminal portions may be provided, one of which is mounted with an LED element, and the other two may be connected to the LED element via bonding wires.

（５）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (5) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion that is connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions. In this case, the outer shapes of the two terminal portions may be formed equally.
(6) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｆ１ 外周枠体部
Ｆ２ 第１中間枠体部
Ｆ３ 第２中間枠体部
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical semiconductor device 2 LED element 10 Lead frame 11 Terminal part 12 Terminal part 13 Connection part 20 Light reflection resin layer 20a Reflector 30 Transparent resin layer F Frame body F1 Peripheral frame part F2 1st intermediate frame part F3 2nd intermediate frame Body M Recess MS Multi-faceted body of lead frame R Multi-faceted body of lead frame with resin S Gap

Claims (9)

光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体において、
前記枠体は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内にパッケージ内枠体部を備えること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame in which the lead frame used in the optical semiconductor device to which the optical semiconductor element is connected is multi-faced to the frame body,
The frame includes a package inner frame in a package region forming an outer shape of the optical semiconductor device;
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項１に記載のリードフレームの多面付け体において、
前記リードフレームは、互いに絶縁された複数の端子部から形成されており、
前記パッケージ内枠体部は、前記複数の端子部間の空隙部の延長上を横切るようにして設けられること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame multi-faced body according to claim 1,
The lead frame is formed of a plurality of terminal portions insulated from each other,
The package inner frame portion is provided so as to cross over the extension of the gap between the plurality of terminal portions;
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームの多面付け体において、
前記パッケージ内枠体部は、前記リードフレームの角部を覆うようにして形成されること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 In the multifaceted body of the lead frame according to claim 1 or 2,
The inner frame body portion of the package is formed so as to cover a corner portion of the lead frame;
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの多面付け体の前記リードフレームの外周に形成される樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体。 A multi-faced body of a lead frame according to any one of claims 1 to 3,
A resin layer formed on the outer periphery of the lead frame of the multifaceted body of the lead frame;
A multi-faceted body of a lead frame with resin comprising: 請求項４に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 4,
The resin layer has a reflector resin portion formed to protrude from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項４又は請求項５に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームのうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 A multifaceted body of the resin-attached lead frame according to claim 4 or 5,
An optical semiconductor element connected to at least one of the lead frames of the multifaceted body of the resin-attached lead frame; and
A transparent resin layer that is formed on a surface to which the optical semiconductor element is connected of the multifaceted body of the lead frame with resin, and covers the optical semiconductor element;
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のリードフレームの多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame multi-faced body according to any one of claims 1 to 3, wherein the multi-faced body of the lead frame is separated into pieces along the outer shape of the optical semiconductor device.
Lead frame characterized by. 請求項４又は請求項５に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The multi-sided body of the resin-attached lead frame according to claim 4 or 5 is separated into pieces along the outer shape of the optical semiconductor device,
Lead frame with resin. 請求項６に記載の光半導体装置の多面付け体を前記光半導体装置の外形に沿って個片化したこと、
を特徴とする光半導体装置。 The multi-faced body of the optical semiconductor device according to claim 6 is singulated along the outer shape of the optical semiconductor device,
An optical semiconductor device.
JP2013161513A 2013-08-02 2013-08-02 Multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, multi-sided body of optical semiconductor device, lead frame, lead frame with resin, optical semiconductor device Expired - Fee Related JP6268793B2 (en)

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