JP2014133740A - 方法および化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
Sp1は、独立に各出現時において、スペーサ基を表し、
wは、独立に各出現時において、0または1であり、
Arは、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
R1は、各出現時において独立に、Hまたは置換基を表し、但し、少なくとも1つのR1は置換基であり、
nは少なくとも1であり、かつ
*は、式(II)の基とコアとの結合点である]
を含む前駆体層を堆積させるステップと、式(I)の化合物を開環付加反応において反応させるステップとを含み、ここで、式(I)の化合物は、それ自体と、または非ポリマー性共反応物質と反応する、方法を提供する。
アノード/正孔注入層/発光層/カソード
アノード/正孔輸送層/発光層/カソード
アノード/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/カソード
アノード/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/カソード。
式(I)の化合物は非ポリマー性である。「非ポリマー性」化合物は、本明細書のどこかに記述されている通り、多分散性を有さない化合物および/または5,000ダルトン未満もしくは3,000ダルトン未満の分子量を持つ化合物を包含し得る。
−置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基、例えば1つまたは複数のC1〜10アルキル基で置換されていてもよいフェニル基;ならびに
−C1〜20n−アルキル鎖[ここで、該n−アルキル鎖の1つまたは複数の隣接しないC原子は、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、O、S、置換されているN、置換されているSi−C=Oおよび−COO−で置きかえられていてよく、該n−アルキル鎖の1つまたは複数のH原子は、C1〜5アルキル、Fまたはアリールもしくはヘテロアリール基で置きかえられていてよい]
を包含する。
Ar1は、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
Ar3は、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
R8は、各出現時において独立に、置換基を表し、かつ、同じN原子に直接結合しているR8およびAr3は、連結して環を形成していてよく、
xは、正の整数であり、1、2または3であってもよく、
yは、各出現時において、独立に、0または正の整数であり、1または2であってもよく、
mは、各出現時において、正の整数であり、1または2であってもよく、
式(II)の前記または各基は、独立に各出現時において、Ar1;yが正の整数である場合はAr3;およびyが0である場合はNの1つと結合している]
であってよい。
−C1〜20アルキル[ここで、該アルキル基の1つまたは複数の隣接しないC原子は、O、S、COOまたはCOで置きかえられていてよく、1つまたは複数のH原子は、Fで置きかえられていてよい];および
−式(II)の基
を包含する。
−C1〜60ヒドロカルビル
−C1〜20アルキル[ここで、該アルキル基の1つまたは複数の隣接しないC原子は、O、S、COOまたはCOで置きかえられていてよく、1つまたは複数のH原子は、Fで置きかえられていてよい];および
−式(II)の基
から選択される置換基R9から選択され得る。
式(I)の化合物を使用して、表面上に反応層を形成することができる。式(I)の化合物を含む層を表面上に堆積させ、反応させて、反応層を形成することができる。
伝導性有機または無機材料から形成され得る伝導性正孔注入層は、アノードから半導体ポリマーの層(1つまたは複数)への正孔注入を改善するために、アノードとOLEDの発光層(1つまたは複数)との間に設けられていてよい。正孔輸送層がアノードと発光層との間に存在する場合、正孔注入層は、アノードと正孔輸送層との間に設けられていてよい。ドープされた有機正孔注入材料の例は、置換されていてもよい、ドープされたポリ(エチレンジオキシチオフェン)(PEDT)、特に、欧州特許第0901176号明細書および欧州特許第0947123号明細書において開示されている通りのポリスチレンスルホン酸(PSS)、ポリアクリル酸またはフッ素化スルホン酸、例えばナフィオン(Nafion)(登録商標)等の電荷平衡ポリ酸(charge−balancing polyacid)をドープしたPEDT;米国特許第5723873号明細書および米国特許第5798170号明細書において開示されている通りのポリアニリン;ならびに置換されていてもよいポリチオフェンまたはポリ(チエノチオフェン)を包含する。伝導性無機材料の例は、Journal of Physics D:Applied Physics(1996),29(11),2750〜2753において開示されている通り、VOx、MoOxおよびRuOx等の遷移金属酸化物を包含する。
OLEDのカソードは、発光層への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。カソードと発光材料との間の有害な相互作用の可能性等の他の要因は、カソードの選択に影響を与える。カソードは、アルミニウムの層等の単一の材料からなってよい。代替として、カソードは、複数の金属、例えば、国際公開第98/10621号パンフレットにおいて開示されている通りのカルシウムおよびアルミニウム等、低仕事関数材料および高仕事関数材料の二重層を含み得る。カソードは、国際公開第98/57381号パンフレット、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634および国際公開第02/84759号パンフレットにおいて開示されている通りの元素バリウムの層を含有し得る。カソードは、電子注入を補助するために、OLEDの発光層(複数可)と1つまたは複数の伝導性カソード層、例えば1つまたは複数の金属層との間に金属化合物の薄層(例えば、約1〜5nm)を含有し得る。金属化合物は、特に、アルカリまたはアルカリ土類金属の酸化物またはフッ化物、例えば国際公開第00/48258号パンフレットにおいて開示されている通りのフッ化リチウム;Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001において開示されている通りのフッ化バリウム;および酸化バリウムを包含する。デバイスへの効率的な電子の注入を提供するために、カソードは、好ましくは3.5eV未満、より好ましくは3.2eV未満、最も好ましくは3eV未満の仕事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Michaelson,J.Appl.Phys.48(11),4729,1977において見ることができる。
有機光電子デバイスは、水分および酸素に対して感受性の高い傾向がある。したがって、基板は、好ましくは、デバイスへの水分および酸素の侵入を防止するために良好な障壁特性を有する。基板は一般にガラスであるが、特にデバイスの柔軟性が望ましい場合、代替的な基板を使用してよい。例えば、基板は、1つまたは複数のプラスチック層、例えば、代替のプラスチックおよび誘電体障壁層の基板または薄ガラスおよびプラスチックのラミネートを含み得る。
式(I)の化合物を、溶媒または2つ以上の溶媒の混合物中に分散させて、または溶解して配合物を形成することができ、これを使用して、配合物を堆積させ溶媒(1つまたは複数)を蒸発させることにより、化合物を含有する層を形成することができる。配合物は、式(I)の化合物に加えて1つまたは複数のさらなる材料を含有してよく、例えば、配合物は共反応物質を含有し得る。配合物の成分すべてを溶媒または溶媒混合物に溶解してよく、この場合配合物は溶液であり、あるいは1つまたは複数の成分を、溶媒または溶媒混合物に分散させてよい。単独でまたは溶媒混合物中で使用するための例示的な溶媒は、無置換であっても、C1〜10アルキル、C1〜10アルコキシおよびハロゲン、好ましくは塩素から選択される1つまたは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族化合物、好ましくはベンゼン、例えばトルエン、キシレンまたはアニソールを包含する。
メチル置換ベンゾシクロブタンは、下記の方法に従って調製した:
−100℃のTHF(500ml)中の3−ブロモビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(50.0g、0.27mol)の溶液に、n−BuLi(2.5M、115ml、0.29mol)を、内部温度を−95℃未満に維持するように、滴下添加した。混合物を−100℃で3時間撹拌し、それに、トリメチルシリルクロリド(36.7ml、0.29mol)を、内部温度を−95℃未満に維持するように、滴下添加した。混合物を室温まで終夜加温させた。
−74℃のTHF(1000ml)中のt−BuOK(45.9g、0.41mol)の溶液に、3−トリメチルシリルビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(48.2g、0.27mol)、続いてn−BuLi(164ml、0.41mol)を添加し、得られた溶液を−74℃で1時間撹拌した。次いで、ヨウ化メチル(50.2ml、0.30mol)を溶液に滴下添加し、反応混合物を室温まで終夜加温させた。
25℃のMeOH(1000ml)中の7−メチル−3−トリメチルシリルビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(48.1g、0.25mol)の溶液に、N−クロロコハク酸イミド(37.1g、0.28mol)、続いて臭化リチウム(24.1g、0.28mol)を添加し、反応混合物をこの温度で2時間撹拌させた。次いでこれをH2O(200ml)でクエンチし、減圧下で濃縮した。残留物をヘキサン(200ml×4)で抽出し、合わせた有機抽出物をH2O(3×200ml)で洗浄し、MgSO4で乾燥させ、減圧下で濃縮して、淡黄色油を得た。油をカラムクロマトグラフィー(シリカ、ヘキサン)によって精製して、所望生成物3−ブロモ−7−メチル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエンを無色油(42.6g、GC−MS:M+=196、M−=198、異性体の混合物として単離される)として得た。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=1.37(d,J=7.1Hz,3H),2.68(d,J=14.2Hz,1H),3.36(dd,J=14.1Hz,5.2Hz,1H),3.49(m,1H),6.92(d,J=7.7Hz,1H),7.20(s,1H),7.33(d,J=7.7Hz,1H)。
式(I)の化合物は、後述する一般的な合成方法に従って調製した。これらの方法において使用されるようなAr1−NH2は、例えば、Organic Letters,2001,3,21,3417〜3419頁;J.Org.Chem.,2009,74,4634〜4637頁;J.Org.Chem.,2000,65,2612〜2614頁において開示されている通りに形成され得る。
モデル化合物5a〜5cは、ベンゾシクロブタンの反応性に対する広範な置換基R1の影響を示すために、下記の反応スキームに従って調製したものであり、ここで、R1は、置換されていてもよいフェニル基Ar6である:
室温のクロロホルム(2000ml)中の3−ブロモビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(1)(100.0g、0.546mol)の懸濁液に、N−ブロモコハク酸イミド(233.4g、1.311mol)、続いて1,1’−アゾビス(シアノシクロヘキサン)(ABCN)(13.3g、0.054mol)を添加した。混合物を終夜還流させた。
H2O(1000ml)中の3−ブロモ−7,7−ジブロモ−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(2)(186.2g、0.546mol、理論上)の懸濁液に、硫酸(97%、50ml)を15℃で添加した。得られた混合物を75℃で4.5日間撹拌した。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=3.99(s,2H),7.22(d,J=8.0Hz,1H),7.58(d,J=8.0Hz,1H),7.72(s,1H)。
3−ブロモ−7−アリール−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4):
−10℃のジエチルエーテル(20ml)中の3−ブロモビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オン(3)(2.0g、10.1mmol)の溶液に、アリールグリニャールを添加した。得られた混合物を室温で1時間撹拌し、0℃のHCl(2M水溶液、10ml)でクエンチした。相を分離し、有機抽出物をH2O(3×20ml)で洗浄し、MgSO4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。残留物をプラグ(シリカ、ヘキサン:ジクロロメタンの勾配)に通して濾過して、3−ブロモ−7−アリール−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4)を異性体の混合物として産出した。
0℃のヘキサン中の3−ブロモ−7−アリール−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4)(1当量)の懸濁液に、トリエチルシラン(1.5当量)、続いてトリフルオロ酢酸(5当量)を添加した。得られた混合物を室温で1時間撹拌し、氷/水(20ml)に注ぎ入れた。相を分離し、有機抽出物をNaOAc(10wt%水溶液、20ml)、H2O(4×20ml)で洗浄し、MgSO4で乾燥させ、減圧下で濃縮した。残留物をプラグ(シリカ、ヘキサン)に通して濾過して、3−ブロモ−7−アリール−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(5)を異性体の混合物として産出した。
3−ブロモ−7−フェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4a):
3−ブロモビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オン(3)(2.0g、10.1mmol)、ジエチルエーテル(20ml)、フェニルマグネシウムブロミド(ジエチルエーテル中3M、3.4ml、10.1mmol)を使用して、3−ブロモ−7−フェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4a)を淡黄色油(2.1g、GC−MS:M+=274、M−=276、75%収率、異性体の混合物として単離される)として生じさせた。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=2.65(s,1H),3.57(d,J=14.3Hz,1H),3.64(d,J=14.3Hz,1H),7.16(d,J=7.9Hz,1H),7.30(m,1H),7.35(m,2H),7.40(s,1H),7.45(d,J=8.8Hz,2H),7.47(d,J=7.8Hz,1H)。
3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルマグネシウムブロミドは、ジエチルエーテル中溶液(3.8ml)中の3,5−ビス(トリフルオロメチル)−ブロモベンゼン(3.27g、11.7mmol)から調製した。これを、マグネシウム削り屑(0.30g、12.2mmol)および触媒量のヨウ素に添加した。これを1時間還流させ、室温まで冷却し、そのまま使用した。
ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミドは、ジエチルエーテル中溶液(12ml)中のブロモペンタフルオロベンゼン(2.88g、11.7mmol)から調製した。これを、マグネシウム削り屑(0.30g、12.2mmol)および触媒量のヨウ素に添加した。これを1時間還流させ、室温まで冷却し、そのまま使用した。
3−ブロモ−7−フェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4a)(2.1g、7.6mmol)、ヘキサン(10ml)、トリエチルシラン(1.3g、11.5mmol)、トリフルオロ酢酸(4.3g、38.2mmol)を使用して、3−ブロモ−7−フェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(5a)を淡黄色油(1.5g、GC−MS:M+=258、M−=260、76%収率、異性体の混合物として単離される)として生じさせた。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=3.06(dd,J=14.2Hz,1.8Hz,1H),3.71(dd,J=14.2Hz,5.6Hz,1H),4.62(m,1H),7.03(d,J=7.7Hz,1H),7.23(m,3H),7.31(m,3H),7.42(d,J=7.8Hz,1H)。
3−ブロモ−7−(3’,5’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル)−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(4b)(3.2g、7.7mmol)、ヘキサン(10ml)、トリエチルシラン(1.3g、11.5mmol)、トリフルオロ酢酸(4.4g、38.6mmol)を使用して、3−ブロモ−7−(3’,5’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジル)−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(5b)(0.8g、GC−MS:M+=394、M−=396、26%収率、異性体の混合物として単離される)を生じさせた。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=3.11(dd,J=14.3Hz,2.5Hz,1H),3.81(dd,J=14.3Hz,5.7Hz,1H),4.72(m,1H),7.05(d,J=7.9Hz,1H),7.36(s,1H),7.48(d,J=7.8Hz,1H),7.66(s,2H),7.76(s,1H)。
3−ブロモ−7−ペンタフルオロフェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン−7−オール(4c)(3.1g、8.5mmol)、ヘキサン(15ml)、トリエチルシラン(1.08g、9.34mmol)、トリフルオロ酢酸(9.7g、84.9mmol)を使用して、3−ブロモ−7−ペンタフルオロフェニル−ビシクロ[4.2.0]オクタ−1,3,5−トリエン(5c)(2.7g、GC−MS:M+=348、M−=351、73%収率、異性体の混合物として単離される)を生じさせた。
1H NMR(600MHz,CDCl3):δ=3.43(dd,J=14.3Hz,2.8Hz,1H),3.76(dd,J=14.3Hz,5.7Hz,1H),4.86(m,1H),6.99(d,J=7.9Hz,1H),7.30(s,1H),7.41(d,J=7.8Hz,1H)。
下記の反応スキームにおける化合物6とのディールス・アルダー型反応において、モデル化合物の相対反応性を決定した:
下記の構造を有するデバイスを調製した:
ITO/HIL/HTL/LEL/カソード
[ここで、ITOは酸化インジウムスズカソードであり、HILは正孔注入層であり、HTLは正孔輸送層であり、かつLELは発光層である]。
101 アノード
103 発光層
105 カソード
107 基板
Claims (15)
- 電子デバイスの層を形成する方法であって、式(I)の化合物
Sp1は、独立に各出現時において、スペーサ基を表し、
wは、独立に各出現時において、0または1であり、
Arは、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
R1は、各出現時において独立に、Hまたは置換基を表し、但し、少なくとも1つのR1は置換基であり、
nは少なくとも1であり、かつ
*は、式(II)の基と前記コアとの結合点である]
を含む前駆体層を堆積させるステップと、
式(I)の化合物を開環付加反応において反応させるステップとを含み、
ここで、式(I)の化合物は、それ自体と、または非ポリマー性共反応物質と反応する、該方法。 - 式(II)の少なくとも1つの基のwが1であり、かつSp1が、C1〜20n−アルキル鎖からなる群から選択され、ここで、前記n−アルキル鎖の1つまたは複数の隣接しないC原子は、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、O、S、置換されているN、置換されているSi−C=Oおよび−COO−で置きかえられていてよく、かつ、前記n−アルキル鎖の1つまたは複数のH原子は、C1〜5アルキル、Fまたはアリールもしくはヘテロアリール基で置きかえられていてよい、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つのR1が、直鎖状または分枝状C1〜20アルキル;C1〜20アルコキシ;無置換であっても1つまたは複数の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基;およびシリルからなる群から選択される、請求項1または2のいずれかに記載の方法。
- 式(II)の少なくとも1つの基が、1つのR1置換基のみを有する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- Arが、無置換であっても1つまたは複数の置換基で置換されていてもよいフェニルである、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記コアが、式(III)の基:
Ar1は、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
Ar3は、各出現時において独立に、無置換のまたは1つもしくは複数の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール基を表し、
R8は、各出現時において独立に、置換基を表し、かつ、同じN原子に直接結合しているR8およびAr3は、連結して環を形成していてよく、
xは、正の整数であり、1、2または3であってもよく、
yは、各出現時において、独立に、0または正の整数であり、1または2であってもよく、
mは、各出現時において、正の整数であり、1または2であってもよく、
式(II)の前記または各基は、独立に各出現時において、Ar1;yが正の整数である場合はAr3;およびyが0である場合はNの1つと結合している]
である、請求項1から5のいずれかに記載の方法。 - R8が式(II)の基である、請求項6に記載の方法。
- Ar1が、無置換であっても1つまたは複数の置換基で置換されていてもよいフェニル、および無置換であっても1つまたは複数の置換基で置換されていてもよい縮合アリールまたはヘテロアリール基からなる群から選択される、請求項6または7に記載の方法。
- 式(I)の化合物がイオン性化合物であり、かつコアがカチオンまたはアニオンである、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 式(I)の化合物がそれ自体と反応して前記層を形成する、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記電子デバイスが、アノードとカソードとの間に発光層を備える有機発光デバイスであり、
前記反応層が、前記アノードと前記発光層との間の正孔輸送層である、
請求項1から13のいずれかに記載の方法。
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