JP2014107577A - Resonator device and signal processor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance heat dissipation from a dielectric coaxial resonator and a coupling member with a simple configuration.SOLUTION: A signal processor 11 includes a resonator device 1 and a housing 13. The resonator device 1 includes a PCB board 5, a dielectric coaxial resonator 2A, a coupling member 4, and a connection terminal 3A. The coupling member 4 constitutes an impedance element electrically connected to the dielectric coaxial resonator 2A. The connection terminal 3A is inserted into a through hole of the dielectric coaxial resonator 2A, and a first end 31 of the connection terminal 3A projects to the front side of the dielectric coaxial resonator 2A and is joined to the coupling member 4, and a second end 32 of the connection terminal 3A projects to the rear side of the dielectric coaxial resonator 2A. The housing 13 is in contact with the second end 32 of the connection terminal 3A. The connection terminal 3A has higher thermal conductivity than the PCB board 5.

Description

この発明は、誘電体同軸共振器を基板上に設けてフィルタ回路や発振回路などを構成した共振器装置と、共振器装置を筐体内に収容している信号処理装置と、に関するものである。   The present invention relates to a resonator device in which a dielectric coaxial resonator is provided on a substrate to constitute a filter circuit, an oscillation circuit, and the like, and a signal processing device in which the resonator device is housed in a casing.

誘電体同軸共振器を基板上に設けてフィルタ回路や発振回路などを構成したモジュール構造の共振器装置が従来から利用されている(例えば、特許文献1乃至3参照)。共振器装置は、無線通信システムの基地局などの信号処理装置で利用される場合、数W(ワット)から数十Wの大電力が印加されることがある。共振器装置に大電力が印加されると、誘電体同軸共振器には大きな発熱が生じ、誘電体同軸共振器の周囲での電極やはんだの劣化、誘電体ブロックの破損、誘電体同軸共振器におけるQ値の低下などが発生することがある。   Conventionally, a resonator device having a module structure in which a dielectric coaxial resonator is provided on a substrate to constitute a filter circuit, an oscillation circuit, or the like has been used (see, for example, Patent Documents 1 to 3). When the resonator device is used in a signal processing device such as a base station of a wireless communication system, high power of several watts to several tens of watts may be applied. When a large amount of power is applied to the resonator device, a large amount of heat is generated in the dielectric coaxial resonator, electrode and solder deterioration around the dielectric coaxial resonator, dielectric block damage, dielectric coaxial resonator In some cases, the Q value may decrease.

そこで、特許文献1では、誘電体同軸共振器が有する貫通孔に内導体を充填し、誘電体同軸共振器の放熱性を高めた構成が記載されている。また、特許文献2では、誘電体同軸共振器が有する貫通孔に水冷用のチューブを設け、誘電体同軸共振器の放熱性を高めた構成が記載されている。また、特許文献3では、放熱用フィンが設けられたカバーを誘電体同軸共振器に取り付け、誘電体同軸共振器の放熱性を高めた構成が記載されている。   Therefore, Patent Document 1 describes a configuration in which the through hole of the dielectric coaxial resonator is filled with an inner conductor to improve the heat dissipation of the dielectric coaxial resonator. Further, Patent Document 2 describes a configuration in which a water cooling tube is provided in a through hole of a dielectric coaxial resonator to improve heat dissipation of the dielectric coaxial resonator. Further, Patent Document 3 describes a configuration in which a cover provided with heat radiation fins is attached to a dielectric coaxial resonator to improve the heat dissipation of the dielectric coaxial resonator.

特開平05−90811号公報JP 05-90811 A 実開平06−62608号公報Japanese Utility Model Publication No. 06-62608 実開2008−211309号公報Japanese Utility Model Publication No. 2008-2111309

特許文献1の構成では、誘電体同軸共振器自体の放熱性を高めることができても、誘電体同軸共振器が搭載される基板の熱伝導性が低いと十分な放熱ができず、発熱に伴う問題を回避することができなかった。特に、熱伝導性が低いPCB基板に誘電体同軸共振器が搭載される場合には、PCB基板を介した熱伝達が非常に小さく、誘電体同軸共振器からの放熱を行うことが難しかった。   In the configuration of Patent Document 1, even if the heat dissipation of the dielectric coaxial resonator itself can be improved, if the thermal conductivity of the substrate on which the dielectric coaxial resonator is mounted is low, sufficient heat dissipation cannot be performed and heat is generated. The accompanying problem could not be avoided. In particular, when a dielectric coaxial resonator is mounted on a PCB substrate having low thermal conductivity, heat transfer through the PCB substrate is very small, and it is difficult to dissipate heat from the dielectric coaxial resonator.

特許文献2の構成では、水冷用の追加部品が必要となり、コストの低減や小型化、実装容易化などが難しかった。   In the configuration of Patent Document 2, additional parts for water cooling are required, and it is difficult to reduce costs, reduce size, and facilitate mounting.

特許文献3の構成では、誘電体同軸共振器の周辺での換気が十分でなければ、誘電体同軸共振器の周辺気温が高くなってしまうため、放熱用フィンによる高い放熱性を維持することが難しかった。また、放熱用フィンを設けたカバーの分だけ、共振器装置の製造コストや、サイズ、重量が増大してしまい、その上、カバーと誘電体同軸共振器との接合状態に応じて、誘電体同軸共振器の高周波特性(例えば減衰特性)の変動が生じてしまうという問題があった。   In the configuration of Patent Document 3, if the ventilation around the dielectric coaxial resonator is not sufficient, the ambient temperature of the dielectric coaxial resonator becomes high, so that high heat dissipation by the heat radiating fins can be maintained. was difficult. In addition, the manufacturing cost, size, and weight of the resonator device are increased by the amount of the cover provided with the heat dissipating fins. In addition, depending on the bonding state between the cover and the dielectric coaxial resonator, the dielectric There has been a problem that the high-frequency characteristics (for example, attenuation characteristics) of the coaxial resonators fluctuate.

また、共振器装置においては、誘電体同軸共振器同士の結合や、誘電体同軸共振器と入出力端子との結合を実現するために、実装基板上にキャパシタやインダクタなどの結合素子(結合部材)が実装されることがある。この場合、共振器装置に数W(ワット)から数十Wの電力が印加されることで、誘電体同軸共振器だけでなく結合素子においても発熱が大きくなる。そのため、引用文献1〜3のような構成で誘電体同軸共振器の放熱性を改善できたとしても、結合素子における放熱性を改善することはできず、結合素子の周囲での電極やはんだの劣化、結合素子の破損などが発生することがあった。   In a resonator device, in order to realize coupling between dielectric coaxial resonators and coupling between the dielectric coaxial resonator and an input / output terminal, a coupling element (coupling member such as a capacitor or an inductor) is mounted on a mounting substrate. ) May be implemented. In this case, when a power of several watts to several tens of watts is applied to the resonator device, heat generation increases not only in the dielectric coaxial resonator but also in the coupling element. Therefore, even if the heat dissipation of the dielectric coaxial resonator can be improved with the configurations as in References 1 to 3, the heat dissipation of the coupling element cannot be improved, and the electrodes and solder around the coupling element cannot be improved. Deterioration, damage to the coupling element, etc. may occur.

そこで、本発明の目的は、簡易な構成で誘電体同軸共振器と結合素子(結合部材)からの放熱性を高めることができ、信頼性を高めた共振器装置および信号処理装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a resonator device and a signal processing device that can improve heat dissipation from a dielectric coaxial resonator and a coupling element (coupling member) with a simple configuration and have improved reliability. It is in.

この発明の信号処理装置は、周波数回路を筐体に収容しており、基板と、誘電体同軸共振器と、結合部材と、接続端子と、筐体と、を備えている。また、この発明の共振器装置は、基板と、誘電体同軸共振器と、結合部材と、接続端子と、を備えている。または、この発明の共振器装置は、基板と、誘電体同軸共振器と、結合部材と、接続端子と、筐体と、を備えている。誘電体同軸共振器は、信号処理装置における周波数回路の構成素子であり、誘電体ブロックの正面を除く外面に外導体を設け、前記誘電体ブロックの貫通孔に内導体を設けてなる。結合部材は、誘電体同軸共振器の内導体に接続されるインピーダンス素子を構成している。基板は、誘電体同軸共振器および結合部材を天面に搭載している。接続端子は、誘電体ブロックの貫通孔に挿入されており、第一端が誘電体ブロックの正面側に突出して結合部材と接しており、第二端が誘電体ブロックの背面側に突出して筐体と接しており、基板よりも高い熱伝導性を有している。   The signal processing device according to the present invention houses a frequency circuit in a housing, and includes a substrate, a dielectric coaxial resonator, a coupling member, a connection terminal, and a housing. The resonator device according to the present invention includes a substrate, a dielectric coaxial resonator, a coupling member, and a connection terminal. Or the resonator apparatus of this invention is equipped with the board | substrate, the dielectric coaxial resonator, the coupling member, the connection terminal, and the housing | casing. A dielectric coaxial resonator is a component of a frequency circuit in a signal processing device, and is provided with an outer conductor on the outer surface except the front surface of the dielectric block, and with an inner conductor in a through hole of the dielectric block. The coupling member constitutes an impedance element connected to the inner conductor of the dielectric coaxial resonator. The substrate has a dielectric coaxial resonator and a coupling member mounted on the top surface. The connection terminal is inserted into the through hole of the dielectric block, the first end projects to the front side of the dielectric block and contacts the coupling member, and the second end projects to the rear side of the dielectric block. It is in contact with the body and has higher thermal conductivity than the substrate.

以上の構成では、筐体に接する接続端子を介して、誘電体同軸共振器および結合部材から筐体への熱伝達がおこり、誘電体同軸共振器および結合部材の放熱性を高めることができる。筐体に接触させる接続端子の第二端は、外導体が設けられている誘電体ブロックの背面から突出しているので、接続端子を筐体に接触させても、誘電体同軸共振器の特性劣化が殆ど生じない。   With the above configuration, heat transfer from the dielectric coaxial resonator and the coupling member to the housing occurs via the connection terminal in contact with the housing, and the heat dissipation of the dielectric coaxial resonator and the coupling member can be improved. The second end of the connection terminal that comes into contact with the housing protrudes from the back surface of the dielectric block on which the outer conductor is provided. Therefore, even if the connection terminal is brought into contact with the housing, the characteristics of the dielectric coaxial resonator deteriorate. Hardly occurs.

上述の接続端子は棒状に構成されていると好適である。これにより、接続端子の第一端から第二端への熱伝導性が向上し、放熱性をより高めることができる。   The above-mentioned connection terminal is preferably configured in a rod shape. Thereby, the heat conductivity from the 1st end of a connection terminal to a 2nd end improves, and heat dissipation can be improved more.

上述の信号処理装置および共振器装置は、流動性と、共振器装置の基板よりも高い熱伝導性とを有する緩衝材を備え、接続端子の第二端が、緩衝材に覆われていると好適である。これにより、共振器装置や接続端子の取り付け位置にばらつきがあったり、接触面における平坦度が低くても、接続端子と筐体とが緩衝材を介して確実に接触することになり、接続端子と筐体との間での熱伝達効率を高められる。   The signal processing device and the resonator device described above include a buffer material having fluidity and higher thermal conductivity than the substrate of the resonator device, and the second end of the connection terminal is covered with the buffer material. Is preferred. As a result, even if there is variation in the mounting position of the resonator device or the connection terminal, or even if the flatness on the contact surface is low, the connection terminal and the housing are reliably in contact with each other via the cushioning material. Heat transfer efficiency between the housing and the housing.

上述の接続端子の第二端は、誘電体ブロックの背面側に直進してもよく、誘電体ブロックの底面側に屈曲してもよく、誘電体ブロックの天面側に屈曲してもよい。誘電体ブロックの背面側や天面側に位置する筐体の外装板は、共振器装置からの熱伝達経路が長いために、誘電体ブロックの底面側に位置する筐体の外装板よりも低温になりやすい。したがって、それらの外装板に接続端子の第二端が接触するように構成することにより、放熱性をより高められる。一方、誘電体ブロックの底面側に位置する筐体の外装板に、接続端子が接触するように構成すれば、共振器装置の筐体内での配置制約が緩くなり、設計自由度が向上する。   The second end of the connection terminal described above may go straight to the back side of the dielectric block, bend to the bottom side of the dielectric block, or bend to the top side of the dielectric block. The casing exterior plate located on the back side or top side of the dielectric block has a longer heat transfer path from the resonator device, and therefore has a lower temperature than the casing exterior plate located on the bottom side of the dielectric block. It is easy to become. Therefore, the heat dissipation can be further enhanced by configuring the outer terminals so that the second ends of the connection terminals are in contact with them. On the other hand, if the connection terminal is configured to come into contact with the exterior plate of the housing located on the bottom side of the dielectric block, the arrangement restrictions within the housing of the resonator device are relaxed, and the degree of freedom in design is improved.

上述の信号処理装置および共振器装置は、複数の誘電体同軸共振器と、誘電体同軸共振器それぞれに取り付けられている複数の接続端子と、を備え、複数の接続端子のうちの、少なくとも一つを除いて、接続端子の第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出して前記筐体と接していると好適である。
例えば、中間に配置される誘電体同軸共振器には熱がこもり易く、その誘電体同軸共振器に取り付けられている接続端子を背面側に突出させて伝熱を図ることにより、効果的な放熱を図ることができる。また、回路構成によっては、結合部材で構成される特定のインピーダンス素子のみが高温になることがあるために、そのインピーダンス素子に接続される接続端子を誘電体同軸共振器の背面側に突出させて伝熱を図ることでも、効果的な放熱を図ることができる。
The signal processing device and the resonator device described above include a plurality of dielectric coaxial resonators and a plurality of connection terminals attached to each of the dielectric coaxial resonators, and at least one of the plurality of connection terminals. Except for this, it is preferable that the second end of the connection terminal protrudes toward the back side of the dielectric block and is in contact with the housing.
For example, heat is easily trapped in the dielectric coaxial resonator disposed in the middle, and effective heat dissipation is achieved by projecting the connection terminal attached to the dielectric coaxial resonator to the back side for heat transfer. Can be achieved. In addition, depending on the circuit configuration, only a specific impedance element composed of the coupling member may become high temperature, so the connection terminal connected to the impedance element protrudes to the back side of the dielectric coaxial resonator. Effective heat radiation can also be achieved by conducting heat transfer.

上述の誘電体同軸共振器は、底面の一部領域が基板から露出しており、筐体から内部空間に突出する突起部が、基板から露出する誘電体同軸共振器の底面に接するように設けられていると好適である。この構成では、誘電体同軸共振器の外導体に筐体の突起部が直接接触することになるので、誘電体同軸共振器から筐体への突起部を介した直接の熱伝達がおこり、誘電体同軸共振器からの放熱性をさらに高めることができる。   The dielectric coaxial resonator described above is provided such that a partial region of the bottom surface is exposed from the substrate, and the protrusion protruding from the housing into the internal space is in contact with the bottom surface of the dielectric coaxial resonator exposed from the substrate. Preferably. In this configuration, since the protrusion of the housing is in direct contact with the outer conductor of the dielectric coaxial resonator, direct heat transfer from the dielectric coaxial resonator to the housing occurs via the protrusion. The heat dissipation from the body coaxial resonator can be further enhanced.

この発明によれば、誘電体同軸共振器と結合部材との間を電気的に接続する接続端子が、誘電体同軸共振器の貫通孔から背面側に突出して筐体に接するので、接続端子を介して、誘電体同軸共振器および結合部材から筐体への熱伝達がおこり、放熱性を高めることができる。その場合であっても、筐体に接触させる接続端子の第二端は、外導体が設けられている誘電体ブロックの背面から突出しているので、誘電体同軸共振器の特性変動が殆ど生じない。したがって、簡易な構成で、共振器装置や信号処理装置の信頼性を高めることができる。   According to the present invention, the connection terminal for electrically connecting the dielectric coaxial resonator and the coupling member protrudes from the through hole of the dielectric coaxial resonator to the back side and comes into contact with the housing. Thus, heat transfer from the dielectric coaxial resonator and the coupling member to the housing occurs, and heat dissipation can be improved. Even in such a case, the second end of the connection terminal to be brought into contact with the housing protrudes from the back surface of the dielectric block provided with the outer conductor, so that the characteristic variation of the dielectric coaxial resonator hardly occurs. . Therefore, the reliability of the resonator device and the signal processing device can be improved with a simple configuration.

本発明の第1の実施形態に係る共振器装置を示す分解斜視図および平面図である。It is the disassembled perspective view and top view which show the resonator apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る共振器装置を示す等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram showing a resonator device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the signal processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る共振器装置を示す平面図および信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the top view which shows the resonator apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a signal processing apparatus. 本発明の第3の実施形態に係る信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the signal processing apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the signal processing apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the signal processing apparatus which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。It is a top view which shows the resonator apparatus which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 特定の回路構成例におけるインピーダンス素子の発熱量について説明する図である。It is a figure explaining the emitted-heat amount of the impedance element in a specific circuit structural example. 本発明の第7の実施形態に係る共振器装置を示す平面図および信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the top view which shows the resonator apparatus which concerns on the 7th Embodiment of this invention, and a signal processing apparatus. 本発明の第8の実施形態に係る信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the signal processing apparatus which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 本発明の第9の実施形態に係る共振器装置を示す平面図および信号処理装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the top view and signal processing apparatus which show the resonator apparatus which concerns on the 9th Embodiment of this invention.

以下、本発明に係る信号処理装置を、携帯通信システムで利用される基地局や中継局とし、本発明に係る共振器装置を、基地局や中継局の周波数回路に利用される共振器装置とする例を説明する。なお、本発明に係る信号処理装置は、基地局や中継局の他、携帯通信端末や、携帯通信システム以外で利用される信号処理装置であってもよい。   Hereinafter, the signal processing device according to the present invention is a base station or a relay station used in a mobile communication system, and the resonator device according to the present invention is a resonator device used in a frequency circuit of a base station or a relay station. An example will be described. Note that the signal processing device according to the present invention may be a signal processing device that is used other than a base station or a relay station, a mobile communication terminal, or a mobile communication system.

《第1の実施形態》
図1(A)は、第1の実施形態に係る共振器装置を示す分解斜視図である。図1(B)は、第1の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。
第1の実施形態に係る共振器装置1は、複数の誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子3A,3B,3Cと、結合部材4と、PCB基板5とを備えている。
<< First Embodiment >>
FIG. 1A is an exploded perspective view showing the resonator device according to the first embodiment. FIG. 1B is a plan view showing the resonator device according to the first embodiment.
The resonator device 1 according to the first embodiment includes a plurality of dielectric coaxial resonators 2A, 2B, 2C, connection terminals 3A, 3B, 3C, a coupling member 4, and a PCB substrate 5.

誘電体同軸共振器2A〜2Cは、それぞれ、誘電体ブロック21と、外導体22と、内導体23とを備えている。誘電体ブロック21は、誘電体材料からなり、正面と背面と天面と底面と右側面と左側面とを有する六面体であって、正面と背面とに開口する貫通孔24が設けられている。より具体的には、誘電体ブロック21は、LTCC(低温同時焼結セラミックス)からなり、正面および背面が正方形状であり、正面と背面との間を長手とする長方体である。外導体22は、誘電体ブロック21の外面のうち、正面を除く五面それぞれの全面に設けられている。内導体23は、貫通孔24の内面に設けられている。誘電体同軸共振器2A〜2Cは、誘電体同軸共振器2Aと誘電体同軸共振器2Bとの間に誘電体同軸共振器2Cが挟まれるように配列されている。
ここでは、誘電体ブロック21の正面には外導体22を設けずに背面に外導体22を設けて、内導体23を、外導体22に対して一端短絡、且つ、一端開放としている。これにより、誘電体同軸共振器2A〜2Cは、1/4波長共振器として構成されている。
Each of the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C includes a dielectric block 21, an outer conductor 22, and an inner conductor 23. The dielectric block 21 is made of a dielectric material and is a hexahedron having a front surface, a back surface, a top surface, a bottom surface, a right side surface, and a left side surface, and is provided with through-holes 24 that open to the front surface and the back surface. More specifically, the dielectric block 21 is made of LTCC (low temperature co-sintered ceramics), has a square shape on the front and the back, and has a long side between the front and the back. Outer conductor 22 is provided on the entire outer surface of dielectric block 21 on each of the five surfaces except the front surface. The inner conductor 23 is provided on the inner surface of the through hole 24. The dielectric coaxial resonators 2A to 2C are arranged so that the dielectric coaxial resonator 2C is sandwiched between the dielectric coaxial resonator 2A and the dielectric coaxial resonator 2B.
Here, the outer conductor 22 is not provided on the front surface of the dielectric block 21 but the outer conductor 22 is provided on the rear surface, and the inner conductor 23 is short-circuited with respect to the outer conductor 22 and is open at one end. Accordingly, the dielectric coaxial resonators 2A to 2C are configured as quarter wavelength resonators.

接続端子3Aは、誘電体同軸共振器2Aに取り付けられている。接続端子3Bは、誘電体同軸共振器2Bに取り付けられている。接続端子3Cは、誘電体同軸共振器2Cに取り付けられている。接続端子3A〜3Cは、銅やアルミなどの素材からなり、それぞれ、断面形状が円形の棒状であり、誘電体ブロック21の貫通孔24に挿入され、貫通孔24の内部に設けられている内導体23にはんだ付けされている。接続端子3A〜3Cは、第一端31と第二端32とを有しており、第一端31は、貫通孔24から誘電体ブロック21の正面側に突出し、第二端32は、貫通孔24から誘電体ブロック21の背面側に突出している。   The connection terminal 3A is attached to the dielectric coaxial resonator 2A. The connection terminal 3B is attached to the dielectric coaxial resonator 2B. The connection terminal 3C is attached to the dielectric coaxial resonator 2C. The connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C are made of a material such as copper or aluminum, and each has a circular cross-sectional shape. The connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C are inserted into the through holes 24 of the dielectric block 21 and are provided inside the through holes 24. Soldered to the conductor 23. The connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C have a first end 31 and a second end 32, the first end 31 protrudes from the through hole 24 to the front side of the dielectric block 21, and the second end 32 extends through the connection terminal 3 </ b> A to 3 </ b> C. Projecting from the hole 24 to the back side of the dielectric block 21.

結合部材4は、誘電体板41と、天面電極42A,42B,42Cと、底面電極43A,43Bと、を備えている。誘電体板41は、LTCCやガラスエポキシなどからなり、天面および底面が長方形状の平板である。天面電極42A〜42Cは、誘電体板41の天面に長手方向に並べて配置されており、天面電極42Aと天面電極42Bとの間に天面電極42Cが挟まれている。天面電極42Aは、接続端子3Aがはんだ付けなどの接合法を用いて取り付けられている。天面電極42Bは、接続端子3Bがはんだ付けなどの接合法を用いて取り付けられている。天面電極42Cは、接続端子3Cがはんだ付けなどの接合法を用いて取り付けられている。
底面電極43A,43Bは、誘電体板41の底面に設けられている。底面電極43Aと天面電極42Aとは、互いの一部領域同士が誘電体板41を介して対向するように設けられている。また、底面電極43Bと天面電極42Bとは、互いの一部領域同士が誘電体板41を介して対向するように設けられている。このため、底面電極43A,43Bと天面電極42A,42Bとは、容量結合している。
The coupling member 4 includes a dielectric plate 41, top surface electrodes 42A, 42B, and 42C, and bottom surface electrodes 43A and 43B. The dielectric plate 41 is made of LTCC, glass epoxy, or the like, and is a flat plate whose top surface and bottom surface are rectangular. The top surface electrodes 42A to 42C are arranged in the longitudinal direction on the top surface of the dielectric plate 41, and the top surface electrode 42C is sandwiched between the top surface electrode 42A and the top surface electrode 42B. In the top electrode 42A, the connection terminal 3A is attached by using a joining method such as soldering. In the top electrode 42B, the connection terminal 3B is attached by using a joining method such as soldering. In the top electrode 42C, the connection terminal 3C is attached by using a joining method such as soldering.
The bottom electrodes 43A and 43B are provided on the bottom surface of the dielectric plate 41. The bottom electrode 43 </ b> A and the top electrode 42 </ b> A are provided so that their partial regions face each other with the dielectric plate 41 interposed therebetween. Further, the bottom electrode 43B and the top electrode 42B are provided so that their partial regions face each other with the dielectric plate 41 therebetween. For this reason, the bottom electrodes 43A and 43B and the top electrodes 42A and 42B are capacitively coupled.

PCB基板5は、板部51と、接続電極52A,52Bと、接地電極53と、を備えている。板部51は、ガラスエポキシなどからなる概略正方形状の平板である。接続電極52Aは、板部51の天面から左側面を経由して底面に至るように設けられている。接続電極52Bは、板部51の上面から右側面を経由して下面に至るように設けられている。接地電極53は、板部51の天面から背面を経由して底面に至るように設けられている。   The PCB substrate 5 includes a plate portion 51, connection electrodes 52 </ b> A and 52 </ b> B, and a ground electrode 53. The plate portion 51 is a substantially square flat plate made of glass epoxy or the like. The connection electrode 52A is provided from the top surface of the plate portion 51 to the bottom surface via the left side surface. The connection electrode 52B is provided from the upper surface of the plate portion 51 to the lower surface via the right side surface. The ground electrode 53 is provided from the top surface of the plate portion 51 to the bottom surface via the back surface.

接続電極52A,52Bの天面側には、結合部材4が取り付けられている。そして、接続電極52Aは、結合部材4の底面電極43Aがはんだ付けなどの接合法を用いて接合されている。接続電極52Bは、結合部材4の底面電極43Bがはんだ付けなどの接合法を用いて接合されている。接地電極53の天面側には、誘電体同軸共振器2A〜2Cが取り付けられており、誘電体同軸共振器2A〜2Cの外導体22がはんだ付けなどの接合法を用いて接合されている。なお、図示していないが接地電極53は、板部51の底面側では結合部材4および誘電体同軸共振器2A〜2Cに対向するような形状で設けられている。   The coupling member 4 is attached to the top surface side of the connection electrodes 52A and 52B. The connection electrode 52A is joined to the bottom electrode 43A of the coupling member 4 using a joining method such as soldering. The connection electrode 52B is joined to the bottom electrode 43B of the coupling member 4 by using a joining method such as soldering. Dielectric coaxial resonators 2A to 2C are attached to the top surface side of ground electrode 53, and outer conductors 22 of dielectric coaxial resonators 2A to 2C are bonded using a bonding method such as soldering. . Although not shown, the ground electrode 53 is provided on the bottom surface side of the plate portion 51 so as to face the coupling member 4 and the dielectric coaxial resonators 2A to 2C.

そして、誘電体同軸共振器2A〜2Cは、背面側の端部がPCB基板5から背面方向に突出するように配置されている。即ち、共振器装置1を底面側から視て、誘電体同軸共振器2A〜2Cの背面側の端部が、PCB基板5から露出している。   The dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C are arranged so that the back end portions protrude from the PCB substrate 5 in the back direction. That is, when the resonator device 1 is viewed from the bottom surface side, the end portions on the back surface side of the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C are exposed from the PCB substrate 5.

図2は、共振器装置1の等価回路図である。   FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the resonator device 1.

誘電体同軸共振器2Aは、入出力段の1/4波長共振器を構成しており、接続電極52Aが構成する外部接続端子と、静電容量Ceを介して開放端が結合している。また、誘電体同軸共振器2Bも、入出力段の1/4波長共振器を構成しており、接続電極52Bが構成する外部接続端子と、静電容量Ceを介して開放端が結合している。静電容量Ceは、結合部材4において、天面電極42A,42Bと底面電極43A,43Bとが誘電体板41を介して対向することにより構成されている。   The dielectric coaxial resonator 2A constitutes a quarter-wave resonator at the input / output stage, and the open end is coupled to the external connection terminal formed by the connection electrode 52A via the capacitance Ce. The dielectric coaxial resonator 2B also constitutes a quarter wavelength resonator at the input / output stage, and the open end is coupled to the external connection terminal formed by the connection electrode 52B via the capacitance Ce. Yes. The electrostatic capacitance Ce is configured by the top surface electrodes 42 </ b> A and 42 </ b> B and the bottom surface electrodes 43 </ b> A and 43 </ b> B facing each other through the dielectric plate 41 in the coupling member 4.

誘電体同軸共振器2A,2Bが構成する入出力段の1/4波長共振器と、誘電体同軸共振器2Cが構成する中間段の1/4波長共振器とは、開放端同士が静電容量Ckを介して結合している。静電容量Ckは、結合部材4において、天面電極42A,42Bと天面電極42Cとが隣り合うことにより構成されている。   The open ends of the 1/4 wavelength resonator of the input / output stage formed by the dielectric coaxial resonators 2A and 2B and the 1/4 wavelength resonator of the intermediate stage formed by the dielectric coaxial resonator 2C are electrostatic at the open ends. It couple | bonds via the capacity | capacitance Ck. The capacitance Ck is configured by the top surface electrodes 42 </ b> A and 42 </ b> B and the top surface electrode 42 </ b> C adjacent to each other in the coupling member 4.

誘電体同軸共振器2A〜2Cが構成する1/4波長共振器それぞれの開放端は、静電容量Csを介して接地されている。静電容量Csは、結合部材4において、天面電極42A〜42Cが、誘電体板41およびPCB基板5を介して、PCB基板5の底面に形成されている接地電極53と対向することにより構成されている。   The open ends of the quarter-wave resonators formed by the dielectric coaxial resonators 2A to 2C are grounded via a capacitance Cs. The capacitance Cs is configured by the top surface electrodes 42A to 42C facing the ground electrode 53 formed on the bottom surface of the PCB substrate 5 through the dielectric plate 41 and the PCB substrate 5 in the coupling member 4. Has been.

このように、結合部材4は、各誘電体同軸共振器2A〜2Cに電気的に接続されるインピーダンス素子として、静電容量Ce,Ck,Csを構成している。そして、共振器装置1は、互いに容量結合する3段の1/4波長共振器と、入出力段の共振器に容量結合する外部接続端子と、からなり、帯域通過型のフィルタ回路(BPF回路)を構成している。なお、共振器装置1は、誘電体同軸共振器を備えて構成されるならば、別の回路構成であってもよい。例えば、異なる段数の共振器を備えても良い。また、帯域阻止フィルタ(BEF)や、高域通過フィルタ(HPF)、低域通過フィルタ(LPF)、発振回路などであってもよい。   As described above, the coupling member 4 constitutes the capacitances Ce, Ck, and Cs as impedance elements that are electrically connected to the dielectric coaxial resonators 2A to 2C. The resonator device 1 includes a three-stage quarter-wave resonator that is capacitively coupled to each other and an external connection terminal that is capacitively coupled to the resonator of the input / output stage, and includes a band-pass filter circuit (BPF circuit). ). The resonator device 1 may have another circuit configuration as long as the resonator device 1 includes a dielectric coaxial resonator. For example, resonators having different numbers of stages may be provided. Further, a band rejection filter (BEF), a high-pass filter (HPF), a low-pass filter (LPF), an oscillation circuit, or the like may be used.

図3は、第1の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing the main configuration of the signal processing apparatus according to the first embodiment.

信号処理装置11は、前述の共振器装置1と、実装基板12と、筐体13と、を備えている。実装基板12は、平板状であり、天面に共振器装置1を含む複数の素子やモジュールを実装して通信回路を構成するものである。筐体13は、全体像については図示していないが内部空間を有する箱型のアルミ筐体であり、共振器装置1を実装する実装基板12や、図示していない電源モジュールなど、多種のモジュールを内部に収容するものである。なお、筐体13は、共振器装置1のPCB基板5よりも熱伝導率の高い素材で構成されていると好適である。   The signal processing device 11 includes the resonator device 1 described above, a mounting substrate 12, and a housing 13. The mounting board 12 has a flat plate shape, and a communication circuit is configured by mounting a plurality of elements and modules including the resonator device 1 on the top surface. The housing 13 is a box-shaped aluminum housing having an internal space (not shown in its entirety), and various modules such as a mounting substrate 12 on which the resonator device 1 is mounted and a power supply module (not shown). Is housed inside. The housing 13 is preferably made of a material having a higher thermal conductivity than the PCB substrate 5 of the resonator device 1.

筐体13は、底面側外装板14と、突起部15と、背面側外装板16と、を備えている。底面側外装板14は、平板状であり、共振器装置1の底面側に位置し、筐体13の一面を構成している。背面側外装板16は、平板状であり、共振器装置1の背面側に位置し、筐体13の一面を構成している。底面側外装板14と背面側外装板16とは、それぞれ、筐体13の内部空間と外部空間とに面している。突起部15は、底面側外装板14から筐体13の内部空間に突起している。   The housing 13 includes a bottom side exterior plate 14, a protrusion 15, and a back side exterior plate 16. The bottom surface side exterior plate 14 has a flat plate shape, is located on the bottom surface side of the resonator device 1, and constitutes one surface of the housing 13. The rear side exterior plate 16 has a flat plate shape, is located on the back side of the resonator device 1, and constitutes one surface of the housing 13. The bottom surface side exterior plate 14 and the back surface side exterior plate 16 face the internal space and the external space of the housing 13, respectively. The protrusion 15 protrudes from the bottom surface side exterior plate 14 into the internal space of the housing 13.

共振器装置1は、実装基板12の天面の端に配置した状態で、実装基板12に実装されている。誘電体同軸共振器2A〜2Cに重なるPCB基板5の背面側の側面と、実装基板12の背面側の側面とは面一になるように位置合わせされている。したがって、共振器装置1を実装している状態の実装基板12を底面側から視ると、実装基板12から誘電体同軸共振器2A〜2Cが露出している。
そして、実装基板12は、図示しないボルトやナットなどを用いて、筐体13の底面側外装板14に取り付けられている。この状態で、共振器装置1の接続端子3A〜3Cの第二端32は、背面側外装板16に接触するように構成されている。即ち、接続端子3A〜3Cの第二端32は、実装基板12を底面側外装板14に取り付けた状態で、背面側外装板16に接触するように、誘電体同軸共振器2A〜2Cからの突出長さが設定されている。したがって、PCB基板5よりも熱伝導率の高い素材である銅やアルミなどで構成されている接続端子3A〜3Cを介した熱伝達により、誘電体同軸共振器2A〜2Cおよび結合部材4から筐体13への放熱が行われる。
The resonator device 1 is mounted on the mounting substrate 12 in a state where the resonator device 1 is disposed at the top end of the mounting substrate 12. The side surface on the back surface side of the PCB substrate 5 overlapping the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the side surface on the back surface side of the mounting substrate 12 are aligned so as to be flush with each other. Therefore, the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C are exposed from the mounting substrate 12 when the mounting substrate 12 on which the resonator device 1 is mounted is viewed from the bottom surface side.
The mounting substrate 12 is attached to the bottom surface side exterior plate 14 of the housing 13 using bolts and nuts (not shown). In this state, the second ends 32 of the connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C of the resonator device 1 are configured to be in contact with the backside exterior plate 16. That is, the second ends 32 of the connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C come from the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C so as to contact the back side exterior plate 16 with the mounting substrate 12 attached to the bottom side exterior plate 14. Projection length is set. Therefore, the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the coupling member 4 are encased by heat transfer via the connection terminals 3A to 3C made of copper, aluminum or the like having a higher thermal conductivity than the PCB substrate 5. Heat dissipation to the body 13 is performed.

また、実装基板12が底面側外装板14に取り付けられている状態で、共振器装置1における誘電体同軸共振器2A〜2Cの底面に突起部15が接触するように、突起部15は設けられている。即ち、突起部15は、実装基板12を底面側外装板14に取り付けた状態で、誘電体同軸共振器2A〜2Cの底面に接触するように、その位置と突起高さとが設定されている。したがって、PCB基板5よりも熱伝導率の高い素材であるアルミなどで構成されている突起部15を介した熱伝達により、誘電体同軸共振器2A〜2Cから筐体13への放熱が行われる。   Further, the protruding portion 15 is provided so that the protruding portion 15 contacts the bottom surface of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C in the resonator device 1 in a state where the mounting substrate 12 is attached to the bottom surface side exterior plate 14. ing. That is, the position and height of the protrusion 15 are set so that the protrusion 15 contacts the bottom surface of the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C with the mounting substrate 12 attached to the bottom surface side exterior plate 14. Therefore, heat is transferred from the dielectric coaxial resonators 2A to 2C to the housing 13 by heat transfer through the protrusions 15 made of aluminum or the like having a higher thermal conductivity than the PCB substrate 5. .

このような構成の信号処理装置11は、共振器装置1に数W(ワット)から数十Wほどの高い電力が印加されても、熱伝導性の良好な接続端子3A〜3Cおよび突起部15を介した熱伝達によって、結合部材4および誘電体同軸共振器2A〜2Cから筐体13への放熱が行われる。筐体13は、熱容量および表面積が大きく、且つ、外気に接しているため、放熱性が極めて高く、結合部材4および誘電体同軸共振器2A〜2Cは高温になりにくい。したがって、このような構成の信号処理装置11によれば、誘電体同軸共振器2A〜2Cにおける熱による損壊の発生やQ値の低下、結合部材4における熱による損壊などが起こり難くなり、信号処理装置11および共振器装置1の信頼性や性能安定性が向上することになる。   The signal processing device 11 having such a configuration has the connection terminals 3A to 3C and the protrusions 15 having good thermal conductivity even when high power of several W (watts) to several tens W is applied to the resonator device 1. The heat is transferred from the coupling member 4 and the dielectric coaxial resonators 2A to 2C to the housing 13 by heat transfer via. Since the housing 13 has a large heat capacity and surface area and is in contact with the outside air, the heat dissipation is extremely high, and the coupling member 4 and the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C are not easily heated. Therefore, according to the signal processing device 11 having such a configuration, it is difficult for the dielectric coaxial resonators 2A to 2C to be damaged due to heat, the Q value to be lowered, and the coupling member 4 to be damaged due to heat. The reliability and performance stability of the device 11 and the resonator device 1 are improved.

また、ここでは接続端子3A〜3Cおよび突起部15は、導電性を有する材料で構成しており、接続端子3A〜3Cおよび突起部15を直接、誘電体同軸共振器2A〜2Cの外導体22に接触させているため、筐体13が信号処理装置11のアースとして機能する場合には、接続端子3A〜3Cおよび突起部15を介して外導体22が接地される。これにより、誘電体同軸共振器2A〜2Cにおける外導体22のアース性が向上し、減衰量の増加などの特性改善も実現することができる。ただし、誘電体同軸共振器2A〜2Cの放熱性の改善という観点からは、接続端子3A〜3Cや突起部15を介した導通は必ずしも必要では無いため、接続端子3A〜3Cと外導体22との接触面や、突起部15と外導体22との接触面には、不導体膜などが形成されていてもよい。   Further, here, the connection terminals 3A to 3C and the protrusion 15 are made of a conductive material, and the connection terminals 3A to 3C and the protrusion 15 are directly connected to the outer conductor 22 of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C. Therefore, when the housing 13 functions as the ground of the signal processing device 11, the outer conductor 22 is grounded via the connection terminals 3 </ b> A to 3 </ b> C and the protrusion 15. Thereby, the earthing property of the outer conductor 22 in the dielectric coaxial resonators 2A to 2C is improved, and improvement in characteristics such as an increase in attenuation can be realized. However, from the viewpoint of improving the heat dissipation of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C, conduction through the connection terminals 3A to 3C and the protrusions 15 is not necessarily required, so the connection terminals 3A to 3C and the outer conductor 22 A non-conductive film or the like may be formed on the contact surface of the protrusion 15 or the contact surface of the protrusion 15 and the outer conductor 22.

また、共振器装置1および信号処理装置11は、上述の具体的構成に限らず、特許請求の範囲に記載した構成の範囲内で、別の具体的構成であってもよい。例えば、共振器装置1のみを囲うケースを設け、そのケースに、誘電体同軸共振器2A〜2Cの底面を露出させる開口部と、接続端子3A〜3Cを通過させる開口部とを設けるようにしてもよい。また、共振器装置1のみを囲うケースに、接続端子3A〜3Cの第二端を接触させるように構成してもよく、また、そのケースに、誘電体同軸共振器2A〜2Cの底面に接触する突起部を設けるように構成してもよい。   The resonator device 1 and the signal processing device 11 are not limited to the specific configuration described above, and may have another specific configuration within the scope of the configuration described in the claims. For example, a case surrounding only the resonator device 1 is provided, and an opening for exposing the bottom surfaces of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and an opening for allowing the connection terminals 3A to 3C to pass through are provided in the case. Also good. Moreover, you may comprise so that the 2nd end of connecting terminal 3A-3C may contact the case surrounding only the resonator apparatus 1, and it contacts the bottom face of the dielectric coaxial resonators 2A-2C to the case. You may comprise so that the projection part to perform may be provided.

≪第2の実施形態≫
図4(A)は、第2の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。図4(B)は、第2の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Second Embodiment >>
FIG. 4A is a plan view showing a resonator device according to the second embodiment. FIG. 4B is a cross-sectional view showing the main configuration of the signal processing apparatus according to the second embodiment.

第2の実施形態に係る共振器装置61は、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子3A,3B,3Cと、結合部材4と、PCB基板62とを備えている。PCB基板62は、板部63と、接続電極52A,52Bと、接地電極53と、を備えている。第2の実施形態に係る信号処理装置64は、共振器装置61と、実装基板12と、筐体65とを備えている。誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子3A,3B,3Cと、結合部材4と、接続電極52A,52Bと、接地電極53と、実装基板12とは、第1の実施形態で示した構成と同様のものである。   A resonator device 61 according to the second embodiment includes dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, connection terminals 3A, 3B, and 3C, a coupling member 4, and a PCB substrate 62. The PCB substrate 62 includes a plate portion 63, connection electrodes 52 </ b> A and 52 </ b> B, and a ground electrode 53. A signal processing device 64 according to the second embodiment includes a resonator device 61, a mounting substrate 12, and a housing 65. The dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, the connection terminals 3A, 3B, and 3C, the coupling member 4, the connection electrodes 52A and 52B, the ground electrode 53, and the mounting substrate 12 are the same as those in the first embodiment. The configuration is the same as that shown.

筐体65は、第1の実施形態で示した構成と同様の底面側外装板14と背面側外装板16とを備えているが、突起部の構成を省いたものである。また、板部63は、誘電体同軸共振器2A〜2Cが底面側に露出しないように、第1の実施形態よりも背面側に寸法を伸長して構成されたものである。この板部63に対して、誘電体同軸共振器2A〜2Cは、正面側の端部から背面側の端部まで全体が板部63に重なるように配置されている。   The casing 65 includes the bottom side exterior plate 14 and the back side exterior plate 16 similar to the configuration shown in the first embodiment, but omits the configuration of the protrusions. Further, the plate portion 63 is configured by extending the dimensions to the back side from the first embodiment so that the dielectric coaxial resonators 2A to 2C are not exposed to the bottom side. With respect to the plate portion 63, the dielectric coaxial resonators 2A to 2C are arranged so as to entirely overlap the plate portion 63 from the front end portion to the back end portion.

本実施形態の信号処理装置64においては、共振器装置61から筐体65への直接的な熱伝達を、接続端子3A〜3Cのみにより実現している。このように、本発明に係る信号処理装置および共振器装置は突起部を省いて構成してもよい。   In the signal processing device 64 of the present embodiment, direct heat transfer from the resonator device 61 to the housing 65 is realized only by the connection terminals 3A to 3C. As described above, the signal processing device and the resonator device according to the present invention may be configured without the protrusions.

≪第3の実施形態≫
図5は、第3の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Third Embodiment >>
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a main configuration of a signal processing apparatus according to the third embodiment.

第3の実施形態に係る信号処理装置71は、第2の実施形態で説明した共振器装置61と筐体65とに加えて、緩衝材72を備えている。緩衝材72は、接続端子3A〜3Cの第二端32と、背面側外装板16との接触面に配置されて、接続端子3A〜3Cと背面側外装板16とを確実に接触させるものである。緩衝材72としては、例えば、シリコングリスなどのような、PCB基板62よりも良好な熱伝導性と、高い流動性とを有する材料のものを採用することが望ましい。このような緩衝材72を設けることにより、信号処理装置71において、結合部材4および誘電体同軸共振器2A〜2Cから筐体65への熱伝達効率をさらに高めることができる。   The signal processing device 71 according to the third embodiment includes a buffer material 72 in addition to the resonator device 61 and the housing 65 described in the second embodiment. The cushioning material 72 is disposed on the contact surface between the second end 32 of the connection terminals 3A to 3C and the backside exterior plate 16 to reliably contact the connection terminals 3A to 3C and the backside exterior plate 16. is there. As the buffer material 72, for example, it is desirable to use a material such as silicon grease that has better thermal conductivity and higher fluidity than the PCB substrate 62. By providing such a buffer material 72, in the signal processing device 71, the heat transfer efficiency from the coupling member 4 and the dielectric coaxial resonators 2A to 2C to the housing 65 can be further increased.

なお、緩衝材72は、第2の実施形態で示した構成だけでなく、第1の実施形態で示した構成に追加して設けても良い。どのような構成であっても、緩衝材を接続端子と筐体との接触面に設けることにより、より確実な接触と、熱伝達効率の改善とを図ることができる。   The buffer material 72 may be provided in addition to the configuration shown in the first embodiment, in addition to the configuration shown in the second embodiment. Regardless of the configuration, providing the cushioning material on the contact surface between the connection terminal and the housing makes it possible to achieve more reliable contact and improve heat transfer efficiency.

また、緩衝材72は、導電性を有していても、導電性を有していなくてもよいが、導電性を有している場合には、誘電体同軸共振器におけるアース性能の改善を図ることができる。   Further, the buffer material 72 may or may not have conductivity. However, if the buffer material 72 has conductivity, the grounding performance of the dielectric coaxial resonator can be improved. Can be planned.

≪第4の実施形態≫
図6は、第4の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Fourth Embodiment >>
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main configuration of a signal processing apparatus according to the fourth embodiment.

第4の実施形態に係る信号処理装置81は、共振器装置82と、実装基板12と、筐体65と、を備えている。共振器装置82は、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子83A〜83Cと、結合部材4と、PCB基板62とを備えている。実装基板12と、筐体65と、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、結合部材4と、PCB基板62とは、第2の実施形態で示した構成と同様なものである。   A signal processing device 81 according to the fourth embodiment includes a resonator device 82, a mounting substrate 12, and a housing 65. The resonator device 82 includes dielectric coaxial resonators 2A, 2B, 2C, connection terminals 83A to 83C, a coupling member 4, and a PCB substrate 62. The mounting substrate 12, the housing 65, the dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, the coupling member 4, and the PCB substrate 62 have the same configuration as that shown in the second embodiment.

接続端子83A〜83Cは、第一端84と第二端85とを有しており、第一端84は、誘電体同軸共振器2A〜2Cの正面側に突出し、第二端85は、誘電体同軸共振器2A〜2Cの背面側に突出して、底面側に屈曲している。そして、接続端子83A〜83Cの第二端85が底面側外装板14に接触するように、共振器装置82は実装基板12に実装され、実装基板12は筐体65の底面側外装板14に取り付けられている。したがって、接続端子83A〜83Cを介した熱伝達により、誘電体同軸共振器2A〜2Cおよび結合部材4から筐体65への放熱が行われている。   The connection terminals 83A to 83C have a first end 84 and a second end 85. The first end 84 projects to the front side of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C, and the second end 85 is a dielectric. The body coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C protrude toward the back side and are bent toward the bottom side. The resonator device 82 is mounted on the mounting board 12 so that the second ends 85 of the connection terminals 83 </ b> A to 83 </ b> C are in contact with the bottom side exterior board 14, and the mounting board 12 is attached to the bottom side exterior board 14 of the housing 65. It is attached. Therefore, heat is transmitted from the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the coupling member 4 to the housing 65 by heat transfer via the connection terminals 83A to 83C.

なお、接続端子83A〜83Cが接触している底面側外装板14は、共振器装置82が取り付けられるために、背面側外装板16よりも高温になり易く、放熱性の観点からは、第1〜第3の実施形態のように、接続端子を背面側外装板16に接触させるほうが好ましい。しかしながら、接続端子を背面側外装板16に接触させる場合には、共振器装置を背面側外装板16に近接させる必要があるが、本実施形態のように、接続端子を底面側外装板14に接触させる場合には、そのような配置制約が無いため、高い設計自由度を実現することができる。   In addition, since the resonator apparatus 82 is attached, the bottom surface side exterior plate 14 with which the connection terminals 83A to 83C are in contact is likely to be hotter than the back surface side exterior plate 16, and from the viewpoint of heat dissipation, the first As in the third embodiment, it is preferable to bring the connection terminal into contact with the backside exterior plate 16. However, when the connection terminal is brought into contact with the backside exterior plate 16, the resonator device needs to be brought close to the backside exterior plate 16, but the connection terminal is connected to the bottom side exterior plate 14 as in the present embodiment. In the case of contact, since there is no such arrangement restriction, a high degree of design freedom can be realized.

≪第5の実施形態≫
図7は、第5の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Fifth Embodiment >>
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a main configuration of a signal processing apparatus according to the fifth embodiment.

第5の実施形態に係る信号処理装置91は、共振器装置92と、実装基板12と、筐体96と、を備えている。共振器装置92は、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子93A,93B,93Cと、結合部材4と、PCB基板62とを備えている。筐体96は、底面側外装板14と、天面側外装板97と、を備えている。実装基板12と、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、結合部材4と、PCB基板62と、底面側外装板14とは、第2の実施形態で示した構成と同様なものである。   A signal processing device 91 according to the fifth embodiment includes a resonator device 92, a mounting substrate 12, and a housing 96. The resonator device 92 includes dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, connection terminals 93A, 93B, and 93C, a coupling member 4, and a PCB substrate 62. The housing 96 includes a bottom surface side exterior plate 14 and a top surface side exterior plate 97. The mounting substrate 12, the dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, the coupling member 4, the PCB substrate 62, and the bottom surface side exterior plate 14 are the same as those shown in the second embodiment. .

接続端子93A〜93Cは、第一端94と第二端95とを有しており、第一端94は、誘電体同軸共振器2A〜2Cの正面側に突出し、第二端95は、誘電体同軸共振器2A〜2Cの背面側に突出して、天面側に屈曲している。そして、接続端子93A〜93Cの第二端95が天面側外装板97に接触するように、共振器装置92は実装基板12の天面に実装され、実装基板12は筐体96の底面側外装板14に取り付けられている。したがって、接続端子93A〜93Cを介した熱伝達により、誘電体同軸共振器2A〜2Cおよび結合部材4から筐体96への放熱が行われている。   The connection terminals 93A to 93C have a first end 94 and a second end 95. The first end 94 projects to the front side of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C, and the second end 95 is a dielectric. Projecting to the back side of the body coaxial resonators 2A to 2C, it is bent to the top surface side. The resonator device 92 is mounted on the top surface of the mounting substrate 12 so that the second ends 95 of the connection terminals 93 </ b> A to 93 </ b> C are in contact with the top surface side exterior plate 97. It is attached to the exterior plate 14. Therefore, heat is transmitted from the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the coupling member 4 to the housing 96 by heat transfer via the connection terminals 93A to 93C.

なお、接続端子93A〜93Cが接触している天面側外装板97は、共振器装置82からの熱伝導の経路が長いため高温になり難く、放熱性の観点からは、第1〜第4の実施形態のように、背面側外装板16や底面側外装板14に接続端子を接触させるよりも、本実施形態の方が好ましい。   In addition, the top surface side exterior plate 97 with which the connection terminals 93A to 93C are in contact does not easily reach a high temperature due to a long heat conduction path from the resonator device 82, and from the viewpoint of heat dissipation, the first to fourth. As in this embodiment, the present embodiment is preferable to bringing the connection terminal into contact with the backside exterior plate 16 and the bottom side exterior plate 14.

≪第6の実施形態≫
図8は、第6の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。
<< Sixth Embodiment >>
FIG. 8 is a plan view showing a resonator device according to the sixth embodiment.

第6の実施形態に係る共振器装置101は、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子103A,103B,3Cと、結合部材4と、PCB基板62とを備えている。接続端子103A,103Bは、接続端子3Cと同様に、誘電体同軸共振器2A,2Bの正面側に第一端が突出しているが、接続端子3Cとは異なり、誘電体同軸共振器2A,2Bの背面側には、第二端が突出していない。即ち、接続端子103A,103Bは、従来と同様の構成のものであり、接続端子3Cのみが、本発明の熱伝達用途に利用される構造のものである。   A resonator device 101 according to the sixth embodiment includes dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, connection terminals 103A, 103B, and 3C, a coupling member 4, and a PCB substrate 62. Similarly to the connection terminal 3C, the connection terminals 103A and 103B have first ends protruding on the front side of the dielectric coaxial resonators 2A and 2B, but unlike the connection terminals 3C, the dielectric coaxial resonators 2A and 2B. The second end does not protrude from the back side. That is, the connection terminals 103A and 103B have the same configuration as the conventional one, and only the connection terminal 3C has a structure used for the heat transfer application of the present invention.

誘電体同軸共振器2A,2B,2Cそれぞれの発熱量が等しい場合、外側に位置する誘電体同軸共振器2A,2Bから周辺大気への放熱量に比べて、中間に位置する誘電体同軸共振器2Cから周辺大気への放熱量は小さく、誘電体同軸共振器2Cは熱がこもり易い。そこで、本実施形態においては、中間に位置する誘電体同軸共振器2Cのみに、本発明の構造の接続端子3Cを取り付けて、熱がこもり易い誘電体同軸共振器2Cからの放熱性を改善している。   When the calorific value of each of the dielectric coaxial resonators 2A, 2B, 2C is equal, the dielectric coaxial resonator located in the middle compared to the heat radiation amount from the dielectric coaxial resonators 2A, 2B located outside to the surrounding atmosphere The amount of heat radiated from 2C to the surrounding atmosphere is small, and the dielectric coaxial resonator 2C is likely to accumulate heat. Therefore, in the present embodiment, the connection terminal 3C having the structure of the present invention is attached only to the dielectric coaxial resonator 2C located in the middle to improve the heat dissipation from the dielectric coaxial resonator 2C where heat is likely to be trapped. ing.

なお、共振器装置の回路構成によっては、各誘電体同軸共振器に接続されるインピーダンス素子における発熱量に相違が生じる。即ち、結合部材4の部位によって発熱量が相違する。そこで、発熱量の大きいインピーダンス素子に接続される接続端子のみ、本発明の構造としてもよい。   Note that, depending on the circuit configuration of the resonator device, the amount of heat generated in the impedance element connected to each dielectric coaxial resonator varies. That is, the amount of heat generated varies depending on the portion of the coupling member 4. Therefore, only the connection terminal connected to the impedance element having a large calorific value may have the structure of the present invention.

図9は、共振器装置の回路構成例と、インピーダンス素子ごとの発熱量の関係を示す図である。図9(A)に示す回路構成では、5つの誘電体同軸共振器109A〜109Eと、7つのキャパシタンスC1〜C7とを設けている。この回路構成においては、図9(B)に示すように、キャパシタンスC1〜C7それぞれにおける発熱量は互いに相違し、キャパシタンスC7における発熱量が最も大きくなることがある。そのような場合には、キャパシタンスC7に接続される誘電体同軸共振器109Eの貫通孔に取り付けられる接続端子を、本発明の構造、即ち、誘電体同軸共振器109Eの背面側に第二端が突出して筐体に接触する構造とすることにより、結合部材からの効果的な放熱を実現することが可能になる。   FIG. 9 is a diagram illustrating a relationship between a circuit configuration example of the resonator device and a heat generation amount for each impedance element. In the circuit configuration shown in FIG. 9A, five dielectric coaxial resonators 109A to 109E and seven capacitances C1 to C7 are provided. In this circuit configuration, as shown in FIG. 9B, the calorific values in the capacitances C1 to C7 are different from each other, and the calorific value in the capacitance C7 may be the largest. In such a case, the connection terminal attached to the through hole of the dielectric coaxial resonator 109E connected to the capacitance C7 is connected to the structure of the present invention, that is, the second end on the back side of the dielectric coaxial resonator 109E. By adopting a structure that protrudes and contacts the housing, it is possible to realize effective heat dissipation from the coupling member.

≪第7の実施形態≫
図10(A)は、第7の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。図10(B)は、第7の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Seventh Embodiment >>
FIG. 10A is a plan view showing a resonator device according to the seventh embodiment. FIG. 10B is a cross-sectional view showing the main configuration of the signal processing apparatus according to the seventh embodiment.

第7の実施形態に係る共振器装置111は、誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子3A,3B,3Cと、結合部材4と、PCB基板112とを備えている。信号処理装置115は、共振器装置111と、実装基板116と、筐体13と、を備えている。誘電体同軸共振器2A,2B,2Cと、接続端子3A,3B,3Cと、結合部材4と、筐体13と、は第1の実施形態で示した構成と同様のものである。   A resonator device 111 according to the seventh embodiment includes dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, connection terminals 3A, 3B, and 3C, a coupling member 4, and a PCB substrate 112. The signal processing device 115 includes a resonator device 111, a mounting substrate 116, and a housing 13. The dielectric coaxial resonators 2A, 2B, and 2C, the connection terminals 3A, 3B, and 3C, the coupling member 4, and the housing 13 have the same configurations as those shown in the first embodiment.

PCB基板112は、天面および底面に開口する孔状の開口部114を備えている。開口部114は、誘電体同軸共振器2A〜2Cの下面の一部領域をPCB基板112から露出させるものである。また、実装基板116も、共振器装置111と同様に、誘電体同軸共振器2A〜2Cの下面の一部領域を実装基板116から露出させる孔状の開口部が形成されている。筐体13は、底面側外装板14から突起する突起部15を備えており、突起部15は、PCB基板112と実装基板116との開口部に挿入され、誘電体同軸共振器2A〜2Cの底面の一部領域に接触している。   The PCB substrate 112 includes a hole-shaped opening 114 that opens to the top and bottom surfaces. The opening 114 exposes a partial region of the lower surface of the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C from the PCB substrate 112. Similarly to the resonator device 111, the mounting substrate 116 is also formed with a hole-like opening that exposes a partial region of the lower surface of the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C from the mounting substrate 116. The housing 13 includes a protrusion 15 that protrudes from the bottom surface side exterior plate 14, and the protrusion 15 is inserted into the opening of the PCB substrate 112 and the mounting substrate 116, and the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C. It is in contact with a part of the bottom surface.

このような構成の共振器装置111は、正面−背面間での重心の位置が、PCB基板112上になる。したがって、前述の第1の実施形態のように、矩形のPCB板の端面から誘電体同軸共振器が背面側に突出する構成に比べて、共振器装置111を実装する際のPCB基板112の安定性が高まり、実装作業における作業性がより良好なものになる。また、共振器装置111において、誘電体同軸共振器2A〜2Cの正面側端部だけでなく、背面側端部においてもPCB基板112の接地電極との接触が生じるので、誘電体同軸共振器2A〜2Cの外導体と接地電極との接触面積を稼ぐことができ、接触抵抗が低減する。また、誘電体同軸共振器2A〜2Cの外導体におけるアース電位のばらつきが低減し、より良好なアース性能を実現できる。   In the resonator device 111 having such a configuration, the position of the center of gravity between the front surface and the back surface is on the PCB substrate 112. Therefore, as compared with the configuration in which the dielectric coaxial resonator protrudes from the end surface of the rectangular PCB plate to the back side as in the first embodiment, the stability of the PCB substrate 112 when mounting the resonator device 111 is improved. And the workability in the mounting work becomes better. Further, in the resonator device 111, the contact with the ground electrode of the PCB substrate 112 occurs not only at the front side end portions of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C but also at the back side end portions, so that the dielectric coaxial resonator 2A The contact area between the outer conductor of ˜2C and the ground electrode can be increased, and the contact resistance is reduced. In addition, variations in the ground potential in the outer conductors of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C are reduced, and better grounding performance can be realized.

≪第8の実施形態≫
図11は、第8の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Eighth Embodiment >>
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a main configuration of a signal processing device according to the eighth embodiment.

第8の実施形態に係る信号処理装置121は、第7の実施形態で示した共振器装置111および筐体13に加えて、緩衝材122を備えるものである。緩衝材122は、誘電体同軸共振器2A〜2Cと、突起部15との接触面に配置されて、誘電体同軸共振器2A〜2Cと突起部15とを確実に接触させるものである。緩衝材122としては、例えば、シリコングリスなどのような、PCB基板112よりも良好な熱伝導性と、高い流動性とを有する材料のものを採用することが望ましい。このような緩衝材122を設けることにより、信号処理装置121において、誘電体同軸共振器2A〜2Cから筐体13への熱伝達効率をさらに高めることができる。   A signal processing device 121 according to the eighth embodiment includes a buffer material 122 in addition to the resonator device 111 and the housing 13 described in the seventh embodiment. The buffer material 122 is disposed on the contact surface between the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the protruding portion 15, and reliably contacts the dielectric coaxial resonators 2A to 2C and the protruding portion 15. As the buffer material 122, for example, it is desirable to use a material having better thermal conductivity and higher fluidity than the PCB substrate 112, such as silicon grease. By providing such a buffer material 122, in the signal processing device 121, the heat transfer efficiency from the dielectric coaxial resonators 2 </ b> A to 2 </ b> C to the housing 13 can be further increased.

≪第9の実施形態≫
図12(A)は、第9の実施形態に係る共振器装置を示す平面図である。図12(B)は、第9の実施形態に係る信号処理装置の要部構成を示す断面図である。
<< Ninth Embodiment >>
FIG. 12A is a plan view showing a resonator device according to the ninth embodiment. FIG. 12B is a cross-sectional view showing the main configuration of the signal processing apparatus according to the ninth embodiment.

第9の実施形態に係る信号処理装置131は、第7の実施形態で示した共振器装置111および筐体13に加えて、カバー材132を備えるものである。カバー材132は、誘電体同軸共振器2A〜2Cを束ねるように設けられる筒状のアルミ部材である。また、カバー材132は、共振器装置111と、筐体13の突起部15との間に設けられ、突起部15に接触している。   The signal processing device 131 according to the ninth embodiment includes a cover member 132 in addition to the resonator device 111 and the housing 13 shown in the seventh embodiment. The cover material 132 is a cylindrical aluminum member provided so as to bundle the dielectric coaxial resonators 2A to 2C. Further, the cover member 132 is provided between the resonator device 111 and the protrusion 15 of the housing 13 and is in contact with the protrusion 15.

このように、共振器装置111にカバー材132を設ける場合には、誘電体同軸共振器2A〜2Cから周辺雰囲気への放熱を増やすことができ、より良好な放熱性を実現することができる。また、カバー材132により、誘電体同軸共振器2A〜2Cの外導体におけるアース電位のばらつきを低減することができ、アース性能の改善などの効果がある。
なお、カバー材132に突起部15を接触させるため、カバー材132の厚みの分だけ、突起部15の突起高さを低減することができる。このことを換言すれば、突起部15の突起高さが、実装基板の厚みよりも薄い場合に、カバー材132を厚み調整用の部材として設けることで、誘電体同軸共振器2A〜2Cからの突起部15を介した放熱を実現することが可能になる。
As described above, when the cover member 132 is provided in the resonator device 111, heat radiation from the dielectric coaxial resonators 2A to 2C to the surrounding atmosphere can be increased, and better heat dissipation can be realized. Further, the cover member 132 can reduce variations in ground potential in the outer conductors of the dielectric coaxial resonators 2A to 2C, and has an effect of improving the ground performance.
In addition, since the projection 15 is brought into contact with the cover material 132, the projection height of the projection 15 can be reduced by the thickness of the cover material 132. In other words, when the protrusion height of the protrusion 15 is smaller than the thickness of the mounting substrate, the cover material 132 is provided as a member for adjusting the thickness, so that the dielectric coaxial resonators 2A to 2C It is possible to realize heat dissipation via the protrusion 15.

1,61,82,92,101,111…共振器装置
2A,2B,2C…誘電体同軸共振器
21…誘電体ブロック
22…外導体
23…内導体
24…貫通孔
3A,3B,3C,83A,83B,83C,93A,93B,93C…接続端子
31,84,94…第一端
32,85,95…第二端
4…結合部材
41…誘電体板
42A,42B,42C…天面電極
43A,43B…底面電極
5,62,112…PCB基板
51,63…板部
52A,52B…接続電極
53…接地電極
11,64,71,81,91,115,121,131…信号処理装置
12,116…実装基板
13,65,96…筐体
14…底面側外装板
15…突起部
16…背面側外装板
72,122…緩衝材
97…天面側外装板
114…開口部
132…カバー材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,61,82,92,101,111 ... Resonator apparatus 2A, 2B, 2C ... Dielectric coaxial resonator 21 ... Dielectric block 22 ... Outer conductor 23 ... Inner conductor 24 ... Through-hole 3A, 3B, 3C, 83A , 83B, 83C, 93A, 93B, 93C ... connection terminals 31, 84, 94 ... first end 32, 85, 95 ... second end 4 ... coupling member 41 ... dielectric plates 42A, 42B, 42C ... top electrode 43A. , 43B ... Bottom electrodes 5, 62, 112 ... PCB substrates 51, 63 ... Plate portions 52A, 52B ... Connection electrodes 53 ... Ground electrodes 11, 64, 71, 81, 91, 115, 121, 131 ... Signal processing device 12, 116 ... Mounting boards 13, 65, 96 ... Case 14 ... Bottom side exterior plate 15 ... Protrusions 16 ... Back side exterior plates 72, 122 ... Buffer material 97 ... Top side exterior plate 114 ... Opening portion 132 ... Cover material

Claims (17)

周波数回路を筐体に収容している信号処理装置であって、
前記周波数回路の構成素子であり、誘電体ブロックの正面を除く外面に外導体を設け、前記誘電体ブロックの貫通孔に内導体を設けてなる誘電体同軸共振器と、
前記内導体に接続されるインピーダンス素子を構成している結合部材と、
前記誘電体同軸共振器および前記結合部材を天面に搭載している基板と、
前記誘電体ブロックの貫通孔に挿入され、第一端が前記誘電体ブロックの正面側に突出して前記結合部材と接しており、第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出して前記筐体と接しており、前記基板よりも高い熱伝導性を有する接続端子と、
を備える、信号処理装置。
A signal processing device containing a frequency circuit in a housing,
A dielectric coaxial resonator that is a component of the frequency circuit, includes an outer conductor on an outer surface excluding the front surface of the dielectric block, and an inner conductor in a through hole of the dielectric block;
A coupling member constituting an impedance element connected to the inner conductor;
A substrate on which the dielectric coaxial resonator and the coupling member are mounted on the top surface;
The housing is inserted into the through hole of the dielectric block, the first end protrudes to the front side of the dielectric block and contacts the coupling member, and the second end protrudes to the back side of the dielectric block. A connection terminal having a higher thermal conductivity than the substrate;
A signal processing apparatus comprising:
前記接続端子は棒状に構成されている、請求項1に記載の信号処理装置。   The signal processing apparatus according to claim 1, wherein the connection terminal is configured in a bar shape. 流動性と、前記基板よりも高い熱伝導性とを有する緩衝材を備え、
前記接続端子の第二端が、前記緩衝材に覆われている、請求項1または2に記載の信号処理装置。
Comprising a cushioning material having fluidity and higher thermal conductivity than the substrate;
The signal processing device according to claim 1, wherein a second end of the connection terminal is covered with the buffer material.
前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの背面側に直進する、請求項1〜3のいずれかに記載の信号処理装置。   The signal processing device according to claim 1, wherein a second end of the connection terminal goes straight to the back side of the dielectric block. 前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの底面側に屈曲する、請求項1〜3のいずれかに記載の信号処理装置。   The signal processing device according to claim 1, wherein a second end of the connection terminal is bent toward a bottom surface side of the dielectric block. 前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの天面側に屈曲する、請求項1〜3のいずれかに記載の信号処理装置。   The signal processing device according to claim 1, wherein a second end of the connection terminal is bent toward a top surface side of the dielectric block. 複数の前記誘電体同軸共振器と、前記誘電体同軸共振器それぞれに取り付けられている複数の接続端子と、を備え、
前記複数の接続端子のうちの、少なくとも一つを除いて、接続端子の第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出して前記筐体と接している、請求項1〜6のいずれかに記載の信号処理装置。
A plurality of the dielectric coaxial resonators, and a plurality of connection terminals attached to each of the dielectric coaxial resonators,
The connection terminal according to claim 1, wherein at least one of the plurality of connection terminals, excluding at least one, has a second end of the connection terminal protruding toward the back side of the dielectric block and in contact with the housing. The signal processing apparatus as described.
前記誘電体同軸共振器は、底面の一部領域が前記基板から露出しており、
前記筐体から前記筐体の内部空間に突出する突起部が、前記基板から露出する前記誘電体同軸共振器の底面に接するように設けられている、請求項1〜7のいずれかに記載の信号処理装置。
In the dielectric coaxial resonator, a partial region of the bottom surface is exposed from the substrate,
The protrusion part which protrudes from the said housing | casing to the internal space of the said housing | casing is provided so that the bottom face of the said dielectric coaxial resonator exposed from the said board | substrate may be contact | connected. Signal processing device.
誘電体ブロックの正面を除く外面に外導体を設け、前記誘電体ブロックの貫通孔に内導体を設けてなる誘電体同軸共振器と、
前記内導体に接続されるインピーダンス素子を構成している結合部材と、
前記誘電体同軸共振器および前記結合部材を天面に搭載している基板と、
前記誘電体同軸共振器を内部空間に収容する筐体と、
前記誘電体ブロックの貫通孔に挿入され、第一端が前記誘電体ブロックの正面側に突出して前記結合部材と接しており、第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出して前記筐体と接しており、前記基板よりも高い熱伝導性を有する接続端子と、
を備える、共振器装置。
A dielectric coaxial resonator in which an outer conductor is provided on an outer surface excluding the front surface of the dielectric block, and an inner conductor is provided in a through hole of the dielectric block;
A coupling member constituting an impedance element connected to the inner conductor;
A substrate on which the dielectric coaxial resonator and the coupling member are mounted on the top surface;
A housing for accommodating the dielectric coaxial resonator in an internal space;
The housing is inserted into the through hole of the dielectric block, the first end protrudes to the front side of the dielectric block and contacts the coupling member, and the second end protrudes to the back side of the dielectric block. A connection terminal having a higher thermal conductivity than the substrate;
A resonator device comprising:
誘電体ブロックの正面を除く外面に外導体を設け、前記誘電体ブロックの貫通孔に内導体を設けてなる誘電体同軸共振器と、
前記内導体に接続されるインピーダンス素子を構成している結合部材と、
前記誘電体同軸共振器および前記結合部材を天面に搭載している基板と、
前記誘電体ブロックの貫通孔に挿入され、第一端が前記誘電体ブロックの正面側に突出して前記結合部材と接しており、第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出しており、前記基板よりも高い熱伝導性を有する接続端子と、
を備える、共振器装置。
A dielectric coaxial resonator in which an outer conductor is provided on an outer surface excluding the front surface of the dielectric block, and an inner conductor is provided in a through hole of the dielectric block;
A coupling member constituting an impedance element connected to the inner conductor;
A substrate on which the dielectric coaxial resonator and the coupling member are mounted on the top surface;
Inserted into the through-hole of the dielectric block, the first end projects to the front side of the dielectric block and contacts the coupling member, the second end projects to the back side of the dielectric block, A connection terminal having higher thermal conductivity than the substrate;
A resonator device comprising:
前記接続端子は棒状に構成されている、請求項9または10に記載の共振器装置。   The resonator device according to claim 9 or 10, wherein the connection terminal is formed in a rod shape. 流動性と、前記基板よりも高い熱伝導性とを有する緩衝材を備え、
前記接続端子の第二端が、前記緩衝材に覆われている、請求項9〜11のいずれかに記載の共振器装置。
Comprising a cushioning material having fluidity and higher thermal conductivity than the substrate;
The resonator device according to claim 9, wherein a second end of the connection terminal is covered with the buffer material.
前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの背面側に直進する、請求項9〜12のいずれかに記載の共振器装置。   The resonator device according to claim 9, wherein a second end of the connection terminal goes straight to the back side of the dielectric block. 前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの底面側に屈曲する、請求項9〜12のいずれかに記載の共振器装置。   The resonator device according to claim 9, wherein a second end of the connection terminal is bent toward a bottom surface side of the dielectric block. 前記接続端子の第二端が、前記誘電体ブロックの天面側に屈曲する、請求項9〜12のいずれかに記載の共振器装置。   The resonator device according to claim 9, wherein a second end of the connection terminal is bent toward a top surface side of the dielectric block. 複数の前記誘電体同軸共振器と、前記誘電体同軸共振器それぞれに取り付けられている複数の接続端子と、を備え、
前記複数の接続端子のうちの、少なくとも一つを除いて、接続端子の第二端が前記誘電体ブロックの背面側に突出している、請求項9〜15のいずれかに記載の共振器装置。
A plurality of the dielectric coaxial resonators, and a plurality of connection terminals attached to each of the dielectric coaxial resonators,
The resonator device according to any one of claims 9 to 15, wherein a second end of the connection terminal protrudes to a back side of the dielectric block except at least one of the plurality of connection terminals.
前記誘電体同軸共振器は、底面の一部領域が前記基板から露出している、請求項9〜16のいずれかに記載の共振器装置。   The resonator device according to claim 9, wherein a part of a bottom surface of the dielectric coaxial resonator is exposed from the substrate.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5657302A (en) * 1979-10-15 1981-05-19 Murata Mfg Co Ltd Microwave device using coaxial resonator
JPS6331305A (en) * 1986-07-25 1988-02-10 Mitsubishi Electric Corp Microwave oscillator
JP2002050907A (en) * 2000-08-01 2002-02-15 Fujitsu Ltd Dielectric coaxial filter

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5657302A (en) * 1979-10-15 1981-05-19 Murata Mfg Co Ltd Microwave device using coaxial resonator
JPS6331305A (en) * 1986-07-25 1988-02-10 Mitsubishi Electric Corp Microwave oscillator
JP2002050907A (en) * 2000-08-01 2002-02-15 Fujitsu Ltd Dielectric coaxial filter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014112800A (en) * 2012-12-05 2014-06-19 Murata Mfg Co Ltd Resonator device and signal processing device

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