JP2014102966A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コストを削減するとともに、一定出力の下においてプラズマ処理の効果をより一層高めることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、プラズマが流動する第1空間部22と、被処理物Tと前記プラズマとの位置関係に基づき第1空間部22の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部24と、を有し、被処理物Tとプラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、第2空間部24が低圧状態になって第1空間部22のプラズマの一部が第2空間部24に流入する。
【選択図】 図6
【解決手段】大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、プラズマが流動する第1空間部22と、被処理物Tと前記プラズマとの位置関係に基づき第1空間部22の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部24と、を有し、被処理物Tとプラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、第2空間部24が低圧状態になって第1空間部22のプラズマの一部が第2空間部24に流入する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、プラズマを生成させ、当該プラズマによって被処理物を処理するためのプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
従来から、生成したプラズマによって被処理物を処理するためのプラズマ処理装置の一例として、真空プラズマ装置が知られている。真空プラズマ装置は、例えば、ドライエッチング装置あるいはCVD装置などに代表されるものであるが、真空環境を生成するための設備が必要になり、設備に要するコスト及び設備のランニングコストが高くなる傾向がある。
また、上記プラズマ処理装置の他の一例として、大気圧プラズマ装置が知られている。大気圧プラズマ装置は、真空プラズマ装置と比較して設備に要するコストを低減することができるが、以下に示す問題が生じる。
すなわち、大気圧プラズマ装置を採用した場合には、大気圧プラズマ装置が低出力であるため、プラズマ電子密度が低くなり、効果の安定性に欠ける問題がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、コストを削減するとともに、一定出力の下においてプラズマ処理の効果をより一層高めることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
第1の発明は、被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、前記プラズマが流動する第1空間部と、前記被処理物と前記プラズマとの位置関係に基づき前記第1空間部の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部と、を有し、前記被処理物と前記プラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、前記第2空間部が前記低圧状態になって前記第1空間部の前記プラズマの一部が前記第2空間部に流入することを特徴とする。
この場合、前記プラズマ生成部は、前記第1空間部に前記処理ガスを供給する供給部を有し、前記第1空間部は、環状に形成され、前記供給部は、第1空間部の周方向に向けて前記処理ガスを供給することにより前記第1空間部に前記プラズマの旋回流を形成させることが好ましい。
第2の発明は、被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いて第1空間部にプラズマを生成する第1の工程と、前記被処理物と前記プラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、第2空間部が低圧状態になって前記第1空間部の前記プラズマの一部が前記第2空間部に流入する第2の工程と、を含むことを特徴とする。
この場合、前記第1の工程は、前記第1空間部の周方向に向けて前記処理ガスを供給することにより前記第1空間部に前記プラズマの旋回流を形成する工程を含むことが好ましい。
第1の発明によれば、第1空間部で生成したいわゆる大気圧プラズマ(1次プラズマ)と、被処理物とプラズマとが接近あるいは接触したときに第2空間部が低圧状態になって第1空間部のプラズマの一部が第2空間部に流入して生成されたいわゆる真空プラズマ(2次プラズマ)と、の2つのプラズマを利用して、被処理物を処理することができる。
これにより、大気圧プラズマ装置を用いて、大気圧プラズマ処理(1次プラズマ処理)と真空プラズマ処理(2次プラズマ処理)の両方のプラズマ処理を同時に実行することができる。この結果、真空プラズマ装置の設備が不要になるため、設備に要するコスト及び設備のランニングコストを削減することができるとともに、通常の大気圧プラズマ装置と比較してプラズマ処理の効果を高めることができる。
さらに、大気圧プラズマ(1次プラズマ)の生成に要する一定出力だけで、大気圧プラズマ(1次プラズマ)の他に真空プラズマ(2次プラズマ)までも生成することができる。これにより、プラズマ(大気圧プラズマ+真空プラズマ)が発生する領域を大きく拡大することができる。この結果、プラズマ(大気圧プラズマ+真空プラズマ)と被処理物との接触領域が拡大するため、プラズマ処理の効率を高めることができる。
また、第1空間部においていわゆる大気圧プラズマ(1次プラズマ)の旋回流を発生させることにより、第2空間部が低圧状態になり易くなる。この結果、第2空間部でいわゆる真空プラズマ(2次プラズマ)の発生を誘発することができる。
第2の発明によれば、第1工程において、第1空間部で大気圧プラズマ(1次プラズマ)が生成される。第2の工程において、第1空間部の大気圧プラズマ(1次プラズマ)の一部が、低圧状態になった第2空間部に流入する。そして、第2空間部では真空プラズマ(2次プラズマ)が生成される。
これにより、プラズマ装置を用いて、大気圧プラズマ処理(1次プラズマ処理)と真空プラズマ処理(2次プラズマ処理)の両方のプラズマ処理を同時に実行することができる。この結果、真空工程を削減することができ、また各工程の実行に要するコストも削減することができる。
また、第1の工程が、第1空間部でいわゆる大気圧プラズマ(1次プラズマ)の旋回流を発生させる工程を含むことにより、第2空間部が低圧状態になり易くなる。この結果、第2空間部において、いわゆる真空プラズマ(2次プラズマ)が速やかに生成され、プラズマ処理の各工程が終了するまでの時間を短縮することができる。
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法について説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、大気圧プラズマの発生源を備えた装置であり、大気圧プラズマから真空プラズマを誘発し、双方のプラズマによって被処理物を処理するものである。
図1に示すように、プラズマ処理装置10は、第1の電極12を備えている。第1の電極12には、マッチング回路14を介して電源16が接続されている。第1の電極12は、固定具(図示しない)により、支持部材18に取り付けられて位置決めされている。電源16の周波数として、20KHzを用いることも可能である。
なお、電源16は、高周波電源を採用してもよい。高周波電源を採用することにより、第1の電極12に高周波電力を供給することができる。
電源16の周波数は、高周波数(数百KHzから数十MHz)を用いるか、あるいはパルス波形のものがより好ましい。そして、後述の第1空間部22の圧力は、大気圧(1013hPa)又はその近傍の圧力(900hPa以上1013hPa以下)となる。
なお、第1空間部22の圧力が900hPaよりも小さくなると、真空ポンプや真空容器が別途必要になり、設備の製造コスト及び設備のランニングコストが増大するため、不具合となる。
一方、第1空間部22の圧力が1013hPaよりも大きくなると、ガスが外部に漏れてしまうことを防止するための耐圧容器あるいはより高い気密性の環境が必要となり、好ましくない。
第1の電極12と対向する位置には、第2の電極20が配置されている。第1の電極12の径方向外側の位置に、第2の電極20が位置している。例えば、第1の電極12は、第2の電極20よりも短くなるように設定されている。
第2の電極20は、固定具(図示しない)により、支持部材18に取り付けられて位置決めされている。
第1の電極12が円柱形状であれば、第2の電極20は筒形状になる。この場合、第1の電極12の外周面と第2の電極20の内周面とが面接する。
なお、第2の電極20は、アース接続されている。
第1の電極12と第2の電極20との間には、第1空間部22が形成されている。第1の電極12が円柱形状に形成され、かつ第2の電極20が筒状に形成されている場合には、第1空間部22は、環状(あるいはリング状)に形成される。
第1空間部22では、大気圧プラズマが生成され、自在に流動する。
第1の電極12の一方側端部の先には、第2空間部24が形成されている。詳細には、例えば被処理物Tが第1の電極12及び第2の電極20に近接していない場合では、第2空間部24は、第1の電極12の一方側端部と、第1空間部22の一部と、で区画された領域を意味する。一方、例えば被処理物Tが第1の電極12及び第2の電極20に近接している場合では、第2空間部24は、第1の電極12の一方側端部と、第1空間部22の一部と、被処理物Tとで区画され得る。
第2の電極20には、ガス供給部26が接続されている。ガス供給部26は、第1空間部22に対してガスを供給できる機能を備えたものである。ガス供給部26は、例えば、パイプ状の導管26aと、ガス流量計測装置26bと、ガス源26cと、を含む。
ガス源26cの内部には、例えば、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、窒素(N2)、酸素(O2)、アルゴン(Ar)+水素(H2)、ヘリウム(He)+四フッ化炭素(CF4)などのいずれか1つのガス、あるいはいずれか2つ以上が混合したガスが充填されている。なお、当該ガスには、空気を含めてもよい。
なお、本明細書では、空気を含む前記ガスあるいは空気を含まない前記ガスをまとめて、「処理ガス」と称する。
第2の電極20には、第1空間部22に向けてガスを吐出するための供給口28が形成されている。供給口28は、第2の電極20の内周方向に向けられて形成されている。供給口28には、ガス供給部26の先端部が接続されている。このため、ガス供給部26によって流体(一例として、空気及びガスを含むもの)が供給口28から第1空間部22の内周方向に沿って吐出可能になる。そして、第1空間部22に吐出された流体(一例として、空気及びガスを含むもの)によって、第1空間部22において旋回流が発生する。
ここで、供給口28は、例えば2箇所に形成されていてもよい。これにより、2つの供給口28から吐出される流体は、第1の電極12の内周方向に沿って同一方向に吐出され、相互に旋回流を強め合うことができる。
なお、例えば前記ガスに空気が含まれない場合には、第1空間部22に供給されるガス(空気を含まないガスを意味する)と空気は、別系統の供給源から供給される。例えば、ガス供給部26からはガスのみが供給され、別途設けた空気供給部(図示省略)から空気のみを供給してもよい。
また、第1の電極12をアース接続された電極とし、第2の電極20を電圧が印加される電極として構成してもよい。
なお、本発明の「プラズマ生成部」には、第1の電極12と、第2の電極20と、マッチング回路14と、電源16と、ガス供給部26と、が含まれる。図面では、プラズマ生成部に符号30を付して表している。
次に、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法について説明する。
図1に示すように、ガス供給部26からは所定の流量の処理ガスが第1空間部22に供給される。このとき、処理ガスは、供給口28から第1空間部22に吹き込まれ、第1空間部22で高速の旋回流となって整流される。処理ガスは、例えば環状に形成された第1空間部22を高速流として周回しながら、第1空間部22の一方側端部側へ向かう。やがて、処理ガスは、一方側端部から外部に排出される。
ここで、第1の電極12には、電源16により電圧が印加される。例えば、電源に高周波電源を採用する場合には、第1の電極12に高周波電圧が印加される。そして、第1空間部22では、上述した通り、大気圧(1013hPa)又はその近傍の圧力(900hPa以上1013hPa以下)となる。
第1の電極12と第2の電極20との間に形成された第1空間部22に処理ガスが供給されるとともに所定の電圧(例えば、高周波電圧)が印加されたときに、第1空間部22という放電空間内の処理ガスが電離してプラズマPが発生し、処理ガスが電離した励起状態となって活性化される。
なお、第1空間部22に発生したプラズマPを、説明の便宜上、大気圧プラズマAP又は1次プラズマAPと定義する。
第1空間部22の大気圧プラズマAPは、第2の電極20がアース接続されている場合には、印加電極である第1の電極12側から第2の電極20側に移動する。また同時に、第1空間部22の大気圧プラズマAPは、旋回流の影響を受け、第1空間部22を周方向に沿って高速流として旋回する。
このときには、第1空間部22において大気圧プラズマAPが発生しており、第2空間部24では、プラズマが発生していない。
そして、被処理物Tを大気圧プラズマAPに所定の距離まで接近させたり、あるいは大気圧プラズマAPに接触させた場合には、第2空間部24が第1の電極12の先端と第1空間部22の大気圧プラズマAPと被処理物Tとで完全に区画される。このとき、第2空間部24の圧力が第1空間部22の圧力(すなわち大気圧又はその近傍圧力)よりも低圧になり、いわゆる一種の真空状態になる。
第2空間部24の圧力が第1空間部22の圧力よりも低圧になった状態では、第1空間部22で流動している大気圧プラズマAPが第2空間部24の領域に引き込まれるようにして流入する。これを現象面で捉えれば、第1空間部22の大気圧プラズマAPが第2空間部24側へ次第にのびていく。この結果、第2空間部24には、プラズマPが生成される。このとき、第2空間部24が前記したように低圧状態になっているため、第2空間部24で生成したプラズマPは、いわゆる真空プラズマBPになる。あるいは、第2空間部24のプラズマPは、1次プラズマAPにより誘発されて生成されるため、2次プラズマBPともいえる。
このようにして、図6に示すように、外側の領域が大気圧プラズマ領域APRとなり、内側の領域が真空プラズマ領域BPRになる。大気圧プラズマ領域APRでは大気圧プラズマAPが旋回流として流動し、真空プラズマ領域BPRでは真空プラズマBPが流動する。
換言すれば、大気圧プラズマ領域APRを形成させるための装置を用いて、大気圧プラズマ領域APRの他に真空プラズマ領域BPRも形成されることになる。
被処理物Tは、大気圧プラズマ領域APRにおいて大気圧プラズマAPによる処理が実行され、また同時に、真空プラズマ領域BPRにおいて真空プラズマBPによる処理が実行される。
以上のように、プラズマ処理装置10は、真空チャンバなどの真空環境を形成するための設備を一切要することなく、大気圧プラズマ処理と真空プラズマ処理の2つのプラズマ処理を同時に実現することが可能になる。このため、プラズマ処理装置10の製造コスト及びランニングコストを削減することができる。
従来の大気圧プラズマ処理装置では低出力のためプラズマ処理の効果及び効率が真空プラズマ装置と比較して悪くなっていたが、本実施形態のプラズマ処理装置10によれば、大気圧プラズマから真空プラズマを誘発させて、2種類のプラズマを同時に発生させることができる。この結果、プラズマ処理装置10の出力が向上し、プラズマ処理の効果及び効率の両方を高めることができる。
本実施形態のプラズマ処理装置10によれば、印加電圧を上げるなど高出力にすることなく、プラズマの流動領域を、本来の大気圧プラズマ領域APRに加えて真空プラズマ領域BPRまで拡大することができる(プラズマ領域の大口径化)。これにより、一定出力の下で、被処理物Tの広い領域でプラズマ処理を実行することができる。特に、被処理物Tの表面が湾曲状に形成されていたり、被処理物Tの表面に凹凸が形成されている場合でも、大気圧プラズマAPと真空プラズマBPとにより被処理物Tの全ての表面においてプラズマ処理を実行することができる。
このように、本実施形態のプラズマ処理装置10を用いれば、低電力及び少量の処理ガスで高密度のプラズマを得ることができる。また、真空設備が不要であるため、小型・軽量で、かつ低コストのプラズマ処理装置を得ることができる。
さらに、プラズマ装置10を用いたプラズマ処理方法によれば、大気圧プラズマ処理(1次プラズマ処理)と真空プラズマ処理(2次プラズマ処理)の両方のプラズマ処理を同時に実行することができる。このため、真空工程を削減することができ、また各工程の実行に要するコストも削減することができる。
また、第1空間部22でいわゆる大気圧プラズマ(1次プラズマ)の旋回流を発生させる工程を含むことにより、第2空間部24が低圧状態になり易くなる。この結果、第2空間部24において、いわゆる真空プラズマ(2次プラズマ)が速やかに生成されるため、プラズマ処理の各工程が終了するまでの時間を短縮することができる。
次に、プラズマ処理装置10の変形例について説明する。
(変形例1)
変形例1として、図7に示すように、第1空間部22に供給された処理ガスを吸引する吸引装置32を用い、前記処理ガスを吸引してもよい。この構成では、第1空間部22において旋回流を発生させることなく、第2空間部24をいわゆる一種の真空状態にすることができる。
変形例1として、図7に示すように、第1空間部22に供給された処理ガスを吸引する吸引装置32を用い、前記処理ガスを吸引してもよい。この構成では、第1空間部22において旋回流を発生させることなく、第2空間部24をいわゆる一種の真空状態にすることができる。
(変形例2)
変形例2として、図8に示すように、第1の電極12を筒状に形成し、第2空間部24の領域にある気体を吸引する吸引装置32を用い、前記気体を吸引してもよい。この構成では、第1空間部22において旋回流を発生させることなく、第2空間部24をいわゆる一種の真空状態にすることができる。
変形例2として、図8に示すように、第1の電極12を筒状に形成し、第2空間部24の領域にある気体を吸引する吸引装置32を用い、前記気体を吸引してもよい。この構成では、第1空間部22において旋回流を発生させることなく、第2空間部24をいわゆる一種の真空状態にすることができる。
プラズマ処理装置10を用いた被処理物Tの処理内容として、例えば、被処理物表面から酸化物を除去するための還元処理、有機物を除去するための酸化処理、被処理物Tの表面改質、被処理物表面の接着性を向上させるための処理、被処理物表面に窒化膜を形成するための処理などを実行することができる。
例えば、還元処理の原理を一例として説明すると、被処理物Tとして例えば銅板を採用した場合、活性化された水素ラジカル(以下の式でHと表す)によって、
CuO+2H→Cu+H2O ………(1)
Cu2O+2H→2Cu+H2O ………(2)
という反応が起こり、銅酸化膜が銅に還元される。このように、プラズマ処理装置10によって、還元処理を実行することができる。
CuO+2H→Cu+H2O ………(1)
Cu2O+2H→2Cu+H2O ………(2)
という反応が起こり、銅酸化膜が銅に還元される。このように、プラズマ処理装置10によって、還元処理を実行することができる。
10 プラズマ処理装置
12 第1の電極(プラズマ生成部)
14 マッチング回路(プラズマ生成部)
16 電源(プラズマ生成部)
20 第2の電極(プラズマ生成部)
22 第1空間部
24 第2空間部
26 ガス供給部(プラズマ生成部)
AP 大気圧プラズマ
BP 真空プラズマ
APR 大気圧プラズマ領域
BPR 真空プラズマ領域
T 被処理物
12 第1の電極(プラズマ生成部)
14 マッチング回路(プラズマ生成部)
16 電源(プラズマ生成部)
20 第2の電極(プラズマ生成部)
22 第1空間部
24 第2空間部
26 ガス供給部(プラズマ生成部)
AP 大気圧プラズマ
BP 真空プラズマ
APR 大気圧プラズマ領域
BPR 真空プラズマ領域
T 被処理物
Claims (4)
- 被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、
前記プラズマが流動する第1空間部と、
前記被処理物と前記プラズマとの位置関係に基づき前記第1空間部の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部と、
を有し、
前記被処理物と前記プラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、前記第2空間部が前記低圧状態になって前記第1空間部の前記プラズマの一部が前記第2空間部に流入することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ生成部は、前記第1空間部に前記処理ガスを供給する供給部を有し、
前記第1空間部は、環状に形成され、
前記供給部は、第1空間部の周方向に向けて前記処理ガスを供給することにより前記第1空間部に前記プラズマの旋回流を形成させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いて第1空間部にプラズマを生成する第1の工程と、
前記被処理物と前記プラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、第2空間部が低圧状態になって前記第1空間部の前記プラズマの一部が前記第2空間部に流入する第2の工程と、
を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記第1の工程は、前記第1空間部の周方向に向けて前記処理ガスを供給することにより前記第1空間部に前記プラズマの旋回流を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理方法。
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JP2017004930A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ生成装置 |
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