JP2014099469A - 積層コンデンサおよび基板へのその実装構造 - Google Patents

積層コンデンサおよび基板へのその実装構造 Download PDF

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Abstract

【課題】 ホット外部電極とグランド外部電極との間がショートする危険性を回避することが出来る積層コンデンサ、および基板へのその実装構造を提供する。
【解決手段】 コンデンサ11は、電圧が印加される一対のホット外部電極13a,13b、および接地されるグランド外部電極14がコンデンサ外部に露出して形成されている。グランド外部電極14はセラミック素体12の一端面に、一対のホット外部電極13a,13bは一端面に対向する他端面に設けられている。コンデンサ11は、回路基板21上でシールドケース31に覆われている。シールドケース31は、基板グランドプレーン23に電気的に接続されており、弾性片31aによってグランド外部電極14に電気的に接続されている。また、一対のホット外部電極13a,13bは、電源ライン22a,22bにそれぞれ電気的に接続されている。
【選択図】 図5

Description

本発明は、電圧が印加される一対のホット外部電極および接地されるグランド外部電極がコンデンサ外部に露出して形成される積層コンデンサおよび基板へのその実装構造に関するものである。
従来、この種の積層コンデンサおよび基板へのその実装構造としては、例えば、特許文献1に開示されたものがある。この先行技術では、図1(a)に示す3端子コンデンサがノイズフィルタ1として、同図(b)に示すように基板2に複数個並列に実装される。ノイズフィルタ1は、両端部に信号電圧が印加される信号電極1a,1b、中央部に接地されるグランド外部電極1cが形成されている。
図2は、ノイズフィルタ1の内部構造を示す斜視図である。ノイズフィルタ1は、その内部において、貫通内部電極1dとグランド内部電極1eとが誘電体層1fを挟んで交互に積層されて、構成されている。貫通内部電極1dは部品内部で信号電極1a,1b間を電気的に接続し、グランド内部電極1eは部品内部でグランド外部電極1cに接続されて、貫通内部電極1dとの間で容量を形成する。
ノイズフィルタ1が実装される基板2には、図1(b)に示すように、接地されるグランド導体2a,2b、および信号電圧が印加される信号導体路3a,3bが形成されている。ノイズフィルタ1は、信号導体路3aと信号電極1aとの間、および信号導体路3bと信号電極1bとの間が半田等で接続されて、基板2に固定される。この際、ノイズフィルタ1はグランド外部電極1cが上側にされる。この実装構造では、基板2に、同図(c)に示す金属板電極4が取り付けられる。この取り付けは、金属板電極4の両側面部4a,4aに設けられた差込部4b,4bが基板2に差し込まれて、半田によってグランド導体2a,2bに固定されて行われる。この取り付けにより、金属板電極4の上面部4cに打ち抜き加工によって形成された舌部4dが、グランド外部電極1cに圧接される。
上記の実装構造の等価回路は同図(d)に示され、ノイズフィルタ1のグランド外部電極1cとグランド導体2a,2bとの間、および各グランド外部電極1c間にそれぞれインダクタンスL1〜L6が発生する。しかし、金属板電極4は広い幅を確保でき、また、厚みを厚くしたり、インダクタンスの小さい材質のものを採用したりすることが出来る。このため、インダクタンスL1〜L6の値を小さくすることが出来、ノイズフィルタ1のノイズ除去作用は阻害されない。また、電流の変化di/dtによって生じるノイズ電圧L・di/dtも、インダクタンスL1〜L6の値が極めて小さいので、実用上無視でき、共通インピーダンスノイズの問題も解決される。この結果、ノイズフィルタ本来のフィルタ特性が充分発揮できるチップ型ノイズフィルタの取付構造が提供される。
特開平3−18111号公報
しかしながら、特許文献1に開示された上記従来の積層コンデンサおよびその実装構造においては、グランド外部電極1cだけでなく、信号電極1a,1bもノイズフィルタ1の部品上部に露出している。このため、ノイズフィルタ1を覆って金属板電極4を基板2に取り付ける際、接触を誤り、舌部4dが信号電極1a,1bに接触してしまうと、信号電極1a,1bが接地されて、信号電極1a,1bおよびグランド外部電極1c間がショートする恐れがあった。近年、この種のノイズフィルタ1が実装される携帯機器は小型化していることから、携帯機器内部の電子部品も小型化および低背化しており、金属板電極4と基板2との間の距離は短くなっている。従って、ノイズフィルタ1の部品上部を覆う金属板電極4のようなシールドケースとノイズフィルタ1のような電子部品との間の距離も短くなっており、上記のショートの問題は、この先行技術に関わらず、起こる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、
コンデンサ外部に露出して形成された、電圧が印加される一対のホット外部電極および接地されるグランド外部電極と、一対のホット外部電極間をコンデンサ内部で電気的に接続する貫通内部電極と、コンデンサ内部でグランド外部電極に電気的に接続されて貫通内部電極との間で容量を形成するグランド内部電極とを備える積層コンデンサにおいて、
グランド外部電極が一端面に設けられ、一端面に対向する他端面に一対のホット外部電極が設けられていることを特徴とする。
本構成によれば、積層コンデンサの一端面にはグランド外部電極のみが露出し、一端面に対向する他端面に設けられる一対のホット外部電極とグランド外部電極との間には、十分な距離が確保される。従って、ホット外部電極とグランド外部電極との間がショートする危険性を回避することが出来る積層コンデンサが提供される。
このような積層コンデンサは、貫通内部電極がグランド内部電極よりも広い幅の拡幅部を両端部に有し、各拡幅部がビアホールによって一対のホット外部電極にそれぞれ電気的に接続され、グランド内部電極が、貫通内部電極の各拡幅部間に形成された穴を通るビアホールによってグランド外部電極に電気的に接続されることで、構成される。
また、本発明は、コンデンサ内部でグランド外部電極に電気的に接続されて他端面に露出する第2のグランド外部電極を備えることを特徴とする。
本構成によれば、ホット外部電極とグランド外部電極との間に加え、ホット外部電極と第2のグランド外部電極との間にも容量が形成される。このため、グランド外部電極および第2のグランド外部電極が例えばシールドケースおよび基板グランドプレーンにそれぞれ接地されることで、ホット外部電極に接続されるホット導体路を伝導する高周波ノイズは効率的にグランドに還流し、積層コンデンサのノイズ除去効果は向上する。
このような積層コンデンサは、貫通内部電極がグランド内部電極よりも広い幅の拡幅部を両端部に有し、各拡幅部がビアホールによって一対のホット外部電極にそれぞれ電気的に接続され、グランド内部電極および第2のグランド外部電極が、貫通内部電極の各拡幅部間に形成された穴を通るビアホールによってそれぞれグランド外部電極に電気的に接続されることで、構成される。
また、本発明は、
電圧が印加されるホット導体路と接地されるグランド導体との間を電気的に接続する、上記の積層コンデンサの基板への実装構造において、
積層コンデンサが、グランド導体に電気的に接続されたシールドケースに覆われ、基板表面に形成されたホット導体路に一対のホット外部電極がそれぞれ電気的に接続され、積層コンデンサの上部に位置するシールドケースにグランド外部電極が電気的に接続されていることを特徴とする。
本構成によれば、シールドケースに電気的に接続される部品上部側のグランド外部電極と、ホット導体路に電気的に接続される部品下部側の一対のホット外部電極との間に、十分な距離が確保される。従って、シールドケースとホット外部電極との間がショートする危険性を回避しつつ、グランド外部電極をシールドケースを介してグランド導体に接続することが出来て、電子部品の小型化および低背化に対応し得ると共に、コンデンサとしての特性が充分発揮出来る、積層コンデンサの基板への実装構造が提供される。
また、本発明は、
電圧が印加されるホット導体路と接地されるグランド導体との間を電気的に接続する、第2のグランド外部電極を備える上記の積層コンデンサの基板への実装構造において、
積層コンデンサが、グランド導体に電気的に接続されたシールドケースに覆われ、基板表面に形成されたホット導体路に一対のホット外部電極がそれぞれ電気的に接続され、積層コンデンサの上部に位置するシールドケースにグランド外部電極が電気的に接続され、第2のグランド外部電極が基板に形成されたビアホールによってグランド導体に電気的に接続されていることを特徴とする。
本構成によれば、グランド外部電極が積層コンデンサを覆うシールドケースを介してグランド導体に電気的に接続されると共に、第2のグランド外部電極が基板に形成されたビアホールを介してグランド導体に電気的に接続される。従って、ホット外部電極とグランド外部電極および第2のグランド外部電極とのそれぞれの間に容量が形成されて、ホット外部電極に接続されたホット導体路を伝導する高周波ノイズは効率的にグランド導体に還流する。このため、シールドケースとホット外部電極との間がショートする危険性を回避しつつ、シールドケースをグランド導体に接続することが出来て、電子部品の小型化および低背化に対応し得ると共に、高周波ノイズの除去効果に優れる、積層コンデンサの基板への実装構造が提供される。
また、本発明は、上記の各実装構造において、グランド外部電極に対向する部分のシールドケースの肉片によって弾性片が形成され、弾性片が自身の有する弾性力によってグランド外部電極に圧接していることを特徴とする。
本構成によれば、シールドケースを基板に取り付けることで、弾性片が自身の有する弾性力によってグランド外部電極に圧接する。このため、グランド外部電極とシールドケースとの電気的接続は、シールドケースを基板に取り付けるだけで、簡単に行える。
また、本発明は、上記の各実装構造において、グランド外部電極が、導電性接着剤によってシールドケースの内壁に固定されていることを特徴とする。
本構成によれば、グランド外部電極とシールドケースとの接続は、電気的にも機械的にも確実に行われる。このため、積層コンデンサが実装された基板に衝撃等が加わっても、グランド外部電極とシールドケースとの電気的接続は確実に維持され、コンデンサとしての特性発揮が中断されることはない。
本発明によれば、ホット外部電極とグランド外部電極との間がショートする危険性を回避することが出来る積層コンデンサが提供される。また、シールドケースとホット外部電極との間がショートする危険性を回避しつつ、シールドケースをグランド導体に接続することが出来て、電子部品の小型化および低背化に対応し得ると共に、コンデンサとしての特性が充分発揮出来る、積層コンデンサの基板への実装構造が提供される。
(a)は一般的な3端子コンデンサの外観斜視図、(b)は(a)に示す3端子コンデンサの実装構造を示す平面図、(c)は(a)に示す3端子コンデンサの実装に用いられる金属板電極の外観斜視図、(d)は(b)に示す実装構造の等価回路図である。 図1(a)に示す一般的な3端子コンデンサ内部の積層構造を示す斜視図である。 (a)は本発明の一実施の形態による積層コンデンサの側面図、(b)はその等価回路図である。 (a)は図3に示す積層コンデンサ内部の積層構造を示す斜視図、(b)は図3に示す積層コンデンサの断面図である。 本発明の一実施の形態による積層コンデンサの回路基板への実装構造を表す断面図である。 (a)は本発明の他の実施の形態による積層コンデンサの側面図、(b)はその等価回路図である。 (a)は図6に示す積層コンデンサ内部の積層構造を示す斜視図、(b)は図6に示す積層コンデンサの断面図である。 本発明の他の実施の形態による積層コンデンサの回路基板への実装構造を表す断面図である。
次に、本発明の一実施の形態による積層コンデンサおよび基板へのその実装構造について説明する。
図3(a)は、本実施形態による3端子積層セラミック・チップ・コンデンサ11の側面図、同図(b)はその等価回路図である。
同図(a)に示すように、コンデンサ11は、直方体状をしたセラミック素体12から成り、電圧が印加される一対のホット外部電極13a,13b、および接地されるグランド外部電極14がコンデンサ外部に露出して形成されている。グランド外部電極14は、セラミック素体12の一端面の全面にわたってベタ状に設けられ、一対のホット外部電極13a,13bは、一端面に対向する他端面に帯状に設けられている。一対のホット外部電極13a,13bおよびグランド外部電極14間には、同図(b)に示すように容量Cが形成される。
このようなコンデンサ11は図4に内部構造例が示される。同図(a)はコンデンサ11を構成する各層の斜視図、同図(b)はコンデンサ11の断面図である。
コンデンサ11は、その内部において、貫通内部電極15とグランド内部電極16とがセラミック層17を挟んで交互に積層されて、構成されている。セラミック層17は、誘電体層を構成し、各層15〜17が積層された後に焼結されることで、セラミック素体12となる。
貫通内部電極15は、グランド内部電極16よりも広い幅の拡幅部15a,15bを両端部に有し、各拡幅部15a,15bは、ビアホール18a,18bによって一対のホット外部電極13a,13bにそれぞれ電気的に接続される。従って、貫通内部電極15は、部品内部で一対のホット外部電極13a,13b間を電気的に接続する。また、貫通内部電極15の各拡幅部15a,15b間には穴15cが形成されている。グランド内部電極16は、両端部の側部に各拡幅部15a,15bに対応する幅のクリアランスを有し、穴15cを通るビアホール19によってグランド外部電極14に電気的に接続される。つまり、グランド内部電極16は部品内部でグランド外部電極14に接続されて、貫通内部電極15との間で上記の容量Cを形成する。
ビアホール18a,18bおよびビアホール19は、各層15〜17が積層された後、積層体の両サイド部と中央部とに貫通孔が形成され、貫通孔に導電材が充填されることで、形成される。ビアホール18a,18bの上端の同図(b)に示すA部およびB部には、それぞれ絶縁処理が施される。グランド外部電極14はこの絶縁処理後に形成されるので、ビアホール18a,18bとグランド外部電極14とは電気的に絶縁分離される。また、ビアホール19の下端の同図(b)に示すC部にも、絶縁処理が施される。この絶縁処理により、ビアホール19の下端がコンデンサ外部に電気的に露出するのが防げる。
本実施形態の上記のコンデンサ11によれば、コンデンサ11の一端面にはグランド外部電極14のみが露出し、一端面に対向する他端面に設けられる一対のホット外部電極13a,13bと、グランド外部電極14との間には、十分な距離が確保される。従って、本実施形態によれば、ホット外部電極13a,13bとグランド外部電極14との間がショートする危険性を回避することが出来るコンデンサ11が提供される。
図5は、上記のコンデンサ11の回路基板21への実装構造を示す断面図である。
回路基板21の基板表面には、電圧が印加されるホット導体路である電源ライン22a,22bが形成されている。また、回路基板21の基板裏面には、接地されるグランド導体である基板グランドプレーン23が形成されている。コンデンサ11は、図1(c)に示す金属板電極4のようなシールドケース31に覆われている。シールドケース31は、図示しないビアホールによって基板グランドプレーン23に電気的に接続されており、コンデンサ11のグランド外部電極14に対向する部分には、シールドケース31の肉片によって弾性片31aが金属板電極4の舌部4dのように打ち抜き加工等によって形成されている。従って、シールドケース31は、弾性片31aが自身の有する弾性力によってグランド外部電極14に圧接することで、グランド外部電極14に電気的に接続されている。また、コンデンサ11の一対のホット外部電極13a,13bは、半田等によって電源ライン22a,22bにそれぞれ電気的に接続されている。従って、コンデンサ11は、電源ライン22a,22bと基板グランドプレーン23との間を電気的に接続している。
本実施形態によるコンデンサ11の回路基板21への実装構造によれば、シールドケース31に電気的に接続される部品上部側のグランド外部電極14と、ホット導体路22a,22bに電気的に接続される部品下部側の一対のホット外部電極13a,13bとの間に、十分な距離が確保される。従って、シールドケース31とホット外部電極13a,13bとの間がショートする危険性を回避しつつ、グランド外部電極14をシールドケース31を介して基板グランドプレーン23に電気的に接続することが出来る。シールドケース31は、金属板電極4と同様、広い幅を確保でき、また、厚みを厚くしたり、インダクタンスの小さい材質のものを採用したりすることが出来る。このため、特許文献1に開示された金属板電極4を使ったノイズフィルタ1の実装構造と同様、電源ライン22a,22bおよび基板グランドプレーン23間に実装されたコンデンサ11に形成されるインダクタンスの値を小さくすることが出来る。この結果、電子部品の小型化および低背化に対応し得ると共に、コンデンサ11のノイズフィルタとしての特性が充分発揮出来る、コンデンサ11の回路基板21への実装構造が提供される。
また、本実施形態によるコンデンサ11の回路基板21への実装構造によれば、シールドケース31を回路基板21に取り付けることで、弾性片31aが自身の有する弾性力によってグランド外部電極14に圧接する。このため、グランド外部電極14とシールドケース31との電気的接続は、シールドケース31を回路基板21に取り付けるだけで、簡単に行える。
次に、本発明の他の実施の形態による積層コンデンサおよび基板へのその実装構造について説明する。
図6(a)は、この他の実施形態による3端子積層セラミック・チップ・コンデンサ41の側面図、同図(b)はその等価回路図である。なお、同図において図3と同一または相当する部分には同一符号を付してその説明は省略する。
同図(a)に示すように、コンデンサ41は、グランド外部電極14が形成された一端面に対向する他端面、つまり、その底面における一対のホット外部電極13a,13b間に、第2のグランド外部電極14aがコンデンサ外部に露出して帯状に形成されている。第2のグランド外部電極14aは、コンデンサ41の上面のグランド外部電極14にコンデンサ内部で電気的に接続されている。その他のコンデンサ41の構造は、図3に示すコンデンサ11と同様な構造をしている。従って、コンデンサ41の等価回路は、同図(b)に示すように、図3(b)に示す等価回路に、第2のグランド外部電極14aに相当する端子が増えた形になる。
このようなコンデンサ41は図7に内部構造例が示される。同図(a)はコンデンサ41を構成する各層の斜視図、同図(b)はコンデンサ41の断面図である。なお、同図において図4と同一または相当する部分には同一符号を付してその説明は省略する。
コンデンサ41では、貫通内部電極15に形成された穴15cを通るビアホール19の下端に、コンデンサ11のように絶縁処理が施されない。ビアホール19の下端には第2のグランド外部電極14aが電気的に接続される。従って、コンデンサ41では、第2のグランド外部電極14aがビアホール19を介してグランド外部電極14に電気的に接続される。その他のコンデンサ41の内部構造は、図4に示すコンデンサ11と同様な構造をしている。
上記の他の実施形態のコンデンサ41によれば、ホット外部電極13a,13bとグランド外部電極14との間に加え、ホット外部電極13a,13bと第2のグランド外部電極14aとの間にも容量Cが形成される。このため、グランド外部電極14および第2のグランド外部電極14aが例えばシールドケース31および基板グランドプレーン23にそれぞれ接地されることで、ホット外部電極13a,13bに接続される電源ライン等のホット導体路を伝導する高周波ノイズは、効率的にグランドに還流し、コンデンサ41のノイズ除去効果はコンデンサ11に比較して向上する。
図8は、上記のコンデンサ41の回路基板21への実装構造を示す断面図である。なお、同図において図5と同一または相当する部分には同一符号を付してその説明は省略する。
コンデンサ41が実装された第2のグランド外部電極14a直下の回路基板21の表面には、ランド24が形成されており、第2のグランド外部電極14aは半田等によってランド24に電気的に接続されている。ランド24は回路基板21の内部に形成されたビアホール25によって回路基板21の裏面に形成された基板グランドプレーン23に電気的に接続されている。従って、第2のグランド外部電極14aは、回路基板21に形成されたビアホール25によって基板グランドプレーン23に電気的に接続されている。その他のコンデンサ41の回路基板21への実装構造は、図5に示すコンデンサ11の回路基板21への実装構造と同様な構造をしている。
上記の他の実施形態によるコンデンサ41の回路基板21への実装構造によれば、グランド外部電極14がコンデンサ41を覆うシールドケース31を介して基板グランドプレーン23に電気的に接続されると共に、第2のグランド外部電極14aが回路基板21に形成されたビアホール25を介して基板グランドプレーン23に電気的に接続される。従って、ホット外部電極13a,13bとグランド外部電極14および第2のグランド外部電極14aとのそれぞれの間に容量Cが形成されて、ホット外部電極13a,13bに接続された電源ライン22a,22bを伝導する高周波ノイズは、効率的に基板グランドプレーン23に還流する。このため、シールドケース31とホット外部電極13a,13bとの間がショートする危険性を回避しつつ、シールドケース31を基板グランドプレーン23に接続することが出来て、電子部品の小型化および低背化に対応し得ると共に、高周波ノイズの除去効果に優れる、コンデンサ41の回路基板21への実装構造が提供される。
なお、上記の各実施形態によるコンデンサ11,41の回路基板21への実装構造においては、シールドケース31に形成された弾性片31aの圧接により、グランド外部電極14とシールドケース31との電気的接続を行った場合について説明した。しかし、グランド外部電極14とシールドケース31との電気的接続は、グランド外部電極14を導電性接着剤によってシールドケース31の内壁に固定することで、行ってもよい。この場合、シールドケース31に弾性片31aは形成されず、グランド外部電極14に接着されるシールドケース31の内壁は平面状にされる。
本構成によれば、グランド外部電極14とシールドケース31との接続は、電気的にも機械的にも確実に行われ、強度が確保される。このため、コンデンサ11,41が実装された回路基板21を内蔵する携帯機器等が落下し、回路基板21に衝撃等が加わっても、グランド外部電極14とシールドケース31との電気的接続は確実に維持され、コンデンサ11,41は、ノイズフィルタとしての特性発揮を中断することはない。
上記の実施形態では、電源ライン22a,22bおよび基板グランドプレーン23間に、コンデンサ11,41をノイズフィルタとして実装する構造について説明した。しかし、信号電圧が印加される信号導体路とグランド導体間にも同様にしてコンデンサ11,41を実装することが出来、この場合においても、上記の各実施形態と同様な作用効果が奏される。
11,41…3端子積層・セラミック・チップ・コンデンサ
12…セラミック素体
13a,13b…ホット外部電極
14…グランド外部電極
14a…第2のグランド外部電極
15…貫通内部電極
15a,15b…拡幅部
16…グランド内部電極
17…セラミック層
18a,18b,19,25…ビアホール
21…回路基板
22a,22b…電源ライン(ホット導体路)
23…基板グランドプレーン(グランド導体)
24…ランド
31…シールドケース
31a…舌部

Claims (8)

  1. コンデンサ外部に露出して形成された、電圧が印加される一対のホット外部電極および接地されるグランド外部電極と、一対の前記ホット外部電極間をコンデンサ内部で電気的に接続する貫通内部電極と、コンデンサ内部で前記グランド外部電極に電気的に接続されて前記貫通内部電極との間で容量を形成するグランド内部電極とを備える積層コンデンサにおいて、
    前記グランド外部電極が一端面に設けられ、前記一端面に対向する他端面に一対の前記ホット外部電極が設けられている
    ことを特徴とする積層コンデンサ。
  2. コンデンサ内部で前記グランド外部電極に電気的に接続されて前記他端面に露出する第2のグランド外部電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  3. 前記貫通内部電極は前記グランド内部電極よりも広い幅の拡幅部を両端部に有し、各前記拡幅部がビアホールによって一対の前記ホット外部電極にそれぞれ電気的に接続され、
    前記グランド内部電極は、前記貫通内部電極の各前記拡幅部間に形成された穴を通るビアホールによって前記グランド外部電極に電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の積層コンデンサ。
  4. 前記貫通内部電極は前記グランド内部電極よりも広い幅の拡幅部を両端部に有し、各前記拡幅部がビアホールによって一対の前記ホット外部電極にそれぞれ電気的に接続され、
    前記グランド内部電極および第2の前記グランド外部電極は、前記貫通内部電極の各前記拡幅部間に形成された穴を通るビアホールによってそれぞれ前記グランド外部電極に電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求項2に記載の積層コンデンサ。
  5. 電圧が印加されるホット導体路と接地されるグランド導体との間を電気的に接続する、請求項1または請求項3に記載の積層コンデンサの基板への実装構造において、
    前記積層コンデンサは、前記グランド導体に電気的に接続されたシールドケースに覆われ、基板表面に形成された前記ホット導体路に一対の前記ホット外部電極がそれぞれ電気的に接続され、前記積層コンデンサの上部に位置する前記シールドケースに前記グランド外部電極が電気的に接続されている
    ことを特徴とする積層コンデンサの基板への実装構造。
  6. 電圧が印加されるホット導体路と接地されるグランド導体との間を電気的に接続する、請求項2または請求項4に記載の積層コンデンサの基板への実装構造において、
    前記積層コンデンサは、前記グランド導体に電気的に接続されたシールドケースに覆われ、基板表面に形成された前記ホット導体路に一対の前記ホット外部電極がそれぞれ電気的に接続され、前記積層コンデンサの上部に位置する前記シールドケースに前記グランド外部電極が電気的に接続され、第2の前記グランド外部電極が基板に形成されたビアホールによって前記グランド導体に電気的に接続されている
    ことを特徴とする積層コンデンサの基板への実装構造。
  7. 前記グランド外部電極に対向する部分の前記シールドケースの肉片によって弾性片が形成され、前記弾性片が自身の有する弾性力によって前記グランド外部電極に圧接していることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の積層コンデンサの基板への実装構造。
  8. 前記グランド外部電極は、導電性接着剤によって前記シールドケースの内壁に固定されていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の積層コンデンサの基板への実装構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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