JP2014095636A - Ｘ線撮像システム、及びｘ線撮像装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ｘ線撮像装置における画像を生成する際の外来磁界の影響を、複雑な信号処理や大掛かりな構成を付加することなく実現できるようにする。
【解決手段】 Ｘ線を照射しない状態で撮像を行い、Ｘ線無照射画像データを生成する。そして、Ｘ線の照射を行わず、被写体が存在せず、且つ、磁界の影響がない状態でＸ線撮像装置１０１により撮像された基本画像データと、Ｘ線無照射画像データとに基づいて、磁界の影響のみが現れた磁界影響抽出画像データを生成する。そして、磁界影響抽出画像データに基づいて、磁界の影響を指標化した値である磁界の影響度合いを示す値を導出する。このような磁界の影響度合いを示す値を、磁界影響抑制部１０４の設定を異ならせて導出する。そして、導出した磁界の影響度合いを示す値として最も低い値が得られたときの磁界影響抑制部１０４の設定を採用する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、Ｘ線撮像システム、及びＸ線撮像装置の制御方法に関し、特に、画像の生成に影響を与える外来磁界の影響を低減するために用いて好適なものである。

従来、Ｘ線発生源から発せられたＸ線を被写体へ照射し、当該被写体を透過したＸ線の強度分布を検出してデジタル画像データへ変換するＸ線撮像装置を含んだＸ線撮像システムが製品化されている。
Ｘ線撮像装置が画像データを生成する際に、画像データ生成処理あるいは生成した画像データそのもの等に影響を与えるものとして、Ｘ線撮像装置の使用環境内にある磁界がある。Ｘ線撮像装置の使用環境内に変動する磁界が存在する場合、Ｘ線撮像装置内の導体内を、当該変動する磁界が通過する事で電磁誘導の法則に従って、Ｘ線撮像装置に電流・電圧が発生する場合がある。このような場合、画像データ生成処理等に影響を与え、撮像した画像に被写体以外の意図しない写り込みが発生する虞がある。また、Ｘ線撮像装置の使用環境内に存在する磁界が変動していなくても、Ｘ線撮像装置が移動する事で同様の現象が発生する場合があった。

以上のようなＸ線撮像装置の使用環境内に存在する磁界の影響に対応するために、様々な手法が提案されている。
まず、Ｘ線撮像装置の使用環境内にある磁界を検出あるいは解析し、その結果を画像データ生成処理に反映する方法がある。
特許文献１には、この手法の具体的な実現例として、Ｘ線撮像装置に磁界検出機能を設け、この磁界検出機能を用いて磁界を観測し、その磁界の観測結果を用いて、画像から磁界の影響を減算する方法が開示されている。また、別の実現例として特許文献２には、磁界検出器によって磁界の位相を検出し、その磁界の位相の検出結果を用いて、画像をセンサから読み出す処理のタイミングを調整し、磁界の影響を低減する手法が開示されている。

次に、シールド効果のある材質をＸ線撮像装置に付加、あるいはシールド効果のある材質へＸ線撮像装置の構成部材を置き換えることでＸ線撮像装置を通過する磁界そのものを低減する手法がある。
特許文献３には、この手法の具体的な実現例として、Ｘ線撮像システム内に電磁シールドを設け、Ｘ線撮像装置が画像を生成する処理を行う際には当該電磁シールド内にＸ線撮像装置を移動させることで磁界の影響を低減する方法が開示されている。

特開２００５−３２６４１４号公報 特開２００５−１７７１１３号公報 特開２００２−２５０７７２号公報

しかしながら、特許文献１、２に記載の技術では、複雑な信号処理が必要になる。また、特許文献３に記載の技術では、Ｘ線撮像システムに付加する構成が大掛かりなものとなる。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、Ｘ線撮像装置における画像を生成する際の外来磁界の影響を、複雑な信号処理や大掛かりな構成を付加することなく実現できるようにすることを目的とする。

本発明のＸ線撮像システムは、２次元マトリックス状に配置された光電変換素子を有し、当該光電変換素子によりＸ線発生源から発生したＸ線の強度を電気信号に変換し、当該電気信号を画素データとして出力するセンサ部と、前記センサ部の駆動を含む処理を行うための電気回路と、前記センサ部と前記電気回路を相互に接続する配線と、ループ状の導体を有し、前記電気回路および前記配線の少なくとも何れか一方に接続される１つ以上のループ回路と、を有するＸ線撮像装置と、複数の前記ループ回路のうち前記接続が行われる前記ループ回路の選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行う選択手段と、を有し、前記選択手段は、複数の前記ループ回路のうちの少なくとも何れか１つの選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行って、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を行う設定手段と、前記設定手段により前記ループ回路の設定が行われるたびに、前記センサ部により得られた画像データにおける、外来磁界の影響を指標化した値を導出する導出手段と、前記導出手段により導出された外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、前記接続を行う前記ループ回路の設定として被写体の撮像を行う際の設定を決定する決定手段と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、Ｘ線撮像装置における画像を生成する際の外来磁界の影響を、複雑な信号処理や大掛かりな構成を付加することなく実現することができる。

Ｘ線撮像装置の構成を示す図である。 センサ部及び電気回路の面方向の配置を示す図である。 磁界影響抑制部の第１の例を示す図である。 磁界影響抑制部の第２の例を示す図である。 磁界影響抑制部の設定を自動的に行う場合のＸ線撮像装置の構成を示す図である。 指令決定部の動作の第１の例を説明するフローチャートである。 磁界の影響度合いを示す値を導出する方法の変形例を説明する図である。 センサ部及び電気回路の高さ方向の配置を示す図である。 磁界影響抑制部の設定を手動で行う場合のＸ線撮像装置の構成を示す図である。 処理装置の動作の第１の例を説明するフローチャートである。 指令決定部の動作の第２の例を説明するフローチャートである。 処理装置の動作の第２の例を説明するフローチャートである。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。尚、以下の各図では、説明及び表記の都合上、説明に必要な部分を必要に応じて簡略化して示すと共に、説明に不要な部分を省略している。
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、Ｘ線撮像装置の概略構成の一例を示す図である。
図１に示すように、Ｘ線撮像装置１０１は、センサ部１０２と、電気回路１０３と、磁界影響抑制部１０４とを有する。

図２は、センサ部１０２及び電気回路１０３の面方向の配置の一例を示す図である。具体的に、図２では、センサ部１０２及び電気回路１０３を、その上方から見た図を示す。
センサ部１０２は、Ｘ線発生源から受けたＸ線の強度を電気信号に変換（光電変換）する。
センサ部１０２は、センサアレイ２０１と、アンプ部２０２と、ドライブ部２０３と、読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄと、ゲート線２０５ａ〜２０５ｄとを有する。

センサアレイ２０１は、２次元マトリックス状に配置された光電変換素子（センサ）を有する。４×４画素のセンサアレイ２０１を例に挙げて示しているが、センサアレイ２０１が備える画素数は、これに限定されるものではないということは勿論である。また、Ｘ線を電子に変える光電変換には光子そのものの量を数えた結果を電気信号に変換する方法や、放射線を光に変換するシンチレータを用いる方法等、何れの方法を用いても良く、特定の手法に限定されるものではない。
アンプ部２０２は、センサアレイ２０１から出力された画素データを受信して増幅する。画素データは、センサアレイ２０１とアンプ部２０２とを相互に接続する読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄを伝送してアンプ部２０２に出力される。

ドライブ部２０３は、画素データを読み出すセンサを選択するゲート信号をセンサアレイ２０１に送信する。ゲート信号は、センサアレイ２０１とドライブ部２０３とを相互に接続するゲート線２０５ａ〜２０５を伝送してセンサアレイ２０１に出力される。

電気回路１０３は、センサ部１０２を駆動させるために必要な電力・制御信号の生成や、画像データの読み出しや、それらの生成・読み出しに必要な電気部品同士を相互に接続するための電子部品・配線等を備える。図２に示すように、電気回路１０３は、配線２０６によってアンプ部２０２と相互に接続されている。また、電気回路１０３は、配線２０７によってドライブ部２０３と相互に接続されている。
このように、本実施形態では、センサアレイ２０１、アンプ部２０２、電気回路１０３、及びドライブ部２０３により閉ループが形成されている。

尚、アンプ部２０２、電気回路１０３、及びドライブ部２０３は、センサアレイ２０１よりも上方に配置されている。
また、読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄ及びゲート線２０５ａ〜２０５ｄは、高さ方向において、センサアレイ２０１と、アンプ部２０２、電気回路１０３、及びドライブ部２０３の間の領域に配置されている。さらに、ゲート線２０５ａ〜２０５ｄの方が、読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄよりも上方に配置されている。ただし、読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄの方が、ゲート線２０５ａ〜２０５ｄよりも上方に配置されるようにしてもよい。

磁界影響抑制部１０４は、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境内に存在する磁界により電磁誘導の法則に従ってＸ線撮像装置１０１に画像生成に影響を与える電流・電圧が発生した際に、それらとは逆方向の電流・電圧を発生させるためのものである。本実施形態では、磁界影響抑制部１０４は、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境内に存在する磁界に応じて、当該逆方向の電流・電圧の値を調整することができる。
図１及び図２に示す構成はあくまでも例であり、いずれの構成物も、Ｘ線撮像装置１０１内に存在する数に上限はない。また、図１に示す構成物以外のものがＸ線撮像装置１０１に含まれていてもよい。例えば、図１では、アンプ部２０２とドライブ部２０３との間に電気回路１０３が１つ配置されているが、アンプ部２０２とドライブ部２０３との間に複数の電気回路が配置されていてもよい。また、Ｘ線撮像装置１０１が他の機器と通信を行うための電気回路や機構を含んでいても良い。

磁界影響抑制部１０４は、磁界によって電圧・電流を発生させる１つ又は複数のループ回路と、ループ回路の選択若しくは調整を行う部分とを有する。ループ回路とは、ループ状の導体（金属等）を有する回路である。
図３は、磁界影響抑制部１０４の第１の例を示す図である。
図３に示す磁界影響抑制部１０４の第１の例では、複数のループ回路３０１ａ、３０１ｂの１つ又は複数を同時に用いることで電磁誘導の法則によって発生する電流・電圧（誘導起電力）を変化させる。そのために、特性の違うループ回路３０１ａ、３０１ｂの１つ又は２つをループ回路選択部３０２によって選択する。ここで、ループ回路の特性の違いとは、ループ回路の面積、ループ回路の面の向き、ループ回路の抵抗値等の電磁誘導によって発生する電流・電圧に影響を与える特性値の違いをいう。このように、磁界影響抑制部１０４の第１の例は、複数のループ回路３０１ａ、３０１ｂと、ループ回路選択部３０２とを有する。

ここでは、ループ回路選択部３０２によって選択されたループ回路３０１の一端が電気回路１０３、他端がアンプ部２０２に接続されるようにする。ただし、ループ回路３０１の接続先は、このようなものに限定されない。例えば、ループ回路選択部３０２によって選択されたループ回路３０１の一端が電気回路１０３、他端がドライブ部２０３に接続されてもよい。この他、電気回路１０３及びアンプ部２０２の間と、電気回路１０３及びドライブ部２０３の双方に同時にループ回路３０１が接続されるようにしてもよい。また、電気回路１０３の一部として（すなわち、電気回路１０３の内部に）ループ回路３０１が接続されるようにしてもよい。このように、センサアレイ２０１、アンプ部２０２、電気回路１０３、及びドライブ部２０３により形成される閉ループに、ループ回路３０１を接続することができる。

また、ループ回路選択部３０２は、ループ回路３０１ａ、３０１ｂを流れる電流の方向を選択してループ回路３０１ａ、３０１ｂを接続することで、発生する電圧・電流を調整することもできる。例えば、ループ回路３０１ａの端部Ａを、電気回路１０３側の接続端部Ｅに接続し、ループ回路３０１ａの端部Ｂを、アンプ部２０２側の接続端部Ｆに接続することも、端部Ａを接続端部Ｆに、端部Ｂを接続端部Ｅに接続することもできる。同様に、ループ回路３０１ｂの端部Ｃを、電気回路１０３側の接続端部Ｅに接続し、ループ回路３０１ｂの端部Ｄを、アンプ部２０２側の接続端部Ｆに接続することも、端部Ｃを接続端部Ｆに、端部Ｄを接続端部Ｅに接続することもできる。

ループ回路３０１の面内を通る線であって、当該面に垂直な線（仮想線）の少なくとも何れか１つが、センサアレイ２０１、アンプ部２０２、及びドライブ部２０３の何れかと交わるようにしていれば、ループ回路３０１の形状は限定されない。本実施形態では、ループ回路３０１の面が、センサアレイ２０１と、アンプ部２０２と、ドライブ部２０３との少なくとも何れか１つと向き合うように、ループ回路３０１が配置されるようにしている。
尚、図３においては２つのループ回路３０１ａ、３０１ｂを選択する方法を例に挙げて示しているが、ループ回路３０１の数に上限はない。また、複数のループ回路３０１を直列に接続することも、並列に接続することもできる。また、複数のループ回路３０１の全て又は一部の特性が同じであってもよい。
ここまで図３を例にして、ループ回路選択部３０２が必ずループ回路を、アンプ部２０２、ドライブ部２０３、及び電気回路１０３の少なくとも何れか１つと接続する方法を例に挙げて説明した。しかしながら、一切ループ回路を用いない状態を選択可能にしても良い。具体的に図３を例にすると、接続端部Ｅ及び接続端部Ｆを、ループ回路を介さずに直接接続したり、あるいは両接続端部Ｅ、Ｆを何処にも接続しない状態を選択可能にしても良い。

図４は、磁界影響抑制部１０４の第２の例を示す図である。
図４に示す磁界影響抑制部１０４の第２の例では、ループ回路の特性としてインダクタンスを変えることで、電磁誘導の法則によって発生する電流・電圧を変化させる。磁界影響抑制部１０４の第２の例は、特性変化可能ループ回路４０１と、コア材位置変更機構４０２とを有する。
コア材位置変更機構４０２は、螺子を回すことによって内部のコアとなる部材を一軸方向に移動させるための機構である。このコアと、特性変化可能ループ回路４０１との位置関係によって、特性変化可能ループ回路４０１のループの中を通る磁界が変化し、それに合わせて電磁誘導の法則に従って発生する電流・電圧を調整する事が出来る。
図４では、特性変化可能ループ回路４０１が、巻数が複数のコイルである場合を例に挙げて示している。しかしながら、特性変化可能ループ回路４０１により構成するループの数（コイルの巻数）は１以上であればよい。また、当該コイルの巻数に上限はない。
尚、図３及び図４に示した磁界影響抑制部１０４の機能はあくまで例である。すなわち、磁界影響抑制部１０４の構成は、図３及び図４に示したものに限定されず、Ｘ線撮像装置１０１の内部で発生させる電流・電圧を変化させる事が出来る構成を有していればよい。

磁界影響抑制部１０４に対して操作または指令を与え、磁界影響抑制部１０４をＸ線撮像装置１０１の使用環境に適した状態にする必要がある。その操作または指令を与える方法は、人の手または自動のどちらによるものでも構わない。また、どのような操作または指令を磁界影響抑制部１０４に与えることができれば使用環境に適した形になるかという判断も、人の手または自動のどちらによるものでも構わない。

図５は、使用環境に適した磁界影響抑制部１０４の設定を自動的に決定する場合のＸ線撮像装置１０１の概略構成の一例を示す図である。
図５に示すように、使用環境に適した磁界影響抑制部１０４の設定を自動的に決定するために、指令決定部５０１を用いる。
図５では、指令決定部５０１がＸ線撮像装置１０１の内部に存在しているＸ線撮像システムを例に挙げて示している。しかしながら、指令決定部５０１を、Ｘ線撮像装置１０１の外部に設けてＸ線撮像システムを構成してもよい。このようにした場合には、例えば、指令決定部５０１は、通信手段を用いて、Ｘ線撮像装置１０１に対して、Ｘ線無照射画像データの撮像の指令、磁界影響抑制部１０４の設定の指令、及びＸ線撮像装置１０１からのＸ線無照射画像データの取得等を行うことになる。また、指令決定部５０１は、演算を行うため、記憶装置や処理装置が必要になる。Ｘ線撮像装置１０１の内部に指令決定部５０１を設ける場合には、Ｘ線撮像装置１０１の内部に存在するリソースを利用して指令決定部５０１を構成し、指令決定部５０１のリソースを専用に設けなくともよい。勿論、指令決定部５０１のリソースを専用に設けてもよい。

図６は、指令決定部５０１の動作の一例を説明するフローチャートである。
指令決定部５０１は、磁界影響抑制部１０４を、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境に適した設定にするために、任意のタイミングで、磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理を開始する。磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理の開始のタイミングについては、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境と使用形態に応じて決定することができ、特に限定されるものではない。例えば、被写体の撮像指示がなされた際や、Ｘ線撮像装置１０１の起動中にユーザの指示あるいはタイマー等によってトリガがかけられた際や、Ｘ線撮像装置１０１の起動時の際等に、磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理を開始することができる。磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理を開始すると、磁界影響抑制部１０４の設定を総当たり方法で変更し、それぞれの設定の状態で取得したデータに基づいて、磁界影響抑制部１０４に対するどの設定値が、現在の使用環境に適しているかを判断する。

具体的に説明すると、まず、ステップＳ６０１において、指令決定部５０１は、磁界影響抑制部１０４に対して、磁界影響抑制部１０４がとり得る設定のうち、未だ試していない設定を行うことの指令を磁界影響抑制部１０４に出力する。図３に示す磁界影響抑制部１０４の第１の例では、接続端部Ｅ、Ｆに接続するループ回路３０１を選択することと、選択したループ回路３０１の両端部のそれぞれを、接続端部Ｅ、Ｆのうちの何れに接続するかということが設定される。図４に示す磁界影響抑制部１０４の第２の例では、コア材位置変更機構４０２の動作量（コアの移動量）が設定される。
次に、ステップＳ６０２において、指令決定部５０１は、Ｘ線無照射画像データの撮像を行うことの指令をＸ線撮像装置１０１に出力する。この指令に基づいて、Ｘ線撮像装置１０１はＸ線を照射しない状態で撮像を行い、Ｘ線無照射画像データを生成し、指令決定部５０１に送信する。そして、指令決定部５０１は、Ｘ線無照射画像データを受信する。

次に、ステップＳ６０３において、指令決定部５０１は、予め記憶されている基本画像データを記憶媒体から読み出す。ここで、基本画像は、Ｘ線の照射を行わず、且つ、磁界の影響がない状態でＸ線撮像装置１０１により撮像された画像である。そして、指令決定部５０１は、ステップＳ６０２で受信したＸ線無照射画像データの画素値から、基本画像データの画素値を引くことを、相互に対応する画素のそれぞれについて行い、磁界影響抽出画像データを生成する。このステップＳ６０３の処理によって、磁界の影響のみが現れた画像が抽出される。
次に、ステップＳ６０４において、指令決定部５０１は、ステップＳ６０３にて得た磁界影響抽出画像データの中から、基準となる画素値から最も離れた画素値を有する画素を探索する。そして、指令決定部５０１は、探索した画素の画素値から基準となる画素値を引き、その値を磁界の影響度合いを示す値として、現在の磁界影響抑制部１０４の設定と組みにして保存する。以下の説明では、この組みを、必要に応じて、磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みと称する。
尚、ここでふれた前記基準となる画素値は、ステップＳ６０２において受信したＸ線無照射画像データに磁界の影響が入っていなかった場合の磁界影響抽出画像データの画素値である。ステップＳＳ６０２にて受信したＸ線無照射画像データを撮影した際のＸ線撮像装置１０１の状態が、基本画像データ取得時と同等であれば、磁界の影響等を受けていない限りＸ線無照射画像データと基本画像データは等しくなるはずである。この場合、基準となる画素値は０となる。
一方、Ｘ線無照射画像データを撮影した際のＸ線撮像装置１０１の状態が設定変更などによって基本画像データ取得時と異なる場合には、Ｘ線無照射画像データと基本画像データが等しくならない可能性がある。例として、Ｘ線撮像装置１０１の設定変更によって取得画像に対して一様にオフセット値が追加された場合、Ｘ線無照射画像データを取得した際に磁界影響を受けていなくても、磁界影響抽出画像データは０にはならず、オフセット値が現れる。このようにあらかじめオフセット値などが磁界影響抽出画像データに入る事が予見出来る場合には、オフセット値を加味して基準となる画素値を設定することが可能である。

次に、ステップＳ６０５において、指令決定部５０１は、磁界影響抑制部１０４の全ての設定を試し終わったか否かを判定する。この判定の結果、磁界影響抑制部１０４の全ての設定を試し終わっていない場合には、ステップＳ６０１に戻る。
一方、磁界影響抑制部１０４の全ての設定を試し終わっている場合には、ステップＳ６０６に進む。ステップＳ６０６に進むと、指令決定部５０１は、ステップＳ６０４で保存した、磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みに基づいて、磁界の影響度合いを示す値が最も低い磁界影響抑制部１０４の設定を抽出する。そして、指令決定部５０１は、抽出した設定を行うことの指令を、磁界影響抑制部１０４に対して行う。これにより、磁界影響抑制部１０４の設定は、磁界の影響が最も小さい設定になる。

ここでは、ステップＳ６０４において、ステップＳ６０３にて得た磁界影響抽出画像データのうち、基準となる画素値から最も離れた画素値から基準となる画素値を引き、その値を磁界の影響度合いを示す値とした。しかしながら、必ずしもこのようにする必要はない。図７は、磁界影響抽出画像データから磁界の影響度合いを示す値を導出する方法の変形例を説明する図である。図７に示すｘ−ｙ−ｚ軸は、図２に示すｘ−ｙ−ｚ軸と対応する。
図７において、まず、指令決定部５０１は、磁界影響抽出画像データのうち、基準となる画素値から最も離れた画素値を有する画素７０１を抽出する。次に、指令決定部５０１は、抽出した画素７０１から左へ４９画素分の各列と、右へ５０画素分の各列とを切り出す。尚、切り出す範囲は、画素７０１を含んでいる範囲であれば、この範囲に限定されるものではない。次に、指令決定部５０１は、短冊状の（１００列の）切り出し範囲７０２の画像について、画素値の平均値を行ごとに計算する（ｘ軸方向が行方向であり、ｙ軸方向が列方向である）。次に、指令決定部５０１は、横軸を行番号、縦軸を計算した平均値とするグラフ波形であるライングラフを導出する。次に、指令決定部５０１は、ライングラフの最高値から最低値を引いた値を、磁界の影響度合いを示す値として導出する。以上のようにして磁界の影響度合いを示す値を導出してもよい。

また、ここでは、磁界影響抑制部１０４の設定を総当たり方法で変更したが、必ずしもこのようにする必要はない。例えば、磁界影響抽出画像データの特徴から、効果のある磁界影響抑制部１０４の設定を絞り込むようにしてもよい。
図８は、センサ部１０２及び電気回路１０３の高さ方向の配置の一例を示す図である。具体的に図８は、アンプ部２０２の長手方向を水平方向として、アンプ部２０２のセンサアレイ２０１側の面を見た図である。図８に示すｘ−ｙ−ｚ軸は、図２に示すｘ−ｙ−ｚ軸に対応する。
図８に示す例では、４つの開口１〜４を持っているとみなす事が出来る。このとき、各開口１〜４に対して、均一に磁界が入るとすると、センサアレイ２０１からの画素データを受け取るアンプ部２０２にかかる誘導電流または電圧は、読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄ毎に異なる。読み出し信号線２０４ａ〜２０４ｄは、センサアレイ２０１の出力を通すための配線なので、撮像時に前述のような磁界の影響が発生すると、画像上に、磁界の影響度合いに応じた分布が発生する場合がある。

このような現象を利用し、磁界の入射方向と画像に現れる磁界の影響の特徴を予め取得しておき、磁界の入射方向と、当該磁界による画像の特徴との間に関係性が認められる場合があるならば、その関係性を予め記憶させておく。以下の説明では、この関連性を必要に応じて磁界の入射方向と画像の特徴との関係と称する。そして、図６に示した自動指令決定処理において例えば次のような処理を行うことで、磁界影響抑制部１０４の設定を絞り込める。

指令決定部５０１は、磁界の入射方向と画像の特徴との関係のそれぞれにおいて示される、画像の特徴の中に、磁界影響抽出画像データの特徴と一致する又は近似する特徴があるか否かを判定する。この判定の結果、磁界影響抽出画像データの特徴と一致する又は近似する画像の特徴がある場合、指令決定部５０１は、当該画像の特徴に対応する磁界の入射方向を、磁界の入射方向と画像の特徴との関係に基づいて特定する。そして、指令決定部５０１は、磁界影響抑制部１０４に関する設定のうち、ループ回路の面方向が、特定した磁界の入射方向に同じ方向となる設定のみをステップＳ６０１で設定する。さらに、ステップＳ６０６では、磁界影響抑制部１０４に関する設定のうち、ループ回路の面に垂直な方向が、特定した磁界の入射方向に同じ方向となる設定の全てを試したか否かを判定する。このようにすれば、磁界影響抑制部１０４の設定を総当たりで実施した場合よりも処理時間が短くなる場合がある。

図９は、使用環境に適した磁界影響抑制部１０４の設定をユーザによる操作に基づいて（手動で）決定する場合のＸ線撮像装置１０１の概略構成の一例を示す図である。この構成では、ユーザに情報を通知するための機能と、磁界影響抑制部１０４に対してユーザが指示を与える事が可能とする機構とが必要となる。
図９に示す例では、Ｘ線撮像装置１０１の外部に処理装置９０１を設ける。処理装置９０１は、Ｘ線無照射画像データの撮像の指令、磁界影響抑制部１０４の設定の指令、Ｘ線撮像装置１０１からのＸ線無照射画像データの取得、及び磁界の影響の度合いの算出等を行う。更に、処理装置９０１は、表示部９０２への情報の表示や、入力部９０３に対するユーザ９０４の入力操作の解析等も行う。図９では、処理装置９０１をＸ線撮像装置１０１の外部に設けた場合を例に挙げて示した。しかしながら、処理装置９０１をＸ線撮像装置１０１の内部に設けてもよい。

図１０は、処理装置９０１の動作の一例を説明するフローチャートである。
ユーザ９０４は、必要と認識したタイミングで、磁界影響抑制部１０４の設定を、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境に適した状態にするために、磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理を開始する。磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理の開始のタイミングについては、図６を参照して説明した自動指令決定処理と同様に、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境と使用形態に応じて決定することができ、特に限定されるものではない。すなわち、ユーザ９０４が必要と認識したタイミングで図１０の処理を開始することができる。
磁界影響抑制部１０４に対する指定決定処理が開始すると、磁界影響抑制部１０４の設定のうち、ユーザ９０４が確認の必要性があると考える磁界影響抑制部１０４の設定で、磁界影響抽出画像データを取得する。そして、その結果を踏まえてユーザ９０４が最適と考える設定を磁界影響抑制部１０４に与える。

ステップＳ１００１において、ユーザ９０４は、自身が確認の必要が有ると考える磁界影響抑制部１０４の設定を、入力部９０３を用いて指定する。処理装置９０１は、この指定の内容を取り込む。
次に、ステップＳ１００２において、処理装置９０１は、Ｘ線無照射画像データの撮像を行うことの指令をＸ線撮像装置１０１に出力する。この指令に基づいて、Ｘ線撮像装置１０１は、Ｘ線を照射しない状態で撮像を行い、Ｘ線無照射画像データを生成し、処理装置９０１に送信する。そして、処理装置９０１は、Ｘ線無照射画像データを受信する。

次に、ステップＳ１００３において、処理装置９０１は、磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みを導出して保存する。このステップＳ１００３の処理は、図６のステップＳ６０３及びＳ６０４の処理と同じであるので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ１００４において、処理装置９０１は、ステップＳ１００３で得た、磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みを表示部９０２に出力（表示）する。ユーザ９０４は、このステップＳ１００４で出力（表示）された、磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みを確認する。

次に、ステップＳ１００５において、処理装置９０１は、ユーザ９０４の入力部９０３の操作に基づいて、ユーザ９０４が必要とする磁界影響抑制部１０４の設定を全て試し終わったか否かを判定する。この判定の結果、ユーザ９０４が必要とする磁界影響抑制部１０４の設定を全て試し終わっていない場合には、ステップＳ１００１に戻る。
一方、ユーザ９０４が必要とする磁界影響抑制部１０４の設定を全て試し終わっている場合には、ステップＳ１００６に進む。ステップＳ１００６に進むと、処理装置９０１は、ユーザ９０４の入力部９０３の操作に基づいて、ユーザ９０４が最適と判断した磁界影響抑制部１０４の設定を特定する。
次に、ステップＳ１００７において、処理装置９０１は、ステップＳ１００６で特定した設定を行うことの指令を、磁界影響抑制部１０４に対して行う。これにより、磁界影響抑制部１０４の設定は、磁界の影響が最も小さい設定になる。

以上のように本実施形態ではＸ線を照射しない状態で撮像を行い、Ｘ線無照射画像データを生成する。そして、Ｘ線の照射を行わず、被写体が存在せず、且つ、磁界の影響がない状態でＸ線撮像装置１０１により撮像された基本画像データと、Ｘ線無照射画像データとに基づいて、磁界の影響のみが現れた磁界影響抽出画像データを生成する。そして、磁界影響抽出画像データに基づいて、磁界の影響を指標化した値である磁界の影響度合いを示す値を導出する。このような磁界の影響度合いを示す値の導出を、磁界影響抑制部１０４の複数通りの設定（ループ回路３０１の数や接続方法、特性変化可能ループ回路４０１におけるインダクタンス等の磁気特性や直流抵抗等の電気特性）で順次行う。そして、導出した磁界の影響度合いを示す値として最も低い値が得られたときの磁界影響抑制部１０４の設定を採用する。

したがって、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境内に磁界が存在するために、画像の生成に影響を与える電流・電圧がＸ線撮像装置１０１内に発生する場合でも、画像の生成に影響を与える電流・電圧を打ち消す方向に電流・電圧を生じさせることができる。さらに、その画像の生成に影響を与える電流・電圧を打ち消す方向の電流・電圧の大きさ・向きを調整することが可能となる。このため、使用環境内の磁界によりＸ線撮像装置１０１が受ける影響を、画像処理のようなリソースと時間とを要する手段を用いなくても、その場の状況に合わせて簡単な構成で低減する事ができる。このように、本実施形態では、Ｘ線撮像装置１０１における画像を生成する際の外来磁界の影響を、複雑な信号処理や大掛かりな構成を付加することなく実現できる。

ここで、使用環境内の磁界によってＸ線撮像装置１０１に発生する電圧・電流を抑える方法として、逆方向の電圧・電流を発生させるループ状の回路を別途作る方法が考えられる。しかし、使用環境内の磁界の向きや分布は環境ごとに違うため、全ての環境において適したループ回路をＸ線撮像装置１０１内に作り込んでおく事は容易ではない。また、各使用環境に合わせてループ回路を作り込むとしても、使用環境に存在する磁界とＸ線撮像装置１０１の相対関係を確認して解析を行ってからループ回路の作成に取り掛かる必要がある。これに対し、本実施形態では、ループ回路の数や接続方法の選択を行うようにしたので、使用環境に合わせてループ回路を作り込む必要がなくなる。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態で説明した磁界影響抑制部１０４に対する指令決定処理（図６、図１０）に対し、瞬時的に発生する磁界の影響を検知する処理を追加する。このように、本実施形態では、第１の実施形態に対し、瞬時的に発生する磁界の影響を検知する処理を追加したものである。したがって、本実施形態の説明において、第１の実施形態と同一の部分については、図１〜図１０に付した符号と同一の符号を付す等して詳細な説明を省略する。

図１１は、指令決定部５０１の動作の一例を説明するフローチャートである。
図１１のフローチャートでは、図６のフローチャートのＳ６０２、Ｓ６０４に代わってＳ１１０１〜Ｓ１１０４が追加される。

ステップＳ１１０１において、指令決定部５０１は、Ｘ線無照射画像データの撮像を行うことの指令をＸ線撮像装置１０１に出力する。この指令に基づいて、Ｘ線撮像装置１０１は、Ｘ線を照射しない状態で撮像を行うことにより、Ｘ線無照射画像データを生成し、指令決定部５０１に送信する。そして、指令決定部５０１は、Ｘ線無照射画像データを受信する。このステップＳ１１０１の実行時には、得られた画像が瞬時的に発生する磁界の影響を受けているかは分からない。

ステップＳ１１０２において、指令決定部５０１は、ステップＳ６０３にて得た磁界影響抽出画像データの中から、基準となる画素値から最も離れた画素値を有する画素を探索する。そして、指令決定部５０１は、探索した画素の画素値から基準となる画素値を引き、その値を磁界の影響度合いを示す値とし、その磁界の影響度合いを示す値と磁界影響抑制部１０４の設定との組みを記憶する。
次に、ステップＳ１１０３において、指令決定部５０１は、ステップＳ１１０２で導出した、磁界の影響度合いを示す値に基づいて、ステップＳ１１０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けているか否かを判定する。
この判定の結果、ステップＳ１１０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けている場合には、ステップＳ６０５に進む。
一方、ステップＳ１１０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けていない場合には、ステップＳ１１０４に進む。ステップＳ１１０４に進むと、指令決定部５０１は、Ｘ線無照射画像データを設定回数取得したか否かを判定する。この判定の結果、Ｘ線無照射画像データを設定回数取得している場合には、ステップＳ６０５に進む。一方、Ｘ線無照射画像データを設定回数取得していない場合には、ステップＳ１１０１に戻る。

図１２は、処理装置９０１の動作の一例を説明するフローチャートである。図１２のフローチャートでは、図１０のフローチャートのステップＳ１００２に代わってステップＳ１２０１、Ｓ１２０２が追加されている。
ステップＳ１２０１において、処理装置９０１は、Ｘ線無照射画像データの撮像を行うことの指令をＸ線撮像装置１０１に出力する。この指令に基づいて、Ｘ線撮像装置１０１は、Ｘ線を照射しない状態で撮像を行い、Ｘ線無照射画像データを生成し、処理装置９０１に送信する。そして、処理装置９０１は、Ｘ線無照射画像データを受信する。

ステップＳ１２０２において、処理装置９０１は、ステップＳ１００３で導出した、磁界の影響度合いを示す値に基づいて、ステップＳ１２０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けているか否かを判定する。
この判定の結果、ステップＳ１２０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けている場合には、ステップＳ１００５に進む。
一方、ステップＳ１２０１で得たＸ線無照射画像データが磁界の影響を受けていない場合には、ステップＳ１２０１に戻る。
上記の説明ではステップＳ１２０２の判定において、Ｘ線無照射画像データが磁界の影響を受けていない場合にステップＳ１２０１へと移動する例を示した。しかしながら、直接ステップＳ１２０１へと移るのではなく設定された回数だけＸ線無照射画像を取得したか否かの判定を挿入し、この判定の結果、設定された回数だけＸ線無照射画像を取得した場合にステップＳ１００５へ移動するようにしても良い。一方、この判定の結果、設定された回数だけＸ線無照射画像を取得していない場合には、ステップＳ１２０１に戻ることになる。以上のようにする場合、Ｘ線無照射画像の取得回数指定方法には特に制限が無く、あらかじめ処理装置９０１に記憶された数値を用いても良いし、ステップＳ１００１でユーザ９０４が入力した数値を用いても良い。

使用環境内に定常的には磁界が存在しない条件下、若しくは、使用環境内に定常的には磁界が存在しても変化が無くＸ線撮像装置１０１が移動しない条件下では、Ｘ線の照射無しにＸ線撮像装置１０１の撮影を行っても画像の生成に磁界の影響は現れない。本実施形態では、このことを利用している。すなわち、撮影した画像内に瞬時的な磁界による影響が有るか否かを判断する方法として、撮影した画像の画素値と基準値との差が一定の値以上あるか否かを確認し、差があれば、撮影した画像は磁界の影響を受けていると判断する。
この処理を追加する事によって、Ｘ線撮像装置１０１の使用環境内に瞬時的に発生する磁界が存在した場合にも対応し、画像の生成に影響を与える電流・電圧を、それを打ち消す磁界によって抑える事が可能である。
尚、本実施形態においても、第１の実施形態で説明した変形例を採用することができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、Ｘ線撮像装置１０１の移動（の有無）を検知する機構、若しくは、Ｘ線撮像装置１０１の移動（の有無）・移動方向・移動距離を検知する機構をＸ線撮像装置１０１に追加する。このように、本実施形態は、第１、第２の実施形態のＸ線撮像装置１０１に対し、このような機構を付加したものである。したがって、本実施形態の説明において、第１、第２の実施形態と同一の部分については、図１〜図１２に付した符号と同一の符号を付す等して詳細な説明を省略する。

ここでは、Ｘ線撮像装置１０１に追加する機構を移動検知部と呼称する。
移動検知部は、Ｘ線撮像装置１０１の移動を検知すると、その旨を示す移動通知信号を、磁界影響抑制部１０４の設定を変更する部分（指令決定部５０１・処理装置９０１）に通知する。磁界影響抑制部１０４の設定を変更する部分は、移動検知部の出力する移動通知信号を受信すると、磁界影響抑制部１０４の設定を、移動後の使用環境に適した設定に変更する。すなわち、図６、図１０〜図１２のフローチャートを、前述したタイミングに代えて、移動検知部の出力する移動通知信号を受信したタイミングに実行することができる。

このようにすることによって、Ｘ線撮像装置１０１が移動したことでＸ線撮像装置１０１に対する磁界の影響が変化しても、ユーザが適したタイミングで磁界影響抑制部１０４を再設定するように指示を与える必要が無くなり、ユーザの作業の負担を削減できる。また、自動判断によって磁界影響抑制部１０４を設定している形態においても、再設定を一定時間ごとに行うといった処理が必要なくなり、不要な処理を削減できる。ただし、本実施形態で説明したタイミングに加えて、第１、第２の実施形態で説明したタイミングで、図６、図１０〜図１２のフローチャートを実行してもよい。
尚、本実施形態においても、第１の実施形態で説明した変形例を採用することができる。

尚、前述した実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

（その他の実施例）
本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、まず、以上の実施形態の機能を実現するソフトウェア（コンピュータプログラム）を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給する。そして、そのシステム或いは装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ等）が当該コンピュータプログラムを読み出して実行する。

１０１ Ｘ線撮像装置、１０２ センサ部、１０３ 電気回路、１０４ 磁界影響抑制部

Claims (20)

1. ２次元マトリックス状に配置された光電変換素子を有し、当該光電変換素子によりＸ線発生源から発生したＸ線の強度を電気信号に変換し、当該電気信号を画素データとして出力するセンサ部と、
   前記センサ部の駆動を含む処理を行うための電気回路と、
   前記センサ部と前記電気回路を相互に接続する配線と、
   ループ状の導体を有し、前記電気回路の内部および前記配線の少なくとも何れか一方に接続される１つ以上のループ回路と、
   を有するＸ線撮像装置と、
   複数の前記ループ回路のうち前記接続が行われる前記ループ回路の選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行う選択手段と、を有し、
   前記選択手段は、
   複数の前記ループ回路のうちの少なくとも何れか１つの選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行って、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を行う設定手段と、
   前記設定手段により前記ループ回路の設定が行われるたびに、前記センサ部により得られた画像データにおける、外来磁界の影響を指標化した値を導出する導出手段と、
   前記導出手段により導出された外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、前記接続を行う前記ループ回路の設定として被写体の撮像を行う際の設定を決定する決定手段と、を有することを特徴とするＸ線撮像システム。
2. 前記ループ回路の状態は、前記ループ状の導体の大きさ、前記ループ状の導体の向き、および前記ループ回路の特性値との少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像システム。
3. 前記センサ部は、
   前記光電変換素子が２次元マトリックス状に配置されたセンサアレイと、
   前記光電変換素子で得られた画素データを受信して増幅するアンプ部と、
   前記画素データの読み出しを行う前記光電変換素子の選択を行うためのドライブ部と、を更に有し、
   前記電気回路は、前記アンプ部および前記ドライブ部のそれぞれと前記配線により相互に接続され、
   前記ループ回路は、前記アンプ部と前記電気回路との間に配置されている前記配線と、前記ドライブ部と前記電気回路との間に配置されている前記配線と、前記電気回路の内部と、のうち少なくとも何れか１つに接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線撮像システム。
4. 前記接続が行われる前記ループ回路は、１つ又は複数であり、
   前記複数のループ回路は、直列または並列に接続されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
5. 前記決定手段は、前記導出手段により導出された外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、外来磁界の影響が最も小さい画像データに対応する前記ループ回路を、前記接続を行う前記ループ回路の設定として自動的に決定することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
6. 前記Ｘ線撮像装置が、前記選択手段を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
7. 前記導出手段は、前記設定手段により前記ループ回路の設定が行われるたびに、Ｘ線を照射しない状態で前記センサ部により得られた画像データと、Ｘ線を照射しない状態であって外来磁界がないとみなせる状態で前記センサ部により予め得られている画像データである基本画像データとの差である磁界影響抽出画像データから、前記外来磁界の影響を指標化した値を導出することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
8. 前記導出手段により導出された外来磁界の影響を指標化した値を示す情報を表示する表示手段を有し、
   前記設定手段は、ユーザの操作に基づいて、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を順次行い、
   前記決定手段は、前記表示手段により表示された、前記外来磁界の影響を指標化した値を示す情報に基づくユーザの操作に基づいて、前記接続を行う前記ループ回路の設定として被写体の撮像を行う際の設定を決定することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
9. 前記導出手段により導出された前記外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、前記センサ部により得られた画像データが外来磁界の影響を受けているか否かを判定する判定手段を有し、
   前記設定手段は、前記判定手段により、前記センサ部により得られた画像データが外来磁界の影響を受けていると判定されるまで、または、前記ループ回路の設定として予め設定された回数の設定を行うまで、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を行うことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
10. 前記Ｘ線撮像装置の移動を検知する検知手段を有し、
    前記選択手段は、前記検知手段により、前記Ｘ線撮像装置の移動が検知されると、複数の前記ループ回路のうち前記接続が行われる前記ループ回路の選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行うことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のＸ線撮像システム。
11. ２次元マトリックス状に配置された光電変換素子を有し、当該光電変換素子によりＸ線発生源から発生したＸ線の強度を電気信号に変換し、当該電気信号を画素データとして出力するセンサ部と、
    前記センサ部の駆動を含む処理を行うための電気回路と、
    前記センサ部と前記電気回路を相互に接続する配線と、
    ループ状の導体を有し、前記電気回路の内部および前記配線の少なくとも何れか一方に接続される１つ以上のループ回路と、
    を有するＸ線撮像装置の制御方法であって、
    複数の前記ループ回路のうち前記接続が行われる前記ループ回路の選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行う選択工程を有し、
    前記選択工程は、
    複数の前記ループ回路のうちの少なくとも何れか１つの選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行って、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を行う設定工程と、
    前記設定工程により前記ループ回路の設定が行われるたびに、前記センサ部により得られた画像データにおける、外来磁界の影響を指標化した値を導出する導出工程と、
    前記導出工程により導出された外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、前記接続を行う前記ループ回路の設定として被写体の撮像を行う際の設定を決定する決定工程と、を有することを特徴とするＸ線撮像装置の制御方法。
12. 前記ループ回路の状態は、前記ループ状の導体の大きさ、前記ループ状の導体の向き、および前記ループ回路の特性値との少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項１１に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
13. 前記センサ部は、
    前記光電変換素子が２次元マトリックス状に配置されたセンサアレイと、
    前記光電変換素子で得られた画素データを受信して増幅するアンプ部と、
    前記画素データの読み出しを行う前記光電変換素子の選択を行うためのドライブ部と、を更に有し、
    前記電気回路は、前記アンプ部および前記ドライブ部のそれぞれと前記配線により相互に接続され、
    前記ループ回路は、前記アンプ部と前記電気回路との間に配置されている前記配線と、前記ドライブ部と前記電気回路との間に配置されている前記配線と、前記電気回路の内部と、のうち少なくとも何れか１つに接続されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
14. 前記接続が行われる前記ループ回路は、１つ又は複数であり、
    前記複数のループ回路は、直列または並列に接続されることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
15. 前記決定工程は、前記導出工程により導出された外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、外来磁界の影響が最も小さい画像データに対応する前記ループ回路を、前記接続を行う前記ループ回路の設定として自動的に決定することを特徴とする請求項１１〜１４の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
16. 前記Ｘ線撮像装置により、前記選択工程を行うことを特徴とする請求項１１〜１５の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
17. 前記導出工程は、前記設定工程により前記ループ回路の設定が行われるたびに、Ｘ線を照射しない状態で前記センサ部により得られた画像データと、Ｘ線を照射しない状態であって外来磁界がないとみなせる状態で前記センサ部により予め得られている画像データである基本画像データとの差である磁界影響抽出画像データから、前記外来磁界の影響を指標化した値を導出することを特徴とする請求項１１〜１６の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
18. 前記導出工程により導出された外来磁界の影響を指標化した値を示す情報を表示する表示工程を有し、
    前記設定工程は、ユーザの操作に基づいて、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を順次行い、
    前記決定工程は、前記表示工程により表示された、前記外来磁界の影響を指標化した値を示す情報に基づくユーザの操作に基づいて、前記接続を行う前記ループ回路の設定として被写体の撮像を行う際の設定を決定することを特徴とする請求項１１〜１６の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
19. 前記導出工程により導出された前記外来磁界の影響を指標化した値に基づいて、前記センサ部により得られた画像データが外来磁界の影響を受けているか否かを判定する判定工程を有し、
    前記設定工程は、前記判定工程により、前記センサ部により得られた画像データが外来磁界の影響を受けていると判定されるまで、または、前記ループ回路の設定として予め設定された回数の設定を行うまで、前記ループ回路の設定として複数通りの設定を行うことを特徴とする請求項１１〜１７の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。
20. 前記Ｘ線撮像装置の移動を検知する検知工程を有し、
    前記選択工程は、前記検知工程により、前記Ｘ線撮像装置の移動が検知されると、複数の前記ループ回路のうち前記接続が行われる前記ループ回路の選択、および、前記接続が行われる前記ループ回路の状態の選択の少なくとも何れか一方を行うことを特徴とする請求項１１〜１７の何れか１項に記載のＸ線撮像装置の制御方法。

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