JP2014093752A - 可変フィルタおよび通信機器 - Google Patents
可変フィルタおよび通信機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014093752A JP2014093752A JP2012244985A JP2012244985A JP2014093752A JP 2014093752 A JP2014093752 A JP 2014093752A JP 2012244985 A JP2012244985 A JP 2012244985A JP 2012244985 A JP2012244985 A JP 2012244985A JP 2014093752 A JP2014093752 A JP 2014093752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- membrane
- variable filter
- thin film
- piezoelectric thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】 温度安定性に優れた、または、信頼性がより高い可変フィルタや、通信機器等を提供する。
【解決手段】 可変フィルタにおいて、基板1―1と、基板1―1に設けられ、前記基板より熱膨張係数の大きいビア7―1と、基板と接続部を介して機械的に接続されるメンブレン50と、メンブレン50に形成される可動電極5―3と、可動電極5―3に対向する固定電極5―4と、を有し、ビアの熱膨張による可動電極と固定電極の間の距離の変化を打ち消す構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 可変フィルタにおいて、基板1―1と、基板1―1に設けられ、前記基板より熱膨張係数の大きいビア7―1と、基板と接続部を介して機械的に接続されるメンブレン50と、メンブレン50に形成される可動電極5―3と、可動電極5―3に対向する固定電極5―4と、を有し、ビアの熱膨張による可動電極と固定電極の間の距離の変化を打ち消す構造を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、コンデンサとインダクタを有する可変フィルタ、および、当該可変フィルタを搭載した通信機器に関する。
コンデンサとインダクタを主たる構成要素とした電圧駆動の可変フィルタは、高周波のフィルタ、分波器等の固体回路素子として通信機器等に有用である。特に、複数の周波数帯で通信する携帯電話機では、一本のアンテナが複数の周波数帯で送受信を行うため、アンテナ直下に周波数可変の受信フィルタと送信フィルタを備えた分波器が有用である。
非特許文献1には、円形の圧電セラミックスを用いた可変コンデンサと、樹脂基板を貫通する金属ビアで製造されたインダクタとを主たる構成要素とする可変フィルタの構造が開示されている。また、圧電セラミックスとして単一分極させたPZTセラミックス板を用い、PZTセラミックス板に可動電極を形成し、樹脂基板上に固定電極を形成し、さらにPZTセラミックスに電圧を印加することにより、PZTセラミックスがquardraticに変形し、その結果、PZTセラミックス上の電極と、固定電極との間の容量値が変化することが開示されている。
なお、非特許文献1では、resonatorをインダクタとして働かせている。本明細書では、resonatorとインダクタを分けず、両方を含めて単にインダクタと表現する。
「Substrate Integrated Evanescent-Mode Cavity Filter With a 3.5 to 1 Tuning Ratio」(Sungwook Moon, Hjalti H. Sigmarsson, Himanshu Joshi, and William J. Chappell, IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LET, Digital Object Identifier 10.1109/LMWC.2010.2050680)
一般に、電圧駆動の可変フィルタには、小型であること、駆動電圧が低いこと、信頼性が高いこと、温度安定性が優れていることが要求される。上記非特許文献1に開示された可変フィルタには以下のような問題点がある。
まず第1に、非特許文献1においては、可変フィルタの温度安定性について考慮されていない。一般に金属材料は他の材料よりも熱膨張率が大きいため、温度上昇に伴い大きく変形することとなる。これにより、可変コンデンサやインダクタの特性が変化し、ひいては可変フィルタの性能も変化してしまうこととなるが、係る熱膨張率の差による課題を解決する手段や、あるいは熱膨張率の差を積極的に利用してより特性の良い可変フィルタを得る主端については、非特許文献1には何ら記載されていない。
さらに、非特許文献1には、PZTセラミックス板がquardraticに変形することが開示されている。一方、PZTセラミックスと、固定電極が形成されている樹脂基板との間の固定方法が開示されていない。一般に、quardraticに変形した板は、基板と線または点でしか接触することは出来ない。そのため、強固な接着層を用いてPZTセラミックス板を基板に固定できず、信頼性に劣る。またゴムのような非硬化型接着材料を用いると、強度が劣るため、高い信頼性を得ることが出来ない。
以上を踏まえ、本発明の目的は、温度安定性により優れた、または、信頼性がより高い可変フィルタを提供することである。さらには、温度安定性の優れた、または、信頼性がより高い通信機器、基地局をも実現することである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものを挙げれば、可変フィルタであって、基板と、基板に設けられ、前記基板より熱膨張係数の大きいビアと、基板と接続部を介して機械的に接続されるメンブレンと、メンブレンに形成される可動電極と、可動電極に対向する固定電極と、を有し、ビアの熱膨張による可動電極と固定電極の間の距離の変化を打ち消す構造を有することを特徴とする。
または、可変フィルタであって、第一の基板と、第二の基板と、第一の基板および第二の基板と接続部を介して接続され、第一の基板側に設けられる第一の部と、第二の基板側に設けられる第二の空洞部に挟まれるメンブレンと、メンブレンに形成される可動電極と、可動電極と対向する固定電極と、第一の基板と他の基板とを機械的に接続する接続端子と、を有し、第一の基板の主面と平行な方向において、第一の空洞部の幅は、第二の空洞部の幅よりも大きいことを特徴とする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、温度安定性により優れた、または、信頼性のより高い可変フィルタ、通信機器、または基地局等を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。また変形の形状を誇張して記載している場合もある。
図1は、本実施例1の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの構造と、本実施例1の可変フィルタの構成要素であるインダクタの構造の一部とを模式的に説明した断面図である。本実施例1に係る可変フィルタは、第一の基板1−1と、固定部51により第一の基板1−1に両端を機械的に接続されたメンブレン50と、固定部51の上面に設けられた接着層(図示せず)を介して接合処理された第二の基板1−2とで構成されており、基板1−1または基板1−2に形成された固定電極5―4と、メンブレン50に形成された可動電極5―3でコンデンサを構成している。図1では、基板1―1側に固定電極を形成した例を記載したが、基板1―2側に形成しても良い。また、それらを接続する電気配線、電気的絶縁を向上させる絶縁膜、メンブレンの機械的な強度を上げる膜、膜同士の密着性を向上させるための膜等も同一可変フィルタ内に配置されているが、図面では省略されている。
メンブレン50は、可動電極を±Z方向に移動させる機能を有する。可動電極を±Z方向に移動させる方法としては、静電力や磁力を用いて動かす方法や、圧電材料の伸縮や、過熱による物質の熱膨張を利用した方法が知られている。しかし、メンブレン50の構造は、後述する実施例4に示す構造であることが望ましい。
第二の基板1−2には、Z軸方向に延伸するように形成された複数のビア7を用いた空洞共振器が構成されており、これによってインダクタの機能を有している。そのため、第二の基板1−2は、電磁気の伝搬を阻害しない材料である必要があるため、電気抵抗が十分大きいガラス基板、珪素基板、金属基板、セラミックス基板、樹脂基板などに代表される絶縁基板、またはこれらの複合基板であることが望ましい。また、第二の基板1―2の内部に、気体や真空を有する空洞部を設けても良い。より望ましくは、メンブレンの熱歪を低減するため、少なくとも第二の基板1−2の一部に、熱膨張率が10ppm/℃以下であるガラス基板、単結晶珪素基板、セラミックス基板、アルミナ基板を用いることが望ましい。また表面と裏面の一部には金属膜が形成されているが、図面では省略している。
ビア7のうち、ビア7―2が空洞部共振器のポストビアとして、ビア7―1がポストから発生する電磁波を閉じ込めるシールドビアとして機能する。そのため、ビア7のそれぞれは、必ずしも基板1−2を貫通している必要はなく、また、物質で完全に詰まっている必要もない。しかし、高周波電気抵抗を十分小さくするため、ビア7の材料は、貴金属、アルミニウムなどに代表される金属、またはそれらを含む複合金属や多層金属であることが望ましい。本実施例1では、ビア7―1およびビア7―2の材料として銅を用いており、基板1−2との絶縁性を高めるため、その境界に酸化珪素膜を形成している。
メンブレン50は、±Z軸方向を空洞部6―1、6―2に挟まれている。さらに、可変容量の可動電極5―3が、メンブレン50に設けられている。そのため可動電極5―3は、上下に動かすことが出来る。このようなメンブレン50が外乱因子である温度によって変形すると、可動電極5―3および固定電極5―4の間の距離が変化してしまう。その結果、形成されるコンデンサの容量が変化し、可変フィルタの温度安定性の劣化となる。従って、温度変化による可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離の変化による影響を打ち消す構成が必要である。
ここで、メンブレンの温度安定性の劣化要因としては、メンブレン50の支持部の近傍に配置されたビア7−1の熱膨張率と、メンブレン50の製造時に除去し切れなかった残留応力がある。メンブレン50の支持部の近傍に配置されたビア7−1は、第二の基板1−2とは異なる熱膨張率を有する。一般に、誘電材料より金属材料の方が熱膨張率が大きいため、高温のときは第二の基板1−2の下面のビア7−1近傍が下方向に膨らみ、低温のときは反対にへこむ。このような、メンブレン50の支持部近傍で生じた変形は、メンブレン50の温度安定性に影響を与える。この影響は、第二の基板1−2に熱膨張率が10ppm/℃以下の非金属材料または無機材料を用い、ビアに10ppm/℃以上の金属材料または有機材料を用いたとき、顕著に現れる。
このような温度安定性の課題に対し、本実施例1の可変フィルタでは、ビア7−1の側面とメンブレン50の側面の間に、基板1―1の主面に平行な方向において一定の距離を設けている。以下本明細書では、この距離を「オフセット」と称する。このオフセットによって、メンブレン50を含む基板1―1の主面に平行な平面Pと、ビア7―1の延長線Lと、が交わる交点Aは、平面Pにおいてメンブレン50の外側に位置する構造となる。
ここで、オフセットがない場合、高温時、ビア7−1は伸びるため、メンブレン50の支持部は下向きに押され、その結果、メンブレン50は下凸に変形する。一方、オフセットがある程度大きいと、オフセット部分が固定点として機能するため、高温時、ビア7−1は伸びると、メンブレン50の支持部は固定点を中心に回転するように上向きにおされ、その結果、メンブレン50は上凸に変形する。オフセットがさらに大きくなると、ビア7−1からの影響は十分小さくなり、メンブレン50の残留応力に依存した温度係数に漸近する。
図2は、有限要素法を用いて計算した、本実施例1の可変フィルタにおけるオフセットとメンブレンの温度安定性の関係を示した図である。第一の基板1−1と第二の基板1−2は共に厚さ1mmの単結晶珪素基板で、ビア7は直径20μmの銅で、メンブレン50は銅薄膜とPZT薄膜と単結晶珪素膜で形成されている。またメンブレン50は、直径0.85mm、厚さ40μmに設定されている。縦軸はメンブレンの中心部分のZ軸方向変位量の温度係数であり、オフセットがゼロ(−5nm/℃)、またはマイナスの場合(−5nm/℃以下)より、オフセットを設けた方(−5から5nm/g℃)が温度安定性に優れていることは明らかであり、本実施例1のオフセットは、ビア7―1の熱膨張による可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離の変化を打ち消す構造であると言える。なお、「打ち消す」という用語は、当該変化を完全に消滅させる場合に限定する意味ではなく、少なくとも当該変化を低減していれば良い意味で用いている。特にオフセット量をビア7−1の直径の1倍から4倍の間に設定すると、さらに温度係数の絶対値が半分以下に向上する。
以上を踏まえ、本実施例1に係る可変フィルタは、基板1―1と、基板に設けられ基板より熱膨張係数の大きいビア7―1と、基板1―1と接続部51を介して機械的に接続されるメンブレン50と、メンブレン50に形成される可動電極5―3と、可動電極に対向する固定電極5―4と、を有し、ビア7―1の熱膨張による可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離の変化を打ち消す構造を有することを特徴とする。この構造とは、本実施例1においては、上述のオフセットを設けたことであり、他の表現をすれば、メンブレン50を含み基板1―1の主面に平行な平面Pと、ビア7―1の延長線Lと、が交わる交点Aが、平面P内においてメンブレン50の外側に位置する構成としたことである。
係る構成によって、本実施例1に係る可変フィルタは、オフセットがゼロまたはマイナスの場合と比較して温度係数を低減することが可能となり、より温度安定性に優れた可変フィルタを実現することが可能となる。
図3は、本実施例2の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの構造と、インダクタの構造の一部とを模式的に示した断面図である。本実施例2では、ビア7―1の熱膨張による可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離の変化を打ち消す構造の例として、実施例1とは異なる構造を説明する。本実施例2に係る可変フィルタは、ビア7−1の下部(−Z側)に空洞部6−3が設置されていることを除くと、実施例1と同じである。また、実施例1と本実施例2に係る発明は両立しうるものであり、本実施例2においても、実施例1と同様にビア7−1とメンブレン50との間にオフセットを設けた。オフセットの値は特に限定されないが、60μmのオフセットを設けるものとした。
図3の空洞部6−3は、メンブレン50を含み基板1―1の主面に平行な平面Pとビア7―1の延長線Lと、が交わる交点Aを含む位置、または交点Aよりビアに近い位置に設けられる。この空洞部6―3は、ビア7−1の熱膨張が可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離を変化させる影響を打ち消す機能を有する。
図4は、有限要素法を用いて計算した、本実施例2の空洞部6−3とビア7―1の相対位置と、メンブレンの温度安定性との関係を示した表である。比較のため、最下段に空洞部6−3がない場合の温度係数を記してある。ビア7−1のメンブレン方向に空洞部を設けることで、空洞部のサイズにかかわらず、温度係数の絶対値が小さくなっている。さらに空洞部6−3とビア7−3の相対位置関係を設計パラメータにすることが出来るため、相対位置関係を最適化することにより、メンブレン50の製造時に除去し切れなかった残留応力に起因する温度係数をキャンセルさせることが出来る。
ここで、空洞部6−3の厚さを大きくする必要はなく、例えば、接続部51と第二の基板1−2の間の接着層をビア7−1の近傍のみ取り除くことでも、同様な効果を得ることが出来る。さらに、空洞部6−3のビア7―1側の面のZ軸方向の座標は、ビア7−1の下部に近い方が効果が大きく、メンブレン50のビア7−1側の面とビア7―1のメンブレン50側の座標の間である方が、ビア7−1がメンブレン50に与える影響を制御する効果が大きい。
このように、本実施例2に係る可変フィルタは、ビア7―1の熱膨張による可動電極5―3と固定電極5―4の間の距離の変化を打ち消す構造として、メンブレン50を含み基板1―1の主面に平行な平面Pと、ビア7―1の延長線Lと、が交わる交点Aを含む位置、または交点Aよりビアに近い位置に設けられる空洞部6―3を有する。係る構成によって、温度係数をより小さくすることが可能となり、また、空洞部6―3とビア7―1の相対位置関係を設計パラメータとした最適化を行うことが可能となる。よって、さらに温度安定性が優れた可変フィルタを実現することができる。
図5は、本実施例3の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの構造と、可変フィルタを実装する第三の基板1−3を模式的に示した断面図である。本実施例3の可変フィルタは、第一の基板1−1と、固定部51により第一の基板1−1に両端を固定されたメンブレン50と、固定部51の上面に設けられた接着層を介して接合処理された第二の基板1−2とで構成されている。基板1−1または基板1−2に設置された固定電極と、メンブレン50に設置された可動電極でコンデンサを構成しているが、図面では省略している。また、第一の基板1−1または第二の基板1−2は、例えば実施例1で述べたビア7を有することでインダクタの機能を有しているが、図面では省略している。それらを接続する電気配線、電気的絶縁を向上させる絶縁膜、メンブレンの機械的な強度を上げる膜、膜同士の密着性を向上させるための膜等も同一可変フィルタ内に配置されているが、図面では省略されている。
本実施例3の可変フィルタにおいては、第一の基板1―1の下面に、第一の基板1―1を他の基板(第三の基板1−3)と機械的に接続する端子8―1、8―2が設置されている。そして、本実施例3の可変フィルタは、端子8―1および8―2を介して、通信機器(携帯電話端末や基地局等の装置等)に固定されている。
ここで、第三の基板1−3は、第一の基板1−1とは異なる熱膨張率を有する。このことは、第三の基板1―3と第一の基板1―1が異なる材料に限られるということを意味しない。同じ材料を用いていても、第一の基板1−1と第三の基板1−3とは電気配線が異なるため、膜構成や構造が異なり、基板のX軸方向の熱膨張率も異なる値となりうるためである。その結果、低温または高温で、第三の基板1−3の熱伸縮により、第一の基板1−1は変形する。
メンブレン50は、±Z軸方向を空洞部6―1および6―2に挟まれている。さらに、可動電極が、メンブレン50に設けられている。そのため、可動電極は、上下に動かすことが出来る。よって、本実施例3に係る可変フィルタにも、実施例1と同様に、可動電極と固定電極の間の距離が変化する課題がある。
これに対し、本実施例3に係る可変フィルタでは、空洞部6−2より空洞部6−1の方が、X軸方向における幅がより大きく設定されている。そのため、低温または高温で、第三の基板1−3の熱伸縮により発生する第一の基板1−1の変形がメンブレン50に与える影響を低減することができる。なお、第一の基板1−1の変形は第二の基板1−2には影響を与え、メンブレン50は第二の基板1−2の影響を受けるが、しかし第一の基板1−1の変形はメンブレン50より体積の大きい第二の基板1−2で緩和されるため、メンブレン50の変形は抑制される。
このように、本実施例3に係る可変フィルタは、第一の基板1―1と、第二の基板1―2と、第一の基板1―1および第二の基板1―2と接続部51を介して接続され、第一の基板側に設けられる第一の空洞部6―1と、第二の基板側に設けられる空洞部6―2に挟まれるメンブレン50と、第一の基板と他の基板とを機械的に接続する接続端子8―1、8―2と、を有し、第一の基板1―1の主面と平行な方向において、第一の空洞部6―1の幅が、第二の空洞部6―2の幅よりも大きいことを特徴とする。係る構成により、本実施例3に係る可変フィルタは、熱伸縮による基板の変形がメンブレンに与える影響を抑制することができる。その結果、温度安定性の優れた可変フィルタを実現し、また、当該可変フィルタを搭載した通信機器という形で、温度安定性に優れた携帯電話端末や基地局等をも実現することができる。
図6は、本実施例3において、可変コンデンサの固定電極5−4を、特に第二の基板1―2の下面に設けた変形例を模式的に示す断面図である。
上述の通り、外乱因子である温度に対するメンブレン50の変形は、可変フィルタの温度安定性の劣化となるため、避ける必要がある。図6の可変フィルタでも、低温または高温で、第三の基板1−3の熱伸縮により発生する第一の基板1−1の変形は第二の基板1−2には影響を与え、またメンブレン50は第二の基板1−2の影響を受ける。しかし、図6の可変フィルタでは、第二の基板の下面に、可変コンデンサの固定電極5−4が設けられており、かつ、空洞部6−1より空洞部6−2の方がX軸方向に小さく設定されているため、メンブレン50と第二の基板1−2は、同じ変形をする。その結果、温度変化によっては、メンブレン50に設置されている可動電極と固定電極5−4の相対位置は変わらない。そのため、可変コンデンサの容量値は、第三の基板の変形による影響を受けない。
以上説明したように、図6のように第二の基板1―2の下面に固定電極5―4を設けることで、特に温度安定性の優れた可変フィルタを実現することができ、さらに温度安定性の優れた携帯電話端末と基地局をも実現することができる。
本実施例4では、上述した各実施例の可変フィルタに適用しうる、好適な構成を説明する。図7と8は、本実施例4の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの構造を模式的に示した図である。図7は、模式的に示す可変コンデンサの上面、図8は、図7のI1−I1’線の断面図である。本実施例4に係る可変コンデンサは、基板1−1と、固定部51により基板1−1に両端を固定されたメンブレン50と、空洞部6を挟んで形成されたコンデンサ52とで構成されている。またそれらを接続する電気配線、電気的絶縁を向上させる絶縁膜、メンブレンの機械的な強度を上げる膜、膜同士の密着性を向上させるための膜等も同一可変フィルタ内に配置されているが、図面では省略されている。
メンブレン50は、可動電極5―3を±Z方向に移動させる機能を有し、少なくとも、圧電薄膜2と、非圧電材料である単結晶珪素膜3と、圧電薄膜2を挟んで向かい合っている上部電極5−1と下部電極5−2と、メンブレン50の一部を為す可動電極5−3で構成されている。そのため、メンブレン50は、モノモルフ型の駆動機構として機能する。なお、非圧電材料として未分極の圧電薄膜を用いても良い。
圧電薄膜2は、メンブレン50を駆動させるため、Z軸方向の電圧に対してX軸及びY軸方向に伸縮する機能を有する。そのため、十分に圧電性が高く、且つ電気抵抗値が高いことが望ましい。また、圧電薄膜2は、小型の可変フィルタを実現し、低電圧で動作させるため、50μm以下の厚さであることが望ましい。本実施例では、圧電薄膜2として、スパッタ装置やゾルゲル装置で成膜したPZT薄膜を用いている。
固定部51は、メンブレン50を基板1−1に固定する機能を有し、本実施例4では、主に機械的強度の高い酸化ケイ素薄膜4と単結晶珪素膜3と圧電薄膜2で構成されている。さらに、メンブレン50を高信頼に固定するため、酸化珪素4は、酸化珪素4のZ方向の厚さよりX方向またはY方向の幅の方が大きい値に設定されている。また、酸化珪素4は、面で基板1−1と機械的に接続されているため、より強固にメンブレン50を基板1−1に固定しており、また、空洞部6の気密性を高めてもいる。なお、図面では省略しているが、本実施例に係る可変フィルタには、上部電極5−1と下部電極5−2と可動電極5−3の電気的引き出し線も形成されている。
基板1−1は、固定電極5−4と、メンブレン50の端部の相対位置を固定する機能を有し、機械的強度の高い材料で構成されている。具体的には、基板1−1の材料は、ガラス基板、珪素基板、金属基板、セラミックス基板、またはこれらの複合基板に代表される無機基板であることが望ましい。本実施例1では、固定電極5−4との絶縁性を保つため、表面に酸化珪素膜を形成した単結晶珪素基板を用いている。
コンデンサ52は、少なくとも、真空または気体で満たされた空洞部6と、メンブレン50に設置された可動電極5−3と、基板1−1に固定された固定電極5−4で構成されている。図面では省略しているが、可動電極5−3と固定電極5−4が電気的に短絡することを防ぐため、固定電極5−4の表面には、薄い絶縁膜が設置されている。
圧電薄膜2は、メンブレン50の中心部と周辺では分極が逆向きに設定されている。このことを示すために、圧電薄膜2を、図8では圧電薄膜2―1、2―2、および2―3に区切って図示している。圧電薄膜2において、中心部付近の圧電薄膜2−1は+Z軸方向に、周辺付近の圧電薄膜2−2は−Z軸方向に分極している。メンブレン50以外の圧電薄膜2−3は、いずれの方向に分極していても、または無分極でも良い。
図9は、図7の可変フィルタの上部電極5−1と下部電極5−2の間に電圧を印加したときの変形を模式的に説明した図である。圧電薄膜2−1と2−2が互いに逆向きに分極しているため、メンブレンはユニモルフとして機能する。つまり、上部電極5−1と下部電極5−2の間に電圧を印加すると、圧電薄膜2−1と圧電薄膜2−2の内部に同一符号の電界が生じ、圧電薄膜2−1と圧電薄膜2−2はXY方向に伸縮する。一方、単結晶珪素膜3は伸縮しない。
図10は、図8の変形例である、モノモルフ型可変コンデンサを模式的に示す断面図である。図10のメンブレンは、少なくとも、圧電薄膜2と、非圧電材料である単結晶珪素膜3と、圧電薄膜2を挟んでいる上部電極5−1と下部電極5−2と、メンブレン50の一部に設置されている可動電極5−3で構成されている。そのため、メンブレン50は、モノモルフ型の駆動機構として機能する。
圧電薄膜2は、メンブレン50の中心部と周辺で分極は同じ向きに設定されている。一方、上部電極5−1と下部電極5−2は、中心部と周辺部に分割されており、上部電極5―1は、中心部5―1―1と周辺部5―1―2に、互いに異符号の電位が印加され、同様に下部電極5―2も、中心部5―2―1と周辺部5―2―1に、互いに異符号の電位が印加される。その結果、中心部の圧電薄膜2−1と、周辺付近の圧電薄膜2−2に、逆方向に電界が印加されることとなる。従って、本変形例のモノモルフ型可変コンデンサは、図8のモノモルフ型と同じ機能を有するが、本構造の方が分極処理が容易である。
このように、図8および10に係る可変フィルタは、メンブレン50に第一の圧電薄膜2を有し、第一の圧電薄膜2は、メンブレンの中心部2―1と周辺部2―2との間で、分極が逆向きであるか(図8)、印加される電界の符号が反転しているか(図10)、どちらか一方のみを満たすことを特徴とする。係る特徴により、図9で示すように、メンブレン50は、周辺部では上に凸に、中心部では下に凸に湾曲する。その結果、メンブレンの中心部分で変位が大きくなり、コンデンサ52の容量値が変化する可変コンデンサを実現しうる。
図8および10の効果をさらに説明するため、例えば本実施例4の圧電薄膜2(圧電薄膜2―1から2―3)を、非特許文献1に記載のような、全体が単一分極である圧電薄膜2―4に置き換えた比較例1(図示せず)を検討する。圧電薄膜以外は本実施例4と同一であるとする。係る比較例1においても、上部電極5―1と下部電極5―2の間に電圧を印加すると、圧電薄膜2−4の内部に電界が生じ、圧電薄膜2−4はXY方向に伸縮しようとするが、単結晶珪素膜3は伸縮しないため、メンブレン50は上凸または下凸に湾曲しようとする。しかしメンブレン50の両端が固定部51で固定されているため、湾曲することは出来ない。
または、比較例1に対し、さらに酸化珪素膜4を、XY方向における幅を小さくし、容易に変形できる程度の幅とした酸化珪素膜4―2に置き換えた比較例2(図示せず)を検討する。圧電薄膜および酸化珪素膜以外は、本実施例1と同一であるとする。このような場合は、酸化珪素膜4―2の幅が細いため、上部電極5―1と下部電極5―2の間に電圧が印加された際に、酸化珪素膜4―2が変形することで、圧電薄膜2―4および単結晶珪素膜3を湾曲させ、メンブレン50を変位させることが可能となる。しかしながら、係る変形の際には、酸化珪素膜4―2の内部に大きな歪が生じ、著しく信頼性が劣化する。さらに、圧電薄膜2―4と単結晶珪素膜3は異なる熱膨張率を有する。そのため、気温の変化に伴い、比較例2のメンブレン50は、電極間に電圧を印加していないにも関わらず湾曲してしまう。そのため、比較例2で構成された可変フィルタは、温度安定性が著しく劣化する。一方、本実施例4のメンブレンは、気温の変化が発生しても、比較例1が湾曲しないのと同じ理由で、湾曲しない。そのため、本実施例4の可変フィルタは優れた温度安定性を示す。
図11と12は、本実施例4の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの変形例を模式的に説明した断面図であり、図11と12のいずれも、メンブレン50内部の構造を除くと図8と同じである。すなわち、基板1−1と、固定部51により基板1−1に両端を固定されたメンブレン50と、空洞部6を挟んで形成されたコンデンサ52とで構成されている点が、図8と同じである。
図11は、本発明の実施例4の別の構造のバイモルフ型可変コンデンサを模式的に示す断面図である。メンブレン50は、可動電極を±Z方向に移動させる機能を有する。ここで、本変形例のメンブレン50は、2層の圧電薄膜2と、圧電薄膜2を挟んでいる上部電極5−1と下部電極5−2と、可動電極5−3を有している。そして、2層の圧電薄膜2は、分極が逆向きである圧電薄膜2―1と2―2とを交互に配置しているため、重なり合う部分が逆向きに分極している。そのため、本変形例4のメンブレン50は、バイモルフ型の駆動機構として機能する。図11のバイモルフ型可変コンデンサは、図8のモノモルフ型可変コンデンサと同じ機能を有しているが、図11のバイモルフ型の方が、複雑な分極処理を必要とするが、強い駆動力を得ることが出来る。なお、図11では下部電極5−2は可動電極5−3を兼ねているが、分けても良い。
図12は、図11の変形例である、2層の圧電薄膜2の間に中間電極5−5を設置したバイモルフ型可変コンデンサを模式的に示す断面図である。2層の圧電薄膜2は、圧電薄膜2―1同士、または圧電薄膜2―2同士を重ねているため、重なり合う部分が同方向に分極している。従って、上の圧電薄膜2と下の圧電薄膜2の間に、互いに逆方向に電界をかけることにより、メンブレン50は、全体としてバイモルフ型の駆動機構として機能する。図12のバイモルフ型可変コンデンサは、図11のバイモルフ型可変コンデンサと比較して、電極間距離が小さいので、より低電圧で駆動させることができる。また、複雑な分極処理も必要ない。
このように、図11および図12に係る可変フィルタは、第二の圧電薄膜2をさらに有し、第一の圧電薄膜2のメンブレン中心部とメンブレンの周辺部の間、第二の圧電薄膜2のメンブレンの中心部とメンブレンの周辺部の間、および、第一の圧電薄膜2と第二の圧電薄膜2の互いに接する部分の間、のそれぞれにおいて、分極の向きが逆向きであるか(図11)、または、印加される電界の符号が反転しているか(図12)、どちらか一方のみを満たすことを特徴とする。これにより、バイモルフ型の可変コンデンサを実現しつつ、上述した各効果を奏する。
図13から15は、本実施例4の可変フィルタの構成要素である可変コンデンサの、さらに別の構造を模式的に説明した図である。図13は、模式的に示す上面、図14は、図13のI2−I2’線の断面図である。図15は、図13に示した構造を、Y方向に3個並べた際の、I2−I2’線の断面図である。図13において、I1−I1’線の断面図は、図8と同じである。そのため、上部電極5−1と下部電極5−2の間に電圧を印加すると、I1−I1’線の断面では、図9と同じ動作をする。その上で、本変形例に係る可変コンデンサは、メンブレン50が長方形であるため、図15に示すように、容易に複数の可変コンデンサ(メンブレン50、固定電極5―4、可動電極5―3の組)を集積することが可能になる。また、メンブレン50の変位量がメンブレン50の幅に依存しないため、必要な容量値に合わせて、メンブレン50の幅を設定することができる。そして、これらのメンブレン50を並列または直列に電気接続し、独立に電圧を印加することにより、きめ細かい容量値を得ることが出来る。
以上説明したように、本実施例4の可変フィルタでは、高い信頼性を有し、温度安定性が優れ、きめ細かい容量値が得られ、大きな変位を有するメンブレンを薄膜で実現しているため、低電圧で動作する小型の可変フィルタを実現することができる。
1―1 基板
1―2 基板
1―3 基板
2 圧電薄膜
2−1 +Z方向に分極した圧電薄膜
2−2 −Z方向に分極した圧電薄膜
2−3 分極方向や分極の有無が特性に影響しない圧電薄膜
2−4 +Z方向または−Z方向に単一分極した圧電薄膜
3 単結晶珪素膜
4 酸化ケイ素薄膜
5−1 上部電極
5−2 下部電極
5−3 可動電極
5−4 固定電極
5−5 中間電極
6 空洞部
6―1 空洞部
6―2 空洞部
7 ビア
7−1 シールドビア
7−2 ポストビア
8―1 端子
8―2 端子
9―1 金属膜
50 メンブレン
51 固定部
52 コンデンサ
100 可変コンデンサ
101 可変フィルタ。
1―2 基板
1―3 基板
2 圧電薄膜
2−1 +Z方向に分極した圧電薄膜
2−2 −Z方向に分極した圧電薄膜
2−3 分極方向や分極の有無が特性に影響しない圧電薄膜
2−4 +Z方向または−Z方向に単一分極した圧電薄膜
3 単結晶珪素膜
4 酸化ケイ素薄膜
5−1 上部電極
5−2 下部電極
5−3 可動電極
5−4 固定電極
5−5 中間電極
6 空洞部
6―1 空洞部
6―2 空洞部
7 ビア
7−1 シールドビア
7−2 ポストビア
8―1 端子
8―2 端子
9―1 金属膜
50 メンブレン
51 固定部
52 コンデンサ
100 可変コンデンサ
101 可変フィルタ。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板に設けられ、前記基板より熱膨張係数の大きいビアと、
前記基板と接続部を介して機械的に接続されるメンブレンと、
前記メンブレンに形成される可動電極と、
前記可動電極に対向する固定電極と、
を有し、
ビアの熱膨張による前記可動電極と前記固定電極の間の距離の変化を打ち消す構造を有することを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記メンブレンを含み前記基板の主面に平行な平面と、前記ビアの延長線と、が交わる交点が、前記平面内において前記メンブレンの外側に位置することを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記基板の熱膨張率が10ppm/℃以下であり、前記ビアが有する金属の熱膨張率が10ppm/℃以上であることを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記基板の主面に平行な方向において、前記ビアの側面から前記メンブレンの側面までの距離は、前記ビアの径の1倍から4倍の間であることを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記メンブレンを含み前記基板の主面に平行な平面と、前記ビアの延長線と、が交わる交点と前記ビアとの間に設けられる空洞部をさらに有することを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記メンブレンは、第一の圧電薄膜を有し、
前記第一の圧電薄膜は、前記メンブレンの中心部と前記メンブレンの周辺部との間で、分極の向きが逆向きであるか、または、印加される電界の符号が反転しているか、どちらか一方のみを満たすことを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項6において、
前記メンブレンは、前記第一の圧電薄膜と積層される第二の圧電薄膜をさらに有し、
前記第一の圧電薄膜の前記メンブレン中心部と前記メンブレンの周辺部の間、前記第二の圧電薄膜の前記メンブレンの中心部と前記メンブレンの周辺部の間、および、前記第一の圧電薄膜と前記第二の圧電薄膜の互いに接する部分の間、のそれぞれにおいて、分極の向きが逆向きであるか、または、印加される電界の符号が反転しているか、どちらか一方のみを満たすことを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項1において、
前記メンブレン、前記固定電極、および前記可動電極は、それぞれ複数設けられ、
前記メンブレン、前記固定電極、および前記可動電極のそれぞれにより形成される複数のコンデンサが、互いに電気的に接続されることを特徴とする可変フィルタ。 - 第一の基板と、
第二の基板と、
前記第一の基板および前記第二の基板と接続部を介して接続され、前記第一の基板側に設けられる第一の空洞部と、前記第二の基板側に設けられる第二の空洞部に挟まれるメンブレンと、
前記メンブレンに形成される可動電極と、
前記可動電極と対向する固定電極と、
前記第一の基板と他の基板とを機械的に接続する接続端子と、を有し、
前記第一の基板の主面と平行な方向において、前記第一の空洞部の幅は、前記第二の空洞部の幅よりも大きいことを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項9において、
前記メンブレンに形成される可動電極と、
前記第二の基板に形成され、前記可動電極と対向する固定電極と、をさらに有することを特徴とする可変フィルタ。 - 請求項9の可変フィルタを搭載した通信機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012244985A JP2014093752A (ja) | 2012-11-07 | 2012-11-07 | 可変フィルタおよび通信機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012244985A JP2014093752A (ja) | 2012-11-07 | 2012-11-07 | 可変フィルタおよび通信機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014093752A true JP2014093752A (ja) | 2014-05-19 |
Family
ID=50937522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012244985A Pending JP2014093752A (ja) | 2012-11-07 | 2012-11-07 | 可変フィルタおよび通信機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014093752A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220123735A1 (en) * | 2020-10-16 | 2022-04-21 | Qualcomm Incorporated | Tunable circuit including integrated filter circuit coupled to variable capacitance, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods |
-
2012
- 2012-11-07 JP JP2012244985A patent/JP2014093752A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220123735A1 (en) * | 2020-10-16 | 2022-04-21 | Qualcomm Incorporated | Tunable circuit including integrated filter circuit coupled to variable capacitance, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods |
US11770115B2 (en) * | 2020-10-16 | 2023-09-26 | Qualcomm Incorporated | Tunable circuit including integrated filter circuit coupled to variable capacitance, and related integrated circuit (IC) packages and fabrication methods |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102070233B1 (ko) | 복합 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체 | |
CN108955736B (zh) | 一种超声波传感器及其制作方法、显示装置 | |
US10469054B2 (en) | Piezoelectric module | |
WO2017110308A1 (ja) | 弾性波装置 | |
KR102139762B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판 | |
WO2016174789A1 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
US11393972B2 (en) | Multi-layer piezoelectric ceramic component and piezoelectric device | |
JP5673752B2 (ja) | 圧電アクチュエータ | |
US9837978B2 (en) | Piezoelectric component | |
JP5232378B2 (ja) | 可変容量素子、共振器および変調器 | |
US20150136464A1 (en) | Electronic Device | |
US6563400B2 (en) | Piezoelectric resonator utilizing bending vibrations and ladder-type filter including the same | |
US20220131519A1 (en) | Piezoelectric vibrating device | |
JP2014093752A (ja) | 可変フィルタおよび通信機器 | |
CN110198514B (zh) | 振动发生装置 | |
JP2012015886A (ja) | 振動片、振動子、発振器および電子機器 | |
CN110213704B (zh) | 振动发生器件和电子设备 | |
WO2006059416A1 (ja) | 複合材料振動装置 | |
US11362261B2 (en) | Multi-layer piezoelectric ceramic component and piezoelectric device | |
JP2009252516A (ja) | Memsスイッチ | |
WO2014148107A1 (ja) | 水晶振動装置 | |
WO2012102119A1 (ja) | 可変容量素子 | |
JP2010021252A (ja) | 可変容量素子およびその製造方法 | |
JP2009140799A (ja) | スイッチとその製造方法 | |
JP6575241B2 (ja) | 圧電型memsスイッチ及び圧電型memsスイッチの製造方法 |