JP2014093030A - Sdramコントローラ - Google Patents
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Abstract
【課題】SDRAMの使用効率をさらに向上できるSDRAMコントローラを提供する。
【解決手段】複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、バッファが満たされるとバッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトするライトユニットと、バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと複数のバスマスタから受信した個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶するアドレス変換ユニットと、SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングで、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域をダミーリードするリフレッシュユニットとを有するSDRAMコントローラを提供する。
【選択図】図1
【解決手段】複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、バッファが満たされるとバッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトするライトユニットと、バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと複数のバスマスタから受信した個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶するアドレス変換ユニットと、SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングで、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域をダミーリードするリフレッシュユニットとを有するSDRAMコントローラを提供する。
【選択図】図1
Description
本発明はSDRAMの入出力を含めた制御を行うSDRAMコントローラに関するものである。
特許文献1のメモリ制御装置は、SRAMおよびSDRAM制御部を備え、外部機器から断続的に複数回に分けて転送されたデータを、外部機器からのデータ転送レートよりも速い書き込み速度でSDRAMに書き込む。SRAMは、断続的に所定の回数に分かれて転送されてきたデータを、SDRAMに書き込む前に一旦蓄積する。SDRAM制御部は、SRAMに蓄積されたデータをSRAMに連続して書き込むと共に、SDRAMへのデータの書き込みが行われていない間はSDRAMをセルフリフレッシュモードに設定して消費電力の低減を図る。
特許文献1の技術は、第2のSDRAMへのデータが書き込まれるインターバルを伸ばして、その間のメモリのリフレッシュに要する電力消費を低減しているが、リフレッシュにともなうメモリの使用効率の低下を改善するものとはなっていない。本発明においては、SDRAMに対するリフレッシュも含めたアクセスの無駄を抑制し、SDRAMに対するアクセス効率を改善することを目的としている。
本発明の一態様は、複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、バッファが満たされるとバッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトするライトユニットと、バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと複数のバスマスタから受信した個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶するアドレス変換ユニットと、SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングで、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域をダミーリードするリフレッシュユニットとを有するSDRAMコントローラである。
このSDRAMコントローラのライトユニットは、複数のバスマスタからのライト要求をいったんバッファに格納し、バーストライトできるデータ長になるとSDRAMにバーストライトすることによりSDRAMに対するアクセス効率を向上する。それとともに、ライトユニットは、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトし、アドレス変換ユニットは、バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと、複数のバスマスタから受信した入出力用の個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶する。したがって、SDRAM上には、バスマスタとの入出力に使われるアドレスに関わらず、データが連続して、ランダムではなく、シーケンシャルに記録される。このため、リフレッシュユニットは、SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングで、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域に限ってダミーリードすることでSDRAMをリフレッシュできる。したがって、リフレッシュに要する時間を短縮できるので、SDRAMへのアクセス効率をさらに向上できる。
SDRAMコントローラは、さらに、第1のバスマスタからリード要求があると、リード要求された個別のアドレスの個別のデータがバッファに存在すれば、バッファ内の個別のデータを第1のバスマスタに供給するリードユニットを有することが望ましい。ライト用のバッファをキャッシュとして使うことによりリードに要する時間も短縮できる。
バッファは、バンク切替が可能な、バースト長を単位とする複数の格納領域を含むことが望ましい。バッファをバンク切替することにより、SDRAMにバーストライトしている間もバスマスタからのライト要求を継続して受け付けることができる。
本発明の他の態様の1つは、上記のSDRAMコントローラと、SDRAMコントローラにより制御されるSDRAMと、SDRAMコントローラを介してSDRAMにアクセスする複数のバスマスタとを有する情報処理装置である。
また、本発明のさらに異なる他の態様の1つは、SDRAMに対する入出力を制御するSDRAMコントローラを含む情報処理装置の制御方法であって、以下のステップを含む。
1.SDRAMコントローラが、複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、バッファが満たされるとバッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトすること。
2.バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと複数のバスマスタから受信した個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶すること。
3.SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングになると、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域をダミーリードすること。
1.SDRAMコントローラが、複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、バッファが満たされるとバッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトすること。
2.バーストライトした個別のデータのSDRAM上のアドレスと複数のバスマスタから受信した個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶すること。
3.SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングになると、ライトユニットがバーストライトしたSDRAMの領域をダミーリードすること。
図1に、本発明の実施例に係る情報処理装置の概略構成を示している。この情報処理装置1は、SDRAM5と、SDRAM5に対する入出力を制御するSDRAMコントローラ10と、SDRAMコントローラ10を介してSDRAM5にアクセスする複数のバスマスタ50とを有する。それぞれのバスマスタ50は、CPU、DMAコントローラ、さらに、CPUを介さずに直にSDRAM5にアクセスする機能を有するデバイス、拡張ユニット、制御ユニットを含む。
SDRAMコントローラ(以降ではコントローラ)10は、複数のバスマスタ50からのアクセス要求を調停するアービタ11と、複数のバスマスタ50からのライト要求に対し、それぞれのバスマスタ50から受信した個別のデータ(ライトデータ)WDを一時的に格納するバッファユニット20と、バッファユニット20に格納されたデータをSDRAM5に書き込む制御を行うライトユニット(書き込み制御ユニット)31と、複数のバスマスタ50からのリード要求に対し個別のデータ(リードデータ)RDを送信するリードユニット(読み出し制御ユニット)32とを含む。コントローラ10は、さらに、ライトユニット31がバーストライトしたライトデータWDのSDRAM5のアドレスSAと複数のバスマスタ50から受信したライトデータWDそれぞれの個別のアドレス(ライトアドレス)ADとを関連づけて記憶するアドレス変換ユニット13と、ライトユニット31がバーストライトしたSDRAM5の領域をダミーリードするリフレッシュユニット(リフレッシュ制御ユニット)15とを有する。
バッファユニット20は第1のバッファ(バッファエレメント)21および第2のバッファ22を含み、それぞれのバッファ21および22は、それぞれSDRAM5に対しバーストアクセス可能な最大バースト長、たとえば8ワードの記憶領域を含むレジスタまたはSRAMである。バッファユニット20は、さらに、アービタ11を介してバスマスタ50から供給されるライトデータWDを第1のバッファ21および第2のバッファ22のいずれかに書き込むためのライトセレクタ25と、第1のバッファ21および第2のバッファ22のいずれかからアービタ11を介してバスマスタ50にリードデータRDを供給するリードセレクタ26とを含む。リードセレクタ26は、第1のバッファ21および第2のバッファ22からのデータの他に、SDRAM5から得たデータを選択して出力できる。
ライトユニット31は、アービタ11を介してそれぞれのバスマスタ50から供給されたライトデータWDを、バースト長を単位とするバッファ21または22に一時的に格納し、第1のバッファ21または第2のバッファ22がライトデータWDで満たされると第1のバッファ21または第2のバッファ22の内容を、出力セレクタ35を介してSDRAM5に書き込む。その際、ライトユニット31は、コマンドアドレス発行ユニット18から前回バーストライトされた領域とSDRAM5のアドレスSAが連続するようにアドレスをSDRAM5に出力し、第1のバッファ21または第2のバッファ22の内容(データ)をバーストライトする。
それとともに、ライトユニット31は、バスマスタ50から供給されるライトデータWDを書き込むバッファ21または22をライトセレクタ25により切り替える。バッファ21および22をバンク切替することにより、バッファ21または22の内容をSDRAM5にバーストライトしている間であってもバスマスタ50からのライトデータWDをバッファユニット20に格納できる。バンク切替するバッファ21および22の代わりに2ポートRAMなどの異なるメディアをバッファ用の記録媒体として使用することも可能である。
ライトユニット31により、バッファ21または22の内容がSDRAM5にバーストライトされる際、アドレスカウンタ17がバッファ21または22に格納されているWDのアドレスADをカウントする。SDRAMアドレス変換ユニット(以降ではアドレス変換ユニット)13は、カウントされたアドレスADと、バーストライトされたSDRAM5のアドレスSAとを関連づけして内部のメモリ13mまたは外部のメモリに記録する。
リードユニット32は、バスマスタ50のいずれ(第1のバスマスタ)かからリード要求があると、リード要求された個別のアドレスADをアドレス変換ユニット13に照会する。アドレス変換ユニット13の照合結果により、アドレスADに対応する個別のデータ(リードデータ)RDがバッファユニット20に存在すれば、バッファユニット20内、すなわち、第1のバッファ21または第2のバッファ22からリードセレクタ26を介してリードデータRDをバスマスタ50に供給する。一方、アドレスADがバッファユニット20に存在しなければ、リードユニット32は、アドレス変換ユニット13によりアドレスADに対応するSDRAM5のアドレスSAをコマンドアドレス発行ユニット(アドレス発行ユニット)18からSDRAM5に発行して所望のリードデータRDを取得し、リードセレクタ26を介してバスマスタ50に供給する。
リフレッシュ制御ユニット15は、アドレス変換ユニット13およびアドレス発行ユニット18を用い、ライトユニット31がSDRAM5にアドレスSAが連続するようにシーケンシャルに書き込んだ領域のアドレスSAに対しダミーのリードコマンドを出力することによりSDRAM5をリフレッシュする。SDRAM5を、オートリフレッシュコマンドを使用してリフレッシュすることも可能であるが、オートリフレッシュコマンドはSDRAM5の全領域に対し順次リフレッシュする。たとえば、DDR3規格の容量8GのSDRAMにおいては、64ms毎に、8192回のリフレッシュコマンドを出力する必要があり、一回のリフレッシュコマンドに350nsが消費されるとするとリフレッシュのために64ms中に2.87msの無駄な時間、すなわち、SDRAM5にアクセスできない時間が生ずる。
本例のコントローラ10においては、ライトユニット31がSDRAM5におけるアドレスSAが連続するようにバーストライトするので、SDRAM5にはデータが連続して記録される。したがって、SDRAM5の全領域の中でデータが記録されている領域は限定され、その記録されている領域のアドレスSAは連続する。このため、リフレッシュ制御ユニット15は、オートリフレッシュ方式によりSDRAM5をリフレッシュする機能とダミーリードによりSDRAM5をリフレッシュする機能とを切り替える機能を含む。リフレッシュ制御ユニット15が、SDRAM5のデータが記録されている領域に限定してダミーリードする機能を選択してプリチャージ方式でリフレッシュすることにより、SDRAM5の全領域にアクセスしなくてもSDRAM5を実質的にリフレッシュすることが可能となる。このため、オートリフレッシュコマンドを用いる方式に対し、短時間でリフレッシュが完了する。したがって、SDRAM5にアクセスできない時間を短縮でき、SDRAM5に対するアクセス効率を向上できる。
一方、リフレッシュ制御ユニット15は、アドレス変換ユニット13を参照し、SDRAM5の書き込み済みの範囲(使用済みの範囲)が所定の領域(値)を超えると、オートリフレッシュ方式によりリフレッシュする機能に切り替える。一定領域以上のメモリ領域を使用すると、ダミーリードコマンドを発行した方が転送効率が下がる場合がある。このため、コントローラ10は転送効率が下がる境界を管理することによりSDRAM5にアクセスする効率が改善されるように常に管理する。
さらに、ライトユニット31は、バッファ21または22に格納されたデータを最大バースト長でSDRAM5にシーケンシャルに連続してバーストライトし、最大バースト長未満でのライトアクセスは基本的には行わない。したがって、SDRAM5に対し、シングルアクセスや、短いバースト長でのアクセスが多発することを防止でき、SDRAM5に対するアクセス効率(メモリ効率)を向上できる。
図2(a)にシングルアクセスが多発した状態を示している。アドレス発行ユニット18がロウアドレスRoおよびカラムアドレスCoを出力したのち、ライトイネーブルになるのを待ってコントローラ10がデータを出力する。このため、DDR2〜4メモリなどの高速SDRAMにおいては、数ビットのデータであっても、1回のデータライトまたはリードを行う際に、コマンド発行やデータレイテンシなどに起因する待ち時間により、数クロックから数10クロックを消費する。
図2(b)に示すように、本例のコントローラ10においては、数ビットのデータ(データセット)をバッファユニット20により最長バースト長になるまで一時的にバッファリングする。このため、ライトユニット31は、一回のロウアドレスRoおよびカラムアドレスCoの出力により、常に最大バースト長での書き込みができる。したがって、バスマスタ50が出力するデータセット当たりのアクセス待ち時間を大幅に短縮でき、SDRAM5に対するアクセス効率(メモリ効率)を向上できる。
また、本例のコントローラ10においては、バッファユニット20にライトデータWDが格納された段階で、SDRAM5にアクセスしなくてもバスマスタ50を解放できる。したがって、バスマスタ50がSDRAM5のために専用している情報処理装置1の内部バス59を、他の処理または他のバスマスタ50が使用できる。このため、情報処理装置1の処理速度の向上にも寄与する。
さらに、バスマスタ50からのリード要求に対しては、バッファユニット20に対応するリードデータRDが存在すれば、SDRAM5にアクセスせずに、バッファユニット20からリードデータRDを供給する。したがって、バッファユニット20をキャッシュとして利用することによりSDRAM5にアクセスするための待ち時間を省略でき、さらにSDRAM5に対するアクセス効率を向上できる。
バッファユニット20にリードデータRDが存在しない場合は、従来と同様に、リードユニット32はSDRAM5からリードデータRDを取得する。バーストライトとリードが競合した場合は、リードユニット32は、いったんバーストライトを停止して、リード要求のあったリードデータRDを読み出し、その後バーストライトを再開してもよく、バーストライトが終了するまでリードデータRDの読み出しを待機してもよい。また、そのようなリード要求が頻発するような状態が認識できると、コントローラ10は、バッファユニット20で蓄積するバースト長を調整したり、バッファユニット20を使用しないで従来方式によりデータ毎にSDRAM5に対してライトおよびリード動作を行うようにしてもよい。コントローラ10は、システム(情報処理装置)1のアクセス手順、状況により転送効率のより高い動作を選択することができる。アドレス変換ユニット13によりバスマスタ50が出力するアドレスADとSDRAM5上のアドレスSAとは関連づけられているので、コントローラ10は、最大バースト長による入出力処理と、個別データ単位での入出力処理とを状況に応じて自由に選択できる。
図3に、情報処理装置1においてコントローラ10が行う入出力処理の概要をフローチャートにより示している。ステップ61において、いずれかのバスマスタ50からライト要求を受けると、ステップ62において、ライトユニット31はバッファユニット20のバッファ21および22のうち、現在選択されているバッファ、たとえば第1のバッファ21がフルか否かを判断する。第1のバッファ21がフルであれば、ステップ63において、第1のバッファ21の内容をSDRAM5に対してバーストライトする処理を開始し、アドレス変換ユニット13はバーストライトされたSDRAM5上のアドレスSAとライトデータWDのアドレスADとの関係を記録する。ステップ63と同時にまたは前後して、ステップ64においてバッファ切替を行う。この場合、ライトデータWDを書き込む(格納する)対象を第1のバッファ21から第2のバッファ22に切り替える。そして、ステップ65において選択されたバッファにライトデータWDを格納する。ステップ62においてバッファフルでなければ、ステップ65において選択されているバッファ(第1のバッファ21)にライトデータWDを書き込む。
ステップ66において、バスマスタ50からリード要求を受けると、ステップ67において、リードユニット32は、リード要求のアドレスADがバッファユニット20のバッファ21または22に格納されているデータか否かを判断する。リード要求があったデータがバッファユニット20に存在するデータであれば、リードユニット32は、ステップ68において、バッファユニット20からリードデータRDを出力する。リード要求があったデータがバッファユニット20に存在しないデータであれば、リードユニット32は、ステップ69において、アドレス変換ユニット13によりリード要求があったアドレスADをSDRAM5上のアドレスSAに変換してSDRAM5をリードし、リードデータRDを出力する。
ステップ70において、リフレッシュするタイミング、たとえば、前回のリフレッシュから64ms以内で、SDRAM5に対するリードアクセスまたはライトアクセスと競合しないタイミングであれば、ステップ71において、リフレッシュ制御ユニット15がダミーリードを実施することによりSDRAM5をリフレッシュする。
図4に示すように、ライトユニット31は、SDRAM5に対し、最大バースト長単位で、アドレスSAが連続するようにSDRAM5にライトデータWDを記録する。したがって、SDRAM5の記録領域のうち、ライトデータWDが記録された領域は、SDRAM5の先頭アドレスからアドレスが連続した(詰められた)限られた領域5aになる。このため、リフレッシュ制御ユニット15は、ライトデータWDが記録されたロウアドレスを指定してダミーリードを行うことにより、リフレッシュに要するアクセス時間を最小限にできる。
多数のバスマスタ50が1個のSDRAM(DDR2〜DDR4などの高速メモリ)5に接続されている構成の情報処理装置1において、それぞれのバスマスタ50がSDRAM5に対してシングルアクセスまたはバースト長の短いアクセスを頻繁に発生する場合であっても、SDRAMコントローラ10においてはバッファユニット20にそれらのアクセス要求によるライトデータWDを最長バースト長までいったん蓄積した後、SDRAM5に対して書き込み、さらに、SDRAM5に対する書き込みアドレスが以前の書き込みアドレスと連続するようにしている。したがって、SDRAM5とのアクセスに要するコマンド発行およびデータレイテンシによる待ち時間をバスマスタ50に対して隠すことができ、平均待ち時間をさらに減らすことができる。このため、バスマスタ50のSDRAM5に対するアクセス効率を向上できる。
さらに、SDRAMコントローラ10は、アドレス変換ユニット13によりSDRAM5のメモリ領域をランダムではなくシーケンシャルに使用し、連続した領域にデータを格納する。このため、SDRAM5の連続した領域にダミーリードを発行することによりSDRAM5をリフレッシュすることが可能となり、リフレッシュの発行回数を最小限に減らし、リフレッシュに要する時間を短縮できる。この点でもSDRAM5に対するアクセス効率を向上できる。
なお、上記のSDRAMコントローラ10では、複数のバスマスタ50に対して共通のバッファユニット20を用意しているが、各バスマスタ50と同数の複数のバッファユニット20を設けることも可能であり、各バスマスタ50のアクセスを専用のバッファユニット20を用いて処理することも可能である。この場合、各バスマスタ50が最大バースト長の連続したアドレスADを発行することが可能な場合は、アドレス変換ユニット13においてアドレス変換情報を保持しなくてもよいことがある。また、各バッファユニット20に用意されているバッファの容量は、最大バースト長であってもよく、最大バースト長の整数倍であってもよい。
1 情報処理装置、 10 SDRAMコントローラ、 20 バッファユニット
Claims (5)
- 複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、前記バッファが満たされると前記バッファの内容をSDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトするライトユニットと、
バーストライトした前記個別のデータの前記SDRAM上のアドレスと前記複数のバスマスタから受信した前記個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶するアドレス変換ユニットと、
前記SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングで、前記ライトユニットがバーストライトした前記SDRAMの領域をダミーリードするリフレッシュユニットとを有するSDRAMコントローラ。 - 請求項1において、第1のバスマスタからリード要求があると、リード要求された個別のアドレスの個別のデータが前記バッファに存在すれば、前記バッファ内の前記個別のデータを前記第1のバスマスタに供給するリードユニットをさらに有する、SDRAMコントローラ。
- 請求項1または2において、前記バッファは、バンク切替が可能な、バースト長を単位とする複数の格納領域を含む、SDRAMコントローラ。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載のSDRAMコントローラと、
前記SDRAMコントローラにより制御されるSDRAMと、
前記SDRAMコントローラを介して前記SDRAMにアクセスする複数のバスマスタとを有する情報処理装置。 - SDRAMに対する入出力を制御するSDRAMコントローラを含む情報処理装置の制御方法であって、
前記SDRAMコントローラが、複数のバスマスタからそれぞれ受信した個別のデータを、バースト長を単位とするバッファに一時的に格納し、前記バッファが満たされると前記バッファの内容を前記SDRAMに、前回バーストライトされた領域とアドレスが連続するようにバーストライトすることと、
バーストライトした前記個別のデータの前記SDRAM上のアドレスと前記複数のバスマスタから受信した前記個別のデータそれぞれの個別のアドレスとを関連づけて記憶することと、
前記SDRAMのリフレッシュが要求されるタイミングになると、前記ライトユニットがバーストライトした前記SDRAMの領域をダミーリードすることとを有する制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012244458A JP2014093030A (ja) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Sdramコントローラ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012244458A JP2014093030A (ja) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Sdramコントローラ |
Publications (1)
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JP2014093030A true JP2014093030A (ja) | 2014-05-19 |
Family
ID=50937037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012244458A Pending JP2014093030A (ja) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Sdramコントローラ |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2014093030A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019121370A (ja) * | 2018-01-03 | 2019-07-22 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | メモリ装置 |
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2012
- 2012-11-06 JP JP2012244458A patent/JP2014093030A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019121370A (ja) * | 2018-01-03 | 2019-07-22 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | メモリ装置 |
JP7244263B2 (ja) | 2018-01-03 | 2023-03-22 | 三星電子株式会社 | メモリ装置 |
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