JP2014077823A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度変化による輝度変化を小さくすることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】制御回路４０及び駆動回路２０により、複数の走査線３５と複数の信号線３６の各交点の発光素子３４のうちの一発光素子に対して書き込み処理を行うことにより当該一発光素子に電流を流して発光させる。この後、当該一発光素子に対するリセット処理を行う前に、各交点の発光素子３４のうちの他の発光素子のリセット処理に同期させて当該一発光素子のリセット処理を行う。これにより当該一発光素子に電流が流れる期間を短くするＰＷＭ制御を行う。これによると、ＰＷＭ制御で発光素子３４の見かけの輝度を落とした表示が可能となり、発光素子３４の温度変化による輝度変化が小さくなる。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。

従来より、アクティブマトリックスを用いた有機ＥＬ表示装置が、例えば特許文献１で提案されている。この従来技術では、記憶コンデンサに電圧を保持し、その保持電圧により有機ＥＬに流れる電流を制御して、１００％に近いデューティ係数で有機ＥＬを発光させる技術が示されている。

特開平８−２３４６８３号公報

しかしながら、上記従来の技術では、有機ＥＬ表示装置におけるアクティブ駆動はＤＣ駆動に近い状態である。ＤＣ駆動の場合、有機ＥＬ画素を定電流駆動していても環境温度が変化することによって画素の輝度が大きく変化してしまうという問題がある。

これについて、図７〜図９を参照して説明する。まず、図７のように、通常、画素を発光させるためには、１Ｖ（垂直同期期間）の間における１Ｈ（水平走査期間）の間に選択電圧を選択し、ｔ１時間でリセット電圧により画素のデータの消去を行い、ｔ２時間で書き込み電圧によりデータの書き込みを行う。これにより、発光素子に流れる電流Ｉ２はＩａとなり、期間ｔ３の間で発光が維持される。

ここで、発光波形は高温時と低温時でその振幅が大きく異なる。つまり、高温時と低温時の輝度比Ｌｈａ：Ｌｌａが大きくなってしまう。発明者らはこの原因について詳しく調べた。

図８には、発光素子に流れる定電流Ｉ２［μＡ／ｐｉｘｅｌ］に対する輝度Ｌ［ｃｄ／ｍ²］の関係、すなわちＤＣ駆動時のＩ−Ｌ特性が示されている。この図のように、温度がＴＨ℃の場合、定電流Ｉ２として電流Ｉａを流すと画素の輝度ＬはＬｈａとなる。一方、温度がＴＨ℃よりも低いＴＬ℃の場合、定電流Ｉ２として同じ大きさのＩａの電流を流したとしても、その輝度ＬはＬｈａよりも小さいＬｌａとなってしまう。

つまり、高温時も低温時も同じ電流Ｉａを流しているにも関わらず高温時の輝度はＬｈａ、低温時の輝度はＬｌａとなり、使用する輝度あたりで温度による輝度変化が大きくなってしまう。

図８ではＩ２が低電流のＩａ付近を示しているが、大電流であるＩｂ付近の範囲まで見てみると、図９に示されるようにＩｂのときの輝度はＴＨ℃の高温時はＬｈｂ、ＴＬ℃の低温時はＬｌｂとなっている。なお、図９において一点鎖線で囲まれた領域は図８に相当する。この図９を見ると、電流Ｉｂのときの温度変化による輝度変化率はＬｌｂ／Ｌｈｂとなる。一方、図８を見ると、電流Ｉａのときの温度変化による輝度変化率はＬｌａ／Ｌｈａとなる。両方の輝度変化率を比べると、電流がＩｂのときの輝度変化率が、電流がＩａのときの輝度変化率より小さくなる。

したがって、本発明は上記点に鑑み、温度変化による輝度変化を小さくすることができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、マトリクス状に配置された複数の走査線（３５）と複数の信号線（３６）との各交点に発光素子（３４）が形成されている。

また、複数の走査線（３５）のうちの一走査線に選択信号を入力すると共に複数の信号線（３６）のうち一走査線に交差する一信号線に書き込み信号を入力する書き込み処理を行うことにより一走査線と一信号線の交点に形成された一発光素子に電流を流して発光させ、一走査線に選択信号を入力すると共に一信号線にリセット信号を入力するリセット処理を行うことにより一発光素子に流す電流を停止させる通常制御を行う制御手段（２０、４０）を備えている。

そして、制御手段（２０、４０）によって各交点の発光素子（３４）を発光させることにより画像表示を行う有機ＥＬ表示装置であって、以下の点を特徴としている。

すなわち、制御手段（２０、４０）は、各交点の発光素子（３４）のうちの一発光素子に対して書き込み処理を行うことにより当該一発光素子に電流を流して発光させた後、当該一発光素子に対するリセット処理を行う前に、各交点の発光素子（３４）のうちの他の発光素子のリセット処理に同期させて当該一発光素子のリセット処理を行うことにより当該一発光素子に電流が流れる期間を短くするＰＷＭ制御を行うことを特徴とする。

これによると、ＰＷＭ制御で発光素子（３４）の見かけの輝度を落とした表示を行うことができる。このため、発光素子（３４）の温度変化による輝度変化を小さくすることができる。

請求項２に記載の発明では、一発光素子によって構成された画素の温度の範囲がＴＬ℃からＴＨ℃であり、ＴＬ℃のときの画素の輝度をＬｌｃとすると共にＴＨ℃のときの画素の輝度をＬｈｃとしたときの輝度変化率をＬｌｃ／Ｌｈｃとする。そして、輝度変化率Ｌｌｃ／Ｌｈｃが許容輝度変化率以下となるように一発光素子に流れる電流が設定され、さらにデューティをｋとすると画素の実際の見かけの輝度がＬｈｃ／ｋとなるようにデューティｋが設定されていることを特徴とする。

これにより、画素において、温度変化による輝度変化率を許容量以下に抑えることができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のブロック図である。 有機ＥＬパネルにおける発光素子を駆動する回路を示した図である。 他の発光素子に係るリセット処理に同期させてＰＷＭ制御する動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第２実施形態に係るデューティ比を説明するための図である。 第２実施形態において、発光素子に流れる電流と温度の違いによる輝度との関係を示した図である。 第２実施形態において、調光率とデューティ比との関係を示した図である。 課題を説明するための図である。 課題を説明するための図である。 課題を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１に示されるように、有機ＥＬ表示装置は、電源回路１０と、駆動回路２０と、有機ＥＬパネル３０と、制御回路４０と、を備えて構成されている。

電源回路１０は、駆動回路２０および制御回路４０をそれぞれ駆動するための一定電圧を生成するものである。すなわち、電源回路１０は、外部電源から入力した電圧から、駆動回路２０や制御回路４０で必要となる一定電圧を生成し、駆動回路２０および制御回路４０にそれぞれ出力する。

駆動回路２０は、制御回路４０から入力される指令に基づいて有機ＥＬパネル３０に画像表示を行うものであり、有機ＥＬパネル３０に所定の信号を与えるカラムドライバ２１および所定の信号を与えるロウドライバ２２を備えて構成されている。駆動回路２０は、１フレームを所定の周期で駆動表示する。

有機ＥＬパネル３０は、画像表示のための画面となるものであり、上記駆動回路２０のカラムドライバ２１およびロウドライバ２２の駆動によって画像表示を行うものである。このような有機ＥＬパネル３０には、マトリクス状に配置された複数本ずつ（例えばＭ本×Ｎ本：Ｍ、Ｎは２以上の整数、Ｍは走査線数、Ｎは信号線数）の信号線および走査線の各交点に発光素子が形成されている。走査線にはロウドライバ２２から信号が与えられ、信号線にはカラムドライバ２１から信号が与えられる。

図２に示されるように、有機ＥＬパネル３０における１画素は、第１トランジスタ３１（Ｔ１）、第２トランジスタ３２（Ｔ２）、キャパシタ３３（Ｃ）、及び発光素子３４（ＯＬＥＤ）で構成されている。

第１トランジスタ３１及び第２トランジスタ３２はそれぞれＰ型のＭＯＳトランジスタである。第１トランジスタ３１のゲートは走査線３５（Ｖｓｃａｎ１）に接続され、ソース（Ｓ）は信号線３６（Ｖｓｉｇ）に接続され、ドレイン（Ｄ）は第２トランジスタ３２のゲート（Ｇ）に接続されている。

第２トランジスタ３２のソースは電源（Ｖｃｃ）に接続され、ドレインは発光素子３４に接続されている。発光素子３４は陰極電圧（Ｖｃａｔｈ）に接続されている。また、キャパシタ３３は第２トランジスタ３２のゲートとソースの間に接続されている。

図２では２つの発光素子３４が示されているが、実際には上述のようにマトリクス状に配置された走査線３５および信号線３６の各交点に発光素子３４が形成されている。

上記のような有機ＥＬパネル３０の駆動時には、Ｍ本の走査線を駆動回路２０内のロウドライバ２２により周期的に走査しながら、Ｎ本の信号線のうち所望の信号線に駆動回路２０内のカラムドライバ２１から電圧信号を与え、それら走査線および信号線の交点位置に形成された発光素子３４を発光させることにより画像表示を行う。

制御回路４０は、外部から入力される画像データを処理して有機ＥＬパネル３０の駆動指令を上記駆動回路２０に出力する回路である。また、制御回路４０は、駆動回路２０を動作させて有機ＥＬパネル３０の発光素子３４を発光させるに際し、発光素子３４の温度変化による輝度変化を小さくするために電流値を大きくしつつＰＷＭ制御をする。これにより、発光素子３４の見かけの輝度を落として温度変化による輝度変化を小さくする。制御回路４０は、例えばマイクロコンピュータ等で構成されている。

以上が、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成である。なお、有機ＥＬパネル３０、駆動回路２０、制御回路４０、および電源回路１０は例えばモジュール化されている。

次に、１画素の発光素子３４を発光させるための動作について、図２及び図３を参照して説明する。発光素子３４の発光動作は図１の駆動回路２０が制御回路４０から受けた指令に基づいて行う。さらに、第２トランジスタ３２に流れる電流Ｉ２をＩｂとする。ここで、Ｌｈｂ／ｋ＝Ｌｈａとなるように、電流Ｉｂを設定する。また、図３の時点Ｔｉ（ｉ＝０，１，．．）とＴｉ＋１の間の時間はすべて等しく設定する。

まず、信号線３６（Ｖｓｉｇ）にリセット電圧（Ｖ２）と書き込み電圧（Ｖ’３）とを所定の周期で印加する。例えば、時点Ｔ０から時点Ｔ１まではリセット電圧（Ｖ２）を印加し、時点Ｔ１から時点Ｔ２までは書き込み電圧（Ｖ’３’）を印加し、これを繰り返す。また、走査線３５（Ｖｓｃａｎ）に選択電圧を印加しているときに、信号線３６（Ｖｓｉｇ）に印加するリセット電圧／書き込み電圧が有効になる。なお、以下ではリセット電圧をリセット信号とも言う。また、書き込み電圧を書き込み信号とも言う。

最初に、Ｖｓｃａｎ１の走査線３５に係る発光素子３４を発光させる。時点Ｔ０では、発光素子３４に対して走査線３５（Ｖｓｃａｎ１）に選択電圧（０［Ｖ］）を印加する。これにより、第１トランジスタ３１がＯＮし、キャパシタ３３に記憶されたデータがリセットされる。また、第２トランジスタ３２のゲート−ソース間の電圧差は小さくなるので第２トランジスタ３２はＯＦＦし、Ｖｓｃａｎ１に係る発光素子３４に流れる電流Ｉ２はＩ２＝０になる。なお、陰極電圧（Ｖｃａｔｈ）は例えば０［Ｖ］、Ｖ２は例えばＶｃｃと同じ電圧である。

続いて、時点Ｔ１で信号線３６（Ｖｓｉｇ）に書き込み電圧（Ｖ’３）を印加すると、当該書き込み電圧（Ｖ’３）がキャパシタ３３にデータとして書き込まれる。また、第２トランジスタ３２がＯＮし、発光素子３４にＩ２＝Ｉｂの電流が流れる。これにより、発光波形は所定の輝度となる。このように、一走査線に選択信号を入力すると共に一信号線に書き込み信号を入力することで発光素子３４を発光させる処理が書き込み処理である。

この後、時点Ｔ２で発光素子３４に係る走査線３５（Ｖｓｃａｎ１）に対して非選択電圧（Ｖ１）を印加する。これにより、第１トランジスタ３１がＯＦＦする一方、第２トランジスタ３２のＯＮが継続することで発光素子３４が発光し続ける。時点Ｔ０から時点Ｔ２までの期間が１Ｈ（水平走査期間）である。なお、Ｖ’３は例えば０［Ｖ］≦Ｖ’３≦Ｖｃｃ［Ｖ］、Ｖ１は例えばＶｃｃと同じ電圧である。

ここで、通常制御の発光の場合、時点Ｔ２から一定時間経過時すなわち時点Ｔ０から１Ｖ（垂直同期期間）経過時の時点Ｔ（２Ｍ）で発光素子（３４）に流れる電流を停止し、発光を止める。この場合、一走査線に選択信号を入力すると共に一信号線にリセット信号を入力する。この時点Ｔ（２Ｍ）におけるリセット処理が通常制御のリセット処理である。

同様に、Ｖｓｃａｎ２の走査線３５に係る発光素子３４を発光させる。時点Ｔ２では、発光素子３４に対して走査線３５（Ｖｓｃａｎ２）に選択電圧（０［Ｖ］）を印加することで、Ｖｓｃａｎ２に係る第１トランジスタ３１がＯＮし、キャパシタ３３のデータがリセットされる。また、時点Ｔ３で信号線３６（Ｖｓｉｇ）に書き込み電圧（Ｖ’３）を印加してキャパシタ３３にデータを書き込むことで第２トランジスタ３２がＯＮし、Ｖｓｃａｎ２に係る発光素子３４にＩ２＝Ｉｂの電流が流れる。これにより、当該発光素子３４が発光する。

この後、時点Ｔ４でＶｓｃａｎ２の走査線３５に対して非選択電圧（Ｖ１）を印加することでＶｓｃａｎ２に係る第１トランジスタ３１がＯＦＦし、第２トランジスタ３２がＯＮし続けるため、Ｖｓｃａｎ２に係る発光素子３４が発光し続ける。なお、図３では、Ｖｓｃａｎ２に係る発光素子３４の電流波形及び発光波形は省略している。

多数の画素を発光させて有機ＥＬパネル３０に画像を表示する場合は、複数の走査線３５及び複数の信号線３６にそれぞれ所望のタイミングで所望の信号を入力することにより有機ＥＬパネル３０の画面全体に所望の画像を表示する。

次に、上記のように各発光素子３４を発光させる動作において、１個の発光素子３４の発光の際に、他の発光素子３４のリセットに同期させることにより当該１個の発光素子３４の輝度を落とす動作について説明する。

上述のように、Ｖｓｃａｎ１の走査線３５に係る発光素子３４を発光させた後、時点Ｔ（２ｊ）から時点Ｔ（２ｊ＋１）の間に他の発光素子３４のリセットに同期させてＶｓｃａｎ１の走査線３５に選択電圧（０［Ｖ］）を印加する。これにより、時点Ｔ（２ｊ）で選択電圧（０［Ｖ］）によって第１トランジスタ３１がＯＮし、キャパシタ３３のデータがリセットされ、第２トランジスタ３２はＯＦＦする。このため、時点Ｔ（２ｊ）後はＶｓｃａｎ１に係る発光素子３４に電流が流れず、図３に示すように発光波形も０となる。

このように、Ｖｓｃａｎ１に係る発光素子３４に対する通常制御すなわち１Ｖ（垂直同期期間）経過時の時点Ｔ（２Ｍ）時のリセット処理を行う前に、他の発光素子３４のリセット処理に同期させてＶｓｃａｎ１に係る発光素子３４のリセット処理を行う。このような前倒しのリセット処理によって、発光素子３４に電流が流れる期間を短くするＰＷＭ制御を行うことができる。

ここで、Ｖｓｃａｎ１に係る発光素子３４の発光は時点Ｔ２から時点Ｔ（２ｊ）の間は維持される。すなわち、このリセット動作は発光素子３４をＰＷＭ制御する動作であり、電流大で発光素子３４を駆動しながらＰＷＭ制御で見かけの輝度を｛Ｔ（２ｊ）−Ｔ１｝／｛Ｔ（２Ｍ）−Ｔ１｝に落としている。ここで、｛Ｔ（２Ｍ）−Ｔ１｝／｛Ｔ（２ｊ）−Ｔ１｝をｋと表すと、このリセット動作により輝度を１／ｋに落としていることとなる。このような駆動方法によると、発光素子３４を発光させている時間が短くなるので、温度変化による輝度変化を小さくすることができる。つまり、発光素子３４の高温時の輝度Ｌｈｂと低温時の輝度Ｌｌｂとの輝度比がＬｈｂ：Ｌｌｂとなるため、見かけの輝度はＬｈｂ／ｋ：Ｌｌｂ／ｋとなる。電流Ｉａが有機ＥＬに流れるようにして、１Ｖほとんどを光らせる従来の発光方法を用いた場合、ＴＨ℃からＴＬ℃へ変化した場合の輝度変化は、Ｌｈａ：Ｌｌａとなる。本発明のＬｈｂ／ｋ（＝Ｌｈａ）：Ｌｌｂ／ｋと従来方法のＬｈａ：Ｌｌａを比べた場合、同じ温度変化に対する相対的な輝度変化を小さくすることができる。

また、従来の駆動方法では、有機ＥＬパネル３０に長時間同じ表示が出ている状態では、発光画素の温度が上がり、非発光画素の温度と差がつく。このような状態になった後に表示が切り替わると、切り替わり後に同じ輝度で光るべき発光素子のうち、切り替わり前の表示によって温度が高かった画素が明るく光り、切り替わり前の表示によって温度が低かった画素が暗く光ってしまう。しかし、本実施形態に係る駆動方法を用いれば、このような発光素子３４の温度変化による輝度の差を小さくすることができる。

そして、時点Ｔ（２ｊ＋１）の後、Ｖｓｃａｎ２の走査線３５に係る発光素子３４についても、他の発光素子３４のリセットに同期させてキャパシタ３３のデータをリセットすることにより、電流波形を０にする。このように、Ｖｓｃａｎ２に係る発光素子３４についてもＰＷＭ制御を行う。

例えば、走査線３５の全体がＭ＝４８０ライン、１行目発光開始後のリセット動作を時点Ｔ（２４０）から時点Ｔ（２４１）のリセット期間と同期させた場合、すなわち、１２２行目の発光開始前リセット動作と同期させた場合、ｋ＝（９６０−１）／（２４０−１）≒４．０とすることができる。もちろんこれは一例であり、どのタイミングでリセットを同期させるかについては適宜設定すれば良い。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、駆動回路２０及び制御回路４０が特許請求の範囲の「制御手段」に対応する。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、有機ＥＬパネル３０に長時間同じ表示をしていて、その後に画像表示が切り替わる場合、画像表示が切り替わった瞬間に複数の発光素子３４に対する制御をＰＷＭ制御に一時的に変更する。「画像表示の切り替え」とは、現在表示している画像から別の画像に表示を変更することである。これにより、温度変化による輝度変化を小さくすることができる。

そして、画像表示切り替えから所定時間が経過したとき、他の発光素子３４のリセットに同期させない通常制御に戻す。言い換えると、発光素子３４に電流が流れて発光素子３４の温度が一定になったとき、ＰＷＭ制御から通常制御に制御方法を切り替える。

この例では、「通常制御」は次のような制御をすることを言う。すなわち、期間ｔ３において発光素子３４に流れる電流をＩａ＝Ｉｂ／ｋに設定し、走査信号のＶｓｃａｎ１における時点Ｔ（２ｊ）から時点Ｔ（２ｊ＋１）の間の選択電圧（０［Ｖ］）印加をしない図７のような制御方法である。ＰＷＭ制御は、第１実施形態で述べた方法と同じである。

この場合、制御回路４０が所定時間をカウントし、所定時間に達したら駆動回路２０に対する制御方法を切り替えることとなる。これにより、表示切り替え後の表示ムラを防止することができ、かつ、省電力化することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、調光率１００％のときのＰＷＭ制御のデューティ比（図４参照）を図５及び図６のように決める。

まず、デューティ比は、１周期に対してゼロでない期間の割合である。図４に示されるように、１周期をＡとし、Ａの期間においてゼロでない期間をＢとすると、デューティ比はＢ／Ａである。つまり、Ａという１周期におけるＢはパルス幅である。

そして、図５に示されるように、ＴＨ℃〜ＴＬ℃の範囲で許容される輝度変化率をＲａｃとすると、発光素子３４に流れる電流Ｉ２［μＡ／ｐｉｘｅｌ］がＩｃのとき、ＩｃはＲａｃ＝Ｌｌｃ／Ｌｈｃとなる電流値である。また、図６に示されるように、調光率１００％のときの目標表示輝度をＬｒとすると、ＰＷＭデューティ比上限値Ｂｃ／ＡｃはＢｃ／Ａｃ＝Ｌｒ／Ｌｈｃとなる。

上記のように、発光素子３４に流れる電流、目標表示輝度、及び、調光率１００％のときのＰＷＭ制御のデューティ比を決めると、それ以下の調光率を、ＰＷＭ制御のデューティ比を下げていくことで達成でき、かつ、０〜１００％の調光率すべてにおいて有機ＥＬパネル３０における表示切替後の表示ムラを防止することができる。また、温度による輝度変化を許容される輝度変化率以下にすることができる。

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された有機ＥＬ表示装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、制御回路４０及び駆動回路２０は上述のように通常制御を行うことができるが、ＰＷＭ制御のみを行っても良い。

１０ 電源回路
２０ 駆動回路（制御手段）
３０ 有機ＥＬパネル
３４ 発光素子
３５ 走査線
３６ 信号線
４０ 制御回路（制御手段）

Claims (3)

1. マトリクス状に配置された複数の走査線（３５）と複数の信号線（３６）との各交点に発光素子（３４）が形成されており、
   前記複数の走査線（３５）のうちの一走査線に選択信号を入力すると共に前記複数の信号線（３６）のうち前記一走査線に交差する一信号線に書き込み信号を入力する書き込み処理を行うことにより前記一走査線と前記一信号線の交点に形成された一発光素子に電流を流して発光させ、前記一走査線に前記選択信号を入力すると共に前記一信号線にリセット信号を入力するリセット処理を行うことにより前記一発光素子に流す電流を停止させる通常制御を行う制御手段（２０、４０）を備え、
   前記制御手段（２０、４０）によって前記各交点の発光素子（３４）を発光させることにより画像表示を行う有機ＥＬ表示装置であって、
   前記制御手段（２０、４０）は、前記各交点の発光素子（３４）のうちの一発光素子に対して前記書き込み処理を行うことにより当該一発光素子に電流を流して発光させた後、当該一発光素子に対する前記リセット処理を行う前に、前記各交点の発光素子（３４）のうちの他の発光素子のリセット処理に同期させて当該一発光素子のリセット処理を行うことにより当該一発光素子に電流が流れる期間を短くするＰＷＭ制御を行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記一発光素子によって構成された画素の温度の範囲がＴＬ℃からＴＨ℃であり、前記ＴＬ℃のときの前記画素の輝度をＬｌｃとすると共に前記ＴＨ℃のときの前記画素の輝度をＬｈｃとしたときの輝度変化率をＬｌｃ／Ｌｈｃとすると、
   前記輝度変化率Ｌｌｃ／Ｌｈｃが許容輝度変化率以下となるように前記一発光素子に流れる電流が設定され、さらにデューティをｋとすると前記画素の実際の見かけの輝度がＬｈｃ／ｋとなるように前記デューティｋが設定されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記制御手段（２０、４０）は前記画像表示を切り替える場合、前記複数の発光素子（３４）に対して、当該画像表示の切り替え前は前記通常制御を行い、当該画像表示の切り替え後は前記ＰＷＭ制御を行い、さらに、前記画像表示の切り替えから所定時間の経過後は前記通常制御に戻すことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。

Images