JP2010008477A - 有機elパネルの駆動装置及び有機elパネルの駆動方法 - Google Patents

有機elパネルの駆動装置及び有機elパネルの駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】メモリ使用量を極力少なくした上で、表示品位を確保することができる有機ELパネルの駆動装置を提供する。
【解決手段】制御部は、輝度制御信号に応じて第2メモリより読み出したパルス幅データGと(ステップS2)、温度センサにより検出された温度に応じて(ステップS3)決定したパルス幅下限値データGminとで(ステップS4)値がより大きな方をパルス幅データに決定すると(ステップS5〜S7)、第1メモリに記憶されている振幅値を有する駆動電流と(ステップS8,S9)、決定したパルス幅データとを駆動回路に出力して有機ELパネルの表示輝度をPWM制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、対向して配置される複数の陽極と複数の陰極との間に、発光機能を有する有機膜層を配置してなる有機EL素子を備えてマトリクス表示を行う有機ELパネルを、PWM制御により駆動する装置及び方法に関する。
有機ELパネルの発光輝度は、温度の影響を受け易いため、温度変化に応じて生ずる輝度の変化を補正する必要がある。このような輝度補正を行う従来技術として、例えば特許文献1,2に開示されているものがある。
特開2000−214824号公報 特開2005−309232号公報
特許文献1には、環境温度が変化した場合に、駆動電流パルス幅を調整する技術が開示されているが、温度とパルス幅とをどのように対応させるのか、という具体的な内容は開示されていない。
また、特許文献2には、記憶手段に、設定電流値Idの印加条件を定めるPWMデータを、有機ELパネル近傍の温度を検出する温度検出手段からの温度情報に関連付けて記憶しておき、制御手段が、前記温度情報の入力に基づいてPWMデータを記憶手段より読み出して、前記PWMデータに基づく駆動信号を有機ELパネルに付与する技術が開示されている。
特許文献2に開示されている技術を具体的なケースに適用することを想定すると、例えば以下のようになる。有機ELパネルを制御する調光段階数を「1000」とし、想定使用温度範囲を−40℃〜85℃として、温度1℃毎に10ビットのPWMデータを持たせると、記憶手段13に必要なデータ容量は、(85+40+1)×1000×10ビット=1260000ビットとなり、64段階の階調表示を行う場合は上記の64倍のデータが必要になる。そのため、メモリの使用量が大きくなるという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、メモリ使用量を極力少なくした上で、減光時に低温になることで輝度が低下し過ぎて表示が見えなくなるなどの表示品位の悪化を防ぎ、更に、高温で規定の輝度以上の発光により寿命を短くすることのないように信頼性を確保することができる有機ELパネルの駆動装置及び有機ELパネルの駆動方法を提供することにある。
請求項1記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第1記憶手段には、有機ELパネルの所定温度における輝度ばらつきを補正する駆動電流振幅値の補正データが記憶され、第2記憶手段には、外部より与えられる輝度制御信号に応じて、供給すべき駆動電流のパルス幅データのテーブルが記憶される。そして、制御手段は、輝度制御信号に応じて第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、温度検出手段により検出された温度に応じて下限値データ決定手段が決定したパルス幅下限値データとで値がより大きな方をパルス幅データに決定すると、第1記憶手段に記憶されている補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データとを駆動手段に出力することでPWM制御を行う。
すなわち、各有機ELパネルの製造過程で生じる輝度のばらつきは、第1記憶手段に記憶させた駆動電流振幅値の補正データで補正できる。そして、下限値データ決定手段が、温度による輝度変化が生じ易い低輝度側のみ、検出温度に応じてパルス幅の下限値データを決定するので、制御を簡略化できると共に、補正に必要なデータ量を大幅に削減することができる。
請求項2記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、下限値データ決定手段を、想定される使用環境温度範囲の低温側領域について、駆動電流パルス幅の下限値データのテーブルが記憶される第3記憶手段として構成するので、低温側領域の下限値データを第3記憶手段より読み出すことで簡単に決定できる。また、演算で求めるよりも制御の負荷を減らし、高速で設定することができる。
請求項3記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、使用環境温度について設定される常温以下となる低温側領域について用意する。一般に、有機ELパネルにおいて、減光時に、輝度が低下し過ぎて表示が見えなくなるなどの表示品位の悪化は、想定使用環境温度の常温以下の低温領域で生ずるため、第3記憶手段の容量を適切に設定することができる。
請求項4記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に、複数段階の階調表示に応じたデータテーブルを複数記憶し、制御手段は、階調表示レベルに応じたデータテーブルからパルス幅下限値データを読み出す。従って、階調表示レベル毎に最適となる下限値データを設定することができる。
請求項5記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、温度検出手段により検出された温度に応じてパルス幅下限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて温度帯の境界値を変更する。即ち、温度帯が切替わろうとする際にいわゆるヒステリシス特性を与えることで、表示輝度にチャタリング的な変化が発生するのを回避できる。
請求項6記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、下限値データ決定手段は、使用環境温度範囲の低温側領域における駆動電流パルス幅の下限値データを演算で求めるので、下限値データを決定するために必要とするデータ量をより小さくすることができる。
請求項7記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に、周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを備え、制御手段は、照度検出手段により検出される照度に応じたデータテーブルからパルス幅下限値データを読み出す。すなわち、有機ELパネルの表示輝度は、周囲の照度に応じて調整することが好ましいので、周囲の照度レベルに応じて下限値データを適切に設定すれば、照度の変化に応じて見易い表示輝度を設定できる。
請求項8記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段のデータテーブルを、照度レベルが高い場合は、照度レベルが低い場合に比較して同じ温度に対応したパルス幅下限値データがより大きくなるように設定する。このように構成すれば、周囲の照度が高い場合に応じて有機ELパネルの輝度の下限をより高くするように設定できる。一般的に、周囲照度が高い場合には視認可能な最適輝度も上昇するので、輝度の下限をより高くすることで、周囲照度が高い場合でも視認性を確保できる。
請求項9記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、検出される照度の変化が所定の基準よりも急峻であった場合、その照度変化に応じて第3記憶手段より読み出す対象とするデータテーブルを、一定時間が経過した後に徐々に切替える。例えば、有機ELパネルを車室内に配置される表示器に適用することを想定すると、走行中の車両がトンネル等に出入りすることで周囲の照度変化が急峻となる場合に、それに応じて有機ELパネルの輝度が急激に変化することを回避できる。
請求項10記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、請求項1と同様の前提構成において、制御手段は、輝度制御信号に応じて第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、温度検出手段により検出された温度に応じて上限値データ決定手段が決定したパルス幅上限値データとで値がより小さな方をパルス幅データに決定すると、第1記憶手段に記憶されている補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データとを駆動手段に出力することでPWM制御を行う。
すなわち、各有機ELパネルの製造過程で生じる輝度のばらつきは、第1記憶手段に記憶させた駆動電流振幅値の補正データで補正する。そして、高温環境下では、有機ELパネルの輝度はより高くなる傾向を示すため、過剰な輝度で発光表示を行うと有機ELパネルの寿命が短くなる。そこで、パルス幅の上限値データについても温度に応じて制限を加えることで、有機ELパネルの寿命を長期化することができ、またその補正に必要なデータ量を大幅に削減することができる。
請求項11記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、上限値データ決定手段を、想定される使用環境温度範囲の高温領域における、駆動電流パルス幅の上限値データのテーブルが記憶される第3記憶手段として構成するので、高温側領域の上限値データを第3記憶手段より読み出すことで簡単に決定することができる。また、演算で求めるよりも制御の負荷を減らし、高速で設定することができる。
請求項12記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、使用環境温度について設定される常温以上となる高温側領域について用意するので、一般に、高温側領域とされる想定使用環境温度の常温以上についてデータテーブルを持つことで、第3記憶手段の容量を適切に設定することができる。
請求項13記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に、複数段階の階調表示に応じたデータテーブルを複数記憶し、制御手段は、階調表示レベルに応じたデータテーブルからパルス幅上限値データを読み出すので、階調表示レベル毎に最適となる上限値データを設定することができる。
請求項14記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、温度検出手段により検出された温度に応じてパルス幅上限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて温度帯の境界値を変更する。即ち、温度帯の切替えについてヒステリシス特性を持たせることで、表示輝度にチャタリング的な変化が発生するのを回避できる。
請求項15記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に、周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを備え、制御手段は、照度検出手段により検出される照度に応じたテーブルからパルス幅上限値データを読み出す。すなわち、有機ELパネルの表示輝度は、周囲の照度に応じて調整することが好ましいので、周囲の照度レベルに応じて上限値データを適切に設定すれば、照度の変化に応じて見易い表示輝度を設定できる。
請求項16記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、照度レベルが低い場合は、照度レベルが高い場合に比較して、同じ温度に対応したパルス幅上限値データがより小さくなるように設定する。このように構成すれば、周囲の照度が低い場合に応じて有機ELパネルの輝度の上限をより低くするように設定できる。一般的に、周囲照度が低い場合は視認可能な最適輝度が低下するので、輝度の上限をより低くして適切な輝度を設定できる。
請求項17記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、上限値データ決定手段は、想定される使用環境温度範囲の高温領域における駆動電流パルス幅の上限値データを、所定の数式に基づいて演算により求めるので、上限値データを決定するためのデータ量をより小さくできる。
請求項18記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、有機ELパネルが、駆動手段を構成する複数の駆動ICによって駆動される場合に、第3記憶手段のデータテーブルを、複数の駆動ICに対応して記憶させる。即ち、表示輝度は、有機ELパネルのみならず、駆動IC自体が有している温度特性の影響も受ける場合がある。したがって、上記のように構成すれば、複数の駆動ICがそれぞれ異なる温度特性を有している場合でも、それらの各特性に応じて補正を行なうことができる。
請求項19記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、温度検出手段を、回路基板上に配置し、制御手段は、有機ELパネルは自己発熱なしの状態で、且つ当該有機ELパネル以外の回路部の自己発熱は最大とする状態での温度検出手段による検出温度と、有機ELパネルの周囲温度との温度差以上に設定したオフセットデータ(β)を、温度検出手段によって検出される温度データ(T)から減算した温度(T−β)に応じて、パルス幅下限値データ決定手段により決定する。即ち、配置構造などの問題により、温度検出手段を有機ELパネルの付近に配置することができず、回路基板上に配置する必要がある場合、上記オフセット値によって有機ELパネルとの温度差を補正することができる。その際に、オフセット値を上記の温度差以上とすることで、補正結果に適切なマージンを付与することができる。
請求項20記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、発光素子数計数手段により計数される素子数に応じて第4記憶手段よりオフセットデータを読出し、温度検出手段より検出される温度データを補正する。即ち、有機ELパネルの発光素子数が温度に影響を及ぼす場合があるので、上記のように補正すれば温度データを適切に得ることができる。
請求項21記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第4記憶手段に記憶させるオフセットデータを、発光素子数が多いほど大きくなるように設定するので、発光素子数の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
請求項22記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、消費電流検出手段により検出される有機ELパネルの消費電流量に応じて第5記憶手段よりオフセットデータを読出し、温度検出手段によって検出される温度データを補正する。即ち、有機ELパネルの消費電流の多寡が温度に影響を及ぼす場合があるので、上記のように補正すれば温度データを適切に得ることができる。
請求項23記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第5記憶手段に記憶させるオフセットデータを、消費電流量が多いほど大きくなるように設定するので、消費電流の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
請求項24記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、制御手段は、経過時間計時手段により計時される有機ELパネルの通電経過時間に応じて第6記憶手段よりオフセットデータを読出し、温度検出手段により検出される温度データを補正する。即ち、有機ELパネルの通電経過時間が温度に影響を及ぼす場合があるので、上記のように補正すれば温度データを適切に得ることができる。
請求項25記載の有機ELパネルの駆動装置によれば、第6記憶手段に記憶させるオフセットデータを、経過時間が長いほど大きくなるように設定するので、経過時間の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
(第1実施例)
以下、本発明の第1実施例について図1乃至図8を参照して説明する。図2は、有機ELパネルの駆動装置の構成を概略的に示す機能ブロック図である。有機ELパネル1は、実際には、複数の走査電極と、複数のデータ電極との交点に有機層膜を配置してなる有機EL素子を、画素として複数備えることでマトリクス表示を行うように構成されており、駆動装置2は、その有機ELパネル1を駆動して表示制御を行う。したがって、駆動回路(駆動手段)3は、ロウ側(走査側),カラム側(データ側)における複数の走査電極と複数のデータ電極との間に駆動電流を流すことで、有機EL素子を発光させる。
尚、本実施例では、有機ELパネル1は、例えば車両のインストルメントパネルに配置され、スピードメータやタコメータを表示したり、その他燃料の残量表示や外気温などを表示するものとして構成される。
駆動装置2は、その他、マイクロコンピュータなどで構成される制御部(制御手段,下限値データ決定手段)4,有機ELパネル1の温度を検出する温度センサ(例えばサーミスタ,温度検出手段)5,第1〜第3メモリ(第1〜第3記憶手段)6〜8等を備えている。制御部4は、外部の図示しないECU(Electronic Control Unit)などから与えられるEL輝度情報(輝度制御信号,調光信号)に応じて、有機ELパネル1の表示内容や表示輝度を制御する。その際に、制御部4は、温度センサ5より与えられる温度情報や、メモリ6〜8に記憶されている各種のデータを参照して表示輝度を決定し、駆動電流をPWM制御する。
図3は、有機ELパネル1と駆動装置2との接続状態を、実態に近い構成で示すものである。制御部4や、温度センサ5,メモリ6〜8は、回路基板9上に搭載されている(図中では、温度センサ5のみ示す)。有機ELパネル1は、ガラス基板上に形成されており、有機ELパネル1と回路基板9との間は、フレキシブル基板11を介して接続されている。そして、駆動回路(ドライバIC)3は、フレキシブル基板11上にTCP(Tape Carrier Package)により実装されている。尚、制御部4やメモリ6〜8は、駆動回路3と一体でワンチップに構成されていても良い。
温度センサ5は、有機ELパネル1の直近に配置するのが望ましいが、そのためには、回路基板9との電気的接続をとる配線用のフレキシブル基板を別途用意する必要があり、構成が複雑になる上、コストアップするという問題がある。そこで、本実施例では、温度センサ5を回路基板9上に実装している。車両のインストルメントパネルの内部は閉鎖された空間になっているので、温度センサ5を回路基板9上に実装しても、有機ELパネル1の温度を、大きなずれを生じることなく検出することが可能である。
図4は、メモリ6〜8に記憶されるデータ又はデータテーブルの一例を示す。図4(a)は、第1メモリ6に記憶される電流補正データ(10ビット)である。この電流補正データは、有機ELパネル1の製造ばらつき等により生じる輝度のばらつきを補正するもので、PWM制御の電流振幅を設定するデータである。図4(b)は、第2メモリ7に記憶される調光制御データ(10ビット)であり、調光を1000段階で制御するためのデータが記憶されている。
図4(c)は、第3メモリ8(下限値データ決定手段)に記憶されるパルス幅下限データ(10ビット)である。このパルス幅下限データは、有機ELパネル1について想定される使用環境温度範囲の低温領域側について、PWM制御におけるパルス幅設定の下限を規定するものである。ここで、「想定される使用環境温度範囲の低温領域側」とは、例えば使用環境温度範囲が−40℃〜85℃である場合、一般に常温として設定される温度25℃以下の領域である。すなわち、25℃〜−40℃の領域について1℃毎にパルス幅下限データを予め設定し、第3メモリ8に記憶させておく。
これは、有機ELパネル1には、一般に低温になると輝度が低下する性質があり、特に減光時は表示が見えなくなることがあるため、各温度において表示を良好に視認可能な限界輝度を規定するためパルス幅下限データを設定している。図5は、第3メモリ8に記憶させる下限値データGminの特性の一例を示す。温度範囲の上限25℃に対応するデータaから、温度範囲の下限−40℃に対応するデータbにかけてパルス幅データ値を漸増させるように設定するが、増分の傾きも次第に大きくなるようにする。
また、図6は、第1メモリ6に記憶させるデータにより電流補正を行う理由を説明するものである。有機ELパネル1の輝度特性は製造ばらつきがあるため、各パネル1毎に輝度の補正を行う必要がある。その場合、第3メモリ8に記憶させる下限値データGminを、有機ELパネル1毎に設定すると、第2メモリ7に記憶させる調光率に応じたパルス幅データも全て変更する必要が生じ、調整に非常に手間を要すると共に、調光制御の線形成が崩れたり、調光結果の逆転が起きるおそれもありメリットがない。そこで、第1メモリ6に記憶させるデータにより、各パネル1毎に電流振幅を補正することで、メモリ7,8側の調整を不要とする。
次に、本実施例の作用について図1,図7,図8も参照して説明する。図1は、制御部4による制御内容を示すフローチャートである。制御部4は、EL輝度情報(調光信号)が与えられると(ステップS1)、第2メモリ7を参照して上記輝度信号に応じたパルス幅Gを決定する(ステップS2)。この場合、調光信号は、例えば第2メモリ7のアクセスアドレスとして与えても良い。
また、制御部4は、温度センサ5より有機ELパネル1の温度情報(T℃)を取得すると(ステップS3)、第3メモリ8を参照して上記温度情報に応じたパルス幅の下限値Gminを決定する(ステップS4)。すなわち、有機ELパネル1が自己発熱なしの状態で、且つ有機ELパネル1以外の回路部の自己発熱は最大とする状態での温度センサ5による検出温度と、有機ELパネル1の周囲温度との温度差以上に設定したオフセットデータ(β)を、温度センサ5によって検出される温度データ(T)から減算した温度(T−β)に応じてパルス幅下限値データを決定する。これにより、温度センサ5を回路基板9上に搭載することで生じる検出温度のずれを補正する。
続くステップS5において、制御部4は、ステップS2で決定したパルス幅Gと、ステップS4で決定したパルス幅の下限値Gminとの大小を比較し、G≧Gminであれば(YES)パルス幅Gに応じたパルス幅設定信号を駆動回路3に送信する(ステップS7)。一方、G<Gminであれば(NO)パルス幅Gminに応じたパルス幅設定信号を駆動回路3に送信する(ステップS6)。
また、制御部4は、上記の処理と並行して第1メモリ6を参照し、電流補正データを読み出すと、定電流値(電流振幅値)Iを決定する(ステップS8)。そして、定電流値Iに応じた電流(振幅)設定信号を駆動回路3に送信する(ステップS9)。
以上のように制御することで、温度変化に応じた有機ELパネル1の輝度変化は、図7(a)に示すようになる。すなわち、減光レベルが中間程度の場合は、ステップS5では温度にかかわらず常に「YES」と判断されるので、ステップS2で決定したパルス幅Gにより輝度が決定される。それに対して、最大減光時の場合、常温25℃を超える高温域では上記と同様に、ステップS2で決定したパルス幅Gにより輝度が決定されるが、常温25℃以下となる低温域ではステップS6で「NO」と判断され、ステップS4で決定したパルス幅下限値Gminにより輝度が決定される。
図7(b)は、比較のため特許文献1による場合の(a)相当図を示す。この場合、中間減光時,最大減光時の何れについても、温度の全域に亘って一定の輝度を維持するように調整される。このために必要となるデータサイズは、前述したように1260000ビットとなり(図8参照)、極めて膨大である。
これに対して、本実施例の制御によれば、視認性の確保が困難となる低温領域についてのみ一定の輝度を維持することで、必要なデータサイズは以下のようになる。
10+10×1000+(25+40+1)×10=10670(ビット)
すなわち、特許文献1に対して2桁サイズダウンしており、データサイズが大幅に削減される。
以上のように本実施例によれば、制御部4は、輝度制御信号に応じて第2メモリ7より読み出したパルス幅データGと、温度センサ5により検出された温度に応じて決定したパルス幅下限値データGminとで値がより大きな方をパルス幅データに決定すると、第1メモリ6に記憶されている駆動電流振幅値と、決定したパルス幅データとを駆動回路3に出力することで、有機ELパネル1の表示輝度をPWM制御する。
すなわち、各有機ELパネル1の製造過程で生じる輝度のばらつきを、第1メモリ6に記憶させた駆動電流振幅値の補正データで補正し、温度による輝度変化が生じ易い低輝度側のみ、検出温度に応じてパルス幅の下限値データを決定するので、制御を簡略化できると共に、補正に必要なデータ量を大幅に削減することができる。
そして、第3メモリ8に、想定される使用環境温度範囲の低温側領域について、駆動電流パルス幅の下限値データGminのテーブルを記憶させるので、下限値データGminを、第3メモリ8より読み出すことで簡単に決定できる。また、その第3メモリ8に記憶させるデータテーブルを、想定される使用環境温度について常温以下となる低温側領域について用意する。すなわち、一般に有機ELパネル1において、減光時に輝度が低下し過ぎて表示が見えなくなるなどの表示品位の悪化は、想定使用環境温度の常温以下の低温領域で生ずるので、第3メモリ8の容量を適切に設定することができる。
加えて、温度センサ5を、制御部4が構成される回路基板9上に配置し、制御部4は、有機ELパネル1が自己発熱なしの状態で、且つ有機ELパネル1以外の回路部の自己発熱は最大とする状態での温度センサ5による検出温度と、有機ELパネル1の周囲温度との温度差以上に設定したオフセットデータ(β)を、温度センサ5によって検出される温度データ(T)から減算した温度(T−β)に応じてパルス幅下限値データを決定するので、配置構造などの制約により温度センサ5を有機ELパネル1の付近に配置できず、回路基板9上に配置する必要がある場合でも、有機ELパネル1との温度差を補正することができる。その際に、オフセットデータを上記の温度差以上とすることで、補正した輝度が高めとなるように適切なマージンを付与することができる。
(第2実施例)
図9乃至図11は本発明の第2実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。図9において、駆動装置12は、周囲(例えば車室内)の照度を検出する照度センサ(照度検出手段)13を備えている。そして、制御部4Aは、図10に示すように、その照度センサ13により与えられる照度情報に応じて(ステップS11)、パルス幅下限値データGminを決定する(ステップS4A)。
この場合、第3メモリ8Aには、図11に示すように、25℃〜−40℃の各温度における下限値データGminを、範囲X〜Y(X<Y)における照度毎にテーブルとして記憶させておく。すなわち、照度が高い場合は、有機ELパネル1の輝度をより高くするように、下限値データGminを設定する。
以上のように第2実施例によれば、第3メモリ8Aに、周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを備え、制御部4Aは、照度センサ13により検出される照度に応じたデータテーブルからパルス幅下限値データGminを読み出す。従って、周囲の照度レベルに応じて下限値データを適切に設定できる。そして、第3メモリ8Aのデータテーブルを、照度レベルが高い場合は、照度レベルが低い場合に比較して同じ温度に対応したパルス幅下限値データがより大きくなるように設定するので、周囲の照度が高い場合に応じて有機ELパネル1の輝度の下限をより高くするように設定できる。
(第3実施例)
図12乃至図14は本発明の第3実施例を示すものであり、第1実施例と異なる部分について説明する。図12において、駆動装置14は、第4メモリ15(第4記憶手段)を備えており、また、制御部4Bは、内部に点灯素子数検出部16(発光素子数計数手段)を備えている。
第4メモリ15には、図13に示すように、有機ELパネル1の点灯素子数1〜N(最大値)にそれぞれ対応する温度オフセットデータα1〜αNが記憶されている。このオフセットデータαは、点灯(発光)素子数が多くなるほど値が大きくなるように設定されている。すなわち、有機ELパネル1の点灯素子数が増えるほど、有機ELパネル1の温度は上昇する傾向を示すからである。尚、必ずしも点灯素子数が1個異なる毎にデータ値を増加させる必要はなく、数個〜数10個毎に増加させるようにしても良い。
そして、図14に示すフローチャートにおいて、制御部4Bは、その時点で有機ELパネル1に表示させている画像パターンの点灯素子数を、点灯素子数検出部16より取得する(ステップS12)。それから、第4メモリ15を参照し、点灯素子数に応じたオフセットデータαを読み出して決定すると(ステップS13)、ステップS3で取得した温度情報T℃にオフセットデータαを加算する(ステップS14)。そして、続くステップS4では、温度(T+α)に対応する下限値データGminを第3メモリ8から読み出す。
以上のように第3実施例によれば、制御部4Bは、点灯素子数検出部16により計数される有機ELパネル1の点灯素子数に応じて第4メモリ15よりオフセットデータαを読出し、温度センサ5より検出される温度データTを補正するので、有機ELパネル1の発光素子数が温度に及ぼす影響を考慮して、温度データを適切に得ることができる。そして、第4メモリ15に記憶させるオフセットデータαを、点灯素子数が多いほど大きくなるように設定するので、点灯素子数の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
(第4実施例)
図15乃至図17は本発明の第4実施例を示すものである。図15において、駆動装置17は、第5メモリ18(第5記憶手段)を備えており、また、制御部4Cは、消費電流検出部19(消費電流検出手段)を備えている。消費電流検出部19は、有機ELパネル1の消費電流量を検出するもので、例えば、有機ELパネル1の通電経路中に電流検出用の抵抗素子を挿入し、その抵抗素子の端子電圧を検出する。また、駆動装置17に供給される電源電流を検出することで、有機ELパネル1の消費電流量を推定しても良い。
第5メモリ18には、図16に示すように、有機ELパネル1の消費電流値を、例えば相対値0〜100の間で10段階に区分し、それぞれ対応する温度オフセットデータα10〜α100が記憶されている。このオフセットデータαは、消費電流値が大きくなるほど値が大きくなるように設定されている。すなわち、有機ELパネル1の消費電流値が増えるほど、有機ELパネル1の温度は上昇する傾向を示すからである。
そして、図17に示すフローチャートにおいて、制御部4Cは、その時点の有機ELパネル1の消費電流値を、消費電流検出部19より取得する(ステップS15)。それから、第5メモリ18を参照し、消費電流値に応じたオフセットデータαを読み出して決定すると(ステップS16)、第3実施例と同様にステップS3で取得した温度情報T℃にオフセットデータαを加算し(ステップS14)、続くステップS4で温度(T+α)に対応する下限値データGminを第3メモリ8から読み出す。
以上のように第4実施例によれば、制御部4Cは、消費電流検出部19により検出される有機ELパネル1の消費電流量に応じて第5メモリ18よりオフセットデータαを読出し、温度センサ5によって検出される温度データTを補正するので、有機ELパネル1の消費電流量が温度に及ぼす影響を考慮して、温度データを適切に得ることができる。そして、第5メモリ18に記憶させるオフセットデータαを、消費電流量が多いほど大きくなるように設定するので、消費電流の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
(第5実施例)
図18乃至図20は本発明の第5実施例を示すものである。図18において、駆動装置20は、第6メモリ21(第6記憶手段)を備えており、また、制御部4Dは、内部に点灯時間検出部22(経過時間計時検出手段)を備えている。点灯時間検出部22は、有機ELパネル1の通電経過時間を検出するタイマ,或いはカウンタで構成される。尚、有機ELパネル1が、基本的に電源が投入されている間は一部でも何らかの表示を行っているとすれば、「通電経過時間」=「点灯時間」である。
第6メモリ21には、図19に示すように、有機ELパネル1の通電経過時間を、例えば1時間ごとに最大N時間まで、それぞれ対応する温度オフセットデータα〜αが記憶されている。このオフセットデータαは、通電経過時間が長くなるほど値が大きくなるように設定されている。すなわち、有機ELパネル1の通電経過時間が長びくほど、有機ELパネル1の温度は上昇する傾向を示すからである。尚、1時間毎の区分は一例であり、区分時間幅は個別の設計に応じて適宜変更すれば良い。
そして、図20に示すフローチャートにおいて、制御部4Dは、その時点の有機ELパネル1の通電経過時間を、点灯時間検出部22より取得する(ステップS17)。それから、第6メモリ21を参照し、通電経過時間に応じたオフセットデータαを読み出して決定すると(ステップS18)、第3,第4実施例と同様にステップS3で取得した温度情報T℃に、オフセットデータαを加算し(ステップS14)、続くステップS4で温度(T+α)に対応する下限値データGminを第3メモリ8から読み出す。
以上のように第5実施例によれば、制御部4Dは、点灯時間検出部22により検出される有機ELパネル1の通電経過時間に応じて第6メモリ21よりオフセットデータαを読出し、温度センサ5によって検出される温度データTを補正するので、有機ELパネル1の通電時間が温度に及ぼす影響を考慮して、温度データを適切に得ることができる。そして、第6メモリ22に記憶させるオフセットデータαを、経過時間が長いほど大きくなるように設定するので、経過時間の増加に応じて上昇する傾向を示す温度に適した補正を行なうことができる。
(第6実施例)
図21乃至図23は本発明の第6実施例を示すものであり、第1実施例と異なる部分について説明する。第6実施例では、第1実施例の制御を、複数段階の階調表示制御行う場合に適用したものである。例えば、階調表示を3段階で行うとすると、図21(a),(b)に示すように、第2メモリ7A,第3メモリ8Aに記憶させるデータテーブルを、3段階の階調表示に併せて用意する。この場合、第1メモリ6も含めて必要となるデータサイズは、
10+10×1000×3+(25+40+1)×10×3=31990(ビット)
となる。
そして、図22に示すフローチャートでは、ステップS2Aにおけるパルス幅データGの決定,及びステップS4Bにおけるパルス幅下限値データGminの決定を、表示を行う階調段階に応じて第2メモリ7A,第3メモリ8Aから各データを読み出して決定する。その結果、図23に示すように、各階調段階に応じて、最大減光レベルも変化するように制御される。
以上のように第6実施例によれば、第3メモリ8Aに、複数段階の階調表示に応じたデータテーブルを複数記憶し、制御部4Dは、階調表示レベルに応じたデータテーブルからパルス幅下限値データを読み出すので、階調表示レベル毎に最適となる下限値データを設定することができる。
(第7実施例)
図24乃至図26は本発明の第7実施例を示すものであり、第1実施例と異なる部分について説明する。第7実施例では、図24に示すように、第3メモリ8Bに記憶させる下限値データを温度幅(温度帯)を持たせて区分し、温度センサ5の検出温度が温度幅の境界を跨いで変化する場合に、温度の上昇変化時と下降変化時とで境界値をずらすようにして、いわゆるヒステリシス特性を持たせる。
図25に示すフローチャートにおいて、ステップS3にて温度Tを取得すると、その温度Tが、前回の検出時(下限値データP)から、下限値データの温度境界Tを上昇方向に跨いだか(ステップS21)、或いは温度境界Tn−1−βを下降方向に跨いだか(ステップS22)を判定する。ここで、「β」は、図26に示すように、各温度境界幅よりも小さい値に設定する。
温度境界Tを上昇方向に跨いだ場合は(ステップS21:YES)、第3メモリ8Bを参照して下限値データをP→Pn+1に変更し(ステップS23)、温度境界Tn−1−βを下降方向に跨いだ場合は(ステップS22:YES)、下限値データをP→Pn−1に変更する(ステップS24)。そして、変更した下限値データをPn+1またはPn−1を、下限値データGminとして決定する(ステップS25)。
以上のように第7実施例によれば、制御部4は、温度センサ5により検出された温度Tに応じてパルス幅下限値データPを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて温度帯の境界値を変更するので、温度帯の切替えについてヒステリシス特性を持たせてチャタリング的な輝度変化が発生することを回避できる。
(第8実施例)
図27は、本発明の第8実施例を示すものである。上述した第1〜第7実施例は、適宜組み合わせて実施することが可能であるが、例えば第1〜第5実施例の構成を全て備えた場合、第1メモリ6〜第6メモリ21(但し、第4メモリ15,第5メモリ18は、どちらか1つで良い)を必要とするが、その場合のデータサイズがトータルでどれ位になるのかを求める。
図27(a)に示すように、第4メモリ15は、発光素子数について点灯率を5%毎に区分し、それぞれにオフセットデータαを8ビットで持たせるとする。この場合、データサイズは、8×20=160(ビット)となる。
図27(b)に示すように、第5メモリ18は、消費電流値について、全ての発光素子を点灯させた場合の消費電流を100%とし、その割合をやはり5%毎に区分し、それぞれにオフセットデータαを8ビットで持たせるとする。この場合のデータサイズも160ビットとなる。
図27(c)に示すように、第6メモリ21は、通電経過時間1分毎に最大20分まで、オフセットデータαを8ビットで持たせるとする。この場合のデータサイズも160ビットとなる。
以上から、第1メモリ6〜第6メモリ21を必要とする場合のデータサイズの合計は、
106700+160+160=109900(ビット)
となり、従来技術と比較してもデータサイズは極めて小さい。更に、第3メモリ6に、照度別に複数(例えば20個)のテーブルを持たせることを仮定しても、
10+10×1000+(25+40+1)×10×20×3+160×2
=235300(ビット)
となるだけである。したがって、従来技術よりもデータサイズを削減できることは明らかである。
(第9実施例)
図28は、本発明の第9実施例を示すもので、第1実施例の図3相当図である。第9実施例は、より大型の有機ELパネル31を、図中で上下に分かれている2つの駆動回路(駆動手段)32U,32Dと、回路基板33U,33Dによって表示制御する構成である。この場合、温度センサ34(U,D)も、回路基板33U,33Dにそれぞれ配置され、図示しない第3メモリに記憶させるパルス幅下限値データは、各駆動回路32U,32Dに対応したテーブルを記憶させるようにする。即ち、表示輝度は、有機ELパネル31のみならず、駆動回路32U,32D自体が有している温度特性の影響も受ける場合がある。したがって、第9実施例のように構成すれば、駆動回路32U,32Dがそれぞれ異なる温度特性を有している場合でも、それらに応じて補正を行なうことができる。
(第10実施例)
図29及び図30は本発明の第10実施例を示すものである。第10実施例は、本発明の制御を、有機ELパネル1の想定環境温度範囲の高温領域側についても同様に適用した場合を示す(図29参照)。上記の第1〜第9実施例の何れを適用しても良いが、例えば第1実施例を適用する場合、図30に示すように、第1メモリ(第1記憶手段)35に、温度25℃から最高温度85℃まで1℃毎に、10ビットのパルス幅上限データを記憶させ、第2メモリ7に記憶させたパルス幅データと比較することで、値がより小さい方を選択して、高温領域における最大輝度を制限する。
すなわち、高温環境下では、有機ELパネル1の輝度はより高くなる傾向を示すため、過剰な輝度で発光表示を行うと有機ELパネル1の寿命が短くなる。そこで、パルス幅の上限値データについても温度に応じて制限を加えることで、有機ELパネル1の寿命を長期化することができ、またその補正に必要なデータ量を大幅に削減することができる。尚、低温領域側の制御と、高温領域側の制御とを同時に行っても良い。
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形または拡張が可能である。
制御手段は、想定される使用環境温度範囲の低温側領域における駆動電流パルス幅の下限値データを、図31に示すように演算で求めるようにしても良い。また、「常温」の設定は25℃に限ることはない。
第2実施例において、制御部4Aは、検出される照度の変化が所定の基準よりも急峻であった場合、その照度変化に応じて第3メモリ8Aより読み出す対象とするデータテーブルを、一定時間が経過した後に徐々に切替えるようにしても良い。例えば、走行中の車両がトンネルに出入りするような場合のように、周囲の照度変化が急峻となる場合に、それに応じて有機ELパネル1の輝度が急激に変化することを回避できる。
また、第2実施例において、第3メモリ8Aに、周囲の照度レベルに対応したパルス幅の上限値データGmaxを記憶させた複数のデータテーブルも記憶し、制御部4Aが、照度センサ13により検出される照度に応じたデータテーブルから上限値データGmaxを読み出すようにして、周囲の照度レベルに応じて上限値データを適切に設定しても良い。その場合、データテーブルを、照度レベルが低い場合は、照度レベルが高い場合に比較して同じ温度に対応した上限値データがより小さくなるように設定すれば、周囲の照度が低い場合に応じて有機ELパネル1の輝度の上限をより低くするように設定できる。
第9実施例を、3つ以上の駆動ICを使用する場合に適用しても良い。
低温領域,高温領域は、個別の設計に応じて基準を適宜設定することで区分すれば良い。
温度センサ5の検出温度を補正するためのオフセットデータは、必要に応じて付与すれば良い。
温度検出手段は、配置が可能である場合は有機ELパネル上に配置すれば良い。
第1〜第6メモリは、メモリデバイスとして独立させる必要はなく、共通のメモリデバイス上に領域を区分して用意すれば良い。
車室内のインストルメントパネルに配置されるメータに限ることなく、有機ELパネルを用いて表示を行うものに広く適用することができる。
本発明の第1実施例であり、制御内容を示すフローチャート 有機ELパネルの駆動装置の構成を概略的に示す機能ブロック図 有機ELパネルと駆動装置との接続状態を実態に近い構成で示す図 各メモリに記憶されるデータ又はデータテーブルの一例を示す図 第3メモリに記憶させる下限値データGminの特性の一例を示す図 第1メモリに記憶させるデータにより行う補正を説明する図 (a)は温度変化に応じた有機ELパネルの輝度変化を示す図、(b)は比較のため示す従来の(a)相当図 従来技術が必要とするデータサイズの一例を示す図 本発明の第2実施例を示す図2相当図 図1相当図 図5相当図 本発明の第3実施例を示す図2相当図 第4メモリに記憶されるデータテーブルの一例を示す図 図1相当図 本発明の第4実施例を示す図2相当図 第5メモリに記憶されるデータテーブルの一例を示す図 図1相当図 本発明の第5実施例を示す図2相当図 第6メモリに記憶されるデータテーブルの一例を示す図 図1相当図 本発明の第6実施例を示す図4(b),(c)相当図 図1相当図 図7(a)相当図 本発明の第7実施例を示す図4(c)相当図 図1相当図 温度帯の境界設定を示す図 本発明の第8実施例であり、第4〜第6メモリに記憶されるデータテーブルの一例を示す図 本発明の第9実施例を示す図3相当図 本発明の第10実施例を示す図7(a)相当図 図4(a)相当図 変形例を示す図
符号の説明
図面中、1は有機ELパネル、2は駆動装置、3は駆動回路(駆動手段)、4は制御部(制御手段,下限値データ決定手段)、5は温度センサ(温度検出手段)、6〜8は第1〜第3メモリ(第1〜第3記憶手段)、9は回路基板、12は駆動装置、13は照度センサ(照度検出手段)、14は駆動装置、15は第4メモリ(第4記憶手段)、16は点灯素子数検出部(発光素子数計数手段)、17は駆動装置、18は第5メモリ(第5記憶手段)、19は消費電流検出部(消費電流検出手段)、20は駆動装置、21は第6メモリ(第6記憶手段)、22は点灯時間検出部(経過時間計時手段)、31は有機ELパネル、32は駆動回路(駆動手段)、33は回路基板、34は温度センサ(温度検出手段)、35は第1メモリ(第1記憶手段)を示す。

Claims (50)

  1. 対向して配置される複数の陽極と複数の陰極との間に、発光機能を有する有機膜層を配置してなる有機EL素子を備えてマトリクス表示を行う有機ELパネルを、PWM(Pulse Width Modulation)制御により駆動する装置において、
    前記有機ELパネルの所定温度における輝度ばらつきを補正する、駆動電流振幅値の補正データが記憶される第1記憶手段と、
    外部より与えられる輝度制御信号に応じて、供給すべき駆動電流のパルス幅データのテーブルが記憶される第2記憶手段と、
    前記有機ELパネルの周囲温度を検出する温度検出手段と、
    想定される使用環境温度範囲における、前記駆動電流パルス幅の下限値データを決定する下限値データ決定手段と、
    前記有機ELパネルに駆動電流を供給して発光表示させる駆動手段と、
    前記輝度制御信号に応じて前記第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、前記温度検出手段により検出された温度に応じて前記下限値データ決定手段より決定したパルス幅下限値データとを比較して、値がより大きな方をパルス幅データに決定し、
    前記第1記憶手段に記憶されている補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データとを前記駆動手段に出力する制御手段とを備えたことを特徴とする有機ELパネルの駆動装置。
  2. 前記下限値データ決定手段は、想定される使用環境温度範囲の低温側領域における、前記駆動電流パルス幅の下限値データのテーブルが記憶される第3記憶手段を備えて構成されることを特徴とする請求項1記載の有機ELパネルの駆動装置。
  3. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルは、前記使用環境温度について設定される常温以下となる低温側領域について用意されていることを特徴とする請求項2記載の有機ELパネルの駆動装置。
  4. 前記第3記憶手段は、前記有機ELパネルについて行なう複数段階の階調表示に応じて、前記データテーブルが複数記憶され、
    前記制御手段は、前記階調表示のレベルに応じたデータテーブルから、前記パルス幅下限値データを読み出すことを特徴とする請求項2または3記載の有機ELパネルの駆動装置。
  5. 前記パルス幅下限値データが、所定の温度帯毎に記憶されている場合に、
    前記制御手段は、前記温度検出手段により検出された温度に応じて、前記パルス幅下限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて、温度帯の境界値を変更することを特徴とする請求項2ないし4の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  6. 前記下限値データ決定手段は、想定される使用環境温度範囲の低温側領域における、前記駆動電流パルス幅の下限値データを演算により求めることを特徴とする請求項1記載の有機ELパネルの駆動装置。
  7. 周囲の照度を検出する照度検出手段を備え、
    前記第3記憶手段は、前記周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを備え、
    前記制御手段は、前記照度検出手段により検出される照度に応じたデータテーブルから、前記パルス幅下限値データを読み出すことを特徴とする請求項2ないし5の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  8. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルは、照度レベルが高い場合は、照度レベルが低い場合に比較して、同じ温度に対応したパルス幅下限値データがより大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項7記載の有機ELパネルの駆動装置。
  9. 前記制御手段は、前記照度検出手段により検出される照度の変化が所定の基準よりも急峻であった場合は、その照度変化に応じて前記第3記憶手段より読み出す対象とするデータテーブルを、一定時間が経過した後に徐々に切替えることを特徴とする請求項7または8記載の有機ELパネルの駆動装置。
  10. 対向して配置される複数の陽極と複数の陰極との間に、発光機能を有する有機膜層を配置してなる有機EL素子を備えてマトリクス表示を行う有機ELパネルを、PWM(Pulse Width Modulation)制御により駆動する装置において、
    前記有機ELパネルの所定温度における輝度ばらつきを補正するための駆動電流振幅値が記憶される第1記憶手段と、
    外部より与えられる輝度制御信号に応じて、供給すべき駆動電流のパルス幅データのテーブルが記憶される第2記憶手段と、
    前記有機ELパネルの周囲温度を検出する温度検出手段と、
    想定される使用環境温度範囲における、前記駆動電流パルス幅の上限値データを決定する上限値データ決定手段と、
    前記有機ELパネルに駆動電流を供給して発光表示させる駆動手段と、
    前記輝度制御信号に応じて前記第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、前記温度検出手段により検出された温度に応じて前記上限値データ決定手段が決定したパルス幅上限値データとを比較して、値がより小さな方をパルス幅データに決定し、
    前記第1記憶手段に記憶されている補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データを前記駆動手段に出力する制御手段とを備えたことを特徴とする有機ELパネルの駆動装置。
  11. 前記上限値データ決定手段は、想定される使用環境温度範囲の高温領域における、前記駆動電流パルス幅の上限値データのテーブルが記憶される第3記憶手段であることを特徴とする請求項10記載の有機ELパネルの駆動装置。
  12. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルは、前記使用環境温度について設定される常温以上となる高温側領域について用意されていることを特徴とする請求項11記載の有機ELパネルの駆動装置。
  13. 前記第3記憶手段は、前記有機ELパネルについて行なう複数段階の階調表示に応じて、前記データテーブルが複数記憶され、
    前記制御手段は、前記階調表示のレベルに応じたデータテーブルから、前記パルス幅上限値データを読み出すことを特徴とする請求項11または12記載の有機ELパネルの駆動装置。
  14. 前記パルス幅上限値データが、所定の温度帯毎に記憶されている場合に、
    前記制御手段は、前記温度検出手段により検出された温度に応じて、前記パルス幅上限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて、温度帯の境界値を変更することを特徴とする請求項11ないし13の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  15. 周囲の照度を検出する照度検出手段を備え、
    前記第3記憶手段は、前記周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを備え、
    前記制御手段は、前記照度検出手段により検出される照度に応じたテーブルから、前記パルス幅上限値データを読み出すことを特徴とする請求項11ないし14の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  16. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルは、照度レベルが低い場合は、照度レベルが高い場合に比較して、同じ温度に対応したパルス幅上限値データがより小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項15記載の有機ELパネルの駆動装置。
  17. 前記上限値データ決定手段は、想定される使用環境温度範囲の高温領域における、前記駆動電流パルス幅の上限値データを、所定の数式に基づいて演算により求めることを特徴とする請求項10記載の有機ELパネルの駆動装置。
  18. 前記有機ELパネルが、前記駆動手段を構成する複数の駆動ICによって駆動される場合に、
    前記第3記憶手段のデータテーブルが、前記複数の駆動ICに対応して記憶されていることを特徴とする請求項2ないし5,7ないし9,11ないし16の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  19. 前記温度検出手段を、回路基板上に配置し、
    前記制御手段は、前記有機ELパネルは自己発熱なしの状態で、且つ当該有機ELパネル以外の回路部の自己発熱は最大とする状態での前記温度検出手段による検出温度と、前記有機ELパネルの周囲温度との温度差以上に設定したオフセットデータ(β)を、
    前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)から減算した温度(T−β)に応じて、前記パルス幅下限値データ決定手段により決定することを特徴とする請求項1ないし18の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  20. 前記有機ELパネルについて、発光表示されている有機EL素子の数を計数する発光素子数計数手段と、
    前記発光素子数に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルが記憶される第4記憶手段とを備え、
    前記制御手段は、前記発光素子数計数手段により計数される素子数に応じて前記第4記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段よって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項1ないし19の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  21. 前記第4記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)は、前記発光素子数が多いほど大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項20記載の有機ELパネルの駆動装置。
  22. 前記有機ELパネルの消費電流を検出する消費電流検出手段と、
    前記消費電流に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルが記憶される第5記憶手段とを備え、
    前記制御手段は、前記消費電流検出手段により検出される消費電流量に応じて前記第5記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項1ないし19の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  23. 前記第5記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)は、前記消費電流量が多いほど大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項22記載の有機ELパネルの駆動装置。
  24. 前記有機ELパネルに電源が投入された時点からの経過時間を計時する経過時間計時手段と、
    前記経過時間に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルが記憶される第6記憶手段とを備え、
    前記制御手段は、前記経過時間計時手段により計時される経過時間に応じて前記第6記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項1ないし19の何れかに記載の有機ELパネルの駆動装置。
  25. 前記第6記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)は、前記経過時間が長いほど大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項24記載の有機ELパネルの駆動装置。
  26. 対向して配置される複数の陽極と複数の陰極との間に、発光機能を有する有機膜層を配置してなる有機EL素子を備えてマトリクス表示を行う有機ELパネルを、PWM(Pulse Width Modulation)制御により駆動する方法において、
    前記有機ELパネルの所定温度における輝度ばらつきを補正する、駆動電流振幅値の補正データが記憶される第1記憶手段と、外部より与えられる輝度制御信号に応じて、供給すべき駆動電流のパルス幅データのテーブルが記憶される第2記憶手段と、前記有機ELパネルの周囲温度を検出する温度検出手段とを用い、
    前記輝度制御信号に応じて前記第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、前記温度検出手段により検出された温度に応じて決定した前記駆動電流パルス幅の下限値データとを比較して、値がより大きな方をパルス幅データに決定し、前記第1記憶手段より読み出した補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データとを前記有機ELパネルに出力することを特徴とする有機ELパネルの駆動方法。
  27. 前記下限値データを、想定される使用環境温度範囲における低温側領域に応じた前記駆動電流パルス幅の下限値データのテーブルとして予め第3記憶手段に記憶させ、その第3記憶手段より下限値データ読み出して決定することを特徴とする請求項26記載の有機ELパネルの駆動方法。
  28. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、前記使用環境温度について設定される常温以下となる低温側領域について用意することを特徴とする請求項27記載の有機ELパネルの駆動方法。
  29. 前記第3記憶手段に、前記有機ELパネルについて行なう複数段階の階調表示に応じて、前記データテーブルを複数記憶し、
    前記階調表示のレベルに応じたデータテーブルから、前記パルス幅下限値データを読み出すことを特徴とする請求項27または28記載の有機ELパネルの駆動方法。
  30. 前記パルス幅下限値データが、所定の温度帯毎に記憶されている場合に、
    前記温度検出手段により検出された温度に応じて、前記パルス幅下限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて、温度帯の境界値を変更することを特徴とする請求項27ないし29の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  31. 想定される使用環境温度範囲の低温側領域における、前記駆動電流パルス幅の下限値データを演算により求めることを特徴とする請求項26記載の有機ELパネルの駆動方法。
  32. 前記第3記憶手段に、周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを記憶させ、
    周囲の照度を検出し、検出される照度に応じたデータテーブルから、前記パルス幅下限値データを読み出すことを特徴とする請求項27ないし30の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  33. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、照度レベルが高い場合は、照度レベルが低い場合に比較して、同じ温度に対応したパルス幅下限値データがより大きくなるように設定することを特徴とする請求項32記載の有機ELパネルの駆動方法。
  34. 検出される照度の変化が所定の基準よりも急峻であった場合は、その照度変化に応じて前記第3記憶手段より読み出す対象とするデータテーブルを、一定時間が経過した後に徐々に切替えることを特徴とする請求項32または33記載の有機ELパネルの駆動方法。
  35. 対向して配置される複数の陽極と複数の陰極との間に、発光機能を有する有機膜層を配置してなる有機EL素子を備えてマトリクス表示を行う有機ELパネルを、PWM(Pulse Width Modulation)制御により駆動する方法において、
    前記有機ELパネルの所定温度における輝度ばらつきを補正するための駆動電流振幅値が記憶される第1記憶手段と、外部より与えられる輝度制御信号に応じて、供給すべき駆動電流のパルス幅データのテーブルが記憶される第2記憶手段と、前記有機ELパネルの周囲温度を検出する温度検出手段とを用い、
    前記輝度制御信号に応じて前記第2記憶手段より読み出したパルス幅データと、前記温度検出手段により検出された温度に応じて決定した前記駆動電流パルス幅の上限値データとを比較して、値がより小さな方をパルス幅データに決定し、
    前記第1記憶手段より読み出した補正データに基づいて決定された駆動電流振幅値データと、前記決定されたパルス幅データを前記駆動手段に出力することを特徴とする有機ELパネルの駆動方法。
  36. 想定される使用環境温度範囲の高温領域における、前記駆動電流パルス幅の上限値データのテーブルを第3記憶手段に予め記憶させ、前記第3記憶手段より前記上限値データを読み出して決定することを特徴とする請求項35記載の有機ELパネルの駆動方法。
  37. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルを、想定される使用環境温度の常温以上となる高温側領域について用意することを特徴とする請求項36記載の有機ELパネルの駆動方法。
  38. 前記第3記憶手段に、前記有機ELパネルについて行なう複数段階の階調表示に応じて、前記データテーブルを複数記憶し、
    前記階調表示のレベルに応じたデータテーブルから、前記パルス幅上限値データを読み出すことを特徴とする請求項36または37記載の有機ELパネルの駆動方法。
  39. 前記パルス幅上限値データが、所定の温度帯毎に記憶されている場合に、
    前記温度検出手段により検出された温度に応じて、前記パルス幅上限値データを読み出す温度帯を切替える際、温度上昇時と温度下降時とについて、温度帯の境界値を変更することを特徴とする請求項36ないし38の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  40. 前記第3記憶手段に、周囲の照度レベルに対応した複数のデータテーブルを記憶させ、
    照度検出手段により検出される周囲の照度に応じたテーブルから、前記パルス幅上限値データを読み出すことを特徴とする請求項36ないし39の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  41. 前記第3記憶手段に記憶されるデータテーブルは、照度レベルが低い場合は、照度レベルが高い場合に比較して、同じ温度に対応したパルス幅上限値データがより小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項40記載の有機ELパネルの駆動方法。
  42. 想定される使用環境温度範囲の高温領域における、前記駆動電流パルス幅の上限値データを、所定の数式に基づいて演算により求めることを特徴とする請求項35記載の有機ELパネルの駆動方法。
  43. 前記有機ELパネルが、前記駆動手段を構成する複数の駆動ICによって駆動される場合に、
    前記第3記憶手段のデータテーブルを、前記複数の駆動ICに対応して記憶させることを特徴とする請求項27ないし30,32ないし34,36ないし41の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  44. 前記温度検出手段を、回路基板上に配置し、
    前記有機ELパネルが自己発熱なしの状態で、且つ当該有機ELパネル以外の回路部の自己発熱は最大とする状態での前記温度検出手段による検出温度と、前記有機ELパネルの周囲温度との温度差以上に設定したオフセットデータ(β)を、
    前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)から減算した温度(T−β)に応じて、前記下限値データを決定することを特徴とする請求項26ないし43の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  45. 前記有機ELパネルの発光素子数に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルを第4記憶手段に記憶させ、
    前記有機ELパネルについて、発光表示されている有機EL素子の数を計数し、
    前記計数された素子数に応じて前記第4記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段よって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項26ないし44の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  46. 前記第4記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)を、前記発光素子数が多いほど大きくなるように設定することを特徴とする請求項45記載の有機ELパネルの駆動方法。
  47. 前記有機ELパネルの消費電流に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルを第5記憶手段に記憶させ、
    前記有機ELパネルの消費電流を検出し、
    前記消費電流検出手段により検出される消費電流量に応じて前記第5記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項26ないし46の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  48. 前記第5記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)を、前記消費電流量が多いほど大きくなるように設定することを特徴とする請求項47記載の有機ELパネルの駆動方法。
  49. 前記前記有機ELパネルに電源が投入された時点からの経過時間に応じて、前記温度検出手段によって検出される温度データを補正するオフセットデータ(α)のテーブルを第6記憶手段記憶させ、
    前記有機ELパネルに電源が投入された時点からの経過時間を計時し、
    前記計時された経過時間に応じて前記第6記憶手段よりオフセットデータ(α)を読出し、前記温度検出手段によって検出される温度データ(T)を、(T+α)に補正することを特徴とする請求項26ないし44の何れかに記載の有機ELパネルの駆動方法。
  50. 前記第6記憶手段に記憶されるオフセットデータ(α)を、前記経過時間が長いほど大きくなるように設定することを特徴とする請求項49記載の有機ELパネルの駆動方法。
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