JP2014072440A - Semiconductor device manufacturing method and adhesive sheet - Google Patents

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Daisuke Uenda
大介 宇圓田
Atsushi Ishii
淳 石井
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which enables a semiconductor device to be simply manufactured when the semiconductor device is manufactured by mounting a work on wiring formed on a base and subsequently separating the work with the wiring from the base.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device comprises: a process of preparing an adhesive sheet which has a first adhesive layer and a second layer having an adhesive force after being attached to a base, which is lower than that of the first adhesive layer, in which a peripheral part is formed by the first adhesive layer and a central part inside the peripheral part is formed by the second layer; a process of laminating the adhesive sheet on the base; a process of forming wiring on the adhesive sheet; a process of mounting a work on the wiring; and a process of separating from the base, the work with the wiring by slitting the adhesive sheet from the work side to reach the central part of the adhesive sheet after being mounted.

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、及び、接着シートに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive sheet.

従来、半導体装置の製造工程において、台座上にデバイスを仮固定した後、デバイスに対して所定の処理を行い、その後、台座を分離するといった工程が行なわれることがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。   Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process, after a device is temporarily fixed on a pedestal, a predetermined process is performed on the device, and then a pedestal is separated (for example, Patent Document 1, Patent Document 2).

特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。特許文献１には、第１基板と第２基板とが接着した状態で希望する処理工程を行い、その後、第１基板と第２基板とを分離することが開示されている。分離においては、まず、エッジボンドを溶媒に溶解するか、レーザー切断した後、低機械力を加えることにより第１基板と第２基板とを分離している。   In Patent Document 1, a device wafer as a first substrate and a carrier substrate as a second substrate are pressure-bonded through a filling layer that does not form a strong adhesive bond, and a bonding material is filled into the periphery of the filling layer. A method of forming an edge bond by curing and bonding the first substrate and the second substrate is disclosed. Patent Document 1 discloses that a desired processing step is performed in a state where the first substrate and the second substrate are bonded, and then the first substrate and the second substrate are separated. In the separation, first, the first substrate and the second substrate are separated by dissolving the edge bond in a solvent or laser cutting and then applying a low mechanical force.

また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合してなる積層体を提供し、前記積層体を、前記接合層を軟化させるのに十分な温度に暴露し、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離することを含むウエハの接合方法が開示されている。   Patent Document 2 discloses a bonding composition layer containing a compound selected from the group consisting of oligomers and polymers, selected from the group consisting of polymers and oligomers of imides, amidoimides and amidoimide-siloxanes. A laminated body formed by bonding the first substrate and the second substrate, exposing the laminated body to a temperature sufficient to soften the bonding layer, and A method for bonding a wafer including separating a second substrate is disclosed.

一方、従来、チップを外部の配線に接続（実装）する方法として、該チップの電極位置に配線の特定部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。外部の配線とは、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などに形成されている配線等、チップとは別に形成されている配線である。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある。   On the other hand, conventionally, as a method for connecting (mounting) a chip to an external wiring, a method (for example, flip chip bonding) in which a specific portion of the wiring is made to correspond to an electrode position of the chip and the both are connected is used. ing. External wiring is wiring formed separately from the chip, such as wiring formed on a package circuit board that is sealed together with the chip, or a general circuit board on which many other elements are mounted. is there. In some cases, a flexible printed circuit board with contacts called an interposer is interposed between the chip and the package circuit board.

前記のようなインターポーザなどのフレキシブルな配線回路基板は、そのフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。よって、従来では、まず、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を持った該配線回路基板とし、工程での取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、剛体であるチップが実装された後に金属支持基板を除去するといった方法が用いられている。   Such a flexible printed circuit board such as an interposer is not easy to handle in a manufacturing process such as chip mounting because of its flexible nature. Therefore, conventionally, first, a flexible printed circuit board is formed on a metal support board to obtain a wired circuit board having appropriate rigidity, and chip mounting is performed with improved handling in the process. A method of removing a metal support substrate after a certain chip is mounted is used.

従来では、上記説明のとおり、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、チップ実装された後に金属支持基板を除去するといった加工を行っている。ここで、金属支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、チップ実装の後、該金属支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。しかしながら、エッチングによって金属支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、製造コストが高くなっていることも問題があった。   Conventionally, as described above, a flexible printed circuit board is formed on a metal support substrate, and after the chip is mounted, the metal support substrate is removed. Here, the metal support substrate and the printed circuit board are formed as an integral inseparable laminate, and etching is used to remove the metal support substrate after chip mounting. However, since there is a process of removing the metal support substrate by etching, the manufacturing process such as application and removal of the resist is complicated, and the manufacturing cost is also high.

特表２０１１−５１０５１８号公報Special table 2011-510518 gazette 特表２０１０−５３１３８５号公報Special table 2010-53385 gazette

そこで、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献１で開示されているような充填層及びエッジボンドを利用して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。また、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献２で開示されているような接合用組成物層を介して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。   In view of this, there has been considered a method in which a metal supporting board and a printed circuit board are bonded using a filling layer and an edge bond as disclosed in Patent Document 1 and are peeled after chip mounting. Moreover, the metal support board | substrate and the wiring circuit board were adhere | attached through the composition layer for joining which is disclosed by patent document 2, and the method of peeling after chip mounting was considered.

特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、溶液状の材料をスピンコート等により一方の基板に塗布して形成されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１００μｍ程度の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が荒くなり、所望の接着力が得られない場合があるといった問題がある。また、特に、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半は、基板外に飛散するため、材料が無駄になるといった問題がある。また、材料が、接着用の粘度の高いものであるため、飛散した材料によるスピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要するといった問題がある。   The filling layer described in Patent Document 1 and the bonding composition layer described in Patent Document 2 are formed by applying a solution-like material to one substrate by spin coating or the like. However, when a layer having a thickness of about 100 μm necessary for adhesion is formed by coating, there is a problem that the coated surface generally becomes rough and a desired adhesion force may not be obtained. In particular, when applying by spin coating, most of the material scatters out of the substrate, causing a problem that the material is wasted. Further, since the material has a high viscosity for bonding, there is a problem that it takes labor to remove the contamination of the spin coater due to the scattered material.

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。   The inventors of the present application have found that the above-mentioned problems can be solved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.

すなわち、第１の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。 That is, the method for manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on a wiring.
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed of a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed of the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
And a step of separating the work with wiring from the pedestal by cutting from the work side until reaching the center of the adhesive sheet after the mounting.

前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、第２の層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、第２の層のみを介して対向することとなる。その結果、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。なお、本発明において、台座に貼り付けた後の第１接着剤層の接着力、及び、第２の層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。例えば、台座に貼り付けた後にイミド化や熱硬化等を行なうことにより、第１接着剤層や第２の層の接着力が台座に貼り付ける前後で変化する場合には、台座に貼り付けた後の状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における第１接着剤層や第２の層の、シリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。また、本発明において、ワークとは、回路が形成されていないウエハ、回路が形成されているウエハ、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップ（回路が形成されている個片化されたウエハ）を含む。なかでも、本発明のワークは、回路が形成されていない個片化されたウエハ、又は、半導体チップであることが好ましい。なお、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップは、チップ状ワークとも呼ぶ。 According to the said structure, an adhesive sheet is bonded together to a base, and wiring is formed on the said adhesive sheet after bonding to the said base. Thereafter, a work is mounted on the wiring, and after the mounting, the work with wiring is separated from the pedestal. Since the said adhesive sheet is a sheet form, it can be simply used only by bonding together to a base. In addition, since a sheet-like adhesive sheet is used, the material is not wasted like spin coating. Further, since the adhesive sheet is separately prepared, it is possible to prepare a sheet having a uniform sheet surface. As described above, according to the above configuration, the sheet-like adhesive sheet is used when the semiconductor device is manufactured by separating the workpiece with wiring from the pedestal after mounting the workpiece on the wiring formed on the pedestal. The semiconductor device can be easily manufactured without wasting materials.
In addition, since the peripheral portion of the adhesive sheet is formed by the first adhesive layer, and the central portion inside the peripheral portion is formed by the second layer, the workpiece is mounted on the wiring. When the cut is made from the workpiece side until reaching the central portion of the adhesive sheet, the pedestal and the workpiece with wiring face each other only through the second layer. As a result, in the step of separating, the base and the work with wiring can be easily separated vertically by external force. In the present invention, the adhesive strength of the first adhesive layer and the adhesive strength of the second layer after being attached to the pedestal are the conditions of a temperature of 23 ± 2 ° C. and a peeling speed of 300 mm / min. This refers to the 90 ° peel peel force for silicon wafers. For example, when the adhesive force of the first adhesive layer or the second layer changes before and after being applied to the pedestal by applying imidization or thermosetting after being applied to the pedestal, the adhesive was applied to the pedestal. The 90 ° peel peel force of the first adhesive layer and the second layer on the silicon wafer in a later state (for example, after imidization or after thermosetting). In the present invention, the work refers to a wafer on which a circuit is not formed, a wafer on which a circuit is formed, an individual wafer on which a circuit is not formed, and a semiconductor chip (a circuit is formed). Individual wafer). Especially, it is preferable that the workpiece | work of this invention is the wafer or semiconductor chip separated into pieces in which the circuit is not formed. In addition, the wafer and the semiconductor chip which are separated into pieces with no circuit formed are also called chip-shaped workpieces.

また、第２の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。 A method for manufacturing a semiconductor device according to a second aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on a wiring.
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with the surface on the side where only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
Separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the first adhesive layer at the center after the mounting. It is characterized by.

前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、前記第１接着層と前記第２の層との積層部分のみを介して対向することとなる。このとき、前記第１接着剤層が台座に貼り合わせられており、第２の層が配線付きのワークと接している。その結果、分離する工程において、外力により、前記第２の層と前記配線との界面で容易に剥離することができる。従って、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。 According to the said structure, an adhesive sheet is bonded together to a base, and wiring is formed on the said adhesive sheet after bonding to the said base. Thereafter, a work is mounted on the wiring, and after the mounting, the work with wiring is separated from the pedestal. Since the said adhesive sheet is a sheet form, it can be simply used only by bonding together to a base. In addition, since a sheet-like adhesive sheet is used, the material is not wasted like spin coating. Further, since the adhesive sheet is separately prepared, it is possible to prepare a sheet having a uniform sheet surface. As described above, according to the above configuration, the sheet-like adhesive sheet is used when the semiconductor device is manufactured by separating the workpiece with wiring from the pedestal after mounting the workpiece on the wiring formed on the pedestal. The semiconductor device can be easily manufactured without wasting materials.
Further, a peripheral part of the adhesive sheet is formed by the first adhesive layer, and a central part inside the peripheral part is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer. Therefore, after mounting a work on the wiring, when cutting into the adhesive sheet from the work side until reaching the first adhesive layer in the center, the pedestal and the work with wiring, The first adhesive layer and the second layer are opposed to each other only through the laminated portion. At this time, the first adhesive layer is bonded to the pedestal, and the second layer is in contact with the work with wiring. As a result, in the separation step, it can be easily peeled off at the interface between the second layer and the wiring by an external force. Therefore, it is possible to easily separate the pedestal and the work with wiring vertically.

また、第３の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。 A semiconductor device manufacturing method according to a third aspect of the present invention is a semiconductor device manufacturing method having a structure in which a work is mounted on a wiring.
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with a surface opposite to the surface on which only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
A step of separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the second layer after the mounting.

前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、前記第１接着層と前記第２の層との積層部分のみを介して対向することとなる。従って、分離する工程において、外力により、前記第１接着剤層と前記第２の層との界面、又は、前記第２の層と前記台座との界面で容易に剥離することができる。その後、第１接着剤層を配線から剥離すれる。これにより、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。 According to the said structure, an adhesive sheet is bonded together to a base, and wiring is formed on the said adhesive sheet after bonding to the said base. Thereafter, a work is mounted on the wiring, and after the mounting, the work with wiring is separated from the pedestal. Since the said adhesive sheet is a sheet form, it can be simply used only by bonding together to a base. In addition, since a sheet-like adhesive sheet is used, the material is not wasted like spin coating. Further, since the adhesive sheet is separately prepared, it is possible to prepare a sheet having a uniform sheet surface. As described above, according to the above configuration, the sheet-like adhesive sheet is used when the semiconductor device is manufactured by separating the workpiece with wiring from the pedestal after mounting the workpiece on the wiring formed on the pedestal. The semiconductor device can be easily manufactured without wasting materials.
Further, a peripheral part of the adhesive sheet is formed by the first adhesive layer, and a central part inside the peripheral part is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer. Therefore, after mounting the work on the wiring, if the notch is made in the adhesive sheet from the work side until reaching the second layer, the pedestal and the work with wiring are the first adhesive layer. And the second layer are opposed to each other only through the laminated portion. Therefore, in the step of separating, it can be easily peeled off by an external force at the interface between the first adhesive layer and the second layer or the interface between the second layer and the pedestal. Thereafter, the first adhesive layer is peeled from the wiring. Thereby, it becomes possible to separate a base and a workpiece | work with wiring easily up and down.

また、本発明に係る接着シートは、前記の課題を解決するために、前記に記載の半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。   Moreover, in order to solve the said subject, the adhesive sheet which concerns on this invention is used for the manufacturing method of the semiconductor device as described above, It is characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる。   According to the present invention, when a work is mounted on the wiring formed on the pedestal and then the work with wiring is separated from the pedestal to manufacture the semiconductor device, the semiconductor device can be easily manufactured.

第１の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 1st this invention. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 8. 第２の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of 2nd this invention. 第２の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 2nd this invention. 第３の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of 3rd this invention. 第３の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the outline of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on one Embodiment of 3rd this invention.

第１の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、前記接着シート上に、配線を形成する工程と、前記配線にワークを実装する工程と、前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。   A manufacturing method of a semiconductor device according to a first aspect of the present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on a wiring, and is more pedestal than the first adhesive layer and the first adhesive layer. An adhesive sheet having a second layer having a low adhesive force after being attached, wherein a peripheral part of the adhesive sheet is formed by the first adhesive layer, and a central part inside the peripheral part A step of preparing an adhesive sheet formed by the second layer, a step of bonding the adhesive sheet to a pedestal, a step of forming a wiring on the adhesive sheet, and a work on the wiring A step of mounting, and a step of separating the workpiece with wiring from the pedestal by cutting from the workpiece side until reaching the central portion of the adhesive sheet after the mounting.

以下、第１の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。尚、第１の本発明で用いている「上面」、「下面」など、上下を示す語句は、あくまで層の位置関係を説明するためのものであって、接着シートや半導体装置の実際の上下の姿勢を限定するものではない。なお、以下の実施形態では、本発明のワークが、半導体チップである場合について説明するが、この例に限定されず、回路が形成されていないウエハであってもよく、回路が形成されているウエハであってもよく、回路が形成されていない個片化されたウエハであってもよい。図１は、第１の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図２〜図８は、第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。   Hereinafter, each process according to an embodiment of the first invention will be described with reference to the drawings. Note that the terms “upper surface”, “lower surface” and the like used in the first aspect of the present invention are only for explaining the positional relationship between layers, and are actually upper and lower of an adhesive sheet or a semiconductor device. It does not limit the attitude. In the following embodiment, the case where the workpiece of the present invention is a semiconductor chip will be described. However, the present invention is not limited to this example, and a wafer on which a circuit is not formed may be used, and a circuit is formed. It may be a wafer, or may be an individual wafer in which no circuit is formed. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment of the first invention. 2 to 8 are schematic cross-sectional views for explaining an outline of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the first invention.

［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層６０と第１接着剤層６０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層６１とを有する接着シート６であって、接着シート６の周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている接着シート６を準備する（図１参照）。 [Process for preparing adhesive sheet]
First, an adhesive sheet 6 having a first adhesive layer 60 and a second layer 61 having a lower adhesive force after being attached to the base than the first adhesive layer 60, and a peripheral portion 64 of the adhesive sheet 6. Is formed by the first adhesive layer 60, and the adhesive sheet 6 is prepared in which the central portion 63 inside the peripheral portion 64 is formed by the second layer 61 (see FIG. 1).

接着シート６では、第２の層６１と比較して接着力の高い第１接着剤層６０が周辺部に存在するため、この部分において台座、及び、配線に強固に貼り合わせることができる。接着シート６では、中央部６３が第２の層６１により形成されているため、後述する分離する工程において、周辺部６４にある第１接着剤層６０の接着力を低下させれば、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
また、中央部６３が第２の層６１により形成されており、第２の層６１も台座と接しているため、分離する工程の後に、当該接着シート６を台座から剥離しやすくなる。従って、台座を再利用しやすくなる。
また、接着シート６の周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されているため、配線上に半導体チップを実装した後、前記半導体チップ側から、接着シート６の中央部６３に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きの半導体チップとは、第２の層６１のみを介して対向することとなる。その結果、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。 In the adhesive sheet 6, the first adhesive layer 60 having a higher adhesive force than that of the second layer 61 is present in the peripheral portion. Therefore, the adhesive sheet 6 can be firmly bonded to the pedestal and the wiring in this portion. In the adhesive sheet 6, since the central portion 63 is formed by the second layer 61, if the adhesive force of the first adhesive layer 60 in the peripheral portion 64 is reduced in the separation step described later, the external force causes Thus, it is possible to easily separate the base and the semiconductor chip with wiring vertically.
Moreover, since the center part 63 is formed of the 2nd layer 61 and the 2nd layer 61 is also in contact with the base, it becomes easy to peel the said adhesive sheet 6 from a base after the process to isolate | separate. Therefore, it becomes easy to reuse the pedestal.
Further, since the peripheral portion 64 of the adhesive sheet 6 is formed by the first adhesive layer 60 and the central portion 63 inside the peripheral portion 64 is formed by the second layer 61, a semiconductor is formed on the wiring. After the chip is mounted, if the notch is made from the semiconductor chip side until it reaches the central portion 63 of the adhesive sheet 6, the pedestal and the semiconductor chip with wiring face each other only through the second layer 61. Become. As a result, in the separation step, the base and the semiconductor chip with wiring can be easily separated vertically by external force.

本実施形態において、台座に貼り付けた後の第２の層６１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層６０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層６１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層６１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、容易に台座から第２の層６１を剥離することができる。一方、第２の層６１の前記接着力は低いほど台座からの剥離が行いやすい。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層６０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層６１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層６０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層６０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、台座と接着シート６とをより強固に固定することができる。 In the present embodiment, the adhesive force of the second layer 61 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is lower than the adhesive force of the first adhesive layer 60 after being attached to the pedestal. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under the conditions of ± 2 ° C. and peel rate of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or less, and more preferably 0.20 N / 20 mm or less. Moreover, the lower limit value of the adhesive force of the second layer 61 is not particularly limited, and is, for example, 0 N / 20 mm or more, but may be 0.001 / 20 mm or more. When the adhesive force of the second layer 61 is 0.30 N / 20 mm or less, the second layer 61 can be easily peeled from the pedestal. On the other hand, the lower the adhesive strength of the second layer 61, the easier the peeling from the pedestal.
Further, the adhesive force of the first adhesive layer 60 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is higher than the adhesive force of the second layer 61 after being attached to the pedestal, but the temperature is 23 ± 2 ° C. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under the condition of a peel speed of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or more, and more preferably 0.40 N / 20 mm or more. Moreover, the upper limit of the adhesive force of the 1st adhesive bond layer 60 is not specifically limited, Although it is so preferable that it is large, For example, 30N / 20mm or less, 20N / 20mm or less, etc. can be mentioned. When the adhesive force of the first adhesive layer 60 is 0.30 N / 20 mm or more, the base and the adhesive sheet 6 can be more firmly fixed.

接着シート６の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート６の厚さが、０．１μｍ以上であると、当該接着シート６を容易に形成することができる。一方、接着シート６の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート６の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。   The thickness of the adhesive sheet 6 is preferably 0.1 to 100 μm, and more preferably 0.5 to 25 μm. When the thickness of the adhesive sheet 6 is 0.1 μm or more, the adhesive sheet 6 can be easily formed. On the other hand, when the thickness of the adhesive sheet 6 is 100 μm or less, thickness variations of the adhesive sheet 6 and shrinkage / expansion during heating can be suppressed or prevented, which is advantageous in the process of forming the wiring.

［台座に貼り合わせる工程］
接着シート６を準備する工程の後、準備した接着シート６を台座１に貼り合わせる（図２参照）。貼り合わせ方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、２０℃〜１５０℃、０．０１ＭＰａ〜１０ＭＰａ、１ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。上述したように、接着シート６は、第２の層６１と比較して接着力の高い第１接着剤層６０が下面に表出しているため、台座１に強固に貼り合わせることができる。 [Process to attach to the pedestal]
After the step of preparing the adhesive sheet 6, the prepared adhesive sheet 6 is bonded to the base 1 (see FIG. 2). The bonding method is not particularly limited, but a method by pressure bonding is preferable. The crimping is usually performed while pressing with a pressing means such as a crimping roll. The conditions for pressure bonding are preferably 20 ° C. to 150 ° C., 0.01 MPa to 10 MPa, and 1 mm / sec to 100 mm / sec. As described above, the adhesive sheet 6 can be firmly bonded to the pedestal 1 because the first adhesive layer 60 having a higher adhesive force than the second layer 61 is exposed on the lower surface.

［配線層を形成する工程］
次に、接着シート６上に、半導体チップ３の電極３１に接続し得る接続用導体部２１と配線２６を有する配線層２を、接続用導体部２１が配線層２の上面に露出するように形成する（図３参照）。配線層２は、接着シート６側に、外部と電気的な接続を行なうための外部接続用導体部２２を有する。なお、図３では、接続用導体部２１が配線層２の上面に凸状に露出している場合を示しているが、第１の本発明において接続用導体部は、配線層の上面に露出してればよく、接続用導体部の上面が、配線層の上面と面一であってもよい。接着シート６では、第１接着剤層６０が上面に表出しているため、接着シート６上に形成される配線層２を強固に固定することができる。 [Process for forming wiring layer]
Next, the wiring layer 2 having the connecting conductor portion 21 and the wiring 26 that can be connected to the electrode 31 of the semiconductor chip 3 is placed on the adhesive sheet 6 so that the connecting conductor portion 21 is exposed on the upper surface of the wiring layer 2. Form (see FIG. 3). The wiring layer 2 has an external connection conductor portion 22 for electrical connection to the outside on the adhesive sheet 6 side. FIG. 3 shows the case where the connecting conductor portion 21 is convexly exposed on the upper surface of the wiring layer 2. In the first aspect of the present invention, the connecting conductor portion is exposed on the upper surface of the wiring layer. The upper surface of the connecting conductor portion may be flush with the upper surface of the wiring layer. In the adhesive sheet 6, since the first adhesive layer 60 is exposed on the upper surface, the wiring layer 2 formed on the adhesive sheet 6 can be firmly fixed.

［半導体チップを実装する工程］
次に、図４に示すように、配線層２の接続用導体部２１と半導体チップ３の電極３１とを接続して、配線層２（配線２６）に半導体チップ３を実装する。図４では、実装後の接続用導体部２１、電極３１のそれぞれの突起を省略して示している。なお、図４では、配線層２に複数の半導体チップ３が実装される場合を示しているが、配線層に実装する半導体チップの数は、特に限定されず、１つであってもよい。 [Process for mounting semiconductor chip]
Next, as shown in FIG. 4, the connection conductor portion 21 of the wiring layer 2 and the electrode 31 of the semiconductor chip 3 are connected, and the semiconductor chip 3 is mounted on the wiring layer 2 (wiring 26). In FIG. 4, the protrusions of the connecting conductor portion 21 and the electrode 31 after mounting are omitted. 4 shows a case where a plurality of semiconductor chips 3 are mounted on the wiring layer 2, the number of semiconductor chips mounted on the wiring layer is not particularly limited, and may be one.

次に、図５に示すように、必要に応じて、半導体チップ３を覆うように樹脂３２による樹脂封止を行なう。樹脂封止に用いる樹脂３２は、従来公知のもの等を適宜用いることができ、樹脂封止方法についても、従来公知の方法を採用することができる。   Next, as shown in FIG. 5, resin sealing with a resin 32 is performed to cover the semiconductor chip 3 as necessary. As the resin 32 used for resin sealing, a conventionally known one or the like can be appropriately used, and a conventionally known method can also be adopted as a resin sealing method.

［台座から分離する工程］
次に、図６に示すように、半導体チップ３側から、接着シート６の中央部６３に達するまで切り込み６５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第２の層６１のみを介して対向することとなる。その後、外力を加えることにより、図７に示すように、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離する。この際、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、比較的接着力の低い第２の層６１のみを介して対向しているため、外力により、容易に台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。切り込みの形成方法としては、従来公知の方法等を採用することができ、カッター等の刃物やレーザー等による高エネルギー線を用いることができる。 [Process to separate from the base]
Next, as shown in FIG. 6, a notch 65 is made from the semiconductor chip 3 side until the central portion 63 of the adhesive sheet 6 is reached. At this time, the resin 32 and the wiring layer 2 are simultaneously cut. As a result, the base 1 and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 face each other only through the second layer 61. Thereafter, by applying an external force, the base 1 and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 are separated vertically as shown in FIG. At this time, since the pedestal 1 and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 are opposed to each other only through the second layer 61 having a relatively low adhesive force, the pedestal 1 and the wiring layer 2 are easily attached by an external force. The semiconductor chip 3 can be separated vertically. As a method for forming the cut, a conventionally known method or the like can be adopted, and a cutting tool such as a cutter or a high energy beam by a laser or the like can be used.

その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図８参照）。なお、台座１を剥離した配線層２に対して、ハンダボールを付与するといった加工を施してもよい。   Thereafter, the semiconductor device 4 in which the semiconductor chip 3 is mounted on the wiring layer 2 is obtained by cutting as necessary (see FIG. 8). In addition, you may give the process of providing a solder ball with respect to the wiring layer 2 which peeled the base 1. FIG.

以上、第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明した。以下、図９〜図１６を参照しながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。図９〜図１６は、図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。   The outline of the method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the first aspect of the present invention has been described above. Hereinafter, an example of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 16 are schematic cross-sectional views for explaining in detail an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.

〔接着シートを有する台座の準備〕
まず、台座１を準備する（図９参照）。台座１は、一定以上の強度を有することが好ましい。 [Preparation of pedestal with adhesive sheet]
First, the base 1 is prepared (see FIG. 9). The pedestal 1 preferably has a certain strength or more.

台座１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。   The pedestal 1 is not particularly limited, and examples thereof include compound wafers such as silicon wafers, SiC wafers, and GaAs wafers, glass wafers, metal foils such as SUS, 6-4 Alloy, Ni foil, and Al foil. In the case of adopting a round shape in plan view, a silicon wafer or a glass wafer is preferable. Moreover, when it is a rectangle by planar view, a SUS board or a glass plate is preferable.

また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。   Moreover, as the base 1, for example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, etc. Polyolefin, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene -Hexene copolymers, polyesters such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide Polyphenyl sulphates id, aramid (paper), can be glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, also possible to use paper or the like.

台座１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。   The pedestal 1 may be used alone or in combination of two or more. Although the thickness of a base is not specifically limited, For example, it is about 10 micrometers-about 20 mm normally.

次に、台座１上に接着シート６を貼り合わせる。接着シート６は、すでに説明した通り、周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている。   Next, the adhesive sheet 6 is bonded onto the base 1. As described above, the peripheral portion 64 of the adhesive sheet 6 is formed of the first adhesive layer 60, and the central portion 63 inside the peripheral portion 64 is formed of the second layer 61.

第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物としては、第１接着剤層６０の接着力が、第２の層６１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。このような第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したもの等を挙げることができる。   The adhesive composition constituting the first adhesive layer 60 is not particularly limited as long as it is selected so that the adhesive force of the first adhesive layer 60 is higher than the adhesive force of the second layer 61. Examples of the adhesive composition constituting the first adhesive layer 60 include a polyimide resin having an imide group and a structural unit derived from a diamine having an ether structure at least partially, Examples thereof include polyamic acid as a precursor, a silicone resin, and a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin.

前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。   The polyimide resin can be generally obtained by imidizing (dehydrating and condensing) a polyamic acid that is a precursor thereof. As a method for imidizing the polyamic acid, for example, a conventionally known heat imidization method, azeotropic dehydration method, chemical imidization method and the like can be employed. Of these, the heating imidization method is preferable. When the heat imidization method is employed, it is preferable to perform heat treatment under a nitrogen atmosphere or an inert atmosphere such as a vacuum in order to prevent deterioration of the polyimide resin due to oxidation.

前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。   The polyamic acid is charged in an appropriately selected solvent such that an acid anhydride and a diamine (including both a diamine having an ether structure and a diamine not having an ether structure) have a substantially equimolar ratio. Can be obtained by reaction.

前記ポリイミド樹脂は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、第１接着剤層６０を加熱すると、接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、加熱されることにより、前記エーテル構造が第１接着剤層５０を構成する樹脂から脱離し、この脱離により接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が第１接着剤層６０を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ−ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ ｔｒａｎｓｆｏｒｍ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００〜３０００ｃｍ−１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。 The polyimide resin preferably has a structural unit derived from a diamine having an ether structure. The diamine having an ether structure is not particularly limited as long as it is a compound having an ether structure and having at least two terminals having an amine structure. Among the diamines having an ether structure, a diamine having a glycol skeleton is preferable. When the polyimide resin has a structural unit derived from a diamine having an ether structure, particularly a structural unit derived from a diamine having a glycol skeleton, heating the first adhesive layer 60 reduces the adhesive force. be able to. With respect to this phenomenon, the present inventors have inferred that the ether structure is detached from the resin constituting the first adhesive layer 50 by heating, and the adhesion is reduced due to the removal.
Note that the ether structure or the glycol skeleton is detached from the resin constituting the first adhesive layer 60, for example, FT-IR (fourier transform infrastructure) before and after heating at 300 ° C. for 30 minutes. (spectroscopic) spectra are compared, and it can be confirmed that the spectrum of 2800 to 3000 cm −1 decreases before and after heating.

前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。   Examples of the diamine having a glycol skeleton include a polypropylene glycol structure and a diamine having one amino group at each end, a polyethylene glycol structure, and one amino group at each end. Examples thereof include a diamine having a polytetramethylene glycol structure and a diamine having an alkylene glycol such as a diamine having one amino group at each end. Moreover, the diamine which has two or more of these glycol structures and has one amino group in both the ends can be mentioned.

前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する第１接着剤層６０をえやすい。   The molecular weight of the diamine having an ether structure is preferably in the range of 100 to 5000, and more preferably 150 to 4800. When the molecular weight of the diamine having an ether structure is in the range of 100 to 5000, it is easy to obtain the first adhesive layer 60 having high adhesive strength at low temperatures and exhibiting peelability at high temperatures.

前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。   In the formation of the polyimide resin, a diamine having no ether structure can be used in combination with a diamine having an ether structure. Examples of the diamine having no ether structure include aliphatic diamines and aromatic diamines. By using a diamine having no ether structure in combination, the adhesion with the adherend can be controlled. The mixing ratio of the diamine having an ether structure and the diamine having no ether structure is preferably in the range of 100: 0 to 10:90, more preferably 100: 0 to 20: in terms of molar ratio. 80, more preferably 99: 1 to 30:70. When the mixing ratio of the diamine having an ether structure and the diamine having no ether structure is within a range of 100: 0 to 10:90 in terms of molar ratio, the thermal peelability at a high temperature is excellent.

前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。   Examples of the aliphatic diamine include ethylenediamine, hexamethylenediamine, 1,8-diaminooctane, 1,10-diaminodecane, 1,12-diaminododecane, 4,9-dioxa-1,12-diaminododecane, , 3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (α, ω-bisaminopropyltetramethyldisiloxane) and the like. The molecular weight of the aliphatic diamine is usually 50 to 1,000,000, preferably 100 to 30,000.

芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。   Examples of the aromatic diamine include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, and 4,4′-diaminodiphenylpropane. 3,3′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) -2,2- Dimethylpropane, 4,4'-diaminobenzophenone, etc. It is. The molecular weight of the aromatic diamine is usually 50 to 1000, preferably 100 to 500. The molecular weight of the aliphatic diamine and the molecular weight of the aromatic diamine are values measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene (weight average molecular weight).

前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the acid anhydride include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 2,2-bis (2, 3-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA), bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride Bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone Anhydride, pyromellitic dianhydride, ethylene glycol bis trimellitic dianhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。   Examples of the solvent for reacting the acid anhydride with the diamine include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, and cyclopentanone. These may be used alone or in combination. Further, in order to adjust the solubility of raw materials and resins, a nonpolar solvent such as toluene or xylene may be appropriately mixed and used.

前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。   Examples of the silicone resin include peroxide cross-linked silicone pressure-sensitive adhesives, addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesives, dehydrogenation reaction type silicone pressure-sensitive adhesives, and moisture-curing type silicone pressure-sensitive adhesives. The said silicone resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. When the silicone resin is used, the heat resistance becomes high, and the storage elastic modulus and adhesive strength at high temperatures can be appropriate values. Among the silicone resins, addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesives are preferable in terms of few impurities.

第１接着剤層６０に前記シリコーン樹脂を用いる場合、第１接着剤層６０には、必要に応じて、他の添加剤を含有し得る。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。   When the silicone resin is used for the first adhesive layer 60, the first adhesive layer 60 may contain other additives as necessary. Examples of such other additives include flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. Such other additives may be only one kind or two or more kinds.

第２の層６１を構成する組成物としては、第２の層６１の接着力が、第１接着剤層６０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。このような第２の層６１を構成する材料としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ等の無機材料を挙げることができる。   The composition constituting the second layer 61 is not particularly limited as long as it is selected so that the adhesive force of the second layer 61 is lower than the adhesive force of the first adhesive layer 60. Examples of the material constituting the second layer 61 include inorganic materials such as Cu, Cr, Ni, and Ti.

また、第２の層６１を構成する組成物としては、前記第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物として説明した前記ポリイミド樹脂を用いてもよく、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を用いてもよく、前記シリコーン樹脂を用いてもよく、前記熱可塑性樹脂と前記熱硬化性樹脂とを併用したものを用いてもよい。   Further, as the composition constituting the second layer 61, the polyimide resin described as the adhesive composition constituting the first adhesive layer 60 may be used, and the polyamide which is a precursor of the polyimide resin An acid may be used, the silicone resin may be used, or a combination of the thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used.

（接着シートの製造）
接着シート６は、例えば、次の通りにして作製される。まず、第２の層６１を形成するための組成物を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第２の層６１とする。前記基材としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。 (Manufacture of adhesive sheets)
The adhesive sheet 6 is produced as follows, for example. First, a solution containing a composition for forming the second layer 61 is prepared. Next, the solution is applied on a substrate to have a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions to form the second layer 61. Examples of the base material include metal foil such as SUS304, 6-4 alloy, aluminum foil, copper foil, Ni foil, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, fluorine-based release agent, and long-chain alkyl acrylate release agent. A plastic film, paper, or the like whose surface is coated with a release agent such as, can be used. Moreover, it does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, spin coat coating etc. are mentioned.

次に、第２の層６１側から打ち抜き加工等により、所定の形状（例えば、円形、矩形等）に打ち抜き、打ち抜いた部分（円形状、矩形状等の第２の層６１）を残して、外側を剥離して取り除く。   Next, by punching from the second layer 61 side or the like, punching into a predetermined shape (for example, circular, rectangular, etc.), leaving a punched portion (second layer 61 of circular shape, rectangular shape, etc.) Remove the outside.

一方、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を作製する。   On the other hand, a solution containing a composition for forming the first adhesive layer 60 is prepared.

次に、所定の形状に打ち抜かれた第２の層６１が積層されている前記基材の上に、前記の第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を第２の層６１の側に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成する。その後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第１接着剤層６０とする。以上より、図１に示されるような接着シート６が得られる。なお、後述する図１７に示されるような接着シート７も同様の方法により作成することができる。   Next, a solution containing a composition for forming the first adhesive layer 60 is formed on the base material on which the second layer 61 punched into a predetermined shape is laminated. A coating film is formed by applying a predetermined thickness on the 61 side. Thereafter, the coating film is dried under predetermined conditions to form the first adhesive layer 60. From the above, an adhesive sheet 6 as shown in FIG. 1 is obtained. In addition, the adhesive sheet 7 as shown in FIG. 17 to be described later can also be created by the same method.

［台座に貼り合わせる工程］
接着シート６を準備する工程の後、準備した接着シート６を台座１に貼り合わせる（図９参照）。 [Process to attach to the pedestal]
After the step of preparing the adhesive sheet 6, the prepared adhesive sheet 6 is bonded to the base 1 (see FIG. 9).

〔配線層の形成〕
次に、台座１の接着シート６上に配線層２を形成する。接着シートを有する台座上に配線層を形成する方法には、セミアディティブ法や、サブトラクティブ法など、従来公知の回路基板やインターポーザの製造技術を適用してもよい。台座上に配線層を形成することにより、製造工程中、寸法安定性が良好となり、また、薄い配線層の取り扱い性が良好となる。以下、配線層の形成方法の一例を示す。なお、図１０〜図１６では、１の半導体チップに対応する部分のみを図示し、その他を省略しているが、他の半導体チップに対応する部分も同様である。 [Formation of wiring layer]
Next, the wiring layer 2 is formed on the adhesive sheet 6 of the base 1. Conventionally known circuit board and interposer manufacturing techniques such as a semi-additive method and a subtractive method may be applied to the method of forming the wiring layer on the base having the adhesive sheet. By forming the wiring layer on the pedestal, the dimensional stability becomes good during the manufacturing process, and the handling property of the thin wiring layer becomes good. Hereinafter, an example of a method for forming a wiring layer will be described. 10 to 16, only the portion corresponding to one semiconductor chip is shown and the others are omitted, but the portions corresponding to other semiconductor chips are the same.

〔ベース絶縁層の形成〕
図１０に示すように、ベース絶縁層２０ａを台座１の接着シート６上に形成する。ベース絶縁層２０ａの材料としては、特に限定はされないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、並びに、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２や鉱物、粘土などの微粒子との複合した樹脂などが挙げられる。特に、台座１を剥離した後、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルな絶縁層となる点からは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂が好ましい材料として挙げられる。なかでも、感光性を有するものが好ましい。ベース絶縁層２０ａの厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。 [Formation of base insulating layer]
As shown in FIG. 10, the base insulating layer 20 a is formed on the adhesive sheet 6 of the base 1. The material of the base insulating layer 20a is not particularly limited. For example, polyimide resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, epoxy resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polyvinyl chloride resin, etc. Known synthetic resins, and those resins and synthetic fiber cloths, glass cloths, glass nonwoven cloths, and composite resins of fine particles such as TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , minerals, and clays. In particular, after the base 1 is peeled off, a polyimide resin, an epoxy resin, and a glass are used from the viewpoint of becoming a flexible insulating layer that is thinner, has higher mechanical strength, and has more preferable electrical characteristics (insulating characteristics, etc.). A cloth composite epoxy resin is mentioned as a preferable material. Among them, those having photosensitivity are preferable. The base insulating layer 20a preferably has a thickness of 0.1 to 50 μm.

次に、外部接続用導体部２２を形成すべき位置に、開口ｈ１を形成する（図１１参照）。開口ｈ１の形成方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、感光性を有する樹脂を用いてベース絶縁層２０ａを形成した場合、開口ｈ１に対応するパターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射した後、現像することにより、開口ｈ１を形成することができる。開口形状は特に限定されないが、円形が好ましく、直径も適宜設定可能であるが、例えば、１．０μｍ〜５００μｍとすることができる。   Next, an opening h1 is formed at a position where the external connection conductor portion 22 is to be formed (see FIG. 11). As a method for forming the opening h1, a conventionally known method can be employed. For example, when the base insulating layer 20a is formed using a resin having photosensitivity, the opening h1 is formed by irradiating light through a photomask in which a pattern corresponding to the opening h1 is formed and then developing. be able to. The opening shape is not particularly limited, but a circular shape is preferable, and the diameter can also be set as appropriate, but can be set to, for example, 1.0 μm to 500 μm.

〔接点用の金属膜の形成〕
次に、開口ｈ１に接点用の金属膜２１１を形成する（図１２参照）。金属膜２１１を形成することにより、電気的な接続をより好ましく行い、耐食性を高めることができる。金属膜２１１の形成方法は特に限定されないが、めっきが好ましく、該金属膜の材料としては、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが挙げられる。これらの中でも好ましい材料としては、金、錫、ニッケルなどが挙げられ、下地層をＮｉとし、表層をＡｕとする２層構造などが好ましい金属膜の態様として挙げられる。 [Formation of metal film for contact]
Next, a contact metal film 211 is formed in the opening h1 (see FIG. 12). By forming the metal film 211, electrical connection can be performed more favorably and corrosion resistance can be improved. The formation method of the metal film 211 is not particularly limited, but plating is preferable, and the material of the metal film is copper, gold, silver, platinum, lead, tin, nickel, cobalt, indium, rhodium, chromium, tungsten, ruthenium, etc. These single metals or alloys composed of two or more of these may be mentioned. Among these, preferable materials include gold, tin, nickel, and the like. A preferable example of the metal film includes a two-layer structure in which the base layer is Ni and the surface layer is Au.

〔種膜、下側の導通路、導体層の形成〕
次に、必要に応じて、導体層２３、及び、導通路２５となるべきとなるべき部分の壁面に金属材料を良好に堆積させるための種膜（金属薄膜）２３ａを形成する（図１３参照）。種膜２３ａは、例えば、スパッタリングによって形成することができる。種膜の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが用いられる。導体層２３の厚さは、特に限定はされないが、１〜５００ｎｍの範囲で適宜選択すればよい。また、導通路２５は円柱状が好ましい形状であって、その直径は１．０〜５００μｍ、好ましくは、３．０〜３００μｍである。その後、所定の配線パターンを有する導体層２３、導通路２５を形成する。配線パターンは、例えば、電解めっきにより形成することができる。その後、導体層２３の無い部分の種膜を除去する。 [Formation of seed film, lower conductive path, conductor layer]
Next, if necessary, a seed film (metal thin film) 23a is formed for satisfactorily depositing a metal material on the conductor layer 23 and the wall surface of the portion that should be the conduction path 25 (see FIG. 13). ). The seed film 23a can be formed by sputtering, for example. As a material for the seed film, for example, a single metal such as copper, gold, silver, platinum, lead, tin, nickel, cobalt, indium, rhodium, chromium, tungsten, ruthenium, or an alloy composed of two or more of these is used. It is done. The thickness of the conductor layer 23 is not particularly limited, but may be appropriately selected within a range of 1 to 500 nm. Further, the conducting path 25 is preferably in a columnar shape, and the diameter thereof is 1.0 to 500 μm, preferably 3.0 to 300 μm. Thereafter, a conductor layer 23 and a conduction path 25 having a predetermined wiring pattern are formed. The wiring pattern can be formed by, for example, electrolytic plating. Thereafter, the seed film in the portion without the conductor layer 23 is removed.

次に、図１４に示すように、導体層２３の上をめっきレジストｒ１にて覆い（導通路を形成すべき部分は除く）、かつ、台座１の下面を全面的にレジストｒ２にて覆い、電解めっきにより、導通路２４を形成する。導体層２３、導通路２４、及び、導通路２５は、回路２６（図５参照）に相当する。   Next, as shown in FIG. 14, the conductor layer 23 is covered with a plating resist r1 (except for a portion where a conduction path is to be formed), and the lower surface of the base 1 is entirely covered with a resist r2. The conductive path 24 is formed by electrolytic plating. The conductor layer 23, the conduction path 24, and the conduction path 25 correspond to the circuit 26 (see FIG. 5).

〔接着剤層の形成〕
次に、めっきレジストｒ１、ｒ２を除去し、露出した導体層２３および導通路２４を埋没させるように、エポキシ及びポリイミドを主成分とする接着剤層２０ｂを形成し、導通路２４の上端面が端子部として接着層上面に露出するように、該接着層をアルカリ性溶液などにてエッチングする（図１５参照）。 (Formation of adhesive layer)
Next, the plating resists r1 and r2 are removed, and an adhesive layer 20b mainly composed of epoxy and polyimide is formed so as to bury the exposed conductor layer 23 and the conduction path 24. The upper end surface of the conduction path 24 is The adhesive layer is etched with an alkaline solution or the like so as to be exposed on the upper surface of the adhesive layer as a terminal portion (see FIG. 15).

〔接続用導体部の端面への金属膜の形成〕
次に、図１６に示すように、導通路２４の上端面に、例えば、電解めっきにより、接続用導体部２１を形成する。接続用導体部２１は、例えば、ニッケル膜、金膜等により、形成することができる。 [Formation of metal film on end face of connecting conductor]
Next, as shown in FIG. 16, the connecting conductor portion 21 is formed on the upper end surface of the conduction path 24 by, for example, electrolytic plating. The connecting conductor portion 21 can be formed of, for example, a nickel film or a gold film.

〔実装工程、剥離工程、ダイシング〕
次に、上記で得た配線層２（台座１が剥離可能に付いたもの）に対して、チップを実装する（図４参照）。その後、接着剤層２０ｂのエージングを行い、さらに、必要に応じて配線層２上の各チップ３に樹脂封止を施す（図５参照）。なお、樹脂封止には、シート状の封止用樹脂シートを用いてもよく、液状の樹脂封止材を用いてもよい。その後、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する（図７参照）。なお、樹脂封止を行なわなかった場合には、樹脂封止されていない配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図８参照）。なお、配線層２に対して、チップを実装する（フリップチップ接続）際には、配線層２とチップの間にアンダーフィル用の樹脂を用いてもよい。アンダーフィル用の樹脂は、シート状のものであってもよく、液状のものであってもよい。また、上述した実施形態では、チップを実装後、樹脂封止を施す場合について説明したが、樹脂封止する代わりに、チップ上に従来公知のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが形成されたものを用いてもよい。前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続されたチップ（半導体素子）の裏面に形成するためのフィルムであり、詳細は、例えば、特開２０１１−２４９７３９号公報等に開示されているため、ここでの説明は省略する。 [Mounting process, peeling process, dicing]
Next, a chip is mounted on the wiring layer 2 obtained above (with the pedestal 1 attached in a peelable manner) (see FIG. 4). Thereafter, aging of the adhesive layer 20b is performed, and further, resin sealing is performed on each chip 3 on the wiring layer 2 as necessary (see FIG. 5). For resin sealing, a sheet-like sealing resin sheet may be used, or a liquid resin sealing material may be used. Thereafter, the resin-sealed semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 is separated from the base 1 (see FIG. 7). When the resin sealing is not performed, the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 that is not resin sealed is separated from the base 1. Thereafter, the semiconductor device 4 in which the semiconductor chip 3 is mounted on the wiring layer 2 is obtained by cutting as necessary (see FIG. 8). In mounting a chip on the wiring layer 2 (flip chip connection), an underfill resin may be used between the wiring layer 2 and the chip. The underfill resin may be a sheet or a liquid. In the above-described embodiment, the case where the resin sealing is performed after the chip is mounted has been described. Instead of the resin sealing, a conventionally known flip chip type semiconductor back film is formed on the chip. It may be used. The flip-chip type semiconductor back film is a film for forming on the back surface of a chip (semiconductor element) flip-chip connected on an adherend, and details are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-249739. Since it is disclosed, a description thereof is omitted here.

以上、第１の本発明に係る一実施形態について説明した。次に、第２の本発明について説明する。   The embodiment according to the first aspect of the present invention has been described above. Next, the second present invention will be described.

第２の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。 A method for manufacturing a semiconductor device according to a second aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having a structure in which a workpiece is mounted on a wiring.
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with the surface on the side where only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
After the mounting, at least a step of separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the first adhesive layer in the central portion. .

以下、第２の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。ただし、以下に説明する第２の本発明に係る実施形態では、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外は、上述した第１の本発明に係る実施形態と共通するので、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外について説明し、それ以外は省略することとする。図１７は、第２の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図１８は、第２の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。   Hereinafter, each process according to an embodiment of the second invention will be described with reference to the drawings. However, in the embodiment according to the second aspect of the present invention described below, the steps according to the first aspect of the present invention described above except for the step of preparing the adhesive sheet, the step of bonding to the pedestal, and the step of separating from the pedestal. Since it is common with the form, the process other than the process of preparing the adhesive sheet, the process of bonding to the pedestal, and the process of separating from the pedestal will be described, and the rest will be omitted. FIG. 17: is a cross-sectional schematic diagram which shows the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of 2nd this invention. FIG. 18 is a schematic cross-sectional view for explaining the outline of the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment of the second invention.

［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層７０と第１接着剤層７０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層７１とを有する接着シート７であって、接着シート７の周辺部７４が第１接着剤層７０により形成されており、周辺部７４よりも内側の中央部７３が、第１接着剤層７０と第２の層７１との積層により形成されている接着シートを準備する（図１７参照）。 [Process for preparing adhesive sheet]
First, an adhesive sheet 7 having a first adhesive layer 70 and a second layer 71 having a lower adhesive force after being attached to the base than the first adhesive layer 70, and a peripheral portion 74 of the adhesive sheet 7. Is formed by the first adhesive layer 70, and an adhesive sheet is prepared in which the central portion 73 inside the peripheral portion 74 is formed by stacking the first adhesive layer 70 and the second layer 71. (See FIG. 17).

台座に貼り付けた後の第２の層７１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層７０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層７１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層７１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、分離する工程において、容易に第２の層から配線付きの半導体チップを剥離することができる。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層７０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層７１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層７０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層７０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、台座と接着シート７とをより強固に固定することができる。 The adhesive force of the second layer 71 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is lower than the adhesive force of the first adhesive layer 70 after being attached to the pedestal. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under a speed of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or less, and more preferably 0.20 N / 20 mm or less. Moreover, the lower limit value of the adhesive force of the second layer 71 is not particularly limited, and is, for example, 0 N / 20 mm or more, but may be 0.001 / 20 mm or more. When the adhesive force of the second layer 71 is 0.30 N / 20 mm or less, the semiconductor chip with wiring can be easily peeled from the second layer in the separation step.
Further, the adhesive force of the first adhesive layer 70 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is higher than the adhesive force of the second layer 71 after being attached to the pedestal, but the temperature is 23 ± 2 ° C. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under the condition of a peel speed of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or more, and more preferably 0.40 N / 20 mm or more. Moreover, the upper limit of the adhesive force of the 1st adhesive bond layer 70 is not specifically limited, Although it is so preferable that it is large, For example, 30N / 20mm or less, 20N / 20mm or less, etc. can be mentioned. When the adhesive force of the first adhesive layer 70 is 0.30 N / 20 mm or more, the base and the adhesive sheet 7 can be more firmly fixed.

接着シート７の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート７の厚さが、０．１μｍ以上であると、多層構造を容易に形成することができる。一方、接着シート７の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート７の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。   The thickness of the adhesive sheet 7 is preferably 0.1 to 100 μm, and more preferably 0.5 to 25 μm. When the thickness of the adhesive sheet 7 is 0.1 μm or more, a multilayer structure can be easily formed. On the other hand, when the thickness of the adhesive sheet 7 is 100 μm or less, the thickness variation of the adhesive sheet 7 and shrinkage / expansion during heating can be suppressed or prevented, which is advantageous in the process of forming the wiring.

第１接着剤層７０の中央部７３における厚さは、０．０１〜９９μｍであることが好ましく、０．０５〜１０μｍであることがより好ましい。   The thickness at the central portion 73 of the first adhesive layer 70 is preferably 0.01 to 99 μm, and more preferably 0.05 to 10 μm.

第２の層７１の厚さ（中央部７３での厚さ）は、０．０９〜９９．９μｍであることが好ましく、０．０５〜１５μｍであることがより好ましい。   The thickness of the second layer 71 (thickness at the central portion 73) is preferably 0.09 to 99.9 μm, and more preferably 0.05 to 15 μm.

第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的に弾性率が低いため、当該層の形成時に表面にうねりが生じやすい。このような観点からは、第１接着剤層を薄くし、第２の層を厚くすることが好ましい。一方、第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的にガラス転移温度が高いため、当該層の形成時に収縮が大きい。このような観点からは、第１接着剤層を厚くし、第２の層を薄くすることが好ましい。従って、本発明において、第１接着剤層の厚さ、及び、第２の層の厚さは、層形成時の表面のうねり、及び、層形成時の収縮量の双方を考慮して、上記数値範囲内で選択することが好ましい。   Since the first adhesive layer generally has a lower elastic modulus than the second layer, undulation is likely to occur on the surface when the layer is formed. From such a viewpoint, it is preferable to make the first adhesive layer thinner and the second layer thicker. On the other hand, since the first adhesive layer generally has a higher glass transition temperature than the second layer, the first adhesive layer has a large shrinkage when the layer is formed. From such a viewpoint, it is preferable to make the first adhesive layer thick and the second layer thin. Therefore, in the present invention, the thickness of the first adhesive layer and the thickness of the second layer are determined in consideration of both the surface undulation during the layer formation and the shrinkage during the layer formation. It is preferable to select within a numerical range.

［台座に貼り合わせる工程］
接着シート７を準備する工程の後、準備した接着シート７を、第１接着剤層７０のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図１８参照）。 [Process to attach to the pedestal]
After the step of preparing the adhesive sheet 7, the prepared adhesive sheet 7 is bonded to the base 1 with the surface on the side where only the first adhesive layer 70 is exposed as the bonding surface (see FIG. 18).

［台座から分離する工程］
台座から分離する工程では、まず、接着シート７に、半導体チップ３側から、中央部７３の第１接着剤層７０に達するまで切り込み７５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第１接着層７０と第２の層７１との積層部分のみを介して対向することとなる。このとき、第１接着剤層７０が台座１に貼り合わせられており、第２の層７１が配線層２付きの半導体チップ３と接している。その結果、分離する工程において、外力により、第２の層７１と配線層２との界面で容易に剥離することができる。従って、容易に配線層２付きの半導体チップ３を台座１から分離することが可能となる。 [Process to separate from the base]
In the step of separating from the pedestal, first, a cut 75 is made in the adhesive sheet 7 from the semiconductor chip 3 side until it reaches the first adhesive layer 70 in the central portion 73. At this time, the resin 32 and the wiring layer 2 are simultaneously cut. Thereby, the base 1 and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 are opposed to each other through only the laminated portion of the first adhesive layer 70 and the second layer 71. At this time, the first adhesive layer 70 is bonded to the base 1, and the second layer 71 is in contact with the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2. As a result, in the separation step, the separation can be easily performed at the interface between the second layer 71 and the wiring layer 2 by an external force. Therefore, the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 can be easily separated from the base 1.

以上、第２の本発明に係る一実施形態について説明した。次に、第３の本発明について説明する。   The embodiment according to the second aspect of the present invention has been described above. Next, the third aspect of the present invention will be described.

第３の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。 A method for manufacturing a semiconductor device according to a third aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device having a structure in which a workpiece is mounted on a wiring.
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with a surface opposite to the surface on which only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
After the mounting, at least a step of separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the second layer.

以下、第３の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。ただし、以下に説明する第３の本発明に係る実施形態では、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外は、上述した第１の本発明に係る実施形態と共通するので、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外について説明し、それ以外は省略することとする。図１９は、第３の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図２０は、第３の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。   Hereinafter, each process according to an embodiment of the third invention will be described with reference to the drawings. However, in the embodiment according to the third aspect of the present invention described below, the steps according to the first aspect of the present invention described above except for the step of preparing the adhesive sheet, the step of bonding to the pedestal, and the step of separating from the pedestal. Since it is common with the form, the process other than the process of preparing the adhesive sheet, the process of bonding to the pedestal, and the process of separating from the pedestal will be described, and the rest will be omitted. FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment of the third invention. FIG. 20 is a schematic cross-sectional view for explaining the outline of the manufacturing method of the semiconductor device according to the embodiment of the third aspect of the present invention.

［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層５０と第１接着剤層５０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層５１とを有する接着シート５であって、接着シート５の周辺部５４が第１接着剤層５０により形成されており、周辺部５４よりも内側の中央部５３が、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている接着シートを準備する（図１９参照）。 [Process for preparing adhesive sheet]
First, an adhesive sheet 5 having a first adhesive layer 50 and a second layer 51 having a lower adhesive force after being attached to the base than the first adhesive layer 50, the peripheral portion 54 of the adhesive sheet 5. Is prepared by the first adhesive layer 50, and an adhesive sheet is prepared in which the central portion 53 inside the peripheral portion 54 is formed by stacking the first adhesive layer 50 and the second layer 51. (See FIG. 19).

台座に貼り付けた後の第２の層５１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層５０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層５１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層５１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、分離する工程において、容易に台座１、又は、第１接着剤層５０から剥離することができる。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層５０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層５１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層５０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層５０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、周辺部５４において台座と接着シート５とをより強固に固定することができる。 The adhesive force of the second layer 51 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is lower than the adhesive force of the first adhesive layer 50 after being attached to the pedestal, but the temperature is 23 ± 2 ° C. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under a speed of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or less, and more preferably 0.20 N / 20 mm or less. Moreover, the lower limit value of the adhesive force of the second layer 51 is not particularly limited, and is, for example, 0 N / 20 mm or more, but may be 0.001 / 20 mm or more. When the adhesive force of the second layer 51 is 0.30 N / 20 mm or less, the second layer 51 can be easily peeled from the base 1 or the first adhesive layer 50 in the separation step.
Further, the adhesive force of the first adhesive layer 50 after being attached to the pedestal is not particularly limited as long as it is higher than the adhesive force of the second layer 51 after being attached to the pedestal, but the temperature is 23 ± 2 ° C. The 90 ° peel peel force for a silicon wafer under the condition of a peel speed of 300 mm / min is preferably 0.30 N / 20 mm or more, and more preferably 0.40 N / 20 mm or more. Moreover, the upper limit of the adhesive force of the 1st adhesive bond layer 50 is not specifically limited, Although it is so preferable that it is large, For example, 30N / 20mm or less, 20N / 20mm or less, etc. can be mentioned. When the adhesive force of the first adhesive layer 50 is 0.30 N / 20 mm or more, the pedestal and the adhesive sheet 5 can be more firmly fixed at the peripheral portion 54.

接着シート５の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート５の厚さが、０．１μｍ以上であると、多層構造を容易に形成することができる。一方、接着シート５の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート５の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。   The thickness of the adhesive sheet 5 is preferably 0.1 to 100 μm, and more preferably 0.5 to 25 μm. When the thickness of the adhesive sheet 5 is 0.1 μm or more, a multilayer structure can be easily formed. On the other hand, when the thickness of the adhesive sheet 5 is 100 μm or less, thickness variations of the adhesive sheet 5 and shrinkage / expansion during heating can be suppressed or prevented, which is advantageous in the process of forming the wiring.

第１接着剤層５０の中央部５３における厚さは、０．０１〜９９μｍであることが好ましく、０．０５〜１０μｍであることがより好ましい。   The thickness at the central portion 53 of the first adhesive layer 50 is preferably 0.01 to 99 μm, and more preferably 0.05 to 10 μm.

第２の層５１の厚さ（中央部５３での厚さ）は、０．０９〜９９．９μｍであることが好ましく、０．０５〜１５μｍであることがより好ましい。   The thickness of the second layer 51 (thickness at the central portion 53) is preferably 0.09 to 99.9 μm, and more preferably 0.05 to 15 μm.

第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的に弾性率が低いため、当該層の形成時に表面にうねりが生じやすい。このような観点からは、第１接着剤層を薄くし、第２の層を厚くすることが好ましい。一方、第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的にガラス転移温度が高いため、当該層の形成時に収縮が大きい。このような観点からは、第１接着剤層を厚くし、第２の層を薄くすることが好ましい。従って、本発明において、第１接着剤層の厚さ、及び、第２の層の厚さは、層形成時の表面のうねり、及び、層形成時の収縮量の双方を考慮して、上記数値範囲内で選択することが好ましい。   Since the first adhesive layer generally has a lower elastic modulus than the second layer, undulation is likely to occur on the surface when the layer is formed. From such a viewpoint, it is preferable to make the first adhesive layer thinner and the second layer thicker. On the other hand, since the first adhesive layer generally has a higher glass transition temperature than the second layer, the first adhesive layer has a large shrinkage when the layer is formed. From such a viewpoint, it is preferable to make the first adhesive layer thick and the second layer thin. Therefore, in the present invention, the thickness of the first adhesive layer and the thickness of the second layer are determined in consideration of both the surface undulation during the layer formation and the shrinkage during the layer formation. It is preferable to select within a numerical range.

［台座に貼り合わせる工程］
接着シート５を準備する工程の後、準備した接着シート５を、第１接着剤層５０のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図２０参照）。 [Process to attach to the pedestal]
After the step of preparing the adhesive sheet 5, the prepared adhesive sheet 5 is bonded to the pedestal 1 with the surface opposite to the surface on which only the first adhesive layer 50 is exposed as the bonding surface (see FIG. 20).

［台座から分離する工程］
台座から分離する工程では、まず、接着シート５に、半導体チップ３側から、第２の層５１に達するまで切り込み５５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第１接着層５０と第２の層５１との積層部分のみを介して対向することとなる。従って、分離する工程において、外力により、第１接着剤層７０と第２の層５１との界面、又は、第２の層５１と台座１との界面で容易に剥離することができる。その後、第１接着剤層５０を配線層２から剥離すれる。これにより、容易に台座と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。 [Process to separate from the base]
In the step of separating from the pedestal, first, a cut 55 is made in the adhesive sheet 5 from the semiconductor chip 3 side until reaching the second layer 51. At this time, the resin 32 and the wiring layer 2 are simultaneously cut. Thereby, the base 1 and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 are opposed to each other only through the laminated portion of the first adhesive layer 50 and the second layer 51. Therefore, in the step of separating, it can be easily peeled off at the interface between the first adhesive layer 70 and the second layer 51 or the interface between the second layer 51 and the base 1 by an external force. Thereafter, the first adhesive layer 50 is peeled off from the wiring layer 2. As a result, the base and the semiconductor chip 3 with the wiring layer 2 can be easily separated vertically.

上述した実施形態では、配線が配線層として形成されている場合について説明した。しかしながら、本発明における配線は、この例に限定されない。本発明の配線は、配線層として形成されなくてもよく、例えば、配線が単体で接着シート上に形成されていてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the wiring is formed as a wiring layer has been described. However, the wiring in the present invention is not limited to this example. The wiring of the present invention may not be formed as a wiring layer. For example, the wiring may be formed as a single piece on the adhesive sheet.

第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座（例えば、長尺の台座）に、配線層を形成し、前記配線層に複数のワークを実装し、樹脂封止を行ない、その後、裁断して複数の半導体装置を得る方法を含む。当該半導体装置の製造方法によれば、１の台座上で複数の半導体装置のための配線層を形成することができる。また、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座に、配線層を形成し、前記配線層に１のワークを実装し、樹脂封止を行なうことにより１の半導体装置を得る方法も含む。
以上、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明に係る実施形態の一例について説明したが、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されず、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。 In the semiconductor device manufacturing method according to the first, second, and third aspects of the present invention, a wiring layer is formed on a pedestal (for example, a long pedestal) having an adhesive sheet, and the wiring The method includes mounting a plurality of workpieces on a layer, performing resin sealing, and then cutting to obtain a plurality of semiconductor devices. According to the method for manufacturing a semiconductor device, wiring layers for a plurality of semiconductor devices can be formed on one pedestal. In addition, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the invention, the second aspect of the invention, and the third aspect of the invention, a wiring layer is formed on a pedestal having an adhesive sheet, and one workpiece is placed on the wiring layer. A method of obtaining one semiconductor device by mounting and resin sealing is also included.
In the above, an example of the embodiment according to the first invention, the second invention, and the third invention has been described, but the first invention, the second invention, and the third book are described. The manufacturing method of the semiconductor device in the invention is not limited to the above-described example, and can be appropriately changed within the scope of the gist of the first invention, the second invention, and the third invention.

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded.

実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
Ｄ−２０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：１９９０．８）
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン The components used in the examples will be described.
PMDA: pyromellitic dianhydride (molecular weight: 218.1)
DDE: 4,4′-diaminodiphenyl ether (molecular weight: 200.2)
D-4000: Heinzmann polyether diamine (molecular weight: 4023.5)
DMAc: N, N-dimethylacetamide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone D-2000: polyether diamine manufactured by Heinzmann (molecular weight: 1990.8)
BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride PPD: p-phenylenediamine

（実施例１）
＜第１接着剤層用溶液、第２の層用溶液の作製＞
窒素気流下の雰囲気において、９４２．１６ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中に、ポリエーテルジアミン（Ｄ−４０００）３３２．０４ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）７５．２８ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）１００ｇを７０℃で混合して反応させ、第１接着剤層用溶液（ポリアミド酸溶液Ａ）を得た。得られた第１接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
表１の配合に従った点以外は第１接着剤層用溶液と同様の方法で第２の層用溶液（ポリアミド酸溶液Ｂ）を得た。得られた第２の層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
＜円形シートの作製＞
第２の層用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシート（厚さ１００μｍ）を得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、トムソン金型にて、直径１９８ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た。なお、上記のハーフカットとは、ポリエステルフィルム及び第２の層を完全にカットし、且つ、セパレータを完全にはカットしない（セパレータの途中までカットする）態様でのカットをいう。
＜接着シート＞
円形シートのセパレータを剥離し、第１接着剤層用溶液を、直径２００ｍｍ以上、且つ、厚さ１００μｍとなるように円形シートの第２の層上に塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。乾燥させた第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、図１に示す断面形状の接着シートＡを得た。具体的に、接着シートＡ全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。第２の層の直径は１９６ｍｍ、第２の層の厚さは１００μｍであった。 Example 1
<Preparation of First Adhesive Layer Solution and Second Layer Solution>
In an atmosphere under a nitrogen stream, 342.16 g of polyetherdiamine (D-4000), 322.04 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether (DDE) in 942.16 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), And 100 g of pyromellitic dianhydride (PMDA) was mixed and reacted at 70 ° C. to obtain a first adhesive layer solution (polyamic acid solution A). The resulting first adhesive layer solution was cooled to room temperature (23 ° C.).
A second layer solution (polyamic acid solution B) was obtained in the same manner as the first adhesive layer solution except that the formulation in Table 1 was followed. The resulting second layer solution was cooled to room temperature (23 ° C.).
<Production of circular sheet>
The second layer solution is applied to a separator (long polyester film treated on one side with a silicone-based release agent: thickness 38 μm, width 250 mm), dried at 90 ° C. for 3 minutes, and the second layer is A sheet having a thickness of 100 μm was obtained.
A long polyester film (thickness 25 μm, width 250 mm) was laminated on the second layer of the obtained sheet, half-cut to a diameter of 198 mm with a Thomson mold, and punched out (punched with a Thomson mold) A circular sheet was obtained by removing the outside while leaving the inside. In addition, said half cut means the cut in the aspect which cuts a polyester film and a 2nd layer completely, and does not cut a separator completely (cut to the middle of a separator).
<Adhesive sheet>
The separator of the circular sheet was peeled off, and the first adhesive layer solution was applied on the second layer of the circular sheet so as to have a diameter of 200 mm or more and a thickness of 100 μm, and dried at 90 ° C. for 3 minutes. . A long polyester film (thickness 25 μm, width 250 mm) was laminated on the dried first adhesive layer to obtain an adhesive sheet A having a cross-sectional shape shown in FIG. Specifically, the entire adhesive sheet A had a diameter of 200 mm and a thickness of 100 μm. The diameter of the second layer was 196 mm, and the thickness of the second layer was 100 μm.

（実施例２）
＜第１接着剤層用溶液の作製＞
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤層用溶液を得た。
＜接着シートの作製＞
ＳＵＳ箔（東洋製箔（株）製、ＳＵＳ ３０４Ｈ−ＴＡ）上に、Ｃｕ膜厚が０．５μｍとなるよう、硫酸銅めっき浴によるＣｕめっきを行い、Ｃｕめっき付きＳＵＳ箔を得た。
第１接着剤層用溶液をＣｕめっき付きＳＵＳ箔に塗布し、９０℃で２分間乾燥させた。次いで、ＳＵＳ箔を剥離してＣｕめっき付きポリアミド酸層を得た。得られたＣｕめっき付きポリアミド酸層に対して、Ｃｕエッチングを行った。これにより、円形（直径１９５ｍｍ）のＣｕめっき部分を残し、他を取り除いた。以上より、図１７に示す断面形状を有する接着シートＢを得た。具体的に、接着シートＢ全体の直径１９９ｍｍ、厚さ１０μｍであった。第２の層の直径は１９５ｍｍ、第２の層の厚さは０．５μｍであった。接着シートＢの中央部における第１接着剤層の厚さは９．５μｍであった。本実施例２では、接着シートの形成時には、第１接着剤層上に、第２の層が形成された形状（第２の層の側面側には第１接着剤層が存在しない形状）となるが、第２の層が０．５μｍと薄い一方、第１接着剤層が１０μｍと厚く、また、第１接着剤層が比較的柔らかい（低弾性率である）ため、使用時には、圧力により、第２の層が第１接着剤層に埋め込まれることになる。従って、実施例２の接着シートＢは、図１９に示す断面形状を有することとなる。 (Example 2)
<Preparation of first adhesive layer solution>
A first adhesive layer solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition according to Table 1 was followed.
<Preparation of adhesive sheet>
On the SUS foil (Toyo Seikan Co., Ltd., SUS 304H-TA), Cu plating with a copper sulfate plating bath was performed so that the Cu film thickness was 0.5 μm to obtain a SUS foil with Cu plating.
The first adhesive layer solution was applied to a Cu-plated SUS foil and dried at 90 ° C. for 2 minutes. Next, the SUS foil was peeled to obtain a polyamic acid layer with Cu plating. Cu etching was performed on the obtained polyamic acid layer with Cu plating. As a result, a circular (195 mm diameter) Cu plating portion was left and the others were removed. From the above, an adhesive sheet B having a cross-sectional shape shown in FIG. 17 was obtained. Specifically, the entire adhesive sheet B had a diameter of 199 mm and a thickness of 10 μm. The diameter of the second layer was 195 mm, and the thickness of the second layer was 0.5 μm. The thickness of the 1st adhesive bond layer in the center part of the adhesive sheet B was 9.5 micrometers. In Example 2, when forming the adhesive sheet, the shape in which the second layer was formed on the first adhesive layer (the shape in which the first adhesive layer does not exist on the side surface side of the second layer) However, while the second layer is as thin as 0.5 μm, the first adhesive layer is as thick as 10 μm, and the first adhesive layer is relatively soft (low elastic modulus). The second layer will be embedded in the first adhesive layer. Therefore, the adhesive sheet B of Example 2 has the cross-sectional shape shown in FIG.

（実施例３）
＜第１接着剤層用溶液、第２の層用溶液の作製＞
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤層用溶液、及び、第２の層用溶液を得た。
＜円形シートの作製＞
第２の層用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシートを得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、トムソン金型にて、直径１９５ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た。なお、上記のハーフカットとは、ポリエステルフィルム及び第２の層を完全にカットし、且つ、セパレータを完全にはカットしない（セパレータの途中までカットする）態様でのカットをいう。
＜接着シート＞
円形シートのセパレータを剥離し、第１接着剤層用溶液を、直径２００ｍｍ以上となるように円形シートの第２の層上に塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。乾燥させた第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、図１７に示す断面形状の接着シートＣを得た。具体的に、接着シートＣ全体の直径は１９９ｍｍ、厚さは１０μｍであった。第２の層の直径は１９５ｍｍ、第２の層の厚さは２μｍであった。接着シートＣの中央部における第１接着剤層の厚さは８μｍであった。実施例３の接着シートＣは、図１７に示す断面形状を有することとなる。 (Example 3)
<Preparation of First Adhesive Layer Solution and Second Layer Solution>
A solution for the first adhesive layer and a solution for the second layer were obtained in the same manner as in Example 1 except that the formulation in Table 1 was followed.
<Production of circular sheet>
The second layer solution is applied to a separator (long polyester film treated on one side with a silicone-based release agent: thickness 38 μm, width 250 mm), dried at 90 ° C. for 3 minutes, and the second layer is The sheet | seat which has is obtained.
A long polyester film (thickness 25 μm, width 250 mm) was laminated on the second layer of the obtained sheet, half-cut with a Thomson mold to a diameter of 195 mm, and punched out (punched with a Thomson mold) A circular sheet was obtained by removing the outside while leaving the inside. In addition, said half cut means the cut in the aspect which cuts a polyester film and a 2nd layer completely, and does not cut a separator completely (cut to the middle of a separator).
<Adhesive sheet>
The separator of the circular sheet was peeled off, and the first adhesive layer solution was applied onto the second layer of the circular sheet so as to have a diameter of 200 mm or more, and dried at 90 ° C. for 3 minutes. A long polyester film (thickness 25 μm, width 250 mm) was laminated on the dried first adhesive layer to obtain an adhesive sheet C having a cross-sectional shape shown in FIG. Specifically, the diameter of the entire adhesive sheet C was 199 mm, and the thickness was 10 μm. The diameter of the second layer was 195 mm, and the thickness of the second layer was 2 μm. The thickness of the 1st adhesive bond layer in the center part of the adhesive sheet C was 8 micrometers. The adhesive sheet C of Example 3 has a cross-sectional shape shown in FIG.

（比較例１）
実施例１と同様の第１接着剤層からなる単層の接着シートＥを得た。接着シートＥは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１００μｍであった。 (Comparative Example 1)
A single-layer adhesive sheet E made of the same first adhesive layer as in Example 1 was obtained. The adhesive sheet E was circular and had a diameter of 200 mm and a thickness of 100 μm.

＜剥離力の測定＞
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように実施例１に係る組成の第１接着剤層、実施例２に係る組成の第１接着剤層、実施例３に係る組成の第１接着剤層、比較例１に係る組成の第１接着剤層をそれぞれ作成した。
実施例１〜３、比較例１に係る第１接着剤層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第１接着剤層を得た。
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように、実施例１に係る組成の第２の層、実施例３に係る組成の第２の層をそれぞれ作成した。また、ＳＵＳ箔上に、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように実施例２に係る組成の第２の層を作成した。
実施例１、実施例３、及び、比較例１に係る第２の層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第２の層を得た。実施例２に係る第２の層については、８インチシリコンウェハに貼り合せた。
各サンプル（第１接着剤層、又は、第２の層）を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。 <Measurement of peel force>
The composition according to Example 1 was applied to a separator made of a long polyester film (thickness 38 μm, width 250 mm) treated on one side with a silicone-based release agent so that the thickness after drying at 90 ° C. for 3 minutes was 20 μm. A first adhesive layer, a first adhesive layer having a composition according to Example 2, a first adhesive layer having a composition according to Example 3, and a first adhesive layer having a composition according to Comparative Example 1 were prepared.
The first adhesive layer according to Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was bonded to an 8-inch silicon wafer, imidized in a nitrogen atmosphere at 300 ° C. for 1.5 hours, and the first adhesive with a silicon wafer. A layer was obtained.
Composition according to Example 1 such that a separator made of a long polyester film (thickness 38 μm, width 250 mm) treated on one side with a silicone-based release agent has a thickness of 20 μm after drying at 90 ° C. for 3 minutes. A second layer having a composition according to Example 3 was prepared. Moreover, the 2nd layer of the composition which concerns on Example 2 was created so that the thickness after drying for 3 minutes at 90 degreeC might be set to 20 micrometers on SUS foil.
The second layer according to Example 1, Example 3, and Comparative Example 1 was bonded to an 8-inch silicon wafer, and imidized in a nitrogen atmosphere at 300 ° C. for 1.5 hours. Two layers were obtained. The second layer according to Example 2 was bonded to an 8-inch silicon wafer.
Each sample (first adhesive layer or second layer) was processed to a width of 20 mm and a length of 100 mm, and a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, Autograph AGS-H) was used at a temperature of 23 ° C. and 300 mm / A 90 ° peel evaluation was performed in minutes. The results are shown in Table 2.

＜プロセス耐性評価＞
実施例１に係る接着シートＡを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＡを得た。次に、セミアディティブ工法にて、接着シートＡ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
実施例２に係る接着シートＢを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に、第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＢを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＢ上に配線を形成した。
実施例３に係る接着シートＣを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に、第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＣを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＣ上に配線を形成した。
比較例１に係る接着シートＥを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＥを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＥ上に配線を形成した。
上記の配線形成の結果、接着シートが台座から剥離せず、且つ、接着シートから形成中の配線が剥離しない場合を〇、接着シートが台座から剥離した場合、又は、接着シートから形成中の配線が剥離した場合を×として評価した。結果を表２に示す。 <Process resistance evaluation>
The adhesive sheet A according to Example 1 was roll-laminated at a temperature of 90 ° C. and a pressure of 0.1 MPa on a base made of a silicon wafer having a diameter of 200 mm, and then imidized at 300 ° C. for 1.5 hours in a nitrogen atmosphere. Thereby, the adhesive sheet A with a base was obtained. Next, wiring was formed on the adhesive sheet A by a semi-additive method. Specifically, it was formed by the method described in the above embodiment.
Adhesive sheet B according to Example 2 is a pedestal made of a silicon wafer having a diameter of 200 mm, and a surface opposite to the surface on which only the first adhesive layer is exposed is bonded to a surface of 90 ° C., After roll lamination at a pressure of 0.1 MPa, imidization was performed at 300 ° C. for 1.5 hours in a nitrogen atmosphere. Thereby, the adhesive sheet B with a base was obtained. Next, wiring was formed on the adhesive sheet B in the same manner as described above.
The adhesive sheet C according to Example 3 is rolled at a temperature of 90 ° C. and a pressure of 0.1 MPa, with the surface on the side where only the first adhesive layer is exposed being bonded to a base made of a silicon wafer having a diameter of 200 mm. After laminating, imidization was performed at 300 ° C. for 1.5 hours under a nitrogen atmosphere. Thereby, the adhesive sheet C with a base was obtained. Next, wiring was formed on the adhesive sheet C in the same manner as described above.
The adhesive sheet E according to Comparative Example 1 was roll-laminated at a temperature of 90 ° C. and a pressure of 0.1 MPa on a base made of a silicon wafer having a diameter of 200 mm, and then imidized at 300 ° C. for 1.5 hours in a nitrogen atmosphere. Thereby, the adhesive sheet E with a base was obtained. Next, a wiring was formed on the adhesive sheet E in the same manner as described above.
As a result of the above wiring formation, the adhesive sheet does not peel from the pedestal, and the wiring being formed from the adhesive sheet does not peel off. Was evaluated as x. The results are shown in Table 2.

＜剥離性評価＞
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例１に係る台座付き接着シートＡを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＡと中心が同一、且つ、直径１９６ｍｍの円となるようにレーザー（ＹＡＧレーザー、出力１．５Ｗ）を照射し、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例２に係る台座付き接着シートＢを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＢと中心が同一、且つ、直径１９７ｍｍの円となるようにカッターにて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例３に係る台座付き接着シートＣを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＣと中心が同一、且つ、直径１９５ｍｍの円となるようにトムソン刃にて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして比較例１に係る台座付き接着シートＥを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＥと中心が同一、且つ、直径１９７ｍｍの円となるようにカッターにて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。上記カット後の接着シートＡ〜Ｃ、Ｅの中央部を、真空ピンセットで吸着させ、上側に引き上げた。接着シート又は接着シートの一部が台座から剥離した場合を、〇、剥離しなかった場合を×として評価した。結果を表２に示す。 <Peelability evaluation>
The pedestal-attached adhesive sheet A according to Example 1 was obtained in the same manner as the process resistance evaluation. Next, from the opposite side of the pedestal, a laser (YAG laser, output 1.5 W) is irradiated so that the center of the adhesive sheet A is the same and the diameter is 196 mm, and the first adhesive layer and the second adhesive layer The layer of was cut to the pedestal surface.
The base-attached adhesive sheet B according to Example 2 was obtained in the same manner as in the process resistance evaluation. Next, from the opposite side to the pedestal, the first adhesive layer and the second layer were cut to the pedestal surface with a cutter so that the center was the same as that of the adhesive sheet B and had a diameter of 197 mm.
The pedestal-attached adhesive sheet C according to Example 3 was obtained in the same manner as the process resistance evaluation. Next, from the opposite side to the pedestal, the first adhesive layer and the second layer were cut to the pedestal surface with a Thomson blade so that the center of the adhesive sheet C was the same and the diameter was 195 mm.
A base-attached adhesive sheet E according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in the process resistance evaluation. Next, from the opposite side to the pedestal, the first adhesive layer and the second layer were cut to the pedestal surface with a cutter so as to be a circle having the same center as the adhesive sheet E and a diameter of 197 mm. The center part of the adhesive sheets A to C and E after the cut was adsorbed with vacuum tweezers and pulled up. The case where the adhesive sheet or a part of the adhesive sheet was peeled off from the pedestal was evaluated as ◯, and the case where it was not peeled off was evaluated as x. The results are shown in Table 2.

Figure 2014072440
Figure 2014072440

Figure 2014072440
Figure 2014072440

１ 台座
２ 配線
２０ａ ベース絶縁層
２０ｂ 接着剤層
２１ 接続用導体部
２２ 外部接続用導体部
２３ 導体層
２３ａ 種膜
２４ 導通路
２５ 導通路
２１１ 金属膜
３ 半導体チップ
３１ 電極
４ 半導体装置
５ 接着シート
５０ 第１接着剤層
５１ 第２の層
６ 接着シート
６０ 第１接着剤層
６１ 第２の層
７ 接着シート
７０ 第１接着剤層
７１ 第２の層
ｒ１ レジスト
ｒ２ レジスト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 Wiring 20a Base insulating layer 20b Adhesive layer 21 Connection conductor part 22 External connection conductor part 23 Conductor layer 23a Seed film 24 Conductive path 25 Conductive path 211 Metal film 3 Semiconductor chip 31 Electrode 4 Semiconductor device 5 Adhesive sheet 50 First adhesive layer 51 Second layer 6 Adhesive sheet 60 First adhesive layer 61 Second layer 7 Adhesive sheet 70 First adhesive layer 71 Second layer r1 resist r2 resist

Claims (4)

ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on wiring,
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed of a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed of the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
A step of separating the workpiece with wiring from the pedestal by cutting from the workpiece side until reaching the central portion of the adhesive sheet after the mounting. Method. ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on wiring,
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with the surface on the side where only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
Separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the first adhesive layer at the center after the mounting. A method of manufacturing a semiconductor device. ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device having a structure in which a work is mounted on wiring,
An adhesive sheet having a first adhesive layer and a second layer having a lower adhesive force after being attached to a pedestal than the first adhesive layer, the peripheral portion of the adhesive sheet being the first adhesive A step of preparing an adhesive sheet that is formed by a layer, and a central portion inside the peripheral portion is formed by stacking the first adhesive layer and the second layer;
Bonding the adhesive sheet to a pedestal with a surface opposite to the surface on which only the first adhesive layer is exposed as a bonding surface;
Forming a wiring on the adhesive sheet;
Mounting a workpiece on the wiring;
A step of separating the work with wiring from the pedestal by cutting the adhesive sheet from the work side until reaching the second layer after the mounting. Device manufacturing method. 請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法に使用される接着シート。   The adhesive sheet used for the manufacturing method of the semiconductor device of any one of Claims 1-3.
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