JP2014072340A - Laminated wiring board, and packaging structure employing the same - Google Patents

Laminated wiring board, and packaging structure employing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2014072340A
JP2014072340A JP2012216744A JP2012216744A JP2014072340A JP 2014072340 A JP2014072340 A JP 2014072340A JP 2012216744 A JP2012216744 A JP 2012216744A JP 2012216744 A JP2012216744 A JP 2012216744A JP 2014072340 A JP2014072340 A JP 2014072340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
inorganic insulating
resin
resin layer
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012216744A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5952153B2 (en
Inventor
Katsura Hayashi
桂 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2012216744A priority Critical patent/JP5952153B2/en
Publication of JP2014072340A publication Critical patent/JP2014072340A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5952153B2 publication Critical patent/JP5952153B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15172Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated wiring board responding to a requirement of improving electrical reliability.SOLUTION: A laminated wiring board comprises: a laminate 8 which is formed by laminating a plurality of resin layers 6 and a plurality of inorganic insulation layers 7 while disposing resin layers 6 in a top layer and a bottom layer; a first wiring layer 9A which is disposed on a top face or a bottom face of the resin layer 6 in the top layer; and a second wiring layer 6B which is disposed on a top face or a bottom face of the resin layer 6 in the bottom layer. The first wiring layer 9A includes: a first pad 9x for external connection which is disposed on the top face of the resin layer 6 or disposed on the bottom face of the resin layer 6 so as to close a through hole and of which the top face is exposed, and the second wiring layer 9B includes: a second pad 9y for external connection which is disposed on the bottom face of the resin layer 6 or disposed on the top face of the resin layer 6 so as to close a through hole and of which the bottom face is exposed. As a result, electrical reliability of the laminated wiring board 3 can be improved.

Description

本発明は、電子機器(たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器)などに使用される積層配線基板およびそれを用いた実装構造体に関するものである。   The present invention relates to a laminated wiring board used for electronic devices (for example, various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices and peripheral devices thereof), and a mounting structure using the same.

従来、電子機器には、積層配線基板の上面に電子部品が実装された実装構造体が使用されている。この積層配線基板は、絶縁層を積層した積層体と、この積層体の各絶縁層間に配置された配線層とを備えている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a mounting structure in which electronic components are mounted on an upper surface of a multilayer wiring board is used for electronic devices. This laminated wiring board includes a laminated body in which insulating layers are laminated, and a wiring layer disposed between the insulating layers of the laminated body.

特許文献1には、樹脂材料を主成分とする複数の絶縁基板を積層した積層体と、絶縁基板それぞれの一主面に部分的に配置されているとともに、絶縁基板を介して厚み方向に離れて配置された複数の回路を備えた回路形成基板が、積層配線基板の一例として記載されている。なお、この回路形成基板の積層体および回路は、積層配線基板の積層体および配線層にそれぞれ対応するものである。   In Patent Document 1, a laminated body in which a plurality of insulating substrates mainly composed of a resin material are stacked, and each of the insulating substrates are partially disposed on one main surface, and separated in the thickness direction via the insulating substrates. A circuit-forming board provided with a plurality of circuits arranged as described above is described as an example of a laminated wiring board. The laminated body and the circuit of the circuit forming substrate correspond to the laminated body and the wiring layer of the laminated wiring substrate, respectively.

ところで、一般的に、樹脂材料の熱膨張率が電子部品の熱膨張率より大きいことから、樹脂材料を主成分とした積層体を備えた回路形成基板の熱膨張率は、電子部品の熱膨張率よりも大きくなる。その結果、例えば、電子部品の実装時や電子部品の作動時に回路形成基板に熱が加わると、回路形成基板の熱膨張量と電子部品の熱膨張量との違いに起因して回路形成基板が反りやすい。そのため、回路形成基板の回路が断線しやすくなり、ひいては回路形成基板の電気的信頼性が低下しやすくなるという問題点があった。   By the way, in general, since the thermal expansion coefficient of the resin material is larger than the thermal expansion coefficient of the electronic component, the thermal expansion coefficient of the circuit forming substrate including the laminate mainly composed of the resin material is the thermal expansion coefficient of the electronic component. Will be greater than the rate. As a result, for example, when heat is applied to the circuit forming board during mounting of the electronic component or during operation of the electronic component, the circuit forming board is caused by the difference between the thermal expansion amount of the circuit forming substrate and the thermal expansion amount of the electronic component. Easy to warp. For this reason, there is a problem that the circuit of the circuit forming substrate is easily disconnected, and the electrical reliability of the circuit forming substrate is likely to be lowered.

特開平08−116174号公報Japanese Patent Laid-Open No. 08-116174

本発明は、前述の回路形成基板のような積層配線基板において電気的信頼性が低下しやすいという問題点を受けて、電気的信頼性を向上させることができる積層配線基板を提供することを目的とするものである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multilayer wiring board capable of improving the electrical reliability in response to the problem that the electrical reliability is likely to be lowered in the multilayer wiring board such as the circuit forming board described above. It is what.

本発明の一形態にかかる積層配線基板は、複数の樹脂層および複数の無機絶縁層が最上層および最下層に前記樹脂層を配置して積層されてなる積層体と、最上層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第1配線層と、最下層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第2配線層とを具備し、前記第1配線層は、前記樹脂層の上面に配置されるかまたは前記樹脂層の下面に貫通孔を塞ぐように配置されて上面が露出した外部接続用の第1パッドを含み、前記第2配線層は、前記樹脂層の下面に配置されるかまたは前記樹脂層の上面に貫通孔を塞ぐように配置されて下面が露出した外部接続用の第2パッドを含む。   A laminated wiring board according to an aspect of the present invention includes a laminate in which a plurality of resin layers and a plurality of inorganic insulating layers are laminated with the resin layers arranged on the uppermost layer and the lowermost layer, and the uppermost resin layer. A first wiring layer disposed on an upper surface or a lower surface of the resin layer and a second wiring layer disposed on an upper surface or a lower surface of the lowermost resin layer, and the first wiring layer is disposed on an upper surface of the resin layer. A first pad for external connection that is disposed or is disposed so as to close the through hole on the lower surface of the resin layer and the upper surface is exposed; and the second wiring layer is disposed on the lower surface of the resin layer. Alternatively, a second pad for external connection is disposed on the upper surface of the resin layer so as to close the through hole and the lower surface is exposed.

本発明の一形態にかかる実装構造体は、前記積層配線基板と、該積層配線基板の上面に実装されて前記第1パッドに電気的に接続された電子部品とを備える。   A mounting structure according to an aspect of the present invention includes the multilayer wiring board and an electronic component that is mounted on an upper surface of the multilayer wiring board and electrically connected to the first pad.

本発明の一形態にかかる積層配線基板によれば、積層体が複数の無機絶縁層を含んでい
ることから、積層配線基板の反りを低減することができる。さらに、積層体の最上層および最下層に樹脂層が配置されていることから、積層配線基板におけるクラックの発生を低減することができる。したがって、電気的信頼性に優れた積層配線基板を得ることができる。
According to the multilayer wiring board concerning one form of the present invention, since the layered product contains a plurality of inorganic insulating layers, the curvature of the multilayer wiring board can be reduced. Furthermore, since the resin layers are arranged in the uppermost layer and the lowermost layer of the multilayer body, the occurrence of cracks in the multilayer wiring board can be reduced. Therefore, it is possible to obtain a multilayer wiring board having excellent electrical reliability.

本発明の一実施形態にかかる実装構造体の一部を厚み方向に切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected a part of mounting structure concerning one Embodiment of this invention in the thickness direction. 図1に示した実装構造体のR1部の拡大図である。It is an enlarged view of R1 part of the mounting structure shown in FIG. 図2に示した実装構造体のR2部の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a portion R2 of the mounting structure shown in FIG. 図1に示した実装構造体における積層配線基板の上面を示した図である。It is the figure which showed the upper surface of the laminated wiring board in the mounting structure shown in FIG. 図1のI−I線に沿って平面方向に切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected in the plane direction along the II line | wire of FIG. (a)〜(b)は図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、(b)は(a)の一部の拡大図である。(A)-(b) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, (b) is the one part enlarged view of (a). (a)〜(c)は図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、(c)は(b)に示した乾燥した無機絶縁ゾルの一部の拡大図である。(A)-(c) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, (c) is a part of dried inorganic insulation sol shown in (b). FIG. (a)〜(b)は図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、(b)は(a)に示した無機絶縁層の一部の拡大図である。(A)-(b) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, (b) is a partial expansion of the inorganic insulating layer shown in (a). FIG. (a)〜(c)は図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、(b)は(a)に示した樹脂前駆体層および無機絶縁層の一部の拡大図であり、(c)は(b)に示した無機絶縁層の一部の拡大図である。(A)-(c) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, (b) is the resin precursor layer and inorganic insulating layer which were shown to (a). (C) is a partially enlarged view of the inorganic insulating layer shown in (b). (a)〜(b)はそれぞれ図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。(A)-(b) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, respectively. (a)〜(c)はそれぞれ図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。(A)-(c) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, respectively. (a)〜(d)はそれぞれ図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。(A)-(d) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, respectively. (a)〜(c)はそれぞれ図1に示した実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。(A)-(c) is sectional drawing cut | disconnected in the thickness direction explaining the manufacturing process of the mounting structure shown in FIG. 1, respectively. 図1に示した実装構造体と異なる実施形態の例を厚み方向に切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the example of embodiment different from the mounting structure shown in FIG. 1 in the thickness direction.

以下に、本発明の第1実施形態に係る積層配線基板を含む実装構造体について図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, a mounting structure including the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<第1実施形態>
(実装構造体)
図1に示した実装構造体1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用される。この実装構造体1は、電子部品2および電子部品2が実装された積層配線基板3を含んでおり、外部回路基板4に実装されている。
<First Embodiment>
(Mounting structure)
The mounting structure 1 shown in FIG. 1 is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof. The mounting structure 1 includes an electronic component 2 and a multilayer wiring board 3 on which the electronic component 2 is mounted, and is mounted on an external circuit board 4.

(電子部品)
電子部品2は、例えばICまたはLSIなどの半導体素子であり、はんだなどの導電材料からなる第1バンプ5Aを介して積層配線基板3にフリップチップ実装されている。この電子部品2は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素などの半導体材料からなる。
(Electronic parts)
The electronic component 2 is a semiconductor element such as an IC or an LSI, for example, and is flip-chip mounted on the multilayer wiring board 3 via a first bump 5A made of a conductive material such as solder. The electronic component 2 is made of a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide.

電子部品2の厚みは、例えば0.05mm以上1mm以下に設定されている。また、電子部品2の平面方向(XY平面方向)への熱膨張率は、例えば3ppm/℃以上16ppm/℃以下に設定されている。なお、電子部品2の厚みは、電子部品2の厚み方向(Z方向)に沿った断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、厚み方向に沿った長さを10箇所以上測定し、その平均値を算出することによって求められる。また、電子部品2の熱膨張率は、市販のTMA装置を用いて、JISK7197‐1991に準じた測定方法によって測定される。   The thickness of the electronic component 2 is set to, for example, 0.05 mm or more and 1 mm or less. Further, the coefficient of thermal expansion in the plane direction (XY plane direction) of the electronic component 2 is set to 3 ppm / ° C. or more and 16 ppm / ° C. or less, for example. The thickness of the electronic component 2 is measured by observing a cross section along the thickness direction (Z direction) of the electronic component 2 with a scanning electron microscope (SEM), and measuring the length along the thickness direction at 10 or more locations. It is obtained by calculating an average value. Moreover, the thermal expansion coefficient of the electronic component 2 is measured by a measuring method according to JISK7197-1991 using a commercially available TMA apparatus.

(外部回路基板)
外部回路基板4は、例えばマザーボードなどであり、その一主面には、はんだなどの導電材料からなる第2バンプ5Bを介して、実装構造体1が実装されている。外部回路基板4の平面方向への熱膨張率は、17ppm/℃以上30ppm/℃以下に設定されている。
(External circuit board)
The external circuit board 4 is, for example, a mother board or the like, and the mounting structure 1 is mounted on one main surface thereof via second bumps 5B made of a conductive material such as solder. The thermal expansion coefficient in the planar direction of the external circuit board 4 is set to 17 ppm / ° C. or higher and 30 ppm / ° C. or lower.

(積層配線基板)
積層配線基板3は、電子部品2と外部回路基板4との間に配置され、電子部品2を駆動もしくは制御するための電源や信号を外部回路基板4から電子部品2へ供給するものである。この積層配線基板3は、複数の樹脂層6および複数の無機絶縁層7が積層されてなる積層体8と、樹脂層6および無機絶縁層7を介して厚み方向に離れて配置されているとともに、それぞれ樹脂層6の一主面または無機絶縁層7の一主面に部分的に配置された複数の配線層9と、複数の樹脂層6および複数の無機絶縁層7を厚み方向に貫通して複数の配線層9同士を接続する複数のビア導体10とを含んでいる。
(Laminated wiring board)
The multilayer wiring board 3 is disposed between the electronic component 2 and the external circuit board 4, and supplies power and signals for driving or controlling the electronic component 2 from the external circuit board 4 to the electronic component 2. The laminated wiring board 3 is disposed so as to be separated from each other in the thickness direction through a laminated body 8 in which a plurality of resin layers 6 and a plurality of inorganic insulating layers 7 are laminated, and the resin layer 6 and the inorganic insulating layers 7. The plurality of wiring layers 9 partially disposed on one main surface of the resin layer 6 or one main surface of the inorganic insulating layer 7, and the plurality of resin layers 6 and the plurality of inorganic insulating layers 7 are penetrated in the thickness direction. And a plurality of via conductors 10 for connecting the plurality of wiring layers 9 to each other.

積層配線基板3の厚みは、例えば0.06mm以上0.8mm以下に設定されている。また、積層配線基板3の平面方向への熱膨張率は、例えば5ppm/℃以上17ppm/℃以下に設定されている。なお、積層配線基板3の厚みおよび熱膨張率は、電子部品2の厚みおよび熱膨張率と同様に測定される。   The thickness of the multilayer wiring board 3 is set to 0.06 mm or more and 0.8 mm or less, for example. The coefficient of thermal expansion in the planar direction of the multilayer wiring board 3 is set to, for example, 5 ppm / ° C. or more and 17 ppm / ° C. or less. The thickness and thermal expansion coefficient of the multilayer wiring board 3 are measured in the same manner as the thickness and thermal expansion coefficient of the electronic component 2.

なお、本実施形態の積層配線基板3は、一般的なビルドアップ基板に用いられるコア基板を有さない配線基板、すなわちコアレス基板である。   In addition, the laminated wiring board 3 of this embodiment is a wiring board which does not have a core board used for a general build-up board, that is, a coreless board.

(積層体)
積層体8は、積層配線基板3の主要部をなすものであり、前述した通り複数の樹脂層6と複数の無機絶縁層7とが積層されてなる。具体的には、この積層体8は複数の樹脂層6と複数の無機絶縁層7とが一層ずつ交互に積層されてなるとともに、積層体8の最上層および最下層には樹脂層6が配置されている。なお、以下、積層配線基板3の各構成要件の配置について、「上」とは厚み方向において電子部品2側を指し、「下」とは厚み方向において外部回路基板4側を指す。
(Laminate)
The laminated body 8 is a main part of the laminated wiring board 3 and is formed by laminating a plurality of resin layers 6 and a plurality of inorganic insulating layers 7 as described above. Specifically, the laminate 8 is formed by alternately laminating a plurality of resin layers 6 and a plurality of inorganic insulating layers 7 one by one, and the resin layer 6 is disposed on the uppermost layer and the lowermost layer of the laminate 8. Has been. In the following, regarding the arrangement of the constituent elements of the multilayer wiring board 3, “upper” refers to the electronic component 2 side in the thickness direction, and “lower” refers to the external circuit board 4 side in the thickness direction.

(樹脂層)
樹脂層6は、無機絶縁層7とともに複数の配線層9同士および複数のビア導体10同士の絶縁を確保するものである。この樹脂層6は、第1樹脂部11と第1樹脂部11の中に分散された第1フィラー粒子12とを含んでいる。また、積層体8に含まれた複数の樹脂層6は、複数の樹脂層6のうち最上層に配置されているとともに積層体8の最上層に配置された第1樹脂層6Aと、複数の樹脂層6のうち最下層に配置されているとともに積層体8の最下層に配置された第2樹脂層6Bと、複数の樹脂層6のうち厚み方向において第1樹脂層6Aと第2樹脂層6Bとの間に配置された複数の第3樹脂層6Cとを具備する。なお、後述するように、第2樹脂層6Bには第2バンプ5Bと接続する配線層9(第2パッド9y)を露出するための第1貫通孔V1が形成されている。
(Resin layer)
The resin layer 6 ensures insulation between the plurality of wiring layers 9 and the plurality of via conductors 10 together with the inorganic insulating layer 7. The resin layer 6 includes a first resin part 11 and first filler particles 12 dispersed in the first resin part 11. The plurality of resin layers 6 included in the laminate 8 are arranged in the uppermost layer of the plurality of resin layers 6 and the first resin layer 6A arranged in the uppermost layer of the laminate 8; 2nd resin layer 6B arrange | positioned at the lowest layer among the resin layers 6 and arrange | positioned at the lowest layer of the laminated body 8, and the 1st resin layer 6A and 2nd resin layer in the thickness direction among the some resin layers 6 A plurality of third resin layers 6 </ b> C arranged between 6 </ b> B. As will be described later, a first through hole V1 for exposing the wiring layer 9 (second pad 9y) connected to the second bump 5B is formed in the second resin layer 6B.

樹脂層6の厚みは、例えば5μm以上50μm以下に設定されている。また、樹脂層6のヤング率は、例えば0.2GPa以上10GPa以下に設定されている。また、樹脂層6の平面方向への熱膨張率は、例えば20ppm/℃以上70ppm/℃以下に設定されている。また、樹脂層6における第1樹脂部11の含有割合は、35体積%以上90体積%以下に設定されている。また、樹脂層6における第1フィラー粒子12の含有割合は、10体積%以上65体積%以下に設定されている。なお、樹脂層6の厚みは、電子部品2と同様に測定される。また、樹脂層6のヤング率は、ナノインデンターを用いて、ISO527−1:1993に準じた測定方法によって測定される。また、樹脂層6における第1樹脂部11の含有割合および樹脂層6における第1フィラー粒子12の含有割合は、樹脂層6の厚み方向に沿った断面について、SEMによる撮影画像から画像解析装置などを用いてそれぞれの面積比率(面積%)を測定し、この測定値を体積比率(体積%)とみなすことで求められる。   The thickness of the resin layer 6 is set to, for example, 5 μm or more and 50 μm or less. Moreover, the Young's modulus of the resin layer 6 is set to 0.2 GPa or more and 10 GPa or less, for example. The coefficient of thermal expansion in the planar direction of the resin layer 6 is set to, for example, 20 ppm / ° C. or more and 70 ppm / ° C. or less. Moreover, the content rate of the 1st resin part 11 in the resin layer 6 is set to 35 volume% or more and 90 volume% or less. Moreover, the content rate of the 1st filler particle 12 in the resin layer 6 is set to 10 volume% or more and 65 volume% or less. The thickness of the resin layer 6 is measured in the same manner as the electronic component 2. Moreover, the Young's modulus of the resin layer 6 is measured by a measuring method according to ISO 527-1: 1993 using a nanoindenter. In addition, the content ratio of the first resin portion 11 in the resin layer 6 and the content ratio of the first filler particles 12 in the resin layer 6 are determined from an image taken by SEM, an image analysis device, and the like for a cross section along the thickness direction of the resin layer 6. Each area ratio (area%) is measured using, and this measured value is obtained as a volume ratio (volume%).

(第1樹脂部)
第1樹脂部11は、樹脂層6の主要部をなすものである。この第1樹脂部11は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂などの樹脂材料からなる。
(First resin part)
The first resin part 11 is a main part of the resin layer 6. This 1st resin part 11 consists of resin materials, such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, or cyanate resin, for example.

(第1フィラー粒子)
第1フィラー粒子12は、樹脂層6の熱膨張率を低減するとともに樹脂層6のヤング率を向上させるものである。この第1フィラー粒子12は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウムまたは水酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。また、第1フィラー粒子12は、樹脂層6の難燃性を向上させるために、無機絶縁材料からなる粒子に加えてリンなどを含んだ有機材料からなる粒子をさらに含んでもよい。
(First filler particles)
The first filler particles 12 reduce the thermal expansion coefficient of the resin layer 6 and improve the Young's modulus of the resin layer 6. The first filler particles 12 are made of, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, calcium oxide, or calcium hydroxide. Moreover, in order to improve the flame retardance of the resin layer 6, the first filler particles 12 may further include particles made of an organic material containing phosphorus in addition to particles made of an inorganic insulating material.

第1フィラー粒子12の粒径は、例えば0.3μm以上5μm以下に設定されている。なお、第1フィラー粒子12の粒径は、樹脂層6の厚み方向に沿った断面について、SEMまたは透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて20個以上50個以下の第1無機絶縁粒子を含むように拡大した断面を観察し、この拡大した断面において各粒子の最大径を測定し、その最大径の平均値を算出することによって求められる。   The particle size of the first filler particles 12 is set to, for example, 0.3 μm or more and 5 μm or less. In addition, the particle size of the 1st filler particle 12 contains 20 or more and 50 or less 1st inorganic insulating particles about the cross section along the thickness direction of the resin layer 6 using SEM or a transmission electron microscope (TEM). Thus, the enlarged cross section is observed, the maximum diameter of each particle is measured in the enlarged cross section, and the average value of the maximum diameters is calculated.

(無機絶縁層)
無機絶縁層7は、積層体8の熱膨張率を低減するとともに積層体8のヤング率を向上させるものである。この無機絶縁層7は、互いの一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子13と、互いの一部で複数の第1無機絶縁粒子13と接続し、かつ第1無機絶縁粒子13よりも粒径が大きい複数の第2無機絶縁粒子14とを含んでいる。そして、無機絶縁層7には、複数の第1無機絶縁粒子13同士および複数の第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とに囲まれてなる間隙Gが形成されており、この間隙Gには、樹脂層6の一部が入り込んでいる。
(Inorganic insulating layer)
The inorganic insulating layer 7 reduces the coefficient of thermal expansion of the laminate 8 and improves the Young's modulus of the laminate 8. This inorganic insulating layer 7 is connected to a plurality of first inorganic insulating particles 13 connected at a part of each other, and connected to a plurality of first inorganic insulating particles 13 at a part of each other, and more than the first inorganic insulating particles 13. It includes a plurality of second inorganic insulating particles 14 having a large particle size. In the inorganic insulating layer 7, a gap G is formed that is surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles 13 and between the plurality of first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14. A part of the resin layer 6 enters G.

具体的には、図3に示したように、複数の第1無機絶縁粒子13同士が互いの一部で接続しているとともに、複数の第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とが互いの一部で接続しており、複数の第1無機絶縁粒子13が複数の第2無機絶縁粒子14同士の間に配置されている。そして、無機絶縁層7の間隙Gは、複数の第1無機絶縁粒子13同士に囲まれた間隙G1と、複数の第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14に囲まれた間隙G2とを具備しており、間隙G1および間隙G2それぞれには、樹脂層6に含まれた第1樹脂部11の一部が入り込んでいる。   Specifically, as shown in FIG. 3, the plurality of first inorganic insulating particles 13 are connected to each other at a part of each other, and the plurality of first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 Are connected at a part of each other, and the plurality of first inorganic insulating particles 13 are arranged between the plurality of second inorganic insulating particles 14. The gap G of the inorganic insulating layer 7 includes a gap G1 surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles 13, and a gap G2 surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14. A part of the first resin portion 11 included in the resin layer 6 enters each of the gap G1 and the gap G2.

また、積層体8に含まれた複数の無機絶縁層7は、複数の無機絶縁層7のうち最上層に
配置された第1無機絶縁層7Aと、複数の無機絶縁層7のうち最下層に配置された第2無機絶縁層7Bと、複数の無機絶縁層7のうち厚み方向において第1無機絶縁層7Aと第2無機絶縁層7Bとの間に配置された第3無機絶縁層7Cとを具備している。
In addition, the plurality of inorganic insulating layers 7 included in the stacked body 8 include a first inorganic insulating layer 7A disposed in the uppermost layer among the plurality of inorganic insulating layers 7 and a lowermost layer among the plurality of inorganic insulating layers 7. The arranged second inorganic insulating layer 7B, and the third inorganic insulating layer 7C arranged between the first inorganic insulating layer 7A and the second inorganic insulating layer 7B in the thickness direction among the plurality of inorganic insulating layers 7 It has.

無機絶縁層7の厚みは、例えば3μm以上25μm以下に設定されている。また、無機絶縁層7の平面方向への熱膨張率は、例えば0.6ppm/℃以上10ppm/℃以下に設定されている。また、無機絶縁層7のヤング率は、例えば20GPa以上50GPa以下に設定されている。また、無機絶縁層7における、第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とを含めた体積比率(体積%)は、例えば62体積%以上75体積%以下に設定されており、そのうち第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14における第1無機絶縁粒子13の含有割合は、20体積%以上90体積%以下に設定されており、第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14における第2無機絶縁粒子14の含有割合は、10体積%以上80体積%以下に設定されている。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層7の間隙Gの幅は、例えば10nm以上300nm以下に設定されている。   The thickness of the inorganic insulating layer 7 is set to 3 μm or more and 25 μm or less, for example. The coefficient of thermal expansion in the planar direction of the inorganic insulating layer 7 is set to, for example, 0.6 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less. The Young's modulus of the inorganic insulating layer 7 is set to 20 GPa or more and 50 GPa or less, for example. Further, the volume ratio (volume%) including the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 in the inorganic insulating layer 7 is set to, for example, 62 volume% or more and 75 volume% or less, of which The content ratio of the first inorganic insulating particles 13 in the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 is set to 20% by volume or more and 90% by volume or less. The first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14, the content ratio of the second inorganic insulating particles 14 is set to 10% by volume or more and 80% by volume or less. Further, in the cross-sectional view along the thickness direction, the width of the gap G of the inorganic insulating layer 7 is set to, for example, 10 nm or more and 300 nm or less.

なお、無機絶縁層7の厚み、熱膨張率およびヤング率は、樹脂層6と同様に測定される。また、無機絶縁層7の厚み、熱膨張率およびヤング率は、無機絶縁層7の間隙G内に樹脂層6の一部が入り込んだ状態での測定値である。また、厚み方向に沿った断面視において、無機絶縁層7の間隙Gの幅は、無機絶縁層7の厚み方向に沿った断面について、SEMまたはTEMを用いて、20箇所以上50箇所以下の間隙Gを含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各間隙Gの最大径の平均値を間隙Gの幅とみなすことで求められる。   The thickness, thermal expansion coefficient, and Young's modulus of the inorganic insulating layer 7 are measured in the same manner as the resin layer 6. The thickness, thermal expansion coefficient, and Young's modulus of the inorganic insulating layer 7 are measured values in a state where a part of the resin layer 6 enters the gap G of the inorganic insulating layer 7. Further, in the cross-sectional view along the thickness direction, the width of the gap G of the inorganic insulating layer 7 is such that the gap along the thickness direction of the inorganic insulating layer 7 is 20 or more and 50 or less using SEM or TEM. The cross section expanded to include G is taken, and the average value of the maximum diameter of each gap G is regarded as the width of the gap G in the enlarged cross section.

(第1無機絶縁粒子)
第1無機絶縁粒子13は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。第1無機絶縁粒子13の粒径は、例えば3nm以上110nm以下に設定されている。なお、第1無機絶縁粒子13の粒径は、第1フィラー粒子12の粒径と同様に測定される。
(First inorganic insulating particles)
The first inorganic insulating particles 13 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, or calcium oxide, for example. The particle diameter of the first inorganic insulating particles 13 is set to 3 nm to 110 nm, for example. The particle diameter of the first inorganic insulating particles 13 is measured in the same manner as the particle diameter of the first filler particles 12.

(第2無機絶縁粒子)
第2無機絶縁粒子14は、例えば第1無機絶縁粒子13と同様の材料からなる。また、第2無機絶縁粒子14の粒径は、例えば0.5μm以上5μm以下に設定されている。なお、第2無機絶縁粒子14は、第1フィラー粒子12の粒径と同様に測定される。
(Second inorganic insulating particles)
The second inorganic insulating particles 14 are made of the same material as the first inorganic insulating particles 13, for example. The particle diameter of the second inorganic insulating particles 14 is set to, for example, 0.5 μm or more and 5 μm or less. The second inorganic insulating particles 14 are measured in the same manner as the particle size of the first filler particles 12.

(配線層)
配線層9は、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものであり、1層の配線層9は、積層体8の上下面または積層体8の層間のいずれかの1層に配置された配線の全てを含んでいる。この配線層9は、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、中でも、銅からなることが望ましい。
(Wiring layer)
The wiring layer 9 functions as a ground wiring, a power supply wiring, or a signal wiring, and the one-layer wiring layer 9 is one layer between the upper and lower surfaces of the stacked body 8 or the layers of the stacked body 8. Includes all of the wiring placed in The wiring layer 9 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, gold, or aluminum, and is preferably made of copper.

また、積層配線基板3に含まれた複数の配線層9は、複数の配線層9のうち最上層に配置された第1配線層9Aと、複数の配線層9のうち最下層に配置されているとともに第1配線層9Aよりも平面(XY平面)視における面積が大きい第2配線層9Bと、複数の配線層9のうち厚み方向において第1配線層9Aと第2配線層9Bとの間に配置された複数の第3配線層9Cとを具備している。   The plurality of wiring layers 9 included in the multilayer wiring substrate 3 are arranged in the first wiring layer 9A arranged in the uppermost layer among the plurality of wiring layers 9 and in the lowermost layer among the plurality of wiring layers 9. And between the first wiring layer 9A and the second wiring layer 9B in the thickness direction among the plurality of wiring layers 9, the second wiring layer 9B having a larger area in a plan view (XY plane) than the first wiring layer 9A. And a plurality of third wiring layers 9 </ b> C arranged on the substrate.

第1配線層9Aは、積層体8の上面すなわち第1樹脂層6Aの上面に配置されており、外部接続用の複数の第1パッド9xからなる。第1パッド9xの上面は、積層配線基板3の上面で露出しており、第1バンプ5Aを介して電子部品2に接続される。   9 A of 1st wiring layers are arrange | positioned at the upper surface of the laminated body 8, ie, the upper surface of 6 A of 1st resin, and consist of several 1st pads 9x for external connection. The upper surface of the first pad 9x is exposed on the upper surface of the multilayer wiring board 3, and is connected to the electronic component 2 via the first bump 5A.

第2配線層9Bは、第2無機絶縁層7Bと第2樹脂層6Bとの間に配置されており、外部接続用の複数の第2パッド9yからなる。第2樹脂層6Bには、厚み方向に貫通して第2パッド9yの下面の少なくとも一部を露出する第1貫通孔V1が形成されており、第2パッド9yの下面は、第2バンプ5Bを介して外部回路基板4に接続される。   The second wiring layer 9B is disposed between the second inorganic insulating layer 7B and the second resin layer 6B, and includes a plurality of second pads 9y for external connection. The second resin layer 6B is formed with a first through hole V1 that penetrates in the thickness direction and exposes at least a part of the lower surface of the second pad 9y. The lower surface of the second pad 9y is formed by the second bump 5B. To the external circuit board 4 via

第3配線層9Cは、第1無機絶縁層7Aまたは第3無機絶縁層7Cと第3樹脂層6Cとの間に配置されており、電気信号用配線である第1導電部9zと接地用配線または電力用配線である第2導電部9wとからなる。   The third wiring layer 9C is disposed between the first inorganic insulating layer 7A or the third inorganic insulating layer 7C and the third resin layer 6C, and the first conductive portion 9z which is an electric signal wiring and the ground wiring. Or it consists of the 2nd electroconductive part 9w which is wiring for electric power.

なお、本実施形態において、第1配線層9Aは、複数の第1パッド9xのみからなるが、第1配線層9Aは、複数の第1パッド9xに加えて、電気信号用配線である第1導電部9zまたは接地用配線または電力用配線である第2導電部9wを含んでいても構わない。また、第2配線層9Bは、複数の第2パッド9yのみからなるが、第2配線層9Bは、複数の第2パッド9yに加えて、電気信号用配線である第1導電部9zまたは接地用配線または電力用配線である第2導電部9wを含んでいても構わない。   In the present embodiment, the first wiring layer 9A includes only a plurality of first pads 9x, but the first wiring layer 9A is a first wiring that is an electric signal wiring in addition to the plurality of first pads 9x. The conductive portion 9z, the ground wiring, or the second conductive portion 9w that is a power wiring may be included. In addition, the second wiring layer 9B includes only the plurality of second pads 9y. However, the second wiring layer 9B includes, in addition to the plurality of second pads 9y, the first conductive portion 9z that is an electric signal wiring or a ground. The second conductive portion 9w that is a wiring for power or a wiring for power may be included.

配線層9の厚みは、例えば1.5μm以上15μm以下に設定されている。また、配線層9の平面方向への熱膨張率は、例えば15ppm/℃以上18ppm/℃以下に設定されている。また、配線層9のヤング率は、例えば50GPa以上200GPa以下に設定されている。なお、配線層9の厚み、ヤング率および熱膨張率は、絶縁層6と同様に測定される。また、配線層9の平面視における面積の大小は、積層配線基板3の上面および下面を研摩することによって第1配線層9Aの上面および第2配線層9Bの下面を露出させた後、その上面および下面について光学顕微鏡またはSEMによる撮影画像から画像解析装置などを用いてそれぞれの面積を測定することによって判断される。   The thickness of the wiring layer 9 is set to, for example, 1.5 μm or more and 15 μm or less. The coefficient of thermal expansion in the plane direction of the wiring layer 9 is set to, for example, 15 ppm / ° C. or more and 18 ppm / ° C. or less. The Young's modulus of the wiring layer 9 is set to, for example, 50 GPa or more and 200 GPa or less. The thickness, Young's modulus, and thermal expansion coefficient of the wiring layer 9 are measured in the same manner as the insulating layer 6. Further, the size of the area of the wiring layer 9 in plan view is determined by polishing the upper surface and the lower surface of the multilayer wiring substrate 3 to expose the upper surface of the first wiring layer 9A and the lower surface of the second wiring layer 9B, and then the upper surface thereof. The lower surface and the lower surface are determined by measuring the respective areas from an image taken by an optical microscope or SEM using an image analyzer or the like.

(ビア導体)
ビア導体10は、厚み方向に離れて配置された一対の配線層9同士を電気的に接続するものである。このビア導体10は、厚み方向に、樹脂層6および無機絶縁層7を貫通して形成されており、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。また、厚み方向に沿った断面視において、ビア導体10の幅は、下側から上側に向かって小さくなっている。また、ビア導体10は、第1パッド9xの下面に接続した第1ビア導体10Aと、第2パッド9yの上面に接続した第2ビア導体10Bとを具備している。
(Via conductor)
The via conductor 10 is for electrically connecting a pair of wiring layers 9 arranged apart in the thickness direction. The via conductor 10 is formed through the resin layer 6 and the inorganic insulating layer 7 in the thickness direction, and is made of a conductive material such as copper, silver, gold, or aluminum. Further, in the cross-sectional view along the thickness direction, the width of the via conductor 10 decreases from the lower side toward the upper side. The via conductor 10 includes a first via conductor 10A connected to the lower surface of the first pad 9x and a second via conductor 10B connected to the upper surface of the second pad 9y.

ここで、本実施形態において、積層体8は、無機絶縁材料からなる第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14を含んだ無機絶縁層7を含んでいる。その結果、無機絶縁材料は樹脂材料よりも熱膨張率が小さいため、積層体8が樹脂層6のみからなる場合と比較して、積層体8の熱膨張率を低減することができ、積層配線基板3と電子部品2との熱膨張率の差を小さくすることができる。したがって、例えば、電子部品2の実装時や電子部品2の作動時に積層配線基板3に熱が加わった際に、電子部品2と積層配線基板3との熱膨張量の違いに起因した積層配線基板3の反りを低減することができ、ひいては積層配線基板3の電気的信頼性を向上させることができる。   Here, in this embodiment, the laminated body 8 includes the inorganic insulating layer 7 including the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 made of an inorganic insulating material. As a result, since the inorganic insulating material has a smaller thermal expansion coefficient than that of the resin material, the thermal expansion coefficient of the multilayer body 8 can be reduced as compared with the case where the multilayer body 8 is composed only of the resin layer 6. The difference in coefficient of thermal expansion between the substrate 3 and the electronic component 2 can be reduced. Therefore, for example, when heat is applied to the multilayer wiring substrate 3 when the electronic component 2 is mounted or when the electronic component 2 is operated, the multilayer wiring substrate is caused by a difference in thermal expansion between the electronic component 2 and the multilayer wiring substrate 3. 3 can be reduced, and as a result, the electrical reliability of the multilayer wiring board 3 can be improved.

また、積層体8の最上層および最下層には樹脂層6が配置されている。ここで、例えば実装構造体1に熱が加わった際には、積層配線基板3の上面には熱膨張率が小さい電子部品2が実装されているため、積層体8の上側の領域の熱膨張は拘束される一方で積層体8の下側の領域は大きく熱膨張しようとすることから、積層体8の表面に加わる応力が大きくなりやすい。これに対して、本実施形態においては、無機絶縁層7と比較してヤング率が小さく変形しやすい樹脂層6を積層体8の表面に配置していることから、積層体8の最上層および最下層に無機絶縁層7が配置されている場合と比較して、積層体8の表面にお
けるクラックの発生を低減することができ、ひいては積層配線基板3の電気的信頼性を向上させることができる。
In addition, the resin layer 6 is disposed on the uppermost layer and the lowermost layer of the laminate 8. Here, for example, when heat is applied to the mounting structure 1, the electronic component 2 having a low coefficient of thermal expansion is mounted on the upper surface of the multilayer wiring board 3, and therefore, the thermal expansion of the upper region of the multilayer body 8. However, since the lower region of the laminate 8 tends to thermally expand, the stress applied to the surface of the laminate 8 tends to increase. On the other hand, in the present embodiment, since the resin layer 6 having a smaller Young's modulus and easily deformed compared to the inorganic insulating layer 7 is disposed on the surface of the laminated body 8, the uppermost layer of the laminated body 8 and Compared with the case where the inorganic insulating layer 7 is disposed in the lowermost layer, the generation of cracks on the surface of the multilayer body 8 can be reduced, and as a result, the electrical reliability of the multilayer wiring board 3 can be improved. .

ところで、例えば、図4および図5に示したように、電子部品2に接続される第1パッド9xを高密度化するために、各第1パッド9xの面積を各第2パッド9yの面積よりも小さくする場合などに、第2配線層9Bの平面視における面積が第1配線層9Aの平面視における面積よりも大きくなることがある。この場合は、例えば電子部品2の実装時に積層配線基板3に熱が加わった際に、積層配線基板3の下面側の(第2配線層9B側)の領域の熱膨張量が積層配線基板3の上面側(第1配線層9A側)の領域の熱膨張量よりも大きくなりやすく、積層配線基板3が反りやすい。   Incidentally, for example, as shown in FIGS. 4 and 5, in order to increase the density of the first pads 9x connected to the electronic component 2, the area of each first pad 9x is made larger than the area of each second pad 9y. For example, the area of the second wiring layer 9B in plan view may be larger than the area of the first wiring layer 9A in plan view. In this case, for example, when heat is applied to the multilayer wiring board 3 when the electronic component 2 is mounted, the thermal expansion amount in the region on the lower surface side (second wiring layer 9B side) of the multilayer wiring board 3 is the multilayer wiring board 3. The thermal expansion amount of the region on the upper surface side (the first wiring layer 9A side) of the laminated wiring board 3 tends to be larger, and the multilayer wiring board 3 tends to warp.

一方、本実施形態の積層配線基板3においては、積層体8の厚み方向の中心から第2配線層9Bまでの距離が、積層体8の厚み方向の中心から第1配線層9Aまでの距離よりも小さい。その結果、熱膨張量の大きい第2配線層9Bにおいては、積層配線基板3の反りに対する影響を小さくしつつ、熱膨張量の小さい第1配線層9Aにおいては、積層配線基板3の反りに対する影響を大きくすることができるため、電子部品2の実装時の加熱に起因した積層配線基板3の反りを低減することができる。したがって、電子部品2の実装時における積層配線基板3の平坦性を向上することができ、ひいては電子部品2の積層配線基板3との接続信頼性を向上させることができる。   On the other hand, in the multilayer wiring board 3 of the present embodiment, the distance from the center in the thickness direction of the multilayer body 8 to the second wiring layer 9B is greater than the distance from the center in the thickness direction of the multilayer body 8 to the first wiring layer 9A. Is also small. As a result, in the second wiring layer 9B having a large thermal expansion amount, the influence on the warp of the multilayer wiring substrate 3 is reduced, while in the first wiring layer 9A having a small thermal expansion amount, the influence on the warp of the multilayer wiring substrate 3 is obtained. Therefore, it is possible to reduce the warpage of the multilayer wiring board 3 due to heating during mounting of the electronic component 2. Therefore, the flatness of the multilayer wiring board 3 when the electronic component 2 is mounted can be improved, and as a result, the connection reliability of the electronic component 2 with the multilayer wiring board 3 can be improved.

なお、積層体8の厚み方向の中心から第1配線層9Aまでの距離とは、第1配線層9Aの下面と垂直に交わるとともに積層体8の中心を通る垂線における、積層体8の中心から第1配線層9Aの下面までの長さ(L1)を指す。また、積層体8の厚み方向の中心から第2配線層9Bまでの距離とは、第2配線層9Bの上面と垂直に交わるとともに積層体8の中心を通る垂線における、積層体8の中心から第2配線層9Bの上面までの長さ(L2)を指す。   The distance from the center in the thickness direction of the stacked body 8 to the first wiring layer 9A is from the center of the stacked body 8 at a perpendicular line that intersects the lower surface of the first wiring layer 9A and passes through the center of the stacked body 8. The length (L1) to the lower surface of the first wiring layer 9A is indicated. The distance from the center in the thickness direction of the stacked body 8 to the second wiring layer 9B is from the center of the stacked body 8 at a perpendicular line that intersects the upper surface of the second wiring layer 9B and passes through the center of the stacked body 8. The length (L2) to the upper surface of the second wiring layer 9B is indicated.

また、厚み方向に沿った断面視において、第1ビア導体10Aの幅は下側から上側に向かって小さくなっている。その結果、第1ビア導体10Aの上面に配置された第1パッド9xの平面視における面積を小さくすることができ、複数の第1パッド9xを高密度に配置することができ、ひいては積層配線基板3を小型化することができる。   Further, in a cross-sectional view along the thickness direction, the width of the first via conductor 10A decreases from the lower side toward the upper side. As a result, the area of the first pad 9x disposed on the upper surface of the first via conductor 10A in a plan view can be reduced, and the plurality of first pads 9x can be disposed at a high density. 3 can be reduced in size.

また、厚み方向に沿った断面視において、第1ビア導体10Aの幅は下側から上側に向かって小さくなっているとともに、第1配線層9Aと第1ビア導体10Aとの接続部の周囲には第1樹脂層6Aが配置されている。すなわち、厚み方向に沿った断面視において、第1配線層9Aの下面と第1ビア導体10Aの側面とが鋭角に交わって形成された第1角部C1には樹脂層6が入り込んでいる。その結果、第1角部C1に無機絶縁層7が入り込んでいる場合と比較して、樹脂層6は無機絶縁層7よりもヤング率が小さく柔らかいことから、第1ビア導体10Aが平面方向へ熱膨張した際に、第1角部C1に応力が集中して第1配線層9Aと第1ビア導体10Aとが剥離することを低減できる。   Further, in the cross-sectional view along the thickness direction, the width of the first via conductor 10A decreases from the lower side toward the upper side, and around the connection portion between the first wiring layer 9A and the first via conductor 10A. The first resin layer 6A is disposed. That is, the resin layer 6 enters the first corner C1 formed by crossing the lower surface of the first wiring layer 9A and the side surface of the first via conductor 10A at an acute angle in a cross-sectional view along the thickness direction. As a result, since the resin layer 6 has a smaller Young's modulus and is softer than the inorganic insulating layer 7 as compared with the case where the inorganic insulating layer 7 enters the first corner C1, the first via conductor 10A extends in the planar direction. It is possible to reduce the separation of the first wiring layer 9 </ b> A and the first via conductor 10 </ b> A due to the stress concentration on the first corner C <b> 1 when thermally expanded.

また、図2に示したように、第1樹脂層6Aにおける第1フィラー粒子12の含有割合は、上側から下側に向かって大きくなっている。すなわち、第1樹脂層6Aにおける第1フィラー粒子12の含有割合は、第1配線層9A側よりも第1無機絶縁層7A側の方が大きい。その結果、第1樹脂層6Aの熱膨張率と第1配線層9Aおよび第1無機絶縁層7Aの熱膨張率それぞれとの差が小さくなり、第1樹脂層6Aと第1配線層9Aとの剥離を低減できるとともに、第1樹脂層6Aと第1無機絶縁層7Aとの剥離を低減することができる。   In addition, as shown in FIG. 2, the content ratio of the first filler particles 12 in the first resin layer 6A increases from the upper side to the lower side. That is, the content ratio of the first filler particles 12 in the first resin layer 6A is larger on the first inorganic insulating layer 7A side than on the first wiring layer 9A side. As a result, the difference between the coefficient of thermal expansion of the first resin layer 6A and the coefficient of thermal expansion of each of the first wiring layer 9A and the first inorganic insulating layer 7A is reduced, and the first resin layer 6A and the first wiring layer 9A are different from each other. While peeling can be reduced, peeling between the first resin layer 6A and the first inorganic insulating layer 7A can be reduced.

また、図1に示したように、第2樹脂層6Bは、第2樹脂層6Bの上面に配置された第
2パッド9yが露出した第1貫通孔V1が形成されている。その結果、実装構造体1と外部回路基板4とを接続するために第2バンプ5Bを溶融した際に、第2樹脂層6Bに形成された第1貫通孔V1の内壁が第2バンプ5Bの流動を抑制するため、平面方向において隣り合う複数の第2パッド9y同士の電気的な短絡が抑制される。
As shown in FIG. 1, the second resin layer 6B has a first through hole V1 in which the second pad 9y disposed on the upper surface of the second resin layer 6B is exposed. As a result, when the second bump 5B is melted to connect the mounting structure 1 and the external circuit board 4, the inner wall of the first through-hole V1 formed in the second resin layer 6B is the second bump 5B. In order to suppress the flow, an electrical short circuit between the plurality of second pads 9y adjacent in the planar direction is suppressed.

また、厚み方向に沿った断面視において、第2ビア導体10Bの幅は上側から下側に向かって大きくなっているとともに、第2配線層9Bと第2ビア導体10Bとの接続部の周囲には第2無機絶縁層7Bが配置されている。すわなち、厚み方向に沿った断面視において、第2配線層9Bの上面と第2ビア導体10Bの側面とが鈍角に交わって形成された第2角部C2には第2無機絶縁層7Bが入り込んでいる。その結果、無機絶縁層7は樹脂層6よりもヤング率が大きいため、第2ビア導体10Bが平面方向へ熱膨張した際に、第2角部C2に応力が集中しやすいが、第2角部C2は鈍角であるため、第2角部C2が鋭角である場合と比較して、応力の集中を低減することができ、第2配線層9Bと第2ビア導体10Bとの剥離を低減することができる。   In addition, in the cross-sectional view along the thickness direction, the width of the second via conductor 10B increases from the upper side to the lower side, and around the connection portion between the second wiring layer 9B and the second via conductor 10B. The second inorganic insulating layer 7B is disposed. In other words, in the cross-sectional view along the thickness direction, the second inorganic insulating layer 7B is formed at the second corner C2 formed by the obtuse angle between the upper surface of the second wiring layer 9B and the side surface of the second via conductor 10B. Has entered. As a result, since the inorganic insulating layer 7 has a Young's modulus larger than that of the resin layer 6, when the second via conductor 10B thermally expands in the plane direction, stress tends to concentrate on the second corner C2. Since the part C2 has an obtuse angle, the stress concentration can be reduced and the separation between the second wiring layer 9B and the second via conductor 10B can be reduced as compared with the case where the second corner part C2 is an acute angle. be able to.

また、積層体8は、積層体8の最上層および最下層に樹脂層6が配置されているとともに、複数の樹脂層6と複数の無機絶縁層7とが1層ずつ交互に配置されている。その結果、電子部品2の実装時に積層配線基板3に熱が加わった際に、積層体8の上側と下側とにおいて積層体8の平面方向への熱膨張量のばらつきを小さくできることから、積層体8の反りを低減することができ、積層配線基板3の反りを低減することができる。したがって、電子部品2の積層配線基板3への実装の信頼性を向上させることができる。   In the laminate 8, the resin layers 6 are disposed on the uppermost layer and the lowermost layer of the laminate 8, and the plurality of resin layers 6 and the plurality of inorganic insulating layers 7 are alternately disposed one by one. . As a result, when heat is applied to the multilayer wiring board 3 when the electronic component 2 is mounted, the variation in the amount of thermal expansion in the plane direction of the multilayer body 8 can be reduced between the upper side and the lower side of the multilayer body 8. The warp of the body 8 can be reduced, and the warp of the multilayer wiring board 3 can be reduced. Therefore, the reliability of mounting the electronic component 2 on the laminated wiring board 3 can be improved.

また、第1樹脂層6Aの厚みは、第2樹脂層6Bの厚みよりも小さい。その結果、第1樹脂層6Aの厚み方向への熱膨張量を低減することができるため、第1ビア導体10Aと第1パッド9xとの剥離を低減することができる。   The thickness of the first resin layer 6A is smaller than the thickness of the second resin layer 6B. As a result, since the amount of thermal expansion in the thickness direction of the first resin layer 6A can be reduced, the separation between the first via conductor 10A and the first pad 9x can be reduced.

一方、本実施形態においては、積層体8に含まれた複数の樹脂層6の一部は、それぞれの下面に配置された無機絶縁層7に入り込んでいることから、樹脂層6の熱膨張量は下側よりも上側で大きくなりやすく、積層体8の熱膨張量も上側で大きくなりやすい。そこで積層体8の最下層に配置された第2樹脂層6Bを厚く形成することで、積層体8における上側と下側との熱膨張のバランスをとることができ、ひいては積層配線基板3の反りを低減することができる。なお、この場合に、第2樹脂層6Bの厚みは、第1樹脂層6Aの例えば1.04倍以上1.2倍以下に設定されている。   On the other hand, in the present embodiment, since a part of the plurality of resin layers 6 included in the laminate 8 has entered the inorganic insulating layer 7 disposed on the lower surface, the thermal expansion amount of the resin layer 6. Tends to be larger on the upper side than on the lower side, and the thermal expansion amount of the laminate 8 tends to be larger on the upper side. Therefore, by forming the second resin layer 6B disposed in the lowermost layer of the multilayer body 8 thick, it is possible to balance the thermal expansion between the upper side and the lower side of the multilayer body 8, and consequently warp of the multilayer wiring board 3. Can be reduced. In this case, the thickness of the second resin layer 6B is set to, for example, 1.04 times or more and 1.2 times or less of the first resin layer 6A.

また、第1樹脂層6Aにおける第1フィラー粒子12の含有割合は、第2樹脂層6Bにおける第1フィラー粒子12の含有割合よりも大きい。その結果、第1樹脂層6Aの厚み方向への熱膨張量を低減することができることから、第1ビア導体10Aと第1パッド9xとの剥離を低減することができる。なお、この場合には、第2樹脂層6Bにおける第1フィラー粒子12の含有割合は、第1樹脂層6Aにおける第1フィラー粒子12の含有割の例えば1.04倍以上1.2倍以下に設定されている。   The content ratio of the first filler particles 12 in the first resin layer 6A is larger than the content ratio of the first filler particles 12 in the second resin layer 6B. As a result, since the amount of thermal expansion in the thickness direction of the first resin layer 6A can be reduced, the separation between the first via conductor 10A and the first pad 9x can be reduced. In this case, the content ratio of the first filler particles 12 in the second resin layer 6B is, for example, 1.04 to 1.2 times the content ratio of the first filler particles 12 in the first resin layer 6A. Is set.

また、全ての樹脂層6は、例えば、ガラス繊維または樹脂繊維などからなる基材を含まないことが望ましい。その結果、樹脂層6における基材を含むための厚みを削減できることから、積層配線基板3を薄型化することができる。   Moreover, it is desirable that all the resin layers 6 do not include a base material made of glass fiber or resin fiber, for example. As a result, since the thickness for including the base material in the resin layer 6 can be reduced, the laminated wiring board 3 can be thinned.

また、全ての樹脂層6は、第1樹脂部11および第1フィラー粒子12のみからなることが望ましい。その結果、樹脂層6における基材を含むための厚みを削減できることから、積層配線基板3を薄型化することができる。   Moreover, it is desirable that all the resin layers 6 consist only of the first resin portion 11 and the first filler particles 12. As a result, since the thickness for including the base material in the resin layer 6 can be reduced, the laminated wiring board 3 can be thinned.

また、樹脂層6の厚みは、無機絶縁層7の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果
、積層体8における無機絶縁層7の割合が大きくなり、積層体8の熱膨張率を低減することができ、積層配線基板3の熱膨張率を低減することができる。
The thickness of the resin layer 6 is preferably smaller than the thickness of the inorganic insulating layer 7. As a result, the ratio of the inorganic insulating layer 7 in the multilayer body 8 is increased, the thermal expansion coefficient of the multilayer body 8 can be reduced, and the thermal expansion coefficient of the multilayer wiring board 3 can be reduced.

また、第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14は、酸化ケイ素からなることが望ましい。酸化ケイ素は他の無機絶縁材料と比較して誘電正接および誘電率が低いため、積層配線基板3の信号伝送特性を向上させることができる。   The first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 are preferably made of silicon oxide. Since silicon oxide has a lower dielectric loss tangent and dielectric constant than other inorganic insulating materials, the signal transmission characteristics of the laminated wiring board 3 can be improved.

また、積層配線基板3内において、無機絶縁層7の厚みは、その他全ての無機絶縁層7の厚みと同一であってもよい。この場合には、複数の無機絶縁層7それぞれの熱膨張量のばらつきを小さくすることができ、積層配線基板3全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板3の反りを低減することができる。なお、ここで「同一」とは数値の差が3%以下であることを指す。また、以下の記載における「同一」も同様とする。   In the laminated wiring board 3, the thickness of the inorganic insulating layer 7 may be the same as the thickness of all other inorganic insulating layers 7. In this case, variation in the thermal expansion amount of each of the plurality of inorganic insulating layers 7 can be reduced, the thermal expansion coefficient of the entire multilayer wiring board 3 can be balanced, and the warpage of the multilayer wiring board 3 can be reduced. can do. Here, “same” means that the difference in numerical values is 3% or less. The same applies to “same” in the following description.

また、積層配線基板3内において、全ての樹脂層6の第1樹脂部11および第1フィラー粒子12の材料は同じであってもよい。この場合には、複数の樹脂層6それぞれの熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板3全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板3の反りを低減することができる。   Moreover, in the laminated wiring board 3, the material of the 1st resin part 11 and the 1st filler particle | grains 12 of all the resin layers 6 may be the same. In this case, since the variation in the thermal expansion coefficient of each of the plurality of resin layers 6 can be reduced, the thermal expansion coefficient of the entire multilayer wiring board 3 can be balanced and the warpage of the multilayer wiring board 3 can be reduced. can do.

(実装構造体の製造方法)
次に、上述した実装構造体1の製造方法を、図6から図13に基づいて説明する。
(Manufacturing method of mounting structure)
Next, the manufacturing method of the mounting structure 1 mentioned above is demonstrated based on FIGS.

(積層シートの作製)
(1)図6(a)および図6(b)に示したように、第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14を含む固形分7´と、この固形分7´が分散した溶剤15とを有する無機絶縁ゾル7xを準備する。無機絶縁ゾル7xは、例えば、固形分7´を10体積%以上50体積%以下含み、溶剤15を50%体積以上90体積%以下含む。また、無機絶縁ゾル7xの固形分7´は、例えば、第1無機絶縁粒子13を20体積%以上90体積%以下含み、第2無機絶縁粒子14を10体積%以上80体積%以下含む。
(Production of laminated sheet)
(1) As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), a solid content 7 ′ containing the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 and a solvent in which the solid content 7 ′ is dispersed. 15 is prepared. The inorganic insulating sol 7x includes, for example, a solid content 7 'of 10% by volume to 50% by volume and a solvent 15 of 50% to 90% by volume. Further, the solid content 7 ′ of the inorganic insulating sol 7x includes, for example, the first inorganic insulating particles 13 by 20% by volume or more and 90% by volume or less, and the second inorganic insulating particles 14 by 10% by volume or more and 80% by volume or less.

第1無機絶縁粒子13は、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることによって作製することができる。   The first inorganic insulating particles 13 can be produced, for example, by purifying a silicate compound such as a sodium silicate aqueous solution (water glass) and chemically depositing silicon oxide.

第2無機絶縁粒子14は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ800℃以上1500℃以下に加熱することによって作製することができる。   If the second inorganic insulating particles 14 are made of silicon oxide, for example, a silicate compound such as a sodium silicate aqueous solution (water glass) is purified, and a solution in which silicon oxide is chemically deposited is put in a flame. It can produce by spraying and heating at 800 degreeC or more and 1500 degrees C or less, reducing formation of the aggregate.

溶剤15は、例えば、メタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された2種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。   The solvent 15 is, for example, selected from methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide or the like. An organic solvent containing a mixture of two or more kinds can be used.

(2)図7(a)に示したように、銅などの金属材料からなる金属箔16を準備し、金属箔16の一主面に無機絶縁ゾル7xを層状に塗布する。無機絶縁ゾル7xの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。   (2) As shown in FIG. 7A, a metal foil 16 made of a metal material such as copper is prepared, and an inorganic insulating sol 7x is applied to one main surface of the metal foil 16 in layers. The inorganic insulating sol 7x can be applied using, for example, a dispenser, a bar coater, a die coater, or screen printing.

(3)図7(b)および図7(c)に示したように、溶剤15を蒸発させて無機絶縁ゾル7xを乾燥させ、固形分7´を残存させる。無機絶縁ゾル7xの乾燥は、例えば、加熱
および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば20℃以上溶剤15の沸点(2種類以上の溶剤15を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤15の沸点)未満に設定され、乾燥時間が、例えば20秒以上30分以下に設定される。
(3) As shown in FIGS. 7B and 7C, the solvent 15 is evaporated to dry the inorganic insulating sol 7x, leaving the solid content 7 ′. The inorganic insulating sol 7x is dried by, for example, heating and air drying. The drying temperature is set to, for example, 20 ° C. or higher and lower than the boiling point of the solvent 15 (in the case where two or more solvents 15 are mixed), the drying time is set to, for example, 20 seconds or more. Set to 30 minutes or less.

(4)図8(a)および図8(b)に示したように、固形分7´を加熱し、第1無機絶縁粒子13同士および第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とを互いの一部で接続させた無機絶縁層7を作製する。   (4) As shown in FIG. 8 (a) and FIG. 8 (b), the solid content 7 ′ is heated, and the first inorganic insulating particles 13 and the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 The inorganic insulating layer 7 in which the layers are connected to each other is prepared.

ここで、本実施形態における固形分7´は、粒径が例えば3nm以上110nm以下と微小な値に設定された第1無機絶縁粒子13を含んでいる。その結果、固形分7´の加熱温度が比較的低温、例えば第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14の結晶化開始温度未満と低温であっても、第1無機絶縁粒子13同士を強固に接続させることができる。   Here, the solid content 7 ′ in the present embodiment includes the first inorganic insulating particles 13 whose particle size is set to a very small value, for example, 3 nm to 110 nm. As a result, even if the heating temperature of the solid content 7 ′ is relatively low, for example, below the crystallization start temperature of the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14, the first inorganic insulating particles 13 are bonded together. It can be firmly connected.

また、このように低温で加熱することによって、第1無機絶縁粒子13および第2無機絶縁粒子14が粒子の形状を保持しつつ、第1無機絶縁粒子13同士および第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第1無機絶縁粒子13同士および第1無機絶縁粒子13と第2無機絶縁粒子14とを互いの一部で接続させることができ、間隙Gを容易に形成することができる。   In addition, by heating at such a low temperature, the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 maintain the shape of the particles, and the first inorganic insulating particles 13 and the first inorganic insulating particles 13 and the first inorganic insulating particles 13 2 The inorganic insulating particles 14 can be connected only in the proximity region. As a result, the first inorganic insulating particles 13 and the first inorganic insulating particles 13 and the second inorganic insulating particles 14 can be connected by a part of each other, and the gap G can be easily formed.

なお、固形分7´の加熱は、温度が例えば100℃以上300℃未満に設定され、時間が例えば0.5時間以上24時間以下に設定されることが望ましい。   In addition, as for heating of solid content 7 ', it is desirable that temperature is set to 100 degreeC or more and less than 300 degreeC, and time is set to 0.5 hours or more and 24 hours or less, for example.

(5)図9(a)および図9(b)に示したように、未硬化の第1樹脂11xに第1フィラー粒子12を分散させた樹脂前駆体層6xを準備し、無機絶縁層7の金属箔16と反対側の主面に樹脂前駆体層6xを塗布または積層する。   (5) As shown in FIGS. 9A and 9B, the resin precursor layer 6x in which the first filler particles 12 are dispersed in the uncured first resin 11x is prepared, and the inorganic insulating layer 7 is prepared. The resin precursor layer 6x is applied or laminated on the main surface opposite to the metal foil 16.

次いで、図9(c)に示したように、金属箔16、無機絶縁層7および樹脂前駆体層6xを上下方向に加熱加圧することによって、無機絶縁層7の間隙Gの一部に未硬化の第1樹脂11xを入り込ませる。金属箔16、無機絶縁層7および樹脂前駆体層6xの加熱加圧は、樹脂前駆体層6xの熱硬化開始温度未満で行なう。具体的には、加熱温度が例えば60℃以上160℃以下に設定され、圧力が例えば0.1MPa以上2MPa以下に設定され、加熱加圧時間が例えば0.5時間以上2時間以下に設定される。なお、未硬化とは、ISO472:1999に準ずるA−ステージまたはB−ステージの状態である。   Next, as shown in FIG. 9C, the metal foil 16, the inorganic insulating layer 7, and the resin precursor layer 6 x are heated and pressed in the vertical direction so that a part of the gap G of the inorganic insulating layer 7 is uncured. Of the first resin 11x. The metal foil 16, the inorganic insulating layer 7, and the resin precursor layer 6x are heated and pressurized at a temperature lower than the thermosetting start temperature of the resin precursor layer 6x. Specifically, the heating temperature is set to, for example, 60 ° C. or more and 160 ° C. or less, the pressure is set to, for example, 0.1 MPa or more and 2 MPa or less, and the heating and pressing time is set to, for example, 0.5 hours or more and 2 hours or less. . In addition, uncured is the state of A-stage or B-stage according to ISO472: 1999.

以上のようにして、金属箔16、無機絶縁層7および樹脂前駆体層6xを含む積層シート17を作製する。なお、本工程において、樹脂前駆体層6の未硬化の第1樹脂11xの一部が無機絶縁層7の空隙Gに充填されることから、複数の第1フィラー粒子12の一部は、無機絶縁層7の一主面上にろ過されるように集まる。   As described above, the laminated sheet 17 including the metal foil 16, the inorganic insulating layer 7, and the resin precursor layer 6x is produced. In this step, since a part of the uncured first resin 11x of the resin precursor layer 6 is filled in the gap G of the inorganic insulating layer 7, some of the plurality of first filler particles 12 are inorganic. It gathers so that it may filter on one main surface of the insulating layer 7. FIG.

(積層配線基板の作製)
(6)図10(b)に示したように、一主面に金属箔16が形成された支持体18を準備し、支持体18の金属箔16の一主面に樹脂層6(第1樹脂層6A)および無機絶縁層7(第1無機絶縁層7A)を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(Production of multilayer wiring board)
(6) As shown in FIG. 10B, a support 18 having a metal foil 16 formed on one main surface is prepared, and a resin layer 6 (first layer) is formed on one main surface of the metal foil 16 of the support 18. Resin layer 6A) and inorganic insulating layer 7 (first inorganic insulating layer 7A) are formed. Specifically, for example, the following is performed.

まず、図10(a)に示したように、積層シート17の樹脂前駆体層6xを、支持体18の金属箔16の一主面に接するように積層する。次いで、支持体18および積層シート17を厚み方向に加熱加圧して樹脂前駆体層6xを硬化させることによって、図10(b)に示したように、樹脂層6を形成し、樹脂層6(第1樹脂層6A)を介して無機絶縁層7(第1無機絶縁層7A)を金属箔16に接着させる。   First, as shown in FIG. 10A, the resin precursor layer 6 x of the laminated sheet 17 is laminated so as to be in contact with one main surface of the metal foil 16 of the support 18. Next, the support 18 and the laminated sheet 17 are heated and pressed in the thickness direction to cure the resin precursor layer 6x, thereby forming the resin layer 6 as shown in FIG. The inorganic insulating layer 7 (first inorganic insulating layer 7A) is bonded to the metal foil 16 via the first resin layer 6A).

なお、支持体18および積層シート17の加熱加圧は、温度が未硬化の第1樹脂11xの硬化開始温度以上で熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、支持体18および積層シート17の加熱加圧は、温度が例えば170℃以上230℃以下に設定され、圧力が例えば2MPa以上3MPa以下に設定され、時間が例えば0.5時間以上2時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂材料が、ISO472:1999に準ずるC−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ISO11358:1997に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が5%減少する温度である。   In addition, as for the heating and pressurization of the support body 18 and the laminated sheet 17, it is desirable that the temperature is set to be equal to or higher than the curing start temperature of the uncured first resin 11x and lower than the thermal decomposition temperature. Specifically, the heat and pressure of the support 18 and the laminated sheet 17 are set such that the temperature is set to 170 ° C. or higher and 230 ° C. or lower, the pressure is set to 2 MPa or higher and 3 MPa or lower, and the time is 0.5 hours or longer, for example. It is set to 2 hours or less. The curing start temperature is a temperature at which the resin material becomes a C-stage according to ISO 472: 1999. The thermal decomposition temperature is a temperature at which the mass of the resin is reduced by 5% in thermogravimetry according to ISO11358: 1997.

(7)図11(c)に示したように、樹脂層6(第1樹脂層6A)および無機絶縁層7(第1無機絶縁層7A)を厚み方向に貫通するビア導体10(第1ビア導体10A)を形成し、無機絶縁層7の下面に配線層9(第3配線層9C)を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。   (7) As shown in FIG. 11C, the via conductor 10 (first via) that penetrates the resin layer 6 (first resin layer 6A) and the inorganic insulating layer 7 (first inorganic insulating layer 7A) in the thickness direction. The conductor 10A) is formed, and the wiring layer 9 (third wiring layer 9C) is formed on the lower surface of the inorganic insulating layer 7. Specifically, for example, the following is performed.

まず、例えばYAGレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて積層シート17の金属箔16の下面にレーザー光を照射することにより、図11(a)に示したように、樹脂層6(第1樹脂層6A)および無機絶縁層7(第1無機絶縁層7A)を貫通する貫通孔V(第2貫通孔V2)を形成し、この第2貫通孔V2内に支持体18の金属箔16の少なくとも一部を露出させる。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、CVD法またはスパッタリング法などを用いて第2貫通孔V2の内壁に導電材料を被着させることにより、図11(b)に示したように、柱状のビア導体10(第1ビア導体10A)を形成することができる。次に、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法などを用いて積層シート17の金属箔16をパターニングすることにより、図11(c)に示したように、無機絶縁層7の一主面に配線層9(第3配線層9C)を形成することができる。   First, as shown in FIG. 11A, the resin layer 6 (first resin) is irradiated by irradiating the lower surface of the metal foil 16 of the laminated sheet 17 with, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide laser device. A through hole V (second through hole V2) penetrating the layer 6A) and the inorganic insulating layer 7 (first inorganic insulating layer 7A), and at least the metal foil 16 of the support 18 is formed in the second through hole V2. Expose part. Next, a conductive material is deposited on the inner wall of the second through hole V2 by using, for example, an electroless plating method, an electroplating method, a vapor deposition method, a CVD method, a sputtering method, or the like, as shown in FIG. In this way, the columnar via conductor 10 (first via conductor 10A) can be formed. Next, by patterning the metal foil 16 of the laminated sheet 17 using, for example, a photolithography technique or an etching method, the wiring layer 9 is formed on one main surface of the inorganic insulating layer 7 as shown in FIG. (Third wiring layer 9C) can be formed.

第2貫通孔V2は、積層シート17の金属箔16の一主面にレーザー光を照射することにより形成しているため、このレーザー光の照射量または照射時間を適宜調整することにより、第2貫通孔V2を積層シート17の金属箔16から支持体18の金属箔16に向かって断面積が大きくなるように形成することができる。   Since the second through-hole V2 is formed by irradiating one main surface of the metal foil 16 of the laminated sheet 17 with laser light, the second through-hole V2 is adjusted by appropriately adjusting the irradiation amount or irradiation time of the laser light. The through hole V <b> 2 can be formed so that the cross-sectional area increases from the metal foil 16 of the laminated sheet 17 toward the metal foil 16 of the support 18.

(8)図12(a)〜図12(c)に示したように、(6)の工程と(7)の工程とを繰り返すことによって、第3樹脂層6C、第3無機絶縁層7Cおよび第3配線層9Cと、第3樹脂層6C、第2無機絶縁層7Bおよび第2配線層9Bとを形成する。次いで、図12(d)に示したように、第2配線層9Bを被覆するように単体の樹脂前駆体層6xを積層し、第2配線層9Bを被覆した単体の樹脂前駆体層6xを熱硬化させた後、レーザー光を照射することによって貫通孔V(第1貫通孔V1)を形成し、第2配線層9Bにおける第2パッド9yを露出させ、第2樹脂層6Bを形成する。また、本工程において、第2樹脂層6Bは、第1樹脂層6Aのように無機絶縁層7の間隙Gに入り込まないことから、第1樹脂層6Aよりも厚く形成され、また第1フィラー粒子12の含有割合は小さくなる。   (8) As shown in FIGS. 12A to 12C, by repeating the process of (6) and the process of (7), the third resin layer 6C, the third inorganic insulating layer 7C, and A third wiring layer 9C, a third resin layer 6C, a second inorganic insulating layer 7B, and a second wiring layer 9B are formed. Next, as shown in FIG. 12D, the single resin precursor layer 6x is laminated so as to cover the second wiring layer 9B, and the single resin precursor layer 6x covering the second wiring layer 9B is formed. After thermosetting, the through hole V (first through hole V1) is formed by irradiating laser light, the second pad 9y in the second wiring layer 9B is exposed, and the second resin layer 6B is formed. Further, in this step, the second resin layer 6B does not enter the gap G of the inorganic insulating layer 7 unlike the first resin layer 6A. Therefore, the second resin layer 6B is formed thicker than the first resin layer 6A. The content ratio of 12 becomes small.

(9)図13(a)に示したように、支持体18から金属箔16を剥離する。具体的には、例えば、支持体18が上方に位置するように積層配線基板3を多孔質のテーブル上に載置し、真空ポンプを用いて吸引することによって積層配線基板3を固定し、支持体18を上方に引っ張ることにより、支持体18から金属箔16を剥離することができる。   (9) As shown in FIG. 13A, the metal foil 16 is peeled from the support 18. Specifically, for example, the laminated wiring board 3 is placed on a porous table so that the support 18 is positioned above, and the laminated wiring board 3 is fixed and supported by suction using a vacuum pump. The metal foil 16 can be peeled from the support 18 by pulling the body 18 upward.

(10)図13(b)に示したように、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法などを用いて支持体18の金属箔16をパターニングすることによって、配線層9(第1配線層9A)を形成する。   (10) As shown in FIG. 13B, the wiring layer 9 (first wiring layer 9A) is formed by patterning the metal foil 16 of the support 18 using, for example, a photolithography technique or an etching method. To do.

以上のようにして、積層配線基板3を作製することができる。   As described above, the multilayer wiring board 3 can be manufactured.

(実装構造体の作製)
(11)図13(c)に示したように、第1バンプ5Aを介して積層配線基板3に電子部品2をフリップチップ実装することによって実装構造体1を作製することができる。
(Production of mounting structure)
(11) As shown in FIG. 13C, the mounting structure 1 can be manufactured by flip-chip mounting the electronic component 2 on the multilayer wiring board 3 via the first bumps 5A.

<第2実施形態>
(実装構造体)
次に、本発明の第2実施形態に係る積層配線基板を含む実装構造体を、図14を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては説明を省略する。
Second Embodiment
(Mounting structure)
Next, a mounting structure including the multilayer wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.

第2実施形態の積層配線基板3は、第1実施形態と異なり、図14に示したように、樹脂層6とこの樹脂層6の上側に配置された複数の無機絶縁層7との間に接着樹脂層19が配置されている。   Unlike the first embodiment, the multilayer wiring board 3 of the second embodiment is provided between the resin layer 6 and the plurality of inorganic insulating layers 7 disposed above the resin layer 6 as shown in FIG. An adhesive resin layer 19 is disposed.

この接着樹脂層19は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂などの樹脂材料からなり、樹脂層6よりもヤング率が小さく設定されている。接着樹脂層19の厚みは、例えば0.1μm以上5μm以下に設定され、樹脂層6の厚みの例えば0.1%以上10%以下に設定され、配線層8の厚みの例えば1.5%以上50%以下に設定されている。接着樹脂層19のヤング率は、例えば0.05GPa以上5GPa以下に設定され、樹脂層6のヤング率の例えば0.5%以上50%以下に設定され、配線層8のヤング率の例えば0.04%以上4%以下に設定されている。接着樹脂層19の平面方向への熱膨張率は、例えば20ppm/℃以上100ppm/℃以下に設定されている。   The adhesive resin layer 19 is made of a resin material such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, or a polyimide resin, and has a Young's modulus smaller than that of the resin layer 6. The thickness of the adhesive resin layer 19 is set to, for example, 0.1 μm to 5 μm, the thickness of the resin layer 6 is set to, for example, 0.1% to 10%, and the thickness of the wiring layer 8 is, for example, 1.5% or more. It is set to 50% or less. The Young's modulus of the adhesive resin layer 19 is set to, for example, 0.05 GPa or more and 5 GPa or less, the Young's modulus of the resin layer 6 is set to, for example, 0.5% to 50%, and the Young's modulus of the wiring layer 8 is, for example, 0. It is set to 04% or more and 4% or less. The thermal expansion coefficient in the planar direction of the adhesive resin layer 19 is set to, for example, 20 ppm / ° C. or more and 100 ppm / ° C. or less.

また、接着樹脂層19は、接着樹脂層19の難燃性を向上させるために、例えば酸化ケイ素などの無機絶縁材料からなる第2フィラー粒子を含んでもよい。第2フィラー粒子は、粒径が、例えば0.05μm以上0.7μm以下に設定されている。接着樹脂層19における第2フィラー粒子の含有量は、例えば1体積%以上10体積%以下に設定されている。   Further, the adhesive resin layer 19 may include second filler particles made of an inorganic insulating material such as silicon oxide in order to improve the flame retardance of the adhesive resin layer 19. The second filler particles have a particle size set to, for example, 0.05 μm or more and 0.7 μm or less. The content of the second filler particles in the adhesive resin layer 19 is set to, for example, 1 volume% or more and 10 volume% or less.

ここで、本実施形態において、複数の樹脂層6は、それぞれの下面に配置された無機絶縁層7にその一部が入り込んでいるとともに、それぞれの上面に配置された無機絶縁層7と接着樹脂層19を介して接続している。その結果、複数の樹脂層6は、それらの下面に配置された無機絶縁層7にその一部が入りこむことによって、複数の樹脂層6とその下面に配置された無機絶縁層7との剥離を低減することができる。そして、複数の樹脂層6は、それらの上面に配置された無機絶縁層7との間に接着樹脂層19を介することによって、複数の樹脂層6とそれらの上面に配置された無機絶縁層7との接着強度を向上させることができる。したがって、複数の樹脂層6と複数の無機絶縁層7との剥離を低減することができる。   Here, in this embodiment, the plurality of resin layers 6 partially enter the inorganic insulating layer 7 disposed on the lower surface, and the inorganic insulating layer 7 and adhesive resin disposed on the upper surface. They are connected via the layer 19. As a result, the plurality of resin layers 6 are separated from the plurality of resin layers 6 and the inorganic insulating layer 7 disposed on the lower surface thereof by partially entering the inorganic insulating layer 7 disposed on the lower surface thereof. Can be reduced. Then, the plurality of resin layers 6 are provided with the plurality of resin layers 6 and the inorganic insulating layer 7 disposed on the upper surface thereof by interposing the adhesive resin layer 19 between the plurality of resin layers 6 and the inorganic insulating layer 7 disposed on the upper surface thereof. The adhesive strength can be improved. Therefore, peeling between the plurality of resin layers 6 and the plurality of inorganic insulating layers 7 can be reduced.

(実装構造体の製造方法)
次に、上述した第2実施形態の実装構造体1の製造方法を説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の方法に関しては説明を省略する。
(Manufacturing method of mounting structure)
Next, the manufacturing method of the mounting structure 1 of the second embodiment described above will be described. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the method similar to 1st Embodiment mentioned above.

上述した第1実施形態の(2)の工程と同様の工程において、金属箔16に未硬化の第2樹脂および第2フィラー粒子を含む接着樹脂前駆体層を塗布または積層した後、接着樹脂前駆体層の金属箔16とは反対側の主面に無機絶縁ゾル7xを塗布する。次いで、(5
)の工程と同様の工程において、金属箔16、接着樹脂前駆体層、無機絶縁層7および樹脂前駆体層6xを含む積層シート17を形成する。次いで、(6)の工程と同様の工程において、積層シート17を支持体18に積層した後、未硬化の第1樹脂11xを熱硬化させて樹脂前駆体層6xを樹脂層6にすると同時に、未硬化の第2樹脂を熱硬化させて接着樹脂前駆体層を接着樹脂層19とする。次いで、(7)の工程と同様の工程において、樹脂層6、無機絶縁層7および接着樹脂層19を厚み方向に貫通するビア導体10を形成し、接着樹脂層19の下面に配線層9を形成する。そして、(8)の工程と同様の工程において、(6)および(7)を積層配線基板3の所望の積層数繰り返すことによって、積層配線基板3が作製される。
In the same process as the process (2) of the first embodiment described above, after applying or laminating the adhesive resin precursor layer containing the uncured second resin and the second filler particles to the metal foil 16, the adhesive resin precursor The inorganic insulating sol 7x is applied to the main surface of the body layer opposite to the metal foil 16. Then (5
In the same step as in step), a laminated sheet 17 including the metal foil 16, the adhesive resin precursor layer, the inorganic insulating layer 7 and the resin precursor layer 6x is formed. Next, in the same step as the step (6), after laminating the laminated sheet 17 on the support 18, the uncured first resin 11x is thermally cured to make the resin precursor layer 6x the resin layer 6, The uncured second resin is thermally cured to form the adhesive resin precursor layer as the adhesive resin layer 19. Next, in a step similar to the step (7), the via conductor 10 penetrating the resin layer 6, the inorganic insulating layer 7 and the adhesive resin layer 19 in the thickness direction is formed, and the wiring layer 9 is formed on the lower surface of the adhesive resin layer 19. Form. Then, in the same step as the step (8), the laminated wiring board 3 is manufactured by repeating (6) and (7) for the desired number of laminated layers of the laminated wiring board 3.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述した本発明の実施形態は、積層体8が複数の樹脂層6と複数の無機絶縁層7とを交互に積層してなる構成を例に説明したが、例えば、第3無機絶縁層7Cを樹脂層6に置き換えて、第1無機絶縁層7Aと第2無機絶縁層7Bとの間を全て樹脂層6で構成しても構わない。この場合は、実装構造体1の製造方法においては、(8)の工程にて第3配線層9cの下面に単体の樹脂前駆体層6xを積層すればよい。   For example, in the above-described embodiment of the present invention, the laminated body 8 has been described as an example of the configuration in which the plurality of resin layers 6 and the plurality of inorganic insulating layers 7 are alternately stacked. For example, the third inorganic insulating layer 7C may be replaced with the resin layer 6, and the resin layer 6 may be used as a whole between the first inorganic insulating layer 7A and the second inorganic insulating layer 7B. In this case, in the method for manufacturing the mounting structure 1, the single resin precursor layer 6x may be laminated on the lower surface of the third wiring layer 9c in the step (8).

また、上述した本発明の実施形態は、積層体8が4層の樹脂層6と3層の無機絶縁層7とを含み、これら樹脂層6と無機絶縁層7とが交互に積層された構成を例に説明したが、積層体8は、4層以上の樹脂層6と3層以上の無機絶縁層7とを含み、それらが交互に積層されていても構わない。   In the embodiment of the present invention described above, the laminate 8 includes the four resin layers 6 and the three inorganic insulating layers 7, and the resin layers 6 and the inorganic insulating layers 7 are alternately laminated. However, the laminate 8 may include four or more resin layers 6 and three or more inorganic insulating layers 7, which may be alternately laminated.

また、上述した本発明の実施形態は、第1配線層9Aが第1樹脂層6Aの上面に配置されている構成を例に説明したが、第1配線層9Aを第1樹脂層6Aと第1無機絶縁層7Aとの間に配置して、第1配線層9Aが具備している外部接続用の第1パッド9xを、第1樹脂層6Aに貫通孔を形成することによって露出させても構わない。   Further, in the above-described embodiment of the present invention, the configuration in which the first wiring layer 9A is disposed on the upper surface of the first resin layer 6A has been described as an example. However, the first wiring layer 9A is connected to the first resin layer 6A and the first resin layer 6A. The first pad 9x for external connection provided in the first wiring layer 9A may be exposed by forming a through hole in the first resin layer 6A. I do not care.

また、上述した本発明の実施形態は、第2配線層9Bが第2無機絶縁層7Bと第2樹脂層6Bとの間に配置されている構成を例に説明したが、第2配線層9Bは第2樹脂層6Bの下面に配置されても構わない。   In the above-described embodiment of the present invention, the second wiring layer 9B has been described as an example of the configuration in which the second wiring layer 9B is disposed between the second inorganic insulating layer 7B and the second resin layer 6B. May be disposed on the lower surface of the second resin layer 6B.

また、上述した本発明の実施形態は、積層体8における第1樹脂層6Aと第2樹脂層6Bとの厚みが異なる構成を例に説明したが、樹脂層6の厚みは、その他全ての樹脂層6の厚みと同一でもよい。その場合には、複数の樹脂層6それぞれの熱膨張量のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板3全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板3の反りを低減することができる。   Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the structure from which the thickness of the 1st resin layer 6A and 2nd resin layer 6B in the laminated body 8 differs as an example, the thickness of the resin layer 6 is all other resin. It may be the same as the thickness of the layer 6. In that case, since the variation in the thermal expansion amount of each of the plurality of resin layers 6 can be reduced, the thermal expansion coefficient of the entire multilayer wiring board 3 can be balanced, and the warpage of the multilayer wiring board 3 can be reduced. can do.

また、上述した本発明の実施形態は、複数の樹脂層6において、樹脂層6における第1樹脂部11の含有割合および樹脂層6における第1フィラー粒子12の含有割合が異なる構成を例に説明したが、樹脂層6における第1樹脂部11の含有割合および樹脂層6における第1フィラー粒子12の含有割合は、全ての樹脂層6において同一でもよい。その結果、複数の樹脂層6それぞれの熱膨張率のばらつきを小さくすることができることから、積層配線基板3全体の熱膨張率のバランスをとることができ、積層配線基板3の反りを低減することができる。   Further, the above-described embodiment of the present invention is described by taking, as an example, a configuration in which the content ratio of the first resin portion 11 in the resin layer 6 and the content ratio of the first filler particles 12 in the resin layer 6 are different in the plurality of resin layers 6. However, the content ratio of the first resin portion 11 in the resin layer 6 and the content ratio of the first filler particles 12 in the resin layer 6 may be the same in all the resin layers 6. As a result, since the variation in the thermal expansion coefficient of each of the plurality of resin layers 6 can be reduced, the thermal expansion coefficient of the entire multilayer wiring board 3 can be balanced, and the warpage of the multilayer wiring board 3 can be reduced. Can do.

また、上述した本発明の実施形態は、(2)の工程において無機絶縁ゾル7xを金属箔16の一主面に塗布しているが、無機絶縁ゾル7xの塗布は、例えば、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料からなる支持
シートの一主面に塗布してもよい。この場合には、配線層9の形成の前に、機械的に支持シートを剥離すればよい。
In the embodiment of the present invention described above, the inorganic insulating sol 7x is applied to one main surface of the metal foil 16 in the step (2). The application of the inorganic insulating sol 7x is, for example, polyethylene, polyethylene terephthalate. Or you may apply | coat to one main surface of the support sheet which consists of resin materials, such as a polyethylene naphthalate. In this case, the support sheet may be mechanically peeled off before the wiring layer 9 is formed.

また、上述した本発明の実施形態は、(3)の工程において溶剤15を蒸発させた後に固形分7´を加熱する構成を例に説明したが、溶剤15の蒸発と固形分7´の加熱とを同時に行なっても構わない。   Moreover, although embodiment of this invention mentioned above demonstrated the structure which heats solid content 7 'after evaporating the solvent 15 in the process of (3) as an example, evaporation of the solvent 15 and heating of solid content 7' were demonstrated. Can be performed simultaneously.

1 実装構造体
2 電子部品
3 積層配線基板
4 外部回路基板
5A 第1バンプ
5B 第2バンプ
6 樹脂層
6A 第1樹脂層
6B 第2樹脂層
6C 第3樹脂層
6x 樹脂前駆体層
7 無機絶縁層
7´ 固形分
7A 第1無機絶縁層
7B 第2無機絶縁層
7C 第3無機絶縁層
7x 無機絶縁ゾル
8 積層体
9 配線層
9A 第1配線層
9B 第2配線層
9C 第3配線層
9x 第1パッド
9y 第2パッド
9z 第1導電部
9w 第2導電部
10 ビア導体
10A 第1ビア導体
10B 第2ビア導体
11 第1樹脂部
11x 未硬化の第1樹脂
12 第1フィラー粒子
13 第1無機絶縁粒子
14 第2無機絶縁粒子
15 溶剤
16 金属箔
17 積層シート
18 支持体
19 接着樹脂層
C1 第1角部
C2 第2角部
G 間隙
G1 第1間隙
G2 第2間隙
V1 第1貫通孔
V2 第2貫通孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting structure 2 Electronic component 3 Laminated wiring board 4 External circuit board 5A 1st bump 5B 2nd bump 6 Resin layer 6A 1st resin layer 6B 2nd resin layer 6C 3rd resin layer 6x resin precursor layer 7 Inorganic insulating layer 7 'solid content 7A first inorganic insulating layer 7B second inorganic insulating layer 7C third inorganic insulating layer 7x inorganic insulating sol 8 laminate 9 wiring layer 9A first wiring layer 9B second wiring layer 9C third wiring layer 9x first Pad 9y second pad 9z first conductive portion 9w second conductive portion 10 via conductor 10A first via conductor 10B second via conductor 11 first resin portion 11x uncured first resin 12 first filler particles 13 first inorganic insulation Particle 14 Second inorganic insulating particle 15 Solvent 16 Metal foil 17 Laminated sheet 18 Support 19 Adhesive resin layer C1 First corner C2 Second corner G Gap G1 First gap G2 Second gap V1 1st through hole V2 2nd through hole

Claims (9)

複数の樹脂層および複数の無機絶縁層が最上層および最下層に前記樹脂層を配置して積層されてなる積層体と、最上層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第1配線層と、最下層の前記樹脂層の上面または下面に配置された第2配線層とを具備し、
前記第1配線層は、前記樹脂層の上面に配置されるかまたは前記樹脂層の下面に貫通孔を塞ぐように配置されて上面が露出した外部接続用の第1パッドを含み、
前記第2配線層は、前記樹脂層の下面に配置されるかまたは前記樹脂層の上面に貫通孔を塞ぐように配置されて下面が露出した外部接続用の第2パッドを含むことを特徴とする積層配線基板。
A laminate in which a plurality of resin layers and a plurality of inorganic insulating layers are laminated with the resin layers arranged on the uppermost layer and the lowermost layer, and a first wiring layer arranged on the upper surface or the lower surface of the uppermost resin layer And a second wiring layer disposed on the upper surface or the lower surface of the lowermost resin layer,
The first wiring layer includes a first pad for external connection that is disposed on the upper surface of the resin layer or is disposed so as to close a through hole on the lower surface of the resin layer and the upper surface is exposed.
The second wiring layer includes a second pad for external connection disposed on the lower surface of the resin layer or disposed on the upper surface of the resin layer so as to close a through hole and exposing the lower surface. Laminated wiring board.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記積層体の厚み方向の中心から前記第2配線層までの距離が、前記積層体の厚み方向の中心から前記第1配線層までの距離よりも小さく、
前記第2配線層の面積が、前記第1配線層の面積よりも大きいことを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The distance from the center in the thickness direction of the laminate to the second wiring layer is smaller than the distance from the center in the thickness direction of the laminate to the first wiring layer,
The multilayer wiring board, wherein an area of the second wiring layer is larger than an area of the first wiring layer.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記第1配線層は、前記樹脂層の上面に配置されており、
前記第2配線層は、前記樹脂層の上面に配置されていることを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The first wiring layer is disposed on the upper surface of the resin layer,
The multilayer wiring board, wherein the second wiring layer is disposed on an upper surface of the resin layer.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記積層体は、前記複数の樹脂層および前記複数の無機絶縁層が交互に配置されていることを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
In the multilayer body, the plurality of resin layers and the plurality of inorganic insulating layers are alternately arranged.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記複数の無機絶縁層は、最上層の前記樹脂層の直下に配置された第1無機絶縁層を含み、
最上層の前記樹脂層の上面に前記第1配線層が配置されており、
前記複数の樹脂層は、樹脂部の中に複数のフィラー粒子を含んでおり、
最上層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合が、上側から下側に向かって大きくなっていることを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The plurality of inorganic insulating layers includes a first inorganic insulating layer disposed immediately below the uppermost resin layer,
The first wiring layer is disposed on the upper surface of the uppermost resin layer,
The plurality of resin layers include a plurality of filler particles in the resin portion,
A laminated wiring board, wherein a content ratio of the filler particles in the uppermost resin layer increases from the upper side to the lower side.
請求項1に記載の積層配線基板において、
最上層の前記樹脂層の厚みは、最下層の前記樹脂層の厚みよりも小さいことを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The thickness of the uppermost resin layer is smaller than the thickness of the lowermost resin layer.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記複数の樹脂層は、樹脂部中に複数のフィラー粒子を含んでおり、
最上層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合が、最下層の前記樹脂層における前記フィラー粒子の含有割合よりも大きいことを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The plurality of resin layers include a plurality of filler particles in the resin portion,
A laminated wiring board, wherein a content ratio of the filler particles in the uppermost resin layer is larger than a content ratio of the filler particles in the lowermost resin layer.
請求項1に記載の積層配線基板において、
前記無機絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子と、互いの一部で該複数の第1無機絶縁粒子と接続し、かつ前記第1無機絶縁粒子よりも粒径が大きい複数の第2無機絶縁粒子とを含むとともに、前記複数の第1無機絶縁粒子同士および前記複数の第1無機絶縁粒子と前記第2無機絶縁粒子とに囲まれてなる間隙が形成されており、
該間隙には、前記樹脂層の一部が入り込んでいることを特徴とする積層配線基板。
The multilayer wiring board according to claim 1,
The inorganic insulating layer is connected to a plurality of first inorganic insulating particles connected to a part of each other, and connected to the plurality of first inorganic insulating particles at a part of each other, and has a particle diameter larger than that of the first inorganic insulating particles. And a plurality of second inorganic insulating particles are formed, and a gap surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles and between the plurality of first inorganic insulating particles and the second inorganic insulating particles is formed. And
A laminated wiring board, wherein a part of the resin layer enters the gap.
請求項1ないし8のいずれかに記載の積層配線基板と、該積層配線基板の上面に実装さ
れて前記第1パッドに電気的に接続された電子部品とを備える実装構造体。
A mounting structure comprising: the multilayer wiring board according to claim 1; and an electronic component mounted on an upper surface of the multilayer wiring board and electrically connected to the first pad.
JP2012216744A 2012-09-28 2012-09-28 Multilayer wiring board and mounting structure using the same Active JP5952153B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012216744A JP5952153B2 (en) 2012-09-28 2012-09-28 Multilayer wiring board and mounting structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012216744A JP5952153B2 (en) 2012-09-28 2012-09-28 Multilayer wiring board and mounting structure using the same

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016114463A Division JP2016167637A (en) 2016-06-08 2016-06-08 Laminated wiring board and laminate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014072340A true JP2014072340A (en) 2014-04-21
JP5952153B2 JP5952153B2 (en) 2016-07-13

Family

ID=50747297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012216744A Active JP5952153B2 (en) 2012-09-28 2012-09-28 Multilayer wiring board and mounting structure using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5952153B2 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033183A (en) * 2008-09-01 2009-02-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of wiring substrate, and wiring substrate
JP2010034197A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Fujitsu Ltd Buildup board
JP2011114121A (en) * 2009-11-26 2011-06-09 Kyocera Corp Wiring board
JP2011151354A (en) * 2009-09-28 2011-08-04 Kyocera Corp Circuit substrate, laminated board and laminated sheet
JP2012004440A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
WO2012014875A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 京セラ株式会社 Insulating sheet, process for producing same, and process for producing structure using the insulating sheet
WO2012029622A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-08 京セラ株式会社 Wiring substrate and mounting structure thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034197A (en) * 2008-07-28 2010-02-12 Fujitsu Ltd Buildup board
JP2009033183A (en) * 2008-09-01 2009-02-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of wiring substrate, and wiring substrate
JP2011151354A (en) * 2009-09-28 2011-08-04 Kyocera Corp Circuit substrate, laminated board and laminated sheet
JP2011114121A (en) * 2009-11-26 2011-06-09 Kyocera Corp Wiring board
JP2012004440A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
WO2012014875A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 京セラ株式会社 Insulating sheet, process for producing same, and process for producing structure using the insulating sheet
WO2012029622A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-08 京セラ株式会社 Wiring substrate and mounting structure thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5952153B2 (en) 2016-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5582944B2 (en) Wiring board, laminated board and laminated sheet
JP5635657B2 (en) Manufacturing method of interposer
JP6099734B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5961703B2 (en) Wiring board and mounting structure thereof
JP6258347B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP6117790B2 (en) Wiring board and mounting structure including the same
JP5361680B2 (en) Wiring board
JP6294024B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5933989B2 (en) Component built-in board
JP6105316B2 (en) Electronic equipment
JP5988372B2 (en) Wiring board and mounting structure thereof
JP2015213199A (en) Component built-in substrate
JP6096538B2 (en) Wiring board, mounting structure using the same, and method of manufacturing wiring board
JP2016167637A (en) Laminated wiring board and laminate
JP5952153B2 (en) Multilayer wiring board and mounting structure using the same
JP2012178392A (en) Wiring board, mounting structure of the same, insulation sheet, and method for manufacturing wiring board using insulation sheet
JP5897956B2 (en) Component built-in board and mounting structure
JP6133689B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP6001412B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP6001439B2 (en) Wiring board and mounting structure
JP5383320B2 (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP2015012082A (en) Wiring board and mounting structure using the same
JP5909528B2 (en) Wiring board, laminated board and laminated sheet
JP5960533B2 (en) Wiring board and mounting structure including the same
JP5171750B2 (en) Bumped wiring board and mounting structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151027

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5952153

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150