JP2014060370A - Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multiple mounted component of lead frame, multiple mounted component of lead frame with resin, optical semiconductor device and multiple mounted component of optical semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame for an optical semiconductor device capable of restraining peel-off between a resin layer and a terminal part, a lead frame for an optical semiconductor device with a resin, a multiple mounted component of the lead frame, a multiple mounted component of the lead frame with the resin, an optical semiconductor device, and a multiple mounted component of the optical semiconductor device.SOLUTION: A lead frame 10 is used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal parts 11, 12 in which at least one of terminal parts is connected to an LED element 2, a recess part M connected to outer peripheral sides of terminal parts 11, 12, is formed on surfaces of terminal parts 11, 12, and the recess part M has a convex part T in a position away from an inner peripheral side of the recess part M, on its bottom surface.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to an optical semiconductor device lead frame of an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, The present invention relates to a multifaceted body of an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合があった。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまう場合があった。
また、特許文献１に記載の光半導体装置と相違して、リードフレームを覆う樹脂層が、リードフレームの厚みとほぼ一致するように形成され、その樹脂層が形成されたリードフレーム上に透明樹脂層が形成される、いわゆるフラットタイプの光半導体素子装置も存在するが、このような装置においては、樹脂層とリードフレームの端子部との接触面積がさらに狭くなるため、上記剥離の発生が顕著になる場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, Patent Document 1).
However, in such an optical semiconductor device, the resin layer and the lead frame may be stretched due to light emission of the LED element and heat of the mounted substrate. Here, since the terminal portion of the lead frame is formed of a conductive material such as copper and the resin layer is formed of a thermoplastic resin or the like, the resin layer is a terminal of the lead frame due to the difference in linear expansion coefficient between the two. There was a case where it peeled off from the part.
Unlike the optical semiconductor device described in Patent Document 1, a resin layer covering the lead frame is formed so as to substantially match the thickness of the lead frame, and a transparent resin is formed on the lead frame on which the resin layer is formed. There is also a so-called flat type optical semiconductor element device in which a layer is formed. However, in such a device, the contact area between the resin layer and the terminal portion of the lead frame is further narrowed, so that the occurrence of the above-described peeling is remarkable. There was a case.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   The subject of this invention is the lead frame for optical semiconductor elements which can suppress peeling with a resin layer and a terminal part, the lead frame for optical semiconductor elements with resin, the multi-sided body of a lead frame, the multi-sided attachment of the lead frame with resin Body, optical semiconductor device, and multifaceted body of optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、前記端子部は、その面上に、前記端子部の外周側面につながる凹部（Ｍ）が形成され、前記凹部は、その底面に、前記凹部の内周側面と離れた位置に凸部（Ｔ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、
前記凹部（Ｍ）は、内周縁の形状が略円弧状であること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記凸部（Ｔ）と前記凹部（Ｍ）との間で形成される隙間は、一定の間隔であること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（２１０）において、前記凸部（Ｔ）と前記凹部（Ｍ）との間で形成される隙間は、前記端子部（２１１、２１２）の外周側面側が、前記凹部の内周側面の中央部（Ｃ）よりも広いこと、
を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（３１０）において、前記凸部（Ｔ）と前記凹部（Ｍ）との間で形成される隙間は、前記端子部（３１１、３１２）の外周側面側が、前記凹部の内周側面の中央部（Ｃ）よりも狭いこと、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）は、互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。 The first invention has a plurality of terminal portions (11, 12), and at least one of the terminal portions is used for an optical semiconductor device (1) connected to the optical semiconductor element (2). In the lead frame (10), a concave portion (M) connected to the outer peripheral side surface of the terminal portion is formed on the surface of the terminal portion, and the concave portion is separated from the inner peripheral side surface of the concave portion on the bottom surface. A lead frame for an optical semiconductor device, characterized by comprising a convex portion (T) at a position.
According to a second invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to the first invention,
The recess (M) is a lead frame for an optical semiconductor device characterized in that the shape of the inner peripheral edge is a substantially arc shape.
According to a third invention, in the lead frame (10) for the optical semiconductor device according to the first or second invention, a gap formed between the convex portion (T) and the concave portion (M) is constant. This is a lead frame for an optical semiconductor device, characterized in that
According to a fourth invention, in the optical semiconductor device lead frame (210) of the first invention or the second invention, the gap formed between the convex portion (T) and the concave portion (M) is The outer peripheral side surfaces of the terminal portions (211 and 212) are wider than the central portion (C) of the inner peripheral side surface of the recess,
This is a lead frame for an optical semiconductor device.
According to a fifth invention, in the optical semiconductor device lead frame (310) of the first invention or the second invention, the gap formed between the convex portion (T) and the concave portion (M) is The lead frame for an optical semiconductor device is characterized in that the outer peripheral side surface of the terminal portion (311 312) is narrower than the central portion (C) of the inner peripheral side surface of the recess.
According to a sixth invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the fifth invention, the terminal portions (11, 12) are arranged electrically independently from each other. An optical semiconductor device lead frame characterized by comprising a pair of terminal portions.

第７の発明は、第１の発明から第６の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部（１１、１２）の外周側面、及び、前記凹部（Ｍ）と前記凸部（Ｔ）との隙間に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。   The seventh invention has a lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first to sixth inventions and a thickness equivalent to the lead frame for an optical semiconductor device, and the terminal portion ( 11 and 12), and a resin layer (20) formed in a gap between the concave portion (M) and the convex portion (T). It is a frame.

第８の発明は、複数の端子部（５１１、５１２）を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（５０１）に用いられる光半導体用リードフレーム（５１０）において、前記端子部は、その面上に、前記端子部の外周側面につながる凹部（Ｍ）が形成され、前記凹部は、その底面に、前記端子部を貫通する孔部（Ｈ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第９の発明は、第８の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記凹部（Ｍ）は、内周縁の形状が略円弧状であること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第１０の発明は、第８の発明又は第９の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記端子部（５１１、５１２）は、互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。 The eighth invention is for an optical semiconductor used in an optical semiconductor device (501) having a plurality of terminal portions (511, 512), at least one of which is connected to the optical semiconductor element (2). In the lead frame (510), a concave portion (M) connected to the outer peripheral side surface of the terminal portion is formed on the surface of the terminal portion, and the concave portion has a hole portion (through the terminal portion) on the bottom surface ( H), and a lead frame for an optical semiconductor device.
According to a ninth invention, in the lead frame (510) for an optical semiconductor device according to the eighth invention, the concave portion (M) has an inner peripheral edge having a substantially arc shape. It is a frame.
According to a tenth aspect of the invention, in the lead frame (510) for the optical semiconductor device according to the eighth or ninth aspect, the terminal portions (511, 512) are a pair of terminals that are arranged electrically independently of each other. It is the lead frame for optical semiconductor devices characterized by comprising a part.

第１１の発明は、第８の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（５１０）と、前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部（５１１、５１２）の外周側面、前記凹部（Ｍ）、及び、前記孔部（Ｈ）に形成される樹脂層（５２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。   An eleventh aspect of the present invention is the optical semiconductor device lead frame (510) according to any of the eighth aspect to the tenth aspect of the invention, and has the same thickness as the optical semiconductor device lead frame, and the terminal portion ( 511, 512), a resin layer (520) formed in the recess (M), and the hole (H). .

第１２の発明は、第１の発明から第６の発明まで、又は、第８の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。   In a twelfth aspect of the present invention, any one of the lead frames (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first to sixth aspects or the eighth to tenth aspects of the invention is applied to the frame (F). A multi-faceted body of a lead frame characterized by being attached.

第１３の発明は、第７の発明又は第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。   A thirteenth aspect of the invention is a multi-faced body of resin-made lead frames characterized in that the lead frame for an optical semiconductor device with resin of the seventh aspect or the eleventh aspect is multi-faceted.

第１４の発明は、第７の発明又は第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。   In a fourteenth aspect of the present invention, at least one of the lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to the seventh aspect or the eleventh aspect and the terminal portion (11, 12) of the lead frame for an optical semiconductor device with a resin is provided. An optical semiconductor element (2) to be connected; and a transparent resin layer (30) formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin to which the optical semiconductor element is connected and covering the optical semiconductor element. An optical semiconductor device (1).

第１５の発明は、第１４の発明に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置（１）の多面付け体である。 In a fifteenth aspect, the optical semiconductor device according to the fourteenth aspect is multifaceted,
A multi-faced body of an optical semiconductor device (1) characterized by

本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、樹脂層と端子部との剥離を抑制することができる。   According to the present invention, a lead frame for an optical semiconductor element, a lead frame for an optical semiconductor element with resin, a multifaceted body of a leadframe, a multifaceted body of a leadframe with resin, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of an optical semiconductor device are: Further, peeling between the resin layer and the terminal portion can be suppressed.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 in which the light reflection resin layer 20 of 1st Embodiment was formed. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置１を示す図である。1 is a diagram showing a resin-attached lead frame and an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第２実施形態のリードフレームの凹部Ｍ及び凸部Ｔを説明する図である。It is a figure explaining the recessed part M and the convex part T of the lead frame of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレームの凹部Ｍ及び凸部Ｔを説明する図である。It is a figure explaining the recessed part M and the convex part T of the lead frame of 3rd Embodiment. 第４実施形態のリードフレームの凹部Ｍ及び凸部Ｔを説明する図である。It is a figure explaining the recessed part M and the convex part T of the lead frame of 4th Embodiment. 第５実施形態のリードフレームの凹部Ｍ及び孔部Ｈを説明する図である。It is a figure explaining the recessed part M and the hole H of the lead frame of 5th Embodiment. 第６実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a 6th embodiment. 第７実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a 7th embodiment. 第８実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of an 8th embodiment. 第９実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of 9th Embodiment. 第１０実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a 10th embodiment. 第１１実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of an 11th embodiment. 第１２実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of 12th Embodiment. 第１３実施形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of 13th Embodiment. 変形形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a modification. 変形形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a modification. 変形形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a modification. 変形形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a modification. 変形形態のリードフレームを説明する図である。It is a figure explaining the lead frame of a modification.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の下面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図２（ａ）は、フレームＦに多面付けされた状態のリードフレーム１０の平面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ−ｂ断面図から見た側面図を示し、図２（ｃ）は、図２（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図と、側面図であり、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ、図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図である。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。 (First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
1A is a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B is a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C is a bottom view of the optical semiconductor device 1. .
FIG. 2 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
2A shows a plan view of the lead frame 10 in a state of being multifaceted to the frame F, and FIG. 2B shows a side view seen from the bb cross-sectional view of FIG. 2A. FIG.2 (c) shows cc sectional drawing of Fig.2 (a).
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
3A and 3B are a plan view and a side view, respectively, of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. FIGS. 3C and 3D are respectively They are a cc sectional view and a dd sectional view of Drawing 3 (a), respectively.
In each figure, the longitudinal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the left-right direction X, the short direction is the up-down direction Y, and the front and back directions are the thickness direction Z.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、図２（ａ）に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
As shown in FIG. 2A, the optical semiconductor device 1 forms a light reflecting resin layer 20 on a multifaceted lead frame 10, electrically connects the LED elements 2, and forms a transparent resin layer 30. Then, it is manufactured by cutting (dicing) into package units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
The terminal portions 11 and 12 are arranged apart from each other and are electrically independent from each other. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図４（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer S is formed in the surface and the back surface (refer FIG.4 (e)), and the plating layer S of the surface side serves as a reflection layer which reflects the light which LED element 2 emits. The plating layer S on the back surface side has a function to improve the soldering property when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの表面側の角部に、端子部１１、１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と一定の間隔だけ離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凸部Ｔは、その外周側面が、円弧状に形成された凹部Ｍの内周側面と一定の隙間を保つように形成された円弧状の突出部である。凸部Ｔは、その厚みが、端子部１１、１２の厚みと同等である。 As shown in FIG. 2, the terminal portions 11 and 12 are provided with concave portions M that are thinner than the thicknesses of the terminal portions 11 and 12 at the corners on the respective surface sides. A convex portion T is provided at a position spaced apart from the inner peripheral side surface of the concave portion M by a certain distance.
The recess M is a recess formed in an arc shape when viewed from the front surface side of the lead frame 10, and the thickness of the bottom surface is formed to be about 1/3 to 2/3 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. Yes.
The convex portion T is an arcuate protruding portion whose outer peripheral side surface is formed so as to maintain a certain gap from the inner peripheral side surface of the concave portion M formed in an arc shape. The convex portion T has the same thickness as the terminal portions 11 and 12.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０によって挟み込まれる形態を取る。これにより、凹部Ｍ及び凸部Ｔは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとは、共に円弧状に形成されているので、樹脂の流動を妨げることなく、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に樹脂を容易に充填することができる。 When the lead frame 10 is filled with a resin that forms the light-reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. The gap with T is filled with resin and is sandwiched between the light reflecting resin layers 20. Thereby, the recessed part M and the convex part T suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in the plane direction (X direction, Y direction) and the thickness direction (Z direction). it can.
Moreover, since both the concave part M and the convex part T are formed in circular arc shape, resin can be easily filled into the clearance gap between the concave part M and the convex part T, without preventing the flow of resin.

連結部１３は、図２（ａ）に示すように、製造過程においてフレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の各端子部１１、１２を連結している。連結部１３は、各端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺の中央に１つずつ形成されている。
具体的には、連結部１３ａは、端子部１１の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とを直接接続している。連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。さらに、連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。 As shown in FIG. 2A, the connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of the lead frames 10 that are multifaceted in the frame F in the manufacturing process. The connecting portion 13 is formed one by one at the center of the sides excluding the sides facing the terminal portions 11 and 12 among the sides forming the terminal portions 11 and 12.
Specifically, the connecting portion 13a directly connects the right (+ X) side edge of the terminal portion 11 and the left (−X) side edge of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the right side. ing. The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. Furthermore, the connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the lower side is connected.

ここで、端子部１１、１２は、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と、連結部１３によって電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。
なお、フレームＦ内の外周に位置する各リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、フレームＦと連結部１３ａ〜１３ｃのいずれか１つ又は複数によって接続されている。 Here, the terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frame 10 by the connecting portion 13, but after forming the multi-faced body of the optical semiconductor device 1, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1.
In addition, each terminal part 11 and 12 of each lead frame 10 located on the outer periphery in the frame F is connected to the frame F by any one or a plurality of connecting parts 13a to 13c.

連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。そのため、連結部１３は、端子部１１、１２の裏面において、端子部１１、１２との接合部に段部Ｄが形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   2B and 2C, the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. For this reason, the connecting portion 13 has a step portion D formed on the back surface of the terminal portions 11 and 12 at the joint portion with the terminal portions 11 and 12. Accordingly, when the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled by a method in which the lead frame 10 is held down from the front and back with a flat mold, or a tape is attached to the front and back and the resin is injected from the side, FIG. As shown in FIG. 3D, it is possible to prevent the resin from flowing into the back surface of the connecting portion 13 and peeling off the light reflecting resin layer 20 from the lead frame 10.

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、各端子部の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の隙間）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面の段部Ｄに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。 As shown in FIG. 3, the light reflecting resin layer 20 includes an outer peripheral side surface (an outer periphery of the lead frame 10 and a gap between the terminal portions), a recess M provided in each terminal portion, and a connecting portion 13. It is the layer of the resin with which the step part D of the back surface was filled. The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 10.
The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. A thermosetting resin is desirable because it is necessary to obtain chemical adhesion to the frame.

例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。 For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, you may use the fluorescent substance for wavelength conversion.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
銅板の加工は、プレスでもよいが、薄肉部を形成しやすいエッチングが望ましい。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図４（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図から見た側面図とを示す。図４（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図４（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図４（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図４（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図４においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
The copper plate may be processed by pressing, but etching that can easily form a thin portion is desirable.
FIG. 4 is a view for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 4A shows a plan view of the metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and a side view seen from the aa cross-sectional view. FIG. 4B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG. 4C shows the metal substrate 100 after the etching process. FIG. 4D is a view showing the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 4E is a diagram showing the metal substrate 100 that has been plated.
In FIG. 4, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of lead frames 10 are manufactured from one metal substrate 100.

金属基板１００をエッチング加工することによって、多面付けされたリードフレーム１０が、複数形成される。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図４（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。ここで、乾板へのレジストパターンの描画は、レーザ走査量を減らすため、エッチング部分が少なくなるデザインが望ましい。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。腐食成分は、金属を腐食後に活性を失い、不要物として液中に蓄積するため、エッチング領域は可能な限り少ないことが望ましい。 By etching the metal substrate 100, a plurality of multi-faced lead frames 10 are formed.
First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 4A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. Here, it is desirable that the resist pattern be drawn on the dry plate so that the etching portion is reduced in order to reduce the amount of laser scanning. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 4B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive solution using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100. Since the corrosive component loses its activity after corroding the metal and accumulates in the liquid as an unnecessary substance, it is desirable that the etching area is as small as possible.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部のように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面のように、貫通せずに厚みが薄くなっている窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、窪んだ空間側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図４（ｃ）に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成された端子部１１、１２と、他の端子部１１、１２を連結する連結部１３とが形成され、金属基板１００上に複数のリードフレーム１０が形成される（図２（ａ）参照）。 Here, in the lead frame 10, a space that penetrates like the outer peripheral portion of the terminal portions 11 and 12, and a depressed space that does not penetrate and is thin like the back surface of the recess M or the connecting portion 13. (Refer to FIG. 2). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the recessed space, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 4 (c), the metal substrate 100 is etched to form terminal portions 11 and 12 having recesses M and protrusions T, and connecting portions 13 that connect the other terminal portions 11 and 12. And a plurality of lead frames 10 are formed on the metal substrate 100 (see FIG. 2A).

次に、図４（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、図２（ａ）に示すようなフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０が製造される。 Next, as shown in FIG. 4D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 4 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is subjected to plating, and the plating layer S is formed on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer S, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer S may be formed through an electrolytic plating process.
In this way, the lead frame 10 that is multifaceted to the frame F as shown in FIG.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６は、多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体素子を示す図である。
図５（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図５（ｄ）は、ダイシングにより小片化された光半導体装置１を示す図である。
なお、図５においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing a resin-attached lead frame and an optical semiconductor element that are multifaceted.
FIG. 5A shows the lead frame 10 (metal substrate 100) on which the light reflecting resin layer 20 is formed. FIG. 5B is a diagram showing the lead frame 10 (metal substrate 100) to which the LED element 2 is electrically connected. FIG. 5C is a view showing the lead frame 10 (metal substrate 100) on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 5D is a diagram showing the optical semiconductor device 1 that has been segmented by dicing.
In FIG. 5, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100.

図５（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。ここで、リードフレーム１０は、上述したように、多面付けされているため（図２（ａ）参照）、光反射特性を有する樹脂が充填されることによって、図６（ａ）に示すように、多面付けされた樹脂付きリードフレームが形成される。
光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、凹部Ｍは、端子部１１、１２の外周側面につながっているので、樹脂は、各端子部の外周側面側から凹部Ｍ及び凸部Ｔ間の隙間へと流れ込む。
光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、リードフレーム１０の外周だけでなく、各端子部間や、凹部Ｍ、連結部１３の裏面等に形成され、リードフレーム１０に接合される。 As shown in FIG. 5A, the outer periphery of the lead frame 10 formed on the metal substrate 100 by etching is filled with the resin having the above-described light reflection characteristics to form the light reflection resin layer 20. Here, since the lead frame 10 is multifaceted as described above (see FIG. 2A), as shown in FIG. 6A, the lead frame 10 is filled with a resin having light reflection characteristics. Then, a multi-sided lead frame with resin is formed.
The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting the resin, such as injection molding or transfer molding, or by screening the resin on the lead frame 10. It is formed by a printing method or the like. At this time, since the concave portion M is connected to the outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12, the resin flows into the gap between the concave portion M and the convex portion T from the outer peripheral side surface side of each terminal portion.
The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the terminal portions 11 and 12, and is formed not only on the outer periphery of the lead frame 10, but also between each terminal portion, the concave portion M, the back surface of the connecting portion 13, and the like. Joined to the frame 10.

次に、図５（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ＬＥＤ素子とボンディングワイヤは、複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子に複数のボンディングワイヤが接続されてもよく、ボンディングワイヤをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図５（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。これにより、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム１０上に多面付けされた光半導体装置１が複数製造される。なお、透明樹脂層は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。
最後に、図５（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０と共に、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る。 Next, as shown in FIG. 5B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. There may be a plurality of LED elements and bonding wires, a plurality of bonding wires may be connected to one LED element, or the bonding wires may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.
Then, as shown in FIG. 5C, a transparent resin layer 30 is formed on the lead frame 10 and the surface of the light reflecting resin layer 20 bonded thereto so as to cover the LED element 2. As a result, as shown in FIG. 6B, a plurality of optical semiconductor devices 1 that are multifaceted on the lead frame 10 are manufactured. The transparent resin layer may have optical functions such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape.
Finally, as shown in FIG. 5D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 is cut (diced) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. The optical semiconductor device 1 separated (divided) into one package is obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、凹部Ｍと、凹部Ｍの底面に凸部Ｔを有するので、リードフレーム１０の外周、及び、端子部間に樹脂を流し込んで光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
（２）凹部Ｍは、内周縁の形状が略円弧状であるので、リードフレーム１０に樹脂を充填する場合に、樹脂の流動を妨げることなく凹部Ｍと凸部Ｔの隙間内に、容易に樹脂を充填することができる。
（３）凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間が一定の間隔であるので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間へ樹脂を安定して充填することができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the lead frame 10 has the concave portion M and the convex portion T on the bottom surface of the concave portion M, the light reflecting resin layer 20 is formed by pouring resin between the outer periphery of the lead frame 10 and the terminal portion. Since the resin is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, the light reflecting resin layer 20 is peeled off from the lead frame 10 in the plane direction (X direction, Y direction) and the thickness direction (Z direction). Can be suppressed.
(2) Since the shape of the inner peripheral edge of the concave portion M is substantially circular, when the lead frame 10 is filled with resin, the concave portion M can be easily inserted into the gap between the concave portion M and the convex portion T without hindering the resin flow. Resin can be filled.
(3) Since the gap formed between the convex portion T and the concave portion M is a constant interval, the gap between the concave portion M and the convex portion T can be stably filled with resin.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図７は、第２実施形態のリードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図７（ａ）は、リードフレーム２１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図７（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a diagram illustrating the concave portion M and the convex portion T of the lead frame 210 according to the second embodiment.
FIG. 7A is a plan view of the concave portion M and the convex portion T of the lead frame 210, and FIG. 7B is a side view of the concave portion M and the convex portion T.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態のリードフレーム２１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部２１１、２１２は、表面側の各角部に、端子部２１１、２１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図７に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム２１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部２１１、２１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部２１１、２１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広くなるように形成されている。具体的には、端子部２１１、２１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ１とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ２としたとき、ａ１＞ａ２の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。 The lead frame 210 of the second embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in the shape of the convex portion T formed on the bottom surface of the concave portion M.
The terminal portions 211 and 212 are provided with concave portions M that are thinner than the thicknesses of the terminal portions 211 and 212 at each corner portion on the front surface side, and are separated from the inner peripheral side surface of the concave portion M on the bottom surface of the concave portion M. Protrusions T are provided at different positions.
As shown in FIG. 7, the recess M is a recess formed in an arc shape when viewed from the front surface side of the lead frame 210, and the thickness of the bottom surface is slightly thinner than half the thickness of the terminal portions 211 and 212. Has been.
The convex portion T is formed such that the gap formed between the concave portion M is wider on the outer peripheral side surface of the terminal portions 211 and 212 than the central portion C of the inner peripheral side surface of the concave portion M. Specifically, the gap between the concave portion M and the convex portion T on the outer peripheral side surface side of the terminal portions 211 and 212 is a1, and the gap between the concave portion M and the convex portion T in the central portion C on the inner peripheral side surface of the concave portion M is a2. At this time, the convex portion T is formed so that the relationship of a1> a2 is established.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層２２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層２２０がリードフレーム２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部２１１、２１２の外周側面端部が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも広いので、リードフレーム２１０に光反射樹脂層２２０を形成する樹脂を、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にさらに充填し易くすることができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin forming the light reflecting resin layer 220 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, as in the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 210.
Further, the gap formed between the convex portion T and the concave portion M is wider on the outer peripheral side surface of the terminal portions 211 and 212 than the central portion C of the inner peripheral side surface of the concave portion M, so The resin forming the reflective resin layer 220 can be further easily filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図８は、第３実施形態のリードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを示す図である。
図８（ａ）は、リードフレーム３１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔの平面図であり、図８（ｂ）は、凹部Ｍ及び凸部Ｔの側面図である。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram illustrating the concave portion M and the convex portion T of the lead frame 310 according to the third embodiment.
FIG. 8A is a plan view of the concave portion M and the convex portion T of the lead frame 310, and FIG. 8B is a side view of the concave portion M and the convex portion T.

第３実施形態のリードフレーム３１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部３１１、３１２は、表面側の各角部に、端子部３１１、３１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図８に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム３１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部３１１、３１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍとの間で形成される隙間が、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭くなるように形成されている。具体的には、端子部３１１、３１２の外周側面側における凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ３とし、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃにおける凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間をａ４としたとき、ａ３＜ａ４の関係が成立するように、凸部Ｔが形成されている。 The lead frame 310 of the third embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in the shape of the convex portion T formed on the bottom surface of the concave portion M.
The terminal portions 311 and 312 are each provided with a concave portion M which is thinner than the thickness of the terminal portions 311 and 312 at each corner portion on the surface side, and is separated from the inner peripheral side surface of the concave portion M on the bottom surface of the concave portion M. Protrusions T are provided at different positions.
As shown in FIG. 8, the recess M is a recess formed in an arc shape when viewed from the front surface side of the lead frame 310, and the thickness of the bottom surface thereof is slightly thinner than half the thickness of the terminal portions 311 and 312. Has been.
The convex portion T is formed such that the gap formed between the convex portion T is narrower on the outer peripheral side surface side of the terminal portions 311 and 312 than the central portion C of the inner peripheral side surface of the concave portion M. Specifically, the gap between the concave portion M and the convex portion T on the outer peripheral side surface of the terminal portions 311 and 312 is a3, and the gap between the concave portion M and the convex portion T at the central portion C on the inner peripheral side surface of the concave portion M is a4. The convex portion T is formed so that the relationship of a3 <a4 is satisfied.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層３２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層３２０がリードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凸部Ｔと凹部Ｍとの間で形成される隙間は、端子部３１１、３１２の外周側面側が、凹部Ｍの内周側面の中央部Ｃよりも狭いので、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に充填された樹脂によって、リードフレーム３１０に対して光反射樹脂層３２０をより堅牢に固定することができ、光反射樹脂層３２０とリードフレーム３１０との剥離抑制効果を向上させることができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 320 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 310.
The gap formed between the convex portion T and the concave portion M is such that the outer peripheral side surface of the terminal portions 311 and 312 is narrower than the central portion C of the inner peripheral side surface of the concave portion M. By the resin filled in the gap, the light reflecting resin layer 320 can be more firmly fixed to the lead frame 310, and the effect of suppressing the peeling between the light reflecting resin layer 320 and the lead frame 310 can be improved. .

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図９は、第４実施形態のリードフレーム４１０の凹部Ｍ及び凸部Ｔを平面図である。
第４実施形態のリードフレーム４１０は、凹部Ｍの底面に形成された凸部Ｔの形状が第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a plan view of the concave portion M and the convex portion T of the lead frame 410 of the fourth embodiment.
The lead frame 410 according to the fourth embodiment is different from the lead frame 10 according to the first embodiment in the shape of the protrusion T formed on the bottom surface of the recess M.

端子部４１１、４１２は、表面側の各角部に、端子部４１１、４１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部の内周側面と離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
図９に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム４１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部４１１、４１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
凸部Ｔは、凹部Ｍの底面上に円柱状に形成され、その厚みは、端子部４１１、４１２と同等である。 The terminal portions 411 and 412 are provided with recesses M that are thinner than the thicknesses of the terminal portions 411 and 412 at the respective corners on the surface side, and are separated from the inner peripheral side surface of the recesses on the bottom surface of the recesses M. A convex portion T is provided at the position.
As shown in FIG. 9, the recess M is a recess formed in an arc shape when viewed from the front surface side of the lead frame 410, and the thickness of the bottom surface is slightly thinner than half the thickness of the terminal portions 411, 412. Has been.
The convex portion T is formed in a columnar shape on the bottom surface of the concave portion M, and the thickness thereof is equivalent to the terminal portions 411 and 412.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層４２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層４２０がリードフレーム４１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍと凸部Ｔとの間で形成される隙間を広くできるので、リードフレーム４１０に光反射樹脂層４２０を形成する樹脂を充填する場合に、樹脂の流路を広く取ることができ、凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間への樹脂の充填をさらに容易にすることができる。
さらに、第１実施形態の凹部Ｍに比べ、凹部Ｍの底面の面積を広くすることができ、端子部４１１、４１２と、光反射樹脂層４２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層４２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 420 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 410.
Further, since the gap formed between the concave portion M and the convex portion T can be widened, the resin flow path can be widened when the lead frame 410 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 420. Further, it is possible to further facilitate the filling of the resin into the gap between the concave portion M and the convex portion T.
Furthermore, compared with the recessed part M of 1st Embodiment, the area of the bottom face of the recessed part M can be enlarged, the junction area of the terminal parts 411 and 412 and the light reflection resin layer 420 can be increased, and light reflection resin can be increased. The peeling suppression effect of the layer 420 can be further improved.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１０は、第５実施形態のリードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈを示す図である。
図１０（ａ）は、リードフレーム５１０の凹部Ｍ及び孔部Ｈの平面図であり、図１０（ｂ）は、凹部Ｍ及び孔部Ｈの側面図である。 (Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a view showing the recess M and the hole H of the lead frame 510 of the fifth embodiment.
10A is a plan view of the recess M and the hole H of the lead frame 510, and FIG. 10B is a side view of the recess M and the hole H. FIG.

第５実施形態のリードフレーム５１０は、凹部Ｍの底面に孔部Ｈが形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部５１１、５１２は、表面側の各角部に、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と離れた位置に孔部Ｈが設けられている。
図１０（ａ）に示すように、凹部Ｍは、リードフレーム５１０の表面側から見て、円弧状に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部５１１、５１２の厚みの半分より若干薄く形成されている。
孔部Ｈは、凹部Ｍの底面に円柱状に形成された貫通孔である。 The lead frame 510 of the fifth embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that a hole H is formed in the bottom surface of the recess M.
The terminal portions 511 and 512 are provided with concave portions M which are thinner than the thicknesses of the terminal portions 511 and 512 at the respective corners on the front surface side, and are separated from the inner peripheral side surface of the concave portion M on the bottom surface of the concave portion M. A hole H is provided at the position.
As shown in FIG. 10A, the recess M is a recess formed in an arc shape when viewed from the front surface side of the lead frame 510, and the thickness of the bottom surface is half of the thickness of the terminal portions 511 and 512. It is formed slightly thin.
The hole H is a through-hole formed in a cylindrical shape on the bottom surface of the recess M.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂が凹部Ｍにも充填されるので、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム５１０は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂を充填する場合に、凹部Ｍの底面の全面に樹脂を充填することができるので、光反射樹脂層５２０との接合面積を増やすことができ、光反射樹脂層５２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
さらに、孔部Ｈにも樹脂が充填されるので、光反射樹脂層５２０の剥離抑制効果をさらに向上させることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 520 is also filled in the recesses M, as in the invention of the first embodiment, so that the light reflecting resin layer 520 is peeled off from the lead frame 510. Can be suppressed.
In addition, when the lead frame 510 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 520, the entire bottom surface of the recess M can be filled with the resin, so that the bonding area with the light reflecting resin layer 520 is increased. It is possible to prevent the light reflecting resin layer 520 from peeling off.
Furthermore, since the hole H is also filled with the resin, the effect of suppressing the peeling of the light reflecting resin layer 520 can be further improved.

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１１は、第６実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１１（ａ）は、リードフレーム６１０の平面図であり、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、光反射樹脂層６２０が形成されたリードフレーム６１０の平面図、下面図である。
第６実施形態のリードフレーム６１０は、図１１に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部の角部のうち、端子部間で対向する側とは反対側の角部、すなわちリードフレーム６１０の外形を形成する角部に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。 (Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a diagram illustrating a lead frame according to the sixth embodiment.
FIG. 11A is a plan view of the lead frame 610, and FIGS. 11B and 11C are a plan view and a bottom view of the lead frame 610 on which the light reflecting resin layer 620 is formed.
As shown in FIG. 11, in the lead frame 610 of the sixth embodiment, the concave portion M and the convex portion T are corner portions on the opposite side of the corner portions of the terminal portions from the sides facing each other between the terminal portions, that is, leads. The lead frame 10 is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that it is formed at a corner portion that forms the outer shape of the frame 610.

以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
凹部Ｍ及び凸部Ｔがリードフレーム６１０の長手方向の角部に形成されるので、リードフレーム６１０と光反射樹脂層６２０との線膨張係数の差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との剥離を抑制することができる。
例えば、光反射樹脂層６２０の樹脂に、フィラー含有量が７０％以下のエポキシ系樹脂や、熱可塑性樹脂を用いた場合、光反射樹脂層６２０とリードフレーム６１０との線膨張率の差が大きくなるため、リードフレーム６１０との間で剥離を生じる場合があるが、上述したように、凹部Ｍの位置をリードフレーム６１０の長手方向の角部に配置することで、剥離抑制効果を得ることができる。 As described above, the invention of this embodiment has the following effects.
Since the concave portion M and the convex portion T are formed at the corners in the longitudinal direction of the lead frame 610, when the difference in the linear expansion coefficient between the lead frame 610 and the light reflecting resin layer 620 is large, the elongation of the material due to thermal expansion is increased. Separation of the light reflecting resin layer 620 and the lead frame 610 in the longitudinal direction having a great influence can be suppressed.
For example, when an epoxy resin having a filler content of 70% or less or a thermoplastic resin is used for the resin of the light reflecting resin layer 620, the difference in linear expansion coefficient between the light reflecting resin layer 620 and the lead frame 610 is large. Therefore, peeling may occur between the lead frame 610 and, as described above, by arranging the positions of the recesses M at the corners in the longitudinal direction of the lead frame 610, a peeling suppressing effect can be obtained. it can.

また、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置６０１は、その角部に応力が加わりやすいため、その角部が破損する場合が多いが、角部に位置する凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間に樹脂が充填されることにより、角部の強度を向上させることができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム６１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 In addition, the optical semiconductor device 601 separated (divided) into one package is likely to be stressed at the corners, and the corners are often damaged. However, the concave portions M and the convex portions T located at the corners are often damaged. By filling the gap with the resin, the strength of the corners can be improved.
Furthermore, since the number of recesses M to be formed is smaller than that of the lead frame 10 of the first embodiment, the manufacturing process of the lead frame 610 can be simplified.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１２は、第７実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１２（ａ）は、リードフレーム７１０の平面図であり、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、光反射樹脂層７２０が形成されたリードフレーム７１０の平面図、下面図である。
第７実施形態のリードフレーム７１０は、図１２に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部の角部のうち、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。 (Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram illustrating a lead frame according to the seventh embodiment.
12A is a plan view of the lead frame 710, and FIGS. 12B and 12C are a plan view and a bottom view of the lead frame 710 on which the light reflecting resin layer 720 is formed.
In the lead frame 710 of the seventh embodiment, as shown in FIG. 12, the concave portion M and the convex portion T are formed only at the corner portions facing each other between the terminal portions 711 and 712 among the corner portions of each terminal portion. This is different from the lead frame 10 of the first embodiment.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層７２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層７２０がリードフレーム７１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部７１１、７１２間で対向する角部にのみ形成されているので、端子部７１１、７１２間に充填される光反射樹脂層７２０の強度を向上させることができ、端子部７１１、７１２間で光半導体装置７０１が破損してしまうのを抑制することができる。
さらに、ＬＥＤ素子を基板、特にリジッド基板に半田を用いて接合する工程の冷却の過程において、端子部の大きさが同じでなかったり、端子部に搭載されている素子への熱伝達により、各端子部の実質的な熱容量が異なっていたりする場合に、半田が冷え固まるのに端子部間で時間差が発生する場合がある。この場合、冷え固まった一方の半田側の端子部は固定され、もう一方の冷え固まっていない半田側は、半田の表面張力により引っ張りの力が働くため、ＬＥＤ素子がＸ方向に引き離される強い応力がかかり、端子部間に間隙が発生しやすくなる問題があるが、本実施形態のリードフレーム７１０は、これを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム７１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin forming the light reflecting resin layer 720 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 710.
Moreover, since the recessed part M and the convex part T are formed only in the corner | angular part which opposes between the terminal parts 711 and 712, improving the intensity | strength of the light reflection resin layer 720 filled between the terminal parts 711 and 712. And the optical semiconductor device 701 can be prevented from being damaged between the terminal portions 711 and 712.
Further, in the cooling process of the step of joining the LED element to the substrate, particularly the rigid substrate using solder, the size of the terminal portion is not the same or due to heat transfer to the element mounted on the terminal portion, When the substantial heat capacities of the terminal portions are different, a time difference may occur between the terminal portions as the solder cools and hardens. In this case, the terminal part on one solder side that has cooled and hardened is fixed, and the other solder side that has not cooled and hardened has a tensile force due to the surface tension of the solder, so that the LED element is pulled away in the X direction. However, the lead frame 710 of the present embodiment can suppress this problem.
Further, since the number of the concave portions M to be formed is smaller than that of the lead frame 10 of the first embodiment, the manufacturing process of the lead frame 710 can be simplified.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１３は、第８実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１３（ａ）は、リードフレーム８１０の平面図であり、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は、光反射樹脂層８２０が形成されたリードフレーム８１０の平面図、下面図である。
第８実施形態のリードフレーム８１０は、図１３に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。 (Eighth embodiment)
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 13 is a diagram illustrating a lead frame according to the eighth embodiment.
FIG. 13A is a plan view of the lead frame 810, and FIGS. 13B and 13C are a plan view and a bottom view of the lead frame 810 on which the light reflecting resin layer 820 is formed.
In the lead frame 810 of the eighth embodiment, as shown in FIG. 13, the concave portion M and the convex portion T are concave only in the corner portion on the side facing the terminal portion 812 among the corner portions of the terminal portion 811 having a large outer shape. The lead frame 10 is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that M and convex portions T are formed.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層８２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層８２０がリードフレーム８１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
外形の大きい端子部８１１の角部のうち、端子部８１２と対向する側の角部にのみ凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されているので、端子部８１１、８１２間の光反射樹脂層８２０の強度を向上させることができ、端子部８１１、８１２間で光半導体装置８０１が破損してしまうのを抑制することができる。
また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム８１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin forming the light reflecting resin layer 820 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, as in the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 810.
Since the concave portion M and the convex portion T are formed only at the corner portion facing the terminal portion 812 among the corner portions of the terminal portion 811 having a large outer shape, the light reflecting resin layer 820 between the terminal portions 811 and 812 is formed. The strength can be improved, and the optical semiconductor device 801 can be prevented from being damaged between the terminal portions 811 and 812.
Further, since the number of the recessed portions M to be formed is smaller than that of the lead frame 10 of the first embodiment, the manufacturing process of the lead frame 810 can be simplified.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。
図１４は、第９実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１４（ａ）は、リードフレーム９１０の平面図であり、図１４（ｂ）、図１４（ｃ）は、光反射樹脂層９２０が形成されたリードフレーム９１０の平面図、下面図である。 (Ninth embodiment)
Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a diagram illustrating a lead frame according to the ninth embodiment.
14A is a plan view of the lead frame 910, and FIGS. 14B and 14C are a plan view and a bottom view of the lead frame 910 on which the light reflecting resin layer 920 is formed.

第９実施形態のリードフレーム９１０は、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部９１１、９１２の角部ではなく、端子部９１１、９１２の辺に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
凹部Ｍ及び凸部Ｔは、図１４に示すように、端子部１１、１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されている。すなわち、凹部Ｍ及び凸部Ｔは、端子部１１の右（Ｘ）側の辺と、端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とに形成されている。
これに伴い、第９実施形態の端子部９１１と、隣接する他のリードフレームの端子部９１２とを連結する連結部９１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部９１１、９１２の一辺に対して２箇所設けられている。 The lead frame 910 of the ninth embodiment is the lead frame of the first embodiment in that the concave portion M and the convex portion T are formed not on the corner portions of the terminal portions 911 and 912 but on the sides of the terminal portions 911 and 912. 10 and different.
As shown in FIG. 14, the concave portion M and the convex portion T are sides that form the outer shape of the lead frame 910 among the sides that form the terminal portions 11 and 12, and are the central portions of the sides that are orthogonal to the longitudinal direction X. Is formed. That is, the concave portion M and the convex portion T are formed on the right (X) side of the terminal portion 11 and the left (−X) side of the terminal portion 12.
Accordingly, the connecting portion 913a that connects the terminal portion 911 of the ninth embodiment and the terminal portion 912 of another adjacent lead frame has two recesses M with respect to one side of the terminal portions 911 and 912. There are places.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層９２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層９２０がリードフレーム９１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
特に、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部９１１、９１２を形成する辺のうち、リードフレーム９１０の外形を形成する辺であって、長手方向Ｘに直交する辺の中央部に形成されているので、リードフレーム９１０と光反射樹脂層９２０との線膨張係数の差が大きい場合に加え、ＬＥＤ素子を基板に実装した後の基板とＬＥＤ素子との線膨張差が大きい場合において、熱膨張による材料の伸びの影響が大きい長手方向における光反射樹脂層９２０とリードフレーム９１０との剥離をより効果的に抑制することができる。 As described above, in the invention of the present embodiment, the resin forming the light reflecting resin layer 920 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 910.
In particular, the concave portion M and the convex portion T are the sides that form the outer shape of the lead frame 910 among the sides that form the terminal portions 911 and 912, and are formed at the center of the side that is orthogonal to the longitudinal direction X. Therefore, in addition to the case where the difference in coefficient of linear expansion between the lead frame 910 and the light reflecting resin layer 920 is large, in the case where the difference in linear expansion between the LED element after mounting the LED element on the substrate is large, the thermal expansion causes Separation of the light reflecting resin layer 920 and the lead frame 910 in the longitudinal direction, which is greatly affected by the elongation of the material, can be more effectively suppressed.

また、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム９１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 Further, since the number of the recessed portions M to be formed is smaller than that of the lead frame 10 of the first embodiment, the manufacturing process of the lead frame 910 can be simplified.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第１０実施形態）
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。
図１５は、第１０実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１５（ａ）は、リードフレーム１０１０の平面図であり、図１５（ｂ）、図１５（ｃ）は、光反射樹脂層１０２０が形成されたリードフレーム１０１０の平面図、下面図である。 (10th Embodiment)
Next, a tenth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a view for explaining a lead frame according to the tenth embodiment.
15A is a plan view of the lead frame 1010, and FIGS. 15B and 15C are a plan view and a bottom view of the lead frame 1010 on which the light reflecting resin layer 1020 is formed.

第１０実施形態のリードフレーム１０１０は、図１５に示すように、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、端子部１０１１の外形を形成する各辺に形成されている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
これに伴い、第１０実施形態の端子部１０１１と、隣接する他のリードフレームの端子部１０１１、１０１２とを連結する連結部１０１３ｂ及び連結部１０１３ａは、凹部Ｍを挟むようにして、端子部１０１２の一辺に対して２箇所ずつ設けられる。 As shown in FIG. 15, the lead frame 1010 of the tenth embodiment is such that the concave portion M and the convex portion T are formed on each side forming the outer shape of the terminal portion 1011. And different.
Accordingly, the connecting portion 1013b and the connecting portion 1013a that connect the terminal portion 1011 of the tenth embodiment and the terminal portions 1011 and 1012 of the other adjacent lead frames have one side of the terminal portion 1012 so as to sandwich the recess M. Are provided at two locations.

以上より、本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
凹部Ｍ及び凸部Ｔが、ＬＥＤ素子２を載置、接続する端子部１０１１の外形を形成する各辺に設けられているので、ＬＥＤ素子２の発する熱の影響を最も受けやすい端子部１０１１から光反射樹脂層１０２０が剥離してしまうのを抑制することができる。
また、最も応力が集中しやすい光半導体装置１００１の中央部に位置する端子部１０１１の周囲に凹部Ｍ及び凸部Ｔが形成されることによって、その中央部における光反射樹脂層１０２０の強度を向上させることができ、光半導体装置１００１が破損するのを抑制することができる。
さらに、第１実施形態のリードフレーム１０に比べ、形成される凹部Ｍの数が少ないので、リードフレーム１０１０の製造工程を簡略化することができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, the invention of this embodiment has the following effects.
Since the concave portion M and the convex portion T are provided on each side forming the outer shape of the terminal portion 1011 on which the LED element 2 is placed and connected, the terminal portion 1011 that is most susceptible to the heat generated by the LED element 2 is used. It can suppress that the light reflection resin layer 1020 peels.
Further, the concave portion M and the convex portion T are formed around the terminal portion 1011 located at the central portion of the optical semiconductor device 1001 where stress is most likely to be concentrated, thereby improving the strength of the light reflecting resin layer 1020 at the central portion. The optical semiconductor device 1001 can be prevented from being damaged.
Furthermore, since the number of recesses M to be formed is smaller than that of the lead frame 10 of the first embodiment, the manufacturing process of the lead frame 1010 can be simplified.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第１１実施形態）
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。
図１６は、第１１実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１６（ａ）は、リードフレーム１１１０の平面図であり、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）は、光反射樹脂層１１２０が形成されたリードフレーム１１１０の平面図、下面図である。 (Eleventh embodiment)
Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating a lead frame according to the eleventh embodiment.
FIG. 16A is a plan view of the lead frame 1110, and FIGS. 16B and 16C are a plan view and a bottom view of the lead frame 1110 on which the light reflecting resin layer 1120 is formed.

第１１実施形態のリードフレーム１１１０は、凹部Ｍに隣接して連結部１１１３が設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
端子部１１１１、１１１２は、表面側の各角部に、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄くなる凹部Ｍが設けられており、また、凹部Ｍの底面に、凹部Ｍの内周側面と一定の距離だけ離れた位置に凸部Ｔが設けられている。
連結部１１１３は、図１６に示すように、凹部Ｍに隣接するようにして、端子部１１１１、１１１２の各辺のうち、端子部１１１１、１１１２間で対向する辺を除いた辺に対して２箇所ずつ設けられている。連結部１１１３は、端子部１１１１、１１１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１１１、１１１２の表面側と同一平面内に形成されている。そのため、端子部１１１１、１１１２の裏面において、端子部１１１１、１１１２と連結部１１１３との間に段部Ｄが形成されている（図２（ｂ）、図２（ｃ）参照）。 The lead frame 1110 of the eleventh embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that a connecting portion 1113 is provided adjacent to the recess M.
The terminal portions 1111 and 1112 are provided with concave portions M which are thinner than the thicknesses of the terminal portions 1111 and 1112 at the respective corners on the front surface side, and the inner peripheral side surface of the concave portion M is constant on the bottom surface of the concave portion M. A convex portion T is provided at a position separated by a distance of.
As shown in FIG. 16, the connecting portion 1113 is adjacent to the concave portion M, and two of the sides of the terminal portions 1111, 1112 excluding the sides facing each other between the terminal portions 1111, 1112. It is provided one by one. The connecting portion 1113 is thinner than the terminal portions 1111 and 1112, and the surface thereof is formed in the same plane as the surface side of the terminal portions 1111 and 1112. Therefore, a step portion D is formed on the back surface of the terminal portions 1111 and 1112 between the terminal portions 1111 and 1112 and the connecting portion 1113 (see FIGS. 2B and 2C).

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１１２０を形成する樹脂が凹部Ｍ及び凸部Ｔの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１１２０がリードフレーム１１１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１１１０の端子部１１１１、１１１２間及びその周囲に樹脂を流し込んで光反射樹脂層１１２０を形成する場合に、樹脂が、各端子部の表面側にある凹部Ｍと、各端子部の裏面側に形成された連結部１１１３の段部Ｄとに流れ込むこととなり、リードフレーム１１１０を表面及び裏面から均等に、光反射樹脂層１１２０で挟むことができ、上記剥離抑制効果をさらに向上させることができる。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしてもよく、また、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As mentioned above, since the resin which forms the light reflection resin layer 1120 is filled also in the clearance gap between the recessed part M and the convex part T similarly to the invention of 1st Embodiment, the invention of this embodiment has the light reflection resin layer 1120. The peeling from the lead frame 1110 can be suppressed.
In addition, when the light reflecting resin layer 1120 is formed by pouring resin between and around the terminal portions 1111 and 1112 of the lead frame 1110, the resin is formed in the concave portion M on the surface side of each terminal portion, and The lead frame 1110 flows into the step portion D of the connecting portion 1113 formed on the back surface side, so that the lead frame 1110 can be sandwiched evenly from the front surface and the back surface by the light reflecting resin layer 1120, and the above-described peeling suppression effect is further improved. Can do.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. The same effect as that of the present embodiment can be obtained by adopting a form such as T or by forming the recess M and the hole H of the fifth embodiment.

（第１２実施形態）
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。
図１７は、第１２実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１７（ａ）は、リードフレーム１２１０の平面図であり、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）は、光反射樹脂層１２２０が形成されたリードフレーム１２１０の平面図、下面図である。
第１２実施形態のリードフレーム１２１０は、凹部Ｍが、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。 (Twelfth embodiment)
Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 17 is a diagram illustrating a lead frame according to the twelfth embodiment.
FIG. 17A is a plan view of the lead frame 1210, and FIGS. 17B and 17C are a plan view and a bottom view of the lead frame 1210 on which the light reflecting resin layer 1220 is formed.
The lead frame 1210 according to the twelfth embodiment is different from the lead frame 10 according to the first embodiment in that the concave portion M is provided so as to straddle the joint portion between each terminal portion and the connecting portion 1213.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１２２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１２２０がリードフレーム１２１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍは、各端子部と連結部１２１３との接合部を跨ぐようにして形成されるので、連結部１２１３と透明樹脂層１２３０との境目から水分が浸入したとしても、凹部ＭによってＬＥＤ素子２への水分の浸入経路を長くすることができ、ＬＥＤ素子２及びその近傍への水分の浸入を抑制することができる。本実施形態の発明は、リードフレーム１２１０と透明樹脂層１２３０との接着性が弱い場合等に特に有効である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin that forms the light reflecting resin layer 1220 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 1210.
Moreover, since the recessed part M is formed so that the junction part of each terminal part and the connection part 1213 may be straddled, even if a water | moisture content permeates from the boundary of the connection part 1213 and the transparent resin layer 1230, it is LED by the recessed part M. The moisture intrusion path into the element 2 can be lengthened, and the moisture intrusion into the LED element 2 and its vicinity can be suppressed. The invention of this embodiment is particularly effective when the adhesion between the lead frame 1210 and the transparent resin layer 1230 is weak.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. Even in the case of T, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

（第１３実施形態）
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図１８は、第１３実施形態のリードフレームを説明する図である。
図１８（ａ）は、リードフレーム１３１０の平面図であり、図１８（ｂ）、図１８（ｃ）は、光反射樹脂層１３２０が形成されたリードフレーム１３１０の平面図、下面図である。 (13th Embodiment)
Next, a thirteenth embodiment of the present invention is described.
FIG. 18 is a diagram illustrating a lead frame according to the thirteenth embodiment.
18A is a plan view of the lead frame 1310, and FIGS. 18B and 18C are a plan view and a bottom view of the lead frame 1310 on which the light reflecting resin layer 1320 is formed.

第１３実施形態のリードフレーム１３１０は、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部を形成する各辺の中央部に設けられている点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
なお、端子部１３１２の左右方向Ｘに平行な辺に設けられた凹部Ｍは、上述の第１２実施形態と同様に、端子部１３１２と連結部１３１３との接合部を跨ぐようにして形成されている。 A lead frame 1310 according to the thirteenth embodiment is different from the lead frame 10 according to the first embodiment in that a concave portion M and a convex portion T are provided at the center of each side forming each terminal portion.
In addition, the recessed part M provided in the edge | side parallel to the left-right direction X of the terminal part 1312 is formed so that the junction part of the terminal part 1312 and the connection part 1313 may be straddled similarly to the above-mentioned 12th Embodiment. Yes.

以上より、本実施形態の発明は、第１実施形態の発明と同様、光反射樹脂層１３２０を形成する樹脂が凹部Ｍと凸部Ｔとの隙間にも充填されるので、光反射樹脂層１３２０がリードフレーム１３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、凹部Ｍ及び凸部Ｔが、各端子部を形成する各辺の中央部に設けられているので、凹部Ｍ及び凸部Ｔが各端子部の角部に設けられる場合に比べ、光反射樹脂層１３２０の樹脂の機械強度が弱く、脆い場合においても、リードフレーム１３１０と光反射樹脂層１３２０との剥離を抑制すると共に、光反射樹脂層１３２０の角部が破損してしまうのも抑制することができる。これにより、一般的に、機械強度が弱く、脆いと判断される樹脂、例えば、フィラー含有量が６０％を超えるシリコーン樹脂等を、光反射樹脂層１３２０の形成に使用することも可能である。
なお、本実施形態における凹部Ｍ及び凸部Ｔは、第１実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔと同様の形態としたが、上述の第２実施形態〜第４実施形態の凹部Ｍ及び凸部Ｔのような形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、連結部１３１３を跨る凹部Ｍ及び凸部Ｔ以外の凹部Ｍ及び凸部Ｔは、上述の第５実施形態の凹部Ｍ及び孔部Ｈの形態にしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。 As described above, in the invention of this embodiment, the resin forming the light reflecting resin layer 1320 is also filled in the gap between the concave portion M and the convex portion T, similarly to the invention of the first embodiment. Can be prevented from peeling from the lead frame 1310.
Moreover, since the recessed part M and the convex part T are provided in the center part of each edge | side which forms each terminal part, compared with the case where the recessed part M and the convex part T are provided in the corner | angular part of each terminal part, it is light reflection. Even when the mechanical strength of the resin of the resin layer 1320 is weak and fragile, the peeling between the lead frame 1310 and the light reflecting resin layer 1320 is suppressed, and the corners of the light reflecting resin layer 1320 are also prevented from being damaged. be able to. Accordingly, it is also possible to use a resin whose mechanical strength is generally weak and is determined to be brittle, such as a silicone resin having a filler content exceeding 60%, for forming the light reflecting resin layer 1320.
In addition, although the recessed part M and the convex part T in this embodiment were set as the form similar to the recessed part M and the convex part T of 1st Embodiment, the recessed part M and convex part of the above-mentioned 2nd Embodiment-4th Embodiment. Even in the case of T, the same effect as in the present embodiment can be obtained. Further, the concave portions M and the convex portions T other than the concave portions M and the convex portions T straddling the connecting portion 1313 may have the same effects as those of the present embodiment even when the concave portions M and the hole portions H of the fifth embodiment are used. Can be obtained.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１９〜図２３は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、図１９に示すように、ＬＥＤ素子２が２つの端子部１４１１、１４１２を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、端子部１４１１、１４１２は、それぞれ同等の外形としてもよい。フラットタイプの場合は、ボンディングワイヤにより反射して散乱した光をパッケージ上方に制御できる反射側壁が無いが、本変形形態ではボンディングワイヤがＬＥＤ素子上に存在しないため、ＬＥＤ素子が発した光の制御が容易である。
（２）各実施形態において、連結部１３の表面が、端子部１１、１２の表面と同一平面内になるように形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、図２０に示すように、連結部１５１３の裏面が、各端子部１５１１、１５１２の裏面と同一平面内になるように形成することも可能である。こうすることで、図２０（ｃ）に示すように、各端子部の外部端子面１５１１ａ、１５１２ａと同一平面上にある連結部１５１３が、光反射樹脂層１５２０を形成したリードフレーム１５１０の側面に表出するので、光半導体装置が外部機器に実装される場合に、各外部端子面１５１１ａ、１５１２ａが外部機器と半田等の接合剤によって確実に接続されているか否かを確認することができる。
（３）各実施形態においては、各端子部１１、１２の表面にのみ、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを設ける例を示したが、これに限定されない。例えば、図２１、図２２に示すように、凹部Ｍと、凸部Ｔ又孔部Ｈとを、各端子部の表面及び裏面に設けることも可能である。そうすることで、光反射樹脂層２０のリードフレーム１０からの剥離抑止効果をさらに向上させることができる。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図２３（ａ）に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（１８１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（１８１２、１８１３）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。
また、図２３（ｂ）に示すように、端子部を５つ設け、１つ（１９１１）にＬＥＤ素子２を実装し、他の２つ（１９１２、１９１３）にボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続し、残りの２つ（１９１４、１９１５）には何も接続しないようにしてもよい。さらに、図２３（ｃ）に示すように、端子部を４つ設け、１つ（２０１１）にＬＥＤ素子２を３つ実装し、残り３つの端子部（２０１２〜２０１４）のそれぞれに、各ＬＥＤ素子２をボンディングワイヤ２ａを介して接続するようにしてもよい。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 19-23 is a figure which shows the modification of this invention.
(Deformation)
(1) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that serves as a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that serves as a lead-side terminal portion connected to the LED element 2 via a bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 19, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle the two terminal portions 1411 and 1412. In this case, the terminal portions 1411 and 1412 may have the same outer shape. In the case of the flat type, there is no reflection side wall that can control the light reflected and scattered by the bonding wire above the package, but in this variation, the bonding wire does not exist on the LED element, so the light emitted from the LED element is controlled. Is easy.
(2) In each embodiment, although the example in which the surface of the connecting portion 13 is formed so as to be in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12 is shown, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 20, the back surface of the connecting portion 1513 can be formed so as to be in the same plane as the back surfaces of the terminal portions 1511 and 1512. By doing so, as shown in FIG. 20C, the connecting portion 1513 which is on the same plane as the external terminal surfaces 1511a and 1512a of each terminal portion is formed on the side surface of the lead frame 1510 on which the light reflecting resin layer 1520 is formed. Thus, when the optical semiconductor device is mounted on an external device, it can be confirmed whether or not the external terminal surfaces 1511a and 1512a are securely connected to the external device by a bonding agent such as solder.
(3) In each embodiment, although the example which provides the recessed part M and the convex part T, or the hole part H only on the surface of each terminal part 11 and 12 was shown, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 21 and FIG. 22, the concave portion M and the convex portion T or the hole portion H can be provided on the front surface and the back surface of each terminal portion. By doing so, the peeling inhibitory effect from the lead frame 10 of the light reflection resin layer 20 can further be improved.
(4) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with the 2 or more terminal part. For example, as shown in FIG. 23A, three terminal portions are provided, one of which (1811) is mounted with an LED element, and the other two (1812, 1813) are connected via bonding wires 2a. The LED element 2 may be connected.
Further, as shown in FIG. 23B, five terminal portions are provided, one (1911) is mounted with the LED element 2, and the other two (1912, 1913) are connected to the LED element via the bonding wire 2a. 2 may be connected and nothing may be connected to the remaining two (1914, 1915). Furthermore, as shown in FIG. 23 (c), four terminal portions are provided, three LED elements 2 are mounted on one (2011), and each of the remaining three terminal portions (2012-2014) is connected to each LED. The element 2 may be connected via the bonding wire 2a.
(5) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、９０１、１００１、１１０１、１２０１、１３０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０、１１１０、１２１０、１３１０ リードフレーム
１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７１１、８１１、９１１、１０１１、１１１１、１２１１、１３１１ 端子部
１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２、９１２、１０１２、１１１２、１２１２、１３１２ 端子部
１３ 連結部
２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０、９２０、１０２０、１１２０、１２２０、１３２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０、９３０、１０３０、１１３０、１２３０、１３３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｔ 凸部
Ｈ 孔部 1, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901, 1001, 1101, 1201, 1301 Optical semiconductor device 2 LED element 10, 210, 310, 410, 510, 610, 710, 810, 910, 1010 1110, 1210, 1310 Lead frame 11, 211, 311, 411, 511, 611, 711, 811, 911, 1011, 1111, 1211, 1311 Terminal portion 12, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812 , 912, 1012, 1112, 1212, 1312 Terminal part 13 Connecting part 20, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820, 920, 1020, 1120, 1220, 1320 Light reflecting resin layer 30, 230, 330, 430, 530, 630, 30,830,930,1030,1130,1230,1330 transparent resin layer M concave T protrusions H holes

Claims (15)

複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
前記端子部は、その面上に、前記端子部の外周側面につながる凹部が形成され、
前記凹部は、その底面に、前記凹部の内周側面と離れた位置に凸部を備えること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In an optical semiconductor lead frame used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions, at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element,
On the surface of the terminal portion, a concave portion connected to the outer peripheral side surface of the terminal portion is formed,
The concave portion includes a convex portion on a bottom surface thereof at a position away from an inner peripheral side surface of the concave portion,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部は、内周縁の形状が略円弧状であること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
The concave portion has a substantially arc-shaped inner peripheral edge,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凸部と前記凹部との間で形成される隙間は、一定の間隔であること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2,
The gap formed between the convex portion and the concave portion is a constant interval,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凸部と前記凹部との間で形成される隙間は、前記端子部の外周側面側が、前記凹部の内周側面の中央部よりも広いこと、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2,
The gap formed between the convex portion and the concave portion is such that the outer peripheral side surface of the terminal portion is wider than the central portion of the inner peripheral side surface of the concave portion,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凸部と前記凹部との間で形成される隙間は、前記端子部の外周側面側が、前記凹部の内周側面の中央部よりも狭いこと、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2,
The gap formed between the convex part and the concave part is such that the outer peripheral side of the terminal part is narrower than the central part of the inner peripheral side of the concave part,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、
互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 5,
The terminal portion is
Composed of a pair of terminal portions arranged electrically independent from each other;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部の外周側面、及び、前記凹部と前記凸部との隙間に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 A lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 6,
Having a thickness equivalent to that of the lead frame for an optical semiconductor device, comprising an outer peripheral side surface of the terminal portion, and a resin layer formed in a gap between the concave portion and the convex portion,
A lead frame for an optical semiconductor device with a resin. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
前記端子部は、その面上に、前記端子部の外周側面につながる凹部が形成され、
前記凹部は、その底面に、前記端子部を貫通する孔部を備えること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In an optical semiconductor lead frame used for an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions, at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element,
On the surface of the terminal portion, a concave portion connected to the outer peripheral side surface of the terminal portion is formed,
The concave portion includes a hole portion penetrating the terminal portion on a bottom surface thereof;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項８に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記凹部は、内周縁の形状が略円弧状であること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 8,
The concave portion has a substantially arc-shaped inner peripheral edge,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項８又は請求項９に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、
互いに電気的に独立して配置される一対の端子部から構成されること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 8 or 9,
The terminal portion is
Composed of a pair of terminal portions arranged electrically independent from each other;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記光半導体装置用リードフレームと同等の厚みを有し、前記端子部の外周側面、前記凹部、及び、前記孔部に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 The lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 8 to 10,
Having a thickness equivalent to that of the lead frame for an optical semiconductor device, comprising an outer peripheral side surface of the terminal portion, the concave portion, and a resin layer formed in the hole portion;
A lead frame for an optical semiconductor device with a resin. 請求項１から請求項６まで、又は、請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 6 or claim 8 to claim 10, wherein the frame is multifaceted.
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項７又は請求項１１に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The resin-attached optical semiconductor device lead frame according to claim 7 or claim 11 is multifaceted,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項７又は請求項１１に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to claim 7 or 11,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of the resin-coated optical semiconductor device lead frame;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device. 請求項１４に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 14 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041570A (en) * 2015-08-20 2017-02-23 株式会社カネカ Resin molding for mounting light-emitting element, surface mounting type light-emitting device, and lead frame used in resin molding for mounting light-emitting element
JP2019197764A (en) * 2018-05-08 2019-11-14 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP2020136367A (en) * 2019-02-15 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 Resin package and light-emitting device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786484A (en) * 1993-09-14 1995-03-31 Matsushita Electron Corp Resin-sealed semiconductor device
JPH1117054A (en) * 1997-06-25 1999-01-22 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JP2002134677A (en) * 2000-10-23 2002-05-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US20050151149A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Chia Chee W. Light emission device
JP2008211231A (en) * 2008-04-08 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame and resin-sealed semiconductor device
JP2010123908A (en) * 2008-11-18 2010-06-03 Seoul Semiconductor Co Ltd Light-emitting device
JP2011159837A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Apic Yamada Corp Lead frame and substrate for led package
WO2012014382A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 Semiconductor device
WO2012060336A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-10 大日本印刷株式会社 Led-element mounting lead frame, resin-attached lead frame, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor-element mounting lead frame
JP2012114286A (en) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Led package

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786484A (en) * 1993-09-14 1995-03-31 Matsushita Electron Corp Resin-sealed semiconductor device
JPH1117054A (en) * 1997-06-25 1999-01-22 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JP2002134677A (en) * 2000-10-23 2002-05-10 Rohm Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US20050151149A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Chia Chee W. Light emission device
JP2008211231A (en) * 2008-04-08 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lead frame and resin-sealed semiconductor device
JP2010123908A (en) * 2008-11-18 2010-06-03 Seoul Semiconductor Co Ltd Light-emitting device
JP2011159837A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Apic Yamada Corp Lead frame and substrate for led package
WO2012014382A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 Semiconductor device
WO2012060336A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-10 大日本印刷株式会社 Led-element mounting lead frame, resin-attached lead frame, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor-element mounting lead frame
JP2012114286A (en) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Led package

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041570A (en) * 2015-08-20 2017-02-23 株式会社カネカ Resin molding for mounting light-emitting element, surface mounting type light-emitting device, and lead frame used in resin molding for mounting light-emitting element
JP2019197764A (en) * 2018-05-08 2019-11-14 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US10854789B2 (en) 2018-05-08 2020-12-01 Nichia Corporation Light-emitting device
US11309460B2 (en) 2018-05-08 2022-04-19 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2020136367A (en) * 2019-02-15 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 Resin package and light-emitting device
JP7248887B2 (en) 2019-02-15 2023-03-30 日亜化学工業株式会社 Resin package and light emitting device

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