実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を共通して用い、その繰り返しの説明を省略する。
また、以下の実施の形態は、一部又は全部を適宜組み合わせて実施することができる。
トランジスタとして、例えば、電界効果トランジスタ等を用いることができる。
トランジスタは、少なくとも、ゲート端子、第1の端子、及び第2の端子を有する。
第1の端子は、ソース端子又はドレイン端子の一方である。
第2の端子は、ソース端子又はドレイン端子の他方である。
(実施の形態1)
図1に半導体装置の一例を示す。
配線L1は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
配線L1は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
配線L2は、トランジスタTr3の第1の端子と電気的に接続されている。
配線L3は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
配線L3は、トランジスタTr3のゲート端子と電気的に接続されている。
配線L4は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
配線L1、配線L2、配線L3、及び配線L4は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
配線L1、配線L2、配線L3、及び配線L4は、所定の電位となることができる機能を有する。
ここで、図1において、配線L3と配線L4の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)を変化させることによって、配線L1と配線L2との間の導通状態を制御することができる。
配線L1及び配線L2の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)は特に限定されない。
配線L3の電位(又は電圧)は、配線L4の電位(又は電圧)と逆の極性であることが好ましい。
ここで、回路には基準電位(又は基準電圧)がある。
基準電位(又は基準電圧)よりも高い電位(又は電圧)が「1(High)」であり、基準電位(又は基準電圧)よりも高い電位(又は電圧)が「0(Low)」である。
なお、「0(Low)」の逆の極性は「1(High)」であり、「1(High)」の逆の極性は「0(Low)」である。
なお、基準電位(又は基準電圧)は0Vでも良いし、0V以外でも良い。
N型トランジスタのゲート端子に「1(High)」を入力することにより、N型トランジスタをオン状態とすることができる。
N型トランジスタのゲート端子に「0(Low)」を入力することにより、N型トランジスタをオフ状態とすることができる。
P型トランジスタのゲート端子に「1(High)」を入力することにより、P型トランジスタをオフ状態とすることができる。
P型トランジスタのゲート端子に「0(Low)」を入力することにより、P型トランジスタをオン状態とすることができる。
配線L3の電位(又は電圧)は、配線L4の電位(又は電圧)と逆の極性にする構成の例を示す。
図2(A)は、配線L3の電位(又は電圧)は、配線L4の電位(又は電圧)と逆の極性にする構成の一例である。
図2(A)において、配線L3は、インバータINV1の入力端子と電気的に接続されている。
図2(A)において、配線L4は、インバータINV1の出力端子と電気的に接続されている。
図2(B)は、配線L3の電位(又は電圧)は、配線L4の電位(又は電圧)と逆の極性にする構成の一例である。
図2(B)において、配線L4は、インバータINV1の入力端子と電気的に接続されている。
図2(B)において、配線L3は、インバータINV1の出力端子と電気的に接続されている。
図2(A)及び図2(B)の場合、インバータINV1の入力端子に電気的に接続された配線の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)が安定しないことがある。
よって、図2(C)及び図2(D)のように、インバータINV2を追加すると好ましい。
図2(C)及び図2(D)において、インバータINV2の出力端子は、INV1の入力端子と電気的に接続されている。
図2(C)及び図2(D)において、インバータINV2の入力端子は、配線Linと電気的に接続されている。
配線Linは、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
配線Linは、所定の電位となることができる機能を有する。
トランジスタTr2は、トランジスタTr1と逆の極性であることが好ましい。
トランジスタTr3は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図1(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であると好ましい。
例えば、図1(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3をP型であると好ましい。
図1において、トランジスタTr3を有することによって、配線L1が配線L2と非導通状態のときに、配線L1と配線L2との間の抵抗値を増やすことができる。
よって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
トランジスタはどのようなものを用いても良い。
例えば、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタ、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタ、有機半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタ等があるが限定されない。
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、シリコンを有する半導体層を有するトランジスタ、シリコンを有する半導体基板(シリコンウェハ等)を用いて形成されたトランジスタ、SOI基板を用いて形成されたトランジスタ等があるが限定されない。
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体層を有するトランジスタ等があるが限定されない。
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタと比較すると、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタはオフ電流が極めて小さい。
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオン電流を大きくすることができる。
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタを用いてP型トランジスタを作製することは不可能ではないが、現状の技術水準からすると困難である。
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタを用いて実用的なP型トランジスタを作製することは現状の技術水準であれば容易である。
以上の点からすると、まず、トランジスタTr3は、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであることが好ましい。
次に、トランジスタTr2は、シリコンを有する半導体を有するチャネル形成領域を有するP型トランジスタであることが好ましい。
なお、トランジスタTr1がシリコンを有する半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタである場合、配線L1と配線L2とが導通状態のときに、配線L1と配線L2との間に流れる電流を大きくすることができるというメリットがある。
以上のように、トランジスタTr3が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであることによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を大幅に低減することができる。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態2)
図3は、図1において、トランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1〜トランジスタTr3、配線L1〜配線L4についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr3のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図3(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がN型であると好ましい。
例えば、図3(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がP型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態3)
図4は、図1においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1〜トランジスタTr3、配線L1〜配線L4についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図4(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がP型であると好ましい。
例えば、図4(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態4)
図5は、図1においてトランジスタTr3を除外しトランジスタTr5を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、配線L1〜配線L4についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr5の第1の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr5の第1の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr5の第1の端子は、配線L2と電気的に接続されている。
トランジスタTr5の第2の端子は、配線L5と電気的に接続されている。
トランジスタTr5のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr5は、トランジスタTr2と逆の極性であることが好ましい。
例えば、図5(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図5(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr2がオフ状態のときにトランジスタTr5がオン状態となる。
よって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときに、配線L5と配線L2とを導通状態とすることができる。
例えば、図1の場合、配線L1と配線L2とが非導通状態のとき、配線L2が浮遊状態となり、配線L2の電気的状態が安定しない場合がある。
図5では、トランジスタTr5を有することにより、配線L1と配線L2とが非導通状態のとき、配線L2が配線L5と導通するので、配線L2の電気的状態を安定させることができる。
図5の場合、配線L1は、入力端子となることができる機能を有する。
図5の場合、配線L2は、出力端子となることができる機能を有する。
配線L5は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
配線L5は、所定の電位となることができる機能を有する。
トランジスタTr5のオフ電流が大きい場合、配線L1と配線L2とが導通状態のときに、配線L2の出力が変動してしまう場合がある。
よって、トランジスタTr5は、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであることが好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態5)
図6は図5においてトランジスタTr3を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr3の第1の端子は、配線L2と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第1の端子は、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図6(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図6(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr3を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr3が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態6)
図7は図5においてトランジスタTr3を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr3の第1の端子は、配線L2と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第1の端子は、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図7(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図7(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr3を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr3が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態7)
図8は図5においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図8(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図8(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態8)
図9は図5においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図9(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図9(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態9)
図10は図6においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図10(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図10(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態10)
図11は図6においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr3のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図11(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がN型であると好ましい。
例えば、図11(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がP型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態11)
図12は図5においてトランジスタTr6を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr6の第1の端子は、配線L5に電気的に接続されている。
トランジスタTr6の第2の端子は、トランジスタTr5の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr6のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr6は、トランジスタTr1と逆の極性であることが好ましい。
例えば、図12(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図12(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr6を有することによって、配線L5と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr6が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L5と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
また、トランジスタTr6を有することによって、複数の導通状態を有する動作を行うこともできる。
配線L1と配線L2とが第1の導通状態の場合、配線L3の電位(又は電圧)がトランジスタTr1をオン状態にすることができる電位(又は電圧)となり、配線L4の電位(又は電圧)がトランジスタTr2をオン状態にすることができる電位(又は電圧)となる。
配線L1と配線L2とが第1の導通状態の場合、トランジスタTr5及びトランジスタTr6の双方がオフ状態となるので、配線L5と配線L2とは非導通状態となる。
配線L1と配線L2とが第2の導通状態の場合、配線L3の電位(又は電圧)がトランジスタTr1をオン状態にすることができる電位(又は電圧)となり、配線L4の電位(又は電圧)がトランジスタTr2をオフ状態にすることができる電位(又は電圧)となる。
配線L1と配線L2とが第2の導通状態の場合、トランジスタTr5がオン状態になるが、トランジスタTr6がオフ状態となるので、配線L5と配線L2とは非導通状態となる。
配線L1と配線L2とが第3の導通状態の場合、配線L3の電位(又は電圧)がトランジスタTr1をオフ状態にすることができる電位(又は電圧)となり、配線L4の電位(又は電圧)がトランジスタTr2をオン状態にすることができる電位(又は電圧)となる。
配線L1と配線L2とが第3の導通状態の場合、トランジスタTr6がオン状態になるが、トランジスタTr5がオフ状態となるので、配線L5と配線L2とは非導通状態となる。
配線L1と配線L2とが非導通状態の場合、配線L3の電位(又は電圧)がトランジスタTr1をオフ状態にすることができる電位(又は電圧)となり、配線L4の電位(又は電圧)がトランジスタTr2をオフ状態にすることができる電位(又は電圧)となる。
配線L1と配線L2とが非導通状態の場合、トランジスタTr5及びトランジスタTr6の双方がオン状態になるので、配線L5と配線L2とは導通状態となる。
トランジスタTr1のオン電流とトランジスタTr2のオン電流とが異なる場合、第1乃至第3の導通状態の抵抗値が変化する。
つまり、複数の抵抗値を有する可変抵抗の機能を付加することができる。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態12)
図13は図12においてトランジスタTr3を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr3の第1の端子は、配線L2に電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第1の端子は、トランジスタTr5の第1の端子に電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr6のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図13(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図13(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr3を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr3が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態13)
図14は図12においてトランジスタTr3を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr3の第1の端子は、配線L2に電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第1の端子は、トランジスタTr5の第1の端子に電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr3は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図14(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図14(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr3を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr3が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態14)
図15は図12においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr6のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図15(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図15(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態15)
図16は図12においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図16(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図16(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態16)
図17は図13においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr3のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr6のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図17(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図17(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態17)
図18は図13においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図18(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図18(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態18)
図19は図14においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr6のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図19(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図19(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態19)
図20は図14においてトランジスタTr4を追加した図面の一例である。
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr5、トランジスタTr6、配線L1〜配線L5についての繰り返しの説明は省略する。
トランジスタTr4の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr2のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr3のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4のゲート端子は、トランジスタTr5のゲート端子と電気的に接続されている。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2と同じ極性であることが好ましい。
例えば、図19(B)のように、トランジスタTr1がN型であり、トランジスタTr2がP型であり、トランジスタTr3がP型であり、トランジスタTr4がP型であり、トランジスタTr5がN型であり、トランジスタTr6がP型であると好ましい。
例えば、図19(C)のように、トランジスタTr1がP型であり、トランジスタTr2がN型であり、トランジスタTr3がN型であり、トランジスタTr4がN型であり、トランジスタTr5がP型であり、トランジスタTr6がN型であると好ましい。
トランジスタTr4を有することによって、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を低減することができる。
なお、トランジスタTr4が酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタであると、配線L1と配線L2とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態20)
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、又はトランジスタTr4を有することによって、配線L2の出力が下がってしまう場合がある。
そこで、図21〜図24のように、トランジスタTr7及び配線L6を追加することが好ましい。
図21〜図24において、トランジスタTr7の第1の端子は、配線L6と電気的に接続されている。
図21〜図24において、トランジスタTr7の第2の端子は、配線L2と電気的に接続されている。
図21〜図24は、トランジスタTr7のゲート端子と配線L1とを導通させることができる構成を有している。
例えば、図21(A)は、図1においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr3の第1の端子と電気的に接続されている。
また、例えば、図22(A)は、図21(A)において、トランジスタTr3を配線L1側に配置した例である。
図22(A)において、トランジスタTr3の第1の端子は、配線L1と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr1の第1の端子と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr3の第2の端子は、トランジスタTr2の第1の端子と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr3のゲート端子は、トランジスタTr1のゲート端子と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr7のゲート端子は、トランジスタTr1の第2の端子と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr7のゲート端子は、トランジスタTr2の第2の端子と電気的に接続されている。
図22(A)において、トランジスタTr3は、トランジスタTr1と同じ極性であることが好ましい。
また、例えば、図23(A)は、図3においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr3の第1の端子と電気的に接続されている。
また、例えば、図24(A)は、図4においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr3の第1の端子と電気的に接続されている。
図21(A)、図22(A)、図23(A)、及び図24(A)において、配線L6がトランジスタTr7を介して配線L2と電気的に接続されるので、配線L2の出力を上げることができる。
トランジスタTr7は特に限定されない。
但し、トランジスタTr7がシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであると、配線L2の出力がより上がるので好ましい。
図21(A)、図22(A)、図23(A)、及び図24(A)において、配線L2を出力端子として機能させた例を示したが、配線L6を出力端子として機能させても良い。
また、図21(A)、図22(A)、図23(A)、及び図24(A)において、容量素子C及び配線L7を追加すると好ましい。
例えば、図21(B)は、図21(A)において、トランジスタTr7のゲート端子を容量素子Cの一方の電極と電気的に接続し、配線L7を容量素子Cの他方の電極と電気的に接続した例である。
また、例えば、図22(B)は、図22(A)において、トランジスタTr7のゲート端子を容量素子Cの一方の電極と電気的に接続し、配線L7を容量素子Cの他方の電極と電気的に接続した例である。
また、例えば、図23(B)は、図23(A)において、トランジスタTr7のゲート端子を容量素子Cの一方の電極と電気的に接続し、配線L7を容量素子Cの他方の電極と電気的に接続した例である。
また、例えば、図24(B)は、図24(A)において、トランジスタTr7のゲート端子を容量素子Cの一方の電極と電気的に接続し、配線L7を容量素子Cの他方の電極と電気的に接続した例である。
配線L7は、信号、電圧、又は電流を伝達することができる機能を有する。
配線L7は、所定の電位となることができる機能を有する。
容量素子Cの一方の電極と配線L1とを導通させることによって、容量素子Cに電荷を蓄積することができる。
例えば、容量素子Cの正電荷が蓄積されている場合、トランジスタTr7のゲート端子の電位(又は電圧)を「1(High)」とすることができる。
例えば、容量素子Cに負電荷が蓄積されている場合、又は、容量素子に電荷が蓄積されていない場合、トランジスタTr7のゲート端子の電位(又は電圧)を「0(Low)」とすることができる。
容量素子Cの一方の電極と配線L1とを導通状態のときに、配線L1の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)と配線L7と電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)とを制御することによって、容量素子Cに蓄積される電荷量を制御することができる。
容量素子Cを有することにより、容量素子Cの一方の電極と配線L1とが非導通状態のときに、トランジスタTr7の導通状態を維持することができるようになる。
また、トランジスタTr3又はトランジスタTr4が、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタである場合、配線L1と容量素子Cの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流を格段に低減することができるので好ましい。
配線L1と容量素子Cの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流が大きいと、容量素子Cへの電荷蓄積動作を頻繁に行う必要があり消費電力が大きくなる。
よって、消費電力を小さくするためには、配線L1と容量素子Cの一方の電極とが非導通状態のときのリーク電流を少なくすることが好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態21)
トランジスタTr1、トランジスタTr2、トランジスタTr3、トランジスタTr4、トランジスタTr5、又はトランジスタTr6を有することによって、配線L2の出力が下がってしまう場合がある。
そこで、図25〜図40のように、トランジスタTr7及び配線L6を追加することが好ましい。
図25〜図40において、トランジスタTr7の第1の端子は、配線L6と電気的に接続されている。
図21〜図24において、トランジスタTr7の第2の端子は、配線L2と電気的に接続されている。
図25〜図40において、トランジスタTr7のゲート端子と配線L1とを導通させることができる構成を有している。
例えば、図25(A)は、図5においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図26(A)は、図6においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図27(A)は、図7においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図28(A)は、図8においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図29(A)は、図9においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図30(A)は、図10においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図31(A)は、図11においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図32(A)は、図12においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図33(A)は、図13においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図34(A)は、図14においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図35(A)は、図15においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図36(A)は、図16においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図37(A)は、図17においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図38(A)は、図18においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図39(A)は、図19においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図40(A)は、図20においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7のゲート端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
図25(A)、図26(A)、図27(A)、図28(A)、図29(A)、図30(A)、図31(A)、図32(A)、図33(A)、図34(A)、図35(A)、図36(A)、図37(A)、図38(A)、図39(A)、及び図40(A)において、配線L2と配線L6がトランジスタTr7を介して電気的に接続されるので、配線L2の出力を上げることができる。
トランジスタTr7は特に限定されない。
但し、トランジスタTr7がシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであると、配線L2の出力がより上がるので好ましい。
図25(A)、図26(A)、図27(A)、図28(A)、図29(A)、図30(A)、図31(A)、図32(A)、図33(A)、図34(A)、図35(A)、図36(A)、図37(A)、図38(A)、図39(A)、及び図40(A)において、配線L2を出力端子として機能させた例を示したが、配線L6を出力端子として機能させても良い。
図25(A)、図26(A)、図27(A)、図28(A)、図29(A)、図30(A)、図31(A)、図32(A)、図33(A)、図34(A)、図35(A)、図36(A)、図37(A)、図38(A)、図39(A)、及び図40(A)は、以下のような動作を行うことができる。
配線L1とトランジスタTr7のゲート端子とが導通状態となり、配線L5とトランジスタTr7のゲート端子とが非導通状態となる第1の状態において、配線L1の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)に応じて、トランジスタTr7をオン状態又はオフ状態の一方とすることができる。
配線L1とトランジスタTr7のゲート端子とが非導通状態となり、配線L5とトランジスタTr7のゲート端子とが導通状態となる第2の状態において、配線L5の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)に応じて、トランジスタTr7をオン状態又はオフ状態の他方とすることができる。
トランジスタTr7がオン状態のとき、配線L6がトランジスタTr7を介して配線L2と電気的に接続されるので、配線L2の出力を上げることができる。
他の例を、図25(B)、図26(B)、図27(B)、図28(B)、図29(B)、図30(B)、図31(B)、図32(B)、図33(B)、図34(B)、図35(B)、図36(B)、図37(B)、図38(B)、図39(B)、及び図40(B)に示す。
例えば、図25(B)は、図5においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図26(B)は、図6においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図27(B)は、図7においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図28(B)は、図8においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図29(B)は、図9においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図30(B)は、図10においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図31(B)は、図11においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図32(B)は、図12においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図32(B)は、図12においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図33(B)は、図13においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図34(B)は、図14においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図35(B)は、図15においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図36(B)は、図16においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図37(B)は、図17においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図38(B)は、図18においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図39(B)は、図19においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
例えば、図40(B)は、図20においてトランジスタTr7を追加した例であり、トランジスタTr7の第2の端子が、トランジスタTr5の第1の端子と電気的に接続されている。
図25(B)、図26(B)、図27(B)、図28(B)、図29(B)、図30(B)、図31(B)、図32(B)、図33(B)、図34(B)、図35(B)、図36(B)、図37(B)、図38(B)、図39(B)、及び図40(B)は、以下のような動作を行うことができる。
配線L1とトランジスタTr7のゲート端子とが導通状態となる第1の状態において、配線L1の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)に応じて、トランジスタTr7がオン状態になる。
配線L1とトランジスタTr7のゲート端子とが非導通状態となる第2の状態において、トランジスタTr7がオフ状態になる。
第1の状態において、配線L2と配線L6が導通状態となる。
なお、第1の状態において、トランジスタTr5はオフ状態となる。
第2の状態において、配線L2と配線L5が導通状態となる。
なお、第2の状態において、トランジスタTr5はオン状態となる。
よって、例えば、配線L2が出力端子として機能させることができる場合、配線L5を第1の入力端子として機能させることができ、配線L6を第2の入力端子として機能させることができる。
例えば、配線L2が入力端子として機能させることができる場合、配線L5を第1の出力端子として機能させることができ、配線L6を第2の出力端子として機能させることができる。
トランジスタTr5及びトランジスタTr7はオン電流が高い方が好ましいので、トランジスタTr5及びトランジスタTr7はシリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタであることが好ましい。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態22)
配線L1乃至配線L7に素子を電気的に接続することができる。
素子としては、トランジスタ、スイッチ、容量素子、抵抗素子、ダイオード、記憶素子、表示素子等があるが限定されない。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態23)
配線L5に配線L1を電気的に接続させることにより、トランジスタTr1及びトランジスタTr2がオフ状態のとき、配線L1と配線L2とをトランジスタTr5を介して電気的に接続させることができる。
配線L5に配線L3を電気的に接続させることにより、トランジスタTr1及びトランジスタTr2がオフ状態のとき、配線L3と配線L2とをトランジスタTr5を介して電気的に接続させることができる。
配線L5に配線L4を電気的に接続させることにより、トランジスタTr1及びトランジスタTr2がオフ状態のとき、配線L4と配線L2とをトランジスタTr5を介して電気的に接続させることができる。
以上の構成により、配線の本数を減少することができる。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態24)
AがBと電気的に接続されている状態とは、AがBと直接接続されている状態、Aが回路動作に影響のない素子を介してBと接続されている状態等である。
回路動作に影響のない素子とは、入力が信号、電流の場合は信号の内容を変えずに出力することができる素子であり、具体的には、抵抗素子、スイッチ、トランジスタ、ダイオード等である。
回路動作に影響のない素子とは、入力が電圧の場合は電圧の極性を変えずに出力することができる素子であり、具体的には、抵抗素子、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、容量素子等である。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態25)
他の実施形態では、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが異なる例を示したが、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが同じであっても良い。
他の実施の形態では、配線L3に配線L4の逆の極性の電位(又は電圧)が入力される例を示したが、配線L3に配線L4の同じ極性の電位(又は電圧)を入力しても良い。
例えば、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが同じ場合に、配線L3に配線L4の逆の極性の電位(又は電圧)を入力すると、トランジスタTr1又はトランジスタTr2の一方をオン状態とすることができ、トランジスタTr1又はトランジスタTr2の他方をオフ状態とすることができる。
例えば、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが同じ場合に、配線L3に配線L4との同じ極性の電位(又は電圧)を入力すると、トランジスタTr1及びトランジスタTr2の双方をオン状態とすることができる。
例えば、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが異なる場合に、配線L3に配線L4の逆の極性の電位(又は電圧)を入力すると、トランジスタTr1及びトランジスタTr2の双方をオン状態とすることができる。
例えば、トランジスタTr1の極性とトランジスタTr2の極性とが異なる場合に、配線L3に配線L4と同じ極性の電位(又は電圧)を入力すると、トランジスタTr1又はトランジスタTr2の一方をオン状態とすることができ、トランジスタTr1又はトランジスタTr2の他方をオフ状態とすることができる。
つまり、配線L3及び配線L4の電気的状態(信号、電圧、電流、電位等)を変化させることによって、トランジスタTr1の第1の端子とトランジスタTr2の第1の端子との接続点Aと、トランジスタTr1の第2の端子とトランジスタTr2の第2の端子との接続点Bと、の間の抵抗値を変化させることができる。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態26)
トランジスタTr3は、トランジスタTr1よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr3は、トランジスタTr2よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr4は、トランジスタTr1よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr4は、トランジスタTr2よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr5は、トランジスタTr1よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr5は、トランジスタTr2よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr6は、トランジスタTr1よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
トランジスタTr6は、トランジスタTr2よりもオフ電流が小さいことが好ましい。
そこで、トランジスタのオフ電流を小さくする方式を以下に例示する。
第1の方式は、他の実施の形態でも説明したように、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタと、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタと、を用いる方式である。
酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオフ電流が極めて小さい。
シリコンを有するチャネル形成領域を有するトランジスタは、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するトランジスタよりもオン電流を大きくすることができる。
第2の方式は、トランジスタのチャネル幅を小さくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
よって、一方のトランジスタのチャネル幅を他方のトランジスタのチャネル幅よりも小さくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
他方のトランジスタのチャネル幅は一方のトランジスタのチャネル幅よりも大きいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
第3の方式は、トランジスタのチャネル長を大きくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
よって、一方のトランジスタのチャネル長を他方のトランジスタのチャネル長よりも大きくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
他方のトランジスタのチャネル長は一方のトランジスタのチャネル長よりも小さいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
第4の方式は、トランジスタのLDD長(チャネル長方向のLDD領域の長さ)を大きくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
よって、一方のトランジスタのLDD長を他方のトランジスタのLDD長よりも大きくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
他方のトランジスタのLDD長は一方のトランジスタのLDD長よりも小さいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
第5の方式は、トランジスタのLDD濃度(LDD領域に含まれる不純物濃度)を小さくすることによってオフ電流を小さくする方式である。
よって、一方のトランジスタのLDD濃度を他方のトランジスタのLDD濃度よりも小さくすることによって、一方のトランジスタのオフ電流を小さくすることができる。
他方のトランジスタのLDD濃度は一方のトランジスタのLDD濃度よりも大きいので、他方のトランジスタのオン電流を大きくすることができる。
少なくとも第1の方式乃至第5の方式のいずれか一つを採用すると好ましい。
第1の方式乃至第5の方式を適宜組み合わせて採用するとより好ましい。
一方のトランジスタのオフ電流を他方のトランジスタのオフ電流よりも小さくすることができるのであれば、第1の方式乃至第5の方式以外の方式を採用しても良い。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態27)
図41に半導体装置の一例を示す。
基板101上に絶縁層102を有する。
絶縁層102上に半導体層201を有する。
絶縁層102上に半導体層202を有する。
半導体層201上及び半導体層202上に絶縁層300を有する。
絶縁層300上に導電層401を有する。
絶縁層300上に導電層402を有する。
導電層401上及び導電層402上に絶縁層500を有する。
絶縁層500上に半導体層550を有する。
絶縁層500上に導電層601を有する。
絶縁層500上に導電層602を有する。
絶縁層500上に導電層603を有する。
絶縁層500上に導電層604を有する。
半導体層550上及び絶縁層500上に導電層605を有する。
半導体層550上及び絶縁層500上に導電層606を有する。
半導体層550上、導電層601上、導電層602上、導電層603上、導電層604上、導電層605上、及び導電層606上に絶縁層700を有する。
絶縁層700上に導電層801を有する。
導電層801上に絶縁層900を有する。
絶縁層102の少なくとも一部は、例えば、下地絶縁膜として機能することができる。
半導体層201の少なくとも一部は、例えば、N型トランジスタの半導体層として機能することができる。
半導体層201は、少なくとも、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する。
半導体層201はシリコンを有する半導体層であることが好ましい。
半導体層201の有するソース領域及びドレイン領域にはドナー元素(例えば、リン、砒素等)が含有されている。
半導体層201は、ドナー元素が含有されたLDD領域を有していても良い。
半導体層202の少なくとも一部は、例えば、P型トランジスタの半導体層として機能することができる。
半導体層202は、少なくとも、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する。
半導体層202はシリコンを有する半導体層であることが好ましい。
半導体層202の有するソース領域及びドレイン領域にはアクセプター元素(例えば、ボロン等)が含有されている。
半導体層202は、アクセプター元素が含有されたLDD領域を有していても良い。
なお、チャネル形成領域は、ソース領域とドレイン領域との間に配置する。
LDD領域は、チャネル形成領域とソース領域の間に配置することができる。
LDD領域は、チャネル形成領域とドレイン領域の間に配置することができる。
絶縁層300の少なくとも一部は、例えば、N型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
絶縁層300の少なくとも一部は、例えば、P型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
導電層401の少なくとも一部は、例えば、N型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
導電層401の少なくとも一部は、半導体層201の有するチャネル形成領域と重なる。
導電層402の少なくとも一部は、例えば、P型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
導電層402の少なくとも一部は、半導体層202の有するチャネル形成領域と重なる。
絶縁層500の少なくとも一部は、例えば、層間絶縁膜として機能することができる。
半導体層550の少なくとも一部は、例えば、N型トランジスタの半導体層として機能することができる。
半導体層550は、酸化物半導体を有することが好ましい。
つまり、半導体層550は酸化物半導体層であることが好ましい。
導電層601は、絶縁層500の有するコンタクトホールを介して半導体層201の有するソース領域と電気的に接続されている。
導電層602は、絶縁層500の有するコンタクトホールを介して半導体層201の有するドレイン領域と電気的に接続されている。
導電層603は、絶縁層500の有するコンタクトホールを介して半導体層202の有するソース領域と電気的に接続されている。
導電層604は、絶縁層500の有するコンタクトホールを介して半導体層202の有するドレイン領域と電気的に接続されている。
導電層605の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタのソース電極として機能することができる。
導電層606の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタのドレイン電極として機能することができる。
絶縁層700の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。
導電層801の少なくとも一部は、例えば、酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタのゲート電極として機能することができる。
導電層801の少なくとも一部は、半導体層550の有するチャネル形成領域と重なる。
絶縁層900の少なくとも一部は、層間絶縁膜として機能することができる。
以上のように、シリコンを有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタ、シリコンを有するチャネル形成領域を有するP型トランジスタ、及び酸化物半導体を有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタを同一基板に形成することができる。
また、図41の構造の場合、導電層601〜導電層606を同一材料、同一工程で形成することができる。
図41では、トップゲート型トランジスタの例を示したがボトムゲート型トランジスタとしても良い。半導体層の上下にゲート電極を有するダブルゲート型トランジスタとしても良い。
図41では、シリコンを有するチャネル形成領域を有するN型トランジスタ、及び、シリコンを有するチャネル形成領域を有するP型トランジスタが、薄膜トランジスタである例を示したが、半導体基板、SOI基板を用いたトランジスタとしても良い。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態28)
基板、絶縁層、導電層、及び半導体層の材料について説明する。
基板は、ガラス基板、石英基板、金属基板、半導体基板、樹脂基板(プラスチック基板)等を用いることができるがこれらに限定されない。
基板が可撓性を有していても良い。
ガラス基板を薄くすると可撓性を有するようになる。
樹脂基板は可撓性を有する。
絶縁層は絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。
絶縁層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
絶縁層として、例えば、無機物質を有する絶縁層、有機物質を有する絶縁層等があるが限定されない。
無機物質を有する絶縁層は、例えば、酸化シリコンを有する膜、窒化シリコンを有する膜、窒化アルミニウムを有する膜、酸化アルミニウムを有する膜、酸化ハフニウムを有する膜等があるが限定されない。
有機物質を有する絶縁層として、例えば、ポリイミドを有する膜、アクリルを有する膜、シロキサンを有する膜、エポキシを有する膜等があるが限定されない。
ゲート絶縁膜として機能することができる絶縁層は無機物質を有する絶縁層であることが好ましい。
導電層は、導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。
導電層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
導電層は、金属を有する膜、透明導電体を有する膜等があるが限定されない。
金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、金、銀、銅、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるが限定されない。
透明導電体としては、例えば、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物等があるが限定されない。
金属は遮光性又は反射性を有する。
透明導電体は透光性を有する。
半導体層は、半導体特性を有していればどのような材料でも用いることができる。
半導体層は単層構造であっても積層構造であっても良い。
半導体層は、酸化物半導体層と、酸化物半導体層以外の半導体層等があるが限定されない。
酸化物半導体層以外の半導体層としては、シリコンを有する半導体層、有機半導体層等があるが限定されない。
シリコンを有する半導体層は、例えば、シリコン膜、シリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜等があるが限定されない。
酸化物半導体層は、酸化物半導体材料を有する膜である。
酸化物半導体層は、金属と酸素とを有する膜であれば限定されない。
例えば、インジウムと酸素を有する膜、亜鉛と酸素を有する膜、錫と酸素を有する膜等は酸化物半導体層として機能することができる。
例えば、酸化物半導体層として、酸化インジウム膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜等があるが限定されない。
例えば、酸化物半導体層として、In−Zn系酸化物膜、Sn−Zn系酸化物膜、Al−Zn系酸化物膜、Zn−Mg系酸化物膜、Sn−Mg系酸化物膜、In−Mg系酸化物膜、In−Ga系酸化物膜等があるが限定されない。
A−B系酸化物膜(A、Bは元素)とは、AとBと酸素とを有する膜を意味する。
例えば、酸化物半導体層として、例えば、In−Ga−Zn系酸化物膜、In−Sn−Zn系酸化物膜、Sn−Ga−Zn系酸化物膜、In−Al−Zn系酸化物膜、In−Hf−Zn系酸化物膜、In−La−Zn系酸化物膜、In−Ce−Zn系酸化物膜、In−Pr−Zn系酸化物膜、In−Nd−Zn系酸化物膜、In−Sm−Zn系酸化物膜、In−Eu−Zn系酸化物膜、In−Gd−Zn系酸化物膜、In−Tb−Zn系酸化物膜、In−Dy−Zn系酸化物膜、In−Ho−Zn系酸化物膜、In−Er−Zn系酸化物膜、In−Tm−Zn系酸化物膜、In−Yb−Zn系酸化物膜、In−Lu−Zn系酸化物膜、Al−Ga−Zn系酸化物膜、Sn−Al−Zn系酸化物膜等があるが限定されない。
A−B−C系酸化物膜(A、B、Cは元素)とは、AとBとCと酸素とを有する膜を意味する。
例えば、酸化物半導体層として、In−Sn−Ga−Zn系酸化物膜、In−Hf−Ga−Zn系酸化物膜、In−Al−Ga−Zn系酸化物膜、In−Sn−Al−Zn系酸化物膜、In−Sn−Hf−Zn系酸化物膜、In−Hf−Al−Zn系酸化物膜等があるが限定されない。
A−B−C−D系酸化物膜(A、B、C、Dは元素)とは、AとBとCとDと酸素とを有する膜を意味する。
酸化物半導体層としては、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有する膜が特に好ましい。
酸化物半導体層を用いてN型トランジスタ及びP型トランジスタの双方を作製することが可能であるが、N型トランジスタの方がP型トランジスタよりも実用的なので好ましい。
酸化物半導体層は結晶を有していると好ましい。
結晶はC軸方向が酸化物半導体層又は基板の表面と垂直になるように配向されていると好ましい。
酸化物半導体層又は基板の表面と垂直になるようにC軸配向された結晶をCAAC(C−Axis Aligned Crystal)と呼ぶ。
結晶のC軸と酸化物半導体層又は基板の表面とのなす角度は90度が好ましいが、80度以上100度以下であっても良い。
CAACの作製方法の一例として、スパッタリング法を用いて酸化物半導体層を形成するに際して、成膜時の基板温度を200℃以上450℃以下とする第1の方法がある。
第1の方法では、酸化物半導体層の下層及び上層にCAACが形成される。
CAACの作製方法の一例として、酸化物半導体層を形成後に、酸化物半導体層に650℃以上3分以上の加熱処理を施す第2の方法がある。
第2の方法では、酸化物半導体層の少なくとも上層にCAACが形成される(第2の方法のパターンA)。
第2の方法において、酸化物半導体層の厚さを小さくすることにより、下層及び上層にCAACを形成することができる(第2の方法のパターンB)。
CAACの作製方法の一例として、第2の方法のパターンBにより形成した第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層を形成する第3の方法がある。
第2の方法及び第3の方法における酸化物半導体層の形成方法はスパッタリング法に限定されない。
第1乃至第3の方法により、C軸と酸化物半導体層又は基板の表面とのなす角度80度以上100度以下である結晶を形成することができる。
第1乃至第3の方法では少なくとも上層(表面)にCAACを有する酸化物半導体層を形成することができる。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。
(実施の形態29)
半導体装置とは、半導体を有する素子を有する装置である。
半導体を有する素子は、例えば、トランジスタ、抵抗素子、容量素子、ダイオード等である。
トランジスタは、電界効果型トランジスタであることが好ましいが限定されない。
トランジスタは、薄膜トランジスタであることが好ましいが限定されない。
シリコンウェハ、SOI基板等を用いてトランジスタを形成しても良い。
半導体装置としては、例えば、表示素子を有する表示装置、記憶素子を有する記憶装置、RFID、プロセッサ等があるが限定されない。
本実施の形態に記載された構成の少なくとも一部は、他の実施の形態に記載された構成の少なくとも一部と適宜組み合わせて実施することができる。