JP2014049362A - プラズマ発生装置および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波電力発生器や整合器を交換することなくRF周波数を変更することができるプラズマ発生装置およびそれを用いた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高周波電力をプラズマ生成電極3に供給することによりプラズマを発生させるプラズマ発生装置2は、発振する高周波の周波数を変更可能な高周波発振器31と、高周波発振器31から発振された周波数の高周波を増幅して高周波電力を発生する高周波電力発生器32と、高周波電力発生器32からプラズマ生成電極3に高周波電力を伝送する伝送線路33と、伝送線路33に設けられたインピーダンス整合のための整合器34と、伝送線路33に設けられた方向性結合器35と、方向性結合器35を介して導かれた反射波のスペクトルを検出し、その中の基本周波数の反射成分を前記整合器にフィードバックする検出器36とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】高周波電力をプラズマ生成電極3に供給することによりプラズマを発生させるプラズマ発生装置2は、発振する高周波の周波数を変更可能な高周波発振器31と、高周波発振器31から発振された周波数の高周波を増幅して高周波電力を発生する高周波電力発生器32と、高周波電力発生器32からプラズマ生成電極3に高周波電力を伝送する伝送線路33と、伝送線路33に設けられたインピーダンス整合のための整合器34と、伝送線路33に設けられた方向性結合器35と、方向性結合器35を介して導かれた反射波のスペクトルを検出し、その中の基本周波数の反射成分を前記整合器にフィードバックする検出器36とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマ発生装置およびそれを用いた基板処理装置に関する。
従来、平行平板型のプラズマ処理装置は、チャンバ内にアノード・カソード電極を設け、チャンバ外に設けられた高周波電力発生器(高周波電源)から整合器(マッチャー)を経た後カソード電極に高周波電力を供給するものが知られている(例えば特許文献1)。
このような平行平板型のプラズマ処理装置を、例えば太陽電池パネルやフラットパネル等に用いるガラス基板の成膜処理やエッチング処理等のプラズマ処理に適用する場合には、高周波(RF)の周波数(RF周波数)を例えば13.56MHzなど1種類に固定し、処理ガスの種類、流量、圧力、電極間距離、高周波パワー等をプロセスパラメータとしてプラズマ処理を行っている。
ところで、平行平板型のプラズマ処理装置を、例えば太陽電池パネルのCVD(Chemical Vapor Deposition)装置に用いる場合には、プラズマ密度のコントロールや結晶化率の向上などのために、周波数は有効なプロセスパラメータとなり得ることが知られており、プロセス毎に周波数を変更することが望まれている。
しかし、平行平板型のプラズマ処理装置において、現状では、高周波電力発生器や整合器(マッチャー)は周波数毎に専用のものを用いる必要があり、周波数を変更しようとすると、その周波数毎に高周波発生器、場合によってはRF同軸ケーブルなどを交換する必要があるため、RF周波数を変更することは量産レベルでは採用されていない。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波電力発生器や整合器を交換することなくRF周波数を変更することができるプラズマ発生装置およびそれを用いた基板処理装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、高周波電力をプラズマ生成電極に供給することによりプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、発振する高周波の周波数を変更可能な高周波発振器と、前記高周波発振器から発振された周波数の高周波を増幅して高周波電力を発生する高周波電力発生器と、前記高周波電力発生器から前記プラズマ生成電極に高周波電力を伝送する伝送線路と、前記伝送線路に設けられた、発生したプラズマ負荷のインピーダンスを前記高周波電力発生器側の前記伝送線路のインピーダンスに整合させる整合器と、前記伝送線路の前記高周波電力発生器と前記整合器との間に設けられた方向性結合器と、前記方向性結合器を介して導かれた反射波のスペクトルを検出し、その中の基本周波数の反射成分を前記整合器にフィードバックする検出器とを具備することを特徴とするプラズマ発生装置を提供する。
上記第1の観点のプラズマ発生装置において、前記伝送線路の前記高周波電力発生器と前記整合器との間に設けられた通過型パワーセンサと、前記通過型パワーセンサからの信号を計測し、前記高周波発生器へフィードバックするパワーメータとをさらに具備する構成とすることができる。
また、前記検出器としてスペクトラムアナライザを用いることができる。また、前記検出器として、入力信号をデジタル信号に変換し、高速フーリエ変換を行って、周波数のスペクトルを得るフーリエ変換機能を有するものを用いることができる。
本発明の第2の観点では、高周波電力により発生させた処理ガスのプラズマによって基板を処理する基板処理装置であって、基板を収容し、真空下に保持可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、高周波電力が供給されてプラズマを生成するプラズマ生成電極と、前記プラズマ生成電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させる、上記第1の観点のプラズマ発生装置と、前記チャンバに処理ガスを供給する処理ガス供給機構とを具備することを特徴とする基板処理装置を提供する。
上記第2の観点の基板処理装置において、複数の基板に対応して複数のプラズマ生成電極を有し、前記プラズマ発生装置から前記各プラズマ生成電極へ高周波電力が供給されて生成されたプラズマにより、複数の基板を処理するようにすることができる。
本発明によれば、方向性結合器により、整合器を経た反射波のスペクトルを検出器により検出し、その中の基本周波数の反射成分を前記整合器にフィードバックするので、基本周波数の反射成分と高調波成分とを精度良く分離することができ、実質的にその基本周波数の反射成分のみが整合器にフィードバックされる。このため、周波数を可変にした場合においても、整合器において、高精度のチューニングを行うことができる。このように高精度のチューニングを行うことができるため、高周波電力発生器や整合器を交換することなくRF周波数を変更することができ、実用的に周波数を変化させたプロセスを行うことができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
<第1の実施形態>
まず、第1の実施形態について説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
基板処理装置100は、平行平板型のプラズマ処理装置として構成されている。基板処理装置100は、基板Sを収容し、プラズマ処理を行うチャンバ1と、プラズマ発生装置2と、チャンバ1内に設けられた平行平板電極を構成するカソード電極3およびアノード電極4と、チャンバ1内に処理ガスを供給する処理ガス供給部5と、チャンバ1内を排気する排気部6と、基板処理装置100の各構成部を制御する制御部7とを有している。
<第1の実施形態>
まず、第1の実施形態について説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。
基板処理装置100は、平行平板型のプラズマ処理装置として構成されている。基板処理装置100は、基板Sを収容し、プラズマ処理を行うチャンバ1と、プラズマ発生装置2と、チャンバ1内に設けられた平行平板電極を構成するカソード電極3およびアノード電極4と、チャンバ1内に処理ガスを供給する処理ガス供給部5と、チャンバ1内を排気する排気部6と、基板処理装置100の各構成部を制御する制御部7とを有している。
カソード電極3は上部電極として構成され、高周波電力が供給されるプラズマ生成電極として機能する。また、カソード電極3は、内部にガス拡散空間3aと、このガス拡散空間3aからチャンバ1内に貫通して設けられたガス吐出孔3bとを有しており、ガス供給部5の一部をなすシャワーヘッド10を構成している。カソード電極3は絶縁部材12を介してチャンバ1の天壁に支持されている。
一方、アノード電極4は下部電極として構成され、基板Sを載置する載置台として機能する。また、アノード電極4内にはヒーター14が埋設されており、図示しない電源からヒーター14に給電されることによりヒーター14が発熱し、アノード電極4上の基板Sが所定温度に加熱されるようになっている。アノード電極4は絶縁部材13を介してチャンバ1の底壁に支持されている。アノード電極4は接地されている。なお、カソード電極3とアノード電極4との間の距離を調節可能としてもよい。
処理ガス供給部5は、処理ガスを供給する処理ガス供給機構15と、上記シャワーヘッド10と処理ガス供給機構15からシャワーヘッド10へ処理ガスを導く処理ガス供給路16とを有する。
排気部6は、チャンバ1の底部に接続された排気配管17と、排気配管17に接続された真空ポンプからなる排気装置18と、排気配管17の途中に設けられたチャンバ1内の圧力を制御するための自動圧力制御バルブ(APC)19とを有している。
チャンバ1の側壁には基板Sの搬入出を行うための搬入出口18が設けられており、搬入出口20はゲートバルブ21により開閉可能となっている。
プラズマ発生装置2は、発振する高周波の周波数を変更可能な外部発振器(高周波発振器)31と、外部発振器31から発振された周波数の高周波を増幅して高周波電力を発生する高周波電力発生器32と、高周波電力発生器32からカソード電極3へ高周波電力を伝送する伝送線路33と、伝送線路33に設けられた、チャンバ1内に生成されるプラズマ負荷のインピーダンスを高周波電力発生器32側の伝送線路33のインピーダンスに整合させる整合器34と、伝送線路33の高周波電力発生器32と整合器34との間に設けられた方向性結合器35と、方向性結合器35を介して導かれた反射波のスペクトルを検出し、基本周波数の反射成分を整合器34にフィードバックするスペクトラムアナライザ36と、伝送線路33の高周波電力発生器32と整合器34との間に設けられた通過型パワーセンサ37と、通過型パワーセンサ37からの信号を計測し、高周波発生器32へフィードバックするパワーメータ38とを有する。
外部発振器31は、外部インターフェースを有しており、リモート制御により周波数を可変とする。また、高周波電力発生器32は、C級やAB級アナログアンプにより外部発振器31で発振された高周波を増幅する。高周波電力発生器32には高調波を減衰させるためのローパスフィルタ(LPF)32aが設けられている。外部発振器31は、高周波電力発生器32と一体として同一筐体に収めてもよい。また、高周波電力発生器32に外部発振器31の周波数可変機能を持たせてもよい。高周波電力発生器32に設けられているローパスフィルタ(LPF)32aの回路定数は固定であるため、このように周波数を可変にした場合には、カットオフ周波数が出力周波数と適合しなくなり、ローパスフィルタ(LPF)32aで減衰できない高調波成分が高周波電力発生器32から発生する。
伝送線路33は、同軸ケーブルで構成されている。また、整合器34は、図2に示すように、伝送線路33の入力側と出力側とを繋ぐ伝送ライン41と、伝送ライン41の分岐点42から分岐して設けられた第1の可変コンデンサ43と、伝送ライン41の分岐点42の出力側に設けられた第2の可変コンデンサ44と、分岐点42の入力側に設けられたコイル(インダクタ)45とを有している。そして、内蔵されたRFセンサ(図示せず)の検出値に基づいて、第1の可変コンデンサ43と第2の可変コンデンサ44のポジション(容量)を自動的に調整して、自動的に伝送線路33のインピーダンス(50Ω)とプラズマ負荷のインピーダンスとの整合をとるようになっている。整合器34の出側の伝送線路33は、カソード電極3の上面中央に接続されている。
方向性結合器35は、伝送線路33に挿入され、伝送線路33を伝播する反射波を別ポートに取り出すものであり、その別ポートにスペクトラムアナライザ36が接続される。
スペクトラムアナライザ36は、プラズマで反射して整合器34を経た後に方向性結合器35を介して得られた高調波を含む信号のスペクトルを求め、そのスペクトルの中から基本周波数の反射成分のみをとりだして、その信号を整合器34にフィードバックする。これにより整合器34において、基本周波数のみを検出したチューニングが可能となる。整合器34に存在しているRFセンサでは周波数を可変にすると、基本周波数の反射成分と高調波成分とを精度良く分離できない場合が生じるが、このように方向性結合器35とスペクトラムアナライザ36とを用いることにより基本周波数のみを精度よく検出することができ、整合器34において高精度のチューニングを行うことができる。
スペクトラムアナライザ36としては、高速フーリエ変換(FFT)機能を有するFFT方式のものが好ましい。FFT方式は、入力信号をデジタル信号に変換し、CPUで高速フーリエ変換を行って、周波数のスペクトル、すなわち周波数と振幅のデータを得るものである。
通過型パワーセンサ37は、伝送線路33における高周波電力(パワー)を検出するものである。一般的に、通過型パワーセンサは、高周波電力発生器に内蔵されているパワーセンサよりも高精度である。このため、通過型パワーセンサ37では、高調波が重畳した高周波電力(パワー)も、高周波電力発生器32と比較すると、より正しく認識することができる。このため、伝送線路33に通過型パワーセンサ37を設け、その信号をパワーメータ38を経て高周波電力発生器32にフィードバックし、パワー制御および反射波制御に使用することで、周波数を可変にした場合のパワー精度を向上させることができる。
制御部7は、基板処理装置100の各構成部を制御するものであり、マイクロプロセッサを備えたコントローラと、オペレータが基板処理装置100を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェースと、基板処理装置100で実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置100に所定の処理を実行させるための処理レシピが格納された記憶部とを有している。処理レシピ等は記憶媒体に記憶されており、記憶部において記憶媒体から読み出して実行される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CD−ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。レシピ等は、必要に応じてユーザーインターフェースからの指示等にて記憶部から読み出し、コントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、基板処理装置100での所望の処理が行われる。
次に、このように構成される基板処理装置100の処理動作について説明する。
最初に、ゲートバルブ21を開けて、搬入出口20から搬送装置(図示せず)により基板Sをチャンバ1内に搬入し、載置台として機能するアノード電極4の上に載置する。搬送装置をチャンバ1から退避させ、ゲートバルブ21を閉じた後、排気装置18によりチャンバ1内を排気してその中を所定の真空雰囲気とする。このとき、アノード電極4上の基板Sは、ヒーター14により所定温度に加熱される。そして、処理ガス供給機構15から処理ガス供給路16およびシャワーヘッド10を経てチャンバ1内に処理ガスをシャワー状に吐出させるとともに、高周波電力発生器32からカソード電極3に高周波電力を供給する。
最初に、ゲートバルブ21を開けて、搬入出口20から搬送装置(図示せず)により基板Sをチャンバ1内に搬入し、載置台として機能するアノード電極4の上に載置する。搬送装置をチャンバ1から退避させ、ゲートバルブ21を閉じた後、排気装置18によりチャンバ1内を排気してその中を所定の真空雰囲気とする。このとき、アノード電極4上の基板Sは、ヒーター14により所定温度に加熱される。そして、処理ガス供給機構15から処理ガス供給路16およびシャワーヘッド10を経てチャンバ1内に処理ガスをシャワー状に吐出させるとともに、高周波電力発生器32からカソード電極3に高周波電力を供給する。
これにより、互いに対向するカソード電極3とアノード電極4との間に高周波電界が生じ、この高周波電界により生成された処理ガスのプラズマにより、ヒーター14で加熱された基板S上で所定のプラズマ処理、例えばプラズマCVDが行われる。
本実施形態においては、高周波電力発生器32は、外部発振器31により出力する高周波電力の周波数が可変である。例えば、高周波電力発生器32の基準となる周波数が13.56MHzの場合、±3MHz程度周波数を変化させることができる。高周波電力発生器32には、基準となる周波数の基本周波数に対する高調波(例えば基本周波数を10MHzとすると20MHz、30MHz等)を減衰させるためのローパスフィルタ32aが設けられているが、定数固定であるため、周波数を基準となる周波数から変化させた場合には、ローパスフィルタ(LPF)32aで減衰しきれなかった高調波が発生してくる。
例えば、図3のスペクトルに示すように、高調波成分がローパスフィルタ(LPF)32aで十分減衰されない結果、高周波電力発生器32からは、基本周波数成分に比較して高すぎる二次高調波成分が出力される。このときの出力波形は図4に示すようになり、高調波成分が十分に減衰されてほぼサインカーブである図5に示す適切な出力波形に比較して歪んだものとなる。
このように高周波電力発生器32からは、ローパスフィルタ(LPF)32aで減衰しきれなかった高調波成分が発生し、それに加えプラズマ負荷からも高調波が発生してきて、伝送線路33ではこれらが合成され、整合器34によるチューニングの際に問題が生じる。すなわち、チューニングは基本周波数(周波数を変化させた場合には、変化させた後の周波数)で行うのが最善であり、整合器34ではRFセンサにより基本周波数のみをセンシングしてチューニングを行うが、一般的に整合器のRFセンサは周波数特性がよくない(Qが低い)ため、このように周波数可変にした際に発生する高調波成分を含む場合には、高調波成分を除去できない。このため、その高調波成分が整合器34の検出器に反応してチューニングに問題が生じ、整合をとることが困難となる。
そこで、本実施形態では、方向性結合器35により、整合器34を経た反射波をスペクトラムアナライザ36へ導き、反射波のスペクトルを検出し、基本周波数の反射成分を整合器34にフィードバックする。スペクトラムアナライザ36は、基本周波数の反射成分と高調波成分とを精度良く分離することができ、実質的にその基本周波数の反射成分のみが整合器34にフィードバックされるので、周波数を可変にした場合においても、整合器34において、高精度のチューニングを行うことができる。
このように高精度のチューニングを行うことができるため、高周波電力発生器や整合器を交換することなくRF周波数を変更することができ、実用的に周波数を変化させたプロセスを行うことができる。
例えば、プラズマ密度を上げたい場合、特に、CVD成膜において成膜速度を向上させたい場合等は、RF周波数を上げて製品処理することが好ましく、また、例えば太陽電池パネルのCVD処理において、結晶化率を上げたい場合等は、RF周波数を下げて製品処理することが好ましい。
なお、方向性結合器35からの信号は、新しいプロセスの条件出しや、トラブル解析や、RF信号のモニタとして有効に利用することができる。
また、上述したように、各種高調波がプラズマで反射して高周波電力発生器32に戻ってくることによって、高周波電力発生器32のパワーセンサで正しい進行波、反射波が読めない場合がある。特に、周波数を変化させ、本来調整されている周波数以外で運用する場合にそれが顕著である。
このような問題に対しては、通過型パワーセンサ37を設けることにより解消可能である。上述したように、一般的に、通過型パワーセンサは、高周波電力発生器に内蔵されているパワーセンサよりも高精度である。このため、通過型パワーセンサ37では、高調波が重畳した高周波電力(パワー)も、高周波電力発生器32と比較すると、より正しく認識することができる。このため、通過型パワーセンサ37で検出した信号を、パワーメータ38を介して高周波電力発生器32へフィードバックし、これをパワー制御および反射波制御に使用することで、周波数を可変にした場合のパワー精度を向上させることができる。
通過型パワーセンサ37は、周波数を変化させない場合であっても、伝送線路33を構成する同軸ケーブルの先端に取り付けているので、その検出信号を高周波電力発生器32にフィードバックすることによって、伝送線路33によるロスを補正することが可能となり、実プロセスに使用されるパワー値により近いパワー値に制御することができる。また、通過型パワーセンサ37の周波数レンジを適切に選択し、基本周波数(周波数を変化させた場合には、変化させた後の周波数)を通過型パワーセンサ37のレンジ内とし、高調波周波数を周波数レンジ外とすることで、より、精度を上げることができる。
なお、高周波電力発生器32からの周波数の変化量があまり大きくない場合には、通過型パワーセンサ37の検出信号を整合器34にフィードバックすることによっても、整合器34における高精度のチューニングを実現することができる。
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置200は、基本的に、第1の実施形態の基板処理装置100を複数の基板のプラズマ処理を行う装置(バッチ式装置)に適用したものである。したがって、図6において図1と同じ機能を有するものには同じ符号を付して説明する。
次に、第2の実施形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置200は、基本的に、第1の実施形態の基板処理装置100を複数の基板のプラズマ処理を行う装置(バッチ式装置)に適用したものである。したがって、図6において図1と同じ機能を有するものには同じ符号を付して説明する。
基板処理装置200は、複数の基板に対してプラズマ処理を施す平行平板型のプラズマ処理装置として構成されており、複数(図6では3枚)の基板Sを収容し、プラズマ処理を行うチャンバ1を有している。チャンバ1は実施形態1と同様、保安接地されている。
チャンバ1内には、カソード電極3およびアノード電極4が上下方向に対向して配置された平行平板電極が上下方向に複数対(図6では3対)配置されている。アノード電極4は下部電極として構成され、基板処理装置100同様、基板Sの載置台として機能し、ヒーター14が埋設され、接地されている。カソード電極3は、上部電極として構成され、高周波電力が供給されるプラズマ生成電極として機能するが、第1の実施形態と異なり、シャワーヘッドの機能を有していない。
これらカソード電極3およびアノード電極4は、支持部材52によりチャンバ1に支持されている。なお、昇降機構を設けて、カソード電極3またはアノード電極4を昇降させることにより、カソード電極3とアノード電極4との間の距離を調節可能としてもよい。
本実施形態においても、処理ガス供給部5は、処理ガス供給機構15と、処理ガス供給路16とを有しているが、処理ガス供給路16は、チャンバ1の天壁に設けられたガス導入口10′に接続されており、シャワーヘッドは用いていない。もちろん、第1の実施形態と同様、各カソード電極3をシャワーヘッドとして機能させて各カソード電極から処理ガスをシャワー状に導入するようにしてもよい。
排気部6も、基本構成は第1の実施形態と同じであり、排気配管17と、排気装置18と、自動圧力制御バルブ(APC)19とを有しているが、排気配管17はチャンバ1の底部ではなく、側壁上部および下部に接続されている。
チャンバ1の側壁には複数の基板を一括して搬送可能な搬送口(図示せず)が設けられており、搬送口はゲートバルブ(図示せず)により開閉可能となっている。
本実施形態の基板処理装置200は、第1の実施形態と同様のプラズマ発生装置2を有している。すなわち、本実施形態においてもプラズマ発生装置2は、外部発振器31と、高周波電力発生器32と、伝送線路33と、整合器34と、方向性結合器35と、スペクトラムアナライザ36と、伝送線路33の整合器34よりも上流側に設けられた通過型パワーセンサ37と、通過型パワーセンサ37からの信号を計測し、高周波発生器32へフィードバックするパワーメータ38とを有する。伝送線路33は、整合器34の先で伝送線路51に分岐し、分岐した伝送線路51が各カソード電極3の上面中央に接続されている。
本実施形態においても、第1の実施形態に係る基板処理装置100と同様に構成された、制御部(コンピュータ)7を有しており、この制御部7により各構成部が制御されるようになっている。
このように構成された基板処理装置200においては、第1の実施形態の基板処理装置100と同様にしてプラズマ処理、例えばプラズマCVD処理が行われる。すなわち、複数枚(3枚)の基板Sを各アノード電極4上に載置し、チャンバ1内を排気してその中を所定の真空雰囲気とし、ヒーター14により基板Sを所定温度に加熱しつつ、処理ガス供給機構15から処理ガス供給路16およびガス導入口10′を経てチャンバ1内に処理ガスを導入し、高周波電力発生器32から各カソード電極3に高周波電力を供給する。
これにより、各平行平板電極において対向するカソード電極3とアノード電極4との間に高周波電界が生じ、この高周波電界により生成された処理ガスのプラズマにより、ヒーター14で加熱された基板S上で所定のプラズマ処理、例えばプラズマCVDが行われる。
本実施形態においても、方向性結合器35により、整合器34を経た反射波をスペクトラムアナライザ36へ導き、反射波のスペクトルをとり、基本周波数の反射成分のみを整合器34にフィードバックすることができるので、整合器34において、高精度のチューニングを行うことができる。
また、通過型パワーセンサ37を設けることにより、そこで検出した信号をパワーメータ38を介して高周波電力発生器32へフィードバックし、これをパワー制御および反射波制御に使用することができ、周波数を可変にした場合のパワー精度を向上させることができる。
<変形例等>
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、伝送線路33において、通過型パワーセンサ37を方向性結合器35よりも高周波電力発生器32側に設けたが、これらの位置は逆でもよい。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、伝送線路33において、通過型パワーセンサ37を方向性結合器35よりも高周波電力発生器32側に設けたが、これらの位置は逆でもよい。
また、上記実施形態では、高調波を含む反射波信号のスペクトルを求めるための検出器としてスペクトラムアナライザ36を用いたが、精度よくスペクトルを求めることができればこれに限るものではない。また、このような検出器としてFFT方式のものを好ましい例として例示したが、これに限らず、スーパーヘテロダイン方式等、他の方式であってもよい。
さらに、基板処理装置におけるプラズマ処理としてプラズマCVDを例示したが、本発明では原理上、これに限定されるものではないことはいうまでもなく、プラズマエッチング等、他のプラズマ処理に適用することができる。さらに、上記実施形態では平行平板電極の上部電極に高周波電力を導入し下部電極を接地したが、上部電極を接地し下部電極に高周波電力を導入してもよいし、上部電極および下部電極の両方に高周波電力を導入してもよい。さらにまた、本発明をバッチ式装置に適用する場合、一度に処理する基板の数は3枚に限るものではない。さらにまた、本発明に適用される基板は特に限定されるものではなく、太陽電池用基板やフラットパネルディスプレイ(FPD)用ガラス基板等、種々の基板に適用可能である。
1;チャンバ
2;プラズマ発生装置
3;カソード電極(上部電極)
4;アノード電極(下部電極)
5;処理ガス供給部
6;排気部
7;制御部
10;シャワーヘッド
14;ヒーター
15;処理ガス供給機構
18;排気装置
31;外部発振器
32;高周波電力発生器
33;伝送線路
34;整合器
35;方向性結合器
36;スペクトラムアナライザ
37;通過型パワーセンサ
38;パワーメータ
100,200;基板処理装置
S;基板
2;プラズマ発生装置
3;カソード電極(上部電極)
4;アノード電極(下部電極)
5;処理ガス供給部
6;排気部
7;制御部
10;シャワーヘッド
14;ヒーター
15;処理ガス供給機構
18;排気装置
31;外部発振器
32;高周波電力発生器
33;伝送線路
34;整合器
35;方向性結合器
36;スペクトラムアナライザ
37;通過型パワーセンサ
38;パワーメータ
100,200;基板処理装置
S;基板
Claims (6)
- 高周波電力をプラズマ生成電極に供給することによりプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、
発振する高周波の周波数を変更可能な高周波発振器と、
前記高周波発振器から発振された周波数の高周波を増幅して高周波電力を発生する高周波電力発生器と、
前記高周波電力発生器から前記プラズマ生成電極に高周波電力を伝送する伝送線路と、
前記伝送線路に設けられた、発生したプラズマ負荷のインピーダンスを前記高周波電力発生器側の前記伝送線路のインピーダンスに整合させる整合器と、
前記伝送線路の前記高周波電力発生器と前記整合器との間に設けられた方向性結合器と、
前記方向性結合器を介して導かれた反射波のスペクトルを検出し、その中の基本周波数の反射成分を前記整合器にフィードバックする検出器と
を具備することを特徴とするプラズマ発生装置。 - 前記伝送線路の前記高周波電力発生器と前記整合器との間に設けられた通過型パワーセンサと、前記通過型パワーセンサからの信号を計測し、前記高周波発生器へフィードバックするパワーメータとをさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 前記検出器は、スペクトラムアナライザであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマ発生装置。
- 前記検出器は、入力信号をデジタル信号に変換し、高速フーリエ変換を行って、周波数のスペクトルを得るフーリエ変換機能を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ発生装置。
- 高周波電力により発生させた処理ガスのプラズマによって基板を処理する基板処理装置であって、
基板を収容し、真空下に保持可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、高周波電力が供給されてプラズマを生成するプラズマ生成電極と、
前記プラズマ生成電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させる、請求項1から請求項4のいずれかに記載されたプラズマ発生装置と、
前記チャンバに処理ガスを供給する処理ガス供給機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 複数の基板に対応して複数のプラズマ生成電極を有し、前記プラズマ発生装置から前記各プラズマ生成電極へ高周波電力が供給されて生成されたプラズマにより、複数の基板を処理することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
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