JP2014041669A - 発光装置、該発光装置を備える光ピックアップ装置、および該光ピックアップ装置を備える光ディスク装置、ならびに発光装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 互いに異なる2波長のレーザ光をそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子を備える発光装置において、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が変化することを抑制するとともに、レーザ光の波面収差が大きくなることを抑制することができる発光装置を提供する。
【解決手段】 発光装置100において半導体レーザ素子11は、第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れることによって、第1波長のレーザ光を出射する第1発光部111と、第2駆動閾値電流値Ith2を超える電流が流れることによって、第1波長よりも長い第2波長のレーザ光を出射する第2発光部112と、を有する。電流制御部2は、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流が流れるように制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】 発光装置100において半導体レーザ素子11は、第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れることによって、第1波長のレーザ光を出射する第1発光部111と、第2駆動閾値電流値Ith2を超える電流が流れることによって、第1波長よりも長い第2波長のレーザ光を出射する第2発光部112と、を有する。電流制御部2は、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流が流れるように制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レーザ光を出射する発光装置、該発光装置を備える光ピックアップ装置、および該光ピックアップ装置を備える光ディスク装置、ならびに発光装置の駆動方法に関する。
近年、半導体レーザ素子を含む半導体レーザユニットは、情報の記録および再生が行われる780nm近傍の赤外の波長域を使うCD(Compact Disk)、650nm近傍の赤色域の波長域を使うDVD(Digital Versatile Disk)、405nm近傍の青紫色の波長域を使うBD(Blu-ray Disk、登録商標)などの光記録媒体に対して記録、再生を行うための光ピックアップ装置に搭載されたものがある。
これらの複数種類の光記録媒体に対応する光ピックアップ装置には、単一波長の半導体レーザ素子をそれぞれ有する複数の半導体レーザユニットを備えたものがあるが、それに対応する光学系や反射信号を検出するための信号検出用受光素子の構成が複雑になるために、組立調整が多く、複雑で、さらに小型化できないといった課題がある。
そこで、たとえば、1つの素子でDVDとCDとに対応した2波長のレーザ光をそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子を含む半導体レーザユニットが開発され、光ピックアップ装置として、光学系や信号検出用受光素子の構成部品点数を少なくし、組立調整が容易で小型化が可能な技術が提案されている。光ピックアップ装置に搭載されるモノリシック型の半導体レーザ素子は、DVDに対応する波長のレーザ光を出射する第1発光部と、CDに対応する波長のレーザ光を出射する第2発光部とを有する。
モノリシック型の半導体レーザ素子を含む半導体レーザユニットを備える光ピックアップ装置では、DVDに対する情報の記録、再生を行う場合には、第1発光部に駆動閾値電流値を超える電流を流して第2発光部には電流を流さないようにし、CDに対する情報の記録、再生を行う場合には、第2発光部に駆動閾値電流値を超える電流を流して第1発光部には電流を流さないようにする。
また、光ピックアップ装置としては、安定した情報の記録および再生を行うために、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の一部を、偏光ビームスプリッタ(PBS)によって光記録媒体側に向かう光路とは異なる光路に分岐し、その分岐された光路中に配置された光出力モニタ用の受光素子を用いて、この一部のレーザ光の光量をモニタリングし、光記録媒体に照射させるレーザ光の光量を安定化させる方法が提案されている。
光ピックアップ装置において、半導体レーザ素子から出射されてPBSに入射するレーザ光が、PBSを透過する透過光とPBSに反射される反射光とに分岐され、前記透過光が光出力モニタ用受光素子に入射し、前記反射光が光記録媒体に照射される場合、半導体レーザ素子から出射されてPBSに入射するレーザ光の光量を「P0」、この「P0」のP偏光成分を「P0p」、「P0」のS偏光成分を「P0s」、PBSを透過するレーザ光の透過光量を「Pt」、この「Pt」のP偏光成分を「Ptp」、「Pt」のS偏光成分を「Pts」、PBSに反射されるレーザ光の反射光量を「Pr」とすると、光出力モニタ用受光素子の感度「Psens」は、下記式(1)で表される。
Psens ∝ Pr/Pt …(1)
Psens ∝ Pr/Pt …(1)
ここで、「Pt」は下記式(2)で表され、「Pr」は下記式(3)で表される。
Pt=(P0p×Tp)+(P0s×Ts) …(2)
[式中、TpはP偏光成分の光の透過率を示し、TsはS偏光成分の光の透過率を示す。]
Pr=P0−Pt=(P0p×Rp)+(P0s×Rs) …(3)
[式中、RpはP偏光成分の光の反射率を示し、RsはS偏光成分の光の反射率を示す。]
Pt=(P0p×Tp)+(P0s×Ts) …(2)
[式中、TpはP偏光成分の光の透過率を示し、TsはS偏光成分の光の透過率を示す。]
Pr=P0−Pt=(P0p×Rp)+(P0s×Rs) …(3)
[式中、RpはP偏光成分の光の反射率を示し、RsはS偏光成分の光の反射率を示す。]
図8は、従来技術における、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の偏光状態の変動を説明するための図である。
半導体レーザ素子は、常温では図8(a)に示すように、S偏光成分がゼロでP偏光成分のみからなる直線偏光を出射する。したがって、常温時におけるPBSを透過するレーザ光の透過光量Ptは、式(2)に「P0s=0」を代入して下記式(4)で表され、常温時におけるPBSに反射されるレーザ光の反射光量Prは、式(3)に「P0s=0」を代入して下記式(5)で表される。
Pt=P0p×Tp …(4)
Pr=P0p×Rp …(5)
Pt=P0p×Tp …(4)
Pr=P0p×Rp …(5)
これに対して、半導体レーザ素子は、常温から温度変化が生じた場合、図8(b)に示すように、本来ゼロであるはずのS偏光成分P0sが発生し、PBSを透過するレーザ光の透過光量Ptは式(2)で表され、PBSに反射されるレーザ光の反射光量Prは式(3)で表されることになる。
図9は、従来技術における、PBS反射光量とPBS透過光量との関係を説明するための図である。図9において、線B1は、常温時におけるPBS反射光量PrとPBS透過光量Ptとの関係を示すグラフであり、線B2は、常温から高温側に温度変化した場合におけるPBS反射光量PrとPBS透過光量Ptとの関係を示すグラフであり、線B3は、常温から低温側に温度変化した場合におけるPBS反射光量PrとPBS透過光量Ptとの関係を示すグラフである。
図9から明らかなように、線B1、線B2および線B3のグラフの傾きが異なっており、このことより、温度変化に応じて「Pr/Pt」が変化することがわかる。このように、温度変化に応じて「Pr/Pt」が変化すると、式(1)より、光出力モニタ用受光素子の感度Psensも温度変化に応じて変化することになってしまう。すなわち、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が温度変化によって変化すると、光出力モニタ用受光素子の感度Psensが変動することになり、光ピックアップ装置として、光記録媒体に照射させるレーザ光の光量を安定化させることができなくなってしまう。
このような問題点を解決する方法として、半導体レーザ素子とPBSとの間の光路中に、一方向の偏光成分のみを透過する偏光フィルタなどの位相差素子を配置する方法がある(特許文献1参照)。
上記の方法によれば、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が温度変化によって変化しても、偏光フィルタを透過した光は常に一方向の直線偏光となるので、「Pr/Pt」は変化せず、そのため、光出力モニタ用受光素子の感度Psensが変動しない。
しかしながら、半導体レーザ素子とPBSとの間の光路中に偏光フィルタを配置するという従来技術では、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の一部の偏光成分が偏光フィルタによって除去されるので、光量損失となる。また、偏光フィルタでの反射損失、吸収損失が発生し、この点でも光量損失に繋がってしまう。
また、モノリシック型の半導体レーザ素子では、前述したように、たとえば、DVDに対する情報の記録、再生を行う場合には、DVD用の第1発光部に駆動閾値電流値を超える電流を流して、CD用の第2発光部には電流を流さないようにしている。このような場合には、半導体レーザ素子において、第1発光部近傍と第2発光部近傍とで熱分布の違いが生じ、半導体レーザ素子に歪みが生じてしまう。半導体レーザ素子に歪みが生じると、半導体レーザ素子内に大きな屈折率分布が生じてしまう。
半導体レーザ素子内に屈折率分布が生じると、この屈折率分布の大きさに応じて、半導体レーザ素子内を進行するレーザ光の光速に差が生じてしまい、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなる。このようにレーザ光の波面収差が大きくなると、レーザ光が照射される光記録媒体上の光スポット径が大きくなり、光記録媒体に対する情報の記録特性および再生特性が劣化してしまう。
本発明の目的は、互いに異なる2波長のレーザ光をそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子を備える発光装置において、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が変化することを抑制するとともに、レーザ光の波面収差が大きくなることを抑制することができる発光装置を提供することであり、該発光装置を備える光ピックアップ装置、および該光ピックアップ装置を備える光ディスク装置、ならびに発光装置の駆動方法を提供することである。
本発明者は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が温度変化によって変化する原因について鋭意検討した結果、半導体レーザ素子の熱膨張率と半導体レーザ素子を支持する基台などの部材の熱膨張率との差により、半導体レーザ素子に歪みが生じることによって、偏光状態の変化が発生することを見出し、さらに、半導体レーザ素子に生じる歪みは温度が上昇するにつれて緩和されることを見出して、本発明を完成するに至った。
本発明は、第1波長のレーザ光と該第1波長よりも長い第2波長のレーザ光とをそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子であって、
予め定める第1駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第1波長のレーザ光を出射する第1発光部と、
予め定める第2駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第2波長のレーザ光を出射する第2発光部と、を有する半導体レーザ素子と、
前記第1発光部および前記第2発光部に流す電流値を制御する電流制御部であって、
前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流が流れ、
前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第1発光部に電流が流れない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流が流れるように制御する電流制御部と、を備えることを特徴とする発光装置である。
予め定める第1駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第1波長のレーザ光を出射する第1発光部と、
予め定める第2駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第2波長のレーザ光を出射する第2発光部と、を有する半導体レーザ素子と、
前記第1発光部および前記第2発光部に流す電流値を制御する電流制御部であって、
前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流が流れ、
前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第1発光部に電流が流れない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流が流れるように制御する電流制御部と、を備えることを特徴とする発光装置である。
また本発明は、光記録媒体に光を照射する前記発光装置と、
前記発光装置から出射されたレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる光分岐部材と、
前記第1方向に分岐して進行するレーザ光を光記録媒体に集光する光学部材と、
前記第2方向に分岐して進行するレーザ光を受光する受光素子と、
前記受光素子によって受光されたレーザ光の光量を検出し、その検出した光量に応じて前記発光装置から出射されるレーザ光の光量を制御する光量制御部と、を備えることを特徴とする光ピックアップ装置である。
前記発光装置から出射されたレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる光分岐部材と、
前記第1方向に分岐して進行するレーザ光を光記録媒体に集光する光学部材と、
前記第2方向に分岐して進行するレーザ光を受光する受光素子と、
前記受光素子によって受光されたレーザ光の光量を検出し、その検出した光量に応じて前記発光装置から出射されるレーザ光の光量を制御する光量制御部と、を備えることを特徴とする光ピックアップ装置である。
また本発明は、前記光ピックアップ装置と、
前記光ピックアップ装置に備えられる前記発光装置から出射されたレーザ光が照射された光記録媒体によって反射された反射光の光量に基づいて、光記録媒体に記録されたデータを再生する再生部と、を備えることを特徴とする光ディスク装置である。
前記光ピックアップ装置に備えられる前記発光装置から出射されたレーザ光が照射された光記録媒体によって反射された反射光の光量に基づいて、光記録媒体に記録されたデータを再生する再生部と、を備えることを特徴とする光ディスク装置である。
また本発明は、前記発光装置の駆動方法であって、
前記第1発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流を流し、
前記第2発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第1発光部に電流を流さない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流を流すことを特徴とする発光装置の駆動方法である。
前記第1発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流を流し、
前記第2発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第1発光部に電流を流さない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流を流すことを特徴とする発光装置の駆動方法である。
本発明によれば、発光装置は、モノリシック型の半導体レーザ素子と電流制御部とを備える。半導体レーザ素子は、第1駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、第1波長のレーザ光を出射する第1発光部と、第2駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、第1波長よりも長い第2波長のレーザ光を出射する第2発光部と、を有する。電流制御部は、第1発光部および第2発光部に流す電流値を制御する。この電流制御部は、第1発光部に第1駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、第2発光部に第2駆動閾値電流値以下の電流が流れ、第2発光部に第2駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、第1発光部に電流が流れない、または、第1駆動閾値電流値以下の電流が流れるように制御する。
本発明の発光装置では、電流制御部が、第1発光部に第1駆動閾値電流値を超える電流を流して第1発光部から第1波長のレーザ光を出射させるときに、第2発光部に第2駆動閾値電流値以下の電流を流すように、第1発光部および第2発光部に流す電流値を制御するので、半導体レーザ素子において、レーザ光が出射される第1発光部の近傍のみならず、レーザ光が出射されない第2発光部の近傍が、発熱によって温度上昇する。これによって、半導体レーザ素子の熱膨張率と半導体レーザ素子を支持する基台などの部材の熱膨張率との差によって生じる半導体レーザ素子の歪みが緩和され、その結果、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することを抑制することができる。
また、本発明の発光装置では、上記のように、半導体レーザ素子からレーザ光が出射されるときに、半導体レーザ素子に生じる歪みが緩和されるので、半導体レーザ素子内に大きな屈折率分布が生じるのを抑制することができる。その結果、屈折率分布の大きさに応じて、半導体レーザ素子内を進行するレーザ光の光速に差が生じることを抑制することができ、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなることを抑制することができる。
また本発明によれば、光ピックアップ装置は、前述した本発明の発光装置と、光分岐部材と、光学部材と、受光素子と、光量制御部とを備える。光分岐部材は、発光装置から出射されたレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる。光学部材は、第1方向に分岐して進行するレーザ光を光記録媒体に集光し、受光素子は、第2方向に分岐して進行するレーザ光を受光する。そして、光量制御部は、受光素子によって受光されたレーザ光の光量を検出し、その検出した光量に応じて発光装置から出射されるレーザ光の光量を制御する。
本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することが抑制された、本発明の発光装置を備えるので、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の一部を受光する受光素子の検出感度が変動することを抑制することができる。その結果、受光素子によって受光されたレーザ光の光量に応じて半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光量を光量制御部により制御することで、光学部材を介して光記録媒体に照射させるレーザ光の光量を安定化させることができる。
また本発明によれば、光ディスク装置は、前述した本発明の光ピックアップ装置と、再生部とを備える。再生部は、光ピックアップ装置に備えられる発光装置から出射されたレーザ光が照射された光記録媒体によって反射された反射光の光量に基づいて、光記録媒体に記録されたデータを再生する。本発明の光ディスク装置は、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなることが抑制された発光装置を有する光ピックアップ装置を備えるので、レーザ光が照射される光記録媒体上の光スポット径が大きくなりすぎることを抑制することができ、その結果、光記録媒体に対する情報の記録特性および、再生部による再生特性が劣化することを防止することができる。
また本発明によれば、発光装置の駆動方法では、第1発光部からレーザ光を出射させる場合には、第1発光部に第1駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、第2発光部に第2駆動閾値電流値以下の電流を流し、第2発光部からレーザ光を出射させる場合には、第2発光部に第2駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、第1発光部に電流を流さない、または、第1駆動閾値電流値以下の電流を流す。このように、発光装置を駆動することによって、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の偏光状態が変化することを抑制するとともに、レーザ光の波面収差が大きくなることを抑制することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置100の構成を示す図である。本実施形態の発光装置100は、図1(a)に示すように、半導体レーザユニット1と電流制御部2とを備える。この発光装置100は、本発明に係る発光装置の駆動方法を実現する。
半導体レーザユニット1は、図1(b)に示すように、半導体レーザ素子11と、基台12と、第1ワイヤ13と、第2ワイヤ14とを備える。
半導体レーザ素子11は、互いに異なる第1波長と第2波長との2波長のレーザ光をそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子である。この半導体レーザ素子11は、第1発光部111と第2発光部112とを含む。
図2は、半導体レーザ素子11における、電流と光出力特性との関係を説明するためのグラフである。図2(a)は、半導体レーザ素子11の第1発光部111における電流と光出力特性との関係を示し、図2(b)は、第2発光部112における電流と光出力特性との関係を示す。
半導体レーザ素子11の第1発光部111は、予め定める第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れることによって、前記第1波長のレーザ光を出射する。図2(a)の例では、第1発光部111において電流と光出力(光量)とはグラフA1で示される比例関係にあり、第1発光部111は、第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流値Iop1の電流が流れたときに、光出力値(光量)L1でレーザ光を出射する。本実施形態では、第1発光部111は、第1波長としてDVD用の650nmの赤色レーザ光を出射する。
また、第2発光部112は、予め定める第2駆動閾値電流値Ith2を超える電流が流れることによって、第1波長よりも長い第2波長のレーザ光を出射する。図2(b)の例では、第2発光部112において電流と光出力(光量)とはグラフA2で示される比例関係にある。本実施形態では、第2発光部112は、第2波長としてCD用の780nmの赤外レーザ光を出射する。
基台12は、半導体レーザ素子11を支持するための部材であり、たとえば金属材料によって形成される。半導体レーザ素子11は、銀ペーストやIn(インジウム)などのろう材によって基台12上に溶接固定されている。基台12は、第1発光部111および第2発光部112のコモン端子として使用される。
第1ワイヤ13は、第1発光部111に電流を与えるための金属線であり、第1ワイヤ13、第1発光部111、基台12の順に電流が流れる。また、第2ワイヤ14は、第2発光部112に電流を与えるための金属線であり、第2ワイヤ14、第2発光部112、基台12の順に電流が流れる。
電流制御部2は、第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御する。この電流制御部2は、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流が流れ、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2を超える電流が流れるときに、第1発光部111に電流が流れない、または、第1駆動閾値電流値Ith1以下の電流が流れるように制御する。
すなわち、発光装置100では、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流が流れて第1発光部111からレーザ光が出射されるときに、第2発光部112には第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流(図2(b)の例では電流値Iop2)が流れるように、電流制御部2が第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御する。
図3は、半導体レーザ素子11における熱分布を概略的に示す図である。本実施形態の発光装置100では、電流制御部2が、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流を流して第1発光部111から第1波長のレーザ光を出射させるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流を流すように、第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御するので、半導体レーザ素子11において、レーザ光が出射される第1発光部111の近傍のみならず、レーザ光が出射されない第2発光部112の近傍が、図3に示すように、発熱によって温度上昇する。これによって、半導体レーザ素子11の熱膨張率と半導体レーザ素子11を支持する基台12などの部材の熱膨張率との差によって生じる半導体レーザ素子11の歪みが緩和され、その結果、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することを抑制することができる。
図4は、半導体レーザ素子11における屈折率分布を概略的に示す図である。図4(a)は、電流制御部2が、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流を流して第1発光部111から第1波長のレーザ光を出射させるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流を流すように、第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御する場合における屈折率分布を示す。また、図4(b)は、電流制御部2が、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流を流して第1発光部111から第1波長のレーザ光を出射させるときに、第2発光部112に電流を流さないように、第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御する場合における屈折率分布を示す。
本実施形態の発光装置100では、前述したように、電流制御部2が、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1を超える電流(電流値Iop1)を流して第1発光部111から第1波長のレーザ光を出射させるときに、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2以下の電流(電流値Iop2)を流すように、第1発光部111および第2発光部112に流す電流値を制御するので、半導体レーザ素子11からレーザ光が出射されるときに、半導体レーザ素子11に生じる歪みが緩和され、図4(b)と比較して図4(a)に示すように、半導体レーザ素子11内に大きな屈折率分布が生じるのを抑制することができる。その結果、屈折率分布の大きさに応じて、半導体レーザ素子11内を進行するレーザ光の光速に差が生じることを抑制することができ、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなることを抑制することができる。
なお、本実施形態の発光装置100では、前述したように、電流制御部2は、第2発光部112に第2駆動閾値電流値Ith2を超える電流を流して第2発光部112からレーザ光を出射させるときに、第1発光部111に電流を流さない、または、第1駆動閾値電流値Ith1以下の電流を流す。このように、第2発光部112から出射されるレーザ光が、第1波長よりも長波長の赤外レーザ光であるので、第2発光部112からレーザ光を出射させるときに第1発光部111には必ずしも電流を流す必要はないが、このような場合であっても、第1発光部111に第1駆動閾値電流値Ith1以下の電流を流すことで、半導体レーザ素子11において、レーザ光が出射される第2発光部112の近傍のみならず、レーザ光が出射されない第1発光部111の近傍が温度上昇する。これによって、半導体レーザ素子11の熱膨張率と半導体レーザ素子11を支持する基台12などの部材の熱膨張率との差によって生じる半導体レーザ素子11の歪みが緩和され、その結果、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することを抑制することができる。
図5は、本発明の一実施形態に係る光ピックアップ装置200を備える光ディスク装置500の構成を示す図である。光ディスク装置500は、前述した発光装置100を備える光ピックアップ装置200と、アナログ信号処理部501と、制御部502と、再生部503とを備える。
光ピックアップ装置200は、本実施形態の発光装置100、光分岐部材である偏光ビームスプリッタ(以下、「PBS」という)201、コリメータレンズ202、1/4波長板203、対物レンズ204、光出力モニタ用受光素子205、センサレンズ206、光検出器207、および光量制御部208を含んで構成される。
発光装置100の半導体レーザ素子11から出射されたレーザ光は、PBS201に入射する。図6は、PBS201の光学特性を説明するための図である。PBS201は、直交する2つの直線偏光の光に対する透過率および反射率が異なる特性を有する。このような特性を有するPBS201は、発光装置100の半導体レーザ素子11から出射されてPBS201に入射するレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる。具体的には、PBS201は、PBS201に入射するレーザ光を、PBS201に反射される反射光(第1方向に分岐して進行するレーザ光)と、PBS201を透過する透過光(第2方向に分岐して進行するレーザ光)とに分岐して進行させる。
本実施形態では、光ピックアップ装置200は、PBS201に反射された反射光が、コリメータレンズ202、1/4波長板203、および対物レンズ204などの光学部材が配置される光記録媒体D側(図5におけるX方向)に進行し、PBS201を透過する透過光が、光出力モニタ用受光素子205が配置される側(図5におけるZ方向)に進行するように構成される。上記の光学部材および光学部材の配置については例であり、必ずしも全てを含む必要は無く、またその他の光学部材が配置されても構わない。なお、図5では、PBS201によって偏光されたレーザ光のS偏光の光は、紙面に対して垂直方向(Y方向)の光、P偏光の光は、紙面に対して平行方向(X方向)の光で表す。
また、PBS201は、S偏光の光の透過率をTs、S偏光の光と直交するP偏光の光の透過率をTpとするとき、Tp>Tsの特性を有する。また、PBS201は、S偏光の光の反射率をRs、P偏光の光の反射率をRpとするとき、Rp<Rsの特性を有する。
好ましくは、Ts≦10%であり、さらに、Rsが高いほど光記録媒体Dに到達する光の利用効率を高くすることができる。そして、Rs≧50%であれば好ましく、Rs≧80%であればより好ましい。また、光記録媒体Dを反射して光検出器207に到達する光の利用効率を高くするために、Tp≧20%であれば好ましく、光記録媒体Dを反射して発光装置100に戻る光量を低減するために、Rp≦80%であれば好ましい。本実施形態では、PBS201において、Tp=20%、Ts=10%、Rp=80%、Rs=90%に設定される。
光出力モニタ用受光素子205は、第2方向(Z方向)に分岐して進行するレーザ光を受光する。そして、光量制御部208は、光出力モニタ用受光素子205によって受光されたレーザ光の光量を検出し、その検出した光量に応じて半導体レーザ素子11の駆動電流を制御することにより発光装置100の半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の光量を制御する。
光ピックアップ装置200において、半導体レーザ素子11から出射されてPBS201に入射するレーザ光が、PBS201を透過する透過光とPBS201に反射される反射光とに分岐され、前記透過光が光出力モニタ用受光素子205に入射し、前記反射光が光記録媒体Dに照射される場合、半導体レーザ素子11から出射されてPBS201に入射するレーザ光の光量を「P0」、この「P0」のP偏光成分を「P0p」、「P0」のS偏光成分を「P0s」、PBS201を透過するレーザ光の透過光量を「Pt」、この「Pt」のP偏光成分を「Ptp」、「Pt」のS偏光成分を「Pts」、PBS201に反射されるレーザ光の反射光量を「Pr」とすると、光出力モニタ用受光素子205の感度「Psens」は、下記式(1)で表される。
Psens ∝ Pr/Pt …(1)
Psens ∝ Pr/Pt …(1)
ここで、「Pt」は下記式(2)で表され、「Pr」は下記式(3)で表される。
Pt=(P0p×Tp)+(P0s×Ts) …(2)
Pr=P0−Pt=(P0p×Rp)+(P0s×Rs) …(3)
Pt=(P0p×Tp)+(P0s×Ts) …(2)
Pr=P0−Pt=(P0p×Rp)+(P0s×Rs) …(3)
従来技術では、温度変化に応じて「Pr/Pt」が変化すると、式(1)より、光出力モニタ用受光素子205の感度Psensも温度変化に応じて変化することになり、光ピックアップ装置200として、光記録媒体Dに照射させるレーザ光の光量を安定化させることができなくなってしまう。
これに対して、本実施形態の光ピックアップ装置200は、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することが抑制された、本実施形態の発光装置100を備えるので、半導体レーザ素子11から出射されたレーザ光の一部を受光する光出力モニタ用受光素子205の検出感度が変動することを抑制することができる。その結果、光出力モニタ用受光素子205によって受光されたレーザ光の光量に応じて半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の光量を光量制御部208により制御することで、コリメータレンズ202、1/4波長板203、および対物レンズ204を介して光記録媒体Dに照射させるレーザ光の光量を安定化させることができる。
光ピックアップ装置200において、PBS201で反射されたレーザ光は、コリメータレンズ202によって平行光となり、1/4波長板203によって円偏光の光に変換され、対物レンズ204によって光記録媒体Dの情報記録面に集光する。
そして、光記録媒体Dで反射された光は、往路とは逆方向に電場が回転する円偏光の光となる。その後、再び対物レンズ204、1/4波長板203を透過して、往路と直交する光となって、コリメータレンズ202およびPBS201を直進透過し、非点収差を発生させるセンサレンズ206を透過して、フォトダイオードなどの受光素子からなる光検出器207に集光する。
光ディスク装置500が備えるアナログ信号処理部501は、光検出器207から出力される受光検出信号に基づいて、RF信号(トータル信号)を生成するRF信号生成部を備える。RF信号は、光記録媒体Dで反射された光の強度に応じて電圧レベルが変化する信号であり、光記録媒体Dに記録されたデータの再生に利用されるとともに、光ピックアップ装置200のフォーカスバランスおよび球面収差を調整する際にも利用される。
また、アナログ信号処理部501は、光検出器207から出力される受光検出信号に基づいて、TES信号(トラッキング誤差信号)を生成するTES信号生成部を備える。TES信号は、光記録媒体D上のトラックと、光記録媒体Dに照射されたレーザ光の照射領域との相対位置に応じて電圧レベルが変化する信号であり、トラッキング制御に利用されるとともに、光ピックアップ装置200のフォーカスバランスおよび球面収差を調整する際にも利用される。
さらに、アナログ信号処理部501は、光検出器207から出力される受光検出信号に基づいて、FES(Focus Error Signal)信号を生成するFES信号生成部を備える。FES信号は、対物レンズ204の焦点位置が光記録媒体Dの情報記録面上に合うように対物レンズ204の位置を制御するための信号である。
図5に示す制御部502は、アナログ信号処理部501から出力されるRF信号、TES信号およびFES信号に基づいて、対物レンズ204を移動させる対物レンズアクチュエータ、コリメータレンズ202を移動させるコリメータレンズ駆動モータなどの動作を制御するように構成される。また、制御部502は、RF信号を再生部503に与える。
再生部503は、制御部502から与えられたRF信号から、光記録媒体Dに記録されたデータを再生する処理を行う。再生部503は、たとえば、RF信号をAD変換するAD変換部、AD変換された信号から再生データを検出するためのイコライザ、復調部、誤り訂正部などを備える。なお、再生部503が備える機能の一部を、制御部502が実行するように構成してもよい。
以上のように構成される本実施形態の光ディスク装置500は、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなることが抑制された発光装置100を有する光ピックアップ装置200を備えるので、レーザ光が照射される光記録媒体D上の光スポット径が大きくなりすぎることを抑制することができ、その結果、光記録媒体Dに対する情報の記録特性および、再生部503による再生特性が劣化することを防止することができる。
図7は、本発明の他の実施形態に係る光ピックアップ装置300の構成を示す図である。本実施形態の光ピックアップ装置300は、前述した光ピックアップ装置200に類似した構成を有する。
光ピックアップ装置300は、本実施形態の発光装置100、PBS301、コリメータレンズ302、1/4波長板303、対物レンズ304、光出力モニタ用受光素子305、センサレンズ306、光検出器307、および光量制御部308を含んで構成される。
発光装置100の半導体レーザ素子11から出射されたレーザ光は、PBS301に入射する。PBS301は、発光装置100の半導体レーザ素子11から出射されてPBS301に入射するレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる。具体的には、PBS301は、PBS301に入射するレーザ光を、PBS301を透過する透過光(第1方向に分岐して進行するレーザ光)と、PBS301に反射される反射光(第2方向に分岐して進行するレーザ光)とに分岐して進行させる。
本実施形態では、光ピックアップ装置300は、PBS301を透過する透過光が、コリメータレンズ302、1/4波長板303、および対物レンズ304が配置される光記録媒体D側(図7におけるZ方向)に進行し、PBS301に反射される反射光が、光出力モニタ用受光素子305が配置される側(図7におけるX方向)に進行するように構成される。
光ピックアップ装置300は、PBS301に入射されたレーザ光に対する、PBS301による偏光特性が異なること以外は、前述した光ピックアップ装置200と同様に構成される。具体的には、前述した光ピックアップ装置200が、PBS201に反射される反射光が光記録媒体D側に進行し、PBS201を透過する透過光が光出力モニタ用受光素子205が配置される側に進行するように構成されていたのに対して、光ピックアップ装置300は、PBS301を透過する透過光が光記録媒体D側に進行し、PBS301に反射される反射光が光出力モニタ用受光素子305が配置される側に進行するように構成されている。
以上のように構成される本実施形態の光ピックアップ装置300は、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の偏光状態の変化が発生することが抑制された、本実施形態の発光装置100を備えるので、半導体レーザ素子11から出射されたレーザ光の一部を受光する光出力モニタ用受光素子305の検出感度が変動することを抑制することができる。その結果、光出力モニタ用受光素子305によって受光されたレーザ光の光量に応じて半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の光量を光量制御部308により制御することで、コリメータレンズ302、1/4波長板303、および対物レンズ304を介して光記録媒体Dに照射させるレーザ光の光量を安定化させることができる。
また、図5の実施例と同様に本実施形態の光ディスク装置500は、半導体レーザ素子11から出射されるレーザ光の波面収差が大きくなることが抑制された発光装置100を有する光ピックアップ装置200を備えるので、レーザ光が照射される光記録媒体D上の光スポット径が大きくなりすぎることを抑制することができ、その結果、光記録媒体Dに対する情報の記録特性および、再生部503による再生特性が劣化することを防止することができる。
1 半導体レーザユニット
2 電流制御部
11 半導体レーザ素子
12 基台
13 第1ワイヤ
14 第2ワイヤ
100 発光装置
111 第1発光部
112 第2発光部
200,300 光ピックアップ装置
201,301 PBS
202,302 コリメータレンズ
203,303 1/4波長板
204,304 対物レンズ
205,305 光出力モニタ用受光素子
206,306 センサレンズ
207,307 光検出器
208,308 光量制御部
500 光ディスク装置
501 アナログ信号処理部
502 制御部
503 再生部
2 電流制御部
11 半導体レーザ素子
12 基台
13 第1ワイヤ
14 第2ワイヤ
100 発光装置
111 第1発光部
112 第2発光部
200,300 光ピックアップ装置
201,301 PBS
202,302 コリメータレンズ
203,303 1/4波長板
204,304 対物レンズ
205,305 光出力モニタ用受光素子
206,306 センサレンズ
207,307 光検出器
208,308 光量制御部
500 光ディスク装置
501 アナログ信号処理部
502 制御部
503 再生部
Claims (4)
- 第1波長のレーザ光と該第1波長よりも長い第2波長のレーザ光とをそれぞれ出射可能なモノリシック型の半導体レーザ素子であって、
予め定める第1駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第1波長のレーザ光を出射する第1発光部と、
予め定める第2駆動閾値電流値を超える電流が流れることによって、前記第2波長のレーザ光を出射する第2発光部と、を有する半導体レーザ素子と、
前記第1発光部および前記第2発光部に流す電流値を制御する電流制御部であって、
前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流が流れ、
前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流が流れるときに、前記第1発光部に電流が流れない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流が流れるように制御する電流制御部と、を備えることを特徴とする発光装置。 - 光記録媒体に光を照射する請求項1に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射されたレーザ光を、互いに異なる第1方向と第2方向とに分岐して進行させる光分岐部材と、
前記第1方向に分岐して進行するレーザ光を光記録媒体に集光する光学部材と、
前記第2方向に分岐して進行するレーザ光を受光する受光素子と、
前記受光素子によって受光されたレーザ光の光量を検出し、その検出した光量に応じて前記発光装置から出射されるレーザ光の光量を制御する光量制御部と、を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。 - 請求項2に記載の光ピックアップ装置と、
前記光ピックアップ装置に備えられる前記発光装置から出射されたレーザ光が照射された光記録媒体によって反射された反射光の光量に基づいて、光記録媒体に記録されたデータを再生する再生部と、を備えることを特徴とする光ディスク装置。 - 請求項1に記載の発光装置の駆動方法であって、
前記第1発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第1発光部に前記第1駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値以下の電流を流し、
前記第2発光部からレーザ光を出射させる場合には、前記第2発光部に前記第2駆動閾値電流値を超える電流を流すとともに、前記第1発光部に電流を流さない、または、前記第1駆動閾値電流値以下の電流を流すことを特徴とする発光装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012182658A JP2014041669A (ja) | 2012-08-21 | 2012-08-21 | 発光装置、該発光装置を備える光ピックアップ装置、および該光ピックアップ装置を備える光ディスク装置、ならびに発光装置の駆動方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7390073B1 (ja) * | 2022-11-24 | 2023-12-01 | 有限会社ライフショップ小すげ | ゴルフショット練習機 |
-
2012
- 2012-08-21 JP JP2012182658A patent/JP2014041669A/ja active Pending
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