JP2014039985A - 研削装置 - Google Patents
研削装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014039985A JP2014039985A JP2012184047A JP2012184047A JP2014039985A JP 2014039985 A JP2014039985 A JP 2014039985A JP 2012184047 A JP2012184047 A JP 2012184047A JP 2012184047 A JP2012184047 A JP 2012184047A JP 2014039985 A JP2014039985 A JP 2014039985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- holding
- airbag
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】回転軸20を中心として回転する保持手段2に備えた保持プレート24に保持されたウェーハWとラップ定盤4とが接近及び離反する構成の研削装置1において、回転軸20と保持プレート24との間にエアバッグ23を配設し、ウェーハWの厚みの変位を測定する変位計33をエアバッグ23の内部に配設する。エアバッグ23にエアを供給することにより、ウェーハWの薄化によって減圧されるエアバッグ23の内部圧力を所定の圧力に維持しつつ、ウェーハWの薄化によりラップ定盤4に接近する方向に降下する保持プレート24の変位量を変位計33によって測定し、保持プレート24の変位量をウェーハの研削量として認識する。
【選択図】図1
Description
研削量=Zstart−(Z22a−L33)
この研削量が所望研削量に達すると、制御部29による制御の下で、研削送り手段6が保持手段2を上昇させ、研削を終了する。
2:保持手段
20:回転軸 200:吸引路
21:ハウジング 22:マウント 23:エアバッグ
24:保持プレート 24a:保持面 24b:被固定面 240:吸引口
25:吸引源 26:圧力計 27:エアレギュレータ 28:調整バルブ
29:制御部 30指定部 31:吸引路 32:吸引源 33:変位計
4:ラップ定盤 40:上面 41:ノズル
6:研削送り手段 60:ボールネジ 61:ガイドレール 62:モータ
63:昇降部材 630:ヘッド
64:リニアスケール 65:位置検出手段
Claims (3)
- 複数の吸引口を備えた保持面において板状のウェーハを吸引保持して回転可能な保持手段と、
砥粒を用いて該ウェーハを加工するラップ定盤と、
該ラップ定盤と該保持手段とを相対的に接近及び離反させる研削送り手段と、
該ラップ定盤と該保持手段との相対的な位置を研削送り位置として検出する位置検出手段と、
該保持手段が保持するウェーハの所望研削量を指定する指定部と、を備え、
一方の面が該保持手段に保持されて回転するウェーハの他方の面をラップ定盤に接触させて研削する研削装置において、
該保持手段には、
該保持面においてウェーハの一方の面を保持する保持プレートと、
該回転軸と該保持プレートとの間に配設されるエアバッグと、
該回転軸を貫通して形成され、該エアバッグにエアを供給する供給源に連通する供給路と、
該エアバッグの内部圧力を測定する圧力計と、
該圧力計が測定した該エアバッグの内部圧力を所定の圧力に維持する制御部と、
該回転軸を貫通して配設され該保持プレートの該吸引口と吸引源とを連通させる吸引路と、
該エアバッグの内部に配設され該保持プレートの該保持面の反対面の位置を測定する変位計と、
を少なくとも備え、
該研削送り手段は、該供給源より該エアバッグにエアを供給し該エアバッグを膨張させた状態で、ウェーハを保持した該保持手段を該ラップ定盤に接近させる方向に研削送りし、該ウェーハが該ラップ定盤に接触した後の研削送り量が該所望研削量よりも多くなるように研削送りを行った後に研削送りを停止し、該停止時に該位置検出手段が検出する研削送り位置である研削開始位置において研削加工を実施することによってウェーハを薄化し、該ウェーハの薄化によって減圧される該エアバッグの内部圧力を該制御部の制御によって該エアバッグにエアを供給して所定の圧力に維持しつつ、該ウェーハの薄化により該ラップ定盤に接近する方向に降下する該保持プレートの変位量を該変位計によって測定し、該保持プレートの変位量を該ウェーハの研削量として認識する研削装置。 - 前記研削送り手段が前記研削開始位置から研削送りを行いつつ、前記制御部の制御によって前記エアバッグの内部圧力を所定の圧力に維持し、
前記位置検出手段と前記変位計とによって検知・算出される前記保持プレートの該研削開始位置からの変位量を、前記ウェーハの研削量とする
請求項1に記載の研削装置。 - 前記エアバッグの内部圧力は、機械的な調圧スプリングおよびリリーフポートを用いて圧力を一定に維持する機能を有するエアレギュレータにより所定の圧力に維持される請求項1または2に記載の研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184047A JP5956287B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184047A JP5956287B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014039985A true JP2014039985A (ja) | 2014-03-06 |
JP5956287B2 JP5956287B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=50392700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012184047A Active JP5956287B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5956287B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016063457A1 (ja) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
JP2017007054A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN107378670A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-11-24 | 海盐孚邦机械有限公司 | 一种柱塞套生产专用端面磨平机的磨平装置 |
CN107866727A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-03 | 湖南宇晶机器股份有限公司 | 用于龙门式抛光机的高转速上盘装置 |
JP2018074501A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | D/a変換回路、a/d変換回路、駆動システム |
CN110142690A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-08-20 | 肇庆金马领科智能科技有限公司 | 恒力装置及研磨加工设备 |
CN118636053A (zh) * | 2024-08-15 | 2024-09-13 | 杭州积海半导体有限公司 | 气膜、cmp研磨系统及实时检测气膜性能的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11114806A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-04-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
JPH11347918A (ja) * | 1997-04-04 | 1999-12-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置 |
US6093089A (en) * | 1999-01-25 | 2000-07-25 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for controlling uniformity of polished material |
JP2001079757A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置 |
JP2002289564A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
CN1481295A (zh) * | 2000-12-21 | 2004-03-10 | ��ķ�о�����˾ | 带有加压隔膜的研磨固定台 |
CN101007396A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 联华电子股份有限公司 | 应用于化学机械抛光工艺的抛光头及化学机械抛光方法 |
CN102133731A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-07-27 | 清华大学 | 一种用于cmp抛光头多腔室的压力控制系统 |
-
2012
- 2012-08-23 JP JP2012184047A patent/JP5956287B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11347918A (ja) * | 1997-04-04 | 1999-12-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置 |
JPH11114806A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-04-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
US6093089A (en) * | 1999-01-25 | 2000-07-25 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for controlling uniformity of polished material |
JP2001079757A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置 |
CN1481295A (zh) * | 2000-12-21 | 2004-03-10 | ��ķ�о�����˾ | 带有加压隔膜的研磨固定台 |
JP2002289564A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
CN101007396A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 联华电子股份有限公司 | 应用于化学机械抛光工艺的抛光头及化学机械抛光方法 |
CN102133731A (zh) * | 2011-01-06 | 2011-07-27 | 清华大学 | 一种用于cmp抛光头多腔室的压力控制系统 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI607501B (zh) * | 2014-10-21 | 2017-12-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Polishing device and wafer polishing method |
CN107073675B (zh) * | 2014-10-21 | 2019-06-07 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨装置及晶片的研磨方法 |
KR20170072883A (ko) * | 2014-10-21 | 2017-06-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마장치 및 웨이퍼의 연마방법 |
CN107073675A (zh) * | 2014-10-21 | 2017-08-18 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨装置及晶片的研磨方法 |
KR102344217B1 (ko) * | 2014-10-21 | 2021-12-28 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마장치 및 웨이퍼의 연마방법 |
JP2016082174A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
US10532442B2 (en) | 2014-10-21 | 2020-01-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing apparatus and wafer polishing method |
WO2016063457A1 (ja) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
JP2017007054A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2018074501A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | D/a変換回路、a/d変換回路、駆動システム |
CN107378670A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-11-24 | 海盐孚邦机械有限公司 | 一种柱塞套生产专用端面磨平机的磨平装置 |
CN107866727A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-04-03 | 湖南宇晶机器股份有限公司 | 用于龙门式抛光机的高转速上盘装置 |
CN110142690A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-08-20 | 肇庆金马领科智能科技有限公司 | 恒力装置及研磨加工设备 |
CN110142690B (zh) * | 2019-06-18 | 2024-02-06 | 肇庆金马领科智能科技有限公司 | 恒力装置及研磨加工设备 |
CN118636053A (zh) * | 2024-08-15 | 2024-09-13 | 杭州积海半导体有限公司 | 气膜、cmp研磨系统及实时检测气膜性能的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5956287B2 (ja) | 2016-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5956287B2 (ja) | 研削装置 | |
KR102221749B1 (ko) | 연삭 지석의 드레싱 방법 | |
US10751852B2 (en) | Surface grinding method and surface grinding device | |
JP2017164837A (ja) | 研削装置 | |
CN110842779A (zh) | 磨削装置的原点位置设定机构和原点位置设定方法 | |
JP2018083266A (ja) | 研削装置及び粗さ測定方法 | |
TW202330186A (zh) | 磨削裝置 | |
KR20200101836A (ko) | 연삭 장치 | |
US20170225288A1 (en) | Grinding tool | |
JP2017164823A (ja) | 研削装置 | |
JP2016059993A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
CN114147562A (zh) | 加工装置 | |
JP7274998B2 (ja) | 研削装置 | |
KR20230059720A (ko) | 셋업 방법 | |
JP2020049593A (ja) | 研削方法 | |
JP7252837B2 (ja) | 研削装置 | |
CN114378711A (zh) | 线性测量器 | |
JP6487790B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2021146417A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JP6831250B2 (ja) | リニアゲージと加工装置 | |
JP6906312B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2020146779A (ja) | 研削装置 | |
JP5939935B2 (ja) | 研削装置 | |
KR20220057423A (ko) | 웨이퍼의 연삭 방법 | |
JP2014116487A (ja) | 切削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5956287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |