JP2014039236A

JP2014039236A - 高周波回路モジュール

Info

Publication number: JP2014039236A
Application number: JP2012254373A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Saji; 哲夫佐治; Hiroshi Nakamura; 浩中村
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2012-11-20
Publication date: 2014-02-27

Abstract

【課題】送信信号の受信回路への回り込みを防止でき且つ実装密度が高い高周波回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板２００上に第１周波数帯域に係る第１デュプレクサ１１０を実装し、第２周波数帯域に係る第２デュプレクサ１２０を構成する第２送信フィルタ１２２及び第２受信フィルタ１２４を回路基板２００内に埋設する。第２送信フィルタ１２２及び第２受信フィルタ１２４は、回路基板内であって第１デュプレクサ１１０を回路基板の厚さ方向に投影して形成される投影領域と少なくとも一部が重なる位置に埋設されている。第１周波数帯域と第２周波数帯域とは所定周波数以上離れている。
【選択図】図３

Description

本発明は、高周波回路が回路基板に実装された高周波回路モジュールに関し、特に送信回路から出力される高周波信号を濾過する送信フィルタ及び受信回路に入力される高周波信号を濾過する受信フィルタの実装構造に関する。

近年、所謂スマートフォンと呼ばれる多機能携帯電話に代表されるように携帯電話の多機能化及び小型化が図られている。このような携帯電話では、高周波信号の送受信に必要な各種部品を回路基板に実装した高周波回路モジュールがマザーボードに搭載されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載の高周波回路モジュールは、回路基板上には電力増幅用ＩＣ、送信フィルタ、受信フィルタ等が搭載されている。また回路基板内には整合回路などを構成するキャパシタなどの受動部品が埋設されている。特許文献１に記載の高周波回路モジュールは、セルラー方式８００ＭＨｚ帯及びＰＣＳ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｅｒｖｉｃｅｓ）方式１．９ＧＨｚ帯の周波数帯域を持った２つの送受信系とＧＰＳ（ＧｌｏｂａｌＰｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）による測位機能を利用するためＧＰＳの受信バンド１．５ＧＨｚ帯を持った１つの受信系を備えている。

特開２００５−２７７９３９号公報

特許文献１に記載のものは前述したように２つの周波数帯域の送受信系を備えているが、近年では更に多種多様な周波数帯域に対応させること及び更なる小型化が要求されている。しかし、特許文献１に記載の構成において多数の周波数帯域の送受信系を高密度に実装することは困難であった。特に、送信フィルタや受信フィルタは実装面積が比較的大きいだけでなく、送信信号が受信回路に回り込みが生じやすいという問題があった。後者の問題は、第１の送受信系において送信された高周波信号が、第２の送受信系を介して受信回路に回り込む現象である。この現象は、複数の送受信系の周波数帯域の一部が重なっていたり又は近接しているために生じるものである。より具体的には、第１の送受信系の周波数帯域における送信用帯域と、第２の送受信系の周波数帯域における受信用帯域が重なっている場合を考える。そして第１の送受信系に係るデュプレクサと第２の送受信系に係るデュプレクサが隣接して回路基板上に実装されているものとする。この場合、第１の送受信系を用いて通信する際に、その送信信号が第２の送受信系に係るデュプレクサの受信フィルタと直接電磁結合し、若しくはアンテナ配線と電磁結合して第２の送受信系に係るデュプレクサの受信フィルタに流れ込み、該受信フィルタを通過して受信回路に流れ込む。近年の実装では、第１の送受信系と第２の送受信系の受信回路は共通の集積回路により実現されていることが多い。このため、集積回路の近傍において、第２の送受信系に係るデュプレクサの受信フィルタを通過して受信配線を流れる送信信号が、第１の送受信系の配線に電磁結合して、集合回路の第１の送受信系の受信回路に流れ込む現象が生じるものである。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、送信信号の受信回路への回り込みを防止でき且つ実装密度が高い高周波回路モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するために、本願発明に係る高周波回路モジュールは、高周波信号の送信回路及び受信回路が実装された回路基板と、第１周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第１送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第１受信フィルタと、第２周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第２送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第２受信フィルタとを備え、第１周波数帯域と第２周波数帯域とは所定周波数以上離れており、第１送信フィルタ及び第１受信フィルタは回路基板上に実装されており、第２送信フィルタ及び第２受信フィルタは、回路基板内であって第１送信フィルタ及び第１受信フィルタを回路基板の厚さ方向に投影して形成される投影領域と少なくとも一部が重なる位置に埋設されている、ことを特徴とする。

本願発明では、第１送信フィルタ及び第１受信フィルタは回路基板上に実装されている。一方、第２送信フィルタ及び第２受信フィルタは回路基板内に実装されている。また、第２送信フィルタ及び第２受信フィルタは、第１送信フィルタ及び第１受信フィルタを回路基板の厚さ方向に投影して形成される投影領域と少なくとも一部が重なる位置に埋設されている。すなわち第１送信フィルタ及び第１受信フィルタと第２送信フィルタ及び受信フィルタは距離的に比較的近い位置にある。本願発明では、第１周波数帯域と第２周波数帯域とを所定周波数以上離すことにより、第１送信フィルタを通過する送信信号が第２受信フィルタと電磁結合することを防止している。同様に、第２送信フィルタを通過する送信信号が第１受信フィルタと電磁結合することを防止している。これにより実装密度の向上と、送信信号の受信回路への回り込み防止を同時に実現している。

本発明の好適な態様の一例としては、回路基板は、第１送信フィルタ及び第２受信フィルタと第２送信フィルタ及び第２受信フィルタとの間に形成されたグランド導体層を備えているものが挙げられる。このグランド導体層により送信信号の回り込みを更に効果的に防止することができる。

また本発明の典型的な態様としては、第１送信フィルタと第１受信フィルタは第１分波回路を構成し、第２送信フィルタと第２受信フィルタは第２分波回路を構成するものが挙げられる。この場合、第１分波回路は１つのパッケージに実装し、且つ、該パッケージを回路基板上に実装する。一方、第２送信フィルタと第２受信フィルタはそれぞれ個別に回路基板内に埋設すると、送信と受信のアイソレーションの観点及び実装密度の向上の点から好適である。なお、ここで分波回路とは、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）方式の無線通信技術において、送信と受信を共通のアンテナで行うために送信信号と受信信号を電気的に分離する回路であり「アンテナ共用回路」とも呼ばれるものである。なお、２つの周波数帯域を電気的に分離する分波器は一般的にデュプレクサと呼ばれる。

本発明の他の好適な態様の一例としては、第３周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第３送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第３受信フィルタを備え、第１周波数帯域と第３周波数帯域とは一部が重なっている又は近接しており、第３送信フィルタ及び第３受信フィルタは回路基板上において第１送信フィルタ及び第１受信フィルタから所定距離以上離れた位置に実装されていることを特徴とするものが挙げられる。

また本発明の他の好適な態様の一例としては、第４周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第４送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第４受信フィルタを備え、第２周波数帯域と第４周波数帯域とは一部が重なっている又は近接しており、第４送信フィルタ及び第４受信フィルタは回路基板内であって第２送信フィルタ及び第２受信フィルタから所定距離以上離れた位置に埋設されていることを特徴とするものが挙げられる。

以上説明したように本発明によれば、第１周波数帯域に係る第１送信フィルタ及び第１受信フィルタを回路基板上に実装し、第２周波数帯域に係る第２送信フィルタ及び第２受信フィルタを回路基板内に埋設しているので、実装効率が向上する。さらに第１周波数帯域と第２周波数帯域とを所定周波数以上離しているので、送信信号の受信回路への回り込み防止している。

高周波回路モジュールの概略回路図高周波回路モジュールの上面図高周波回路モジュールの断面図

本発明の第１の実施の形態に係る高周波回路モジュールについて図面を参照して説明する。図１に高周波回路モジュールの概略回路図を示す。なお本実施の形態では、説明の簡単のため、主として本発明の要旨に係る構成についてのみ説明する。

本実施の形態に係る高周波回路モジュール１００は、４つの周波数帯域に対応した携帯電話で用いられるものである。図１に示すように、高周波回路モジュール１００は、高周波スイッチ１０１と、第１〜第４デュプレクサ１１０，１２０，１３０，１４０と、送信用の高周波電力増幅器１５１〜１５４と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１６０とを備えている。なお実際の回路構成ではマッチング回路や送信信号用のバンドパスフィルタなどを周波数帯域毎に備えているが、説明の簡単のため本実施の形態では省略した。

高周波スイッチ１０１は、第１〜第４デュプレクサ１１０〜１４０と１つの外部アンテナ１０との接続を切り替える。

各デュプレクサ１１０〜１４０は、それぞれ送信フィルタ１１２，１２２，１３２，１４２と受信フィルタ１１４，１２４，１３４，１４４とを備えている。送信フィルタ１１２，１２２，１３２，１４２及び受信フィルタ１１４，１２４，１３４，１４４としては、表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタやバルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタなど種々のものを用いることができる。本実施の形態では、ＳＡＷフィルタを用いた。送信フィルタ１１２，１２２，１３２，１４２は高周波電力増幅器１５１〜１５４を介してＲＦＩＣ１６０の送信ポートに接続している。受信フィルタ１１４，１２４，１３４，１４４はＲＦＩＣ１６０の受信ポートに接続している。

ＲＦＩＣ１６０は高周波信号の変復調処理や多重化処理などを行う。第１及び第３デュプレクサ１１０，１３０に接続しているＲＦＩＣ１６０の受信ポートは隣接している。また第２及び第４デュプレクサ１２０，１４０に接続しているＲＦＩＣ１６０の受信ポートは隣接している。

前述のように本実施の形態に係る高周波回路モジュール１００は、４つの周波数帯域に対応しており、デュプレクサ１１０〜１４０は各周波数帯域の高周波信号のみが通過するようフィルタリングする。

具体的には、第１デュプレクサ１１０は、２１００ＭＨｚ帯のＷ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）又はＬＴＥ（Long Term Evolution）に対応している。したがって、第１送信フィルタ１１２は１９２０〜１９８０ＭＨｚのバンドパスフィルタであり、第１受信フィルタ１１４は２１１０〜２１７０ＭＨｚのバンドパスフィルタである。

第２デュプレクサ１２０は、９００ＭＨｚ帯のＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥに対応している。したがって、第２送信フィルタ１２２は８８０〜９１５ＭＨｚのバンドパスフィルタであり、第２受信フィルタ１２４は９２５〜９６０ＭＨｚのバンドパスフィルタである。

第３デュプレクサ１３０は、１９００ＭＨｚ帯のＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥに対応している。したがって、第３送信フィルタ１３２は１８５０〜１９１０ＭＨｚのバンドパスフィルタであり、第３受信フィルタ１３４は１９３０〜１９９０ＭＨｚのバンドパスフィルタである。第１デュプレクサ１１０の送信周波数帯域と第３デュプレクサ１３０の受信周波数帯域は一部が重なっている。

第４デュプレクサ１４０は、８５０ＭＨｚ帯のＷ−ＣＤＭＡ又はＬＴＥに対応している。したがって、第４送信フィルタ１４２は８２４〜８４９ＭＨｚのバンドパスフィルタであり、第４受信フィルタ１４４は８６９〜８９４ＭＨｚのバンドパスフィルタである。第４デュプレクサ１４０の受信周波数帯域と第２デュプレクサ１２０の送信周波数帯域は一部が重なっている。

次に図２及び図３を参照して高周波回路モジュール１００の構造について説明する。図２は高周波回路モジュールの上面図、図３は図２におけるＡ線矢視方向断面図である。

高周波回路モジュール１００は、図２及び図３に示すように、回路基板２００の上面にＲＦＩＣ１６０と第１デュプレクサ１１０と第３デュプレクサ１３０が表面実装されている。ここで第１デュプレクサ１１０は、第１送信フィルタ１１２と第１受信フィルタ１１４とが表面実装用の１つのパッケージに収容されたものである。第３デュプレクサ１３０も同様である。一方、第２デュプレクサ１２０と第４デュプレクサ１４０は、回路基板２００内に埋設されている。ここで第２デュプレクサ１２０と第４デュプレクサ１４０は、その構成要素の一部（送信フィルタ・受信フィルタなど）がそれぞれ個別に回路基板２００内に埋設された形態となっている。すなわち第２デュプレクサ１２０及び第４デュプレクサ１４０は、第１デュプレクサ１１０及び第３デュプレクサ１３０とは異なりパッケージに収容された形態ではない点に留意されたい。

回路基板２００は、絶縁体層と導体層とを交互に積層してなる多層基板である。回路基板２００は、図３に示すように、導電性が良好で且つ比較的厚い金属製の導体層であるコア層２１０と、該コア層２１０の一方の主面（上面）に形成された複数の絶縁体層２２１及び導体層２２２と、コア層２１０の他方の主面（下面）に形成された複数の絶縁体層２３１及び導体層２３２とを備えている。絶縁体層２２１，２３１及び導体層２２２，２３２はコア層２１０の両主面にビルドアップ工法にて形成されたものである。ここでコア層２１０と回路基板２００の一方の主面（上面）との間に位置する導体層２２２のうち２つの層、及び、コア層２１０と回路基板２００の他方の主面（下面）との間に位置する導体層２３２のうち１つの層は、基準電位（グランド）が与えられるグランド導体層２２５，２２６，２３５になっている。グランド導体層２２５，２３５は、コア層２１０に最も近い導体層２２２，２３２であり、それぞれビア導体２４１を介してコア層２１０に接続している。したがってコア層２１０もグランド導体として機能する。また、２つのグランド導体層２２５，２２６の間には導体層２２２が介在しており、該導体層２２２に形成された配線をストリップラインとして機能させることができる。回路基板２００の一方の主面（上面）には部品実装用の導電性のランド２０１や配線２０２が形成されている。また、回路基板２００の他方の主面（下面）には、親基板に接続するための端子電極２０５が形成されている。ランド２０１には、ＲＦＩＣ１６０、高周波電力増幅器１５１〜１５４、第１デュプレクサ１１０及び第３デュプレクサ１３０が半田付けされている。

コア層２１０には部品収容用の貫通孔２１１が形成されている。該貫通孔２１１には、第２デュプレクサ１２０を構成する第２送信フィルタ１２２及び第２受信フィルタ１２４が配置されている。したがってコア層２１０は、内蔵する部品の高さよりも厚みが大きいことが好ましい。本実施の形態では、金属板、より詳しくは銅製又は銅合金製の金属板によりコア層２１０を形成している。貫通孔２１１内であって収容部品との隙間には樹脂などの絶縁体が絶縁体層２２１又は２３１と一体となって充填されている。第２送信フィルタ１２２及び第２受信フィルタ１２４の上面には端子電極１２２ａ，１２４ａが形成されている。端子電極１２２ａ，１２４ａはビア導体２４２を介して配線用の導体層２２２又はグランド導体層２２５に接続している。第４デュプレクサ１４０についても第２デュプレクサ１２０と同様にして回路基板２００内に埋設されている。

本発明の特徴的な点の１つは、（ａ）一部のデュプレクサが回路基板２００内に埋設されていること、（ｂ）埋設されたデュプレクサは回路基板２００の一方の主面（上面）に実装されたデュプレクサとその投影領域の一部が重なること、（ｃ）埋設されたデュプレクサは回路基板２００の一方の主面（上面）に実装されたデュプレクサの周波数帯域は所定の周波数以上離れていること、である。前記（ｃ）は、詳しくは、（ｃ１）回路基板上のデュプレクサの送信フィルタの周波数帯域と回路基板内のデュプレクサの受信フィルタの周波数帯域が所定の周波数以上離れていること、及び、（ｃ２）回路基板上のデュプレクサの受信フィルタの周波数帯域と回路基板内のデュプレクサの送信フィルタの周波数帯域が所定の周波数以上離れていることを意味する。ここで「所定の周波数以上離す」とは、一方の送信フィルタを通過する送信信号が他方の受信フィルタと電磁結合してＲＦＩＣ１６０に流れ込むことを防止するのに十分な程度、すなわち電気的なアイソレーションを確保するのに十分な程度、周波数帯域間の間隔を空けることを意味する。例えば、高周波回路モジュール１００で対応する周波数帯域を周波数の高低で大きく２つのグループに分け、埋設するデュプレクサを、回路基板２００の一方の主面（上面）に実装されたデュプレクサの周波数帯域とは異なるグループに属する周波数帯域用とすることが考えられる。グループ分けの方法としては、特定の周波数（例えば１ＧＨｚ）以上を高域側グループ、未満を低域側グループとすればよい。これにより、少なくともグループ間の周波数以上の間隔を空けることができる。

また本発明の特徴的な点の１つは、（ｄ）回路基板２００上に実装されたデュプレクサと回路基板２００内に埋設されたデュプレクサの間にグランド導体層が形成されていることである。

また本発明の特徴的な点の１つは、（ｅ）回路基板２００上又は回路基板内に実装されている複数のデュプレクサは互いに所定の距離以上離れていること、である。ここで「所定の距離以上離す」とは、一方の送信フィルタを通過する送信信号が他方の受信フィルタと電磁結合してもＲＦＩＣ１６０の所望の受信性能が確保できる程度、すなわち電気的なアイソレーションを確保するのに十分な程度、両者間の空間を設けることを意味する。

また本発明の特徴的な点の１つは、（ｆ）複数のデュプレクサが同時期に使用される可能性がある場合には、一方のデュプレクサを回路基板２００の一方の主面（上面）に実装し、他方のデュプレクサを回路基板２００内に埋設することである。なお、埋設されたデュプレクサは回路基板２００の一方の主面（上面）に実装されたデュプレクサとその投影領域が重ならないようにすると、電気的アイソレーションや放熱の観点からは更に好適である。

本実施の形態に係る高周波回路モジュール１００における前記特徴点について説明する。本実施の形態では、図２及び図３に示すように、第１デュプレクサ１１０と投影領域が重なる位置に第２デュプレクサ１２０の送信フィルタ１２２及び受信フィルタ１２４が埋設されている。また、第３デュプレクサ１３０と投影領域が重なる位置に第４デュプレクサ１４０の送信フィルタ１４２及び受信フィルタ１４４が埋設されている。さらに第１デュプレクサ１１０と第３デュプレクサ１３０とは互いに干渉しない程度の距離Ｄ１となっている。ここで回路基板２００上に実装されたデュプレクサ（第１デュプレクサ１１０又は第３デュプレクサ１３０）と回路基板２００内に埋設されたデュプレクサ（第２デュプレクサ１２０又は第４デュプレクサ１４０）とは同時期に使用される可能性がある。

このような高周波回路モジュール１００によれば、一部のデュプレクサ１２０，１４０が回路基板２００に埋設されているので実装密度が向上する。また埋設されたデュプレクサ１２０，１４０は、回路基板２００上のデュプレクサと投影領域が重なっているので、実装密度が良好で且つデュプレクサに接続する各種配線長を短くすることができ、これにより高周波特性が良好なものとなる。

さらに本実施の形態に係る高周波回路モジュール１００によれば、回路基板２００上に実装されたデュプレクサ１１０，１３０と回路基板２００内に埋設されたデュプレクサ１２０，１４０とでは通過周波数帯域が十分に離れているので、送信信号が受信回路に回り込むことがない。すなわち電気的アイソレーションが良好である。さらに回路基板２００上に実装されたデュプレクサ１１０，１３０と回路基板２００内に埋設されたデュプレクサ１２０，１４０との間にはグランド導体層２２５，２２６が形成されているので、さらに電気的アイソレーションが良好である。さらに回路基板２００上に実装されたデュプレクサ１１０，１３０とは所定距離以上離して実装しているので、両者の周波数帯域の一部が重なっていても或いは近接していても、電気的アイソレーションが良好である。

また、図１等では省略したが、一般的には各デュプレクサの近傍にはマッチング回路が実装されることが多い。該マッチング回路は実装後の調整後を容易にするために構成部品は回路基板上に実装される。本実施の形態においては、デュプレクサ１２０，１４０は回路基板２００内に埋設されているが該デュプレクサ１２０，１４０に接続するマッチング回路の構成部品は回路基板２００上であってデュプレクサ１２０，１４０の近傍に実装することとした。すなわち、第１デュプレクサ１１０のマッチング回路と第２デュプレクサ１２０のマッチング回路は、近傍に実装されている。第３及び第４のデュプレクサ１３０，１４０についても同様である。そして、本実施の形態では、第１及び第３デュプレクサ１１０，１３０と、第２及び第４デュプレクサ１２０，１４０とでは通過周波数帯域が十分に離れており、しかもグランド導体層２２５，２２６が存在することにより、マッチング回路を介した干渉を防止することができる。さらに、第１デュプレクサ１１０と第３デュプレクサ１３０は、両者の周波数帯域の一部が重なっているか或いは近接しているため、それぞれのマッチング回路は、互いに干渉しない程度の距離を離すか、結合が小さくなるように配置する。同様に第２デュプレクサ１２０と第４デュプレクサ１４０は、両者の周波数帯域の一部が重なっているか或いは近接しているため、それぞれのマッチング回路は、互いに干渉しない程度の距離を離すか、結合が小さくなるように配置する。これにより、マッチング回路を介した干渉を防止することができる。

さらに本実施の形態に係る高周波回路モジュール１００によれば、同時期に使用される可能性のあるデュプレクサ１１０，１３０とデュプレクサ１２０，１４０とは、一方が回路基板２００に実装され他方は回路基板２００内に埋設されているので、デュプレクサの特に送信フィルタで生じる熱が集中することなく、熱を異なる経路で逃がすことができる。これにより熱による特性劣化を防止できる。

以上本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば上記実施の形態では、コア層２１０の材質として銅又は銅合金を例示したが、他の金属又は合金や樹脂など材質は不問である。またコア層２１０の導電性の有無についても不問である。さらに上記実施の形態では、回路基板２００として比較的厚みのあるコア層２１０を備えたものを例示したが、コア層２１０のない多層回路基板であってもよい。また上記実施の形態では、回路基板２００の上面には各種部品が実装された状態で露出しているが、回路基板２００の上面の全面又は一部を覆うようにケースを装着したり樹脂等で封止するようにしてもよい。

また上記実施の形態では、回路基板２００上にパッケージに収容されたデュプレクサ１１０，１３０を実装したが、デュプレクサを構成する送信フィルタ・受信フィルタを個別に回路基板２００上に実装するようにしてもよい。さらに上記実施の形態では、回路基板２００内にはデュプレクサを構成する送信フィルタ・受信フィルタをそれぞれ個別部品として埋設したが、パッケージに収容されたデュプレクサを埋設するようにしてもよい。さらに上記実施の形態では、コア層２１０に形成した貫通孔２１１に送信フィルタ・受信フィルタをそれぞれ１つづつ配置したが、１つの貫通孔２１１に複数のフィルタを配置するようにしてもよい。

また、上記実施の形態で説明した周波数帯域を一例に過ぎず、他の周波数帯域であっても本発明を実施できる。また、上記実施の形態では、分波器（アンテナ共用器）の例としてデュプレクサを挙げたが、トリプレクサなど３つ以上の通過周波数帯域を有する分波器であっても本発明を実施できる。

１０…アンテナ、１００…高周波回路モジュール、１１０，１２０，１３０，１４０…デュプレクサ、１１２，１２２，１３２，１４２…送信フィルタ、１１４，１２４，１３４，１４４…受信フィルタ、１６０…ＲＦＩＣ、２００…回路基板、２１０…コア層、２１１…貫通孔、２２５，２２６，２３５…グランド導体層

Claims

高周波信号の送信回路及び受信回路が実装された回路基板と、
第１周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第１送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第１受信フィルタと、
第２周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第２送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第２受信フィルタとを備え、
第１周波数帯域と第２周波数帯域とは所定周波数以上離れており、
第１送信フィルタ及び第１受信フィルタは回路基板上に実装されており、
第２送信フィルタ及び第２受信フィルタは、回路基板内であって第１送信フィルタ及び第１受信フィルタを回路基板の厚さ方向に投影して形成される投影領域と少なくとも一部が重なる位置に埋設されており、
前記第２送信フィルタ及び第２受信フィルタはそれぞれ弾性波（Acoustic Wave）フィルタからなる
ことを特徴とする高周波回路モジュール。
回路基板は、第１送信フィルタ及び第２受信フィルタと第２送信フィルタ及び第２受信フィルタとの間に形成されたグランド導体層を備えている
ことを特徴とする請求項１記載の高周波回路モジュール。
第１送信フィルタと第１受信フィルタは第１分波回路を構成し、
第２送信フィルタと第２受信フィルタは第２分波回路を構成する
ことを特徴とする請求項１又は２何れか１項記載の高周波回路モジュール。
第１分波回路は１つのパッケージに実装され且つ該パッケージは回路基板上に実装され、第２送信フィルタと第２受信フィルタはそれぞれ個別に回路基板内に埋設されている
ことを特徴とする請求項３記載の高周波回路モジュール。
第３周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第３送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第３受信フィルタを備え、
第１周波数帯域と第３周波数帯域とは一部が重なっている又は近接しており、第３送信フィルタ及び第３受信フィルタは回路基板上において第１送信フィルタ及び第１受信フィルタから所定距離以上離れた位置に実装されている
ことを特徴とする請求項１乃至４記載の高周波回路モジュール。
第３送信フィルタと第３受信フィルタは第３分波回路を構成する
ことを特徴とする請求項５記載の高周波回路モジュール。
第３分波回路は１つのパッケージに実装され且つ該パッケージが回路基板上に実装されている
ことを特徴とする請求項６記載の高周波回路モジュール。
第４周波数帯域において送信回路から出力される信号を濾過する第４送信フィルタ及び受信回路に入力される信号を濾過する第４受信フィルタを備え、
第２周波数帯域と第４周波数帯域とは一部が重なっている又は近接しており、
第４送信フィルタ及び第４受信フィルタは回路基板内であって第２送信フィルタ及び第２受信フィルタから所定距離以上離れた位置に埋設されており、
前記第４送信フィルタ及び第４受信フィルタはそれぞれ弾性波（Acoustic Wave）フィルタからなる
ことを特徴とする請求項１乃至７記載の高周波回路モジュール。
第４送信フィルタと第４受信フィルタは第４分波回路を構成する
ことを特徴とする請求項８記載の高周波回路モジュール。
第４送信フィルタと第４受信フィルタはそれぞれ個別に回路基板内に埋設されている
ことを特徴とする請求項９記載の高周波回路モジュール。
前記送信回路及び受信回路は第１の周波数帯域と第２の周波数帯域を同時期に使用する
ことを特徴とする請求項１乃至１０何れか１項記載の高周波回路モジュール。
前記送信回路及び受信回路はＦＤＤ（Frequency Division Duplex）に係る高周波信号を送受信する
ことを特徴とする請求項１乃至１１何れか１項記載の高周波回路モジュール。
前記回路基板は、絶縁体層と導体層とを積層してなる多層回路基板からなり、他の導体層より厚みが大きく且つグランドとして機能する導体層であるコア層を含み、
前記第２送信フィルタ及び第２受信フィルタは前記コア層に形成した貫通孔内に配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至１２何れか１項記載の高周波回路モジュール。