CN112840573A - 射频识别嵌体 - Google Patents

Abstract

射频识别嵌体(201)具备射频识别模块(101)和天线(1)。射频识别模块(101)具备射频集成电路(2)以及设置在该射频集成电路(2)与天线(1)之间的天线共享电路(3A、3B)。射频集成电路(2)具有受电端子(Rx+、Rx‑)和发送端子(Tx+、Tx‑)，该受电端子(Rx+、Rx‑)被输入因接收受电用的电磁波而感应的电力，该发送端子(Tx+、Tx‑)输出射频识别用的发送信号。天线(1)接收受电用的电磁波且产生射频识别用的电磁波。

Description

射频识别嵌体

技术领域

本发明涉及一种例如被用作射频识别标签并且与读写器之间通过非接触进行通信的射频识别嵌体。

背景技术

在非专利文献1中示出了无源Bluetooth(注册商标)传感器。示出了该装置利用无线LAN的电波或便携电话的电波等射频(RF)电力来检测温度、压力、活动并且通过Bluetooth(注册商标)发送该信息。该装置不是像无源超高射频识别(UHF RFID)应答器那样向读取器返回反射信号的方式，而是以如下方式进行通信。首先，不是将上述电波作为信号而是将上述电波作为能量来接收电力并充电，当充分的能量被充电时，发送消息的一部分，等待能量进一步被充电。之后，发送消息的下一部分。也就是说，一边从周围的电波接收电力能量，一边将消息分割而依次发送。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Mark Roberti、“Wiliot Unveils Passive Bluetooth(注册商标)Sensor”、[online]、[令和1年9月11日检索]、因特网＜URL：https://www.rfidjournal.com/articles/view？18235＞

发明内容

发明要解决的问题

非专利文献1所记载的装置需要分别地设置接收周围的电波的电力的两个天线和通过Bluetooth(注册商标)发送信号的天线，因此，当构成具备这些多个天线和射频集成电路(RFIC)的射频识别(RFID)嵌体(inlay)时，整体上大型，应用范围有可能受到限制。另外，当为了整体的小型化而将电力受电用天线和信号发送用天线接近配置时，还会产生如下这样的问题：在那些天线间产生不必要耦合，应该发送的电波的能量被吸收到受电天线侧，无法得到需要的发送信号强度。

因此，本发明的目的在于提供一种能够兼用受电用天线和发送用天线且避免天线间的不必要耦合并且整体小型化的射频识别嵌体。

用于解决问题的方案

本发明的射频识别嵌体具备：射频集成电路，其具有受电端子和发送端子，所述受电端子被输入因接收受电用的电磁波而感应的电力，所述发送端子输出射频识别用的发送信号；天线，其接收所述受电用的电磁波且产生所述射频识别用的电磁波；以及天线共享电路，其设置在所述天线与所述受电端子及所述发送端子之间。

发明的效果

根据本发明，获得能够兼用受电用天线和发送用天线且避免天线间的不必要耦合并且整体小型化的射频识别嵌体。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的射频识别嵌体201的电路结构的图。

图2是示出第一实施方式所涉及的射频识别嵌体201的具体的电路结构的图。

图3是示出图2所示的定向耦合器31A、31B的具体的电路结构的图。

图4是示出第二实施方式所涉及的射频识别嵌体202A的电路结构的图。

图5是示出第二实施方式所涉及的另一射频识别嵌体202B的电路结构的图。

图6是示出第三实施方式所涉及的射频识别嵌体203的电路结构的图。

图7的(A)是示出在射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-与天线之间的宽带匹配电路4的连接关系的图。图7的(B)是示出宽带匹配电路4的具体的电路结构的图。

图8是第五实施方式所涉及的射频识别嵌体中的天线宽带化电路6的电路图。

图9的(A)、图9的(B)是示出连接在图8所示的连接部Pb、Pd间的匹配电路的例子的图。

图10是第六实施方式所涉及的射频识别嵌体206的电路图。

图11是示出第七实施方式所涉及的射频识别嵌体207的电路结构的图。

图12是第八实施方式所涉及的射频识别嵌体208的截面图。

具体实施方式

以后，参照图举出若干个具体的例子来示出用于实施本发明的多个方式。在各图中对同一部分赋予同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了方便而将实施方式分开示出，但是能够进行不同的实施方式示出的结构的局部替换或组合。在第二实施方式以后，对与第一实施方式共通的内容省略记述，仅对与第一实施方式不同的点进行说明。特别地，不会按照每个实施方式逐次提及同样的结构产生的同样的作用效果。

《第一实施方式》

图1是示出第一实施方式所涉及的射频识别嵌体201的电路结构的图。该射频识别嵌体201由射频识别模块101以及与该射频识别模块101连接的天线1构成。射频识别模块101具备射频集成电路2、以及连接在该射频集成电路2与天线1之间的天线共享电路3A、3B。

射频集成电路2具有受电端子Rx+、Rx-和发送端子Tx+、Tx-，该受电端子Rx+、Rx-被输入因接收受电用的电磁波而感应的电力，该发送端子Tx+、Tx-输出射频识别用的发送信号。受电端子Rx+和发送端子Tx+连接于天线共享电路3A，受电端子Rx-和发送端子Tx-连接于天线共享电路3B。

天线1接收受电用的电磁波且产生(发送)射频识别用信号的电磁波。天线共享电路3A、3B是用于将天线1共享为电力受电用天线和信号发送用天线的电路。

天线1接收例如LTE(Long Term Evolution：长期演进)的低波段(700MHz～1GHz)的电波、或者从无线LAN的接入点发送的2.4GHz频段或5GHz频段的电波的电力。另外，该天线1发送例如Bluetooth(注册商标)的BLE(Bluetooth(注册商标)Low Energy：蓝牙低能耗)标准的2.4GHz频段的电波。

射频集成电路2例如是非专利文献1所示的射频集成电路，接收作为上述能量利用的电波的电力来对内部的电容器Ci进行充电，当充入充分的能量时，基于该能量，以上述BLE标准发送规定的消息。在一次发送中不能发送消息整体时，从周围的电波接收电力能量并且时间分割地依次发送消息，直到完成规定消息整体的发送。

在图1所示的例子中，具备外部的电容器Co，该外部的电容器Co与射频集成电路2的内部的电容器Ci并联连接。通过该结构，能够增大电容器Ci、Co的合成电容，由此增加发送距离或者能够增大一次可发送的消息的容量。另外，通过根据需要选定外部电容器Co的电容，能够将由受电引起的充电电压的上升速度最优化。也就是说，由于向上述合成电容充电时的时间常数与合成电容成比例，所以一次可发送的消息的容量的增大化与需要的充电时间处于折中的关系，因此，能够选定适于受电环境的合成电容。

图2是示出第一实施方式所涉及的射频识别嵌体201的具体的电路结构的图。在该例子中，通过定向耦合器31A、31B构成图1所示的天线共享电路3A、3B。另外，通过环型的天线11构成天线1。

定向耦合器31A、31B将天线11的感应电力向射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-引导，将从射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-输出的发送信号向天线11引导。另外，定向耦合器31A、31B阻止发送信号向受电端子Rx+、Rx-泄漏(向Rx+、Rx-端子流入)。

图3是示出图2所示的定向耦合器31A、31B的具体的电路结构的图。在该例子中，定向耦合器31A、31B都由线圈L1、L2、电容器C11、C12、C21、C22以及电阻元件R构成，分别构成3dB分波器。线圈L1和线圈L2进行磁场耦合。在图3中示出定向耦合器31A、31B与射频集成电路2的连接部Pa、Pb、Pc、Pd。在之后的实施方式中参照这些连接部。

在图3中，定向耦合器31A、31B的地线连接于射频集成电路2的地线。但是，在射频集成电路2没有地线端子的情况或不将地线连接于射频集成电路2的情况下，定向耦合器31A、31B的地线的记号是电位性的基准电位(中性电位)，为了进行稳定动作，也可以将该基准电位彼此电连接。

此外，在图3所示的例子中，天线11的供电端经由电容器CsA、CsB连接于射频识别模块101的天线连接部A1、A2。该电容器CsA、CsB是在形成于片材的天线11的导体图案与安装于该片材的射频识别模块101的电极之间产生的寄生电容(日语：浮遊容量)。对于天线和射频识别模块的构造，在之后的实施方式中示出具体例。

根据本实施方式，单个天线1、11兼用于受电和发送，所以能够避免由于天线间的不必要耦合而产生的问题。另外，由于不需要将受电用天线和发送用天线配置为不相互干扰，所以获得整体小型化的射频识别嵌体。

《第二实施方式》

在第二实施方式中，示出天线共享电路的结构与第一实施方式中所示的例子不同的射频识别嵌体。

图4是示出第二实施方式所涉及的射频识别嵌体202A的电路结构的图。该射频识别嵌体202A由射频识别模块102以及与该射频识别模块102连接的天线11构成。射频识别模块102具备射频集成电路2以及连接在该射频集成电路2与天线11之间的双工器32A、32B。双工器32A、32B是本发明所涉及的天线共享电路的一例。此外，也可以使用定向耦合器来代替双工器32A、32B。例如还可以通过带状线构成宽边耦合器，将该宽边耦合器作为分布常数型的定向耦合器。

射频集成电路2的受电端子Rx+和发送端子Tx+连接于双工器32A，受电端子Rx-和发送端子Tx-连接于双工器32B。

在本实施方式中，双工器32A、32B的高通滤波器HPF将频率2.4GHz频段的发送信号向天线11输出。另外，双工器32A、32B的低通滤波器LPF将比频率2.4GHz频段低频的、例如LTE的低频带(700MHz～1GHz)的接收信号(受电电力)向射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-输出。

图5是示出第二实施方式所涉及的另一射频识别嵌体202B的电路结构的图。在图5中，利用具体的电路图示出双工器32A、32B。在双工器32A、32B中，通过电容器C3和电感器L3构成高通滤波器，通过电容器C4和电感器L4构成低通滤波器。高通滤波器例如使2.45GHz通过，低通滤波器例如使LTE的低波段(700MHz～1GHz)频段的信号通过。

在图5所示的例子中，射频识别嵌体202B具备偶极型的天线12。该天线12分别在900MHz频段和2.4GHz频段谐振。该天线12由形成于绝缘性片材的弯折线(meander line)状的导体图案构成。通过像这样利用弯折线状的导体图案形成辐射元件，缩短了导体图案向绝缘性片材的形成区域。另外，作为导体图案的前端部的开放端部具有与其它部分相比沿面方向扩展的形状，在该部分与地线之间产生电容成分。由此，也缩短了为获得规定的谐振频率而需要的弯折线状的导体图案的线长度。

此外，在图5所示的例子中，将发送信号视作高波段，为了接收低波段的电力，通过高通滤波器使发送信号通过，通过低通滤波器使受电电力通过，但是本发明并不限于此。在例如射频集成电路2具备两组受电端子Rx+、Rx-的情况下，也可以设置对低波段、中波段、高波段这三个频带进行分波的三工器电路。也就是说，也可以构成为：通过低波段的滤波器使发送信号通过，通过中波段的滤波器使受电电力的低频侧通过，通过高波段的滤波器使受电电力的高频侧通过。

《第三实施方式》

在第三实施方式中，示出能够将发送信号的路径选择性地连接于天线的射频识别嵌体。

图6是示出第三实施方式所涉及的射频识别嵌体203的电路结构的图。该射频识别嵌体203由射频识别模块103以及与该射频识别模块103连接的天线12构成。在图6所示的例子中，在射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-与天线12之间分别构成有由电容器C4和电感器L4形成的低通滤波器LPF。这些低通滤波器LPF将天线12得到的、例如LTE的低波段(700MHz～1GHz)的接收信号(受电电力)向射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-输出。另外，屏蔽从发送端子Tx+、Tx-输出的作为发送信号的频率2.4GHz频段的信号，防止该发送信号向受电端子Rx+、Rx-泄漏。

本实施方式所涉及的射频识别嵌体203在射频集成电路2与天线12之间设置有开关SW。该开关SW根据从射频集成电路2输出的表示发送信号的输出时刻的信号或者根据有无发送信号来进行控制。

开关SW在接通状态下将射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-经由电容器CsA、CsB连接于天线12。另外，在开关SW为关断状态时，将射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-与从天线12开始到射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-为止的路径断开。

如本实施方式那样，在能够通过开关SW将发送端子的路径选择性地连接于天线的结构中，能够通过该开关SW和低通滤波器LPF构成天线共享电路。

《第四实施方式》

在第四实施方式中，示出在射频集成电路2的发送端子设置有宽带匹配电路的射频识别嵌体。图7的(A)是示出在射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-与天线之间的宽带匹配电路4的连接关系的图。在此，连接部Pa、Pc相当于图3、图5、图6等所示的连接部Pa、Pc。另外，在图7的(A)中，由等效电阻Rt和等效电容器Ct形成的电路是从射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-观察内部的电路的等效电路。

在射频集成电路2从发送端子Tx+、Tx-输出发送信号时，发送端子Tx+、Tx-的端子间的阻抗根据高电平和低电平而发生变化。也就是说，等效电阻Rt和等效电容器Ct的值根据发送信号的“0”、“1”串而发生变化。在像这样发送端子Tx+、Tx-的阻抗发生变化的情况下，与该发送端子Tx+、Tx-连接的天线11、12或天线共享电路的特性发生变化。

即使上述发送端子Tx+、Tx-的阻抗存在变化，宽带匹配电路4也抑制上述天线11、12或天线共享电路的特性发生变化。

图7的(B)是示出宽带匹配电路4的具体的电路结构的图。在该图中，宽带匹配电路4的阻抗匹配的特性由电感器L51～L55的值规定。

电感器L51的一端部连接于射频集成电路2的发送端子Tx+端子。电感器L52的一端部连接于射频集成电路2的发送端子Tx-。电感器L51的另一端部连接于电感器L53的一端部。电感部52的另一端部连接于电感器L54的一端部。电感器L55连接在电感器L53的另一端部与电感器L54的另一端部之间。连接部Pa连接于电感器L51、L53的连接点。连接部Pc连接于电感器L52、L54的连接点。

电感器L51和电感器L53以图7的(B)中由虚线的箭头所示的极性耦合，电感器L52和电感器L54以图7的(B)中由虚线的箭头所示的极性耦合。另外，电感器L51、L53分别是螺旋状的线圈，在层叠方向上相互相对。因而，电感器L51、L53磁性且电容性耦合。同样地，电感器L52、L54也磁性且电容性耦合。

另外，如图7的(B)所示，在连接部Pa与连接部Pc之间存在射频集成电路2所具有的等效电容器Ct。因此，在射频识别标签中产生两个谐振。第一个谐振是在连接于连接部Pa、Pc的电路、即由电感器L53、L54、L55构成的电流路径中产生的谐振。第二个谐振是在由电感器L51～L55和等效电容器Ct构成的电流路径(电流环路)中产生的谐振。这两个谐振通过在各电流路径中共享的电感器L53、L54、L55耦合。与两个谐振分别对应的两个电流i1和I2如图12中由两端箭头线所示那样流动。

另外，第一个谐振频率和第二个谐振频率都受到电感器L53～L55的影响。由此，在第一个谐振频率和第二个谐振频率之间产生差。通过像这样使两个谐振耦合，具备该宽带匹配电路4的射频识别标签示出宽带的谐振频率特性。

《第五实施方式》

在第五实施方式中，示出利用电路使天线宽带化而得到的射频识别嵌体。

图8是第五实施方式所涉及的射频识别嵌体中的天线宽带化电路6的电路图。该天线宽带化电路6由电感器L6和电容器C61～C64构成，设置在天线连接部A1、A2与连接部Pb、Pd之间。在图8中，由等效电阻Rr和等效电容器Cr形成的电路是从射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-观察内部的电路的等效电路。

天线宽带化电路6是高通滤波器电路，通过使连接于天线连接部A1、A2的天线的谐振特性中产生另一个谐振特性来进行宽带化。也就是说，天线单体中的谐振特性示出频率上升时的天线的阻抗变化在史密斯圆图上为顺时针的特性，但是，在高通滤波器的极部(截止频率)附近相位旋转90°，因此，描绘出上述顺时针的天线的阻抗变化方向变成相反方向的小环路。在该小环路变化时通过史密斯圆图的jX＝0部，由此产生与天线的谐振不同的另一个谐振。在像该例子那样使用高通滤波器的情况下，以低于天线的谐振频率的频率产生谐振。

作为上述宽带化电路，也可以由低通滤波器构成。在该情况下，以高于天线的谐振频率的频率产生谐振。此外，无论是高通滤波器的情况还是低通滤波器的情况，附加的谐振频率和滤波器的截止频率都关系到天线与宽带化电路之间的匹配特性，所以稍微偏离。

图9的(A)、图9的(B)是示出连接在图8所示的连接部Pb、Pd间的匹配电路的例子的图。

在射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-的阻抗不是基准的50Ω的情况下，为了使射频集成电路2与天线宽带化电路阻抗匹配，如图9的(A)所示那样，也可以在连接部Pb、Pd间(射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-间)连接电感器。另外，如图9的(B)所示，也可以在射频集成电路2的受电端子Rx+、Rx-与连接部Pb、Pd之间连接由电感器L71～L75形成的匹配电路。

在图9的(A)中，在射频集成电路2所具有的等效电阻Rr低于天线的阻抗的情况下，通过与射频集成电路2所具有的等效电容器Cr形成并联谐振电路来提高阻抗，由此进行匹配。如果像这样使用并联谐振，则是比较窄带的匹配。

在图9的(B)中，电感器L71和电感器L73以图9的(B)中由虚线的箭头所示的极性耦合，电感器L72和电感器L74以图9的(B)中由虚线的箭头所示的极性耦合。另外，电感器L71、L73分别是螺旋状的线圈，在层叠方向上相互相对。因而，电感器L71、L73磁性且电容性耦合。同样地，电感器L72、L74也磁性且电容性耦合。

另外，如图9的(B)所示，在连接部Pb与连接部Pd之间存在射频集成电路2所具有的等效电容器Cr。因此，在射频识别标签中产生两个谐振。第一个谐振是在连接于连接部Pb、Pd的电路、即由电感器L73、L74、L75构成的电流路径中产生的谐振。第二个谐振是在由电感器L71～L75和等效电容器Cr构成的电流路径(电流环路)中产生的谐振。这两个谐振通过在各电流路径中共享的电感器L73、L74、L75进行耦合。分别对应于两个谐振的两个电流i1和I2如图9中由两端箭头线所示那样流动。

另外，第一个谐振频率和第二个谐振频率都受到电感器L73、L74、L75的影响。由此，在第一个谐振频率和第二个谐振频率之间产生差。像这样两个谐振耦合而被宽带化。

《第六实施方式》

在第六实施方式中，示出与在此之前示出的例子不同的天线共享电路。

图10是第六实施方式所涉及的射频识别嵌体206的电路图。该射频识别嵌体206具备射频集成电路2、低通滤波器LPF和天线1。在图10中图示了与射频集成电路2的发送端子Tx连接的内部的开关元件Q和与受电端子Rx连接的内部的电容器Cr。在本实施方式中，射频集成电路2的受电端子和发送端子都是不平衡型的端子。

低通滤波器LPF由串联连接的电感器L4和分流连接到地线的电容器C4构成。该低通滤波器LPF连接在射频集成电路2的Rx端子与天线1之间。

低通滤波器LPF是与在第三实施方式中图6所示的低通滤波器LPF相同的结构。也就是说，该低通滤波器LPF将天线1得到的例如LTE的低波段(700MHz～1GHz)的接收信号(受电电力)向射频集成电路2的受电端子Rx输出。另外，屏蔽从发送端子Tx输出的作为发送信号的频率2.4GHz频段的信号，阻止该发送信号向受电端子Rx泄漏。

与射频集成电路2的发送端子Tx连接的内部的开关元件Q根据发送信号的“0”、“1”串而被接通/关断。虽然在图10中未示出，但是，在开关元件Q接通时，从发送端子Tx来看能看到等效电容器(图7所示的Ct)。在未输出发送信号的状态下，开关元件Q保持关断。在发送发送信号时、开关元件Q为接通状态时，成为在受电端子Rx与地线之间连接有由电感器L4和电容器C4及Cr形成的LC并联电路的状态。该LC并联电路的谐振频率被决定为与发送信号的频带一致或接近。因而，在开关元件Q为接通状态时，受电端子Rx与地线之间的阻抗为高阻抗状态，发送信号不会流入受电端子Rx。也就是说，当从发送端子Tx来看时，低通滤波器LPF的串联的电感器L4是高阻抗，分流连接到地线的电容器C4及Cr是低阻抗，因此，成为确保了发送端子Tx与受电端子Rx之间隔离的状态。

《第七实施方式》

在第七实施方式中，示出分别地具备受电用天线和发送用天线的射频识别嵌体。

图11是示出第七实施方式所涉及的射频识别嵌体207的电路结构的图。该射频识别嵌体207具备射频识别模块107、受电用天线11R和发送用天线11T。射频识别模块107具备射频集成电路2和天线宽带化电路6。发送用天线11T连接于射频集成电路2的发送端子Tx+、Tx-。受电用天线11R经由天线宽带化电路6连接于受电端子Rx+、Rx-。

天线宽带化电路6的结构与图8所示的天线宽带化电路6相同。受电用天线11R是环形天线。连接有天线宽带化电路6的受电用天线11R例如跨越1.7GHz～2.5GHz的宽带地具有增益。

发送用天线11T是例如在2.4GHz频段中获得高增益的环形天线。

在该例子中，由于发送信号发送Bluetooth(注册商标)的BLE标准的2.4GHz频段的电波，所以发送用天线11T的谐振频率被决定为2.45GHz。另一方面，由于受电用天线将跨越宽带的电波用作能量，所以利用天线宽带化电路6扩大受电用天线11R的谐振频带。由此，将受电用天线11R接收的、LTE的1.7GHz频段到2.5GHz频段的电波或2.4GHz频段的无线LAN的电波作为电力来接收。

虽然受电用天线11R是一般的环形天线，但是，通过连接天线宽带化电路6，能够像这样跨越宽带进行受电。

此外，在图11所示的例子中，发送用天线11T和受电用天线11R都是环形天线，但是，也可以使一方或双方为偶极天线。当发送用天线11T和受电用天线11R不需要地耦合时，发送信号被受电用天线11R接收电力，应该发送的电波的能量被吸收到受电用天线11R侧，无法获得需要的发送信号强度，但是，如果使发送用天线11T和受电用天线11R中的一方为环形天线而使另一方为偶极天线，则即使将两者比较接近地配置，也抑制不必要耦合，因此，射频识别嵌体能够整体小型化。

《第八实施方式》

在第八实施方式中，示出天线和射频识别模块的具体的构造。

图12是第八实施方式所涉及的射频识别嵌体208的截面图。该射频识别嵌体208通过将射频识别模块108粘接到形成有天线的片材70而构成。

片材70例如是PET薄膜的片材，形成有通过铝箔的图案化形成的天线导体图案71。该天线导体图案71例如构成环形天线或偶极天线。

射频识别模块108具备例如聚酰亚胺等形成的基板25。在该基板25上安装有射频集成电路2以及贴片电容器、贴片电感器、贴片电阻等贴片部件23、24。另外，在基板25上形成有耦合电极21、22。基板25的上表面被聚氨酯等弹性体形成的包覆件26包覆。

射频识别模块108经由粘接层8粘接于片材70上。粘接层8例如是丙烯类粘接剂的层，薄度例如小于10μm。在该状态下，耦合电极21、22与天线导体图案71的规定部分相对。射频识别模块108与天线导体图案71由于在该相对部产生的寄生电容而电容耦合。该寄生电容相当于图3、图5、图6等所示的电容器CsA、CsB。此外，粘接层8也可以具有导电性。

最后，上述的实施方式的说明在所有的点都是例示，而不是限制性的。对于本领域技术人员来说，能够适当地进行变形和变更。本发明的范围并不是上述的实施方式而是由权利要求书示出。并且，本发明的范围包括与权利要求书均等的范围内的来自实施方式的变更。

例如，将发送信号视作低频带，为了接收高频带的电力，通过高通滤波器使发送信号通过，通过低通滤波器使受电电力通过，但是，本发明不限于此。在发送信号的频带与受电电力的频带之间的上下关系与上述相反的情况下，只要构成为利用低通滤波器使发送信号通过并且利用高通滤波器使受电电力通过即可。

附图标记说明

A1、A2：天线连接部；C11、C12、C21、C22：电容器；C3、C4：电容器；C61～C64：电容器；Ci：内部电容器；Co：外部电容器；Cr、Ct：等效电容器；CsA、CsB：电容器；HPF：高通滤波器(第二滤波器)；L1、L2：线圈；L3、L4、L6：电感器；L51～L55：电感器；L71～L75：电感器；LPF：低通滤波器(第一滤波器)；Pa、Pb、Pc、Pd：连接部；Q：开关元件；R：电阻元件；Rr、Rt：等效电路；Rx、Rx+、Rx-：受电端子；SW：开关；Tx、Tx+、Tx-：发送端子；1、11、12：天线；2：射频集成电路；3A、3B：天线共享电路；4：宽带匹配电路；6：天线宽带化电路；8：粘接层；11R：受电用天线；11T：发送用天线；21、22：耦合电极；23、24：贴片部件；25：基板；26：包覆件；31A、31B：定向耦合器；32A、32B：双工器；70：片材；71：天线导体图案；101～103、107、108：射频识别模块；201、202A、202B、203、206～208：射频识别嵌体。

Claims (8)

1.一种射频识别嵌体，具备：

射频集成电路，其具有受电端子和发送端子，所述受电端子被输入因接收受电用的电磁波而感应的电力，所述发送端子输出射频识别用的发送信号；

天线，其接收所述受电用的电磁波且产生所述射频识别用的电磁波；以及

天线共享电路，其设置在所述天线与所述受电端子及所述发送端子之间。

2.根据权利要求1所述的射频识别嵌体，其中，

所述天线共享电路是定向耦合器，所述定向耦合器将因接收所述受电用的电磁波而在所述天线感应的受电电力向所述受电端子输出，将所述发送端子的输出信号向所述天线输出。

3.根据权利要求1所述的射频识别嵌体，其中，

所述天线共享电路设置在所述天线与所述受电端子之间，由第一滤波器和第二滤波器构成，所述第一滤波器使因接收所述受电用的电磁波而在所述天线感应的受电电力的低频带通过，所述第二滤波器使所述射频识别用的发送信号的频带通过。

4.根据权利要求3所述的射频识别嵌体，其中，

所述受电端子由第一受电端子和第二受电端子构成，

所述第一滤波器由第一低通滤波器和第二低通滤波器构成，所述第一低通滤波器设置在所述天线与所述第一受电端子之间，使因接收所述受电用的电磁波而在所述天线感应的受电电力的第一低频带通过，所述第二低通滤波器设置在所述天线与所述第二受电端子之间，使因接收所述受电用的电磁波而在所述天线感应的受电电力的第二低频带通过。

5.根据权利要求3或4所述的射频识别嵌体，其中，

在所述发送端子的电位接近接地电位时，通过所述受电端子、接地间的电容成分以及所述第一滤波器构成LC并联谐振电路，阻止从所述发送端子输出的所述发送信号向所述受电端子流入。

6.根据权利要求1所述的射频识别嵌体，其中，

所述天线共享电路由开关构成，所述开关在发送所述射频识别用的发送信号时将所述发送端子连接到所述天线。

7.根据权利要求6所述的射频识别嵌体，其中，

在所述天线与所述受电端子之间具备滤波器，所述滤波器使因接收所述受电用的电磁波而在所述天线感应的受电电力的低频带通过。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的射频识别嵌体，其中，

在所述发送端子与所述天线共享电路之间具备宽带匹配电路，所述宽带匹配电路对因所述射频集成电路的发送时的所述发送端子的阻抗变化引起的所述天线和所述天线共享电路的特性变化进行抑制。

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