JP2014036133A - 微細凸構造体の修正方法及び製造方法、並びに微細凸構造体製造システム - Google Patents

Abstract

【課題】微細凸構造を有する微細凸構造体の形成時に、意図せずして倒れてしまった微細凸構造を簡易に修正することのできる微細凸構造体の修正方法及び当該修正方法を用いた微細凸構造体の製造方法、並びに微細凸構造体の製造システムを提供する。
【解決手段】平面部１１と当該平面部１１から突出してなる微細凸構造部１２とを有する微細凸構造体１において、当該微細凸構造部１２が当該平面部１１に直交する方向に対し傾斜しているときに、当該傾斜した微細凸構造部１２を有する微細凸構造体１の、少なくとも傾斜した微細凸構造部１２に電荷を生じさせることにより、微細凸構造部１２の傾斜を修正する。
【選択図】図１

Description

本発明は、微細凸構造体の修正方法及び製造方法、並びに微細凸構造体を製造するシステムに関する。

微細加工技術として、近年、ナノインプリント技術やフォトリソグラフィー技術等が注目されている。ナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸構造が形成されてなる型部材（モールド）を用い、当該微細凹凸構造を被加工物に転写することで微細凹凸構造を等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１）。また、フォトリソグラフィー技術は、微細パターンを有するフォトマスク等を用いて感光性レジストに対して露光し、現像することで、当該微細パターンに応じた微細凹凸構造を有するレジストパターンを形成するパターン形成技術である。

ナノインプリントにおいては、一般に、流動性を有する樹脂等にモールドを押し当てた状態で、当該樹脂等を硬化させ、その後硬化した樹脂等からモールドを引き剥がすことにより、微細凹凸構造を有する微細凹凸構造体（樹脂パターン）が形成される。また、フォトリソグラフィーにおいては、一般に、フォトマスク等を介して感光性レジストをＵＶ、ＥＵＶ、電子線、Ｘ線等で露光し、現像液により現像した後、リンス液を用いたリンス処理を行うことで、微細凹凸構造を有する微細凹凸構造体（レジストパターン）が形成される。

上述したナノインプリント又はフォトリソグラフィーにより形成される微細凸構造を有する微細凸構造体（例えば、ピラー状、ラインアンドスペース状等の樹脂パターン又はレジストパターン）は、例えば、そのまま細胞培養シート等として、また、エッチングにより基板等に微細凹構造を形成するためのエッチングマスク等として用いられることから、当該樹脂パターン又はレジストパターンにおいては、当該微細凸構造が樹脂パターン面又はレジストパターン面に対して略垂直に立設されていることが要求される。

しかしながら、ナノインプリントにおいては、硬化した樹脂とモールドとを剥離する際に、樹脂パターン面に対する垂直方向の力（引張力）のみならず面内方向の力（引張力）も微細凸構造に加わるために、微細凸構造が倒れてしまうことがある。特に、モールドや被転写物としての樹脂が柔軟性を有する材料からなる場合や、ベルト状インプリント用モールドや回転体の表面に微細凹構造が形成されてなるモールドを回転させながら、所定方向に搬送される長尺状の被転写材に押し付けることで、当該長尺状の被転写材上に微細凸構造を形成しようとする場合等において、微細凸構造に加わる面内方向の力が大きくなり、微細凸構造の倒れがより深刻となる。

また、フォトリソグラフィー技術においては、現像工程又はリンス工程にて用いられる現像液又はリンス液の乾燥時に生じる表面張力の影響等により、隣接する微細凸構造が寄り添うようにして倒れてしまうことがある。さらに、フォトリソグラフィー技術以外においても、例えば、予め形成した凸構造の側壁にスペーサーと呼称される薄膜層を形成した後、所定の溶媒等を用いて当該薄膜層を残しつつ凸構造を溶解除去することで、薄膜層により構築された微細凸構造を形成する場合においても同様に、当該微細凸構造の倒れが生じ得る。

さらに、微細凸構造の倒れは、帯電した微細凸構造体から電荷が放出される際にも生じる場合がある。例えば、ナノインプリントによって樹脂による微細凸構造体を基板上に形成した後、当該微細凸構造体における微細凸構造（微細凸パターン）の頂部上にのみ金属薄膜を形成し、当該金属薄膜をマスクとしてエッチングを行うことで微細凸構造体における凹部分に残存する樹脂膜（樹脂残膜）を選択的に除去し、基板の表面を露出させる場合を考える（特許文献２参照）。このとき、樹脂残膜を選択的に除去する方法として、ＣＨＦ₃によるＲＩＥ法を用いるとすると、微細凸パターンのうち、周囲のパターンから孤立したパターンが存在する場合、当該孤立パターン上の金属薄膜にはドライエッチングの際に電荷が蓄積された状態になる。そして、周囲のパターンが接地された状態にあると、孤立パターン上の金属薄膜から電荷を放出しようとして、孤立パターンが撓み、孤立パターンが倒れるようにして周囲のパターンに接触する場合がある。このとき、周囲のパターンに接触した孤立パターンは電荷を放出した後も倒れたままの状態となってしまう。

このような微細凸構造の倒れが生じると、所望とする製品が得られなくなり、製品の歩留まりの低下を引き起こすこととなるが、上述したような微細加工技術分野においてさらなる微細化や高アスペクト比の要求が高まっている現状において、特に微細凸構造の倒れの問題が顕著になってくる。

そこで、従来、ナノインプリントにより所定の形状（ライン形状、十字形状等）の微細凸構造を形成しようとする場合において、硬化した樹脂からインプリントモールドを引き離す方向（剥離方向）を微細凸構造の形状等に応じて制御することにより微細凸構造の倒れ（湾曲等の欠陥）を防止する技術や、表面張力を低下させたリンス液を用いることで、フォトリソグラフィーにより形成された微細凸構造の倒れを防止する技術等が提案されている（特許文献３，４等参照）。

米国特許第５，７７２，９０５号 特開２００９−１９４１７０号公報 特開２００７−２９６６８３号公報 特開２００７−２１３０１３号公報

上記特許文献３及び４に記載の発明は、微細凸構造体の形成時に微細凸構造が倒れてしまわないようにすることに主眼を置いたものであるが、いずれの発明においても微細凸構造の倒れを完全に防止することは困難であり、特に微細凸構造のさらなる微細化、高アスペクト比の要求が高まる中、微細凸構造の倒れを完全に防止することは極めて困難であるという問題がある。

上記特許文献３に記載の発明においては、インプリントモールドの剥離動作の制御により微細凸構造の倒れが防止され得るため、そのような剥離動作を実現可能な設備（インプリント装置等）が必要であるという問題がある。また、そのような設備を用いたとしても、当該剥離動作により倒れを防止し得る形状（ライン形状、十字形状等）の微細凸構造を有する微細凸構造体しか製造することができず、他の形状を有する微細凸構造体の製造には適さないという問題がある。すなわち、上記特許文献２に記載の発明は、汎用性に欠けるという問題がある。

また、特許文献４に記載の発明は、確かに微細凸構造の倒れを防止し得る方法ではあるものの、表面張力を完全にゼロにすることは不可能であるため、微細凸構造のアスペクト比が大きくなった場合や、寸法、ピッチ等の条件によっては、微細凸構造の倒れを防止することが困難となる場合があるという問題がある。

上述の問題に鑑みて、本発明は、微細凸構造を有する微細凸構造体の形成時に、意図せずして倒れてしまった微細凸構造を簡易に修正することのできる微細凸構造体の修正方法及び当該修正方法を用いた微細凸構造体の製造方法、並びに微細凸構造体の製造システムを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、平面部と当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体において、当該微細凸構造部が当該平面部に直交する方向に対し傾斜しているときに、当該微細凸構造部の傾斜を修正する方法であって、前記傾斜した微細凸構造部を有する前記微細凸構造体の、少なくとも前記傾斜した微細凸構造部に電荷を生じさせることにより、前記微細凸構造部の傾斜を修正することを特徴とする微細凸構造体の修正方法を提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、微細凸構造体における平面部と微細凸構造部とに同じ極性の電荷を生じさせるだけで、電気的反発力により微細凸構造部を平面部から遠ざける方向、すなわち傾斜している微細凸構造部が平面部に対する直交方向に突出するように、当該微細凸構造部を変形させることができるため、傾斜して（倒れて）しまった微細凸構造部を本来目的とする方向に突出させるように修正することができる。

なお、本発明において「平面部」とは、突出する微細凸構造部の基部となる面のことを意味し、平坦面であってもよいし、凹面、凸面、曲面等の非平坦面であってもよい。また、「平面部に直交する方向」とは、微細凸構造部を上方に、平面部を下方に位置させた微細凸構造体の側面視であって、一の方向からの側面視及び当該一の方向に直交する他の方向からの側面視のいずれにおいても、微細凸構造部の幅方向中心を通る線分（軸線）と平面部との交点を通る、平面部の接線に直交する方向を意味するものとし、平面部が非平坦面である場合においては、「平面部に直交する方向」は各微細凸構造部における当該方向を意味するものとする。

上記発明（発明１）においては、前記微細凸構造体を帯電させることが可能な雰囲気下に、当該微細凸構造体を存在させることにより前記微細凸構造体に電荷を生じさせてもよいし（発明２）、前記微細凸構造体を誘電分極又は静電誘導させることにより前記微細凸構造体に電荷を生じさせてもよい（発明３)。

上記発明（発明１〜３）においては、前記微細凸構造体における一部の領域に電荷を生じさせることにより、当該電荷が生じた領域における前記微細凸構造部の傾斜を修正するようにしてもよい（発明４）。

上記発明（発明１〜４）においては、前記微細凸構造体が、絶縁性材料により構成されていてもよいし（発明５）、前記微細凸構造体が、導電性材料を含む材料により構成されており、少なくとも前記微細凸構造体における一部の領域を電気的フローティング状態として、前記微細凸構造体に電荷を生じさせてもよい（発明６）。

また、本発明は、平面部と、当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体を形成する微細凸構造体形成工程と、前記微細凸構造体形成工程により形成された前記微細凸構造体において、前記微細凸構造部が前記平面部に直交する方向に対し傾斜している場合に、上記発明（発明１〜６）に係る微細凸構造体の修正方法を用いて前記微細凸構造部の傾斜を修正する微細凸構造部傾斜修正工程とを含むことを特徴とする微細凸構造体の製造方法を提供する（発明７）。

上記発明（発明７）においては、前記微細凸構造体形成工程により形成された前記微細凸構造部が、前記平面部に直交する方向に対し傾斜しているか否かを検知する傾斜検知工程をさらに含み、前記傾斜検知工程により前記微細凸構造部が傾斜していると判定された場合に、前記微細凸構造部傾斜修正工程を行うのが好ましい（発明８）。

さらに、本発明は、平面部と、当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体を形成する微細凸構造体形成部と、前記微細凸構造体形成部により形成された前記微細凸構造体において、前記微細凸構造部が前記平面部に直交する方向に対して傾斜している場合に、前記微細凸構造体に電荷を生じさせることにより前記微細凸構造部の傾斜を修正する傾斜修正部とを備えることを特徴とする微細凸構造体製造システムを提供する（発明９）。

本発明によれば、微細凸構造を有する微細凸構造体の形成時に、意図せずして倒れてしまった微細凸構造を簡易に修正することのできる微細凸構造体の修正方法及び当該修正方法を用いた微細凸構造体の製造方法、並びに微細凸構造体の製造システムを提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法を切断端面により示すフロー図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法における被修正物である微細凸状パターン形成体の他の例（その１）を示す切断端面図である。 図３（ａ）は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法における被修正物である微細凸状パターン形成体の他の例（その２）を示す切断端面図であり、図３（ｂ）は、当該微細凸状パターン形成体の他の例（その２）を示す斜視図である。 図４は、本発明の一実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法のうち、ナノインプリント法により微細凸状パターン形成体を形成する工程を示す切断端面図である。 図５は、本発明の一実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法のうち、フォトリソグラフィー法により微細凸状パターン形成体を形成する工程を示す切断端面図である。 図６は、本発明の一実施形態における微細凸状パターン形成体製造システムの概略構成を示すブロック図である。

本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法を切断端面により示すフロー図であり、図２は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法における被修正物である微細凸状パターン形成体の他の例（その１）を示す切断端面図であり、図３は、本発明の一実施形態に係るパターン修正方法における被修正物である微細凸状パターン形成体の他の例（その２）を示す切断端面図（図３（ａ））及び斜視図（図３（ｂ））である。

なお、本実施形態においては、修正対象となる微細凸状パターンとして、ピラー状の微細凸状パターンを例に挙げて説明するが、平面部から突出する凸状パターンである限り、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、ラインアンドスペース状の微細凸状パターンであってもよい。

本実施形態に係るパターン修正方法においては、平面部１１と、平面部１１から突出してなる微細凸状パターン（微細凸構造部）１２とを有する微細凸状パターン形成体（微細凸構造体）１における、当該微細凸状パターン１２が平面部１１に直交する方向ＣＤに対し傾斜してしまっている場合（図１（ａ）参照）、当該微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせる（図１（ｂ）参照）。すなわち、当該微細凸状パターン形成体１を帯電させる。

本実施形態に係るパターン修正方法において、修正対象となる微細凸状パターン１２は、ナノインプリント法やフォトリソグラフィー法による微細凹凸パターンの形成に一般的に用いられる樹脂材料（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の絶縁性樹脂材料；導電性樹脂材料等）により構成される。このような樹脂材料としては、例えば、オレフィン系、スチレン系、エチレン系、エステル系、チオフォエン系、アニリン系、ナイロン系、ポリエーテル系、ウレタン系、エポキシ系、フェノール系、アクリル系、ポリイミド系、ポリアセチレン系等の樹脂材料；ポリジメチルシロキサン、ポリシロキサン等のシリコーン樹脂；ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）、ポリフェニリンオキサイド、ポリフッ化ビニリデン、ポリサルフォン、ポリ乳酸、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、塩化ビニル等が挙げられる。

なお、導電性樹脂材料は、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等の樹脂材料に導電性を有する金属、炭素化合物、ヨウ素等の電子受容体又は電子供与体をドーピングすることにより得られるものである。かかる電子受容体又は電子供与体がドーピングされ得る樹脂材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリエステル、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン等が挙げられる。

また、微細凸状パターン１２が絶縁性樹脂材料により構成される場合に、当該微細凸状パターン１２の表面又はその頂上部に導電性を有する無機膜（例えば、クロム、ニッケル、チタン、シリコン、モリブデン、アルミニウム、タンタル、金、コバルト、銅、白金、パラジウム等の金属やそれらの少なくとも１種を含む合金；カーボン等）が形成されてなるものであってもよい。

本実施形態において、微細凸状パターン形成体１における微細凸状パターン１２の寸法（パターン幅）又はアスペクト比（パターン高さ／パターン幅）は、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせることで微細凸状パターン１２の傾斜を修正し得る程度の寸法又はアスペクト比である限り特に制限されるものではない。しかしながら、例えば、微細寸法（寸法１００ｎｍ以下程度）、かつ高アスペクト比（アスペクト比２．０以上程度）の微細凸状パターン１２であると、微細凸状パターン形成体１の形成時に微細凸状パターン１２が傾斜してしまわないように細心の注意を払ったとしても、当該微細凸状パターン１２の傾斜が生じてしまうことがある。

なお、上記微細凸状パターン１２の寸法（１００ｎｍ以下程度）は、上述した樹脂材料を用いてアスペクト比２．０の円柱ピラー状の微細凸状パターン１２を形成した場合において当該微細凸状パターン１２が傾斜してしまう寸法の一例であり、当該寸法１００ｎｍを超える微細凸状パターン１２に対してであっても、本実施形態に係るパターン修正方法を適用可能である。すなわち、微細凸状パターン１２の構造（円柱ピラー状、多角ピラー状、ライン状、Ｌ字状、十字状等の形状；アスペクト比等）や樹脂材料の種類等によっては、例えば、寸法１００ｎｍを超える微細凸状パターン１２であっても傾斜が生じてしまうことはあるし、その傾斜を修正することも可能である。

また、上記アスペクト比（２．０以上）についても同様であり、微細凸状パターン１２の構造（円柱ピラー状、多角ピラー状、ライン状、Ｌ字状、十字状等の形状；アスペクト比等）や樹脂材料の種類等によって、アスペクト比２．０未満の微細凸状パターン１２であっても傾斜が生じることはあるし、その傾斜を修正することも可能である。

例えば、フォトリソグラフィーにより微細凸状パターン１２を形成する場合、使用する現像液、リンス液の表面張力によって、微細凸状パターン１２にかかる応力が異なるため、アスペクト比によらずしても使用する樹脂材料によっては傾斜が生じることはある。

このことはナノインプリントにおいても同様である。例えば、モールドと硬化した樹脂との界面に対して垂直方向に剥離を実施する場合、モールドの全面が同時に樹脂から離れるわけではなく、モールドと樹脂との剥離は、モールドにおける樹脂との接触面外周から生じ、当該接触面中心に向かって進行する。すなわち、モールドの剥離時には、モールド及び樹脂の間にギャップが生じ、モールド及び樹脂（基板）に撓みが生じることになる。よって、モールドと樹脂との接触面積が小さければ、樹脂から離れ始めるモールドの外周から当該外周に最近傍の微細凸状パターン１２までの距離が短いために、モールドや硬化した樹脂（基板）の撓み量が小さく、当該撓み量に応じて微細凸状パターン１２にかかる面内方向の応力を無視することができるが、当該接触面積が大きくなると当該応力を無視することができなくなり、アスペクト比が２．０未満の微細凸状パターン１２であっても、アスペクト比のさらに小さい微細凹凸パターン１２（例えば、アスペクト比１．５未満）であっても傾斜が生じることがある。

このように、微細凸状パターン１２の構造やそれを構成する樹脂材料の種類等により本実施形態に係るパターン修正方法を適用可能な微細凸状パターン１２の寸法、アスペクト比は変動するものの、少なくとも微細凸状パターン１２が自立可能な構造及び樹脂材料等によって構成されている場合において、本実施形態に係るパターン修正方法を用いることで、特に効果的に当該微細凸状パターン１２の傾斜を修正することができる。

本実施形態において、平面部１１は、ナノインプリント法により基板１３上に微細凸状パターン形成体１を形成する場合にモールドの凹状パターン以外の部分に相当する部分として基板１３上に残存する樹脂残膜により構成される（図１（ａ）参照）。なお、フォトリソグラフィー法により微細凸状パターン形成体１を形成した場合には、図２に示すように、微細凸状パターン１２が形成されている基板（例えば、シリコン基板、金属基板、ガラス基板、石英基板等）１３が上記平面部１１として構成される。また、熱ナノインプリントにてフィルム状又は板状の樹脂材料に直接微細凸状パターン１２を形成する場合には、微細凸状パターン１２以外の部分として残存する樹脂材料により平面部１１が構成される。

平面部１１が基板１３上に残存する樹脂残膜として構成される場合、当該平面部１１の厚さは、平面部１１の表面に電荷を生じさせ得る程度の厚さであれば特に制限されるものではない。ナノインプリント法により基板１３上に形成される微細凸状パターン形成体１が、例えば、基板１３をエッチングするためのマスクとして用いられるものである場合、一般に、基板１３のエッチング工程の前処理としてのアッシング工程等により、基板１３上に残存する樹脂残膜は除去されるが、樹脂残膜のアッシングに伴い、微細凸状パターン１２が変形したり、微細凸状パターン１２の寸法が変化したりすることがあり、それによりエッチング工程における基板１３の加工精度が低下してしまうことがある。そのような弊害を是正するために、ナノインプリント法において形成した微細凸状パターン形成体１を基板１３のエッチング時のマスクとして用いる場合には、樹脂残膜の厚さを極めて薄くすることが望まれている。

したがって、平面部１１が基板１３上の樹脂残膜により構成される場合において、その樹脂残膜（平面部１１）の厚さは、樹脂残膜の除去に伴う微細凸状パターン１２の変形や寸法変化等に対する影響を考慮しつつ、樹脂残膜（平面部１１）の表面に効果的に電荷を生じさせ得る程度の厚さであるのが望ましい。

なお、樹脂残膜により構成される平面部１１が、微細凸状パターン１２の傾斜を修正困難な程度にしか帯電できない厚さを有するものであったとしても、図１に示すように、基板１３上に微細凸状パターン形成体１が製造される場合、当該基板１３が絶縁性基板であるか、導電性基板であっても接地されていない状態であれば、当該平面部１１よりも有意に厚い基板１３に帯電するため、帯電した基板１３と微細凸状パターン１２との間の電気的反発力を利用して、微細凸状パターン１２の傾斜を修正することができる。

一方で、基板１３が導電性基板であって、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせるときにおいて接地されている状態であると、平面部１１の厚さが極めて薄い場合には、平面部１１に生じた電荷の一部が基板１３側に逃げてしまうことがある。このような場合には、微細凸状パターン１２及び平面部１１が、導電性基板１３に逃げてしまう電荷を差し引いたとしても充分に電荷を保持できる状態であるのが好ましい。具体的には、平面部１１を構成する樹脂材料が誘電率の高いものであるのが好ましく、平面部１１の厚さ及び面積（基板１３との接触面における面積）が可能な限り大きいのが好ましい。

なお、本実施形態に係るパターン修正方法においては、微細凸状パターン形成体１を帯電させることにより、微細凸状パターン１２と平面部１１との間のみならず、隣接する微細凸状パターン１２，１２間にも電気的反発力が作用し、その結果として微細凸状パターン１２の傾斜が修正される。そのため、微細凸状パターン形成体１における隣接する微細凸状パターン１２，１２の間隔が離れすぎていると、それらの間で効果的に電気的反発力を作用させることが困難となるおそれがある。したがって、本実施形態において、隣接する微細凸状パターン１２，１２の間隔は、微細凸状パターン１２の傾斜を修正可能な程度の電気的反発力が当該隣接する微細凸状パターン１２，１２の間で作用するような間隔であるのが好ましく、特に、微細凸状パターン１２の高さが隣接する微細凸状パターン１２，１２の間隔よりも小さい場合には、当該間隔は、微細凸状パターン１２の寸法（幅）の２倍以下程度であるのが好ましい。なお、当該間隔が微細凸状パターン１２の寸法の２倍未満である場合、微細凸状パターン１２と平面部１１との間に作用する電気的反発力のみによって当該微細凸状パターン１２の傾斜が修正されることになる。

微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせる方法としては、平面部１１の表面と微細凸状パターン１２の表面とに同じ極性の電荷を生じさせることのできる方法であれば特に制限はなく、例えば、プラズマ発生装置や、ドライエッチング装置等を用い、プラズマ雰囲気等の微細凸状パターン形成体１を帯電させることが可能な雰囲気下に当該微細凸状パターン形成体１を存在させることで、平面部１１及び微細凸状パターン１２の表面に同じ極性の電荷（例えばマイナス電荷）を与える方法；電界発生装置等により発生した電界中に微細凸状パターン形成体１を存在させ、微細凸状パターン形成体１の誘電分極又は静電誘導により平面部１１及び微細凸状パターン１２の表面に同じ極性の電荷（マイナス電荷又はプラス電荷）を偏在させる方法等が挙げられる。これら方法の選択は、既に述べたように微細凸状パターン１２の厚さや樹脂材料の種類等に応じて適宜設定すればよい。なお、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせる方法として、ドライエッチング装置を用いて形成したプラズマ雰囲気下に微細凸状パターン形成体１を存在させる方法を選択した場合、微細凸状パターン形成体１（特に、樹脂残膜や基板１３等）が実質的にエッチングされない程度の出力（例えば、ドライエッチング装置を用いてドライエッチング処理を行うときに、基板１３の所望のエッチングレートが得られるプラズマ出力の８０％以下程度、好ましくは５０〜７０％程度の出力）にてプラズマ雰囲気が形成されるようにし、所望により微細凸状パターン形成体１が載置された電極に高周波電流が印加されないようにする（微細凸状パターン形成体１側にプラズマ中の陽イオンが引き込まれ難いようにする）のが好ましい。これにより、プラズマ雰囲気中にて微細凸状パターン形成体がエッチングされることなく、当該微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせることができる。

また、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせることを目的とするならば、微細凸状パターン形成体１の存在する雰囲気下に高密度の電荷を一時的に発生させることも効果的である。しかし、高密度の電荷を発生させる条件は、例えば、上記プラズマ出力を一時的に上昇させる等、基板１３等がエッチングされやすい条件と等価又は近しい状態であるために、例えば、プラズマ出力時間の短縮や、基板１３側へイオンを引き込むためのバイアス電圧を下げる（例えば、基板１３に電気的に接続されている引き込み電極の出力を下げる）、基板１３等のエッチング時に用いるエッチャントとは種類の異なる、基板１３等のエッチングレートのより低いエッチャントを用いる等、基板１３等のエッチングされる量が無視可能な程度に収まるような高密度の電荷を生じさせる条件を設定する必要がある。

微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせる際には、微細凸状パターン１２及び平面部１１の表面に、電気的反発力により微細凸状パターン１２の傾斜を修正可能な程度の電荷量の電荷を生じさせる。微細凸状パターン１２の傾斜を修正可能な程度の電荷量は、微細凸状パターン１２の寸法やアスペクト比、微細凸状パターン１２を構成する材料の物性（例えば、弾性率等）、微細凸状パターン１２の傾斜の程度（傾斜角度）、隣接する微細凸状パターン１２，１２の間隔等に応じて適宜設定され得る。

なお、微細凸状パターン１２及び平面部１１が導体（例えば、導電性高分子、金属材料等）により構成されている場合、又は微細凸状パターン１２は絶縁体により構成されているが、平面部１１が導体により構成されている場合において、例えば、導体により構成される微細凸状パターン１２や平面部１１が接地されていると、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせるべく当該微細凸状パターン形成体１をプラズマ雰囲気下に存在させたとしても、微細凸状パターン１２や平面部１１の表面に電荷を生じさせる（帯電させる）ことができない。そのため、このような場合には、微細凸状パターン形成体１の一部の領域（例えば、微細凸状パターン１２の傾斜を修正する対象となる領域（修正対象領域））又は微細凸状パターン形成体１全体が、電気的フローティング状態（電気的に接続されていない状態，接地されていない状態）にされている必要がある。

微細凸状パターン形成体１の一部の領域を電気的フローティング状態にする方法としては、例えば、微細凸状パターン形成体１（微細凸状パターン１２及び平面部１１）が導電性高分子により構成されていて、当該微細凸状パターン形成体１がガラス基板等の絶縁性基板１３上に設けられている場合において、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、修正対象領域ＴＡと他の領域ＯＡとを、スリット１４を介して分断する方法等が挙げられる。このようにして他の領域ＯＡは接地された状態とすることで、修正対象領域ＴＡのみに電荷を生じさせ、その修正対象領域ＴＡ内の微細凸状パターン１２のみ傾斜の修正が可能となる。

なお、フォトリソグラフィー法により形成された微細凸状パターン形成体１において、平面部１１としての基板１３が金属基板のような導体である場合、当該基板１３を絶縁シート上に載置する等、電気的フローティング状態にすることで、導体である金属基板１３にも帯電させることができる。

上述のようにして平面部１１及び微細凸状パターン１２の表面に同じ極性の電荷（例えば、マイナス電荷）を生じさせることで、微細凸状パターン１２と平面部１１との間や隣接する微細凸状パターン１２，１２間における電気的反発力により、微細凸状パターン１２が平面部１１から離間する方向に変形する（図１（ｃ）参照）。すなわち、傾斜している微細凸状パターン１２が、平面部１１に直交する方向に向かって立ち上がるようにして変形する。これにより、微細凸状パターン１２の傾斜が修正されることになる。

最後に、微細凸状パターン形成体１に生じさせた電荷を放出させる（図１（ｄ））。微細凸状パターン形成体１が電荷を有した状態のままであると、様々な悪影響が生じるおそれがある。例えば、電荷を有した状態のままであると、周辺環境に存在する微細な異物が引き寄せられやすくなり、それらが微細凸状パターン形成体１に付着してしまい、後に基板１３上の微細凸状パターン形成体１をマスクとして当該基板１３をエッチングする際に、エッチング精度が低下するおそれがある。また、ナノインプリントにより形成された、所定の樹脂材料等からなる平面部１１と微細凸状パターン１２とを有する微細凸状パターン形成体１がそのまま最終製品（例えば、細胞培養シート、メタマテリアル、親水性膜、撥水性膜等）となる場合には、微細凸状パターン形成体１に付着した異物が有する特性等により、所定の機能が奏されないおそれがある。さらに、電荷（静電気）により微細凸状パターン１２に欠損が生じるおそれがある。したがって、微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させることで、上述したような微細凸状パターン形成体１の帯電による悪影響が生じるのを抑制することができる。

微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させる方法としては、特に限定されるものではない。例えば、図１（ｂ）に示す工程において、微細凸状パターン形成体１をプラズマ雰囲気下に存在させることによりその表面に電荷を生じさせた場合には、当該微細凸状パターン形成体１表面に導体を接触させることにより電荷を放出させる方法、微細凸状パターン形成体１の表面に生じている電荷と逆の極性を有する電荷を与えることにより微細凸状パターン形成体１の表面の電荷を中和する方法等が挙げられる。また、図１（ｂ）に示す工程において、微細凸状パターン形成体１を誘電分極又は静電誘導させることによりその表面に電荷を生じさせた場合には、電界中に載置されている微細凸状パターン形成体１を当該電界中から取り出すことにより当該微細凸状パターン形成体１中の電荷の偏在を解消する方法等が挙げられる。

なお、微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させてしまうと、電荷を生じさせることにより傾斜を修正した微細凸状パターン１２が再び傾斜してしまうような場合（元の状態に戻ってしまうような場合）には、上述した放電工程（図１（ｄ））を省略してもよい。特に、微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させることによる上記悪影響が生じない、又は上記悪影響の生じる可能性の極めて低い環境下にあって、微細凸状パターン形成体１が帯電したままの状態であっても次工程を実施可能であるならば、微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させる必要はなく、上述した放電工程（図１（ｄ））を省略してもよい。例えば、傾斜した微細凸状パターン１２を修正した後にドライエッチング工程を実施するような場合にあっては、図１（ｂ）に示す工程において、ドライエッチング装置を用い、実質的にエッチング量を無視することができる程度又はエッチングされない程度にプラズマ出力を調整し、所望により微細凸状パターン形成体１が載置される電極に高周波電流を印加することなく、微細凸状パターン形成体１をプラズマ雰囲気下に存在させることで微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせ、それにより傾斜した微細凸状パターン１２を修正する（図１（ｃ）参照）。そして、プラズマ雰囲気下に存在する微細凸状パターン形成体１から電荷を放出させることなく、そのままの状態でプラズマの出力を増大させ、所望により微細凸状パターン形成体１が載置される電極に高周波電流を印加して、ドライエッチング工程を実施してもよい。このような方法であれば、微細凸状パターン１２の傾斜を修正しつつ、そのまま次工程であるドライエッチング工程を実施することができ、スループットの向上を図ることができるため好ましい。換言すると、本実施形態に係るパターン修正方法を一工程として含むドライエッチング方法によれば、ドライエッチング方法による基板加工のスループットを改善・向上させることができる。

上述した本実施形態に係るパターン修正方法によれば、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせるだけで、微細凸状パターン１２の傾斜を簡易に修正することができるため、微細凸状パターン形成体１からなる製品（例えば、細胞培養シート、メタマテリアル、親水性膜、撥水性膜等）を高精度で得ることができ、また当該微細凸状パターン形成体１をマスクとするエッチング工程等により得られる製品の歩留まりを向上させることができる。

〔微細凸状パターン形成体の製造方法〕
本実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法は、微細凸状パターン形成体１を形成する工程（形成工程）と、上述した本実施形態に係るパターン修正方法（図１参照）を用いて微細凸状パターン１２の傾斜を修正する工程（修正工程）とを含む。

微細凸状パターン形成体１を形成する工程は、ナノインプリント法により微細凸状パターン形成体１を製造する場合、インプリント用樹脂膜１５が形成されてなる所定の基板１３を用意し（図４（ａ）参照）、当該基板１３上のインプリント用樹脂膜１５に、微細凹状パターンを有するインプリント用モールド２１を押圧し、その状態で当該インプリント用樹脂膜１５を硬化させる転写工程（図４（ｂ）参照）と、硬化したインプリント用樹脂膜１５からインプリント用モールド２１を剥離する離型工程（図４（ｃ）参照）とを含む。なお、熱ナノインプリント法により微細凸状パターン形成体１を製造する場合、基板１３を用いることなくフィルム状又は板状の樹脂材料に直接インプリント用モールド２１を押圧し、当該樹脂材料を硬化させてもよい。

一方、フォトリソグラフィー法により微細凸状パターン形成体１を製造する場合、上記微細凸状パターン形成体１を形成する工程は、フォトレジスト膜１６が形成されてなる所定の基板１３を用意し（図５（ａ）参照）、当該基板１３上のフォトレジスト膜１６を、所定開口パターン２２ａ及び遮光パターン２２ｂを有するフォトマスク２２を介して露光する露光工程（図５（ｂ）参照）と、露光されたフォトレジスト膜１６を、所望の現像液を用いて現像する現像工程（図５（ｃ）参照）と、その後純水等のリンス液を用いてリンスするリンス工程とが含まれる。

上述したように、微細凸状パターン１２を有する微細凸状パターン形成体１を形成することができるが、例えば、ナノインプリント法における離型工程において、インプリント用モールド２１の凹状パターン内壁とインプリント用樹脂膜１５（微細凸状パターン１２）との付着等により当該微細凸状パターン１２が引っ張られたり、インプリント用モールド２１がインプリント用樹脂膜１５に対する直交方向よりも傾いた方向に引き上げられたりすること等により、傾斜した微細凸状パターン１２が形成されてしまうことがある（図４（ｃ）参照）。また、フォトリソグラフィー法における現像工程（図５（ｃ）参照）やリンス工程後、現像液やリンス液の乾燥時に生じる表面張力の影響等により、隣接する微細凸状パターン１２が倒れてしまうことがある。特に、形成された微細凸状パターン形成体１において、微細凸状パターン１２が上述したような寸法やアスペクト比を有するような場合には、微細凸状パターン１２の倒れが顕著に生じるおそれがある。

このような場合に、上述した本実施形態に係るパターン修正方法（図１参照）を用いて、微細凸状パターン１２の傾斜を修正する。これにより、傾斜した微細凸状パターン１２を、平面部１１に対する直交方向に立設させるように修正することができるため、平面部１１に対する略直交方向に突出してなる微細凸状パターン１２を有する微細凸状パターン形成体１を高精度に製造することができる。

なお、微細凸状パターン１２が平面部１１に対する略直交方向に突出するとは、微細凸状パターン１２を上方に、平面部１１を下方に位置させた微細凸状パターン形成体１の一の方向からの側面視及び当該一の方向に直交する他の方向からの側面視のいずれにおいても、微細凸状パターン１２の底部（平面部１１に接する部分）の幅方向中心と、微細凸状パターン１２の頂部の幅方向中心とを通る線分（微細凸状パターン１２の軸線）の、平面部１１に対するなす角度が実質的に９０°であることを意味し、当該平面部１１に対するなす角度は、微細凸状パターン形成体１の用途（リソグラフィー用マスク等の用途）等に依存する許容範囲内にあればよく、具体的には９０°±１０°以内であればよい。

なお、本実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法において、形成した微細凸状パターン形成体１の微細凸状パターン１２が意図せずして傾斜してしまった場合に本実施形態に係るパターン修正方法（図１参照）を用いて微細凸状パターン１２の傾斜を修正することに鑑みると、上記微細凸状パターン形成体１を形成する工程、特に図４（ａ）〜（ｃ）に示すようにナノインプリント法により微細凸状パターン形成体１を形成する際に、隣接する微細凸状パターン１２，１２の間隔が所定の範囲（微細凸状パターン１２の高さの２倍以下）となるように、また平面部１１としての樹脂残膜の厚さが所定の厚さ（平面部１１の表面に効果的に電荷を生じさせ得る程度）となるように微細凸状パターン形成体１を形成するのが好ましい。

本実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法においては、微細凸状パターン形成体１の形成後、微細凸状パターン１２が傾斜しているか否かを検知する工程（検知工程）をさらに含み、当該検知工程において微細凸状パターン１２が傾斜していると検知された微細凸状パター形成体１のみに、本実施形態に係るパターン修正方法を適用するようにしてもよい。このようにすることで、微細凸状パターン形成体１の製造効率を向上させることができる。

この場合において、微細凸状パターン１２が傾斜しているか否かを検知する方法としては、例えば、形状を観察し評価する方法、形状の変化により得られる情報から傾斜の有無を判断する方法等が挙げられる。

具体的には、微細凸状パターン形成体１をその上面又は側面からレーザー顕微鏡やＳＥＭ等を用いて撮像して、微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判断したり、ＡＦＭ等を用いて微細凸状パターン形成体１に探針を近接又は接触させ、微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判断したりすることができる。一方、光学顕微鏡を用いると、微細凸状パターン１２に応答する分解能が十分ではなく、各微細凸状パターン１２を識別することは難しいが、微細凸状パターン１２が正常に形成されている（傾斜していない）又はその傾斜が修正されたことが分かっている領域の画像と比較したり、そのような領域を同一解像度にて撮像した画像と比較したりすることで、当該画像のコントラストや色味等の光学特性の違いにより微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判断することもできるし、透過率、屈折率、反射率等の測定データに基づいて微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判断してもよく、さらにはこれらの方法を組み合わせて用いてもよい。

上述した本実施形態における微細凸状パターン形成体の製造方法によれば、微細凸状パターン形成体１の製造過程において意図せずして傾斜してしまった微細凸状パターン１２を容易に修正することができるため、平面部１１に対する略直交方向に立設してなる微細凸状パターン１２を有する微細凸状パターン形成体１を高精度に製造することができる。その結果、当該微細凸状パターン形成体１からなる製品（例えば、細胞培養シート、メタマテリアル、親水性膜、撥水性膜等）を高精度で得ることができ、また当該微細凸状パターン形成体１をマスクとするエッチング工程等により得られる製品の歩留まりを向上させることができる。

〔微細凸状パターン形成体製造システム〕
続いて、上述した微細凸状パターン形成体の製造方法を実施し得るシステムについて説明する。図６は、本実施形態における微細凸状パターン形成体製造システムの概略構成を示すブロック図である。

図６に示すように、本実施形態における微細凸状パターン形成体製造システム３０は、微細凸状パターン形成体１を製造する製造部３１と、製造部３１において製造された微細凸状パターン形成体１の微細凸状パターン１２が傾斜しているか否かを検知する検知部３２と、検知部３２により傾斜していると検知された微細凸状パターン形成体１の微細凸状パターン１２の傾斜を修正する修正部３３とを有する。

製造部３１は、微細凸状パターン形成体１を製造するために一般的に用いられる単一の装置又は複数の装置群により構成される。例えば、ナノインプリント法により微細凸状パターン形成体１を製造する製造部３１としては、モールド保持部、基板ステージ、インプリントチャンバー等を備える光ナノインプリント装置や熱ナノインプリント装置；ベルト状又は回転体状ナノインプリント用モールドを用い、長尺シート状の被転写体（樹脂シート）を搬送しながら、ベルト状又は回転体状ナノインプリント用モールドを当該被転写体に押圧することで微細凸状パターン形成体１を製造し得るシートナノインプリント装置等が挙げられる。特に、シートナノインプリント装置を用いて微細凸状パターン形成体１を製造すると、ベルト状又は回転体状ナノインプリント用モールドが被転写体（樹脂シート）から引き離される際に、微細凸状パターン１２に面内方向の力が加わる（微細凸状パターン１２が被転写体（樹脂シート）の搬送方向と反対の方向に引っ張られる）ため、微細凸状パターン１２の倒れが生じやすくなる。特に微細凸状パターン１２の寸法が小さくなり、アスペクト比が大きくなると、微細凸状パターンの倒れが顕著に生じやすくなる。したがって、かかるシートナノインプリント装置を用いて製造された微細凸状パターン形成体１における微細凸状パターン１２の傾斜を修正する方法として、本実施形態に係るパターン修正方法は特に好適な方法であると言える。

また、フォトリソグラフィー法により微細凸状パターン形成体１を製造する製造部３１としては、例えば、所定のフォトマスクを介して基板上のフォトレジスト膜を露光する露光装置と、露光装置により露光された基板上のフォトレジスト膜を所定の現像液により現像する現像装置とを含むフォトリソグラフィー装置等が挙げられる。

検知部３２としては、微細凸状パターン１２の傾斜の有無を検知し得るものである限り、特にその装置構成に制限はなく、例えば、撮像装置及び制御装置を有し、撮像装置にて微細凸状パターン形成体１をその上面又は側面から撮影し、撮像データに基づいて制御装置により微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判別するものであってもよいし、撮像装置にて微細凸状パターン形成体１に起因する光学特性を計測し、計測値に基づいて制御装置により微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判別するものであってもよい。

修正部３３としては、微細凸状パターン形成体１に電荷を生じさせ、微細凸状パターン１２の傾斜を修正し得るものである限り、特にその装置構成に制限はなく、例えば、プラズマチャンバーを有するプラズマ発生装置、プラズマ発生装置を有するドライエッチング装置、電界発生装置等が挙げられる。

なお、製造部３１がシートナノインプリント装置からなる場合、修正部３３よりも上流側に製造部３１により製造された、長尺シート状の微細凸状パターン形成体１を所定の大きさに切断する切断装置を有していてもよい。この場合において、検知部３２により微細凸状パターン１２が傾斜していると判断された場合に、製造部３１により製造された長尺シート状の微細凸状パターン形成体１における当該傾斜部位を含む所定の大きさ部分のみが切断装置により切断され、当該切断された部分のみが修正部３３に搬送されるようにしてもよい。

上述した構成を有する微細凸状パターン形成体製造システム３０において、製造部３１にて製造された微細凸状パターン形成体１が、検知部３２に搬送され、検知部３２にて当該微細凸状パターン形成体１における微細凸状パターン１２の傾斜の有無が検知される。このとき、微細凸状パターン１２が傾斜していると検知部３２にて判断された場合には、当該微細凸状パターン形成体１は修正部３３に搬送され、修正部３３にて上述した本実施形態に係るパターン修正方法を用いて微細凸状パターン１２の傾斜が修正される。これにより、平面部１１と平面部１１に対する略直交方向に立設してなる微細凸状パターン１２とを有する微細凸状パターン形成体１を製造することができる。

このように、本実施形態における微細凸状パターン形成体製造システム３０によれば、製造部３１にて製造された微細凸状パターン形成体１において、意図せずして微細凸状パターン１２が傾斜してしまった場合においても、修正部３３にて当該微細凸状パターン１２の傾斜を簡易に修正することができる。その結果として、平面部１１に対する略直交方向に立設してなる微細凸状パターン１２を有する微細凸状パターン形成体１を容易に、かつ高精度に製造することができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態における微細凸状パターン形成体製造システムは、微細凸状パターン１２の傾斜を検知する検知部３２を有しているものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、当該検知部３２を有していなくてもよい。

また、上記実施形態の微細凸状パターン形成体の製造方法又は製造システムにおける検知工程又は検知部３２において、微細凸状パターン１２の傾斜角度（微細凸状パターン形成体１の側面視（一の方向及びそれに直交する他の方向からの側面視）において、平面部１１の直交方向に対する微細凸状パターン１２の軸線のなす角度）に基づいて、当該微細凸状パターン１２の傾斜の有無を判断し、所定の傾斜角度以上の微細凸状パターン１２（当該微細凸状パターン１２を含む所定の領域）を特定するようにしてもよい。

さらに、上記実施形態においては、微細凸状パターン形成体の製造方法における修正工程にて微細凸状パターン１２の傾斜の修正処理が施された微細凸状パターン形成体１について、当該傾斜が修正されたか否かを確認する工程をさらに含むものであってもよい。この場合において、上記検知工程と同様の方法により傾斜が修正されたか否かを確認することができる。また、上記実施形態における微細凸状パターン形成体製造システム３０においては、修正部３３にて修正処理が施された微細凸状パターン形成体１を検知部３２に搬送し、検知部３２にて微細凸状パターン１２の傾斜が修正されたか否かを確認すればよい。

上記実施形態においては、傾斜の修正対象となる微細凸状パターン１２は、平面部１１の直交方向に突出することを目的として形成されるものであるため、平面部１１に対する略直交方向に突出させるように、傾斜する微細凸状パターン１２を修正している。しかしながら、目的とする微細凸状パターン形成体における微細凸状パターンが所定の角度で傾斜してなるものの場合であって、当該所定の角度よりも傾斜してしまっている場合においても、本発明を適用することができる。言い換えると、微細凸状パターン形成体における微細凸状パターンの平面部からの突出角度（微細凸状パターンを上方に、平面部を下方に位置させた微細凸状パターン形成体の側面視において、微細凸状パターンの幅方向中心を通る線分（軸線）と平面部との交点を通る平面部の接線に対する当該軸線のなす角度）が、本来目的とする角度よりも傾斜してしまっている場合に、当該微細凸状パターンの突出角度を本来目的とする角度に修正するためにも、本発明を適用することができる。

例えば、突出角度が７０°の微細凸状パターン１２を有する微細凸状パターン形成体１を製造しようとしたところ、得られた微細凸状パターン形成体１における微細凸状パターン１２の突出角度が３０°であった場合、当該微細凸状パターン１２に電荷を生じさせるとともに生じさせる電荷量を制御することで、突出角度を７０°にするように修正することができる。なお、微細凸状パターン１２が所定の角度で傾斜する微細凸状パターン形成体１をナノインプリントにより製造する方法としては、微細凹状パターンを有するインプリントモールドであって、当該微細凹状パターンの側壁が微細凸状パターン１２の突出角度に対応する角度に傾斜する傾斜面により構成されるインプリントモールドを用いる方法を例示することができる。また、当該微細凸状パターン形成体をフォトリソグラフィーにより製造する方法としては、感光性レジストに対する露光光（ＵＶ、電子線等）の入射角を制御する方法を例示することができる。

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
石英基板１３の一方面上に、紫外線硬化性樹脂材料を用いたＵＶナノインプリントにより、縦３個、横３個の正方格子状に配列されてなるピラー形状の微細凸状パターン１２（寸法：３０ｎｍ、アスペクト比：１．５、隣接する微細凸状パターン１２間のピッチ：５０ｎｍ）を形成し、微細凸状パターン形成体１を作製した。なお、石英基板１３上の微細凸状パターン１２の周囲には、当該微細凸状パターン１２と同一の高さの樹脂膜（最近接の微細凸状パターン１２から２０ｎｍ離間している）を上記微細凸状パターン１２と同時に形成し、次に、微細凸状パターン１２の上面及び樹脂膜Ｍの上面にＣｒ膜（厚さ：１０ｎｍ）を成膜した。

上記のようにして５個の微細凸状パターン形成体１を作成し、各微細凸状パターン形成体１をＳＥＭにて確認したところ、すべての微細凸状パターン形成体１において微細凸状パターン１２の倒れが確認された。

上記微細凸状パターン１２の倒れの生じた微細凸状パターン形成体１について、ＩＣＰ−ＲＩＥを用いたドライエッチング処理を施した。かかるドライエッチング処理において、まず紫外線硬化性樹脂、Ｃｒ及び石英がエッチングされない程度のＩＣＰの出力（目的とする石英のエッチングレートが得られるようなＩＣＰの出力の６０％）としてプラズマ雰囲気を形成し、微細凸状パターン形成体１を載置した電極に高周波電流を印加することなく、１０秒間プラズマ雰囲気下に微細凸状パターン形成体１を存在させ、次いで目的とする石英のエッチングレートが得られるようなＩＣＰの出力に上げた。

上記のようにしてドライエッチング処理を施した後の石英基板１３をＳＥＭにて観察したところ、微細凸状パターン１２の倒れが反映されることなく、直立したピラーパターンが形成されていることが確認された。

〔比較例１〕
ドライエッチング処理を通じて、ＩＣＰの出力を目的とする石英のエッチングレートが得られるような出力とした以外は、実施例１と同様の方法により作製した微細凸状パターン形成体１にドライエッチング処理を施した。このようにしてドライエッチング処理を施した後の石英基板１３をＳＥＭにて観察したところ、微細凸状パターン１２の倒れが反映された状態で石英基板１３がドライエッチングされていることが確認された。

上記実施例１及び比較例１の結果から明らかなように、実施例１のように、ドライエッチング処理において紫外線硬化性樹脂、Ｃｒ膜及び石英基板１３がエッチングされない程度にＩＣＰの出力を下げることで、微細凸状パターン形成体１（微細凸状パターン１２）に電荷を生じさせることができ、その結果として生じる電気的反発力により微細凸状パターン１２を直立させるように修正することができたために、その状態のままＩＣＰの出力を上げてドライエッチング処理を施すことで、石英基板１３に直立したピラーパターンを形成することができたと推察される。

本発明は、ナノインプリント法やフォトリソグラフィー法による微細凸構造体（微細凸状パターン形成体）の製造に有用である。

１…微細凸状パターン形成体（微細凸構造体）
１１…平面部
１２…微細凸状パターン（微細凸構造部）
３０…微細凸状パターン形成体製造システム（微細凸構造体製造システム）
３１…製造部（微細凸構造体形成部）
３３…修正部（傾斜修正部）

Claims (9)

1. 平面部と当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体において、当該微細凸構造部が当該平面部に直交する方向に対し傾斜しているときに、当該微細凸構造部の傾斜を修正する方法であって、
   前記傾斜した微細凸構造部を有する前記微細凸構造体の、少なくとも前記傾斜した微細凸構造部に電荷を生じさせることにより、前記微細凸構造部の傾斜を修正することを特徴とする微細凸構造体の修正方法。
2. 前記微細凸構造体を帯電させることが可能な雰囲気下に、当該微細凸構造体を存在させることにより前記微細凸構造体に電荷を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の微細凸構造体の修正方法。
3. 前記微細凸構造体を誘電分極又は静電誘導させることにより前記微細凸構造体に電荷を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の微細凸構造体の修正方法。
4. 前記微細凸構造体における一部の領域に電荷を生じさせることにより、当該電荷が生じた領域における前記微細凸構造部の傾斜を修正することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の微細凸構造体の修正方法。
5. 前記微細凸構造体が、絶縁性材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の微細凸構造体の修正方法。
6. 前記微細凸構造体が、導電性材料を含む材料により構成されており、
   少なくとも前記微細凸構造体における一部の領域を電気的フローティング状態として、前記微細凸構造体に電荷を生じさせることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の微細凸構造体の修正方法。
7. 平面部と、当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体を形成する微細凸構造体形成工程と、
   前記微細凸構造体形成工程により形成された前記微細凸構造体において、前記微細凸構造部が前記平面部に直交する方向に対し傾斜している場合に、請求項１〜６のいずれかに記載の微細凸構造体の修正方法を用いて前記微細凸構造部の傾斜を修正する微細凸構造部傾斜修正工程と
   を含むことを特徴とする微細凸構造体の製造方法。
8. 前記微細凸構造体形成工程により形成された前記微細凸構造部が、前記平面部に直交する方向に対し傾斜しているか否かを検知する傾斜検知工程をさらに含み、
   前記傾斜検知工程により前記微細凸構造部が傾斜していると判定された場合に、前記微細凸構造部傾斜修正工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の微細凸構造体の製造方法。
9. 平面部と、当該平面部から突出してなる微細凸構造部とを有する微細凸構造体を形成する微細凸構造体形成部と、
   前記微細凸構造体形成部により形成された前記微細凸構造体において、前記微細凸構造部が前記平面部に直交する方向に対して傾斜している場合に、前記微細凸構造体に電荷を生じさせることにより前記微細凸構造部の傾斜を修正する傾斜修正部と
   を備えることを特徴とする微細凸構造体製造システム。

Images