JP2014036047A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の所望の箇所に反射部材を被覆し、発光素子からの光を効率よく外部に取り出すことができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第１の導電部材と、第１の導電部材と絶縁された第２の導電部材を有する基体を準備する工程と、発光素子を第１の導電部材に載置する工程と、基体を媒質中に配置させる工程と、第１の導電部材には電圧を印加せず、第２の導電部材に電圧を印加することにより、反射部材を第２の導電部材に堆積させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用可能な発光装置の製造方法に関する。

近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。特に、一般照明分野、車載分野等で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力化、高輝度化、高信頼性が要求されている。さらに、これらの特性を満たしつつ、光学系との相性が良い点光源も要求されている。

このような発光装置の更なる高出力化を実現するために、例えば、特許文献１には、発光素子を実装する基体表面に反射部材を塗布する方法が知られている。しかし、この方法では粉体の塗布、または粉体と樹脂の混合物の塗布であるため、形成性に問題が残る。

これに対して、例えば、特許文献２には、発光素子を実装する導電部材の表面を電着法または静電塗装により反射部材で被覆する方法が知られている。しかし、この方法では発光素子の側面の一部を導電部材で被覆させるため、覆われた側面部分からは直接光を取り出すことができない。

特開２００９−２１２１３４号公報 国際公開第２０１１−０９９３８４号

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、発光素子からの光を効率よく外部に取り出すことができる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る発光装置の製造方法は、
［１］表面に、第１の導電部材と、前記第１の導電部材と絶縁された第２の導電部材とを有する基体を準備する工程と、
［２］発光素子を前記第１の導電部材に載置する工程と、
［３］前記基体を媒質中に配置させる工程と、
［４］前記第１の導電部材には電圧を印加せず、前記第２の導電部材に電圧を印加することにより、反射部材を前記第２の導電部材に堆積させる工程と、
を有することを特徴とする。

また、前記第１の導電部材は正負対のパターンを有し、前記発光素子は半導体層と前記半導体層の表面に配置される正電極及び負電極とを有し、前記第１の導電部材の正負対のパターンに前記発光素子の正電極及び負電極が接合部材を介してフリップチップ実装されることが好ましい。

さらに、前記第２の導電部材は、前記第１の導電部材の周囲に設けられることが好ましい。

本発明に係る発光装置の製造方法によれば、発光装置の所望の箇所に効率よく反射部材を被覆することが可能となり、発光素子からの光を効率よく外部に取り出すことができる。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための（ａ）平面図、（ｂ）Ｂ−Ｂ’線の概略断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための（ａ）平面図、（ｂ）Ｃ−Ｃ’線の概略断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法により製造した発光装置を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法により製造した発光装置の他の変形例を示す（ａ）平面図、（ｂ）Ｄ−Ｄ’線の概略断面図、（ｃ）Ｅ−Ｅ’線の概略断面図である。

本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の形成方法を例示するものであって、本発明は発光装置の形成方法を以下に限定するものではない。

また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

図１および図２は、本実施形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図および概略断面図である。

本実施形態に係る発光装置の製造方法は、
［１］表面に第１の導電部材２０ｂ，２０ｃと、第１の導電部材と絶縁された第２の導電部材２０ａを有する基体１０を準備する工程と、
［２］発光素子３０を第１の導電部材２０ｂ、２０ｃにフリップチップ実装する工程と、［３］基体１０を媒質中に配置させる工程と、
［４］第１の導電部材２０ｂ及び２０ｃには電圧を印加させず、第２の導電部材２０ａに電圧を印加させて、第２の導電部材２０ａに堆積させる工程と、
を有することを特徴とする。
なお、本発明における「媒質」とは、気体あるいは液体の状態であって、その中を帯電された反射部材が静電気力を受けて移動することができる状態にあるものをいう。

以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の各工程について詳述する。

［１］基体１０を準備する工程
基体１０は、その上に発光素子３０が搭載される部材である。図１および図２では平面形状であるが、キャビティーと称されるような凹部等を設けることもできる。なお、ここでは発光装置１つを用いて説明しているが、最終工程で分割されるまでは、基体１０は集合体となっており、分割することで個々の発光装置とされる。これにより、複数の基体に一括で反射部材を堆積させることが可能となる。

基体１０の材料としては、絶縁性材料が好ましく、発光素子３０から放出される光や外部からの光が透過しにくい材料が好ましい。また、ある程度の強度を有するものが好ましい。より具体的には、セラミックス（Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ等）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の樹脂が挙げられる。なお、基体１０の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。

基体１０の表面に形成される第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは、外部と発光素子とを電気的に接続し、発光素子３０に外部からの電流（電力）を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。本実施形態では、第１の導電部材２０ｂと２０ｃが正負対の電極パターンを有しており、これら正負対の電極パターンが基体１０上で離間して設けられている。この離間した部分を「溝部Ｇ」とする。また同じく基体１０の表面に形成される第２の導電部材２０ａは、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃと離間して設けられており、発光素子の周辺に形成される導電部材であり、反射部材を被覆させるための部材である。この離間した部分を「溝部Ａ」とする。溝部Ａは、反射率の低い基体１０が剥き出しの状態になっており、光取り出し効率の低減につながるため、極力幅は狭い方が好ましい。具体的には３０〜２００μｍ程度が挙げられる。

本実施形態では、第２の導電部材２０ａは第１の導電部材２０ｂ、２０ｃと絶縁され、第１導電部材の周囲に設けられている。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃが有する正負対の電極パターンは、後に載置される発光素子の直下のみとなるように形成されている。さらに、溝部Ａの幅を極力狭く設け、第１の導電部材２０ｂ，２０ｃの電極パターンの周囲に第２の導電部材２０ａを設けている。つまり、図１（ａ）に示すように、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは、その周囲を第２の導電部材に囲まれている。このような構成によれば、後の発光素子載置工程および反射部材堆積工程により反射部材４０を発光素子３０の周囲にまんべんなく堆積させることができるため、効率よく発光素子からの光を取り出すことが可能となる。

導電部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、基体１０として用いられる材料によって当該分野で公知のものを適宜選択することができる。例えば、基体１０の材料としてセラミックスを用いる場合は、タングステン、モリブデンのようにセラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料を用いるのが好ましい。

さらにその上に金属膜を単層又は多層で形成してもよい。例えは、銀、銅、金、アルミニウム、ロジウム等を単体又は合金で用いてもよい。好ましくは、熱伝導率に優れた金を単体で用いることである。また、金属膜の膜厚は０．０５μｍ〜５０μｍ程度であることが好ましく、多層膜である場合は、層全体の厚さをこの範囲内とするのが好ましい。

本実施形態では、第２の導電部材２０ａは、後の工程で反射部材４０により被覆される。そのため、反射性に優れる材料を用いなくても、光取り出し効率の低下は抑制される。

［２］発光素子実装工程
本実施形態において、発光素子３０は、半導体層の表面に配置される正電極および負電極を有する半導体発光素子であり、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃに接合部材６０を介してフリップチップ実装されている。発光素子をフリップチップ実装することにより、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃを正負対のパターンとし、発光素子の実装面積を小さくすることができる。また、電極の接続にワイヤが不要となり、ワイヤによる光吸収が防止され、発光した光を効率よく取り出すことができる。

なお、発光素子３０の個数は、特に限定されず、複数個用いても構わない。発光素子を複数個用いた発光装置を点光源としたい場合には隣り合う発光素子３０の距離を近づけ、光源（発光素子）をなるべく一箇所に集中させて配置することが好ましい。また発光素子を複数個用いた発光装置を、面状の光源としたい場合には、隣り合う発光素子間の距離を適宜離し、均等に光が取り出せるようにする。

接合部材６０は、発光素子３０と第１の導電部材２０ｂ、２０ｃとを電気的に接続するものであり、また、発光素子３０を基体１０に接着させる部材である。この接合部材６０には導電性の材料を用いる。具体的な材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、などの導電性ペースト、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ−Ｐｄ含有合金、Ａｕ−Ｇａ含有合金、Ａｕ−Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ａｕ−Ｇｅ含有合金、Ａｕ−Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ−Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。また接合部材６０としては、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状）のものを用いることができ、組成や基体１０の形状等に応じて適宜選択することができる。またこれらの接合部材６０は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種類のものを組み合わせてもよい。

本実施形態において、発光素子３０として、発光ダイオードを用いるのが好ましく、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの光）や緑色（波長４９０ｎｍ〜５７０ｎｍの光）の発光素子を用いる場合には、ＺｎＳｅ、窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いることができる。

なお、例えば、発光素子をフェイスアップ実装して用いる場合には、発光素子を載置するための第１の導電部材を基体１０に設け、ワイヤを用いて第１の導電部材２０ｂ、２０ｃと接続させることができる。この際、接合部材６０は導電性の材料である必要は無く、エポキシやシリコーン等の樹脂を選択することができる。

［３］基体を媒質中に配置させる工程
基体１０を媒質中に配置させる。媒質中に配置される基体１０は少なくとも第１の導電部材と第２の導電部材を有していれば十分であるが、本形態においては、第１の導電部材に発光素子が載置された基体１０を電解液に浸漬させる。なお、第２の導電部材は外部の電極と電気的に接続させてある。上記媒質には反射部材を分散させた混合液を電着用の電解液として用いる。この電解液は、その中を帯電した反射部材が電気泳動できるものであれば、特に材料は問わない。例えば、電解液に反射部材を溶解させる酸やアルカリ、例えばアルカリ土類金属のイオン（Ｍｇ^２＋）などを含んだ硝酸を含有させたりすることができる。

また電解液には金属アルコキシドを含有させてもよい。具体的には、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｙ、Ｐｂあるいはアルカリ土類金属から選択される元素を構成元素として含む有機金属材料である。電解液に含まれる材料としては、その他にも、金属アルコレート、あるいは金属アルコキサイドと有機溶剤とを所定の割合で混合して成るゾル中に反射部材を分散させた混合液を電解液とすることもできる。その他にも、電解液は、イソプロピルアルコールを母液とする溶液に、有機溶剤としてアセトン、有機金属材料としてアルミナゾルおよび反射部材を含有させた混合溶液とすることができる。

［４］反射部材被覆工程
反射部材は電着法又は静電塗装法により形成される。これらの方法を用いることにより、発光素子３０および第１の導電部材２０ｂ、２０ｃに対して反射部材４０を被覆させることなく、選択的に第２の導電部材２０ａに対してのみ、効率よく反射部材４０を堆積させることができる。

ここでは、電着法により反射部材４０を導電部材に選択的に堆積させる方法について説明する。第２の導電部材２０ａに反射部材４０の帯電と異なる極性の電圧を印加し、電気泳動により反射部材４０を第２の導電部材２０ａに堆積させる。この際、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃには電圧を印加しない。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは第２の導電部材２０ａと絶縁させているため、第２の導電部材２０ａに電圧を印加しても、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃはその影響を受けず反射部材は選択的に堆積されない。ここで、堆積された反射部材４０の厚みは、堆積条件や時間により適宜調整することができるが、光取り出し効率の向上のためには、少なくとも１０μm以上の厚みであることが好ましい。

本実施形態において、反射部材４０は、白色のフィラーであることが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。具体的には、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴａＯ_２、ＨｆＯ、ＳｅＯ、Ｙ_２Ｏ_３等の酸化物や、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の窒化物、ＭｇＦ_２等のフッ化物が挙げられ、これらの材料の１種類以上を含むことが好ましい。これらは単独で用いても良いし、または混合して用いてもよい。あるいは積層させてもよい。フィラーとしては、粒径が１ｎｍ〜１０μｍ程度の範囲のものを用いることが好ましい。さらに好ましくは１００ｎｍ〜５μｍ程度である。これにより、光を良好に散乱させることができる。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。

反射部材４０は、図２に示すように、基体１０の表面に形成された第２の導電部材２０ａの表面に形成される。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃには形成されない。また溝部Ａ、Ｇにも形成されない。溝部Ａ、Ｇは反射率の低い基体が剥き出しの状態であるため、溝部Ａ、Ｇの幅が広ければ、効率低下の原因となることが予測される。これを抑制するためこの溝部Ａ、Ｇの幅を２００μｍ以下とするのが好ましい。溝部Ａ、Ｇの幅が２００μｍ以下であると、反射部材４０、特にフィラーが溝部を被覆しやすくなる。さらに好ましくは、１００μｍ以下とすることである。溝部Ａが、反射部材に完全に被覆され、かつ、発光素子の上面及び側面には付着しないことが最も好ましい。下限については限定されるものではないが、導電部材同士の接触を防止する観点から、３０μｍ以上が好ましい。

本実施形態においては、発光素子３０は第１の導電部材２０ｂ、２０ｃに跨るようにフリップチップ実装されている。なお、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは、発光素子の直下のみとなるように形成され、その周囲を第２の導電部材に囲まれている。ここで、電着法にて第２の導電部材２０ａに反射部材４０を堆積させると、第２の導電部材２０ａに堆積された反射部材４０は第２の導電部材２０ａの側面までをも被覆する。このような構成によれば、発光素子３０の側面からの光が反射部材により反射され、発光素子側面からの光取り出し効率を向上することができる。

なお、例えば、第１の導電部材の一部を外部電極として用いる場合には、外部電極とされる部分にマスク等を形成しておき、反射部材を形成した後にマスク等を除去することにより、第１の導電部材の一部を露出させることができる。

本実施形態の発光装置の製造方法は、さらに以下の工程を備えることができる。

（透光性部材被覆工程）
反射部材被覆工程の後に、発光素子３０と第２の導電部材２０ａの表面を被覆している反射部材４０の表面を、透光性部材で被覆することができる。透光性部材は、基体１０に搭載された発光素子３０や反射部材４０等を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。透光性部材の材料は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、変性シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ガラス等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散材、フィラー等を含有させることができる。透光性部材が高い屈折率を持つことにより、発光素子３０からの光取り出し量を多くすることができる。透光性部材は１種で単層に形成してもよいし、２種以上の部材が混合された単層を形成してもよいし、単層を２層以上積層してもよい。なお、透光性部材にレンズ機能を持たせてもよい。例えば透光性部材の表面を盛り上がらせて凸レンズ形状としてもよい。

透光性部材の形成方法としては、樹脂を滴下して硬化させるポッティング法や、圧縮成形、射出成形、印刷など、当該分野で発光素子をモールドする際に用いられる公知の方法によって形成することができる。

また本実施形態の発光装置の製造方法において、前記透光性部材に波長変換部材を含有させることができる。波長変換部材は、発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を発する部材である。例えば具体的には、蛍光体、蛍光顔料、蛍光染料等が該当する。波長変換部材としては、発光素子からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。波長変換部材含有透光性部材は１種で単層に形成してもよいし、２種以上の部材が混合された単層を形成してもよいし、単層を２層以上積層してもよい。また、前記透光性部材と波長変換部材含有透光性部材とを２層以上積層してもよい。

蛍光体は、例えばＥｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に腑活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、大別して下記（１）〜（３）にそれぞれ記載された中から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。
（１）Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に腑活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩等の蛍光体
（２）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に腑活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩等の蛍光体
（３）Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に腑活される、有機または有機錯体等の蛍光体
中でも前記（２）のＣｅ等のランタノイド系元素で主に腑活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）系蛍光体が好ましい。ＹＡＧ系蛍光体は、次の（２１）〜（２４）などの組成式で表される。
（２１）Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ
（２２）（Ｙ_０．８Ｇｄ_０．２）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ
（２３）Ｙ_３（Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２）_５Ｏ_１２：Ｃｅ
（２４）（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ
また、例えばＹの一部または全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換してもよい。具体的には、Ｔｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ等でもよい。さらに前記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。蛍光体の粒径は得に限定されないが、０．２〜３０μm程度であることが好ましい。

なお、後に外部電極とするために、第１の導電部材の一部をマスク等で覆っている場合には、透光性部材の形成後にマスク等を除去することで、透光性部材が外部電極を覆ってしまうことがなくなるため好ましい。

(保護素子載置工程)
本実施形態の発光装置の製造方法において、必要に応じて保護素子を備える工程を設けてもよい。保護素子は、例えばツェナーダイオード等の役割を担うものである。保護素子の載置は反射部材被覆工程の前に行い、保護素子と第１の導電部材とを電気的に接続することが好ましい。また保護素子と導電部材とを接続する際に、ワイヤを用いてもよい。

(その他の工程)
さらに、本発明の発光装置の製造方法において、各工程に影響を与えない範囲において、各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば基体を洗浄する基体洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、発光素子や保護素子の載置位置を調整する載置位置調整工程等、他の工程を含めてもよい。

（実施例１）
本発明の製造方法を用いた発光装置の実施例を図面に基づいて説明する。図３に示すように、発光装置１００は、表面に第２の導電部材２０ａ、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃ、２０ｄを有する基体１０と、第１の導電部材２０ｂ、２０ｃに載置されて電気的に接続された発光素子３０と、発光素子３０を被覆する波長変換部材含有透光性部材９０と、第２の導電部材２０ａの表面を被覆する透光性部材５０と、を有してなる。

図３に示す発光装置１００では、平板状の基体１０の表面には、反射部材を被覆するための第２の導電部材２０ａと、正負対の電極パターンを成す第１の導電部材２０ｂ、２０ｃが形成されている。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは、発光素子の直下のみとなるように形成され、第２の導電部材２０ａは第１の導電部材２０ｂ、２０ｃの周囲に設けられている。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃは、基体１０の両端部近傍に位置する部分が外部電極２０ｄとされており、反射部材４０から露出している。発光素子３０の電極が、接合部材６０を介して第１の導電部材２０ｂ、２０ｃにフリップチップ実装されており、反射部材４０が第２の導電部材２０ａの表面を連続して被覆している。

また、発光素子３０およびそれを被覆する波長変換部材含有透光性部材９０を覆うように、透光性部材５０が、凸状のレンズ形状で設けられている。この透光性部材５０は、発光素子３０上の波長変換部材含有透光性部材９０および反射部材４０の上に形成されている。透光性部材５０の表面が光取り出し面となるため、基体１０側の面のうち、発光素子３０と対向する面以外の面は、全て反射部材４０で覆われていることが好ましい。このような構成にすることにより、透光性部材５０の下面が、発光素子３０と略同サイズの波長変換部材と、反射部材４０とで覆われるような構造となるため、光取り出し効率が高く、良質な点光源を形成することができる。

（実施例２）
本発明の製造方法を用いた発光装置の変形例として、図４に発光装置２００を示す。この発光装置２００は、基体１１として発光素子３０を収納する凹部を備えており、該凹部の底面には正負対のパターンを成す第１の導電部材２０ｂ、２０ｃが露出し、接合部材を介して発光素子３０が載置されている。さらに発光素子を載置する第１の導電部材２０ｂ、２０ｃの周囲には、反射部材を被覆させるための第２の導電部材２０ａを形成している。また、接合部材６０を介して保護素子導電用導電部材２０ｆに保護素子５を接続しており、ワイヤ８で、発光素子と逆並列に接続されている。保護素子導通用導電部材２０ｆは、第１の導電部材２０ｂおよび２０ｃと導通している。保護素子導通用導電部材２０ｆは、第２の導電部材２０ａと導通していないため、表面に反射部材４０は被覆されない。第１の導電部材２０ｂ、２０ｃと導通している外部電極２０ｄが、基体１１の裏面側に設けられている。基体１１の側面内側には、第２の導電部材２０ａがリフレクタとして形成されており、発光素子３０からの光が外部に透過しないような構成とされている。前記基体１１の側面内側に配置される第２の導電部材２０ａには、電着または静電塗装により反射部材４０を被覆することができる。

なお、前記基体１１の側面内側に配置される第２の導電部材２０ａが凹部の上面にまで設けられていると、凹部の外側（上面）に反射部材４０がはみ出すことがある。このため。図４（ａ）、（ｂ）に示すように。凹部の側面に段差が形成されており、段差の側面には第２の導電部材２０ａが形成されない領域を有している。これにより、凹部の外側（上面）に反射部材４０がはみ出すことを抑制することができる。その他の構成は、先に述べた実施例と実質的に同じである。

本発明に係る発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等種々の発光装置の製造方法に使用することができる。

５ 保護素子
８ ワイヤ
１０、１１ 基体
２０ａ 第２の導電部材（反射部材被覆用導電部材）
２０ｂ、２０ｃ 第１の導電部材（発光素子実装用導電部材）
２０ｄ 外部電極
２０ｆ 保護素子導通用導電部材
３０ 発光素子
４０ 反射部材
５０ 透光性部材
６０ 接合部材
９０ 波長変換部材含有透光性部材
１００、２００ 発光装置
Ａ、Ｇ 溝部

Claims (4)

1. 表面に、第１の導電部材と、
   前記第１の導電部材と絶縁された第２の導電部材を有する基体を準備する工程と、
   発光素子を前記第１の導電部材に載置する工程と、
   前記基体を媒質中に配置させる工程と、
   前記第１の導電部材には電圧を印加せず、前記第２の導電部材に電圧を印加することにより、反射部材を前記第２の導電部材に堆積させる工程と、
   を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第１の導電部材は正負対のパターンを有し、
   前記発光素子は、半導体層と、前記半導体層の表面に配置される正電極及び負電極と、を有し、
   前記第１の導電部材の正負対のパターンに前記発光素子の正電極及び負電極が接合部材を介してフリップチップ実装されることを特徴とする、
   請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記第２の導電部材は、前記第１の導電部材の周囲に設けられることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記反射部材は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ₃、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ₅、ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｉｎ_２Ｏ₃、ＴａＯ_２、ＨｆＯ、ＳｅＯ、Ｙ_２Ｏ₃、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ及びＭｇＦ_２からなる群から選ばれた１種類以上を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。

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