JP2014033341A - 半導体装置とその制御方法 - Google Patents

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幸司 代市
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Abstract

【課題】電源雑音、スイッチ雑音、演算増幅器の雑音の出力への伝搬を抑制する。
【解決手段】スイッチトキャパシタ回路は、サンプリング期間Aでは、容量C1の第1端子をノードN1に接続しC1の第2端子を基準電位VMに接続し、容量C2の両端を基準電位VMに接続して電荷を放電するか又は電荷を保持し、出力期間Aでは、C1の第1端子をノードN0に接続し第2端子を演算増幅器AMPの反転入力端子(−)に接続し、C2の第1、第2端子を出力端子と反転入力端子(−)に接続し、サンプリング期間BではC2の第1端子をノードN1に接続し第2端子を基準電位VMに接続し、前記C1の両端を基準電位VMに接続して電荷を放電するか又は電荷を保持し、出力期間Bでは、C2の第1端子をノードN0に接続し第2端子を反転入力端子(−)に接続し、C1の第1、第2端子を出力端子と反転入力端子(−)に接続する。
【選択図】図17

Description

本発明は、半導体装置と制御方法に関する。
図1は、容量(キャパシタ、コンデンサともいう)とスイッチとの組み合せで擬似的に抵抗を実現するスイッチトキャパシタを備えたスイッチトキャパシタフィルタの関連技術の一例(関連技術1)を示す図である(特許文献1の図11参照、ただし、参照符号等と、構成の一部は相違している)。
図1において、VH、VM、VLはそれぞれ高電位、中電位、低電位が与えられる電源端子である(VH>VM>VL)。VH、VM、VL端子とノードN1間にはスイッチSW1、SW2、SW3がそれぞれ接続されており、入力デジタル信号値(3値)が+1、0、−1のとき、それぞれ、制御信号H、M、Lが活性化され、スイッチSW1、SW2、SW3がオンとされ、ノードN1にVH、VM、VLが印加される。なお、特許文献1の図11では、図1のノードN1を入力端子INとしてアナログ電圧が入力端子INに印加される構成とされている(入力デジタル信号(+1、0、−1)に応じてオン・オフされるスイッチSW1、SW2、SW3は備えていない)。図1の例では、入力電圧Vinを、アナログ電圧VH−VM、VM−VM、VL−VMのいずれかの電圧に限定している。
ノードN1とノードN2との間には、クロック信号φ1でオン・オフされるスイッチ101が接続され、基準電位(VM)とノードN2間には、クロック信号φ2でオン・オフされるスイッチ102が接続されている。ノードN2とノードN3との間には容量(キャパシタ)C1が接続されている。ノードN3と端子VM間には、クロック信号φ1でオン・オフされるスイッチ103が接続され、ノードN3とノードN4との間には、クロック信号φ2でオン・オフされるスイッチ104が接続されている。ノードN4は演算増幅器AMPの反転入力端子(−)に接続され、ノードN4(反転入力端子)と出力端子OUT間には、容量(帰還容量)C0が接続されている。演算増幅器AMPの非反転入力端子(+)は基準電位(VM)に接続されている。ノードN5と基準電位(VM)間には、クロック信号φ1でオン・オフされるスイッチ105が接続されている。ノードN4とN5間には、クロック信号φ2でオン・オフされるスイッチ106が接続されている。ノードN5とN6間には容量C2が接続されている。ノードN6と基準電位(VM)間には、クロック信号φ1でオン・オフされるスイッチ107が接続されている。ノードN6と出力端子OUT間には、クロック信号φ2でオン・オフされるスイッチ108が接続されている。実際は、スイッチ101、107は、φ1を遅延させた信号φ1dでオン、オフされる。スイッチ102、108は、φ2を遅延させた信号φ2dでオン、オフされる。φ1dとφ2のHigh期間は重ならず、φ2dとφ1のHigh期間は重ならない。図1では、簡単のため、φ1d、φ2dをφ1、φ2で表している。
図2は、図1の動作を説明するためのタイミング図である。スイッチトキャパシタフィルタは、第1の期間で、入力信号Vinを電荷としてサンプリングし、第2の期間でサンプリングした電荷を積分する。第1の期間をサンプリング期間、第2の期間を積分期間という。φ1、φ2はHighパルス期間が互いに重ならないクロックである。φ1(φ1d)がHigh、φ2がLowのとき、図1のスイッチ103、105、101、107がオンし、スイッチ102、104、106、108はオフである。このとき、ノードN2はノードN1に接続され、ノードN3は端子VMに接続され、ノードN3とN4とは非接続であり、ノードN1の電圧とVM端子との差電圧(入力電圧)が容量C1にサンプリングされる(図2の「サンプリング期間」)。このとき、容量C2の両端のノードN5、N6は共通に基準電位に接続され(N5、N6は、ノードN4、出力端子OUTから非接続とされる)、容量C2の蓄積電荷Q2は0とされる。
ノードN4は、演算増幅器(AMP)の反転入力端子(−)の非反転入力端子(+)との間のイマジナリショートを考慮すると、非反転入力端子(+)が接続する基準電位VMと等しい。入力信号Vinについてサンプリング期間終了時のサンプリング値をVin[i](iは整数)、Vin[i]をz変換したものをVin(z)、出力信号Voutについて積分期間終了時のサンプリング値をVout[i]、Vout[i]をz変換したものをVout(z)とする。容量C0の端子間電圧は、出力電圧とノードN4間の電圧Voutとされる。サンプリング期間終了時における容量C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2は、z関数を用いて以下の式で表される。
Q0 = C0・Vout(z)・z-1
Q1 = C1・Vin(z)
Q2 =0
なお、z−nは離散時間の時間シフト(時間遅れ)を表し、Vout(z)・z-1は、現サイクルの1サイクル前の出力電圧Voutの電圧を表している。
クロック信号φ2がHigh、φ1がLowのときのとき、スイッチ102、104、106、108がオンし、スイッチ101、103、105、107はオフであり、ノードN2は端子VMの電位とされる。容量C1の一端のノードN3がノードN4に接続され、容量C1でサンプリングされた入力電圧が反転入力端子(−)に伝達される。容量C2の両端(ノードN6とノードN5)は出力端子OUTとノードN4(反転入力端子(−))にそれぞれ接続され、演算増幅器AMPの帰還容量は、並列接続されたC0とC2からなる。積分期間終了時における容量C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2は、z変換を用いて以下の式で表される。
Q0 = C0・Vout(z)
Q1 = 0
Q2 =C2・Vout(z)
各容量に蓄積されているサンプリング期間終了時の電荷と積分期間終了時の電荷について電荷保存則から以下が成り立つ。
(C0+C2)・Vout(z) = C0・Vout(z)・z-1 + C1・Vin(z) ・・・(1)
したがって、Vin(z)、Vout(z)の間で次式(2)が成り立つ。

Figure 2014033341
すなわち、入力信号に対して1次のローパスフィルタ特性を有する(特許文献1の式(1)に対応)。このように、図1の構成は、特許文献1の図11の構成において、入力信号(アナログ信号VinがVH−VM、VM−VM、Vl−VM)の3つの値しかとらない場合であり、入力信号、スイッチの雑音、演算増幅器AMPの雑音の出力端子への伝達特性は特許文献1の図11と同一である(スイッチの雑音、演算増幅器AMPの雑音の出力端子への伝達特性の詳細は、特許文献1の段落0014〜0022等の記載が参照される)。
スイッチの雑音と演算増幅器の雑音を低減する関連技術として、特許文献1には、図3に示すような構成(関連技術2)が開示されている。なお、図3と、特許文献1の図1とは、参照符号等が相違しているほか、特許文献1の図1では、入力端子にはアナログ信号が印加されるが、図3では、デジタル信号+1、0、−1に対応して制御信号H、M、Lがそれぞれ活性化され、VH−VM、VM−VM、VL−VMが選択される点が相違している。すなわち、図3の構成は、特許文献1の図1において、入力信号(アナログ信号VinがVH−VM、VM−VM、Vl−VM)の3つの値しかとらない場合であり、入力信号、スイッチの雑音、演算増幅器AMPの雑音の出力端子への伝達特性は、特許文献1の図1と同一である。図3を参照すると、VH、VM、VLの端子とノードN1間には、3つのスイッチSW1、SW2、SW3が接続され、入力デジタル信号値(3値)が+1、0、−1に対応してそれぞれスイッチSW1、SW2、SW3がオンとされる。ノードN1、N2間にはスイッチ101が接続され、ノードN2と端子VM間にはスイッチ102が接続されている。
ノードN2とN3間には容量C1が接続され、ノードN3とN4間にはスイッチ104が接続され、端子VMとノードN3間にはスイッチ103が接続されている。ノードN4は演算増幅器(AMP)の反転入力端子(−)に接続され、ノードN4と出力端子OUT間に容量C0が接続されている。ノードN4とN5間にはスイッチ106が接続され、ノードN5とVM端子間にはスイッチ105が接続されている。ノードN5とN6間には容量C2が接続されている。ノードN6と出力端子OUT間にはスイッチ108が接続され、ノードN6とVM端子間にはスイッチ107が接続されている。ノードN1とN6の間にはスイッチ109が接続され、ノードN2と出力端子OUT間にはスイッチ110が接続されている。
φ1A、φ1Bは、クロック信号φ1(図2参照)を2分周したクロック信号であり、位相が互いに180度異なる。φ2A、φ2Bは、クロック信号φ2を2分周したクロック信号であり、位相が互いに180度異なる。スイッチ101、103はφ1AがHighのときオンし、スイッチ102、108はφ2AがHighのときオンする。スイッチ109、105はφ2AがHighのときオンし、スイッチ107、110はφ2BがHighのときオンする。スイッチ104、106はφ2がHighのときオンする。なお、φ2がHighのとき、φ2A又はφ2BがHighとされる。
図4は、図3の動作を説明するタイミング図である。
スイッチトキャパシタフィルタは、サンプリング期間A、積分期間A、サンプリング期間B、積分期間Bを1サイクルとする。入力信号Vinについてサンプリング期間A、B終了時のサンプリング値をVin[i](iは整数)、出力信号Voutについてサンプリング期間A、B終了時のサンプリング値をVout[i](iは整数)とする。サンプリング期間A及び積分期間Aによる伝達関数と、サンプリング期間B及び積分期間Bによる伝達関数が異なるため、サンプリング期間A終了時の入力信号をVinA[i]、サンプリング期間B終了時の入力信号をVinB[i]、積分期間A終了時の入力信号をVoutA(i)、積分期間B終了時の入力信号をVoutB[i]とする。上記は、サンプリング期間A終了時及び積分期間A終了時を2×j−1番目(j=1、2、・・・の整数)のサンプリング、サンプリング期間B終了時及び積分期間B終了時を2×j番目(j=1、2、・・・の整数)のサンプリングとすると、
VinA[2j-1] = Vin[2j-1]、
VinA[2j] = 0
VinB[2j-1] = 0、
VinB[2j] = Vin[2j]
となる。
したがって、入力電圧Vin[i](i=1、2、・・・)に関して、
Vin[i] = VinA[i] + VinB[i]
同様に、出力電圧に関して、
VoutA[2j-1] = Vout[2j-1]、
VoutA[2j] = 0、
VoutB[2j-1] = 0、
VoutB[2j] = Vout[2j]
したがって、出力電圧Vout[i]に関して、
Vout[i] = VoutA[i] + VoutB[i]
Vin[i]、VinA[i]、VinB[i]、Vout[i]、VoutA(i)、VoutB[i]をそれぞれz変換したものをVin(z)、VinA(Z)、VinB(z)、Vout(z)、VoutA(z)、VoutB(z)とする。また、雑音Vnについて、サンプリング期間又は積分期間終了時のサンプリング値Vn(i)(iは整数)とし、Vn(i)をz変換したものをVn(z)とする。また、サンプリング期間A及び積分期間Aによる伝達関数と、サンプリング期間B及び積分期間Bによる伝達関数が異なるため、サンプリング期間A及び積分期間A終了時の雑音をVnA(i)、サンプリング期間B及び積分期間B終了時の入力信号をVnB(i)とする。上記は、サンプリング期間A終了時及び積分期間A終了時を2×j−1番目(j=1、2、・・・の整数)のサンプリング、サンプリング期間B終了時及び積分期間B終了時を2×j番目(j=1、2、・・・の整数)のサンプリングとすると、以下の式で表される。
VnA[2j-1] = Vn[2j-1]、
VnA[2j] = 0
VnB[2j-1]=0、
VnB[2j] = Vn[2j]
Vn[i] = VnA[i] + VnB[i]
まず,入力信号の伝搬について説明する。図5、図6は、図3の動作を説明する図である。以下、図4と、図5、図6を参照して動作を説明する。サンプリング期間Aでは、クロック信号φ1AがHighであり、スイッチ101、103がオンし、C1にはノードN1の電圧VinA(z)(図3のノードN1と基準電位VMの差電圧)が蓄積される。各容量C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2は、z関数を用いて以下の式で与えられる(図5(A)参照)。VoutB(z)・z−1は、直前の積分期間Bにおける出力端子OUTの出力電圧Voutである。なお、z変換において離散時間の時間単位は、図4のクロックφ2の1サイクルに対応している。
Q0 = C0・VoutB(z)・z-1
Q1 = C1・VinA(z)
Q2 = 0
積分期間Aでは、φ1AがLow、φ2A、φ2がHighとなり、スイッチ101、103がオフ、スイッチ102、104、106、108がオンする(図5(B)参照)。図5(B)では、C1の一端は、オン状態のスイッチ102を介して基準電位(VM)に接続され、C1の他端はオン状態のスイッチ104を介して、演算増幅器AMPの反転入力端子(−)に接続され(反転入力端子(−)の電位は、非反転入力端子(+)の電である基準電位VMに等しい)、C1の両端がVMとなり、その電荷は0となる。C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・VoutA(z)
Q1 = 0
Q2 = C2・VoutA(z)
したがって、各容量に蓄積されているサンプリング期間A終了時の電荷と積分期間A終了時の電荷について、電荷保存則から、以下が成り立つ。
(C0+C2)・VoutA(z) = C0・VoutB(z)・z-1 + C1・VinA(z) ・・・(3)
サンプリング期間Bでは、φ1BがHighとされ、スイッチ109、105がオンし、C2にノードN1の電圧VinB(z)が蓄積される(図6(A)参照)。C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2はz関数を用いて以下の式で与えられる。VoutA(z)・z−1は直前の積分期間Aにおける出力端子OUTの出力電圧VoutAである。
Q0 = C0・VoutA(z)・z-1
Q1 = 0
Q2 = C2・VinB(z)
積分期間Bでは、φ1BがLow、φ2B、φ2がHighとなり、スイッチ109、105がオフ、スイッチ107、110、108、104がオンする(図6(B)参照)。図6(B)では、C2の一端は基準電位(VM)に接続され、C2の他端は演算増幅器AMPの反転入力端子(−)に接続され(反転入力端子(−)の電位は基準電位)、C2の電荷は0となる。C0、C1、C2の電荷Q0、Q1、Q2は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・VoutB(z)
Q1 = C1・VoutB(z)
Q2 = 0
各容量に蓄積されているサンプリング期間B終了時の電荷と積分期間B終了時の電荷について電荷保存則から、以下が成り立つ。
(C0+C2)・VoutB(z) = C0・VoutA(z)・z-1 + C2・VinB(z) ・・・(4)
C1=C2とすると、式(3)、(4)から入力信号の出力端子への伝達特性は次式(5)で与えられる。

Figure 2014033341
すなわち、入力信号に対して1次のローパスフィルタ特性を有する。なお、図1(関連技術1)の伝達特性を表す式(2)においてC1=C2とすれば、式(5)と式(2)は同じ式となる。よって、C1=C2の条件では、図1(関連技術1)と図3(関連技術2)の入力信号の出力端子への伝達特性は同一である。
サンプリング期間Aでは、入力電圧はC1(入力容量)にサンプリングされ、容量C0と並列に演算増幅器AMPの出力端子OUTと反転入力端子(−)間に接続される帰還容量はC2とされる。サンプリング期間Bでは、入力電圧は入力容量C2にサンプリングされ、容量C0と並列に演算増幅器AMPの出力端子OUTと反転入力端子(−)間に接続される帰還容量はC1とされる。クロック信号φ2のサイクル毎に、入力容量と帰還容量がC1、C2で交互に入れ替えられる。
次にスイッチ102と104の雑音の伝搬について説明する。図7、図8は、図3のスイッチの雑音の伝搬を説明する図である。スイッチ102、104の雑音としてスイッチ102に直列に電圧源Vn(雑音源)があるものとする。また、スイッチの雑音の伝搬のみを示すために、入力信号は常に0とする。
サンプリング期間Aでは、図7(A)に示す接続構成となり、C1の電荷は放電され、Q1=0、C0、C2に蓄積されていた電荷はそのまま保持される。C0、C2に蓄積されていた電荷とは、直前の積分期間B終了時の電荷のことである。サンプリング期間終了時、容量C0、C1、C2の蓄積電荷はz関数を用いて以下の式で表される。
Q0 = C0・VoutB(z)・z-1
Q1 = 0
Q2 = 0
積分期間Aでは、図7(B)に示す接続となり、容量C1には、雑音VnA(z)の電荷がサンプリングされ、C0、C2にも同じだけの電荷が転送される。積分期間A終了時の容量C0、C1、C2の蓄積電荷はz関数を用いて以下の式で表される。
Q0 = C0・VoutA(z)
Q1 = -C1・VnA(z)
Q2 = C2・VoutA(z)
各容量に蓄積されるサンプリング期間A終了時の電荷と積分期間A終了時の電荷について電荷保存則から、以下が成り立つ。
(C0+C2)・VoutA(z) = C0・VoutB(z)・z-1 + C1・VnA(z) ・・・(6)
サンプリング期間Bでは、図8(A)に示す接続となり、容量C2に蓄積されていた電荷は放電され、C1、C2の電荷はそのまま保持される。サンプリング期間B終了時の容量C0、C1、C2の蓄積電荷は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・VoutA(z)・z-1
Q1 = -C1・VnA(z)・z-1
Q2 = 0
積分期間Bでは、図8(B)に示す接続となり、容量C1にサンプリングされ保持されていた雑音の電荷Q1は、容量C1、C0に分配される。C0に分配される雑音の電荷は、積分期間A(積分期間A)終了時とは逆極性であり、積分期間A(積分期間A)終了時にC0で積分された雑音電荷をキャンセルする。容量C0、C1、C2の蓄積電荷はz関数を用いて以下の式で表される。
Q0 = C0・VoutB(z)
Q1 = C1・VoutB(z)
Q2 = 0
各容量に蓄積される、サンプリング期間B終了時の電荷と積分期間B終了時の電荷について電荷保存則を適用すると、以下が成り立つ。
(C0+C1)・VoutB(z) = C0・VoutA(z)・z-1 - C1・VnA(z)・z-1 ・・・(7)
容量C1、C2の容量値が等しいとすると、スイッチ102、104の雑音の出力への伝達特性は以下の式で与えられる。

Figure 2014033341
雑音VnA(z)には、上記伝達関数の分子の差分演算(1-z-1)(1次の微分)が掛かり、低い周波数ほど減衰させることがわかる。スイッチ107、106の雑音の伝搬についても、スイッチ102、104と同様である。
一方、図1でのスイッチの雑音の伝達特性は、特許文献1の式(3)よりC1=C2とすると、以下のように表される。
Figure 2014033341
式(9)より、図1では、低い周波数のスイッチの雑音は減衰しない。このため、図1と比べて、図3は、低い周波数のスイッチの雑音を低減できることが分かる。
次に演算増幅器(AMP)の雑音の伝搬について説明する。図9、図10は、図3の演算増幅器の雑音の伝搬を説明する図である。ここで、演算増幅器の雑音として、演算増幅器の反転入力端子に電圧源Vn(雑音源)があるものとする。また、演算増幅器の雑音の伝搬のみを示すために、入力信号は常に0とする。サンプリング期間Aでは、図9(A)に示す接続となり、C1の電荷は放電され、Q1=0、C0、C2に蓄積されていた電荷はそのまま保持される。C0、C2に蓄積されていた電荷とは積分期間B終了時の電荷のことである。容量C2は、積分期間B終了時にサンプリングされた雑音電荷である。サンプリング期間A終了時、容量C0、C1、C2の蓄積電荷は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・(VoutB(z) - VnB(z))・z-1
Q1 = 0
Q2 = -C2・VnB(z)・z-1
積分期間Aでは、図9(B)に示す接続となり、積分期間A終了時、容量C1に、演算増幅器の雑音Vnの電荷がサンプルされ、C0とC2にも合わせて同じだけの電荷が転送される。前の積分期間B終了時に容量C2でサンプリングされて保持されていた雑音電荷は、C2とC0に分配される。C0に分配される電荷の極性は、前の積分期間B終了時とは逆極性である。すなわち、前の積分期間B終了時の電荷をキャンセルする。積分期間A終了時の容量C0、C1、C2の蓄積電荷は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・(VoutA(z) - VnA(z))
Q1 = -C1・VnA(z)
Q2 = C2・(VoutA(z) - VnA(z))
各容量に蓄積される、サンプリング期間A終了時の電荷と積分期間A終了時の電荷について電荷保存則を適用すると、以下が成り立つ。
(C0+C2)・(VoutA(z) - VnA(z)) = C0・(VoutB(z) -VnB(z))・z-1 - C2・VnB(z)・z-1 + C1・VnA(z) ・・・(10)
サンプリング期間Bでは、図10(A)に示す接続となり、C2の電荷は放電され、Q2=0、C0、C1に蓄積されていた電荷はそのまま保持される。C1に蓄積されていた電荷とは、積分期間B終了時にサンプリングされた雑音電荷でありそのまま保持される。
サンプリング期間A終了時、容量C0、C1、C2の蓄積電荷は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・(VoutA(z) - VnA(z))・z-1
Q2 = 0
Q1 = -C1・VnA(z)・z-1
積分期間Bでは、図10(B)に示す接続となり、積分期間B終了時、容量C2に、演算増幅器の雑音VnBの電荷がサンプルされ、C0とC1にも合わせて同じだけの電荷が転送される。積分期間A終了時に容量C2でサンプリングされて保持されていた雑音電荷は、C1とC0に分配される。C0に分配される電荷の極性は積分期間A終了時とは逆極性である。すなわち、積分期間A終了時の電荷をキャンセルする。積分期間B終了時の容量C0、C1、C2の蓄積電荷は、z関数を用いて以下の式で与えられる。
Q0 = C0・(VoutB(z) - VnB(z))
Q2 = -C2・VnB(z)
Q1 = C1(VoutB(z) - VnB(z))
各容量に蓄積される、サンプリング期間B終了時の電荷と積分期間B終了時の電荷について電荷保存則を適用すると、以下が成り立つ。
(C0+C1)・(VoutB(z) - VnB(z)) = C2・(VoutA(z) -VnA(z))・z-1 - C1・VnA(z)・z-1 + C2・VnB(z) ・・・(11)
したがって、式(10)、(11)から、C1=C2とすると、演算増幅器の雑音の出力への伝達特性は以下で与えられる。
Figure 2014033341
一方、図1における演算増幅器の雑音の伝達特性は、特許文献1の段落0022の式(4)より、C1=C2とすると、次式(13)のように表される。
Figure 2014033341
式(12)と(13)等において、(1−z−1)は直流で0である(低周波で≒0)。式(13)と式(12)から、DC(低周波)でのゲインは、図1では2倍(式(13))、図3では、1倍である(式(12))。したがって、図3では、図1に対して、DC(低周波)の演算増幅器の雑音を半減できることが分かる。
なお、特許文献2には、デルタシグマ法を利用したオーバサンプリング技術を用いたスイッチトキャパシタ1ビットDAC(デジタルアナログ変換器)が開示されている。
特開2011−193247号公報 特開平10−70466号公報
以下に関連技術の分析を与える。
図16(A)、図16(B)は、それぞれ、図1、図3の関連技術1、2の入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を表形式にまとめたものである。図16(A)、(B)において、
Dataは、現在の入力デジタルデータ、
Datazは、現在の入力デジタルデータの1つ前の入力デジタルデータ、
Inputは、入力容量、
Feedbackは、帰還容量、
Datazの「*」は任意のデータである、
ことを表す。
Inputのφ1、φ2の欄は、それぞれサンプリング期間(φ1)、積分期間(φ2)に入力容量でサンプリングするデジタル値を表している。ここで、積分期間に入力容量でサンプリングするデジタル値(Inputのφ2の欄)は、符号反転して出力される。なお、図16(A)、(B)では、積分期間に入力容量でサンプリングするデジタル値は常に0である。後述する図16(C)のInputのφ2の欄に記載しているデジタル値は、Dataを符号反転した値とされる。このため、符号反転せずに出力される入力値に換算すると、Inputのφ2の欄に記載しているデジタル値を符号反転した値となる(符号反転して出力される理由については、以下の段落0108等で説明する)。
Feedbackのφ1は、同じく、サンプリング期間(φ1)に、帰還容量でサンプリングするデジタル値を表している。
図16(B)において、Feedbackのφ1の欄の「★」は、帰還容量が、サンプリングせずに、電荷を保持することを表す。図16(B)において、Feedbackのφ2では、帰還容量は、サンプリングはせず、サンプリング期間にサンプリングした値を転送するだけである。図16(B)において、Feedbackのφ1で、帰還容量がサンプリング期間に電荷を保持する場合を「★」としており、この場合、保持している値が分からないため、Feedbackのφ2の欄に、転送するデジタル値を記載している。これより、トータルの入力信号のデジタル値の算出には、Feedbackのφ1の値は含めず、Feedbackのφ2の値を含めることになる。
以上より、トータルの入力信号のデジタル値は、以下の式で表される。
(入力容量のφ1の値)−(入力容量のφ2の値)+(帰還容量のφ2の値) ・・・(14)
Calc(Digital)の欄は、この算出式に対応する値を示している。
Calc(Analog)は、Calc(Digital)をアナログ電圧にした値である。
Controlは、スイッチSW1、SW2、SW3の制御信号H、M、Lであり、値「1」はスイッチがON、値「0」は、スイッチのOFFを表す。
図16(A)は、図1の入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を示す図である。図16(A)を参照すると、図1では、入力容量はC1固定であり、帰還容量はC2固定である。
サンプリング期間の入力容量は、入力デジタルデータと同じ+1、0、−1の3値のデジタル値をサンプリングする。
積分期間の入力容量C1、及び、サンプリング期間の帰還容量C2は、入力デジタルデータに関わらず、デジタル値「0」をサンプリングする(容量に蓄えられた電荷を全て放電することを意味する)。すなわち、図1、図2から、積分期間には、φ1がLow、φ2がHighとなり、スイッチ102、104がオンし、スイッチ101、103がオフし、C1の一端であるノードN2は基準電位となり、C1の他端であるノードN3はノードN4に接続されて基準電位(VM)となり、C1の蓄積電荷=0となる。また、サンプリング期間には、φ1がHigh、φ2がLowとなり、スイッチ105、107がオンし、スイッチ106、108がオフし、C2の両端ノードN5、N6は基準電位(VM)となり、C2の蓄積電荷=0となる。これより、各容量C1、C2において、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出されるトータルの入力信号のデジタル値は、図16(A)のCalc(Digital)に示すように、入力デジタルデータ(Data)と同じ値となる。
3値のデジタル値に対応するアナログ電圧は、それぞれVH−VM、0(=VM−VM)、VL−VMであるため、トータルの出力アナログ電圧は、Calc(Analog)に示すように、入力デジタルデータ(Data)に対応するアナログ電圧そのものである。
図16(B)は、図3において、入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を示す図である。図3では、入力容量がC1のときは、帰還容量はC2となり、入力容量がC2のときは、帰還容量はC1となる。また、入力容量、帰還容量として用いる容量C1、C2は1データごとに入れ替えられる。
積分期間の入力容量では、入力デジタルデータに関わらず、必ず、デジタル値「0」をサンプリングする。例えば図4の積分期間Aでは、入力容量はC1であり、φ2A、φ2がHigh、φ1A、φ1B、φ2BがLowであるため、スイッチ102、104がオン、スイッチ101、103はオフし、C1の一端であるノードN2は基準電位となり、C1の他端であるノードN3はノードN4に接続されて基準電位(VM)となり、C1の蓄積電荷=0となる。図4の積分期間Bでは、入力容量はC2であり、φ2B、φ2がHigh、φ1A、φ2A、φ1BがLowであるため、スイッチ107、106がオン、スイッチ108、109、105はオフし、C2の一端であるノードN6は基準電位、C2の他端であるノードN5はノードN4に接続され基準電位(VM)となり、C2の蓄積電荷=0となる。
図3の関連技術2では、入力容量として用いた容量は、次のデータでは、帰還容量として用いる。このため、図1の関連技術1で行っていた、サンプリング期間の帰還容量でのデジタル値「0」のサンプリングが不要となり、サンプリング期間の帰還容量は、サンプリングせずに、電荷を保持することができる。図16(B)のFeedbackのφ1の★はこのことを表している。
上記のように、図3に示した関連技術2では、サンプリング期間の帰還容量でサンプリングせずに電荷を保持することができるため、スイッチの雑音のサンプリング回数を減らすことができる。
また1データ前の積分期間の入力容量でサンプリングされた演算増幅器の雑音を相殺することができる。この他に関しては、図16(B)は、図16(A)と同じである。すなわち、図16(B)において、Calc(Digital)、Calc(Analog)は、図16(A)と同じとなっている。
図1に示した関連技術1及び図3に示した関連技術2において、VH、VM、VLは、例えば図11のような電圧生成回路で生成される。図11は、GND電位をVLとし、DC(直流)電源の出力電圧をVHとし、VHとVLを抵抗R1、R2で分圧した電圧
(R1 × VH + R2 × VL) / (R1 + R2) ・・・(15)
をVMとしている。図11において、VM端子とVL端子間に接続された容量C1は、抵抗R1、R2とともにローパスフィルタを構成しており、GND電位を基準にした電源ノイズはVM端子では減衰することになる。このため、電源ノイズはVH端子のみに重畳されることになる。
図1及び図3のVH、VM、VLの生成回路として、図11に示す回路を用いた場合、図16(A)より、電源ノイズは、図13に示すように、入力信号に対して電源ノイズそのままの周波数で重畳されることになる。オーディオ帯域(20〜20kHz)のような低周波の電源ノイズを低減するには、電源に大きな容量を付ける必要がある。このため、低周波の電源ノイズの影響の低減に対する要求は高い。低周波の電源ノイズの影響を低減するために、例えば図12に示すような電圧生成回路が用いられる。
図12の電圧生成回路は、図11の電圧生成回路に対して、破線で囲んだ回路を追加したものである。図11の電圧生成回路の端子VMの電圧を、演算増幅器OPの非反転入力端子(+)に入力し、その電圧を、演算増幅器OPと抵抗で昇圧・分圧し、VH、VM、VLを生成する。演算増幅器OPの非反転入力端子(+)において、抵抗R1、R2と容量C1からなるローパスフィルタによって電源ノイズは減衰される。また、演算増幅器OPの出力に対する電源ノイズの影響は、演算増幅器OPの動作周波数帯域では、十分に低減することが可能である。
したがって、電源ノイズの影響を抑えるには、図12に示すように、演算増幅器(AMP)を追加するか、あるいは、外部から供給される電源ノイズ自体を低減させる必要がある。
図14は、図1の構成を改良したプロトタイプ例を示す図である。図14を参照すると、図1の構成に対して、ノードN2に一端が接続されたスイッチ102の他端が接続されたノードN0と、VH、VM、VL間に、それぞれ、制御信号L、M、Nでオン・オフ制御されるスイッチSW4、SW5、SW6をさらに備えている。
入力デジタルデータが+1のとき、制御信号Hが活性化され(制御信号M、Lは非活性状態)、スイッチSW1、SW6がオンし、サンプリング期間では、スイッチ101、103、105、107がオンし、ノードN1の電圧VHがノードN2に伝達され、容量C1の両端には、VH−VMが印加される。積分期間では、スイッチ101、103、105、107がオフし、スイッチ102、104、106、108がオンし、ノードN0の電圧VLがノードN2に伝達され、容量C1の両端には、VL−VMが印加される。
入力デジタルデータが0のとき、制御信号Mが活性化され(制御信号H、Lは非活性状態)、スイッチSW2、SW5がオンする。サンプリング期間では、スイッチ101のオンにより、ノードN1の電圧VMがノードN2に伝達され、容量C1の両端には、VM−VMが印加される。積分期間では、スイッチ101がオフし、スイッチ102がオンすることでノードN0の電圧VMが選択され、ノードN2にはVMが伝達され、容量C1の両端には、VM−VMが印加される。
入力デジタルデータが−1のとき、スイッチSW3、SW4がオンする。サンプリング期間では、ノードN1の電圧VLがノードN2に伝達され、容量C1の両端には、電圧VL−VMが印加される。積分期間では、スイッチ101がオフし、スイッチ102がオンすることで、ノードN0の電圧VHがノードN2に伝達され、容量C1の両端には、電圧VH−VMが印加される。
図14の回路では、3値の入力デジタルデータ(+1、0、−1)を以下の3つのアナログ電圧に対応(D/A変換)させる。
(1)デジタルデータ=+1の場合、
Vin = VH-VM、
-Vin = VL-VM、
Vin - (-Vin) = +(VH-VL)
(2)デジタルデータ=0の場合、
Vin = VM-VM、
-Vin = VM-VM、
Vin-(-Vin)=0
(3)デジタルデータ=−1の場合、
Vin = VL-VM、
-Vin = VH-VM、
Vin-(-Vin) = -(VH-VL)
入力信号の出力への伝達特性は、z関数を用いて以下のように求められる。
サンプリング期間終了時の各容量の電荷は以下で与えられる。
Q0 = C0・Vout(z)・z-1
Q1 = C1・Vin(z)
Q2 = 0
積分期間終了時の各容量の電荷は以下で与えられる。
Q0 = C0・Vout(z)
Q1 = C1・(-Vin(z))
Q2 = C0・Vout(z)
各容量に蓄積されたサンプリング期間終了時と積分期間終了時の電荷について電荷の保存則より次式が成り立つ。
(C0+C2)・Vout(z) + C1・(-Vin(z)) = C0・Vout(z)・z-1 + C1・Vin(z)
したがって、
Vout(z) = (C1/C2)・1/{1 + C0/C2・(1 - z-1)}・{Vin(z) - (-Vin(z))}
= (C1/C2)・1/{1 + C0/C2・(1 - z-1)}・2・Vin(z) ・・・(16)
上式(16)より、入力信号の伝達特性は、図1の回路の伝達特性を表す上式(2)を2倍したものになる。また、上記の伝達特性より、積分期間の入力容量でサンプリングした値は、符号反転して出力されることが分かる。
図16(C)は、図14のプロトタイプ例の入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を、図16(A)、(B)と同様に、表形式にまとめたものである。図14のプロトタイプ例について、図16(C)を参照して説明する。
図14の構成では、図1と同様に、入力容量はC1固定であり、帰還容量はC2固定である。サンプリング期間の入力容量では、入力デジタルデータと同じ3値(+1、0、−1)のデジタル値をサンプリングする。積分期間の入力容量では、入力デジタルデータと逆符号の3値(−1、0、+1)のデジタル値をサンプリングする。サンプリング期間の帰還容量では入力デジタルデータに関わらず、デジタル値「0」をサンプリングする。これより、各容量、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出されるトータルの入力信号のデジタル値は、Calc(Digital)に示すように入力デジタルデータ(Data)の2倍の値となる。
3値のデジタル値+1、0、−1に対応するアナログ電圧は、それぞれ、VH−VM、0(=VM−VM)、VL−VMであるため、入力デジタルデータ(+1、0、−1)に対応するトータルの入力信号のアナログ値は、Calc(Analog)に示すように、それぞれ、+(VH−VL)、0、−(VH−VL)となる(入力デジタルデータに対応するアナログ電圧とは異なる)。
図14のVH、VM、VLの電圧生成回路として、図11に示す回路を用いた場合、電源ノイズは、図15に示すように、入力信号の振幅に対して重畳される。したがって、VHに乗った電源ノイズは、入力信号によって振幅変調(Amplitude Modulation)されることになる。
デルタシグマ変調方式の音声DAC(デジタルアナログ変換器)は、例えば図23(A)に示すように、デジタルフィルタ11、デルタシグマ変調器12、DAC13、低域通過フィルタ14を備え、このうち、DAC13と低域通過フィルタ14は、図1、図3、図14等のSCF(スイッチトキャパシタフィルタ)15から構成される。なお、オーディオDAC10は、CD(Compact Disk)30等を再生する再生装置内に実装され、CDから読み出された信号をデジタルアナログ変換し、スピーカ20を駆動するものである。図23の(B)と(G)は、デジタルフィルタ11への入力信号の波形と周波数スペクトラム、(C)と(H)は、デジタルフィルタ11の出力信号の波形と周波数スペクトラム、(D)と(I)は、デルタシグマ変調器12の出力信号の波形と周波数スペクトラム、(E)と(J)は、1ビットDAC13の出力信号の波形と周波数スペクトラム、(F)と(K)は低域通過フィルタ14の出力信号の波形と周波数スペクトラムを模式的に示している。DAC13への入力信号は、周波数スペクトラム(I)に示すように、オーディオ帯域よりも高い周波数成分を多く含んでいる。
上記したように、図14のVH、VM、VLを生成する電圧生成回路として、図11に示す回路を用いた場合の電源ノイズは、入力信号によって振幅変調される。この入力信号は、オーディオ帯域よりも高い周波数成分を多く含んでいる。このため、電源ノイズは、オーディオ帯域外へ変調されることになり、オーディオ帯域内への電源ノイズの影響を低減することができる。
図3を参照して説明した関連技術2の構成は、出力に伝搬されるスイッチの雑音、演算増幅器の入力オフセット等の雑音の低減を図るものであるが、電源ノイズの影響を低減のための対策は講じられていない。このため、電圧生成回路として例えば図11の構成を用いた場合、VHの電源ノイズが、入力データ+1に対する出力電圧Voutに乗る。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施形態によれば、3値の入力データの値に応じた電圧がそれぞれ印加される第1及び第2のノードと、第1の容量及び第2の容量と、非反転入力端子が基準電位に接続された演算増幅器と、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第3の容量と、を備え、前記第1の容量及び第2の容量の一方を入力容量、他方を帰還容量とする。サンプリング期間では、前記入力容量の第1端子及び第2端子を前記第1のノードと基準電位にそれぞれ接続し、前記帰還容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。積分期間では、前記入力容量の前記第1端子及び前記第2端子を前記第2のノードと前記演算増幅器の反転入力端子にそれぞれ接続し、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子にそれぞれ接続する。
前記実施形態によれば、スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の出力への伝搬を抑制しつつ電源雑音の影響を低減することができる。
関連技術1の構成を示す図である。 関連技術1の動作を説明するタイミング図である。 関連技術2の構成を示す図である。 関連技術2の動作を説明するタイミング図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Aと積分期間Aにおける入力信号の伝搬を説明する図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Bと積分期間Bにおける入力信号の伝搬を説明する図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Aと積分期間Aにおけるスイッチの雑音伝搬を説明する図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Bと積分期間Bにおけるスイッチの雑音伝搬を説明する図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Aと積分期間Aにおける演算増幅器の雑音伝搬を説明する図である。 (A)、(B)は関連技術2のサンプリング期間Bと積分期間Bにおける演算増幅器の雑音伝搬を説明する図である。 電圧生成回路の構成の一例を示す図である。 電圧生成回路の構成の別の例を示す図である。 図1の構成に図11の電圧生成回路を用いた場合の電源ノイズを説明する図である。 図1を改良した例(プロトタイプ例)を示す図である。 図14の構成に図11の電圧生成回路を用いた場合の電源ノイズを説明する図である。 (A)乃至(C)は図1、図3、図14のスイッチ制御シーケンスを表形式でまとめた図である。 第1の実施形態の構成を示す図である。 第1の実施形態の動作を説明するタイミング図である。 第1の実施形態におけるスイッチ制御シーケンスを説明する図である。 第2の実施形態の構成を示す図である。 第2の実施形態におけるスイッチ制御シーケンスを説明する図である。 第3の実施形態の構成を示す図である。 (A)はシステムの全体構成を示す図、(B)〜(F)は各部の波形、(G)〜(K)は周波数スペクトルを模式的に示す図である。
いくつかの実施形態について図面を参照して説明する。実施形態では、スイッチの雑音、演算増幅器の雑音を抑制する図3に示した関連技術2を、電源ノイズの影響を低減するように、構成、制御を改良したものである。実施形態の半導体装置は、図17又は図20を参照すると、3値の入力データの値に応じた電圧がそれぞれ印加される第1及び第2のノード(N1、N0)と、第1の容量及び第2の容量(C1、C2)と、非反転入力端子が基準電位に接続された演算増幅器(AMP)と、前記演算増幅器(AMP)の反転入力端子(−)と出力端子(OUT)間に接続された第3の容量(C0)と、を備え、前記第1の容量及び第2の容量の一方を入力容量、他方を帰還容量とする。サンプリング期間では、前記入力容量の第1端子及び第2端子を前記第1のノード(N1)と基準電位にそれぞれ接続し、前記帰還容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。積分期間では、前記入力容量の前記第1端子及び前記第2端子を前記第2のノード(N0)と前記演算増幅器の反転入力端子(−)にそれぞれ接続し、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子(OUT)と前記演算増幅器の前記反転入力端子(−)にそれぞれ接続するスイッチ群(101〜112)を備えている。この実施形態によれば、スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の出力への伝搬を抑制しつつ電源雑音の影響を低減することができる。
図17を参照すると、電圧値が降順の関係の第1の電圧(VH)、第2の電圧(VM)、第3の電圧(VL)がそれぞれ供給される第1、第2、第3の電圧端子(VH、VM、VL)と第1のノード(N1)間に接続され、3値の入力データに応じた選択制御信号(H1、M1、L1)に基づき、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つ、前記第1のノードに伝達する第1のスイッチ群(SW1〜SW3)と、前記第1、第2、第3の電圧端子(VH、VM、VL)と第2のノード(N0)間に接続され、前記入力データに応じた選択制御信号(H2、M2、L2)に基づき、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを、前記第2のノード(N0)に伝達する第2のスイッチ群(SW4〜SW6)を備える。第1の入力データに対応して、第1のサンプリング期間(A)では、前記第1の容量(C1)の第1端子(N2)を前記第1のノード(N1)に接続し、前記第1の容量の第2端子(N3)を前記基準電位に接続し、
前記第2の容量(C2)の第1端子(N6)と第2端子(N5)をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量(C2)の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。
前記第1のサンプリング期間に続く第1の積分期間では、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)を前記第2のノード(N0)に接続し、前記第1の容量(C1)の前記第2端子(N3)を前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記第2端子(N5)を前記出力端子(OUT)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続する。
前記第1の入力データに続く第2入力データに対応して、第2のサンプリング期間では、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)を前記第1のノード(N1)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)を前記基準電位に接続し、
前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2端子(N3)をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記第1の容量(C1)の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。
前記第2のサンプリング期間に続く第2の積分期間では、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)を前記第2のノード(N0)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)を前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続し、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2端子(N3)を前記出力端子(OUT)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続する。
順次入力される複数の入力データに対して、前記第1のサンプリング期間及び前記第1の積分期間と、前記第2のサンプリング期間及び前記第2の積分期間を、交互に繰り返す。
実施形態によれば、前記入力データと1データ前の入データの値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御する。
実施形態によれば、前記入力データの値が+1の場合、第1のスイッチ群は、前記第1の電圧を選択するか、あるいは第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は、前記第3の電圧を選択する。また、前記入力データの値が0の場合、第1のスイッチ群は、例えば前記第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は前記第2の電圧を選択する。前記入力データの値が−1の場合、第1のスイッチ群は、前記第3の電圧を選択するか、あるいは前記第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は前記第1の電圧を選択する。入力データの値+1又は−1が2回以上繰り返されるか、又は、現在の入力データの値が0であり、その前の入力データの値が0と異なる、という条件を満たす場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を放電し、前記条件を満たさない場合には、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を保持する構成としてもよい。
実施形態において、前記基準電位を前記第2の電圧(VM)としている。
実施形態において、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第1のノード(N1)との間に接続された第1のスイッチ(101)と、
前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2のノード(N0)との間に接続された第2のスイッチ(102)と、
前記第1の容量(C1)の前記第2端子(N3)と前記第2の電圧端子(VM)との間に接続された第3のスイッチ(103)と、
前記第1の容量(C1)の前記第2端子(N3)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)との間に接続された第4のスイッチ(104)と、
前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)と前記第2の電圧端子(VM)との間に接続された第5のスイッチ(105)と、
前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)との間に接続された第6のスイッチ(106)と、
前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記第2のノード(N0)との間に接続された第7のスイッチ(107)と、
前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記出力端子(OUT)との間に接続された第8のスイッチ(108)と、
前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記第1のノード(N1)間に接続された第9のスイッチ(109)と、
前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記出力端子(OUT)との間に接続された第10のスイッチ(110)と、
前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2の電圧端子(VM)との間に接続された第11のスイッチ(111)と、
前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記第2の電圧端子(VM)との間に接続された第12のスイッチ(112)と、を備えている。
前記第1のスイッチ(101)は、クロック信号φ1Aが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときにオフする。
前記第2のスイッチ(102)及び前記第8のスイッチ(108)は、クロック信号φ2Aが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Aが非活性状態のときにオフする。
前記第3のスイッチ(103)は、前記クロック信号φ1Aが活性状態であるとき、又は、制御信号Xが活性状態であり且つクロック信号φ1Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ1Aが非活性状態であり、且つ、前記制御信号が非活性状態であるか又は前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときにオフする(φ1A|X・φ1Bでオン・オフが制御される)。なお、論理演算記号“|”は論理和(OR)、“・”は論理積(AND)を表す。
前記第4のスイッチ(104)及び第6のスイッチ(106)は、クロック信号φ2が活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2が非活性状態のときにオフする。
前記第5のスイッチ(105)は、前記クロック信号φ1Bが活性状態であるとき、又は、前記制御信号が活性状態であり且つ前記クロック信号φ1Aが活性状態のときに、オンし、前記クロック信号φ1Bが非活性状態であり、且つ、前記制御信号Xが非活性状態であるか又は前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときに、オフする(φ1B|X・φ1Aでオン・オフが制御される)。
前記第7のスイッチ(107)は、前記クロック信号φ2Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Bが非活性状態のときにオフする。
前記第9のスイッチ(109)は、前記クロック信号φ1Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときにオフする。
前記第10のスイッチ(110)は、クロック信号φ2Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Bが非活性状態のときにオフする。
前記第11のスイッチ(111)は、前記制御信号Xが活性状態であり、且つ、前記クロック信号φ1Bが活性状態のときに、オンし、前記制御信号Xが非活性状態であるか、又は。前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときに、オフする(X・φ1Bでオン・オフが制御される)。
前記第12のスイッチ(112)は、前記制御信号Xが活性状態であり、且つ、前記クロック信号φ1Aが活性状態のときに、オンし、前記制御信号Xが非活性状態であるか、又は前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときに、オフする(X・φ1Aでオン・オフが制御される)。
前記クロック信号φ1Aは、前記第1のサンプリング期間に活性状態とされ、前記第1、第2の積分期間、及び、前記第2のサンプリング期間には、非活性状態とされる。
前記クロック信号φ2Aは、前記第1の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間、及び、前記第2の積分期間には非活性状態とされる。
前記クロック信号φ1Bは、前記第2のサンプリング期間に活性状態とされ、前記第1、第2の積分期間、及び、前記第1のサンプリング期間には非活性状態とされる。
前記クロック信号φ2Bは、前記第2の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間、及び、前記第1の積分期間には非活性状態とされる。
前記クロック信号φ2は、前記第1、第2の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間には非活性状態とされる。
別の実施形態によれば、図20を参照すると、電圧値が降順の関係の第1の電圧、第2の電圧、第3の電圧のうち前記第2の電圧と前記第3の電圧がそれぞれ供給される第2及び第3の電圧端子と、第1のノード(N1)間に接続され、3値の入力データに応じた制御信号に基づき、前記第2の電圧(VM)と前記第3の電圧(VL)のうちの1つを前記第1のノード(N1)に伝達する第1のスイッチ群(SW2、SW3)と、
前記第2及び第3の電圧端子と第2のノード(N0)間に接続され、前記入力データに応じた3値の入力データに応じた制御信号に基づき、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第2のノード(N0)に伝達する第2のスイッチ群(SW5、SW6)と、
第1の容量及び第2の容量(C1、C2)と、
非反転入力端子(+)が基準電位に接続された演算増幅器(AMP)と、
前記演算増幅器(AMP)の反転入力端子(−)と出力端子(OUT)間に接続された第3の容量(C0)と、を備えている。
第1の入力データに対して、第1のサンプリング期間(A)では、前記第1の容量(C1)の第1端子(N2)を前記第1のノード(N1)に接続し、前記第1の容量の第2端子(N3)を前記基準電位に接続し、
前記第2の容量(C2)の第1端子(N6)と第2端子(N5)をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量(C2)の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。
前記第1のサンプリング期間に続く第1の積分期間では、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)を前記第2のノード(N0)に接続し、前記第1の容量(C1)の前記第2端子(N3)を前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)と前記第2端子(N5)を前記出力端子(OUT)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続する。
前記第1の入力データに続く第2入力データに対して、第2のサンプリング期間では、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)を前記第1のノード(N1)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)を前記基準電位に接続し、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2端子(N3)をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記第1の容量(C1)の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とする。
前記第2のサンプリング期間に続く第2の積分期間では、前記第2の容量(C2)の前記第1端子(N6)を前記第2のノード(N0)に接続し、前記第2の容量(C2)の前記第2端子(N5)を前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続し、前記第1の容量(C1)の前記第1端子(N2)と前記第2端子(N3)を前記出力端子(OUT)と前記演算増幅器(AMP)の前記反転入力端子(−)に接続する。
順次入力される複数の入力データに対して、前記第1のサンプリング期間及び前記第1の積分期間と、前記第2のサンプリング期間及び前記第2の積分期間を、交互に繰り返す、スイッチトキャパシタ回路を備える。
この実施形態によれば、前記入力データと1データ前の前記積分期間の入力容量でのサンプリング値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御する。例えば、前記入力データの値が+1の場合、第1のスイッチ群は、例えば前記第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は、前記第3の電圧を選択する。前記入力データの値が0の場合、第1のスイッチ群は、例えば前記第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は、前記第2の電圧を選択するか、あるいは前記第3の電圧を選択する。前記入力データの値が−1の場合、第1のスイッチ群は、例えば前記第3の電圧を選択するか、あるいは前記第2の電圧を選択し、第2のスイッチ群は、前記第2の電圧を選択する。この場合、前記入力データと1データ前の前記積分期間の入力容量でのサンプリング値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御するようにしてもよい。例えば、入力データの値+1が2回以上繰り返されるか、又は、入力データの値+1の次に入力データ0が1回以上続き、+1となるデータ列の、最後の+1である、という条件を満たす場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を放電し、前記条件を満たさない場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量を保持する構成としてもよい。この実施形態によれば、VHを使用しないため、入力信号のレベルに依らず、電源ノイズの影響を低減することができる。
<実施形態1>
図17は、スイッチトキャパシタを備えた半導体装置の実施形態1の回路構成を示す図である。図17の実施形態1と図3に示した関連技術2との相違点を以下に記載する。
・スイッチ111、112が追加されている。
・スイッチSW4、SW5、SW6が追加されている。
・スイッチSW1、SW2、SW3の制御信号H、M、LはH1、M1、L1に変更されている。
・スイッチSW4、SW5、SW6の制御信号H2、M2、L2が追加されている。
・スイッチ103、111、105、112のオン・オフを制御する制御信号Xが追加されている。
・入力信号(3値のデジタル値)に対応するアナログ電圧(Vin)は、図3のように、SW1、SW2、SW3のみを介して入力されるのではなく、1データ前の積分期間に入力容量でサンプリングした電圧も考慮して、所望のアナログ電圧(Vin)になるように制御信号(H1、M1、L1、H2、M2、L2、X)を制御する。
・各容量、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出したトータルの入力信号のデジタル値は入力デジタルデータの2倍の値となる。
図18は、実施形態1のタイミング図である。スイッチSW1〜SW3の制御信号をH、M、Lから、H1、M1、L1、H2、M2、L2に変更しているが、これらのタイミングは、図4に示した例から変更はない。図18において、φ1A、φ2A、φ1B、φ2B、φ2は、図4と同一であり、サンプリング期間(A)、積分期間(A)、VinA[1]、VoutA[1]、サンプリング期間(B)、積分期間(B)、VinB[2]、VoutB[2]等も図4と同一である。
上記の変更により、実施形態1で拡張された動作を以下にまとめる。
・スイッチ111、112の追加、及び、制御信号Xの追加により、帰還容量として使用する容量の電荷を、サンプリング期間に放電または保持することができる(関連技術2では、保持しかできない)。
・スイッチSW4、SW5、SW6の追加、及び、制御信号H1、M1、L1、H2、M2、L2の変更・追加により、入力容量として使用する容量で、積分期間に入力デジタルデータに応じた電荷をサンプリングできる。
また積分期間とサンプリング期間でサンプリングするデータを変えることができる(関連技術2では、積分期間にデータをサンプリングできない)。
図17の実施形態1における入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御について、図3の関連技術との相違を説明する。図19は、図7の実施形態1において、入力デジタルデータに対応する、各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を表形式にまとめたものである。各欄は、前述した図16(B)と同様である。すなわち、Data、Dataz、Input(φ1、φ2)、Feedback(φ1、φ2)、Calc(Digital)、Calc(Analog)、Controlの欄は図16(B)と同じであるため、説明は省略する。なお、Controlは、制御信号H1、M1、L1、H2、M2、L2からなる。
図19を参照すると、実施形態1では、入力容量がC1のときは、帰還容量はC2となり、入力容量がC2のときは、帰還容量はC1となる。また、入力容量・帰還容量として使用する容量(C1、C2)は、1データごとに入れ替える。
実施形態1では、積分期間の入力容量(図19のInputのφ2の欄参照)では、1データ前の入力デジタルデータ(Dataz)に関わらず、現在の入力デジタルデータ(Data)に応じたデジタル値(入力デジタルデータを符号反転した値)をサンプリングする。一方、図3の関連技術2では、Data、Datazに関わらず、積分期間の入力容量では、図16(B)に示すように、必ず、デジタル値「0」をサンプリングする。
実施形態1では、サンプリング期間の入力容量、及び、サンプリング期間の帰還容量では、現在の入力デジタルデータ(Data)と、1データ前の入力デジタルデータ(Dataz)に応じたデジタル値をサンプリングする。
一方、図3の関連技術2では、Datazには関わらず、サンプリング期間の入力容量は、Dataに応じたデジタル値をサンプリングする。
実施形態1では、サンプリング期間の帰還容量では、1データ前の積分期間の入力容量(図19のInputのφ2)でサンプリングされた値が、現在の入力デジタルデータとして使用できる場合には、サンプリングせず、電荷を保持する(図19のFeedbackのφ1の欄の★参照)。サンプリング期間の帰還容量では、1データ前の積分期間の入力容量でサンプリングされた値が、現在の入力デジタルデータとして使用できない場合に、帰還容量の電荷を放電とする(図19のFeedbackのφ1の欄の値0参照)。
図3の関連技術2においては、サンプリング期間の帰還容量では、図16(B)のFeedbackのφ1の欄の★に示すように、必ず保持する。
実施形態1では、各容量、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出したトータルの入力信号のデジタル値は、図19のCalc(Digital)に示すように、入力デジタルデータ(Data)の2倍の値となる。これは、前述した図14のプロトタイプ例と同じである(図16(C)のCalc(Digital)参照)。ただし、図3の関連技術2と異なる(図16(B)のCalc(Digital)参照)。
実施形態1では、3値のデータに対応するアナログ電圧は、それぞれ、VH−VM、0(=VM−VM)、VL−VMであるため、入力デジタルデータ(+1、0、−1)に対応する、トータルの入力信号のアナログ電圧は、Calc(Analog)に示すように、それぞれ、+(VH−VL)−(VL−VM)=VH−VL、0、(VL−VM)−(VH−VM)=VL−VHとなる(入力デジタルデータに対応するアナログ電圧とは異なる)。これは、前述した図14のプロトタイプ例と同じである(図16(C)のCalc(Analog)参照)。ただし、図3の関連技術2と異なる(図16(B)のCalc(Analog)参照)。
上記より、図17の実施形態1において、VH、VM、VLの生成回路として図11に示す回路を用いた場合、電源ノイズは、図15に示すように、入力信号の振幅に対して重畳される。したがって、図14のプロトタイプ例と同様に、VHに乗った電源ノイズは、入力信号によって振幅変調されることになり、オーディオ帯域内への電源ノイズの影響を低減することができる。
スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の低減効果については、サンプリング期間の帰還容量で、必ず電荷が保持されるわけではないため、図3の関連技術2に対して、低減効果は小さくなる。
サンプリング期間の帰還容量で電荷が保持がされない条件は、以下である。
・Data=+1、Dataz=+1
・Data=−1、Dataz=−1
・Data=0、Dataz≠0
入力デジタルデータ(Data、Dataz)が上記の条件となるのは、入力信号のレベルが大きい場合であり、入力信号のレベルが大きいときのノイズは、信号のレベルが小さいときに比べて要求が緩和される場合が多い。このため、実使用上問題にならない場合が多い。図19において、a、b、cで示す行の条件は、Datazに関わらず、Dataのみに対応してスイッチを制御する条件である。スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の低減効果を最大にするためには、a、b、c以外の条件のスイッチ制御を行うほうがよいが、a、b、c以外の条件のスイッチ制御に限定するものではない。
スイッチトキャパシタにおけるスイッチの雑音は一般に容量(キャパシタ)の容量値に反比例することが知られている。スイッチの雑音の出力への伝搬を低減することで、その分、容量C1、C2等の容量値を小さくすることができる。この結果、回路面積を削減可能としている。あるいは、同一の回路面積であれば、より低雑音の回路を構成できる。
また演算増幅器の雑音(フリッカ雑音)、オフセット電圧等は、演算増幅器を構成するMOSトランジスタのゲート面積(WL:Wはゲート幅、Lはゲート長)に依存しており、ゲート面積を大きくすることで、演算増幅器の雑音(フリッカ雑音)、オフセット電圧等を低減することができることが知られている。
本実施形態によれば、演算増幅器の雑音(フリッカ雑音)、オフセット電圧の出力端子への伝搬を低減可能としたことで、その分、演算増幅器の面積を削減することができる。あるいは、同一の面積の演算増幅器であれば、より低雑音、低オフセット電圧の演算増幅器を構成できる。
本実施形態において、入力データとして+1又は−1が2回以上繰り返す場合、あるいは、0の前のデータが+1又は−1の場合には、図3の関連技術2よりもスイッチの雑音の低減の効果は下がるが、前述したように、実使用上問題にならないケースが多い。
<実施形態2>
図20は、実施形態2の構成を示す図である。図20に示すように、実施形態2は、図17の前記実施形態1と以下の点が相違している。
・スイッチSW1、SW4及びその制御信号H1、H2の削除。
・VH端子の削除(VHを使用しないので、VHに乗った電源ノイズの影響を完全になくすことができる)。
・各容量、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出したトータルの入力信号のデジタル値は、Calc(Digital)に示すように、入力デジタルデータ(Data)と同じ値となる(実施形態1では2倍)。
図21は、図20の実施形態2の入力デジタルデータに対応する各容量、各期間のアナログ電圧及びスイッチの制御信号を、図19と同様に、表形式にまとめたものである。図21を参照すると、図19とは、Dataz(1データ前の入力デジタルデータ)の欄をIn_p2_zにしている点が相違している。図21において、In_p2_zは1データ前の積分期間の入力容量でのサンプリング値を表す。
図17の前記実施形態1では、現在の入力デジタルデータDataと1データ前の入力デジタルデータDatazに応じて、スイッチ103、105、111、112のオン・オフを制御している。
これに対して、図20の実施形態2では、現在の入力デジタルデータと、1データ前の積分期間の入力容量でのサンプリング値に応じて、スイッチ103、105、111、112のオン・オフを制御している。
図20の実施形態2では、実施形態1と同様、入力容量がC1のときは、帰還容量はC2となり、入力容量がC2のときは、帰還容量はC1となる。また、入力容量、帰還容量として使用する容量C1、C2は、1データごとに入れ替える。
サンプリング期間及び積分期間の入力容量、及び、サンプリング期間の帰還容量では、現在の入力デジタルデータ(Data)と1データ前の積分期間の入力容量でのサンプリング値(In_p2_z)に応じたデジタル値を、サンプリングする。特に、サンプリング期間の帰還容量では、1データ前の積分期間の入力容量でのサンプリング値が現在のデータとして使用できる場合、サンプリングせず、電荷を保持する(Feedbackのφ1の★参照)。
各容量、各期間にサンプリングされたデジタル値から算出したトータルの入力信号のデジタル値は、Calc(Digital)に示すように、入力デジタルデータ(Data)と同じ値となる(図17の実施形態1と異なる。実施形態1では2倍)。
3値のデジタル値に対応するアナログ電圧は、それぞれ、VH−VM、0(=VM−VM)、VL−VMであるため、入力デジタルデータ(+1、0、−1)に対応する、トータルの入力アナログ電圧は、Calc(Analog)に示すように、それぞれ、+(VM−VL)、0、−(VM−VL)となる(3値のデジタル値に対応するアナログ電圧と異なる)。
実施形態2では、VHを使用しないので、VH、VM、VLの生成回路として図11に示す回路を用いた場合でも、電源ノイズの影響を完全になくすことが可能である。
一方、スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の低減効果については、サンプリング期間の帰還容量で、必ず電荷が保持されるわけではないため、図3の関連技術2に対して、低減効果は小さくなる。
実施形態2において、サンプリング期間に帰還容量で電荷が保持されない条件は、以下である。
・Data=+1、In_p2_z=−1
In_p2_zが−1になる条件は、以下である。
・Data=+1、In_p2_z=*(任意)
・Data=0、In_p2_z=−1
上記の2つの条件を総合すると、以下のデータ列の場合に、サンプリング期間に帰還容量では、電荷が保持されないことになる。
(1)+1が2回以上続く場合。
(2)+1の次に、0が1回以上続き、+1となるデータ列の、最後の+1の場合。
入力デジタルデータが、上記(1)の条件となるのは、信号のレベルが大きい場合であり、信号のレベルが大きいときのノイズは、信号のレベルが小さいときに比べて要求が緩和される場合が多い。このため、実使用上問題にならない場合が多い。
また、上記(2)の条件となる頻度は低いため、実使用上問題にならない場合が多い。
なお、図21において、a、b、cで示す条件は、In_p2_zに関わらずDataのみに対応してスイッチを制御する条件である。スイッチの雑音、演算増幅器の雑音の低減効果を最大にするためには、a、b、c以外の条件のスイッチ制御を行うほうが良いが、a、b、c以外の条件のスイッチ制御に限定するものではない。
前記実施形態1では、電源ノイズをAM変調して、オーディオ帯域外に飛ばしている。しかしながら、入力信号のレベルが大きい場合に、オーディオ帯域内に電源ノイズが残る。前述したように、入力の信号レベルが大きい場合には、電源ノイズの影響の要求が緩和されるため、実使用上問題にならないケースが多い。
これに対して、本実施形態では、VHを使用しないため、入力信号のレベルに依らず、電源ノイズの影響を低減することができる。なお、本実施形態は、図17の前記実施形態1において、スイッチSW1、SW4をオフ固定とする(ノードN1とVH端子間、ノードN0とVH端子間を常時非接続とする)構成でも実現可能である。
<実施形態3>
図22は、実施形態3の構成を示す図である。図22を参照すると、本実施形態では、スイッチトキャパシタをn個(n≧3)としている。スイッチトキャパシタをn個備えたことで、入力データがn個以上続かない限り、前記関連技術2と同様の効果が得られる。さらに、前記関連技術2のスイッチの雑音抑制効果、演算増幅器の雑音抑制効果に加えて、電源ノイズの影響を抑制している。
図22において、n個のスイッチトキャパシタを構成する容量C1〜Cnの各容量の一の端子に対して、ノードN1、N0、VM、OUTとの接続をオン・オフ制御するスイッチ、前記各容量の他の端子に対してノードN4、VMとの接続をオン・オフ制御するスイッチを備えている。容量C1、C2、スイッチ101〜112は、図17の実施形態1と同一構成とされる。n番目の容量Cnに対して、容量Cnの一端とノードN1、N0との接続をそれぞれ制御するスイッチ117、115、容量Cnの一端と出力端子OUTの接続を制御するスイッチ116、容量Cnの他端とノードN4との接続を制御するスイッチ114、容量Cnの一端と他端と基準電位の接続をそれぞれ制御するスイッチ118、113を備えている。例えばn個の容量のうちの1つを順番に入力容量とし、残りの(n−1)個の容量の1つ又は複数を演算増幅器AMPの帰還路に容量C0と並列に接続した帰還容量としてもよい。
本実施形態によれば、前記実施形態1の容量C0、C1、C2とは別に、さらに、1つ又は複数の容量C3〜Cn(n≧3)を備え、C1〜Cnの複数の容量のうちの一の容量に対して、例えば一のサンプリング期間では、前記一の容量の第1端子を前記第1のノードに接続し、前記一の容量の第2端子を前記基準電位に接続し、他の容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記他の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、つづく一の積分期間では、前記一の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記一容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、前記他の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続する。さらに他のサンプリング期間では、前記他の容量の前記第1端子を前記第1のノードに接続し、前記他の容量の前記第2端子を前記基準電位に接続し、前記一の容量の前記第1端子と前記第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記一の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、続く他の積分期間では、前記他の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記他の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、前記一の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続する。本実施形態においても、前記実施形態と同様、電源雑音の影響を低減することができる。
前記各実施形態に示した構成のスイッチトキャパシタ回路は、図23のオーディオDAC10のスイッチトキャパシタフィルタ(SCF)15等に適用されるが、かかる適用に制限されるものでないことは勿論である。
前記各実施形態に示した構成のスイッチトキャパシタ回路と図15の電圧生成回路とを同一半導体チップ上に備えた構成としてもよい。
図17、図20、図22において、端子VH、VM、VMとノードN1、N0間のスイッチ構成(SW1〜SW3、SW4〜SW6;SW2、SW3、SW5、SW6)からなる選択回路の構成とその電圧選択(組み合せ)は一例を例示したものであり、3値の入力デジタルデータの値に対応した制御信号に基づき、対応する電圧を選択する構成であれば、他の構成としてもよいことは勿論である。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。なお、上記の特許文献、非特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素(各請求項の各要素、各実施例の各要素、各図面の各要素等を含む)の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
10 オーディオDAC
11 デジタルフィルタ
12 ΔΣ変調器
13 1ビットDAC
14 低域通過フィルタ
15 SCF
20 スピーカ
30 CD(Compact Disk)
101〜112 スイッチ

Claims (20)

  1. 3値の入力データの値に応じた電圧がそれぞれ印加される第1及び第2のノードと、
    第1の容量及び第2の容量と、
    非反転入力端子が基準電位に接続された演算増幅器と、
    前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第3の容量と、
    を備え、
    前記第1の容量及び第2の容量の一方を入力容量、他方を帰還容量とし、
    サンプリング期間では、
    前記入力容量の第1端子及び第2端子を前記第1のノードと基準電位にそれぞれ接続し、
    前記帰還容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    積分期間では、
    前記入力容量の前記第1端子及び前記第2端子を前記第2のノードと前記演算増幅器の反転入力端子にそれぞれ接続し、
    前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子にそれぞれ接続するスイッチ群を備えた、半導体装置。
  2. 電圧値が降順の関係の第1の電圧、第2の電圧、第3の電圧がそれぞれ供給される第1、第2、第3の電圧端子と、前記第1のノード間に接続され、前記3値の入力データに応じた制御信号に基づき、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第1のノードに伝達する第1のスイッチ群と、
    前記第1、第2、第3の電圧端子と前記第2のノード間に接続され、前記入力データに応じた制御信号に基づき、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第2のノードに伝達する第2のスイッチ群を備えた請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記入力データと1データ前の入データの値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御する、請求項2記載の半導体装置。
  4. 前記入力データの値が+1の場合、前記第1のスイッチ群は前記第1の電圧を選択するか又は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第3の電圧を選択し、
    前記入力データの値が0の場合、前記第1のスイッチ群は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第2の電圧を選択し、
    前記入力データの値が−1の場合、前記第1のスイッチ群は前記第3の電圧を選択するか又は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第1の電圧を選択し、
    入力データの値+1又は−1が2回以上繰り返されるか、又は、
    入力データの値が0でありその前の入力データの値が0と異なる、
    という条件を満たす場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を放電し、前記条件を満たさない場合には、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を保持する、請求項3記載の半導体装置。
  5. 電圧値が降順の関係の第2の電圧、第3の電圧がそれぞれ供給される第2、第3の電圧端子と、前記第1のノード間に接続され、前記3値の入力データに応じた制御信号に基づき、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第1のノードに伝達する第1のスイッチ群と、
    前記第2、第3の電圧端子と前記第2のノード間に接続され、前記入力データに応じた制御信号に基づき、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第2のノードに伝達する第2のスイッチ群を備えた請求項1記載の半導体装置。
  6. 前記入力データと1データ前の前記積分期間の入力容量でのサンプリング値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御する、請求項5記載の半導体装置。
  7. 前記入力データの値が+1の場合、前記第1のスイッチ群は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第3の電圧を選択し、
    前記入力データの値が0の場合、前記第1のスイッチ群は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第2の電圧を選択するか又は前記第3の電圧を選択し、
    前記入力データの値が−1の場合、前記第1のスイッチ群は前記第3の電圧を選択するか又は前記第2の電圧を選択し、前記第2のスイッチ群は前記第2の電圧を選択し、
    入力データの値+1が2回以上繰り返されるか、又は、
    入力データの値+1の次に入力データ0が1回以上続き、+1となるデータ列の、最後の+1である、
    という条件を満たす場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷を放電し、前記条件を満たさない場合、前記サンプリング期間において、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量を保持する、請求項6記載の半導体装置。
  8. 第1の入力データに対応して、第1のサンプリング期間では、
    前記入力容量をなす前記第1の容量の第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第1の容量の第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第2の容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第1のサンプリング期間に続く第1の積分期間では、
    前記入力容量をなす前記第1の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第1の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記第1の入力データに続く第2入力データに対応して、第2のサンプリング期間では、
    前記入力容量をなす前記第2の容量の前記第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第2のサンプリング期間に続く第2の積分期間では、
    前記入力容量をなす前記第2の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    順次入力される複数の入力データに対して、
    前記第1のサンプリング期間及び前記第1の積分期間と、
    前記第2のサンプリング期間及び前記第2の積分期間と、
    を交互に繰り返す、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。
  9. 前記基準電位を、前記第2の電圧とした請求項1記載の半導体装置。
  10. 電圧値が降順の関係の第1の電圧、第2の電圧、第3の電圧がそれぞれ供給される第1、第2、第3の電圧端子と、第1のノード間に接続され、3値の入力データに応じて、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第1のノードに伝達する第1のスイッチ群と、
    前記第1、第2、第3の電圧端子と第2のノード間に接続され、前記入力データに応じて、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧のうちの1つを前記第2のノードに伝達する第2のスイッチ群と、
    第1の容量及び第2の容量と、
    非反転入力端子が基準電位に接続された演算増幅器と、
    前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第3の容量と、
    を備え、
    第1の入力データに対応して、第1のサンプリング期間では、
    前記第1の容量の第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第1の容量の第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記第2の容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第1のサンプリング期間に続く第1の積分期間では、
    前記第1の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第1の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記第1の入力データに続く第2入力データに対応して、第2のサンプリング期間では、
    前記第2の容量の前記第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第2のサンプリング期間に続く第2の積分期間では、
    前記第2の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    順次入力される複数の入力データに対して、
    前記第1のサンプリング期間及び前記第1の積分期間と、
    前記第2のサンプリング期間及び前記第2の積分期間と、
    を交互に繰り返す、スイッチトキャパシタ回路を備えた半導体装置。
  11. 前記第1の容量の前記第1端子と前記第1のノードとの間に接続された第1のスイッチと、
    前記第1の容量の前記第1端子と前記第2のノードとの間に接続された第2のスイッチと、
    前記第1の容量の前記第2端子と前記第2の電圧端子との間に接続された第3のスイッチと、
    前記第1の容量の前記第2端子と前記反転入力端子との間に接続された第4のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第2端子と前記第2の電圧端子との間に接続された第5のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第2端子と前記反転入力端子との間に接続された第6のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第1端子と前記第2のノードとの間に接続された第7のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第1端子と前記出力端子との間に接続された第8のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第1端子と前記第1のノード間に接続された第9のスイッチと、
    前記第1の容量の前記第1端子と前記出力端子との間に接続された第10のスイッチと、
    前記第1の容量の前記第1端子と前記第2の電圧端子との間に接続された第11のスイッチと、
    前記第2の容量の前記第1端子と前記第2の電圧端子との間に接続された第12のスイッチと、
    を備えている、請求項10に記載の半導体装置。
  12. 前記第1のスイッチは、クロック信号φ1Aが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときにオフし、
    前記第2及び第8のスイッチは、
    クロック信号φ2Aが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Aが非活性状態のときにオフし、
    前記第3のスイッチは、
    前記クロック信号φ1Aが活性状態であるとき、又は、制御信号が活性状態であり且つクロック信号φ1Bが活性状態のときにオンし、
    前記クロック信号φ1Aが非活性状態であり、且つ、前記制御信号が非活性状態であるか又は前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときにオフし、
    前記第4及び第6のスイッチは、
    クロック信号φ2が活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2が非活性状態のときにオフし、
    前記第5のスイッチは、
    前記クロック信号φ1Bが活性状態であるとき、又は、前記制御信号が活性状態であり且つ前記クロック信号φ1Aが活性状態のときに、オンし、
    前記クロック信号φ1Bが非活性状態であり、且つ、前記制御信号が非活性状態であるか又は前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときに、オフし、
    前記制御信号が非活性状態であるか、又は、前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときに、オフし、
    前記第7のスイッチは、
    前記クロック信号φ2Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Bが非活性状態のときにオフし、
    前記第9のスイッチは、
    前記クロック信号φ1Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときにオフし、
    前記第10のスイッチは、
    前記クロック信号φ2Bが活性状態のときにオンし、前記クロック信号φ2Bが非活性状態のときにオフし、
    前記第11のスイッチは、
    前記制御信号が活性状態であり、且つ、前記クロック信号φ1Bが活性状態のときに、オンし、
    前記制御信号が非活性状態であるか、又は。前記クロック信号φ1Bが非活性状態のときに、オフし、
    前記第12のスイッチは、
    前記制御信号が活性状態であり、且つ、前記クロック信号φ1Aが活性状態のときに、オンし、
    前記制御信号が非活性状態であるか、又は、前記クロック信号φ1Aが非活性状態のときに、オフし、
    前記クロック信号φ1Aは、前記第1のサンプリング期間に活性状態とされ、前記第1、第2の積分期間、及び、前記第2のサンプリング期間には、非活性状態とされ、
    前記クロック信号φ2Aは、前記第1の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間、及び、前記第2の積分期間には非活性状態とされ、
    前記クロック信号φ1Bは、前記第2のサンプリング期間に活性状態とされ、前記第1、第2の積分期間、及び、前記第1のサンプリング期間には非活性状態とされ、
    前記クロック信号φ2Bは、前記第2の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間、及び、前記第1の積分期間には非活性状態とされ、
    前記クロック信号φ2は、前記第1及び第2の積分期間に活性状態とされ、前記第1、第2のサンプリング期間には非活性状態とされる、請求項11記載の半導体装置。
  13. 入力データの値+1又は−1が2回以上繰り返されるか、又は、
    入力データの値が0でありその前の入力データの値が0と異なる、
    という条件を満たす場合、前記制御信号を活性状態とし、前記条件を満たさない場合、前記制御信号を非活性状態とする、請求項12記載の半導体装置。
  14. 前記第1のスイッチ群が、前記第1の電圧を用いず、前記入力データに応じて、前記第2の電圧端子の前記第2の電圧、前記第3の電圧端子の前記第3の電圧のうちの1つを前記第1のノードに伝達し、
    前記第2のスイッチ群が、前記第1の電圧を用いず、前記入力データに応じて、前記第2の電圧端子の前記第2の電圧、前記第3の電圧端子の前記第3の電圧のうちの1つを前記第2のノードに伝達する、請求項12記載の半導体装置。
  15. 入力データの値+1が2回以上繰り返されるか、又は、
    入力データの値+1の次に入力データ0が1回以上続き、+1となるデータ列の、最後の+1である、
    という条件を満たす場合、前記制御信号を活性状態とし、前記条件を満たさない場合、前記制御信号を非活性状態とする、請求項14記載の半導体装置。
  16. 電源の出力とグランド間に分圧抵抗を備え、電源電圧、前記電源電圧の分圧電圧、グランド電位を、前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧として前記第1、第2、第3の端子にそれぞれ供給する電圧生成回路を備えた請求項1又は10に記載の半導体装置。
  17. さらに、1つ又は複数の容量を備え、前記1つ又は複数の容量の各容量の第1端子と、前記第1のノード、前記第2のノード、前記出力端子、前記基準電位との間にそれぞれ接続されたスイッチ群と、前記各容量の第2端子と、前記演算増幅器の前記反転入力端子と前記出力端子との間にそれぞれ接続されたスイッチ群とを備えた、請求項1記載の半導体装置。
  18. 電圧値が降順の関係の第1乃至第3の電圧、又は、前記第2及び第3の電圧のうちの1つが、3値の入力データの値に応じて選択されて第1のノードに印加され、
    前記第1乃至第3の電圧、又は、前記第2及び第3の電圧のうちの1つが前記入力データの値に応じて選択され第2のノードに印加され、
    第1の容量及び第2の容量と、
    非反転入力端子が基準電位に接続された演算増幅器と、
    前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子間に接続された第3の容量と、
    を備え、
    を備えた半導体装置の制御方法であって、
    前記第1の容量及び第2の容量の一方を入力容量、他方を帰還容量とし、
    サンプリング期間では、前記入力容量の第1端子及び第2端子を前記第1のノードと基準電位にそれぞれ接続し、前記帰還容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    積分期間では、前記入力容量の前記第1端子及び前記第2端子を前記第2のノードと前記演算増幅器の反転入力端子にそれぞれ接続し、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子にそれぞれ接続する、半導体装置の制御方法。
  19. 第1の入力データに対応して、第1のサンプリング期間では、
    前記入力容量をなす前記第1の容量の第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第1の容量の第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第2の容量の第1端子と第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は、前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第1のサンプリング期間に続く第1の積分期間では、
    前記入力容量をなす前記第1の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第1の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第2の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記第1の入力データに続く第2入力データに対応して、第2のサンプリング期間では、
    前記入力容量をなす前記第2の容量の前記第1端子を前記第1のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記基準電位に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子をともに開放状態として電荷を保持するか、又は前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記基準電位に接続して電荷を放電する接続構成とし、
    前記第2のサンプリング期間に続く第2の積分期間では、
    前記入力容量をなす前記第2の容量の前記第1端子を前記第2のノードに接続し、前記第2の容量の前記第2端子を前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    前記帰還容量をなす前記第1の容量の前記第1端子と前記第2端子を前記出力端子と前記演算増幅器の前記反転入力端子に接続し、
    順次入力される複数の入力データに対して、
    前記第1のサンプリング期間及び前記第1の積分期間と、
    前記第2のサンプリング期間及び前記第2の積分期間と、
    を交互に繰り返す、請求項18記載の半導体装置の制御方法。
  20. 前記入力データと1データ前の入データの値に応じて、前記サンプリング期間で、前記帰還容量をなす前記第1又は第2の容量の電荷の放電と保持を制御する、請求項18記載の半導体装置の制御方法。
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