JP2014023312A - モータインバータ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体スイッチング素子を保護しつつスイッチング損失を極力少なくすることができるモータインバータを提供する。
【解決手段】電流センス素子S1により検出された負荷電流が規定値よりも大きい場合、コンパレータ43、トランジスタT2,T4によりIGBTのゲート抵抗値が大きくされる。温度検出ダイオードD10により検出された半導体スイッチング素子Qの温度が規定値よりも低い場合、コンパレータ42、トランジスタT2,T4によりIGBTのゲート抵抗値が大きくされる。コントローラ50は、システム電圧Vsの値、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、予測値に応じてIGBTのゲート抵抗値を大きくする。
【選択図】図2
【解決手段】電流センス素子S1により検出された負荷電流が規定値よりも大きい場合、コンパレータ43、トランジスタT2,T4によりIGBTのゲート抵抗値が大きくされる。温度検出ダイオードD10により検出された半導体スイッチング素子Qの温度が規定値よりも低い場合、コンパレータ42、トランジスタT2,T4によりIGBTのゲート抵抗値が大きくされる。コントローラ50は、システム電圧Vsの値、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、予測値に応じてIGBTのゲート抵抗値を大きくする。
【選択図】図2
Description
本発明は、モータインバータに関するものである。
特許文献1に開示の電力用半導体素子のゲート駆動回路においては、電力用半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度を検出して、検出温度値が設定値以上になったと判断されたときは電力用半導体素子のゲート抵抗値を低減している。
ところで、半導体スイッチング素子の保護およびスイッチング損失の低減という観点から、素子温度によりゲート抵抗値を調整するとともに通電電流によりゲート抵抗値を調整する場合、図9に示すように所定の温度である閾値(T1)よりも低温であるときにはゲート抵抗値Rgを大きくし、所定の通電電流である閾値(i1)よりも大きな電流が流れたときにはゲート抵抗値Rgを大きくする。この場合、安全を考慮して閾値温度(T1)を高く設定し閾値電流(i1)を小さく設定することになる。すると、ゲート抵抗値Rgが小さい領域(図9でハッチングを付した領域)が狭くなり、スイッチング損失が大きくなってしまう。
本発明の目的は、半導体スイッチング素子を保護しつつスイッチング損失を極力少なくすることができるモータインバータを提供することにある。
請求項1に記載の発明では、直流電圧を入力して、半導体スイッチング素子のオンオフ動作に伴い出力側のモータが通電されるブリッジ回路と、前記モータを制御するために、パルス信号を可変抵抗を介して前記半導体スイッチング素子の制御端子に供給して前記半導体スイッチング素子をスイッチングさせる駆動回路と、を備えたモータインバータにおいて、前記半導体スイッチング素子に流れる負荷電流を直接検出する負荷電流検出手段と、前記半導体スイッチング素子の温度を直接検出する温度検出手段と、前記負荷電流検出手段により検出された前記負荷電流が規定値よりも大きいと前記可変抵抗の抵抗値を大きくするとともに、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度が規定値よりも低いと前記可変抵抗の抵抗値を大きくする第1の変更手段と、前記ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、トルク指令値、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて前記可変抵抗の抵抗値を大きくする第2の変更手段と、を備えたことを要旨とする。
請求項1に記載の発明によれば、負荷電流検出手段により半導体スイッチング素子に流れる負荷電流が直接検出される。温度検出手段により半導体スイッチング素子の温度が直接検出される。第1の変更手段において、負荷電流検出手段により検出された負荷電流が規定値よりも大きいと可変抵抗の抵抗値が大きくされるとともに、温度検出手段により検出された半導体スイッチング素子の温度が規定値よりも低いと可変抵抗の抵抗値が大きくされる。第2の変更手段において、ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、トルク指令値、温度検出手段により検出された半導体スイッチング素子の温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値が演算され、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値が大きくされる。
つまり、半導体スイッチング素子の保護が必要な低温時および負荷電流が大きい領域については第1の変更手段(ハードウェア)により大きな可変抵抗の抵抗値を用いる。それ以外の領域において、第2の変更手段(ソフトウェア)により直流電圧の値、トルク指令値、半導体スイッチング素子の温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値を演算して、この予測値に応じて大きな可変抵抗の抵抗値を用いる。これにより、可変抵抗の抵抗値が小さくスイッチング損失が少ない領域が広げられ、半導体スイッチング素子を保護しつつスイッチング損失を極力少なくすることができる。
請求項2に記載の発明では、請求項1に記載のモータインバータにおいて、前記第2の変更手段は、少なくとも、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度と、前記ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、あるいは、前記トルク指令値を用いて前記予測値を演算することを要旨とする。
請求項2に記載の発明によれば、第2の変更手段において、少なくとも、温度検出手段により検出された半導体スイッチング素子の温度と、ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、あるいは、トルク指令値を用いて、発生するサージ電圧の予測値が演算される。よって、温度で素子耐圧が決まり、入力される直流電圧の値あるいはトルク指令値で、サージを推定するので、より可変抵抗の抵抗値の小さい領域を広げられる。
請求項3に記載の発明では、請求項1または2に記載のモータインバータにおいて、前記負荷電流検出手段は、モジュール化された前記半導体スイッチング素子に搭載したことを要旨とする。
請求項3に記載の発明によれば、負荷電流検出手段が、モジュール化された半導体スイッチング素子に搭載されているので、より確実に負荷短絡等から保護できる。
請求項4に記載の発明では、請求項1〜3のいずれか1項に記載のモータインバータにおいて、前記温度検出手段は、モジュール化された前記半導体スイッチング素子に搭載したことを要旨とする。
請求項4に記載の発明では、請求項1〜3のいずれか1項に記載のモータインバータにおいて、前記温度検出手段は、モジュール化された前記半導体スイッチング素子に搭載したことを要旨とする。
請求項4に記載の発明によれば、温度検出手段が、モジュール化された半導体スイッチング素子に搭載されているので、より確実に負荷短絡等から保護できる。
請求項5に記載のように、請求項1〜4のいずれか1項に記載のモータインバータにおいて、前記半導体スイッチング素子はIGBTであるとよい。
請求項5に記載のように、請求項1〜4のいずれか1項に記載のモータインバータにおいて、前記半導体スイッチング素子はIGBTであるとよい。
本発明によれば、半導体スイッチング素子を保護しつつスイッチング損失を極力少なくすることができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1に示すように、自動車に搭載されるモータインバータ10は、車載用の高圧バッテリBおよび走行モータMが接続されるインバータ回路20を備え、インバータ回路20は半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)を駆動する駆動回路30と、コントローラ50を備えている。
図1に示すように、自動車に搭載されるモータインバータ10は、車載用の高圧バッテリBおよび走行モータMが接続されるインバータ回路20を備え、インバータ回路20は半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)を駆動する駆動回路30と、コントローラ50を備えている。
インバータ回路20はブリッジ回路としてのHブリッジ回路21を具備しており、Hブリッジ回路21には半導体スイッチング素子Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6が設けられている。つまり、正極ラインと負極ラインとの間において、半導体スイッチング素子Q1,Q2、半導体スイッチング素子Q3,Q4、半導体スイッチング素子Q5,Q6がそれぞれ直列に接続されている。各半導体スイッチング素子Q1〜Q6として、IGBTを用いている。半導体スイッチング素子Q1と半導体スイッチング素子Q2との間の接続点が第1の出力端子に接続されている。同様に、半導体スイッチング素子Q3と半導体スイッチング素子Q4との間の接続点が第2の出力端子に接続されている。半導体スイッチング素子Q5と半導体スイッチング素子Q6との間の接続点が第3の出力端子に接続されている。
各半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)には、それぞれ帰還ダイオードD(D1〜D6)が逆並列接続されている。
インバータ回路20の正極ライン用入力端子と負極ライン用入力端子には高圧バッテリBが接続されている。また、インバータ回路20の正極ラインと負極ラインとの間にはコンデンサCが接続されている。
インバータ回路20の正極ライン用入力端子と負極ライン用入力端子には高圧バッテリBが接続されている。また、インバータ回路20の正極ラインと負極ラインとの間にはコンデンサCが接続されている。
インバータ回路20の出力端子には走行モータMが接続されている。
そして、インバータ回路20のHブリッジ回路21は、高圧バッテリB(コンデンサC)からシステム電圧Vsとして直流電圧を入力して、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のオンオフ動作に伴って、即ち、PWM制御されて出力側の走行モータMが通電される。また、走行モータMの通電に伴い発生する回生電力は電源側に戻される。この回生エネルギーは力行時に利用される。
そして、インバータ回路20のHブリッジ回路21は、高圧バッテリB(コンデンサC)からシステム電圧Vsとして直流電圧を入力して、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のオンオフ動作に伴って、即ち、PWM制御されて出力側の走行モータMが通電される。また、走行モータMの通電に伴い発生する回生電力は電源側に戻される。この回生エネルギーは力行時に利用される。
各半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のゲート端子はそれぞれゲート抵抗値調整回路40を介して駆動回路30に接続されている。そして、駆動回路30は、走行モータMを制御するために、走行モータMに対するトルク指令値に基づいたパルス信号(PWM信号)を、可変抵抗としてのゲート抵抗値調整回路40を介して半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のゲート端子(制御端子)に供給して半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)をスイッチングさせる。
駆動回路30にはコントローラ50が接続され、コントローラ50は車両ECU(電子制御ユニット)60からアクセルペダル操作量等に応じたトルク指令値を入力して、トルク指令値に応じて駆動回路30を介して半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)を制御する。
図2に示すように、ゲート抵抗値調整回路40は、定電圧端子Vddから半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のゲート端子への通電ラインに、定電圧端子Vdd側から順にトランジスタ(npnトランジスタ)T1と抵抗R10と抵抗R11とトランジスタ(MOSFET)T2が配置されている(直列に接続されている)。トランジスタT2には抵抗R12が並列に接続されている。抵抗R10と抵抗R11との間の接続点Aは抵抗R13とトランジスタ(pnpトランジスタ)T3の直列回路を介して接地されている。トランジスタ(npnトランジスタ)T1のベース端子およびトランジスタ(pnpトランジスタ)T3のベース端子は駆動回路30と接続され、トランジスタT1,T3のベース端子に駆動回路30からパルス信号が供給される。
トランジスタT2が導通状態(オン)のとき、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)におけるオン側のゲート抵抗値は、抵抗R10と抵抗R11とトランジスタT2のボディダイオードの合計となる。また、トランジスタT2が導通状態のとき、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)におけるオフ側のゲート抵抗値は、抵抗R11と抵抗R13とトランジスタT2のオン抵抗の合計となる。
一方、トランジスタT2が非導通状態(オフ)のとき、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)におけるオン側のゲート抵抗値は、抵抗R10と抵抗R11とトランジスタT2のボディダイオードの合計となる。また、トランジスタT2が非導通状態のとき、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)におけるオフ側のゲート抵抗値は、抵抗R11と抵抗R12と抵抗R13の合計となる。
半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)はモジュール化されている。モジュール化された半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)には温度検出手段としての温度検出ダイオードD10が搭載(内蔵)されている。温度検出ダイオードD10により、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)の温度が直接検出される。ゲート抵抗値調整回路40において定電流源41が温度検出ダイオードD10のアノードと接続され、温度検出ダイオードD10のカソードは接地されている。そして、モジュール化された半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)に搭載された温度検出ダイオードD10を用いて温度検出が実施されて温度が電圧値に変換される。
温度検出ダイオードD10におけるアノード側にはコンパレータ42が接続されている。そして、コンパレータ42において、温度検出ダイオードD10において温度に応じたレベルの電圧と閾値とが比較され、その大小に応じたレベルの信号がコンパレータ42から出力される。
また、モジュール化された半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)には負荷電流検出手段としての電流センス素子S1が搭載(内蔵)されている。電流センス素子S1により、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)に流れる負荷電流が直接検出される。即ち、半導体スイッチング素子(IGBT)Qから電流検出用エミッタ端子を分離して取り出している(分流成分を取り出している)。ゲート抵抗値調整回路40において半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)の電流センスラインが延設され、抵抗R20を介して接地されている。そして、モジュール化された半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)に搭載された電流センス素子(IGBT)S1を用いて電流値が検出され、分流された電流を抵抗R20で受けて電圧値に変換される。
抵抗R20における高圧側にはコンパレータ43が接続されている。そして、コンパレータ43において、電流センスラインに流れる電流に応じたレベルの電圧と閾値とが比較され、その大小に応じたレベルの信号がコンパレータ43から出力される。
コンパレータ42,43の出力端子は抵抗R14を介してトランジスタ(npnトランジスタ)T4のベース端子と接続されている。トランジスタ(npnトランジスタ)T4のエミッタ端子は接地され、コレクタ端子は抵抗R15を介してトランジスタ(MOSFET)T2のゲート端子と接続されている。トランジスタ(MOSFET)T2のゲート端子とソース端子との間には抵抗R16が接続されている。また、トランジスタ(npnトランジスタ)T4のベース端子は抵抗R17を介して接地されている。
そして、コンパレータ42,43の出力レベルに応じてトランジスタ(npnトランジスタ)T4がオンオフし、トランジスタT4のオンオフによりトランジスタ(MOSFET)T2がオンオフする。
つまり、各検出電圧値と事前に設定した閾値をコンパレータ42,43を用いて比較して、閾値を超えていれば、トランジスタT4をオンしてゲート抵抗値Rgを変化させる(大きくする)。
また、ゲート抵抗値調整回路40においてトランジスタ(npnトランジスタ)T5が設けられ、トランジスタ(npnトランジスタ)T5のエミッタ端子は接地され、コレクタ端子は抵抗R14を介してトランジスタ(npnトランジスタ)T4のベース端子と接続されている。トランジスタ(npnトランジスタ)T5のベース端子はコントローラ50と接続され、コントローラ50によりトランジスタ(npnトランジスタ)T5がオンオフされる。トランジスタ(npnトランジスタ)T5のオンオフによりトランジスタ(npnトランジスタ)T4をオンオフすることができる。つまり、ゲート抵抗値Rgを変化させることができる。
コンパレータ42,43およびトランジスタT2,T4により、第1の変更手段が構成されている。第1の変更手段(コンパレータ42,43、トランジスタT2,T4)により、負荷電流が規定値よりも大きいと可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)が大きくされるとともに、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)の温度Tjが規定値よりも低いと可変抵抗の抵抗値が大きくされる。
このようにして、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のゲート抵抗値Rgを変更する手段として、ハードウェアによる構成(コンパレータ42,43およびトランジスタT2,T4による構成)が用意されている。
一方、コントローラ50はコンピュータを中心に構成されている。コントローラ50は、インバータ回路20(Hブリッジ回路21)に入力される直流電圧、即ち、高圧バッテリBやコンデンサCから入力される直流電圧をシステム電圧Vsとして検知している。また、コントローラ50は、温度検出ダイオードD10におけるアノード側と絶縁回路70を介して接続され、半導体スイッチング素子Qの温度Tjを検知することができるようになっている。
コントローラ50のメモリ51には図3に示す発生サージ電圧についてのデータが記憶されている。
図3において、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度Tj、システム電圧Vsに対する発生サージ電圧についてのデータ(マップ)が用意されている。このデータを用いて、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度Tj、システム電圧Vsから、発生サージ電圧、即ち、発生するサージ電圧の予測値を演算することができるようになっている。
図3において、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度Tj、システム電圧Vsに対する発生サージ電圧についてのデータ(マップ)が用意されている。このデータを用いて、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度Tj、システム電圧Vsから、発生サージ電圧、即ち、発生するサージ電圧の予測値を演算することができるようになっている。
そして、コントローラ50により、システム電圧Vsの値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)の温度Tjによって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(半導体スイッチング素子Qのゲート抵抗値Rg)を変更する第2の変更手段が構成されている。
このようにして、半導体スイッチング素子Q(Q1〜Q6)のゲート抵抗値Rgを変更する手段として、ソフトウェア(プログラム)が用意されている。
次に、このように構成したモータインバータ10の作用について説明する。
次に、このように構成したモータインバータ10の作用について説明する。
まず、コントローラ50のソフトウェアによるゲート抵抗値の切り替えについて説明する。
コントローラ50は図4の処理を実行する。なお、コンパレータ42,43の出力はオープンとなっている。
コントローラ50は図4の処理を実行する。なお、コンパレータ42,43の出力はオープンとなっている。
図4においてコントローラ50はステップ100でIGBT温度、システム電圧Vs、トルク指令値を取り込む。そして、コントローラ50はステップ101でIGBT温度、システム電圧Vs、トルク指令値から図3のデータ(マップ)を用いて、発生するサージ電圧の予測値(サージ予測値)を算出する。なお、サージ予測値の演算の際、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度Tj、システム電圧Vsについて得られない部分については各値から補完する。
コントローラ50は図4のステップ102でサージ予測値がサージ許容値を超えているか否か判定する。コントローラ50はサージ予測値がサージ許容値を超えていなければステップ103においてゲート抵抗値を小さくする。即ち、図2のトランジスタT5をオフし、トランジスタT2をオン(導通状態)にする。この状態において、IGBTのオン側のゲート抵抗値は、抵抗R10、R11、トランジスタT2のボディダイオードの合計、IGBTのオフ側は抵抗R11、R13、トランジスタT2のオン抵抗の合計となる。
一方、コントローラ50は図4のステップ102においてサージ予測値がサージ許容値を超えているとステップ104においてゲート抵抗値を大きくする。即ち、図2のトランジスタT5をオン状態にしてトランジスタT4をオフし、トランジスタT2をオフ(非導通状態)にする。この状態において、IGBTのオン側のゲート抵抗値は抵抗R10、R11とトランジスタT2のボディダイオードの合計、IGBTのオフ側は抵抗R11、R12、R13の合計となる。
このようにして、例えばトルク指令値(電流指令値)が大きいとゲート抵抗値を大きくする。つまり、例えばモータのトルク指令値に基づいて算出したサージ予測値がサージ許容値を超えるとゲート抵抗値をそれまでよりも大きくする。本実施形態においてはIGBTのオフ側のゲート抵抗値をそれまでよりも大きくする。これにより、例えばモータのトルク指令値について、よく使われる動作領域については低いゲート抵抗値でスイッチング損失を低減するとともにサージ予測値がサージ許容値を超えたときにはゲート抵抗値を大きくしてサージ電圧から半導体スイッチング素子Qを保護する。
次に、ハードウェアによるゲート抵抗値の切り替えについて説明する。
なお、コントローラ50によりトランジスタT5がオフされている。
半導体スイッチング素子(IGBT)Qの温度が閾値よりも高い場合や半導体スイッチング素子(IGBT)Qに流れる電流の検出値が閾値よりも小さい場合には、トランジスタT2が導通状態にされる。つまり、コンパレータ42,43の出力がオープンであり、トランジスタT4がオンしトランジスタT2がオンしている。この状態において、IGBTのオン側のゲート抵抗値は、抵抗R10、R11、トランジスタT2のボディダイオードの合計、IGBTのオフ側は抵抗R11、R13、トランジスタT2のオン抵抗の合計となる。
なお、コントローラ50によりトランジスタT5がオフされている。
半導体スイッチング素子(IGBT)Qの温度が閾値よりも高い場合や半導体スイッチング素子(IGBT)Qに流れる電流の検出値が閾値よりも小さい場合には、トランジスタT2が導通状態にされる。つまり、コンパレータ42,43の出力がオープンであり、トランジスタT4がオンしトランジスタT2がオンしている。この状態において、IGBTのオン側のゲート抵抗値は、抵抗R10、R11、トランジスタT2のボディダイオードの合計、IGBTのオフ側は抵抗R11、R13、トランジスタT2のオン抵抗の合計となる。
また、半導体スイッチング素子(IGBT)Qの温度が閾値よりも低い場合や半導体スイッチング素子(IGBT)Qに流れる電流の検出値が閾値よりも大きい場合には、トランジスタT2が非導通状態となる。つまり、コンパレータ42,43の出力がLレベルとなり、トランジスタT4がオフすることによりトランジスタT2がオフする。この状態において、IGBTのオン側のゲート抵抗値は抵抗R10、R11とトランジスタT2のボディダイオードの合計、IGBTのオフ側は抵抗R11、R12、R13の合計となる。
このように、所定の閾値温度よりも高温であるときにはゲート抵抗値Rgが小さくされる。また、所定の閾値電流よりも小さな電流が流れるときにもゲート抵抗値Rgが小さくされる。これに対し、所定の閾値温度よりも低温であるときにはゲート抵抗値Rgが大きくされ、また、所定の閾値電流よりも大きな電流が流れたときにもゲート抵抗値Rgが大きくされる。
即ち、半導体スイッチング素子Qの温度の実測値が閾値よりも高い時にはゲート抵抗値Rgが小さくされる。これにより、半導体スイッチング素子(IGBT)の温度について、よく使われる動作領域については低いゲート抵抗値でスイッチング損失が低減される。これに対し、半導体スイッチング素子の温度の実測値が閾値よりも低い時にはゲート抵抗値が大きくされてサージ電圧から半導体スイッチング素子Qが保護される。また、半導体スイッチング素子Qに流れる電流の実測値が閾値よりも小さい時にはゲート抵抗値が小さくされる。これにより、半導体スイッチング素子(IGBT)に流れる電流について、よく使われる動作領域については低いゲート抵抗値でスイッチング損失が低減される。これに対し、半導体スイッチング素子に流れる電流の実測値が閾値よりも大きい時にはゲート抵抗値が大きくされてサージ電圧から半導体スイッチング素子Qが保護される。
また、ソフトウェアによるゲート抵抗値の切り替えにより、トルク指令値(指令電流値)の低い領域ではゲート抵抗値は低く設定されている。よって、半導体スイッチング素子(IGBT)Qのスイッチング速度が速く、発生サージが大きくなりやすい状態にあるが、Hブリッジ回路(インバータ回路)における負荷端の短絡は、故障モードの一つであり、指令電流値によらず大きな短絡電流が流れる。電流指令値の低い状態では、発生サージが大きくなりやすい状態であり、そこに想定外の大きな短絡電流が流れるため、多大なサージが発生し、素子耐圧を超える可能性がある。
本実施形態においては実際に半導体スイッチング素子(IGBT)Qに流れている電流を検出して、ハードウェアで抵抗値を変化させるため、負荷端の短絡などで急激に電流値が増加した場合でも、電流値の増加に合わせてゲート抵抗値を大きくして、サージ発生を抑制することができる。そのため、トルク指令値(指令電流値)が低い際に短絡が発生しても、半導体スイッチング素子(IGBT)の耐圧以下で動作させることができる。
具体的に説明する。トルク指令値(電流指令値)が小さいときにおいて大きな電流が流れる場合には次のようになる。
Hブリッジ回路21における負荷端(出力端)での短絡といった予期しない電流の急増が発生した状況での動作を述べる。
Hブリッジ回路21における負荷端(出力端)での短絡といった予期しない電流の急増が発生した状況での動作を述べる。
図5において、上から、半導体スイッチング素子(IGBT)Qのゲート端子へのパルス信号、半導体スイッチング素子(IGBT)Qの通電電流、半導体スイッチング素子(IGBT)Qのゲート抵抗値、半導体スイッチング素子(IGBT)Qのコレクタ・エミッタ間電圧を示している。t1のタイミングにおいて半導体スイッチング素子Qのゲート端子へのパルス信号が立ち上がり、t2のタイミングにおいてパルス信号が立ち下がる。t1〜t2の期間において半導体スイッチング素子(IGBT)Qがオンして電流が流れるとともに半導体スイッチング素子(IGBT)Qのコレクタ・エミッタ間電圧がゼロとなる。
半導体スイッチング素子(IGBT)Qのオン期間において負荷端の短絡が発生したと仮定する。この負荷端の短絡により例えば図1において一点鎖線で示すように負荷端の短絡電流が流れる。即ち、半導体スイッチング素子Q1,Q4を通して負荷端の短絡電流が流れる。
図5のt10のタイミングにおいて負荷端の短絡が発生し、IGBTの通電電流が大きくなる。そして、t11のタイミングにおいてIGBTの通電電流が閾値に達すると、ゲート抵抗値が大きくされる。
これにより、t2のタイミングでのパルス信号の立下りの際においてIGBTのコレクタ・エミッタ間電圧に大きな電圧変化が発生しない。つまり、IGBTのコレクタ・エミッタ間電圧について、ゲート抵抗値を大きくしない場合には二点鎖線で示すように大きな電圧の変化ΔVが発生するが、ゲート抵抗値を大きくすることにより実線で示すように電圧の変化ΔVを小さく抑えることができる。
以下、図6〜図8を用いて説明する。
図6に示すようにIGBT素子自体の温度とIGBTの耐圧の関係において、耐圧を超えないように使用される。このとき、システム電圧(入力電圧)とIGBTのスイッチングの際に発生するサージ電圧との和が耐圧を超えないように使用する。半導体スイッチング素子(IGBT)が低温状態の時に耐圧が一番低くなる。そのため、インバータ回路のサージ電圧の設計は低温時の素子耐圧を満足するように、ゲート抵抗値を大きく選定すると、高温時のスイッチング損失が増大するので、IGBT素子温度で抵抗値を切り替える。
図6に示すようにIGBT素子自体の温度とIGBTの耐圧の関係において、耐圧を超えないように使用される。このとき、システム電圧(入力電圧)とIGBTのスイッチングの際に発生するサージ電圧との和が耐圧を超えないように使用する。半導体スイッチング素子(IGBT)が低温状態の時に耐圧が一番低くなる。そのため、インバータ回路のサージ電圧の設計は低温時の素子耐圧を満足するように、ゲート抵抗値を大きく選定すると、高温時のスイッチング損失が増大するので、IGBT素子温度で抵抗値を切り替える。
また、システム電圧(インバータ回路の入力電圧)Vsによりサージ許容値は変動するが、システム電圧によるゲート抵抗値の切り替えを行わない場合は、最大のシステム電圧Vsを想定しゲート抵抗値を設定することになる。
図7に示すようにIGBT負荷電流が増加していくと電流の変化率が大きくなりサージ電圧も増加していく(サージ電圧は、IGBTの負荷電流に合わせて増加する)。そのため、負荷電流が最大時にサージ電圧を満足するようにゲート抵抗値を設計すると、負荷電流が小さいときのスイッチング損失が増加するので、トルク指令値の大きさによってゲート抵抗値を切り替える。
つまり、ゲート抵抗値の設計は「IGBT温度が最低」かつ「負荷電流が最大」かつ「システム電圧Vsが最大」の時のサージ電圧を満足するようにするが、実動作領域でのサージ電圧には余裕がある。このままでは、スイッチング損失が余分に発生する。
本実施形態では、図8に示すように保護が必要な低温時および負荷電流が大きい領域Z1については、ハードウェアで判断し、大きなゲート抵抗値を用いる。それ以外の領域ではソフトウェアにてIGBT温度、トルク指令値、システム電圧Vsより発生サージを計算し、『発生するサージ電圧の予測値>サージ許容値』の関係の場合は大きなゲート抵抗値を設定し(領域Z2)、それ以外は、小さなゲート抵抗値を用い(領域Z3を用い)、インバータの発生損失を低減させる。
このようにして、IGBTの保護の観点から、素子温度が低温時、電流が大きい時にはハードウェアの判断にてゲート抵抗値を大きくし、確実にサージ電圧から素子を守る。一方、ソフトウェアによりトルク指令値等からゲート抵抗値の切り替えを実施し、良く使われる動作領域の部分に関しては低いゲート抵抗値でスイッチング損失低減を行う。
即ち、ソフトウェアのみであると応答遅れに対処できないがそれをハードウェアで補う。一方、ハードウェアのみであると、ゲート抵抗値を小さくできる領域が狭くなるので、それをソフトウェアでカバーする。
以上のごとく本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)電流センス素子S1により検出された負荷電流が規定値よりも大きい場合、コンパレータ43、トランジスタT2,T4により可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。また、温度検出ダイオードD10により検出された半導体スイッチング素子Qの温度が規定値よりも低い場合、コンパレータ42、トランジスタT2,T4により可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。コントローラ50は、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。
(1)電流センス素子S1により検出された負荷電流が規定値よりも大きい場合、コンパレータ43、トランジスタT2,T4により可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。また、温度検出ダイオードD10により検出された半導体スイッチング素子Qの温度が規定値よりも低い場合、コンパレータ42、トランジスタT2,T4により可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。コントローラ50は、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくする。
これにより、半導体スイッチング素子Qの保護が必要な低温時および負荷電流が大きい領域についてはハードウェアにより大きな可変抵抗の抵抗値を用いる。つまり、IGBTの耐圧が低下する低温時およびサージ電圧が増大する過電流時においてはIGBTの素子耐圧以下となるようにハード的に動作させる。それ以外の領域において、ソフトウェアにより直流電圧の値、トルク指令値、半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算して、この予測値に応じて大きな可変抵抗の抵抗値を用いる。これによって、可変抵抗の抵抗値が小さくスイッチング損失が少ない領域が広げられる。つまり、ソフトウェアにより通常時のゲート抵抗値は小さくしてインバータの発生損失を低減させる。よって、半導体スイッチング素子Qの破壊を防止、即ち、半導体スイッチング素子Qを保護しつつスイッチング損失を極力少なくすることができる。
(2)負荷電流検出手段は、モジュール化された半導体スイッチング素子Qに搭載した電流センス素子S1であるので、より確実に負荷短絡(負荷端の短絡)等から保護できる。
(3)温度検出手段は、モジュール化された半導体スイッチング素子Qに搭載した温度検出ダイオードD10であるので、より確実に負荷短絡(負荷端の短絡)等から保護できる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・上記実施形態ではソフトウェアによる制御としてコントローラ50は、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくするようにした。これに限らず、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくするようにすればよい。
・上記実施形態ではソフトウェアによる制御としてコントローラ50は、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくするようにした。これに限らず、インバータ回路20に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、トルク指令値、検出された半導体スイッチング素子Qの温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて可変抵抗の抵抗値(IGBTのゲート抵抗値Rg)を大きくするようにすればよい。
特に、コントローラ50は、少なくとも、温度検出手段により検出された半導体スイッチング素子の温度と、インバータ回路(ブリッジ回路)に入力される直流電圧(システム電圧Vs)の値、あるいは、トルク指令値を用いて、発生するサージ電圧の予測値を演算するとよい。この場合、図6に示したように温度で素子耐圧が決まり、入力される直流電圧の値あるいはトルク指令値で、サージを推定するので、より可変抵抗の抵抗値の小さい領域(範囲)を広げられる。
・半導体スイッチング素子の温度検出は、モジュール化された半導体スイッチング素子に搭載した温度センスダイオード以外に、素子の近くに設けたサーミスタなどを用いて行ってもよい。いずれにしても直接検出した実測値を用いることで、より確実に応答遅れが無いようにハードウエアの第1の変更手段で、可変抵抗の抵抗値を大きくすることが出来る。
・半導体スイッチング素子の温度検出は、モジュール化された半導体スイッチング素子に搭載した温度検出ダイオード以外にも、半導体スイッチング素子に取り付けられた冷却器における水温を利用して素子温度を検出してもよい。いずれにしても直接検出した実測値を用いることで、より確実に応答遅れが無いようにハードウエアの第1の変更手段で、可変抵抗の抵抗値を大きくすることが出来る。
・半導体スイッチング素子の制御端子での抵抗値の切り替え方法については、これまでの説明では2値(大、小)の切り替えを行ったが、これに代わり、例えば3値(大、中、小)以上で切り替えを行っても、あるいは、リニアに変更してもよい。特にゲート抵抗値をリニアに変更することはソフトウェア(コントローラ50)で行うとよい。
・半導体スイッチング素子はIGBTを用いたが、これに代わり例えばパワーMOSFET等を用いてもよい。
・発生するサージ電圧の予測値の演算はデータ(マップ)を用いることに限らず、各パラメータ(トルク指令値、温度Tj,電圧Vs)とサージ電圧の関係式から計算によって予測値を演算してもよい。
・発生するサージ電圧の予測値の演算はデータ(マップ)を用いることに限らず、各パラメータ(トルク指令値、温度Tj,電圧Vs)とサージ電圧の関係式から計算によって予測値を演算してもよい。
・上記実施の形態では、IGBTのオフ側(ターンオフする際)のゲート抵抗値を切り替えていたが、IGBTのオン側のゲート抵抗値も合わせて切り替えても良い。また、切替の閾値をオフ側とオン側とで変更しても良い。
10…モータインバータ、20…インバータ回路、21…Hブリッジ回路、30…駆動回路、42…コンパレータ、43…コンパレータ、50…コントローラ、D10…温度検出ダイオード、M…走行モータ、R10…抵抗、R11…抵抗、R12…抵抗、R13…抵抗、S1…電流センス素子、Q(Q1〜Q6)…半導体スイッチング素子、T2…トランジスタ、T4…トランジスタ。
Claims (5)
- 直流電圧を入力して、半導体スイッチング素子のオンオフ動作に伴い出力側のモータが通電されるブリッジ回路と、
前記モータを制御するために、パルス信号を可変抵抗を介して前記半導体スイッチング素子の制御端子に供給して前記半導体スイッチング素子をスイッチングさせる駆動回路と、
を備えたモータインバータにおいて、
前記半導体スイッチング素子に流れる負荷電流を直接検出する負荷電流検出手段と、
前記半導体スイッチング素子の温度を直接検出する温度検出手段と、
前記負荷電流検出手段により検出された前記負荷電流が規定値よりも大きいと前記可変抵抗の抵抗値を大きくするとともに、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度が規定値よりも低いと前記可変抵抗の抵抗値を大きくする第1の変更手段と、
前記ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、トルク指令値、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度の少なくとも1つの値によって、発生するサージ電圧の予測値を演算し、当該予測値に応じて前記可変抵抗の抵抗値を大きくする第2の変更手段と、
を備えたことを特徴とするモータインバータ。 - 前記第2の変更手段は、少なくとも、前記温度検出手段により検出された前記半導体スイッチング素子の温度と、前記ブリッジ回路に入力される直流電圧の値、あるいは、前記トルク指令値を用いて前記予測値を演算することを特徴とする請求項1に記載のモータインバータ。
- 前記負荷電流検出手段は、モジュール化された前記半導体スイッチング素子に搭載したことを特徴とする請求項1または2に記載のモータインバータ。
- 前記温度検出手段は、モジュール化された前記半導体スイッチング素子に搭載したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のモータインバータ。
- 前記半導体スイッチング素子はIGBTであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のモータインバータ。
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Cited By (7)
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JP2016034178A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びその制御方法 |
JP2016226132A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
US20190097519A1 (en) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Canon Medical Systems Corporation | Inverter device, gradient amplifier, and magnetic resonance imaging device |
JP2019114727A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JP2019146374A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
CN110474522A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-19 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
JP2021027773A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路及び駆動装置 |
-
2012
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016034178A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びその制御方法 |
JP2016226132A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
US20190097519A1 (en) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Canon Medical Systems Corporation | Inverter device, gradient amplifier, and magnetic resonance imaging device |
US10910939B2 (en) * | 2017-09-26 | 2021-02-02 | Canon Medical Systems Corporation | Inverter device, gradient amplifier, and magnetic resonance imaging device |
JP2019114727A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JP2019146374A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社日立産機システム | 電力変換装置 |
JP2021027773A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路及び駆動装置 |
JP7172912B2 (ja) | 2019-08-08 | 2022-11-16 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路及び駆動装置 |
CN110474522A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-19 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
CN110474522B (zh) * | 2019-08-19 | 2020-11-10 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
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