JP2014022707A - アルミニウム電解コンデンサ用陰極箔 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アルミニウム箔1の表面に、金属及びその窒化物,炭化物,炭窒化物,酸化物のうちの少なくとも一種からなる第一層2と、前記第一層2の上に、金属及びその窒化物,炭化物,炭窒化物,酸化物のうちの少なくとも一種からなる第二層3を、形成し、前記第一層2は前記第二層3よりも緻密な構造であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明はアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔に関するものであることから、基材としてはアルミニウム箔に限定されるが、アルミニウム電解コンデンサ用陰極箔として用いることができる程度のアルミニウムの純度を有しているものであれば、本発明において用いることができる。箔厚は特に限定されるものではないが、従来のエッチング処理を行なったアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔の箔厚に鑑みれば、5〜50μmが好ましい。
真空チャンバー内の所定の位置にアルミニウム箔1及び蒸着源であるチタンの金属材料を配置した後、チャンバー内の圧力を3.0×10−1Pa以下まで減圧する。チャンバー内の圧力が3.0×10−1Pa以下まで減圧したら、冷却ドラムでアルミニウム箔1を冷却しながら、蒸発源を加熱する。そうすると蒸発源であるチタンが気化し、アルミニウム箔1の表面に気化したチタンが衝突し、比表面積が0.1〜50m2/g、空隙率が45%以下である、チタンなどからなる緻密な構造をした第一層2がアルミニウム箔1の表面に形成される。すなわち、チャンバー内の圧力が3.0×10−1Pa以下において、比表面積が0.1〜50m2/gで、空隙率が45%以下である、耐水和性といった機能に好ましい構造をした層が形成されることから、第一層2を形成する工程における装置工程における装置内の圧力は3.0×10−1Pa以下が好ましいのである。
アルミニウム箔1の表面に第一層2を形成した後、真空チャンバー内の圧力を第一層2を形成したときよりも高い値に設定し、その設定圧力になったら、第一層2の形成時と同様に、冷却ドラムで冷却しながら蒸発源を加熱する。そうすると蒸発源であるチタンが気化し、アルミニウム箔1の表面に形成された第一層2の上に、空隙や凹凸が多い第二層3が形成される。
以上の工程により、図1及び図2のように、まずアルミニウム箔1の表面に、第二層3よりも緻密な構造をした第一層2が形成され、ついで第一層2の上に、空隙や凹凸が多い構造をした第二層3が形成されることで、耐水和性に優れ、かつ、静電容量が高いアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔4を提供することができる。また、図3及び図4のように、まずアルミニウム箔1の表面に、第一層の1層目2aを形成し、第一層の1層目2aの上に第一層の2層目2bを形成、ついで第一層の2層目2bの上に、第二層の1層目3aを形成し、第二層の1層目3aの上に第二層の2層目3bを形成することで、第一層と第二層が各1層ずつのものよりも、さらに耐水和性に優れ、かつ、さらに静電容量が高いアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔4を提供することができる。
前記実施例1の第一層の形成工程において、窒素ガスを流しながらチャンバー内の圧力を5.1×10−1Paにして行なったことを除いては、実施例1と同様にして作製した。
前記実施例3において、第一層の形成工程のみ行ない、第二層の形成工程は行なわなかった。
前記比較例1において、第一層の形成工程のみ行ない、第二層の形成工程は行なわなかった。
BET法(日本ベル製、自動比表面積/細孔分布測定装置、BELSORP−mini II)により比表面積を計測したが、これは基材であるアルミニウム箔の重量を含めて計算した値である。そこでまず、陰極箔を硫酸で溶解し、原子吸光分析法(バリアン製、原子吸光分光光度計、SpectrAA−220)により計測した第一層の付着量と、基材の重量とから、第一層形成後の陰極箔の重量を求めた。そして次に、BET法で計測した基材であるアルミニウム箔の重量を含めて計算された比表面積を、第一層の比表面積に換算した。以上の過程を数式で表すと、式(2)のようになる。ただし、式(2)において、S1は第一層の比表面積、ScはBET法より計測した比表面積、W1は第一層の付着量、Wbは基材の重量とする。
本発明における空隙率は、空隙がない部分には厚さが均一な層がアルミニウム箔の両面に形成されるが、空隙がある部分にはまったく層は形成されない、との仮定のもとに定めたものである。よって、まず、走査型電子顕微鏡(日本電子製、電界放出形走査電子顕微鏡、JSM−7401F)で断面画像を観察し、計測したそれぞれの第一層の厚さから、空隙がまったくない層が形成されたときの第一層の重量を求めた。そして次に、原子吸光分析法により実際の第一層の付着量を計測した。この実際の第一層の付着量と空隙がまったくない層が形成されたときの第一層の重量より、空隙率を求めた。なお、実施例1から6及び比較例1においては、第一層に窒化チタンが含まれていてもごく微量であったため、ここでは第一層はチタンのみからなるものとした。以上のことを数式で表すと、式(3)のようになる。ただし、式(3)において、P1は第一層の空隙率、t1は走査型電子顕微鏡にて計測した第一層の厚さ、W1は原子吸光分析法により計測した実際の第一層の付着量とする。
JEITA(電子情報技術産業協会)規格・規格番号RC−2364Aの静電容量試験法にもとづき静電容量を測定し、純水で洗浄した後、同じくJEITA規格・規格番号RC−2364Aの耐水和性試験法にもとづき各陰極箔を95℃以上の純水中に放置した。1時間経過した後、一度陰極箔を取り出し静電容量を測定し、純水で洗浄してから、再び95℃以上の純水中に放置した。さらに1時間経過した後に静電容量を測定した。各々、耐水和性試験開始前の静電容量と比較して、静電容量の変化率を求めた。
2 第一層
2a 第一層の1層目
2b 第一層の2層目
3 第二層
3a 第二層の1層目
3b 第二層の2層目
4 陰極箔
以上の工程により、図1及び図2のように、まずアルミニウム箔1の表面に、第二層3よりも緻密な構造(比表面積0.1〜50m 2 /g、空隙率45%以下)をした第一層2が形成され、ついで第一層2の上に、空隙や凹凸が多い構造をした第二層3が形成されることで、耐水和性に優れ、かつ、静電容量が高いアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔4を提供することができる。また、図3及び図4のように、まずアルミニウム箔1の表面に、第一層の1層目2aを形成し、第一層の1層目2aの上に第一層の2層目2bを形成、ついで第一層の2層目2bの上に、第二層の1層目3aを形成し、第二層の1層日3aの上に第二層の2層目3bを形成することで、第一層と第二層が各1層ずつのものよりも、さらに耐水和性に優れ、かつ、さらに静電容量が高いアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔4を提供することができる。
前記実施例1の第一層の形成工程において、窒素ガスを流しながらチャンバー内の圧力を3.2×10−1Paにして行なったことを除いては、実施例1と同様にして作製した。
前記実施例1の第一層の形成工程において、窒素ガスを流しながらチャンバー内の圧力を4.4×10−1Paにして行なったことを除いては、実施例1と同様にして作製した。
前記実施例1の第一層の形成工程において、窒素ガスを流しながらチャンバー内の圧力を5.1×10−1Paにして行なったことを除いては、実施例1と同様にして作製した。
前記実施例3において、第一層の形成工程のみ行ない、第二層の形成工程は行なわなかった。
前記比較例3において、第一層の形成工程のみ行ない、第二層の形成工程は行なわなかった。
本発明における空隙率は、空隙がない部分には厚さが均一な層がアルミニウム箔の両面に形成されるが、空隙がある部分にはまったく層は形成されない、との仮定のもとに定めたものである。よって、まず、走査型電子顕微鏡(日本電子製、電界放出形走査電子顕微鏡、JSM−7401F)で断面画像を観察し、計測したそれぞれの第一層の厚さから、空隙がまったくない層が形成されたときの第一層の重量を求めた。そして次に、原子吸光分析法により実際の第一層の付着量を計測した。この実際の第一層の付着量と空隙がまったくない層が形成されたときの第一層の重量より、空隙率を求めた。なお、実施例1から4及び比較例1から3においては、第一層に窒化チタンが含まれていてもごく微量であったため、ここでは第一層はチタンのみからなるものとした。以上のことを数式で表すと、式(3)のようになる。ただし、式(3)において、P1は第一層の空隙率、t1は走査型電子顕微鏡にて計測した第一層の厚さ、W1は原子吸光分析法により計測した実際の第一層の付着量とする。
Claims (4)
- アルミニウム箔の表面に、金属及びその窒化物,炭化物,炭窒化物,酸化物のうちの少なくとも一種からなる第一層と、前記第一層の上に、金属及びその窒化物,炭化物,炭窒化物,酸化物のうちの少なくとも一種からなる第二層を、形成し、前記第一層は前記第二層よりも緻密な構造であることを特徴とする、アルミニウム電解コンデンサ用陰極箔。
- 前記第一層の比表面積が0.1〜50m2/gで、空隙率が45%以下である、請求項1に記載のアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔。
- 前記第一層及び/または前記第二層における金属がチタンである、請求項1または2に記載のアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔。
- 前記第一層及び/または前記第二層が複数の層から構成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載のアルミニウム電解コンデンサ用陰極箔。
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WO2023100888A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔、電解コンデンサ、および電解コンデンサの製造方法 |
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WO2024019112A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電極材料、電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ |
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---|---|---|---|---|
JPH0738368B2 (ja) * | 1987-04-13 | 1995-04-26 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極材料の製造方法 |
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JP2864477B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1999-03-03 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極 |
IL161606A0 (en) * | 2004-04-25 | 2004-09-27 | Acktar Ltd | Integral separator for electrolytic capacitors |
IL173121A (en) * | 2006-01-12 | 2011-07-31 | Dina Katsir | Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10529497B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-01-07 | Japan Capacitor Industrial Co., Ltd. | Stereostructure |
WO2023100888A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔、電解コンデンサ、および電解コンデンサの製造方法 |
WO2024019112A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電極材料、電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ |
JP7477898B2 (ja) | 2022-07-21 | 2024-05-02 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ |
JP7401149B1 (ja) | 2023-07-14 | 2023-12-19 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電極材料、電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ |
JP7461091B1 (ja) | 2023-07-14 | 2024-04-03 | 日本蓄電器工業株式会社 | 電極材料、電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ |
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