JP2014022678A - Wafer etching method - Google Patents

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真也 渡辺
Yuki Inoue
雄貴 井上
Keigo Ito
啓吾 伊藤
Yoshiteru Nishida
吉輝 西田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer etching method capable of etching the surface to be etched of a wafer to a uniform state.SOLUTION: A wafer etching method comprises the steps of: rotatably holding a wafer by a rotation holding device 10; and supplying an etchant to at least a central part of a wafer 1 by etchant supply means 20 and etching the wafer 1 by rotating it. The etching step etches an outer periphery of the wafer 1 at a higher temperature than a temperature of the central part of the wafer 1.

Description

本発明は、半導体ウェーハ等のウェーハのエッチング方法に関する。   The present invention relates to a method for etching a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイスの製造過程では、多数のデバイスが形成されたシリコンウェーハ等の半導体ウェーハに対しウェットエッチングを施す場合がある。例えば、ウェーハの裏面を研削して薄化する加工を行った場合、研削によって生じている歪みを除去するために被研削面をウェットエッチングしている。また、銅ポスト等からなる複数の貫通電極がウェーハに埋設されたＴＳＶ（Through Silicon Via:Ｓｉ貫通電極）ウェーハにおいては、貫通電極をウェーハの裏面に露出して突出した状態とするために、裏面に対しウェットエッチングを施す場合がある。   In the process of manufacturing a semiconductor device, wet etching may be performed on a semiconductor wafer such as a silicon wafer on which a large number of devices are formed. For example, when the back surface of the wafer is ground and thinned, the surface to be ground is wet-etched to remove distortion caused by grinding. In addition, in a TSV (Through Silicon Via: Si through electrode) wafer in which a plurality of through electrodes made of copper posts or the like are embedded in the wafer, the back surface is exposed to protrude from the back surface of the wafer. In some cases, wet etching may be performed.

ウェーハにウェットエッチング処理を施すにあたっては、回転させたウェーハの中央部にエッチング液を滴下して供給し、遠心力によってエッチング液を被エッチング面全面に広げて供給するスピンコート法が知られている（特許文献１等参照）。   In performing wet etching on a wafer, a spin coating method is known in which an etching solution is dropped and supplied to the center of a rotated wafer, and the etching solution is spread over the entire surface to be etched by centrifugal force. (Refer to patent document 1 etc.).

特開２０００−２１２７７３号公報JP 2000-217733 A

上記スピンコート法によるエッチング処理にあっては、ウェーハに対して反応性が速いエッチング液を用いた場合には、供給直後からエッチング液による反応（溶解反応あるいは腐食反応など）が開始するため、ウェーハの中央部の方が外周部に比べてエッチング量が多くなり、被エッチング面が均一な状態にエッチングされにくいという問題がある。   In the etching process by the above spin coating method, when an etching solution having a high reactivity with respect to the wafer is used, a reaction (dissolution reaction or corrosion reaction) by the etching solution starts immediately after the supply. There is a problem that the etching amount is larger in the central portion than in the outer peripheral portion, and the etched surface is difficult to be etched in a uniform state.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主たる課題は、ウェーハの被エッチング面を均一な状態にエッチングすることができるウェーハのエッチング方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main problem thereof is to provide a wafer etching method capable of etching a surface to be etched of the wafer in a uniform state.

本発明のウェーハのエッチング方法は、ウェーハを回転可能に保持する保持手段でウェーハを保持する保持ステップと、エッチング液供給手段で少なくともウェーハの中央部にエッチング液を供給するとともにウェーハを回転させてウェーハにエッチングを施すエッチングステップと、を備え、該エッチングステップでは、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されることを特徴とする。   The method for etching a wafer according to the present invention includes a holding step for holding the wafer by a holding means for rotatably holding the wafer, an etching solution supplying means for supplying an etching solution to at least the central portion of the wafer, and rotating the wafer to rotate the wafer. An etching step for performing etching on the wafer, wherein the etching is performed in a state where the outer peripheral portion of the wafer is at a higher temperature than the central portion of the wafer.

本発明は、保持手段に保持したウェーハを、保持手段を回転させることでウェーハを回転させながら、ウェーハの中央部にエッチング液を供給するスピンコート法によるエッチング方法である。従来のスピンコート法では、上記のようにウェーハの中央部の方が外周部に比べてエッチング量が多くなる傾向にあった。ここで、エッチング処理においては、温度が高いほどエッチング反応速度が速くなるという特性を有している。したがって本発明のようにウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングすると、中央部よりも外周部の方がエッチングによるエッチング反応速度が速くなる。このため、結果的に中央部と外周部のエッチング反応を同等とすることができ、よって被エッチング面を均一な状態にエッチングすることができる。   The present invention is an etching method by a spin coating method in which an etching solution is supplied to the central portion of a wafer while rotating the wafer by rotating the holding means with respect to the wafer held by the holding means. In the conventional spin coating method, the etching amount tends to be larger in the central portion of the wafer than in the outer peripheral portion as described above. Here, the etching process has a characteristic that the higher the temperature, the faster the etching reaction rate. Therefore, when the outer peripheral portion of the wafer is etched at a higher temperature than the central portion of the wafer as in the present invention, the etching reaction rate by the etching is faster in the outer peripheral portion than in the central portion. For this reason, as a result, the etching reaction between the central portion and the outer peripheral portion can be made equal, and the surface to be etched can be etched in a uniform state.

エッチングステップにおいて、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部を高温の状態でエッチングするには、具体的には以下の方法が挙げられる。   In the etching step, in order to etch the outer peripheral portion of the wafer at a higher temperature than the central portion of the wafer, the following method is specifically mentioned.

すなわち、第１の方法としては、前記エッチング供給手段は、ウェーハの中央部に前記エッチング液を第一の温度で供給する第一供給口と ウェーハの外周部に該エッチング液を該第一の温度より高温の第二の温度で供給する第二供給口とを有することにより、前記エッチングステップでは、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されるようにする。   That is, as a first method, the etching supply means includes a first supply port that supplies the etching solution to the central portion of the wafer at a first temperature, and the etching solution is supplied to the outer peripheral portion of the wafer at the first temperature. By having a second supply port for supplying at a higher second temperature, the etching step is performed so that the outer peripheral portion of the wafer is hotter than the central portion of the wafer.

または、第２の方法としては、前記保持手段は、ウェーハの被エッチング面を露出するとともに該被エッチング面の背面の少なくとも外周部を露出した状態でウェーハを保持し、前記エッチングステップでは、ウェーハの該背面の外周部にエッチング反応に不活性な流体を加熱して噴射することで、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されるようにする。   Alternatively, as a second method, the holding means holds the wafer in a state in which the surface to be etched of the wafer is exposed and at least the outer peripheral portion of the back surface of the surface to be etched is exposed. By heating and injecting a fluid inert to the etching reaction to the outer peripheral portion of the back surface, the outer peripheral portion of the wafer is etched at a higher temperature than the central portion of the wafer.

なお、上記の第１の方法および第２の方法は、それぞれ単独で行ってもよいが、同時に行うこともできる。   In addition, although said 1st method and said 2nd method may each be performed independently, they can also be performed simultaneously.

本発明での前記ウェーハは、シリコンからなり、前記エッチング液は、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Tetramethyl Ammonium Hydroxid）を含むことを特徴とする。   In the present invention, the wafer is made of silicon, and the etching solution contains tetramethylammonium hydroxide (TMAH).

本発明によれば、ウェーハの被エッチング面を均一な状態にエッチングすることができるウェーハのエッチング方法が提供されるといった効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to provide an etching method for a wafer that can etch a surface to be etched of the wafer in a uniform state.

本発明の一実施形態に係るウェーハの加工方法の保持ステップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the holding | maintenance step of the processing method of the wafer which concerns on one Embodiment of this invention. 一実施形態のエッチングステップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the etching step of one Embodiment. 一実施形態のエッチングステップを示す側面図である。It is a side view which shows the etching step of one Embodiment. 本発明の他の実施形態に係るウェーハの加工方法のエッチングステップを示す側面図である。It is a side view which shows the etching step of the processing method of the wafer which concerns on other embodiment of this invention.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
一実施形態では、まず、ウェットエッチング対象の円板状のウェーハ１を、図１に示す回転保持装置（保持手段）１０が備える複数の支持板１１上に載置して保持する（保持ステップ）。ウェーハ１は、例えばシリコン製の半導体ウェーハ１であり、片面が被エッチング面１ｂとされる。回転保持装置１０は、図示せぬエッチングチャンバー内に収容されている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In one embodiment, first, a disk-shaped wafer 1 to be wet-etched is placed and held on a plurality of support plates 11 provided in the rotation holding device (holding means) 10 shown in FIG. 1 (holding step). . The wafer 1 is a semiconductor wafer 1 made of, for example, silicon, and one surface is an etched surface 1b. The rotation holding device 10 is accommodated in an etching chamber (not shown).

複数の支持板１１上に載置されたウェーハ１は、水平、かつ回転可能に保持される。この場合、支持板１１は周方向に等間隔をおいて３つ配設され、支持板１１間には、ウェーハ１の外周面に当接するローラ１２が配設されている。支持板１１の中心には、上方に突出する凸部１１ａが形成されており、この凸部１１ａの側面に外周面が当接することで、ウェーハ１は位置決めされるようになっている。この状態で、ウェーハ１の被エッチング面１ｂの全面が上方に露出し、下面である背面１ａの外周部は、支持板１１への載置部分を除いて下方に露出する。   The wafer 1 placed on the plurality of support plates 11 is held horizontally and rotatably. In this case, three support plates 11 are arranged at equal intervals in the circumferential direction, and rollers 12 that contact the outer peripheral surface of the wafer 1 are arranged between the support plates 11. A convex portion 11a protruding upward is formed at the center of the support plate 11, and the wafer 1 is positioned by the outer peripheral surface coming into contact with the side surface of the convex portion 11a. In this state, the entire surface to be etched 1b of the wafer 1 is exposed upward, and the outer peripheral portion of the back surface 1a, which is the lower surface, is exposed downward except for the mounting portion on the support plate 11.

各ローラ１２は下方に延びる回転軸１３を有しており、これら回転軸１３には、駆動ベルト１４が巻回されている。駆動ベルト１４の外周面には、駆動モータ１５で回転駆動される駆動ローラ１６が圧接して設置されており、駆動ローラ１６が矢印Ａ方向に回転駆動すると、駆動ベルト１４がＢ方向に駆動され、駆動ベルト１４の回転が回転軸１３からローラ１２に伝わって、ウェーハ１が矢印Ｃ方向に回転するようになっている。   Each roller 12 has a rotating shaft 13 extending downward, and a driving belt 14 is wound around the rotating shaft 13. A driving roller 16 that is rotationally driven by a driving motor 15 is installed in pressure contact with the outer peripheral surface of the driving belt 14. When the driving roller 16 is rotationally driven in the direction of arrow A, the driving belt 14 is driven in the B direction. The rotation of the drive belt 14 is transmitted from the rotary shaft 13 to the roller 12 so that the wafer 1 rotates in the direction of arrow C.

ウェーハ１は、被エッチング面１ｂを上方に向けて支持板１１に載置されるとともに、外周面が各ローラ１２の周面に当接してセットされる。そして、駆動モータ１５を回転させることで回転する各ローラ１２がウェーハ１の外周面を摩擦力で周方向に送ることで、ウェーハ１は回転させられる。   The wafer 1 is set on the support plate 11 with the surface to be etched 1b facing upward, and the outer peripheral surface is set in contact with the peripheral surface of each roller 12. Then, each roller 12 that rotates by rotating the drive motor 15 sends the outer peripheral surface of the wafer 1 in the circumferential direction by frictional force, whereby the wafer 1 is rotated.

次に、ウェーハ１を回転保持装置１０で回転させながら、ウェーハ１の被エッチング面１ｂの中央部にエッチング液を供給し、スピンコートにより被エッチング面１ｂの全面にエッチング液を供給してエッチングを施す（エッチングステップ）。   Next, while rotating the wafer 1 with the rotation holding device 10, the etching solution is supplied to the central portion of the etching target surface 1b of the wafer 1, and the etching solution is supplied to the entire etching target surface 1b by spin coating to perform etching. Apply (etching step).

エッチングステップでは、ウェーハ１の中央部に比べて外周部が高温の状態でエッチングが遂行されるようにする。それには、図２および図３に示すように、ウェーハ１の上方に、エッチング供給手段２０として、ウェーハ１の中央部に第一の温度のエッチング液Ｌ１を供給する第一供給口２１と ウェーハ１の外周部に第一の温度より高温の第二の温度のエッチング液Ｌ２を供給する第二供給口２２とを配設する。この場合、第二供給口２２は、１つの第一供給口２１の両側に位置付けられ、３つの供給口２１，２２，２２が直線状に並ぶように配設されている。   In the etching step, the etching is performed in a state where the outer peripheral portion is at a higher temperature than the central portion of the wafer 1. For this purpose, as shown in FIGS. 2 and 3, a first supply port 21 for supplying an etching solution L <b> 1 having a first temperature to the central portion of the wafer 1 as an etching supply means 20 above the wafer 1 and the wafer 1. And a second supply port 22 for supplying an etchant L2 having a second temperature higher than the first temperature is disposed on the outer peripheral portion of the first supply port. In this case, the second supply port 22 is positioned on both sides of one first supply port 21, and the three supply ports 21, 22, and 22 are arranged in a straight line.

エッチング液の温度に関しては、例えば、第一の温度すなわちエッチングＬ１の温度は６０〜７０℃程度とされ、第二の温度すなわちエッチングＬ２の温度は７５〜９０℃程度とされる。また、これらエッチング液Ｌ１，Ｌ２は、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、ＴＭＡＨと称する）が用いられる。また、図３に示すように、ウェーハ１の下側には、ウェーハ１の背面１ａの中央部に向けてエッチング反応に不活性な流体Ｇ１を噴射してエッチング液Ｌの背面１ａへの回り込みを防ぐ中央部噴射口３１を配設する。不活性な流体Ｇ１としては、純水や窒素ガス等が用いられる。   Regarding the temperature of the etching solution, for example, the first temperature, that is, the temperature of the etching L1 is set to about 60 to 70 ° C., and the second temperature, that is, the temperature of the etching L2 is set to about 75 to 90 ° C. Further, tetramethylammonium hydroxide (hereinafter referred to as TMAH) is used as the etching solutions L1 and L2. Further, as shown in FIG. 3, on the lower side of the wafer 1, a fluid G1 that is inert to the etching reaction is sprayed toward the central portion of the back surface 1a of the wafer 1 so that the etching solution L wraps around the back surface 1a. A central injection port 31 is provided for prevention. As the inert fluid G1, pure water, nitrogen gas, or the like is used.

エッチングステップでは、上記のようにしてウェーハ１を回転させながら、第一供給口２１および第二供給口２２から、それぞれ上記温度に設定されたエッチング液Ｌ１，Ｌ２を滴下して供給し、また、ウェーハ１の背面１ａの中央部に中央部噴射口３１から不活性な流体Ｇ１を噴射させる。   In the etching step, while rotating the wafer 1 as described above, the etching liquids L1 and L2 set at the above temperatures are dropped and supplied from the first supply port 21 and the second supply port 22, respectively. An inert fluid G <b> 1 is sprayed from the central spray port 31 to the center of the back surface 1 a of the wafer 1.

第一供給口２１から供給されたエッチングＬ１は、回転するウェーハ１の被エッチング面１ｂの中央部に滴下して供給され、遠心力によって外周側に広がっていく。エッチングＬ１が供給された被エッチング面１ｂの中央部は、上記第一の温度に応じたエッチング反応が起こってエッチングされる。   The etching L1 supplied from the first supply port 21 is supplied dropwise to the central portion of the etching target surface 1b of the rotating wafer 1, and spreads to the outer peripheral side by centrifugal force. The central portion of the etching target surface 1b supplied with the etching L1 is etched by an etching reaction corresponding to the first temperature.

一方、第二供給口２２から供給されたエッチングＬ２は、回転するウェーハ１の被エッチング面１ｂの外周部に滴下し、遠心力によってさらに外周側に広がっていく。エッチング液Ｌ２が供給された被エッチング面１ｂの外周部は、上記第二の温度に応じたエッチング反応が起こってエッチングされる。このようにして被エッチング面１ｂはエッチング液Ｌ１，Ｌ２により全面がエッチングされる。   On the other hand, the etching L2 supplied from the second supply port 22 drops on the outer peripheral portion of the surface 1b to be etched of the rotating wafer 1, and further spreads to the outer peripheral side by centrifugal force. The outer peripheral portion of the etching target surface 1b supplied with the etching liquid L2 is etched by an etching reaction corresponding to the second temperature. In this way, the entire surface to be etched 1b is etched by the etching liquids L1 and L2.

エッチングＬ１，Ｌ２は、ウェーハ１の外周縁から落下するが、ウェーハ１の背面１ａ側に噴射されている不活性な流体Ｇ１の圧力で、ウェーハ１の背面１ａにはエッチング液Ｌ１．Ｌ２が回り込まず、表面１ａや側面といった不要な部分がエッチングされることが防がれる。なお、エッチング中はエッチングチャンバー内を５０℃程度に加熱しておくと、エッチングレートが上がって処理速度が向上するので好ましい。所定のエッチング時間が経過するとエッチング処理は終了し、エッチング液Ｌ１，Ｌ２の供給およびウェーハ１の回転が停止され、ウェーハ１は回転保持装置１０から搬出される。   Etchings L1 and L2 fall from the outer peripheral edge of the wafer 1, but the pressure of the inert fluid G1 sprayed to the back surface 1a side of the wafer 1 causes the etching liquid L1. L2 does not wrap around, and unnecessary portions such as the surface 1a and the side surface are prevented from being etched. Note that it is preferable to heat the inside of the etching chamber to about 50 ° C. during etching because the etching rate is increased and the processing speed is improved. When a predetermined etching time elapses, the etching process ends, the supply of the etching liquids L1 and L2 and the rotation of the wafer 1 are stopped, and the wafer 1 is unloaded from the rotation holding device 10.

本実施形態によれば、ウェーハ１の中央部に供給するエッチング液Ｌ１よりも、外周部に供給するエッチング液Ｌ２の方が温度が高いため、中央部よりも外周部の方がエッチング反応速度が速くなる。このため、中央部と外周部のエッチング反応が同等となり、その結果、被エッチング面１ｂが均一な状態でエッチングされるといった効果が奏される。   According to the present embodiment, since the temperature of the etching liquid L2 supplied to the outer peripheral part is higher than that of the etching liquid L1 supplied to the central part of the wafer 1, the etching reaction rate at the outer peripheral part is higher than that at the central part. Get faster. For this reason, the etching reaction between the central portion and the outer peripheral portion becomes equal, and as a result, the effect that the etched surface 1b is etched in a uniform state is exhibited.

特に、ウェーハ１がシリコン製で、エッチング液Ｌ１，Ｌ２が上記ＴＭＡＨの場合には、エッチング液Ｌ１，Ｌ２の供給直後からエッチング反応が起こるため、本実施形態は有効とされる。   In particular, when the wafer 1 is made of silicon and the etching solutions L1 and L2 are the TMAH, an etching reaction occurs immediately after the supply of the etching solutions L1 and L2, so this embodiment is effective.

上記実施形態では、ウェーハ１の中央部に比べて外周部が高温の状態でエッチングする方法として、エッチング液の温度を変えて行っているが、これに加えてウェーハ１自体の中央部と外周部に温度差を与えることで、より適確に上記効果を得ることができ、上記のようにシリコン製ウェーハをＴＭＡＨでエッチングする場合、きわめて有効である。   In the above embodiment, the etching is performed by changing the temperature of the etching solution as a method for etching the outer peripheral portion at a higher temperature than the central portion of the wafer 1. In addition to this, the central portion and the outer peripheral portion of the wafer 1 itself are used. By giving a temperature difference to the above, the above-mentioned effect can be obtained more accurately, and it is extremely effective when a silicon wafer is etched with TMAH as described above.

ウェーハ１自体に温度差を与える方法としては、図４に示すように、回転保持装置１０で保持されたウェーハ１の背面１ａ側に、上記中央部噴射口３１の両側に外周部噴射口３２を配設し、これら外周部噴射口３２から、回転するウェーハ１の背面１ａの外周部に向けて、エッチング反応に不活性な流体Ｇ２を加熱して噴射させる。   As a method of giving a temperature difference to the wafer 1 itself, as shown in FIG. 4, outer peripheral injection ports 32 are provided on both sides of the central injection port 31 on the back surface 1 a side of the wafer 1 held by the rotation holding device 10. The fluid G2, which is inert to the etching reaction, is heated and sprayed from the outer peripheral injection ports 32 toward the outer peripheral portion of the back surface 1a of the rotating wafer 1 from these peripheral injection ports 32.

この場合、中央部噴射口３１から噴射される流体Ｇ１の温度は加熱はされておらずエッチングチャンバー内の雰囲気と同等の温度とされ、外周部噴射口３２から噴射される流体Ｇ２は中央部噴射口３１から噴射される流体Ｇ１の温度よりも高温とされる。これにより、ウェーハ１は中央部よりも外周部の方が高温となり、外周部の方がエッチング反応速度が速くなる。よって、中央部と外周部のエッチング反応が同等となり、被エッチング面１ｂが均一な状態でエッチングされる。   In this case, the temperature of the fluid G1 ejected from the central portion ejection port 31 is not heated and is set to a temperature equivalent to the atmosphere in the etching chamber, and the fluid G2 ejected from the outer peripheral portion ejection port 32 is ejected from the central portion. The temperature is higher than the temperature of the fluid G <b> 1 ejected from the port 31. As a result, the wafer 1 has a higher temperature at the outer peripheral portion than at the central portion, and the etching reaction rate is higher at the outer peripheral portion. Therefore, the etching reaction between the central portion and the outer peripheral portion becomes equivalent, and the etched surface 1b is etched in a uniform state.

また、外周部噴射口３２からは外周方向に向けて斜め上方に流体Ｇ２が噴射されるようになっており、このためエッチング液のウェーハ背面１ａへの回り込み防止の作用も確実に得ることができる。   Further, the fluid G2 is jetted obliquely upward from the outer peripheral injection port 32 toward the outer peripheral direction, and therefore, it is possible to reliably obtain an effect of preventing the etching solution from flowing into the wafer back surface 1a. .

なお、図４に示した背面１ａ側の各噴射口３１，３２から噴射される不活性な流体Ｇ１，Ｇ２によってウェーハ１自体に中央部と外周部に温度差を与える形態では、外周側の第二供給口２２からのエッチング液Ｌ２の供給を停止し、中央部の第一供給口２１から、常温のエッチング液Ｌ１を供給することによっても、ウェーハ１の中央部に比べてウェーハ１の外周部が高温の状態でエッチングすることができる。   In the form in which the temperature difference between the central portion and the outer peripheral portion is given to the wafer 1 itself by the inert fluids G1 and G2 injected from the respective injection ports 31 and 32 on the back surface 1a side shown in FIG. Even when the supply of the etching solution L2 from the second supply port 22 is stopped and the normal temperature etching solution L1 is supplied from the first supply port 21 in the central portion, the outer peripheral portion of the wafer 1 compared to the central portion of the wafer 1 Can be etched at a high temperature.

１…ウェーハ、１ａ…ウェーハの背面、１ｂ…ウェーハの被エッチング面、１０…回転保持装置（保持手段）、２０…エッチング液供給手段、２１…第一供給口、２２…第二供給口、Ｇ１，Ｇ２…流体、Ｌ１，Ｌ２…エッチング液。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 1a ... Back surface of wafer, 1b ... Etching surface of wafer, 10 ... Rotation holding device (holding means), 20 ... Etching liquid supply means, 21 ... First supply port, 22 ... Second supply port, G1 , G2 ... fluid, L1, L2 ... etching solution.

Claims (4)

ウェーハのエッチング方法であって、
ウェーハを回転可能に保持する保持手段でウェーハを保持する保持ステップと、
エッチング液供給手段で少なくともウェーハの中央部にエッチング液を供給するとともにウェーハを回転させてウェーハにエッチングを施すエッチングステップと、を備え、
該エッチングステップでは、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されることを特徴とするウェーハのエッチング方法。 A wafer etching method comprising:
A holding step for holding the wafer with holding means for holding the wafer rotatably;
An etching step of supplying an etching solution to at least a central portion of the wafer by an etching solution supply means and rotating the wafer to etch the wafer; and
In the etching step, etching is performed in a state where the outer peripheral portion of the wafer is hotter than the central portion of the wafer. 前記エッチング供給手段は、ウェーハの中央部に前記エッチング液を第一の温度で供給する第一供給口と ウェーハの外周部に該エッチング液を該第一の温度より高温の第二の温度で供給する第二供給口とを有することにより、前記エッチングステップでは、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハのエッチング方法。   The etching supply means supplies a first supply port for supplying the etching solution to the central portion of the wafer at a first temperature, and supplies the etching solution to the outer peripheral portion of the wafer at a second temperature higher than the first temperature. 2. The wafer according to claim 1, wherein the etching step is performed in a state where the outer peripheral portion of the wafer is at a higher temperature than the central portion of the wafer. Etching method. 前記保持手段は、ウェーハの被エッチング面を露出するとともに該被エッチング面の背面の少なくとも外周部を露出した状態でウェーハを保持し、
前記エッチングステップでは、ウェーハの該背面の外周部にエッチング反応に不活性な流体を加熱して噴射することで、ウェーハの中央部に比べてウェーハの外周部が高温の状態でエッチングが遂行されることを特徴とする請求項１または２に記載のウェーハのエッチング方法。 The holding means holds the wafer in a state where the etched surface of the wafer is exposed and at least the outer peripheral portion of the back surface of the etched surface is exposed,
In the etching step, etching is performed in a state where the outer periphery of the wafer is at a higher temperature than the central portion of the wafer by heating and spraying a fluid inert to the etching reaction on the outer periphery of the back surface of the wafer. The method for etching a wafer according to claim 1, wherein: 前記ウェーハは、シリコンからなり、
前記エッチング液は、水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のウェーハのエッチング方法。 The wafer is made of silicon,
The method for etching a wafer according to claim 1, wherein the etching solution contains tetramethylammonium hydroxide.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016157854A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
JP2016157853A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
JP2016162923A (en) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
JP2016184696A (en) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2020013911A (en) * 2018-07-19 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system and substrate processing method
US10595994B1 (en) 2018-09-20 2020-03-24 Vdyne, Llc Side-delivered transcatheter heart valve replacement
JP2021061274A (en) * 2019-10-03 2021-04-15 株式会社プレテック Substrate processing nozzle
US11076956B2 (en) 2019-03-14 2021-08-03 Vdyne, Inc. Proximal, distal, and anterior anchoring tabs for side-delivered transcatheter mitral valve prosthesis
US11185409B2 (en) 2019-01-26 2021-11-30 Vdyne, Inc. Collapsible inner flow control component for side-delivered transcatheter heart valve prosthesis
US11273033B2 (en) 2018-09-20 2022-03-15 Vdyne, Inc. Side-delivered transcatheter heart valve replacement
US11278437B2 (en) 2018-12-08 2022-03-22 Vdyne, Inc. Compression capable annular frames for side delivery of transcatheter heart valve replacement

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245287A (en) * 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd Wet etching apparatus
JPH11111673A (en) * 1997-10-07 1999-04-23 Shibaura Mechatronics Corp Etching method and treatment equipment
JPH11165114A (en) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Single substrate processing device
JP2000199084A (en) * 1998-10-07 2000-07-18 Toshiba Corp Substrate processing device
JP2001085383A (en) * 1999-09-13 2001-03-30 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2010067819A (en) * 2008-09-11 2010-03-25 Shibaura Mechatronics Corp Treatment device and treatment method of substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245287A (en) * 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd Wet etching apparatus
JPH11111673A (en) * 1997-10-07 1999-04-23 Shibaura Mechatronics Corp Etching method and treatment equipment
JPH11165114A (en) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Single substrate processing device
JP2000199084A (en) * 1998-10-07 2000-07-18 Toshiba Corp Substrate processing device
JP2001085383A (en) * 1999-09-13 2001-03-30 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Substrate treatment apparatus
JP2010067819A (en) * 2008-09-11 2010-03-25 Shibaura Mechatronics Corp Treatment device and treatment method of substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11075095B2 (en) 2015-02-18 2021-07-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US11610790B2 (en) 2015-02-18 2023-03-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2016157853A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
JP2016157854A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing device
JP2016162923A (en) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
JP2016184696A (en) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus
JP2020013911A (en) * 2018-07-19 2020-01-23 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system and substrate processing method
US10595994B1 (en) 2018-09-20 2020-03-24 Vdyne, Llc Side-delivered transcatheter heart valve replacement
US11273033B2 (en) 2018-09-20 2022-03-15 Vdyne, Inc. Side-delivered transcatheter heart valve replacement
US11278437B2 (en) 2018-12-08 2022-03-22 Vdyne, Inc. Compression capable annular frames for side delivery of transcatheter heart valve replacement
US11185409B2 (en) 2019-01-26 2021-11-30 Vdyne, Inc. Collapsible inner flow control component for side-delivered transcatheter heart valve prosthesis
US11076956B2 (en) 2019-03-14 2021-08-03 Vdyne, Inc. Proximal, distal, and anterior anchoring tabs for side-delivered transcatheter mitral valve prosthesis
JP2021061274A (en) * 2019-10-03 2021-04-15 株式会社プレテック Substrate processing nozzle

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