JP2014022677A - Method of processing wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面から所定深さに至る銅ポストが埋設された半導体ウェーハ等のウェーハに対し、裏面側をエッチング処理して銅ポストを裏面に突出させるウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for etching a back surface side of a wafer such as a semiconductor wafer in which a copper post extending from a front surface to a predetermined depth is embedded to project the copper post to the back surface.
多数のデバイスが形成されたシリコンウェーハをデバイスごとに細分化し、得られた半導体チップを積層して半導体パッケージに収める場合、TSV(Through Silicon Via:Si貫通電極)ウェーハを用いることにより、高集積化ならびに搭載機器の小型化・軽量化を図ることが行われている(特許文献1,2等参照)。TSVウェーハには、銅または銅合金からなる多数の銅ポストが貫通電極として設けられている。銅ポストは、ウェーハの表面から所定深さに至るまで埋設され、ウェーハの裏面をエッチングにより除去することで銅ポストをウェーハの裏面に突出させるといった加工が施され、この後、ウェーハをデバイス間の境界の分割予定ラインに沿って切断、分割して、銅ポストが貫通する半導体チップを製造している。
When a silicon wafer on which a large number of devices are formed is subdivided for each device and the resulting semiconductor chips are stacked and placed in a semiconductor package, high integration is achieved by using a TSV (Through Silicon Via) wafer. In addition, efforts have been made to reduce the size and weight of mounted devices (see
上記のようにTSVウェーハを加工するにあたり、裏面を研削・研磨してから、その裏面のエッチングをウェットエッチングで行った場合、研削・研磨面は酸化膜が存在しない非常に活性化した状態となる。そして、ウェーハのシリコンとともに銅ポストまでエッチングが施されると、銅ポストから溶け出した銅イオンがウェーハ内部に入り込み、シリコンの結晶格子間に捕捉されるといったいわゆる金属汚染を引き起こす。シリコンの結晶格子間に入り込んだ銅イオンは、デバイスの誤動作を引き起こしたり漏れ電流の増加を生じさせたりするといった問題を招く。 When processing the TSV wafer as described above, if the back surface is ground and polished and then the back surface is etched by wet etching, the ground and polished surface is in a very activated state in which no oxide film exists. . When etching is performed up to the copper post together with the silicon of the wafer, copper ions dissolved from the copper post enter the inside of the wafer and cause so-called metal contamination that is trapped between the crystal lattices of silicon. Copper ions entering between silicon crystal lattices cause problems such as malfunction of the device and increase in leakage current.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主たる課題は、ウェーハの裏面をウェットエッチングして銅ポストを露出させる加工を行うにあたり、金属汚染を引き起こすおそれがないウェーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main problem thereof is to provide a wafer processing method that does not cause metal contamination when performing wet etching on the back surface of a wafer to expose a copper post. There is to do.
本発明のウェーハの加工方法は、表面から所定深さに至る銅ポストが埋設されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面にエッチング液を供給してエッチングを施し、前記銅ポストをウェーハの裏面に露出させるとともにウェーハの裏面から突出させるエッチングステップを備え、前記エッチング液は、アルカリエッチング溶液と、銅または銅合金に対する酸化防止機能を有する添加剤とから少なくとも構成されるものであることを特徴とする。本発明の銅ポストは、銅または銅合金から構成されたものとする。 The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method in which a copper post extending from the front surface to a predetermined depth is embedded, and etching is performed by supplying an etching solution to the back surface of the wafer. It comprises an etching step that is exposed on the back surface and protrudes from the back surface of the wafer, wherein the etching solution is composed of at least an alkaline etching solution and an additive having an antioxidant function for copper or a copper alloy. And The copper post of this invention shall be comprised from copper or a copper alloy.
本発明によると、ウェーハの裏面を上記エッチング液でエッチングすることにより、裏面に露出した銅ポストの露出面には、上記添加剤により防食被膜が形成される。このため、露出した銅ポストはエッチングされず、ウェーハの裏面のみにエッチングが施される。したがって、銅ポストから銅イオンが溶け出すことによる金属汚染を引き起こすおそれがない。 According to the present invention, an anticorrosion film is formed on the exposed surface of the copper post exposed on the back surface by etching the back surface of the wafer with the etching solution. For this reason, the exposed copper post is not etched, and only the back surface of the wafer is etched. Therefore, there is no possibility of causing metal contamination due to dissolution of copper ions from the copper post.
本発明においては、特にウェーハがシリコン製の場合、前記アルカリエッチング溶液が水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH:Tetramethyl Ammonium Hydroxid)であり、前記添加剤がベンゾトリアゾール(BTA:Benzo Triazole)である形態が有効である。この場合、ベンゾトリアゾールが水酸化テトラメチルアンモニウムに対して0.5重量%以上含有されていると好ましい。この形態では、エッチングによりウェーハの裏面に露出する銅ポストには錯体Cu−BTAが形成され、この錯体Cu−BTAが防食被膜として作用し、銅ポストのエッチングが防がれる。 In the present invention, particularly when the wafer is made of silicon, it is effective that the alkaline etching solution is tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and the additive is benzotriazole (BTA). It is. In this case, it is preferable that benzotriazole is contained in an amount of 0.5% by weight or more based on tetramethylammonium hydroxide. In this embodiment, a complex Cu-BTA is formed on the copper post exposed on the back surface of the wafer by etching, and this complex Cu-BTA acts as an anticorrosion film, thereby preventing the copper post from being etched.
本発明は、前記エッチングステップを実施する前に、ウェーハの裏面を研削または研磨して所定の厚みへと薄化する薄化ステップをさらに備え、該薄化ステップでは、前記銅ポストがウェーハの裏面に露出されない厚みまでウェーハが薄化される形態を含む。この形態によれば、エッチング量を少なくしてエッチング液の使用量を抑えることができる。 The present invention further includes a thinning step of grinding or polishing the back surface of the wafer to reduce it to a predetermined thickness before performing the etching step, wherein the copper post is disposed on the back surface of the wafer. The wafer is thinned to a thickness that is not exposed to the surface. According to this embodiment, the etching amount can be reduced and the amount of the etching solution used can be suppressed.
本発明によれば、ウェーハの裏面をウェットエッチングして銅ポストを露出させる加工を行うにあたり、金属汚染を引き起こすおそれがないウェーハの加工方法が提供されるといった効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to provide a wafer processing method that does not cause metal contamination when performing wet etching on the back surface of a wafer to expose a copper post.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図1は、一実施形態のウェーハの加工方法を模式的に示しており、図1(a)は加工前のウェーハ1の一部断面を示している。このウェーハ1は上述したTSVウェーハであって、シリコン製のウェーハ1には、表面1a(図1では、表面1aが下側、裏面1bが上側である)から所定深さに至るまで、銅または銅合金からなる複数の銅ポスト2が、厚み方向に対して垂直に埋設されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 schematically shows a wafer processing method according to an embodiment, and FIG. 1A shows a partial cross section of the
一実施形態は、このウェーハ1の裏面1bをエッチングにより除去することで銅ポスト2をウェーハ1の裏面1bに突出させるといった加工方法であり、以下、その方法を手順にしたがって説明する。
One embodiment is a processing method in which the
図1(a)に示した状態から、ウェーハ1の裏面1bを研削し、さらに必要に応じて研削面を研磨して、図1(b)に示すように銅ポスト2が裏面1bに露出されない厚みまでウェーハ1を薄化する(薄化ステップ)。ウェーハ1の裏面研削は、半導体ウェーハ等のワークを研削するための周知の研削装置(例えば、特開2007−175825号公報、特開2010−221378号公報)を用いて行うことができる。
From the state shown in FIG. 1 (a), the
次に、図1(c)に示すようにウェーハ1の裏面1bにエッチング液Lを供給し、図1(d)に示すように銅ポスト2が裏面1bに露出するとともに裏面1bから突出するまで、ウェットエッチングを行う(エッチングステップ)。エッチング液Lは、アルカリエッチング溶液と、銅または銅合金に対する酸化防止機能を有する添加剤とから少なくとも構成されるものである。具体的には、アルカリエッチング溶液として水酸化テトラメチルアンモニウム(以下、TMAH)が用いられ、添加剤としてベンゾトリアゾール(以下、BTA)が用いられる。TMAHとBTAとの配合比は、TMAHに対してBTAが0.5重量%以上含有されていると好ましい。
Next, as shown in FIG. 1 (c), an etching solution L is supplied to the
ウェーハ1の裏面1bへのエッチング液Lの供給方法は、特に限定されないが、例えば図3に示す供給装置10を用い、スピンコート法で供給することができる。この供給装置10は、複数の支持板11でウェーハ1を水平、かつ回転可能に支持し、ウェーハ1の外周面を複数のローラ12で摩擦力により回転させることで、ウェーハ1を回転させながら、ウェーハ1の裏面1bの中央部にノズル20からエッチング液Lを滴下して供給する構成のものである。
Although the supply method of the etching liquid L to the
この場合、支持板11は周方向に等間隔をおいて3つ配設され、ローラ12は支持板11の間に1つずつ、計3つ配設されている。支持板11の中心には、上方に突出する凸部11aが形成されており、この凸部11aの側面に外周面が当接することで、ウェーハ1がエッチング液供給位置に位置決めされるようになっている。
In this case, three
各ローラ12は下方に延びる回転軸13を有しており、これら回転軸13には、駆動ベルト14が巻回されている。駆動ベルト14の外周面には、駆動モータ15で回転駆動される駆動ローラ16が圧接して設置されており、駆動ローラ16が矢印A方向に回転駆動すると、駆動ベルト14がB方向に駆動され、駆動ベルト14の回転が回転軸13からローラ12に伝わって、ウェーハ1が矢印C方向に回転するようになっている。
Each
ウェーハ1は、裏面1bを上方に向けて支持板11に載置されるとともに、外周面が各ローラ12の周面に当接してセットされ、駆動モータ15を回転させることで回転する。そして、この状態を保持してノズル20からエッチング液Lをウェーハ1の裏面1bの中央部に滴下して供給すると、エッチング液は遠心力で外周側に広がり、裏面1b全面に供給される。
The
なお、この供給装置10を用いてウェーハ1の裏面1bをウェットエッチングする場合には、図4に示すように、ウェーハ1の下側(表面1a側)から噴射ノズル30によってエッチング反応に不活性な流体Gを噴射し、その流体Gの圧力でウェーハ1の表面1aにエッチング液Lが回り込まないようにすると、表面1aや側面といった不要な部分がエッチングされないので好ましい。流体Gとしては、窒素ガス等の不活性ガスや純水などが用いられる。
In addition, when the
本実施形態の加工方法によると、ウェーハ裏面のエッチング液として、TMAHに対してBTAを0.5重量%以上含有したものを用いている。このため、ウェーハ1の裏面1bをエッチングして銅ポスト2を露出させても、その銅ポスト2の露出面には、図2に示すように錯体Cu−BTAからなる防食被膜3が形成され、この防食被膜3によって銅ポスト2のエッチングが防がれる。このため、露出した銅ポスト2はエッチングされず、ウェーハ1の裏面1bのみにエッチングが施される。その結果、銅ポスト2から銅イオンが溶け出すことによる金属汚染を引き起こすおそれがないといった効果が奏される。
According to the processing method of the present embodiment, an etchant containing 0.5% by weight or more of BTA with respect to TMAH is used as the etching solution on the back surface of the wafer. For this reason, even if the
また、本実施形態では、ウェーハ裏面のエッチングに先立って、ウェーハ1の裏面1bを、銅ポスト2が裏面1bに露出されない厚みまで研削している。このため、エッチング量が研削しない場合と比べると少なくなり、エッチング液の使用量を抑えることができるという利点を得ることができる。
Further, in the present embodiment, prior to the etching of the wafer back surface, the
本実施形態では、TMAHとBTAとの配合比は、TMAHに対してBTAが0.5重量%以上含有されていると好ましいと述べた。この点に関し、TMAHに対するBTAの配合比を、0%、0.3%、0.5%、0.8%、1%、3%、5%と変えたエッチング液を用いてエッチングを実施する試験を行った。 In the present embodiment, it is described that the blending ratio of TMAH and BTA is preferably 0.5% by weight or more of BTA with respect to TMAH. In this regard, etching is performed using an etching solution in which the ratio of BTA to TMAH is changed to 0%, 0.3%, 0.5%, 0.8%, 1%, 3%, 5%. A test was conducted.
その結果、BTAの配合比が0%および0.3%では、銅ポスト2にエッチングが施されたことが確認された。これに対し、BTAが0.5%以上含有されていると、銅ポスト2はほぼエッチングされないという結果を得た。これにより、TMAHに対してBTAが0.5重量%以上含有されていると好ましいことが確認された。
As a result, it was confirmed that the
1…ウェーハ
1a…ウェーハの表面
1b…ウェーハの裏面
2…銅ポスト
3…防食被膜
L…エッチング液
DESCRIPTION OF
Claims (4)
ウェーハの裏面にエッチング液を供給してエッチングを施し、前記銅ポストをウェーハの裏面に露出させるとともにウェーハの裏面から突出させるエッチングステップを備え、
前記エッチング液は、アルカリエッチング溶液と、銅または銅合金に対する酸化防止機能を有する添加剤とから少なくとも構成されるものであることを特徴とするウェーハの加工方法。 A method for processing a wafer in which a copper post extending from a surface to a predetermined depth is embedded,
Etching is performed by supplying an etchant to the back surface of the wafer, and exposing the copper post to the back surface of the wafer and protruding from the back surface of the wafer,
The method of processing a wafer, wherein the etching solution comprises at least an alkaline etching solution and an additive having an antioxidant function for copper or a copper alloy.
該薄化ステップでは、前記銅ポストがウェーハの裏面に露出されない厚みまでウェーハが薄化されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のウェーハの加工方法。 Before performing the etching step, further comprising a thinning step of grinding or polishing the back surface of the wafer to a predetermined thickness,
The wafer processing method according to claim 1, wherein in the thinning step, the wafer is thinned to a thickness at which the copper post is not exposed on the back surface of the wafer.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190105634A (en) | 2017-02-16 | 2019-09-17 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | Etching method |
KR20190105633A (en) | 2017-02-16 | 2019-09-17 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | Etching method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172576A (en) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Sony Corp | Etching liquid, method of etching, and method of manufacturing semiconductor device |
US20090278238A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Texas Instruments Inc | Tsvs having chemically exposed tsv tips for integrated circuit devices |
JP2010093126A (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Kanto Chem Co Inc | Alkaline aqueous solution composition for substrate processing |
JP2010177541A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Pre-Tech At:Kk | METHOD OF REMOVING PROCESSING DAMAGE OF Si WAFER |
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162426A patent/JP2014022677A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172576A (en) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Sony Corp | Etching liquid, method of etching, and method of manufacturing semiconductor device |
US20090278238A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Texas Instruments Inc | Tsvs having chemically exposed tsv tips for integrated circuit devices |
JP2010093126A (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Kanto Chem Co Inc | Alkaline aqueous solution composition for substrate processing |
JP2010177541A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Pre-Tech At:Kk | METHOD OF REMOVING PROCESSING DAMAGE OF Si WAFER |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190105634A (en) | 2017-02-16 | 2019-09-17 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | Etching method |
KR20190105633A (en) | 2017-02-16 | 2019-09-17 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | Etching method |
US10923354B2 (en) | 2017-02-16 | 2021-02-16 | National University Corporation Saitama University | Etching method |
US11227771B2 (en) | 2017-02-16 | 2022-01-18 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Etching method |
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