JP2014022399A - Lead frame and manufacturing method of lead frame - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame in which inadvertent deformation of a lead part, in the way of manufacture, can be suppressed, and to provide a manufacturing method for a lead frame.SOLUTION: A lead frame 10 is manufactured by forming the planar forms of a die pad 11 and an inner lead 12 and a coupling part 13 by etching, and then forming at least the lead part 12i of the inner lead 12 and a bus bar 12b of thin wall by half-etching. The coupling part 13 is cut off so as to separate the die pad 11 and the bus bar 12b. The manufacturing method for the lead frame 10 includes the steps of: forming the planar forms of the die pad 11 and the inner lead 12 and the coupling part 13 by etching; forming at least the lead part 12i of the inner lead 12 and the bus bar 12b of thin wall by half-etching; and separating the die pad 11 and the bus bar 12b by removing the coupling part 13.

Description

本発明は、リードフレームおよびリードフレームの製造方法に関し、詳しくは、半導体装置の一形態であるＱＦＮ型パッケージ(Quad Flat Non-leaded Package)に供されるリードフレーム、および該リードフレームを製造するための方法に関するものである。     The present invention relates to a lead frame and a method for manufacturing the lead frame, and more specifically, to manufacture a lead frame used in a QFN type package (Quad Flat Non-leaded Package) which is a form of a semiconductor device, and the lead frame. It is about the method.

図９は、現在主流となっている半導体装置であって、詳しくはＱＦＮ型パッケージ(Quad Flat Non-leaded Package)と称される半導体装置の一例を示しており、このＱＦＮ型パッケージＡは、矩形平面形状を呈する封止体(樹脂パッケージ)Ｐを有し、該封止体Ｐにおける実装面Ｐａの中央域にはダイパッドＤＰが露呈しており、さらに上記ダイパッドＤＰの周囲には、所定個数の多くの外部電極部Ｅ、Ｅ…が配置されつつ露呈している。     FIG. 9 shows an example of a semiconductor device which is currently the mainstream and specifically called a QFN type package (Quad Flat Non-leaded Package). This QFN type package A is rectangular. A sealing body (resin package) P having a planar shape is provided, and the die pad DP is exposed in the central region of the mounting surface Pa in the sealing body P. Further, a predetermined number of the pads are disposed around the die pad DP. Many external electrode parts E, E ... are exposed while being arranged.

すなわち、従来からの半導体装置の１つであるＱＦＰ型パッケージ(Quad Flat Package)では、封止体から周囲に延出する折り曲げ加工されたアウターリードを外部電極端子としているのに対して、上述したＱＦＮ型パッケージＡにおいては、封止体Ｐの実装面Ｐａから外部電極部Ｅを露出させる形態のリードフレームを持つことにより、半導体装置における小型化と薄型化とを同時に実現可能としている。   That is, in the QFP type package (Quad Flat Package) which is one of the conventional semiconductor devices, a bent outer lead extending from the sealing body to the periphery is used as the external electrode terminal. The QFN type package A has a lead frame that exposes the external electrode portion E from the mounting surface Pa of the sealing body P, thereby making it possible to simultaneously reduce the size and thickness of the semiconductor device.

ここで、上記ＱＦＮ型パッケージＡを構成するリードフレームＬＦは、矩形状のダイパッドＤＰと、該ダイパッドＤＰの周囲に形成されたインナーリードＩＬ、ＩＬ…とを備え、これらインナーリードＩＬ、ＩＬ…は、個々の外部電極部Ｅ、Ｅ…と一体に薄肉形成された複数のリード部Ｌ、Ｌ…を有しており、上記ＱＦＮ型パッケージＡは、ダイパッドＤＰに半導体チップＣを搭載し、該半導体チップＣの各電極とインナーリードＩＬ、ＩＬ…とを、ボンディングワイヤＷ、Ｗ…を介して接続したのち、樹脂封止して封止体Ｐを型成形することにより製造されている。   Here, the lead frame LF constituting the QFN type package A includes a rectangular die pad DP and inner leads IL, IL formed around the die pad DP, and the inner leads IL, IL,. Have a plurality of lead portions L, L ... formed integrally with the individual external electrode portions E, E ..., and the QFN type package A has a semiconductor chip C mounted on a die pad DP, and the semiconductor Each electrode of the chip C and the inner leads IL, IL... Are connected via bonding wires W, W.

一方、近年においては、集積回路(ＩＣ：Integrated circuit)の高集積化に伴い、半導体装置における外部電極の端子数が増加する傾向にあり、このように多数の外部電極端子を持つ半導体装置を製造する場合には、半導体チップにおける多数の電極(信号系パッドや電源系パッド)と、リードフレームのインナーリードにおける多数のリード部とを、多数のボンディングワイヤを介して夫々接続しなければならず、半導体装置の製造が煩雑なものとなる不都合があった。   On the other hand, in recent years, as the integration of integrated circuits (ICs) has been increased, the number of terminals of external electrodes in semiconductor devices tends to increase, and thus semiconductor devices having a large number of external electrode terminals are manufactured. When doing so, a large number of electrodes (signal system pads and power system pads) in the semiconductor chip and a large number of lead portions in the inner lead of the lead frame must be connected via a large number of bonding wires, respectively. There is a disadvantage that the manufacture of the semiconductor device becomes complicated.

上述した如き実状に鑑みて、外部電極端子の徒らな増加を抑えることを目的として、図９に示す如く、リードフレームＬＦにおけるインナーリードＩＬに、バスバーＢと呼ばれる共通リードを設けることにより、例えば半導体チップＣにおける複数の電源系パッドに接続されるリードの共通化を図る技術が提供されている（例えば、特許文献１参照）。   In view of the actual situation as described above, for example, by providing a common lead called a bus bar B on the inner lead IL in the lead frame LF as shown in FIG. There is provided a technique for sharing leads connected to a plurality of power supply pads in a semiconductor chip C (see, for example, Patent Document 1).

すなわち、例えば半導体チップＣにおける複数の電源系パッドを、夫々バスバーＢにワイヤボンディングしてリードの共通化を図ることで、結果としてリードの本数、言い換えれば外部電極端子の徒らな増加が抑えられ、併せてリード間のショートを可及的に防止することが可能となる。   That is, for example, a plurality of power supply pads in the semiconductor chip C are wire-bonded to the bus bar B so as to share leads, and as a result, an increase in the number of leads, in other words, external electrode terminals can be suppressed. In addition, it is possible to prevent a short circuit between leads as much as possible.

特開２０１０−１８６８３１号公報JP 2010-186831 A

図１０に示す如く、上記ＱＦＮ型パッケージ(半導体装置)に供されるリードフレームＬＦは、通常、エッチングによってダイパッドＤＰやインナーリードＩＬ等を所期の平面形状に形成し、さらにインナーリードＩＬにおけるリード部ＬやバスバーＢ等をハーフエッチングによって薄肉形成している。     As shown in FIG. 10, the lead frame LF provided for the QFN type package (semiconductor device) usually has a die pad DP, an inner lead IL, etc. formed in an intended plane shape by etching, and further leads in the inner lead IL. The portion L, the bus bar B, and the like are thinly formed by half etching.

ところで、上述の如き理由によって、リード部Ｌの先端にバスバーＢを設けているリードフレームＬＦでは、インナーリードＩＬにおけるリード部Ｌのハーフエッチエリアが長い場合、図１０(ｂ)に実線で示す如く、ハーフエッチングに際してリード部ＬがバスバーＢの重みに耐えきれず撓み変形してしまう虞れがあった。   By the way, in the lead frame LF in which the bus bar B is provided at the tip of the lead portion L for the reasons described above, when the half-etched area of the lead portion L in the inner lead IL is long, as shown by the solid line in FIG. In the half etching, the lead portion L could not withstand the weight of the bus bar B and could be bent and deformed.

さらに、バスバーＢに繋がるリード部Ｌの先端が細くなっている場合や、リード部Ｌが複雑な形状を呈している場合においても、ハーフエッチングに際してリード部Ｌが変形してしまう不都合を招いていた。   Further, even when the tip of the lead portion L connected to the bus bar B is thin or when the lead portion L has a complicated shape, the lead portion L is deformed during half etching. .

本発明の目的は、上記実状に鑑みて、製造途中におけるリード部の不用意な変形を抑制し、もってリード部の変形に起因する様々な不都合の発生を未然に防止し得る、リードフレームおよびリードフレームの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a lead frame and a lead that can prevent inadvertent deformation of the lead part during manufacturing and prevent various inconveniences caused by the deformation of the lead part in view of the above-described situation. It is to provide a method for manufacturing a frame.

上記目的を達成するべく、請求項１の発明に関わるリードフレームは、ダイパッドの周囲にインナーリードを備え、インナーリードがハーフエッチングにより薄肉形成されたリード部とバスバーとを有し、該バスバーがダイパッドの外縁に対向設置されて成る、ＱＦＮ型パッケージに供されるリードフレームであって、
エッチングによって、ダイパッドの平面形とインナーリードの平面形とを形成するとともに、ダイパッドの外縁とバスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成したのち、少なくともインナーリードのリード部およびバスバーをハーフエッチングによって薄肉形成して成り、
連結部は、インナーリードのリード部およびバスバーをハーフエッチングしたのち、ダイパッドとバスバーとを分離するべく切除されることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a lead frame according to the invention of claim 1 includes an inner lead around the die pad, the inner lead having a lead portion formed thinly by half etching and a bus bar, and the bus bar is a die pad. A lead frame for use in a QFN type package, which is opposed to the outer edge of the package,
Etching forms the planar shape of the die pad and the planar shape of the inner lead, and after forming the connecting portion that connects the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar, at least the lead portion of the inner lead and the bus bar are etched by half etching. It is formed by forming a thin wall,
The connecting portion is characterized in that the lead portion of the inner lead and the bus bar are half-etched and then cut out to separate the die pad and the bus bar.

請求項２の発明に関わるリードフレームは、請求項１の発明に関わるリードフレームにおいて、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する際、インナーリードにおけるリード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、インナーリードにおけるリード部のハーフエッチング面側から、リード部のワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工が実施されることを特徴としている。   The lead frame according to a second aspect of the invention is the lead frame according to the first aspect of the invention, wherein the wire bonding surface of the lead portion of the inner lead is closely attached to the die when the connecting portion is cut away to separate the die pad and the bus bar. In this state, punching is performed from the half-etched surface side of the lead portion of the inner lead toward the wire bonding surface of the lead portion.

請求項３の発明に関わるリードフレームは、請求項１または請求項２の発明に関わるリードフレームにおいて、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する際に、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に、夫々凸部が形成されることを特徴としている。   The lead frame related to the invention of claim 3 is the lead frame related to the invention of claim 1 or claim 2, wherein the die pad and the bus bar face each other when the connecting portion is cut off to separate the die pad and the bus bar. It is characterized in that a convex part is formed in each part.

請求項４の発明に関わるリードフレームは、請求項１または請求項２の発明に関わるリードフレームにおいて、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する際に、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に、夫々凹部が形成されることを特徴としている。   The lead frame related to the invention of claim 4 is the lead frame related to the invention of claim 1 or claim 2, wherein the die pad and the bus bar face each other when the connecting portion is cut away to separate the die pad and the bus bar. It is characterized in that a recess is formed in each part.

請求項５の発明に関わるリードフレームは、請求項３または請求項４の発明に関わるリードフレームにおいて、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する際に、ダイパッドの外縁およびバスバーの外縁から少なくとも０．０５０mm以上離して、連結部が切除されることを特徴としている。   The lead frame according to the invention of claim 5 is the lead frame according to claim 3 or claim 4, wherein the connecting portion is cut away to separate the die pad and the bus bar from the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar. The connecting portion is cut away at least 0.050 mm or more apart.

請求項６の発明に関わるリードフレームの製造方法は、ダイパッドの周囲にインナーリードを備え、インナーリードがハーフエッチングにより薄肉形成されたリード部とバスバーとを有し、該バスバーがダイパッドの外縁に対向設置されて成る、ＱＦＮ型パッケージに供されるリードフレームの製造方法であって、
エッチングによって、ダイパッドの平面形とインナーリードの平面形とを形成するとともに、ダイパッドの外縁とバスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成する工程と、
エッチングによる形成工程の後に、少なくともインナーリードのリード部およびバスバーをハーフエッチングによって薄肉形成する工程と、
ハーフエッチングによる形成工程の後に、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する工程とを含んで成ることを特徴としている。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a lead frame manufacturing method comprising an inner lead around a die pad, the inner lead having a lead portion formed thinly by half-etching and a bus bar, and the bus bar facing the outer edge of the die pad. A method for manufacturing a lead frame for use in a QFN type package, comprising:
Forming a planar shape of the die pad and a planar shape of the inner lead by etching, and forming a connecting portion that connects the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar;
After the forming step by etching, a step of forming a thin wall by half etching at least the lead portion of the inner lead and the bus bar;
It is characterized by comprising a step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar after the forming step by half etching.

請求項７の発明に関わるリードフレームの製造方法は、請求項６の発明に関わるリードフレームの製造方法において、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する工程において、インナーリードにおけるリード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、インナーリードにおけるリード部のハーフエッチング面側から、リード部のワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工を実施することを特徴としている。   A lead frame manufacturing method according to a seventh aspect of the present invention is the lead frame manufacturing method according to the sixth aspect of the present invention, wherein in the step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar, In a state where the wire bonding surface is placed in close contact with the die, the punching process is performed by punching from the half etching surface side of the lead portion of the inner lead toward the wire bonding surface of the lead portion.

請求項８の発明に関わるリードフレームの製造方法は、請求項６または請求項７の発明に関わるリードフレームの製造方法において、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する工程において、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に、夫々凸部を形成することを特徴としている。   A lead frame manufacturing method according to the invention of claim 8 is the lead frame manufacturing method according to claim 6 or claim 7, wherein in the step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar, It is characterized in that a convex portion is formed at each portion facing the bus bar.

請求項９の発明に関わるリードフレームの製造方法は、請求項６または請求項７の発明に関わるリードフレームの製造方法において、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する工程において、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に、夫々凹部を形成することを特徴としている。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a lead frame manufacturing method according to the sixth or seventh aspect of the present invention, wherein in the step of cutting the connecting portion and separating the die pad from the bus bar, It is characterized in that a recess is formed in each part facing the bus bar.

請求項１０の発明に関わるリードフレームの製造方法は、請求項８または請求項９の発明に関わるリードフレームの製造方法において、連結部を切除してダイパッドとバスバーとを分離する工程において、ダイパッドの外縁およびバスバーの外縁から、少なくとも０．０５０mm以上離して連結部を切除することを特徴としている。   A lead frame manufacturing method according to the invention of claim 10 is the lead frame manufacturing method according to claim 8 or claim 9, wherein in the step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar, The connecting portion is cut away from the outer edge and the outer edge of the bus bar at least 0.050 mm or more.

請求項１の発明に関わるリードフレームによれば、ダイパッドの外縁とバスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成したのち、少なくともインナーリードのリード部およびバスバーをハーフエッチングによって薄肉形成しているので、ハーフエッチングに際してはインナーリードが連結部を介してダイパッドと繋がっているため、製造途中におけるリード部の不用意な変形を可及的に抑えることができる。     According to the lead frame of the first aspect of the present invention, since the connecting portion that connects the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar is formed, at least the lead portion of the inner lead and the bus bar are formed thin by half etching. In the half etching, since the inner lead is connected to the die pad through the connecting portion, inadvertent deformation of the lead portion during the manufacturing can be suppressed as much as possible.

請求項２の発明に関わるリードフレームによれば、連結部を切除する際に、インナーリードにおけるリード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、インナーリードにおけるリード部のハーフエッチング面側からワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工を実施することにより、打抜きバリがリード部のワイヤボンディング面側に形成されるため封止体から露出することを未然に防止できる。   According to the lead frame related to the invention of claim 2, when the connecting portion is cut, the lead portion of the inner lead is half-etched in a state where the wire bonding surface of the lead portion of the inner lead is placed in close contact with the die. By performing punching with a punch from the surface side toward the wire bonding surface, the punching burr is formed on the wire bonding surface side of the lead portion, so that it can be prevented from being exposed from the sealing body.

請求項３の発明に関わるリードフレームによれば、連結部を切除する際に、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に夫々凸部が形成されることで、ダイパッドおよびバスバーの外縁が二度切りされる不都合を未然に回避することができる。   According to the lead frame relating to the invention of claim 3, the outer edges of the die pad and the bus bar are cut twice by forming the convex portions at the opposing portions of the die pad and the bus bar when the connecting portion is cut. Can be avoided in advance.

請求項４の発明に関わるリードフレームによれば、連結部を切除する際に、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に夫々凹部が形成されることで、ダイパッドおよびバスバーの外縁が二度切りされる不都合を未然に回避することができる。   According to the lead frame relating to the invention of claim 4, when the connecting portion is cut, the outer edges of the die pad and the bus bar are cut twice by forming the recesses in the opposing portions of the die pad and the bus bar, respectively. Inconvenience can be avoided in advance.

請求項５の発明に関わるリードフレームによれば、連結部を切除する際に、ダイパッドの外縁およびバスバーの外縁から少なくとも０．０５０mm以上離して連結部が切除されることで、ダイパッドおよびバスバーの外縁が二度切りされる不都合を確実に回避することができる。   According to the lead frame of the fifth aspect of the invention, when the connecting portion is cut, the connecting portion is cut away by at least 0.050 mm or more from the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar. Can be reliably avoided.

請求項６の発明に関わるリードフレームの製造方法によれば、ダイパッドの外縁とバスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成する工程の後に、少なくともインナーリードのリード部およびバスバーをハーフエッチングによって薄肉形成する工程を実施しているので、ハーフエッチングに際してはインナーリードが連結部を介してダイパッドと繋がっているため、製造途中におけるリード部の不用意な変形を可及的に抑えることができる。   According to the lead frame manufacturing method relating to the invention of claim 6, after the step of forming the connecting portion for connecting the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar, at least the lead portion of the inner lead and the bus bar are thinned by half etching. Since the forming step is performed, the inner lead is connected to the die pad through the connecting portion during half etching, so that inadvertent deformation of the lead portion during manufacturing can be suppressed as much as possible.

請求項７の発明に関わるリードフレームの製造方法によれば、連結部を切除する工程において、インナーリードにおけるリード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、インナーリードにおけるリード部のハーフエッチング面側からワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工を実施することにより、打抜きバリがリード部のワイヤボンディング面側に形成されるため封止体から露出することを未然に防止できる。   According to the lead frame manufacturing method of the seventh aspect of the present invention, in the step of cutting the connecting portion, the lead portion of the inner lead in a situation where the wire bonding surface of the lead portion of the inner lead is placed in close contact with the die. By performing punching by punching from the half-etched surface side to the wire bonding surface, it is possible to prevent the punching burr from being exposed from the sealing body because it is formed on the wire bonding surface side of the lead portion. .

請求項８の発明に関わるリードフレームの製造方法によれば、連結部を切除する工程において、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に夫々凸部を形成することにより、ダイパッドおよびバスバーの外縁を二度切りする不都合を未然に回避できる。   According to the lead frame manufacturing method of the eighth aspect of the present invention, in the step of cutting the connecting portion, the outer edges of the die pad and the bus bar are formed by forming the convex portions at the opposing portions of the die pad and the bus bar. The inconvenience of cutting off can be avoided in advance.

請求項９の発明に関わるリードフレームの製造方法によれば、連結部を切除する工程において、ダイパッドとバスバーとの相対向する部位に夫々凹部を形成することにより、ダイパッドおよびバスバーの外縁を二度切りする不都合を未然に回避できる。   According to the lead frame manufacturing method of the ninth aspect of the present invention, in the step of cutting the connecting portion, the outer edges of the die pad and the bus bar are formed twice by forming the recesses in the opposing portions of the die pad and the bus bar. The inconvenience of cutting can be avoided in advance.

請求項１０の発明に関わるリードフレームの製造方法によれば、連結部を切除する工程において、ダイパッドの外縁およびバスバーの外縁から少なくとも０．０５０mm以上離して連結部を切除することにより、ダイパッドおよびバスバーの外縁を二度切りする不都合を確実に回避できる。   According to the lead frame manufacturing method of the tenth aspect of the present invention, in the step of cutting the connecting portion, the connecting portion is cut away by at least 0.050 mm or more from the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar. The inconvenience of cutting the outer edge twice can be surely avoided.

（ａ）は本発明のリードフレームを用いたＱＦＮ型パッケージの断面側面図、（ｂ）は本発明のリードフレームを用いたＱＦＮ型パッケージの全体底面図、（ｃ）は本発明のリードフレームを用いたＱＦＮ型パッケージを（ａ）中のｃ−ｃ線に沿って切断した断面底面図。(A) is a cross-sectional side view of a QFN type package using the lead frame of the present invention, (b) is an overall bottom view of the QFN type package using the lead frame of the present invention, and (c) is a lead frame of the present invention. The cross-sectional bottom view which cut | disconnected the used QFN type | mold package along the cc line in (a). （ａ）は本発明に係るリードフレームを示す要部底面図、（ｂ）は上記リードフレームを（ａ）中のｂ−ｂ線に沿って切断した要部断面側面図。(A) is a principal part bottom view which shows the lead frame which concerns on this invention, (b) is a principal part cross-sectional side view which cut | disconnected the said lead frame along the bb line in (a). （ａ）は本発明に係るリードフレームを製造する際の工程を示す要部底面図、（ｂ）は上記リードフレームを（ａ）中のｂ−ｂ線に沿って切断した要部断面側面図。(A) is a principal part bottom view which shows the process at the time of manufacturing the lead frame which concerns on this invention, (b) is a principal part sectional side view which cut | disconnected the said lead frame along the bb line in (a). . （ａ）は本発明に係るリードフレームを製造する際の工程を示す要部底面図、（ｂ）は上記リードフレームを（ａ）中のｂ−ｂ線に沿って切断した要部断面側面図。(A) is a principal part bottom view which shows the process at the time of manufacturing the lead frame which concerns on this invention, (b) is a principal part sectional side view which cut | disconnected the said lead frame along the bb line in (a). . （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明に係るリードフレームを製造する際の連結部を切除する工程を打抜き装置と共に示す要部側面図。(A), (b), (c) is a principal part side view which shows the process of excising the connection part at the time of manufacturing the lead frame which concerns on this invention with a punching apparatus. （ａ）および（ｂ）は、本発明に係るリードフレームを製造する際の連結部の切除形態の１つの例を示す要部平面図。(A) And (b) is a principal part top view which shows one example of the cutting | disconnection form of the connection part at the time of manufacturing the lead frame which concerns on this invention. （ａ）および（ｂ）は、本発明に係るリードフレームを製造する際の連結部の切除形態の他の例を示す要部平面図。(A) And (b) is a principal part top view which shows the other example of the cutting form of the connection part at the time of manufacturing the lead frame which concerns on this invention. （ａ）および（ｂ）は、本発明に係るリードフレームを製造する際に切除される連結部の形態の他の例を示す要部平面図。(A) And (b) is a principal part top view which shows the other example of the form of the connection part excised when manufacturing the lead frame which concerns on this invention. （ａ）は従来のＱＦＮ型パッケージの断面側面図、（ｂ）は従来のＱＦＮ型パッケージの外観底面図、（ｃ）は従来のＱＦＮ型パッケージを（ａ）中のｃ−ｃ線に沿って切断した断面底面図。(A) is a cross-sectional side view of a conventional QFN type package, (b) is an external bottom view of the conventional QFN type package, and (c) is a conventional QFN type package taken along line cc in (a). FIG. （ａ）は従来のＱＦＮ型パッケージにおけるリードフレームの要部底面図、（ｂ）は従来のＱＦＮ型パッケージにおけるリードフレームを（ａ）中のｂ−ｂ線に沿って切断した要部断面側面図。(A) The principal part bottom view of the lead frame in the conventional QFN type package, (b) is the principal part sectional side view which cut | disconnected the lead frame in the conventional QFN type package along the bb line in (a). .

以下、本発明に係るリードフレーム、および該リードフレームの製造方法について、幾つかの実施例を示す図面を参照しつつ詳細に説明する。     Hereinafter, a lead frame and a method of manufacturing the lead frame according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings illustrating some embodiments.

図１は、本発明に係るリードフレームを適用した半導体装置であるＱＦＮ型パッケージ(Quad Flat Non-leaded Package)の一例であり、このＱＦＮ型パッケージ１は、矩形平面形状を呈する封止体(樹脂パッケージ)２を有し、この封止体２における実装面２ａの中央域にはダイパッド１１が露呈しており、さらに上記ダイパッド１１の周囲には、所定個数の多くの外部電極部１２ｅ、１２ｅ…が所期位置に配置されつつ露呈している。   FIG. 1 shows an example of a QFN type package (Quad Flat Non-leaded Package) which is a semiconductor device to which a lead frame according to the present invention is applied. The QFN type package 1 is a sealed body (resin having a rectangular planar shape). Package) 2, the die pad 11 is exposed in the central region of the mounting surface 2 a of the sealing body 2, and a predetermined number of external electrode portions 12 e, 12 e. Is exposed while being placed in the expected position.

上記ＱＦＮ型パッケージ１を構成する、本発明に係るリードフレーム１０は、矩形状のダイパッド１１と、該ダイパッド１１の四方に形成されたインナーリード１２、１２…とを具備しており、上記ＱＦＮ型パッケージ１は、ダイパッド１１に半導体チップ３を搭載し、該半導体チップ３の各電極とインナーリード１２、１２…とを、ボンディングワイヤ４、４…を介して接続したのち、樹脂封止して封止体２を型成形することによって製造されている。   The lead frame 10 according to the present invention constituting the QFN type package 1 includes a rectangular die pad 11 and inner leads 12, 12... Formed on four sides of the die pad 11, and the QFN type. In the package 1, the semiconductor chip 3 is mounted on the die pad 11, and the electrodes of the semiconductor chip 3 and the inner leads 12, 12,... Are connected via bonding wires 4, 4,. The stationary body 2 is manufactured by molding.

ここで、本発明に係るリードフレーム１０は、上述した如くダイパッド１１と、インナーリード１２、１２…とを具備しており、上記ダイパッド１１は、矩形状を呈する全周に亘り、各辺から突出する薄肉のフランジ１１ｆを有し、このフランジ１１ｆは、ダイパッド１１における半導体チップ３の搭載面と面一に形成されている。   Here, the lead frame 10 according to the present invention includes the die pad 11 and the inner leads 12, 12... As described above, and the die pad 11 protrudes from each side over the entire circumference having a rectangular shape. The flange 11f is formed to be flush with the mounting surface of the semiconductor chip 3 in the die pad 11.

一方、上記リードフレーム１０のインナーリード１２は、所定個数の外部電極部１２ｅ、１２ｅ…と、個々の外部電極部１２ｅと一体に形成された薄肉のリード部１２ｌ、１２ｌ…と、複数のリード部１２ｌを接続する共通リードとしての薄肉のバスバー１２ｂとを有しており、上記バスバー１２ｂは、ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁に対向し、かつ該フランジ１１ｆに沿って延在している。   On the other hand, the inner lead 12 of the lead frame 10 includes a predetermined number of external electrode portions 12e, 12e..., Thin lead portions 12l, 12l formed integrally with the individual external electrode portions 12e, and a plurality of lead portions. The bus bar 12b has a thin bus bar 12b as a common lead for connecting 12l. The bus bar 12b faces the outer edge of the die pad 11 (flange 11f) and extends along the flange 11f.

なお、上記インナーリード１２のリード部１２ｌとバスバー１２ｂ、および上記ダイパッド１１のフランジ１１ｆとは、図中の下方側(ＱＦＮ型パッケージ１で言えば、封止体２の実装面２ａ側)から、後述する如くハーフエッチングによって薄肉形成されている。   The lead portion 121 and the bus bar 12b of the inner lead 12 and the flange 11f of the die pad 11 are from the lower side in the figure (in the QFN type package 1, the mounting surface 2a side of the sealing body 2). As will be described later, the thin film is formed by half etching.

図１および図２に示す如く、上記リードフレーム１０におけるダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁には、一対の凸部１１ｃ、１１ｃが形成されている一方、上記リードフレーム１０のインナーリード１２におけるバスバー１２ｂの外縁には、上記一対の凸部１１ｃ、１１ｃと相対向する位置態様で、一対の凸部１２ｃ、１２ｃが形成されており、上記凸部１１ｃおよび凸部１２ｃは、何れもダイパッド１１(フランジ１１ｆ)およびバスバー１２ｂの外縁から突出する寸法ｈ(図２)が、０．０５０ｍｍ以上に設定されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of convex portions 11c and 11c are formed on the outer edge of the die pad 11 (flange 11f) in the lead frame 10, while the bus bar 12b in the inner lead 12 of the lead frame 10 is formed. A pair of convex portions 12c, 12c are formed on the outer edge of the outer peripheral edge in a position opposite to the pair of convex portions 11c, 11c, and both the convex portion 11c and the convex portion 12c are formed on the die pad 11 (flange). 11f) and the dimension h (FIG. 2) protruding from the outer edge of the bus bar 12b are set to 0.050 mm or more.

因みに、上記リードフレーム１０は、図示していないサイドレール、タイバー、サポートバー等を備え、ＱＦＮ型パッケージ１の製造途中においては、これらの部材によってダイパッド１１およびインナーリード１２、１２…が支持されることは、従前からのリードフレームの構成と何ら変わるところはない。   Incidentally, the lead frame 10 includes side rails, tie bars, support bars and the like (not shown), and the die pad 11 and the inner leads 12, 12... Are supported by these members during the manufacture of the QFN type package 1. This is no different from the conventional lead frame configuration.

以下では、上記リードフレーム１０を製造する方法について詳細に説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described in detail.

上記リードフレーム１０を製造するには、先ず、図３に示す如く、Ｃｕ系素材やＦｅ系素材から成る母材に対し、エッチングによって、上記ダイパッド１１の平面形と、各インナーリード１２、１２…の平面形とを形成するとともに、上記インナーリード１２におけるバスバー１２ｂの外縁と、上記ダイパッド１１の外縁とを互いに繋ぐ態様で、複数個の連結部１３、１３…の平面形を形成する。   In order to manufacture the lead frame 10, first, as shown in FIG. 3, the planar shape of the die pad 11 and the inner leads 12, 12,... Are formed in such a manner that the outer edge of the bus bar 12b in the inner lead 12 and the outer edge of the die pad 11 are connected to each other.

上述した如く、エッチングによって、ダイパッド１１、インナーリード１２、および連結部１３の平面形を形成する工程に次いで、同じく図３に示す如く、上記ダイパッド１１におけるフランジ１１ｆ、上記インナーリード１２のリード部１２ｌとバスバー１２ｂ、およびフランジ１１ｆとバスバー１２ｂとを繋ぐ連結部１３を、図３(ｂ)中の下方側(ＱＦＮ型パッケージ１で言えば、封止体２の実装面２ａ側)から、ハーフエッチングによって夫々薄肉に形成する。   As described above, following the step of forming the planar shape of the die pad 11, the inner lead 12, and the connecting portion 13 by etching, the flange 11f in the die pad 11 and the lead portion 12l of the inner lead 12 are also shown in FIG. And the bus bar 12b and the connecting portion 13 connecting the flange 11f and the bus bar 12b are half-etched from the lower side in FIG. 3B (in the case of the QFN type package 1, the mounting surface 2a side of the sealing body 2). Each is formed into a thin wall.

ここで、ダイパッド１１の外縁とバスバー１２ｂの外縁とを繋ぐ連結部１３を形成する工程の後に、少なくともインナーリード１２のリード部１２ｌおよびバスバー１２ｂをハーフエッチングによって薄肉形成する工程を実施しているので、ハーフエッチングに際してはインナーリード１２が連結部１３を介してダイパッド１１と繋がっているため、製造途中(特にハーフエッチング工程)におけるリード部１２ｌの不用意な変形が可及的に抑えられ、もってリード部１２ｌの変形に起因する様々な不都合の発生を未然に防止することが可能となる。   Here, after the step of forming the connecting portion 13 that connects the outer edge of the die pad 11 and the outer edge of the bus bar 12b, the step of forming at least the lead portion 12l of the inner lead 12 and the bus bar 12b by half etching is performed. In the half etching, the inner lead 12 is connected to the die pad 11 through the connecting portion 13, so that inadvertent deformation of the lead portion 12l during the manufacturing (particularly the half etching process) is suppressed as much as possible. It is possible to prevent various inconveniences due to the deformation of the portion 12l.

上述した如く、ハーフエッチングによって、ダイパッド１１のフランジ１１ｆ、インナーリード１２のリード部１２ｌとバスバー１２ｂ、および連結部１３を薄肉に形成する工程に次いで、図４に示す如く、連結部１３を切除することによって、上記ダイパッド１１におけるフランジ１１ｆと、上記インナーリード１２におけるバスバー１２ｂとを互いに分離する。   As described above, following the step of forming the flange 11f of the die pad 11, the lead portion 12l of the inner lead 12, the bus bar 12b, and the connecting portion 13 by half etching, the connecting portion 13 is cut as shown in FIG. As a result, the flange 11f in the die pad 11 and the bus bar 12b in the inner lead 12 are separated from each other.

ここで、上記連結部１３を切除して、ダイパッド１１とバスバー１２ｂとを分離する工程では、図５(ａ)，(ｂ)に示す如く、インナーリード１２におけるリード部１２ｌのワイヤボンディング面１２ａを、ダイＤに密着させて載置した状況において、インナーリード１２におけるリード部１２ｌのハーフエッチング面１２ｈ側から、上記ワイヤボンディング面１２ａに向けて、パンチＰによる打抜き加工を実施している。   Here, in the step of cutting the connecting portion 13 and separating the die pad 11 and the bus bar 12b, the wire bonding surface 12a of the lead portion 12l of the inner lead 12 is formed as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). In a situation where the die D is placed in close contact with the die D, punching with the punch P is performed from the half etching surface 12h side of the lead portion 12l of the inner lead 12 toward the wire bonding surface 12a.

上述した如く、連結部１３を切除する際、リード部１２ｌのハーフエッチング面１２ｈ側からワイヤボンディング面１２ａに向けて打抜き加工することで、図５(ｃ)に示す如く、ダイパッド１１における打抜きバリ１１ｖと、インナーリード１２における打抜きバリ１２ｖとは、共にリード部１２ｌのワイヤボンディング面１２ａ側に形成されるため、ＱＦＮ型パッケージ１の製造に際し、上記打抜きバリ１１ｖ，１２ｖが封止体２から露出することを未然に防止でき、もって製品としてのＱＦＮ型パッケージ１の品質向上に貢献すること大である。さらに、連結部１３を切除する際、リード部１２ｌとダイＤとの間に隙間が形成されないため、パンチＰによる打抜き加工において、上記リード部１２ｌが不用意に変形することもない。   As described above, when the connecting portion 13 is cut, by punching from the half-etched surface 12h side of the lead portion 12l toward the wire bonding surface 12a, as shown in FIG. Since the punching burr 12v in the inner lead 12 is formed on the wire bonding surface 12a side of the lead part 12l, the punching burrs 11v and 12v are exposed from the sealing body 2 when the QFN type package 1 is manufactured. Therefore, it is important to contribute to improving the quality of the QFN type package 1 as a product. Further, when the connecting portion 13 is excised, no gap is formed between the lead portion 121 and the die D, and therefore the lead portion 121 is not inadvertently deformed in the punching process using the punch P.

また、図６(ａ)，(ｂ)に示す如く、ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁と、インナーリード１２(バスバー１２ｂ)の外縁とを繋ぐ連結部１３を、図６(ａ)中に一点鎖線で示す切断線に沿って切除することにより、上記ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁には凸部１１ｃが形成されている一方、上記インナーリード１２におけるバスバー１２ｂの外縁には、上記凸部１１ｃと相対向する位置態様で凸部１２ｃが形成されることとなる。   Further, as shown in FIGS. 6A and 6B, a connecting portion 13 that connects the outer edge of the die pad 11 (flange 11f) and the outer edge of the inner lead 12 (bus bar 12b) is shown in FIG. By cutting along a cutting line indicated by a chain line, a convex portion 11c is formed on the outer edge of the die pad 11 (flange 11f), while the convex portion 11c is formed on the outer edge of the bus bar 12b in the inner lead 12. The convex part 12c will be formed in the position aspect which opposes.

ここで、ダイパッド１１およびインナーリード１２における連結部１３の切除跡を、共に凸部(１１ｃ，１２ｃ)としたことにより、ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁、およびインナーリード１２(バスバー１２ｂ)の外縁に沿って連結部１３を切除した場合に生じ易い、いわゆる二度切りの発生を未然に回避することができる。   Here, the cut traces of the connecting portion 13 in the die pad 11 and the inner lead 12 are both convex portions (11c, 12c), whereby the outer edge of the die pad 11 (flange 11f) and the outer edge of the inner lead 12 (bus bar 12b). Therefore, it is possible to avoid the occurrence of so-called double cutting, which is likely to occur when the connecting portion 13 is cut along the line.

また、上記凸部１１ｃおよび凸部１２ｃは、ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)の外縁、およびバスバー１２ｂの外縁から突出して離れる寸法ｈが、共に０．０５０ｍｍ以上に設定されているため、ダイパッド１１(フランジ１１ｆ)およびバスバー１２ｂの外縁が二度切りされる不都合を確実に回避することができる。   Further, since the protrusion 11c and the protrusion 12c are set such that the dimension h protruding from the outer edge of the die pad 11 (flange 11f) and the outer edge of the bus bar 12b is set to 0.050 mm or more, the die pad 11 (flange). 11f) and the disadvantage that the outer edge of the bus bar 12b is cut twice can be surely avoided.

一方、他の実施例を示す図７のリードフレーム１０′においては、ダイパッド１１′(フランジ１１ｆ′)の外縁と、インナーリード１２′(バスバー１２ｂ′)の外縁とを繋ぐ連結部１３′を、図７(ａ)中に一点鎖線で示す切断線に沿って切除することにより、上記ダイパッド１１′(フランジ１１ｆ′)の外縁には凹部１１ｒ′が形成される一方、上記インナーリード１２′におけるバスバー１２ｂ′の外縁には、上記凹部１１ｒ′と相対向する位置態様で凹部１２ｒ′が形成されることとなる。   On the other hand, in the lead frame 10 ′ of FIG. 7 showing another embodiment, a connecting portion 13 ′ that connects the outer edge of the die pad 11 ′ (flange 11 f ′) and the outer edge of the inner lead 12 ′ (bus bar 12 b ′), By cutting along the cutting line indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 7A, a recess 11r 'is formed on the outer edge of the die pad 11' (flange 11f '), while the bus bar in the inner lead 12' is formed. On the outer edge of 12b ', a recess 12r' is formed in a position manner opposite to the recess 11r '.

このように、ダイパッド１１′およびインナーリード１２′における連結部１３′の切除跡を、共に凹部(１１ｒ′，１２ｒ′)としたことにより、ダイパッド１１′(フランジ１１ｆ′)の外縁、およびインナーリード１２′(バスバー１２ｂ′)の外縁に沿って連結部１３′を切除した場合に生じ易い、いわゆる二度切りの発生を未然に回避することができる。   As described above, since the cut traces of the connecting portion 13 'in the die pad 11' and the inner lead 12 'are both concave portions (11r', 12r '), the outer edge of the die pad 11' (flange 11f ') and the inner lead It is possible to avoid the so-called double cut that is likely to occur when the connecting portion 13 ′ is cut along the outer edge of the 12 ′ (bus bar 12 b ′).

また、上記凹部１１ｒ′および凹部１２ｒ′は、ダイパッド１１′(フランジ１１ｆ′)の外縁、およびバスバー１２ｂ′の外縁から陥没して離れる寸法ｄが、共に０．０５０ｍｍ以上に設定されているため、ダイパッド１１′(フランジ１１ｆ′)およびバスバー１２ｂ′の外縁が二度切りされる不都合を確実に回避することができる。   In addition, since the concave portion 11r ′ and the concave portion 12r ′ are set to have a dimension d that is recessed from the outer edge of the die pad 11 ′ (flange 11f ′) and the outer edge of the bus bar 12b ′, both are set to 0.050 mm or more. The disadvantage that the outer edges of the die pad 11 ′ (flange 11 f ′) and the bus bar 12 b ′ are cut twice can be reliably avoided.

他の実施例を示す図８(ａ)，(ｂ)のリードフレーム１０″においては、エッチングによって母材にダイパッド１１″と、インナーリード１２″と、連結部１３″との平面形を形成したのち、図８(ａ)に示す如く、インナーリード１２″のリード部１２ｌ″とバスバー１２ｂ″と、連結部１３″におけるインナーリード１２″に連続する部位とを、ハーフエッチングによって薄肉に形成する。   In the lead frame 10 ″ of FIGS. 8A and 8B showing another embodiment, the planar shape of the die pad 11 ″, the inner lead 12 ″, and the connecting portion 13 ″ is formed on the base material by etching. After that, as shown in FIG. 8A, the lead portion 12l ″ of the inner lead 12 ″, the bus bar 12b ″, and the portion of the connecting portion 13 ″ continuous to the inner lead 12 ″ are formed thin by half etching.

すなわち、上記連結部１３″において、ダイパッド１１″の外縁に連続する部位は、該ダイパッド１１″と同一の板厚に形成されることとなり、上記構成においては、図８(ｂ)に示す如く、上記連結部１３″を切除することによって、全体に亘って肉厚が一定のダイパッド１１″を備えたリードフレーム１０″が形成されることとなる。   That is, in the connecting portion 13 ″, a portion continuing to the outer edge of the die pad 11 ″ is formed to have the same plate thickness as the die pad 11 ″. In the above configuration, as shown in FIG. By cutting out the connecting portion 13 ″, a lead frame 10 ″ having a die pad 11 ″ having a constant thickness over the whole is formed.

なお、上記リードフレーム１０″においては、連結部１３″を切除する際、ダイパッド１１″の外縁に凸部１１ｃ″を形成し、インナーリード１２″の外縁に凸部１２ｃ″を形成しているが、図７に示したリードフレーム１０′の如く、連結部１３″を切除する際、ダイパッド１１″の外縁とインナーリード１２″の外縁とに、相対向する位置態様で凹部を形成するよう構成することも可能である。   In the lead frame 10 ″, when the connecting portion 13 ″ is cut, a convex portion 11c ″ is formed on the outer edge of the die pad 11 ″, and a convex portion 12c ″ is formed on the outer edge of the inner lead 12 ″. 7, when the connecting portion 13 ″ is cut away, recesses are formed in the outer face of the die pad 11 ″ and the outer edge of the inner lead 12 ″ in opposite positions, as in the lead frame 10 ′ shown in FIG. 7. It is also possible.

１…ＱＦＮパッケージ（半導体装置）、
２…封止体（パッケージ）、
３…半導体チップ、
４…ボンディングワイヤ、
１０…リードフレーム、
１１…ダイパッド、
１１ｆ…フランジ、
１１ｃ…凸部、
１２…インナーリード、
１２ｌ…リード部、
１２ｅ…外部電極部、
１２ｂ…バスバー、
１２ｃ…凸部、
１２ａ…ボンディング面、
１３…連結部、
１０′…リードフレーム、
１１′…ダイパッド、
１１ｆ′…フランジ、
１１ｒ′…凹部、
１２′…インナーリード、
１２ｂ′…バスバー、
１２ｒ′…凹部、
１３′…連結部、
１０″…リードフレーム、
１１″…ダイパッド、
１１ｃ″…凸部
１２″…インナーリード、
１２ｂ″…バスバー、
１２ｃ″…凸部、
１３″…連結部。 1 ... QFN package (semiconductor device),
2 ... Sealed body (package),
3 ... Semiconductor chip,
4 ... bonding wire,
10 ... Lead frame,
11 ... Die pad,
11f ... flange,
11c ... convex part,
12 ... Inner lead,
12l ... lead part,
12e ... external electrode part,
12b ... Bus bar,
12c ... convex part,
12a ... bonding surface,
13 ... connection part,
10 '... lead frame,
11 '... Die pad,
11f '... flange,
11r '... recess,
12 '... inner lead,
12b '... Bus bar,
12r '... recess,
13 '... connecting part,
10 "... lead frame,
11 ″… die pad,
11c "... convex part 12" ... inner lead,
12b "... Bus bar,
12c "... convex part,
13 ″ —Connecting part.

Claims (10)

ダイパッドの周囲にインナーリードを備え、前記インナーリードがハーフエッチングにより薄肉形成されたリード部とバスバーとを有し、該バスバーが前記ダイパッドの外縁に対向設置されて成る、ＱＦＮ型パッケージに供されるリードフレームであって、
エッチングによって、前記ダイパッドの平面形と前記インナーリードの平面形とを形成するとともに、前記ダイパッドの外縁と前記バスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成したのち、少なくとも前記インナーリードの前記リード部および前記バスバーをハーフエッチングによって薄肉形成して成り、
前記連結部は、前記インナーリードの前記リード部および前記バスバーをハーフエッチングしたのち、前記ダイパッドと前記バスバーとを分離するべく切除されることを特徴とするリードフレーム。 Provided in a QFN type package comprising an inner lead around a die pad, the inner lead having a lead portion formed thinly by half-etching and a bus bar, the bus bar being placed opposite to the outer edge of the die pad A lead frame,
Etching forms the planar shape of the die pad and the planar shape of the inner lead, and after forming a connecting portion that connects the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar, at least the lead portion of the inner lead And the bus bar is formed by forming a thin wall by half etching,
The lead frame according to claim 1, wherein the connecting portion is cut to separate the die pad and the bus bar after half-etching the lead portion of the inner lead and the bus bar. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する際、前記インナーリードにおける前記リード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、前記インナーリードにおける前記リード部のハーフエッチング面側から、前記リード部のワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工が実施されることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。     When the die pad and the bus bar are separated by cutting off the connecting portion, the lead portion of the inner lead is placed in a state where the wire bonding surface of the lead portion of the inner lead is placed in close contact with the die. 2. The lead frame according to claim 1, wherein punching is performed by punching from the etching surface side toward the wire bonding surface of the lead portion. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する際に、前記ダイパッドと前記バスバーとの相対向する部位に、夫々凸部が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載のリードフレーム。     The convex part is formed in the part which the die pad and the bus bar oppose, respectively, when cutting off the connecting part and separating the die pad and the bus bar. 2. The lead frame according to 2. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する際に、前記ダイパッドと前記バスバーとの相対向する部位に、夫々凹部が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載のリードフレーム。     The concave portion is formed in each of the opposing portions of the die pad and the bus bar when the connecting portion is cut away to separate the die pad and the bus bar. The described lead frame. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する際に、前記ダイパッドの外縁および前記バスバーの外縁から少なくとも０．０５０mm以上離して、前記連結部が切除されることを特徴とする請求項３または請求項４記載のリードフレーム。     The connecting portion is cut away at least 0.050 mm or more away from an outer edge of the die pad and an outer edge of the bus bar when the connecting portion is cut away to separate the die pad and the bus bar. The lead frame according to claim 3 or claim 4. ダイパッドの周囲にインナーリードを備え、前記インナーリードがハーフエッチングにより薄肉形成されたリード部とバスバーとを有し、該バスバーが前記ダイパッドの外縁に対向設置されて成る、ＱＦＮ型パッケージに供されるリードフレームの製造方法であって、
エッチングによって、前記ダイパッドの平面形と前記インナーリードの平面形とを形成するとともに、前記ダイパッドの外縁と前記バスバーの外縁とを互いに連結する連結部を形成する工程と、
前記エッチングによる形成工程の後に、少なくとも前記インナーリードの前記リード部および前記バスバーをハーフエッチングによって薄肉形成する工程と、
前記ハーフエッチングによる形成工程の後に、前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する工程と、
を含んで成ることを特徴とするリードフレームの製造方法。 Provided in a QFN type package comprising an inner lead around a die pad, the inner lead having a lead portion formed thinly by half-etching and a bus bar, the bus bar being placed opposite to the outer edge of the die pad A lead frame manufacturing method comprising:
Forming a planar shape of the die pad and a planar shape of the inner lead by etching, and forming a connecting portion that connects the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar;
After the forming step by the etching, a step of forming a thin wall by half etching at least the lead portion of the inner lead and the bus bar;
After the forming step by the half etching, the step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar;
A method for manufacturing a lead frame, comprising: 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する工程において、前記インナーリードにおける前記リード部のワイヤボンディング面をダイに密着させて載置した状況で、前記インナーリードにおける前記リード部のハーフエッチング面側から、前記リード部のワイヤボンディング面に向けて、パンチによる打抜き加工を実施することを特徴とする請求項６記載のリードフレームの製造方法。     In the step of cutting the connecting portion and separating the die pad and the bus bar, in a situation where the wire bonding surface of the lead portion of the inner lead is placed in close contact with the die, the lead portion of the inner lead The lead frame manufacturing method according to claim 6, wherein punching is performed from the half-etched surface side toward the wire bonding surface of the lead portion by punching. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する工程において、前記ダイパッドと前記バスバーとの相対向する部位に、夫々凸部を形成することを特徴とする請求項６または請求項７記載のリードフレームの製造方法。     8. The step of cutting the connecting portion to separate the die pad and the bus bar includes forming a convex portion at a portion where the die pad and the bus bar are opposed to each other. The manufacturing method of the lead frame as described. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する工程において、前記ダイパッドと前記バスバーとの相対向する部位に、夫々凹部を形成することを特徴とする請求項６または請求項７記載のリードフレームの製造方法。     8. The step of cutting off the connecting portion to separate the die pad and the bus bar includes forming a recess in each of the opposing portions of the die pad and the bus bar, respectively. Lead frame manufacturing method. 前記連結部を切除して前記ダイパッドと前記バスバーとを分離する工程において、前記ダイパッドの外縁および前記バスバーの外縁から少なくとも０．０５０mm以上離して前記連結部を切除することを特徴とする請求項８または請求項９記載のリードフレームの製造方法。     9. The step of cutting off the connecting portion to separate the die pad and the bus bar includes cutting the connecting portion at least 0.050 mm away from the outer edge of the die pad and the outer edge of the bus bar. A method for manufacturing a lead frame according to claim 9.
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