JP2014017963A5 - - Google Patents
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時刻t2において、TSC10がオフされる。制御装置50がゲートパルス信号Pg1,Pg2をオフした後、サイリスタスイッチ40を流れるコンデンサ電流ICが0になった時点で、サイリスタスイッチ40がオフされる。これにより、コンデンサ30は、三相交流母線5から電気的に切り離される。
同様に、端子x(サイリスタスイッチユニット70a)、端子y(サイリスタスイッチユニット70b)および端子z(サイリスタスイッチユニット70c)は、コンデンサ30a,30b,30cを経由して、三相交流母線5b,5c,5aと電気的に接続される。
さらに、c相およびa相間において、端子z−x間の端子間電圧Vzxは、相間絶縁支持碍子81および82の両端に印加される。端子w−u間にも同等の端子間電圧が印加される。以下では、端子z−x間および端子w−u間の距離を、包括的に相間距離Dcaと表記する。
このように、端子x−y間、端子y−z間および端子z−x間のうちのいずれか2つにおいて、最大値3・Vpの電圧差が生じる。いずれの端子間でこの電圧差が生じるかは、TSCがオフされる位相によって変化するため、a相およびb相の相間距離Dab、b相およびc相の相間距離Dbc、ならびに、c相およびa相の相間距離Dcaの各々について、3・Vpの電圧差に対して絶縁が確保できるように、サイリスタバルブを設計する必要がある。
これにより、各相間の絶縁を確保するために、端子x−y間(端子u−v間)、端子y−z間(端子v−w間)および端子z−x間(端子w−u間)の各々の絶縁距離を大きくとる必要が生じる。この結果、碍子を含めたサイリスタバルブの寸法が大きくなり、配置スペースの確保および、高コスト化が問題となる虞がある。
図8を参照して、実施の形態1に従う静止形無効電力補償装置100は、三相交流母線5a,5b,5cに対してデルタ接続された三相のTSC11a,11b,11cを含む。
この結果、上記一巡経路に沿った、サイリスタスイッチ40およびコンデンサ30の電気的な接続順序は、a相(TSC11a)およびc相(TSC11c)の間でのみ共通である。a相(TSC11a)およびb相(TSC11b)の間、ならびに、b相(TSC11b)およびc相(TSC11c)の間では、サイリスタスイッチ40およびコンデンサ30の電気的な接続順序は互いに逆である。
同様に、端子x、端子yおよび端子zについて、a相およびc相の端子xおよび端子zがコンデンサ30a,30cを経由して三相交流母線5b,5aと電気的に接続される一方で、b相の端子yは、リアクトル20bを経由して三相交流母線5cと電気的に接続される。
ここで、式(7)〜(9)から理解されるように、端子間電圧Vxy、Vyzのピーク値は、TSCオフ時におけるコンデンサ30a,30cの充電電圧の極性には左右されない。一方で、a相およびc相のコンデンサ30a,30cが逆の極性で充電される際に、端子間電圧Vzxのピーク値が最大となる。したがって、a相およびb相のコンデンサ30a,30bに正極性のピーク値(+Vp)が充電され、c相のコンデンサ30cには負極性のピーク値(−Vp)が充電される例を考えることとする。
Vxy(p)=2・Vp …(10)
Vyz(p)=2・Vp …(11)
Vzx(p)=3・Vp …(12)
図10および式(10)〜(12)から理解されるように、実施の形態1に従う静止形無効電力補償装置100において、隣接配置されるa相およびb相の間の端子間電圧のピーク値Vxy(p)、ならびに、b相およびc相の間の端子間電圧のピーク値Vyz(p)は、比較例の静止形無効電力補償装置100♯におけるピーク値(3・Vp)と比較して、2/3に抑制されている。この結果、絶縁距離についても、2/3に短縮することができるので、静止形無効電力補償装置100での相間距離DabおよびDbcについても、静止形無効電力補償装置100♯に対して、2/3に短縮できる。
Vyz(p)=2・Vp …(11)
Vzx(p)=3・Vp …(12)
図10および式(10)〜(12)から理解されるように、実施の形態1に従う静止形無効電力補償装置100において、隣接配置されるa相およびb相の間の端子間電圧のピーク値Vxy(p)、ならびに、b相およびc相の間の端子間電圧のピーク値Vyz(p)は、比較例の静止形無効電力補償装置100♯におけるピーク値(3・Vp)と比較して、2/3に抑制されている。この結果、絶縁距離についても、2/3に短縮することができるので、静止形無効電力補償装置100での相間距離DabおよびDbcについても、静止形無効電力補償装置100♯に対して、2/3に短縮できる。
なお、a相およびc相の間では、端子間電圧のピーク値Vzx(p)は、比較例と同等の3・Vpであるが、a相およびc相の相間距離Dcaは、相間距離DabおよびDcaの和となるので、図6の比較例における相間距離Dab,Dbcの4/3倍確保できる。図6における相間距離Dab,Dbcは3・Vpの電圧差に対する絶縁を確保するように設計されるので、図9における相間距離Dcaは、3・Vpのピーク値が印加されても、a相およびc相の間の絶縁を確保できることが理解できる。
このように、実施の形態1に従う静止形無効電力補償装置100においては、三相のTSCを構成するサイリスタスイッチユニット70a,70b,70cについて、相間での端子間距離Dab,Dbc,Dcaが不均等となるように実装配置されている下で、いずれか一相において、デルタ接続に沿った一巡経路におけるサイリスタスイッチ40およびコンデンサ30の電気的な接続順序が他の二相と逆となるようにTSCが構成される。
図11および図12に示した第1および第2の例を始めとして、サイリスタスイッチの相間距離が最も短くなる二相間でTSC中のサイリスタスイッチ40およびコンデンサ30の電気的な接続順序が逆となるように、サイリスタスイッチユニット70a,70b,70cが実装配置される限り、サイリスタバルブの構成は適宜変更することが可能である。このように、サイリスタスイッチユニット70a,70b,70cを配置することにより、サイリスタバルブの寸法を小さくすることによって、静止形無効電力補償装置を小型化かつ低コスト化することが可能となる。
Claims (3)
- 前記三相のサイリスタスイッチは、鉛直方向に積層され、
前記三相の直列回路は、物理的に隣接して配置される二相のサイリスタスイッチをそれぞれ含む二相の直列回路の間で、前記電気的な接続順序が互いに逆となるように配置される、請求項1または2記載の静止形無効電力補償装置。 - 前記三相のうちの二相のサイリスタスイッチは、鉛直方向に積層して配置され、
前記三相の直列回路は、積層された前記二相のサイリスタスイッチをそれぞれ含む二相の直列回路の間で、前記電気的な接続順序が互いに逆になるように配置される、請求項1または2記載の静止形無効電力補償装置。 - 前記三相のサイリスタスイッチは、水平方向に連続配置され、
前記三相の直列回路は、物理的に隣接して配置される二相のサイリスタスイッチをそれぞれ含む二相の直列回路の間で、前記電気的な接続順序が互いに逆になるように配置される、請求項1または2記載の静止形無効電力補償装置。
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