JP2014009155A - 窒化ガリウムの品質測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、窒化ガリウムの品質測定装置に係り、より詳しくは、大気圧、室温の一般条件で窒化ガリウムの品質を容易に測定することができる窒化ガリウムの品質測定装置に関する。
【解決手段】このために、本発明は、窒化ガリウム基板の上部の一方側に配置され、前記窒化ガリウム基板の表面に光を照射する光源部、及び前記窒化ガリウム基板の上部の他方側に配置され、前記窒化ガリウム基板から放射される光の発光スペクトルから前記窒化ガリウム基板の品質を測定する測定部を含むことを特徴とする窒化ガリウムの品質測定装置を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】このために、本発明は、窒化ガリウム基板の上部の一方側に配置され、前記窒化ガリウム基板の表面に光を照射する光源部、及び前記窒化ガリウム基板の上部の他方側に配置され、前記窒化ガリウム基板から放射される光の発光スペクトルから前記窒化ガリウム基板の品質を測定する測定部を含むことを特徴とする窒化ガリウムの品質測定装置を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化ガリウムの品質測定装置に係り、より詳しくは、大気圧、室温の一般条件で窒化ガリウムの品質を容易に測定することができる窒化ガリウムの品質測定装置に関する。
窒化ガリウムは、エネルギーバンドギャップが3.39eVの直接遷移型の半導体物質であって、短波長領域の発光素子の製作などに有用な物質である。ここで、窒化ガリウム単結晶は、融点における高い窒素蒸気圧のため、液相結晶成長のためには1500℃以上の高温と20,000気圧の窒素雰囲気が要され、その結果、大量生産が困難であり、且つ、現状使用可能な結晶の大きさもまた、約100mm2程度の薄板状であるため、液相結晶成長法にて窒化ガリウムを製造するには困難があった。
そのため、今までは異種基板上にMOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法またはHVPE(hydride vapor phase epitaxy)法などの気相成長法にて窒化ガリウム膜または基板を成長させていた。このとき、MOCVD法では高品質の膜が得られるものの、成長速度が遅すぎるため、数十または数百μmの窒化ガリウム基板を得るために用いるには不向きな方法である。このような理由から、窒化ガリウム厚膜を得るためには高速成長が可能なHVPEが主に用いられている。
一方、前記気相成長法にて成長させた窒化ガリウム基板は、品質の検査後に発光素子の製作に供される。従来は、このような窒化ガリウム基板に対する品質検査のために、例えば、SEM−CL(scanning electron microscope−cathode luminescence)装備を利用していた。しかし、当該装備は高価の真空装備であるため、維持管理に多くの費用が費やさせるという問題があり、また、測定のためには、窒化ガリウム基板を真空チャンバにローディング/アンローディングする過程が必要であり、このとき、真空チャンバの内部を約10torr以下に下げるためには、相当な時間がかかるという問題があった。さらには、真空チャンバの使用に伴い、測定可能な窒化ガリウム基板の大きさが必ず真空チャンバの大きさよりも小さくなければならないなど、多様な大きさに成長した窒化ガリウム基板の品質を測定するには多くの制約があった。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、大気圧、室温の一般条件で窒化ガリウムの品質を容易に測定することができる窒化ガリウムの品質測定装置を提供することである。
このために、本発明は、窒化ガリウム基板の上部の一方側に配置され、前記窒化ガリウム基板の表面に光を照射する光源部、及び前記窒化ガリウム基板の上部の他方側に配置され、前記窒化ガリウム基板から放射される光の発光スペクトルから前記窒化ガリウム基板の品質を測定する測定部を含むことを特徴とする窒化ガリウムの品質測定装置を提供する。
ここで、前記光はUVであってよい。
このとき、前記光は365nm以下の波長を持っていてよい。
また、前記光源部は、光源生成ユニットと、前記光源生成ユニットに接続され前記光源生成ユニットから生成された光を前記窒化ガリウム基板に供給する光源供給ユニット、及び前記窒化ガリウム基板と対向する前記光源供給ユニットの端部に設置され前記光を前記窒化ガリウム基板の表面に集中させるレンズユニットと、を含んでいてよい。
このとき、前記レンズユニットは、前記窒化ガリウム基板との距離が焦点距離(focal length)を基準に±30mm以内になるように配置されていてよい。
また、前記測定部は、前記窒化ガリウム基板を撮像する撮像ユニットと、前記撮像ユニットに接続され、前記撮像ユニットから送られるイメージを表示する表示ユニット、及び前記撮像ユニットと前記表示ユニットの作動を制御する制御ユニットと、を含んでいてよい。
このとき、前記撮像ユニットは、CCDカメラを含み、前記CCDカメラの前面には光学レンズが設置されていてよい。
また、窒化ガリウムの品質測定装置は、前記窒化ガリウム基板が載置されるステージをさらに含んでいてよい。
また、窒化ガリウムの品質測定装置は、複数の前記ステージを一方向に移動させるコンベヤーベルトをさらに含んでいてよい。
本発明によれば、大気圧、室温の一般条件で窒化ガリウム基板にUV光源を照射した後、窒化ガリウム基板から放射される発光スペクトルに対するコントラスト比を比較することで、窒化ガリウムの品質を容易に測定することができ、且つ、真空装置などが不要となるため、製品コストを削減することができる。
また、本発明によれば、コンベヤーベルトを利用することで、製品全数に対する連続検査工程を容易に構築することができ、且つ、測定可能基板の大きさに関する制限なしに多様な大きさの窒化ガリウム基板に対する品質を測定することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置について詳しく説明する。
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略することとする。
図1に示すように、本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置100は、MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法またはHVPE(hydride vapor phase epitaxy)法などの気相成長法にて成長された窒化ガリウム基板10の品質及び均一度(uniformity)を測定する装置である。ここで、窒化ガリウム基板10は、高品質の窒化ガリウム単一膜構造であっても、図3に示すように、高品質の窒化ガリウム膜(mirror layer)の上側または高品質の窒化ガリウム膜の上下側にピットが形成されている低品質の窒化ガリウム膜(pit layer)が積層された構造であってもよい。このとき、高品質の窒化ガリウム膜の下側に積層されている低品質の窒化ガリウム膜は、高品質の窒化ガリウム膜よりも窒素の含量比が相対的に高い膜であって、窒化ガリウム基板10を成長させる場合、ベース基板として用いられる、例えばサファイア基板との分離境界層としての役割をする膜であり、高品質の窒化ガリウム膜の上側に積層されている低品質の窒化ガリウム膜は、窒化ガリウム基板10の全体の厚みを増大するための支持層としての役割をする膜である。すなわち、本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置100は、窒化ガリウム基板10の構造に制限されることなく、多様な構造の窒化ガリウム基板10に対する品質を測定することができる。
このために、本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置100は、光源部110及び測定部120を含んでなる。
光源部110は、測定部120で窒化ガリウム基板10から放射される発光スペクトルに対するコントラスト比を比較して、窒化ガリウム基板10の品質及び均一度を測定できるようにすべく、窒化ガリウム基板10に光を照射する装置である。このために、光源部110は、窒化ガリウム基板10の上部の一方側に配置される。このとき、光源部110から窒化ガリウム基板10に照射される光はUVであってよく、図2に示すように、365nmの波長またはそれ以下の波長で相対的強度が最も強い光であることが好ましい。これは、窒化ガリウムのバンドギャップが3.4eVであり、これを光の波長で換算すると364.4nmになり、窒化ガリウムの価電子帯(valence band)の電子を伝導帯(conduction band)に励起させるためには、364.4nm波長帯で最も高い強度を持つ光源が必要であるためである。
このような光源部110は、光源生成ユニット111と、光源供給ユニット112、及びレンズユニット113と、を含んでいてよい。ここで、光源生成ユニット111は、電源の供給を受けて365nm波長帯の光を生成させる装置であり、例えば、ランプ形態からなるものであってよい。また、光源供給ユニット112は、光源生成ユニット111に接続され光源生成ユニット111から生成された光を窒化ガリウム基板10に供給あるいは受け渡す装置である。このような光源供給ユニット112は、例えば、光ファイバからなるものであってよい。そして、レンズユニット113は、窒化ガリウム基板10と対向する光源供給ユニット112の端部に設置される。このようなレンズユニット113は、光源供給ユニット112を通る光を窒化ガリウム基板10の表面に集中させ、光源部110の効率を高める役割をする。このために、レンズユニット113は、凸レンズ形態で備えられていてよい。そして、レンズユニット113は、光集中効果を極大化するために、窒化ガリウム基板10との距離が焦点距離(focal length)を基準に±30、mm以内となるように配置されていることが好ましい。
測定部120は、窒化ガリウム基板10から放射される光の発光スペクトルから窒化ガリウム基板10の品質及び均一度を測定する装置であって、窒化ガリウム基板10の上部の他方側、すなわち、光源部110の一方側に配置される。
発光部110から照射された365nm波長帯の光により伝導帯に励起された電子は、再び価電子帯に再結合(recombination)されながら、光子(photon)を生成するようになり、このとき、図3に示す積層構造からなる窒化ガリウム基板10の場合、特性が異なる各層のバンド構造の差により生成される光子にも差が生じるようになる。測定部120では、このような差を比較して、窒化ガリウム基板10の品質及び均一度を測定するようになる。このとき、窒化ガリウム基板10が単一層からなる場合は、全体領域を対象に均一な発光スペクトルが示されるかに関する確認を行うことで、窒化ガリウム基板10の品質及び均一度を測定するようになる。
このために、測定部120は、撮像ユニット121と、表示ユニット122、及び制御ユニット123と、を含んでなる。ここで、撮像ユニット121は、光源部110からの照射が行われた後、光の放射がなされる窒化ガリウム基板10を撮像する装置である。このような撮像ユニット121は、例えば、CCDカメラで形成されていてよい。このとき、CCDカメラの前面には光学レンズ121aが設置されていてよい。また、表示ユニット122は、撮像ユニット121に接続され、撮像ユニット121から送られるイメージを表示する装置であって、例えば、モニター形態で備えられていてよい。作業者は、この表示ユニット122を介して表示される窒化ガリウム基板10のイメージを目視した後、スペックイン(Spec.In)及びスペックアウト(Spec.Out)の有無を判別するようになる。そして、制御ユニット123は、撮像ユニット121と表示ユニット122の動作を制御する装置であって、例えば、コンピューター形態で備えられていてよい。すなわち、作業者は、この制御ユニット123を制御して窒化ガリウム基板10を撮像し、撮像されたイメージを表示ユニット122に表示して、リアルタイムで窒化ガリウム基板10の品質及び均一度を判別することができ、撮像された窒化ガリウム基板10のイメージを記憶しておき、他の窒化ガリウム基板10の品質測定時の比較データとして用いて、窒化ガリウム基板10に対する品質測定の信頼性を向上させることができる。
一方、本発明の実施例において、窒化ガリウム基板10は、ステージ130に載置されていてよい。従来は、真空チャンバに窒化ガリウム基板を装入する方式にて品質を測定していたため、測定可能な窒化ガリウム基板の大きさが真空チャンバの大きさによって制約を受けざるを得なかったが、本発明の実施例では、単にステージ130上に窒化ガリウム基板10を載置する方式にて品質測定を行なうため、測定可能な大きさに特に制限されることなく、多様な大きさの窒化ガリウム基板10に対する品質を測定することができる。さらには、本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置100は、ステージ130を一方向に移動させるコンベヤーベルト(図示せず)を備えていてよい。窒化ガリウム基板10がそれぞれ載置されている複数のステージ130をコンベヤーベルト(図示せず)に搭載した後、コンベヤーベルト(図示せず)を動作させると、コンベヤーベルト(図示せず)の移動によって先行のステージ130が、光源部110と測定部120が設置された測定区間に位置するようになる。このとき、測定区間で窒化ガリウム基板10に対する品質測定が行なわれる間はコンベヤーベルト(図示せず)を止め、品質測定が完了した後は、再びコンベヤーベルト(図示せず)を動作させると、次のステージ130が測定区間に位置する。このように、コンベヤーベルト(図示せず)は、製品全数に対する連続検査ができるようにし、結局、これにより、品質検査時間を大幅に縮めることができるようになる。
本発明の実施例に係る窒化ガリウム基板品質測定装置100は、大気圧、室温の一般条件で窒化ガリウム基板10の品質を測定するため、従来よりも容易に品質を測定することができ、且つ、真空装置などが不要となるため、製品コストを削減することができる。
一方、図3は、本発明の実施例に係る窒化ガリウムの品質測定装置にて窒化ガリウムの品質を測定したイメージであって、(a)はスペックイン(Spec.In)の場合のイメージであり、(b)はスペックアウト(Spec.Out)の場合のイメージである。このとき、(a)の上側イメージは高品質の窒化ガリウム膜(mirror layer)の上下側にピットが形成されている低品質の窒化ガリウム膜(pit layer)が積層された構造の窒化ガリウム基板であり、(a)の中間イメージは、高品質の窒化ガリウム膜の上側に低品質の窒化ガリウム膜が積層された構造の窒化ガリウム基板であり、(a)の下側イメージは、窒化ガリウム基板のN面の表面を撮像したイメージである。これらのイメージを見てみると、層間コントラスト比及び層間境界が明らかに示されていることを確認することができ、このことから、製造された窒化ガリウム基板がスペックイン状態であるものと判別することができる。これに対して、(b)のイメージを見てみると、表面、層間コントラスト比、及び境界が不明であることを確認することができ、このことから、製造された窒化ガリウム基板がスペックアウトの状態であるものと判別することができる。
一方、図4は、従来技術に係る窒化ガリウムの品質測定装置にて窒化ガリウムの品質を測定したイメージであって、図3と同じ構造を持つ窒化ガリウム基板を対象に顕微鏡にて撮像したイメージである。図4に示すように、一般の顕微鏡にて品質を測定した場合は、形成厚み程度しか確認できず、各層が正常に蒸着されているか否かの判別は困難である。
以上のように本発明を限定された実施例や図面に基づいて説明したが、本発明が前記実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。
よって、本発明の範囲は、説明した実施例に局限されて決められてはならず、特許請求の範囲だけでなく特許請求の範囲と均等なものなどによって決められるべきである。
100 窒化ガリウムの品質測定装置
110 光源部
111 光源生成ユニット
112 光源供給ユニット
113 レンズユニット
120 測定部
121 撮像ユニット
121a 光学レンズ
122 表示ユニット
123 制御ユニット
130 ステージ
10 窒化ガリウム基板
110 光源部
111 光源生成ユニット
112 光源供給ユニット
113 レンズユニット
120 測定部
121 撮像ユニット
121a 光学レンズ
122 表示ユニット
123 制御ユニット
130 ステージ
10 窒化ガリウム基板
Claims (9)
- 窒化ガリウム基板の上部の一方側に配置され、前記窒化ガリウム基板の表面に光を照射する光源部、及び
前記窒化ガリウム基板の上部の他方側に配置され、前記窒化ガリウム基板から放射される光の発光スペクトルから前記窒化ガリウム基板の品質を測定する測定部、
を含むことを特徴とする窒化ガリウムの品質測定装置。 - 前記光はUVであることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。
- 前記光は365nm以下の波長を持つことを特徴とする請求項2に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。
- 前記光源部は、
光源生成ユニットと、
前記光源生成ユニットに接続され前記光源生成ユニットから生成された光を前記窒化ガリウム基板に供給する光源供給ユニット、及び
前記窒化ガリウム基板と対向する前記光源供給ユニットの端部に設置され前記光を前記窒化ガリウム基板の表面に集中させるレンズユニットと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。 - 前記レンズユニットは、前記窒化ガリウム基板との距離が焦点距離(focal length)を基準に±30mm以内となるように配置されることを特徴とする請求項4に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。
- 前記測定部は、
前記窒化ガリウム基板を撮像する撮像ユニットと、
前記撮像ユニットに接続され、前記撮像ユニットから送られるイメージを表示する表示ユニット、及び
前記撮像ユニットと前記表示ユニットの動作を制御する制御ユニットと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。 - 前記撮像ユニットはCCDカメラを含み、
前記CCDカメラの前面には光学レンズが設置されていることを特徴とする請求項6に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。 - 前記窒化ガリウム基板が載置されるステージをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。
- 複数の前記ステージを一方向に移動させるコンベヤーベルトをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の窒化ガリウムの品質測定装置。
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