JP2013541165A - イオン銃の改良及びイオン銃に関連する改良 - Google Patents
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Abstract
Description
ガス膨脹ノズルであって、ノズルを通してのガス膨脹によりガス原子の存在下でガスクラスタを生成する、ガス膨脹ノズルと、
ガスクラスタ及びガス原子を電離させる電離チャンバと、
電離ガスクラスタ及び電離ガス原子を質量選択して、実質的に電離ガスクラスタを含むイオンビームと実質的に電離ガス原子を含むイオンビームとで変更可能なイオンビームを生成する可変質量セレクタと
を備える切り替え可能イオン銃が提供される。
ガス膨脹ノズルであって、ノズルを通してのガス膨脹によりガス原子の存在下でガスクラスタを生成する、ガス膨脹ノズルと、
ガスクラスタ及びガス原子を電離させる電離チャンバと、
電離ガスクラスタ及び電離ガス原子を質量選択して、選択された質量の電離ガスクラスタを含むイオンビーム及び/又は電離ガス原子を含むイオンビームを生成する可変質量セレクタであって、磁気可変質量セレクタ及び磁気質量セレクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置を備える、可変質量セレクタと、
を備える。
i)イオンビーム内のイオンの質量を選択する磁気可変質量セレクタ及び磁気質量セレクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置と、
ii)金属膨脹ノズルと、
iii)微細加工金属膨脹ノズルと、
iv)開口部が直径100μm以下である金属膨脹ノズルと
のうちの1つ又は複数を有する。
表面を照射する、実質的に電離ガスクラスタを含むイオンビームを生成する切り替え可能イオン銃のクラスタモードと、表面を照射する、実質的に電離ガス原子を含むイオンビームを生成する切り替え可能イオン銃の原子モードを切り替え可能な切り替え可能イオン銃を提供するステップと、
イオン銃を使用して、クラスタモード及び/又は原子モードで1つ又は複数の表面を照射するステップと、
を含み、
方法は、以下、すなわち、
i)イオンビーム内のイオンの質量を選択する磁気可変質量セレクタ及び磁気質量セレクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置と、
ii)金属膨脹ノズルと
iii)微細加工金属膨脹ノズルと、
iv)開口部が直径100μm以下である金属膨脹ノズルと、
v)ガスがアルゴンであることと、
vi)クラスタモードにおいて、イオンビーム内のクラスタは原子50個〜2000個の範囲にサイズ下限を有することと、
vii)クラスタモードにおいて、イオンビーム内のクラスタは、原子当たり1〜50eV、より好ましくは1〜10eVの範囲内のエネルギーを有することと、
viii)イオンのソースエネルギーは5keV以下であることと
のうちの1つ又は複数を有する。
i)イオンビーム内のイオンの質量を選択する磁気可変質量セレクタ及び磁気質量セレクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置と、
ii)イオンビーム内のイオンの質量を選択する磁気セクタを備える磁気可変質量セレクタ及び磁気セクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動飛行管と、
iii)電離ガスクラスタを形成する金属ガス膨脹ノズルと、
iv)電離ガスクラスタを形成する微細加工金属膨脹ノズルと、
v)電離ガスクラスタを形成する金属膨脹ノズルであって、開口部が直径100μm以下である、金属膨脹ノズルと、
vi)5keV以下のソースエネルギーを用いてイオンを形成する電離チャンバと
のうちの1つ又は複数を有する。
イオン銃を使用して、電離クラスタで1つ又は複数の表面を照射すること、
を含み、方法は、以下:
i)磁気可変質量セレクタ及び磁気可変質量セレクタ内にある間にイオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置を使用して、イオンビーム内のイオンの質量を選択すること、
ii)金属膨脹ノズルを通してイオンを形成すること、
iii)微細加工金属膨脹ノズルを通してイオンを形成すること、
iv)開口部が直径100μm以下である膨脹ノズルを通してイオンを形成すること、
v)5keV以下のソースエネルギーを用いてイオンを形成すること、
のうちの1つ又は複数を含む。
ガス流入口圧・・・・・・・3.5バール
ソースエネルギー電圧・・・4000V
抽出レンズ電圧・・・・・・3600V
集光レンズ電圧・・・・・・3500V
浮動飛行管電圧・・・・・・2000V
対物レンズ電圧・・・・・・2300V
電離エネルギー電圧・・・・−120V
セクタ内の磁場・・・・・・0.13テスラ
ガス流入口圧・・・・・・・0.6バール
ソースエネルギー電圧・・・4000V
抽出レンズ電圧・・・・・・3000V
集光レンズ電圧・・・・・・3700V
浮動飛行管電圧・・・・・・0V
対物レンズ電圧・・・・・・2300V
電離エネルギー電圧・・・・−70V
セクタ内の磁場・・・・・・0.01テスラ
有効性を示すために、本発明によるイオン銃を使用して、図5Aに示されるように、表面上の「外来の炭素」汚染層と共に、試料のC−F2フッ化炭素結合を示すXPSスペクトルを有する「受け取ったまま」のPTFEポリマー試料のエッチングからデータを取得した。この表面汚染を従来のアルゴンイオンビーム(200eV)を除去しようとする試みにより、図5Bに示されるように、試料に化学的破損が生じた。しかし、クラスタモードで本発明によるイオン銃を用いて表面をエッチングした場合(ソースエネルギー4keV、最小クラスタサイズ=原子200個、原子当たりの最大エネルギー=20eV)、クラスタビームを用いたエッチングにより、図5Cに示されるように、完全で破損のないスペクトルが生じた。
図6を参照して、最初、酸化シリコンの薄い膜を有するシリコンウェーハに対するXPSの結果を示す。図6Aは、エッチング前、すなわち、エッチング時間=0秒且つエッチングレベル=0でのウェーハからのSi 2p XPSスキャンを示す。エッチングレベルは、エッチングの深度に関連する任意の単位であり、較正された試料を使用することによりエッチングレートが決まると、真の「深度」に変換することができる。エッチングされていないウェーハのスキャンでは、純粋な非酸化シリコン(大きなピーク)及び酸化シリコン(小さなピーク)に別個のピークを見ることができる。次に、イオン銃をアルゴン原子イオンモードに設定し、4keVのソースエネルギーで単一のアルゴン原子を電離したアルゴンイオンでウェーハの表面を照射し、酸化シリコン表面膜を通して深度方向分析した。図6Bに示されるように、エッチングレベル178において、深度方向分析完了後のウェーハのXPSスペクトルは、非酸化シリコンのみを示す。図6CのXPS深度方向プロファイルは、外来の炭素及び表面酸化の漸次的な除去を示す。単なるクラスタイオンビームを用いての、シリコン及び酸化シリコンのように比較的硬い材料を通しての深度方向分析は、実際に非常に遅い。
図7を参照して、実施例1と同じ設定でクラスタモードのイオン銃を使用した、別の非常に繊細な試料であるPTFE上のフッ素重合体膜に対する深度方向分析のXPSの結果を示す。PTFEがイオンビーム衝撃により容易に破損することは周知である。図7Aに示されるように、エッチング中、及び深度方向分析中、試料の化学的組成の詳細を示すよく分解されたフッ素重合体スペクトルが観察される。膜を通してのエッチング後、PTFEのC−F2結合炭素のみを示し、破損C−F又はC−C結合に対応するいかなるピークもない非破損PTFE基板の図7Bに示されるスペクトルが観測される。図7Cに示される深度方向分析は、非破損フッ素重合体膜を通しての非破損PTFE膜への遷移を示す。
Claims (26)
- 1つ又は複数の表面を処理する方法であって、
表面を照射する、実質的に電離ガスクラスタを含むイオンビームを生成するクラスタモード設定と、表面を照射する、実質的に電離ガス原子を含むイオンビームを生成する原子モード設定との間で切り替え可能な切り替え可能イオン銃を提供するステップと、
前記クラスタモードにおいて、可変質量セレクタを使用して電離ガスクラスタを質量選択することにより、前記イオン銃を選択的に動作させて、それにより、実質的に電離ガスクラスタで表面を照射するか、又は前記原子モードにおいて、前記可変質量セレクタを使用して電離ガス原子を質量選択することにより、前記イオン銃を選択的に動作させて、それにより、実質的に電離ガス原子で表面を照射するステップと
を含む、方法。 - 前記イオン銃を他方のモードに切り替え、その後、前記他方のモードで前記イオン銃を動作させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記クラスタモードにおいて、電離ガスクラスタビームは、50eV以下の原子当たりのエネルギーを有し、前記原子モードにおいて、電離ガス原子ビームは少なくとも500eVの原子当たりのエネルギーを有する、請求項1又は2に記載の方法。
- クラスタモードにおいて、前記イオンビーム内の前記クラスタは、1〜10eVの範囲内の原子当たりのエネルギーを有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- クラスタモードにおいて、前記イオンビーム内の前記クラスタの下限サイズは原子50〜400個の範囲内にある、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電離ガスクラスタ及び電離ガス原子は、5keV以下のソースエネルギーで形成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガスはアルゴンである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 1つ又は複数の表面解析方法により前記1つ又は複数の表面を解析するステップを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記処理する方法は、前記1つ又は複数の表面を深度方向でエッチングすることを含み、前記1つ又は複数の表面解析方法は、X線光電子分光法(XPS)を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記電離ガスクラスタ及び電離ガス原子は、ソースエネルギーで前記イオン銃内で形成され、前記イオン銃をクラスタモード又は原子モードで選択的に動作させるステップは、磁場を使用して前記電離ガスクラスタ及び電離ガス原子を質量選択すること、及び電離ガスクラスタ及び電離ガス原子が前記磁場にある間、ソースエネルギーと比較して前記電離ガスクラスタ及び電離ガス原子のエネルギーを変更することを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- ガス膨脹ノズルであって、前記ノズルを通してのガス膨脹によりガス原子の存在下でガスクラスタを生成するためのガス膨脹ノズルと、
前記ガスクラスタ及び前記ガス原子を電離させる電離チャンバと、
前記電離ガスクラスタ及び前記電離ガス原子を質量選択して、実質的に電離ガスクラスタを含むイオンビームと実質的に電離ガス原子を含むイオンビームとの間で変更可能なイオンビームを生成する可変質量セレクタと、
を備える、切り替え可能イオン銃。 - 前記ガス膨脹ノズルは微細加工金属膨脹ノズルを含む、請求項11に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記ガス膨脹ノズルは、直径100μm以下の開口部を備える、請求項11又は12に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記可変質量セレクタは、磁気可変質量セレクタと、前記磁気可変質量セレクタ内の前記イオンのエネルギーを調整する電気浮動イオン光学装置とを備える、請求項11〜13のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記電気浮動イオン光学装置は、電気浮動飛行管を備える、請求項14に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記電気浮動イオン光学装置は、少なくとも部分的に前記磁気可変質量セレクタ内に配置される、請求項14又は15に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記クラスタモードにおいて、電圧が前記浮動イオン光学装置に印加されて、イオンが前記磁気セクタを通過する際に前記イオンを遅らせ、且つ/又は原子モードにおいて、電圧が前記浮動イオン光学装置に印加されて、前記イオンが前記磁気セクタを通過する際に前記イオンを加速させる、請求項14〜16のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記可変質量セレクタは磁気可変質量セレクタを含み、前記磁気可変質量セレクタは、使用中、0.2テスラ未満の磁場強度を生成する、請求項14〜17のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記イオンは、6keV以下のソースエネルギーで前記電離チャンバ内で形成される、請求項11〜18のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記イオンの前記ソースエネルギーは、前記可変質量セレクタにより前記イオンのサイズの選択から独立して選択することができる、請求項11〜19のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記イオンは、抽出器電極により前記電離チャンバから抽出され、集光レンズにより集束してから、前記可変質量セレクタに入る、請求項11〜20のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記可変質量セレクタはハイパス質量セレクタとして動作可能である、請求項11〜21のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記可変質量セレクタは、前記磁気セクタにより選択された前記イオンの質量範囲を変更するプログラマブル電磁石を有する磁気セクタを備える、請求項11〜22のいずれか一項に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記磁気セクタは、前記質量選択されたイオンに湾曲路を辿らせる、請求項23に記載の切り替え可能イオン銃。
- 前記湾曲路は、前記磁気セクタの入口と出口との間で1〜5度の湾曲を有する、請求項24に記載の切り替え可能イオン銃。
- 選択可能なクラスタモード設定及び原子モード設定を有して、表面にイオンビームを照射する切り替え可能イオン銃の使用であって、前記クラスタモードでの使用は、可変質量セレクタを使用して、実質的に、電離ガスクラスタを質量選択することにより電離ガスクラスタを含むイオンビームを生成し、前記原子モードでの使用は、前記可変質量セレクタを使用して、実質的に、電離ガス原子を質量選択することにより電離ガス原子を含むイオンビームを生成する、切り替え可能イオン銃の使用。
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