JP2013537003A - 高輝度・高演色性の温白色ledチップ - Google Patents
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Abstract
Description
現在、青色光LEDチップに蛍光粉末を入れることは白色光LED技術の主流となっている。蛍光粉末の変換による白色光LED技術は、この蛍光粉末の発光スペクトルにおける赤色光成分の欠けのため、低色温度と高演色性とを同時に実現しにくい。しかしながら、日常生活で、人々は既に低色温度(3000K左右)の照明光源に慣れ、且つ博物館、外科手術等の特殊な照明場所で高演色性光源の潜在的な応用可能性を有する。このため、低色温度と高演色性を有する白色光LEDの発展は重要な意味を持つ。
1、LEDランプの光効率を効果的に向上でき、演色指数が90より大きい場合に、このLEDチップの光効率が100lm/w以上に達することができ、従来の技術のLEDチップからの光効率と比べて、少なくとも25%向上させることができる。
2、本発明の構造設計が精巧であり、0.1W以上の中、大出力のLEDの製造に利用でき、製品の信頼性、一致性を向上させると共に、機器設備を用いて大量生産することによって生産効率を大幅に向上させることができ、製品のコストを低減させることができる。
3、蛍光ゲルの使用量を効果的に制御することによって、製品の光効率を増大できるだけでなく、製品のコストを効果的に低減することができる。
4、本発明は独特な設計を採用することによって、単一のチップで温白色の光の効果を実現でき、他の蛍光粉末の使用によるコスト増加や信?性の低下等の問題を避けることができる。
1、LEDランプの光効率を効果的に向上でき、演色指数が90より大きい場合に、このLEDチップの光効率が100lm/w以上に達することができ、従来の技術のLEDチップからの光効率と比べて、少なくとも25%向上させることができる。
2、本発明の構造設計が精巧であり、0.1W以上の中、大出力のLEDの製造に利用でき、製品の信頼性、一致性を向上でき、それとともに、機器設備を用いて大量生産することによって生産効率を大幅に向上でき、製品のコストを低減させることができる。
3、蛍光ゲルの使用量を効果的に制御することによって、製品の光効率を増大できるだけでなく、製品のコストを効果的に低減させることができる。
4、本発明は独特な設計を採用することによって、単一のチップで温白色の光の効果を実現することができ、他の蛍光粉末の使用によるコスト増加や信?性の低下等の問題を避けることができる。
1、LEDランプの光効率を効果的に向上でき、演色指数が90より大きい場合に、このLEDチップの光効率が100lm/w以上に達することができ、従来の技術のLEDチップからの光効率と比べて、少なくとも25%向上させることができる。
2、本発明の構造設計が精巧であり、0.1W以上の中、大出力のLEDの製造に利用でき、製品の信頼性、一致性を向上させると共に、機器設備を用いて大量生産することによって生産効率を大幅に向上させることができ、製品のコストを低減させることができる。
3、蛍光ゲルの使用量を効果的に制御することによって、製品の光効率を増大できるだけでなく、製品のコストを効果的に低減することができる。
4、本発明は独特な設計を採用することによって、単一のチップで温白色の光の効果を実現でき、他の蛍光粉末の使用によるコスト増加や信頼性の低下等の問題を避けることができる。
1、LEDランプの光効率を効果的に向上でき、演色指数が90より大きい場合に、このLEDチップの光効率が100lm/w以上に達することができ、従来の技術のLEDチップからの光効率と比べて、少なくとも25%向上させることができる。
2、本発明の構造設計が精巧であり、0.1W以上の中、大出力のLEDの製造に利用でき、製品の信頼性、一致性を向上でき、それとともに、機器設備を用いて大量生産することによって生産効率を大幅に向上でき、製品のコストを低減させることができる。
3、蛍光ゲルの使用量を効果的に制御することによって、製品の光効率を増大できるだけでなく、製品のコストを効果的に低減させることができる。
4、本発明は独特な設計を採用することによって、単一のチップで温白色の光の効果を実現することができ、他の蛍光粉末の使用によるコスト増加や信頼性の低下等の問題を避けることができる。
Claims (5)
- 高輝度・高演色性の温白色LEDチップであって、
前記温白色LEDチップは白色光を発光する白色光部分と、波長580nm〜660nmの色光を発光する色光部分と、N極と、P極とを備え、前記N極とP極とが電気的に接続され、前記温白色LEDチップは色温度が2400K〜3500Kであり、且つ演色指数が85より大きい温白色の光を直接に発光することを特徴とする高輝度・高演色性の温白色LEDチップ。 - 前記白色光は、チップが励起されて青色光を発生し、更に青色光によって蛍光粉末が励起されて形成され、若しくは、チップが直接に励起されて白色光を発光することを特徴とする請求項1に記載の高輝度・高演色性の温白色LEDチップ。
- 前記蛍光粉末は、チップの表面にスパッタリングされたり、吸着されたり、若しくは、直接に成長されていることを特徴とする請求項2に記載の高輝度・高演色性の温白色LEDチップ。
- 前記白色光の色温度は3000K〜10000Kであることを特徴とする請求項1に記載の高輝度・高演色性の温白色LEDチップ。
- 前記波長580nm〜660nmの色光は赤色光、黄色光またはオレンジ色光であることを特徴とする請求項1に記載の高輝度・高演色性の温白色LEDチップ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2010/076664 WO2012031385A1 (zh) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | 一种高亮度高显色性暖白光led芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013537003A true JP2013537003A (ja) | 2013-09-26 |
Family
ID=45810056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013527434A Pending JP2013537003A (ja) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | 高輝度・高演色性の温白色ledチップ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130168724A1 (ja) |
JP (1) | JP2013537003A (ja) |
CN (1) | CN103229292A (ja) |
DE (1) | DE112010005855T5 (ja) |
WO (1) | WO2012031385A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103560182A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-05 | 韦胜国 | 一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
- 2010-09-07 WO PCT/CN2010/076664 patent/WO2012031385A1/zh active Application Filing
- 2010-09-07 US US13/821,450 patent/US20130168724A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-07 CN CN2010800689796A patent/CN103229292A/zh active Pending
- 2010-09-07 DE DE112010005855T patent/DE112010005855T5/de not_active Withdrawn
- 2010-09-07 JP JP2013527434A patent/JP2013537003A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Also Published As
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US20130168724A1 (en) | 2013-07-04 |
DE112010005855T5 (de) | 2013-08-14 |
WO2012031385A1 (zh) | 2012-03-15 |
CN103229292A (zh) | 2013-07-31 |
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