CN108050476B - 智能庭院led灯 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种智能庭院LED灯。该庭院LED灯包括：灯柱60、驱动电路65、散热基座64、灯杯62、灯罩61和LED灯源63；其中，所述驱动电路65位于所述灯柱60内部；所述散热基座64位于所述灯柱60上；所述灯杯62位于所述散热基座64上；所述灯罩61位于所述灯杯62上。本发明提供的智能庭院LED灯可以根据环境信息营造良好的灯光氛围，且成本低廉，有较好的实用价值。

Description

智能庭院LED灯
技术领域
本发明涉及照明领域，特别涉及一种智能庭院LED灯。
背景技术
庭院灯是一种为住宅小区，公园，校园，花园，别墅，动物园，植物园等提供照明亮化的灯具产品。同时具有景观效果和照明效果的特点。特别适合园林绿化工程项目、景观亮化、校区照明、公园建设。LED(Lighting Emitting Diode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光。LED为一种新型的固态光源，其具有体积小、发光效率高、能耗低、寿命长、无汞污染、全固态、响应迅速、工作电压低、安全可靠等诸多方面的优点。
传统庭院LED灯具一般采用单一色调的灯光，不符合人们的审美观念，且传统庭院LED灯具没有根据环境的变化等因素调整LED灯的发光亮度，造成了能源的浪费。
发明内容
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种智能庭院LED灯。
具体地，本发明一个实施例提出的一种智能庭院LED灯，包括：灯柱60、驱动电路65、散热基座64、灯杯62、灯罩61和LED灯源63；其中，
所述驱动电路65位于所述灯柱60内部；
所述散热基座64位于所述灯柱60上；
所述灯杯62位于所述散热基座64上；
所述灯罩61位于所述灯杯62上。
在本发明的一个实施例中，还包括处理器66、通信模块67、RTC68以及传感器69，其中，所述处理器66、所述通信模块67、所述RTC68以及所述传感器69均位于所述灯柱60内部，所述处理器66分别与所述驱动电路65、所述通信模块67、所述RTC68以及所述传感器69电连接。
在本发明的一个实施例中，所述灯柱60的材料为PCB阻燃材料。
在本发明的一个实施例中，所述灯杯62的材料为透明玻璃，所述灯罩61为钢化玻璃。
在本发明的一个实施例中，所述散热基座64的材料为金属，其中，所述散热基座64上设置多个散热通风孔。
在本发明的一个实施例中，所述传感器69包括温度传感器、湿度传感器以及光传感器。
在本发明的一个实施例中，所述LED灯源(63)为包括白光、绿光、红光以及蓝光的四色LED芯片。
在本发明的一个实施例中，所述RGBW四色LED芯片包括：依次横向设置的第一蓝光外延层10A、黄光外延层20、绿光外延层30、红光外延层40以及第二蓝光外延层10B；其中，
所述第一蓝光外延层10A发出的蓝光和所述黄光外延层20发出的黄光混合形成所述四色LED芯片的白光，所述绿光外延层30形成所述四色LED芯片的绿光，所述红光外延层40形成所述四色LED芯片的红光，所述第二蓝光外延层10B形成所述四色LED芯片的蓝光。
在本发明的一个实施例中，所述RGBW四色LED芯片还包括多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层10A、所述黄光外延层20、所述绿光外延层30、所述红光外延层40以及所述第二蓝光外延层10B上。
在本发明的一个实施例中，所述RGBW四色LED芯片还包括负电极，其中，所述负电极为所述RGBW四色LED芯片的共用负电极。
本发明具有如下有益效果：
1)本发明提供的智能庭院LED灯通过单一光源芯片可以产生RGBW四色光源，结构简单，实现方便；
2)本发明提供的智能庭院LED灯可以根据环境信息营造良好的灯光氛围，且成本低廉，有较好的实用价值；
3)本发明提供的智能庭院LED灯通过处理器、RTC模块、传感器、驱动电路与灯源的配合，可以根据用户需求对灯源的亮度和颜色进行处理，从而为用户提供更多的方便贴心服务。
通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。
图1为本发明实施例提供的一种智能庭院LED灯；
图2为本发明实施例提供的一种蓝光外延层的生长示意图；
图3为本发明实施例提供的一种第一多量子阱层的生长示意图；
图4为本发明实施例提供的一种黄光灯芯槽的制备示意图；
图5为本发明实施例提供的一种黄光外延层的生长示意图；
图6为本发明实施例提供的一种第二多量子阱层的生长示意图；
图7为本发明实施例提供的一种绿光灯芯槽的制备示意图；
图8为本发明实施例提供的一种绿光外延层的生长示意图；
图9为本发明实施例提供的一种第三多量子阱层的生长示意图；
图10为本发明实施例提供的一种红光灯芯槽的制备示意图；
图11为本发明实施例提供的一种红光外延层的生长示意图；
图12为本发明实施例提供的一种第四多量子阱层的生长示意图；
图13为本发明实施例提供的一种蓝光隔离示意图；
图14为本发明实施例提供的一种电极制作俯视示意图；
图15为本发明实施例提供的一种电极制作剖面示意图；
图16为本发明实施例提供的一种LED灯源结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例一
请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种智能庭院LED灯。该LED灯包括：灯柱60、驱动电路65、处理器66、通信模块67、RTC(实时时钟)68、传感器69、散热基座64、灯杯62、灯罩61和LED灯源63；所述驱动电路65位于所述灯柱60内部；所述处理器66、所述通信模块67、所述RTC68以及所述传感器69均位于所述灯柱60内部，所述处理器66分别与所述驱动电路65、所述通信模块67、所述RTC68以及所述传感器69电连接；所述散热基座64位于所述灯柱60上；所述灯杯62位于所述散热基座64上；所述灯罩61位于所述灯杯62上。所述灯柱60的材料为PCB阻燃材料。所述灯杯62的材料为透明玻璃，所述灯罩61为钢化玻璃。所述散热基座64的材料为金属，所述散热基座64上设置多个散热通风孔。所述传感器69包括温度传感器、湿度传感器以及光传感器。
所述LED灯源63为包括白光、绿光、红光以及蓝光的四色LED芯片。所述RGBW四色LED芯片包括：依次横向设置的第一蓝光外延层10A、黄光外延层20、绿光外延层30、红光外延层40以及第二蓝光外延层10B；所述第一蓝光外延层10A发出的蓝光和所述黄光外延层20发出的黄光混合形成所述四色LED芯片的白光，所述绿光外延层30形成所述四色LED芯片的绿光，所述红光外延层40形成所述四色LED芯片的红光，所述第二蓝光外延层10B形成所述四色LED芯片的蓝光。所述RGBW四色LED芯片还包括多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层10A、所述黄光外延层20、所述绿光外延层30、所述红光外延层40以及所述第二蓝光外延层10B上。所述RGBW四色LED芯片还包括负电极，其中，所述负电极为所述RGBW四色LED芯片的共用负电极。
使用时，RTC68提供本地时间信息，通过通信模块67可以接入互联网从互联网上获得各地的标准时间，可以用于校准本地RTC68。温度感应器提供环境温度信息，光传感器提供环境的亮暗信息。处理器66根据本地或网络获取的时间信息、环境温度、亮暗信息进行运算，将亮度、颜色的设定值输入至驱动电路，驱动电路控制LED灯源63发出不同颜色不同亮度的光。人们在温度较高的环境中一般喜欢亮度低一些的冷色系灯光，在温度较低的环境中一般喜欢亮度高一些暖色系灯光，通过时间信息结合环境温度以及环境亮度可以控制LED灯源63的亮度以及色温，还可以通过不同颜色的光来区分时间，例如用绿光表示早晨，蓝光表示中午，红光表示傍晚，白光表示深夜，具体颜色映射关系可以根据需求定制或者预设。
本实施例通过处理器、RTC模块、传感器、驱动电路与灯源的配合，可以对灯源的亮度和颜色进行控制，提供更加美观更加节能更加环保的智能庭院LED灯。
实施例二
请参见图2～图15，图2为本发明实施例提供的一种蓝光外延层的生长示意图；图3为本发明实施例提供的一种第一多量子阱层的生长示意图；图4为本发明实施例提供的一种黄光灯芯槽的制备示意图；图5为本发明实施例提供的一种黄光外延层的生长示意图；图6为本发明实施例提供的一种第二多量子阱层的生长示意图；图7为本发明实施例提供的一种绿光灯芯槽的制备示意图；图8为本发明实施例提供的一种绿光外延层的生长示意图；图9为本发明实施例提供的一种第三多量子阱层的生长示意图；图10为本发明实施例提供的一种红光灯芯槽的制备示意图；图11为本发明实施例提供的一种红光外延层的生长示意图；图12为本发明实施例提供的一种第四多量子阱层的生长示意图；图13为本发明实施例提供的一种蓝光隔离示意图；图14为本发明实施例提供的一种电极制作俯视示意图；图15为本发明实施例提供的一种电极制作剖面示意图。
在上述实施例的基础上，本实施例将较为详细地对本发明提出的LED灯源制备方法进行介绍。该方法包括：
S10、蓝光外延层的生长，如图2和图3所示
S101、选取蓝宝石衬底11，其中蓝宝石的晶面为(0001)，在蓝宝石衬底11上生长第一GaN缓冲层101，第一GaN缓冲层101的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400-600℃；
优选地，第一GaN缓冲层101的厚度为4000纳米；
优选地，第一GaN缓冲层101的生长温度为500℃。
S102、将温度升高至900-1050℃，在第一GaN缓冲层101上生长第一GaN稳定层102，第一GaN稳定层102的厚度为500～1500纳米；
优选地，第一GaN稳定层102的厚度为1000纳米；
优选地，第一GaN稳定层102的生长温度为1000℃。
S103、保持S102中的温度不变，在第一GaN稳定层102上生长第一n型GaN层103，第一n型GaN层103的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第一n型GaN层103的生长温度为1000℃；
优选地，第一n型GaN层103的厚度为400纳米；
优选地，第一n型GaN层103的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S104、在第一n型GaN层103上生长第一多量子阱层104，第一多量子阱层104为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第一InGaN量子阱层104b和第一GaN势垒层104a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第一InGaN量子阱层104b的生长温度为650～750℃，厚度为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为10～20％，In的含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第一GaN势垒层104a的生长温度为750～850℃，厚度为5～10纳米；
优选地，第一InGaN量子阱层104b的生长温度为750℃；
优选地，第一InGaN量子阱层104b的厚度为2.8纳米；
优选地，第一GaN势垒层104a的生长温度为850℃；
优选地，第一GaN势垒层104a的厚度为5纳米；
优选地，第一InGaN量子阱层104b和第一GaN势垒层104a的层叠周期为20。
S105、将温度升高至850～950℃，在第一多量子阱层104上生长p型第一AlGaN阻挡层105，第一AlGaN阻挡层105的厚度为10～40纳米；
优选地，第一AlGaN阻挡层105的生长温度为900℃；
优选地，第一AlGaN阻挡层105的生长温度为20纳米。
S106、在第一AlGaN阻挡层105上生长第一p型GaN层106，作为接触用，第一p型GaN层106的厚度为100～300纳米的；
优选地，第一p型GaN层106的生长温度为900℃；
优选地，第一p型GaN层106的厚度为200纳米。
S11、在芯片中制作黄光灯芯槽，如图4所示；
S111、利用PECVD工艺在第一p型GaN 106表面淀积一层第一氧化层(即SiO2层)，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S112、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S113、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到第一GaN缓冲层101，形成黄光灯芯槽；
S114、去掉芯片表面的SiO2层；
S115、在整个芯片上表面淀积一层第二氧化层(即SiO2层)，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S116、利用干法刻蚀工艺刻蚀芯片表面SiO2层，在黄光灯芯槽四周形成第一隔离层12。
S12、黄光外延层的生长，如图5和图6所示；
S121、在黄光灯芯槽中生长第二GaN缓冲层201，第二GaN缓冲层201的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400～600℃；
优选地，第二GaN缓冲层301的厚度为4000纳米；
优选地，第二GaN缓冲层301的温度为500℃。
S122、将温度升高至900-1050℃，在第二GaN缓冲层201上生长第二GaN稳定层202，第二GaN稳定层202的厚度为500～1500纳米；
优选地，第二GaN稳定层202的厚度为1000纳米；
优选地，第二GaN稳定层202的生长温度为1000℃。
S123、保持S122中的温度不变，在第二GaN稳定层202上生长第二n型GaN层203，第二n型GaN层203的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第二n型GaN层203的生长温度为1000℃；
优选地，第二n型GaN层203的厚度为400纳米；
优选地，第二n型GaN层203的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S124、在第二n型GaN层203上生长第二多量子阱层204，第二多量子阱层204为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第二InGaN量子阱层204b和第二GaN势垒层204a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第二InGaN量子阱层204b的生长温度为650～750℃，厚度均为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为30～40％，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第二GaN势垒204a的生长温度为750～850℃，厚度均为5～10纳米；
优选地，第二InGaN量子阱层204b的生长温度为750℃；
优选地，第二InGaN量子阱层204b的厚度为2.8纳米；
优选地，第二GaN势垒层204a的生长温度为850℃；
优选地，第二GaN势垒层204a的厚度为5纳米；
优选地，第二InGaN量子阱层204b和第二GaN势垒层204a的层叠周期为20。
S125、将温度升高至850～950℃，在第二多量子阱层204上生长p型第二AlGaN阻挡层205，第二AlGaN阻挡层205的厚度为10～40纳米；
优选地，第二AlGaN阻挡层205的生长温度为900℃；
优选地，第二AlGaN阻挡层205的生长温度为20纳米。
S126、在第二AlGaN阻挡层205上生长第二p型GaN层206，作为接触用，第二p型GaN层206的厚度为100～300纳米的；
优选地，第二p型GaN层206的生长温度为850℃；
优选地，第二p型GaN层206的厚度为200纳米。
S13、在芯片中制作绿光灯芯槽，如图7所示；
S131、利用PECVD工艺在芯片表面淀积一层第一氧化层(即SiO2层)，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S132、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S133、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到第一GaN缓冲层101，形成绿光灯芯槽；
S134、去掉芯片表面的SiO2层；
S135、在整个芯片上表面重新淀积一层第二氧化层(即SiO2层)，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S136、利用干法刻蚀工艺刻蚀芯片表面SiO2层，在绿光灯芯槽四周形成第二隔离层22。
S14、绿光外延层的生长，如图8和图9所示；
S141、在绿光灯芯槽中生长第三GaN缓冲层301，第三GaN缓冲层301的厚度为3000～5000纳米，生长温度为400～600℃；
优选地，第三GaN缓冲层301的厚度为4000纳米；
优选地，第三GaN缓冲层301的温度为500℃。
S142、将温度升高至900-1050℃，在第三GaN缓冲层301上生长第三GaN稳定层302，第三GaN稳定层302的厚度为500～1500纳米；
优选地，第三GaN稳定层302的厚度为1000纳米；
优选地，第三GaN稳定层302的生长温度为1000℃。
S143、保持S142中的温度不变，在第三GaN稳定层302上生长第三n型GaN层303，第三n型GaN层303的厚度为200～1000纳米，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，第三n型GaN层303的生长温度为1000℃；
优选地，第三n型GaN层303的厚度为400纳米；
优选地，第三n型GaN层303的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S144、在第三n型GaN层303上生长第三多量子阱层304，第三多量子阱层304为InGaN/GaN多量子阱结构。具体地，InGaN/GaN多量子阱结构为第三InGaN量子阱层304b和第三GaN势垒层304a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。第三InGaN量子阱层304b的生长温度为650～750℃，厚度为1.5～3.5纳米，其中In的含量约为20～30％，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。第三GaN势垒304a的生长温度为750～850℃，厚度均为5～10纳米；
优选地，第三InGaN量子阱层304b的生长温度为750℃；
优选地，第三InGaN量子阱层304b的厚度为2.8纳米；
优选地，第三GaN势垒层304a的生长温度为850℃；
优选地，第三GaN势垒层304a的厚度为5纳米；
优选地，第三InGaN量子阱层304b和第三GaN势垒层304a的层叠周期为20。
S145、将温度升高至850～950℃，在第三多量子阱层304上生长p型第三AlGaN阻挡层305，第三AlGaN阻挡层305的厚度为10～40纳米；
优选地，第三AlGaN阻挡层305的生长温度为900℃；
优选地，第三AlGaN阻挡层305的生长温度为20纳米。
S146、在第三AlGaN阻挡层305上生长第三p型GaN层306，作为接触用，第三p型GaN层306的厚度为100～300纳米的；
优选地，第三p型GaN层306的生长温度为850℃；
优选地，第三p型GaN层306的厚度为200纳米。
S15、在芯片中制作红光灯芯槽，如图10所示，
S151、利用PECVD工艺在芯片表面淀积一层第一氧化层(即SiO2层)，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S152、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形窗口，矩形窗口的长和宽分别大于50微米，小于300微米，优选地，矩形窗口的长和宽为100微米；
S153、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形窗口下的材料，一直刻蚀到第一GaN缓冲层101，形成红光灯芯槽；
S154、去掉芯片表面的SiO2层；
S155、在整个芯片上表面重新淀积一层第二氧化层(即SiO2层)，厚度为20～100纳米，优选地SiO2层的厚度为50纳米；
S156、利用干法刻蚀工艺刻蚀芯片表面SiO2层，在红光灯芯槽四周形成第三隔离层32。
S16、红光外延层的生长，如图11和图12所示；
S161、在红光灯芯槽中生长第四GaN缓冲层401，第四GaN缓冲层401的厚度为2000～3000纳米；
优选地，第四GaN缓冲层401的厚度为2500纳米。
S162、在第四GaN缓冲层401上生长n型GaAs缓冲层402，n型GaAs缓冲层402的厚度为1000～2000纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1018cm-3；
优选地，n型GaAs缓冲层402的厚度为1500纳米；
优选地，n型GaAs缓冲层402的掺杂浓度为5x1017。
S163、在n型GaAs缓冲层402上生长n型GaAs稳定层403，n型GaAs稳定层403的厚度为500～1000纳米，掺杂浓度为1x1018～5x1019cm-3；
优选地，n型GaAs稳定层403的厚度为400纳米；
优选地，n型GaAs稳定层403的掺杂浓度为1x1019cm-3。
S164、在n型GaAs稳定层403上生长第四多量子阱层404，第四多量子阱层404为GalnP/A1GaInP多量子阱结构。具体地，GalnP/A1GaInP多量子阱结构为A1GaInP量子阱层404b和GalnP势垒层404a依次周期层叠形成，层叠周期为8～30。A1GaInP量子阱层404b的厚度均为5～10纳米，其中Al的含量约为10～40％，Al含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。GalnP势垒404a的厚度均为5～10纳米；
优选地，A1GaInP量子阱层404b的厚度为7纳米；
优选地，GalnP势垒层404a的厚度为7纳米；
优选地，A1GaInP量子阱层404b和GalnP势垒层404a的层叠周期为20。
S165、将温度升高至850～950℃，在第四多量子阱层404上生长p型A1GaInP阻挡层405，p型A1GaInP阻挡层405的厚度为50～100纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1019cm-3，p型A1GaInP阻挡层405中Al的含量约为>30％；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的Al的含量为40％；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的厚度为100纳米；
优选地，p型A1GaInP阻挡层405的掺杂浓度为1x1018cm-3。
S166、在p型A1GaInP阻挡层405上生长p型GaAs层406，作为接触层，p型GaAs层406的厚度为100～500纳米，掺杂浓度为1x1017～1x1019cm-3；
优选地，p型GaAs层406的掺杂浓度为1x1018cm-3；
优选地，p型GaAs层406的厚度为150纳米。
S17、合成蓝光隔离，如图13所示；
S171、利用PECVD工艺在芯片表面淀积一层第三氧化层(即SiO2层)，厚度为300～800纳米，优选地SiO2层的厚度为500纳米；
S172、利用湿法刻蚀工艺在SiO2层上刻蚀一个矩形边框窗口，矩形窗口的长和宽分别大于5～30微米；
S173、利用干法刻蚀工艺刻蚀SiO2矩形边框窗口下的材料，一直刻蚀到第一GaN缓冲层101，形成蓝光隔离槽；
S174、在矩形边框窗口内填充第四氧化层(即SiO2)；
S175、化学机械抛光，去掉芯片表面的SiO2层，形成第四隔离层42，在芯片两侧的蓝光外延层分别形成第一蓝光外延层和第二蓝光外延层。
S18、电极制作与划片，如图14和图15所示；
S181、利用PECVD工艺在整个芯片上表面淀积SiO2层，SiO2层的厚度为300～800纳米；
优选地，SiO2层的厚度为500纳米。
S182、在SiO2层刻蚀出整个芯片的负电极窗口，利用干法刻蚀工艺刻蚀负电极窗口下的材料，即依次刻蚀第一p型GaN层106、第一AlGaN阻挡层105、第一多量子阱层104和第一n型GaN层103，直至刻蚀到第一GaN稳定层102；
S183、去掉芯片表面的SiO2层，在整个芯片上表面淀积SiO2层，厚度为300～800纳米，刻蚀SiO2层，分别在第一GaN稳定层102表面形成第一接触电极窗口，在芯片两侧的第一p型GaN层106表面分别形成第二接触电极窗口和第六接触电极窗口，在第二p型GaN层206表面形成第三接触电极窗口，在第三p型GaN层306表面形成第四接触电极窗口，在p型GaAs层406表面形成第五接触电极窗口。
S184、在接触电极窗口蒸镀金属Cr/Pt/Au，其中，Cr厚度为20～40纳米，Pt厚度为20～40纳米，Au厚度为800～1500纳米；
优选地，Cr厚度为30纳米；
优选地，Pt厚度为30纳米；
优选地，Au厚度为1200纳米。
S185、在300～500℃温度下进行退火形成金属化合物，并去掉金属Cr/Pt/Au；
优选地，退火温度为350℃。
S186、在金属化合物表面淀积金属，光刻金属，在第一接触电极窗口上形成整个芯片的负电极51，在第二接触电极窗口上形成第一蓝光外延层的正电极52、在第三接触电极窗口上形成黄光外延层的正电极53，在第四接触电极窗口上形成绿光外延层的正电极54，在第五接触电极窗口上形成红光外延层的正电极55，在第六接触电极窗口上形成第二蓝光外延层的正电极56；
S187、利用PECVD工艺，在整个芯片表面淀积钝化层107，钝化层107为SiO2钝化层；
S188、图形光刻，露出电极焊盘所在的区域，以便后续在芯片封装过程中引金线；
S189、从蓝宝石衬底11背面开始将蓝宝石衬底11减薄至150微米以下；
S190、在蓝宝石衬底11背面镀金属反射层，反射层的金属可以为Al、Ni、Ti等。
本实施例将四种色彩的材料制备在同一LED灯源中，单LED灯源芯片即可产生多种颜色的光，因此极大地减小荧光粉的涂覆；
本实施例将四种色彩的材料制备在同一LED灯源中，芯片集成度高，降低LED的生产成本；
本实施例通过分别制备四种色彩材料的电极控制四种色彩材料的LED发光，可以更加灵活地调节LED的发光颜色；
本实施例利用一侧的黄光和蓝光灯芯合成白光形成RGBW四色LED灯源，本实施例中的5个电极分别单独接电，可以分别调节一侧黄光和蓝光灯芯上的电压，可以调节合成的白光的色温，实现合理配光，增加色彩丰富度。
实施例三
请参见图16，图16为本发明实施例提供的一种LED灯源结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上对LED灯源结构进行详细描述。该结构包括：蓝宝石衬底11；第一蓝光外延层10A和第二蓝光外延层10B，分别设置于所述蓝宝石衬底11上，其中，所述第一蓝光外延层10A和所述第二蓝光外延层10B的底部相连形成凹槽；黄光外延层20、绿光外延层30、红光外延层40，依次横向设置于所述凹槽内；多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层10A、所述黄光外延层20、所述绿光外延层30、所述红光外延层40以及所述第二蓝光外延层10B上；负电极，其中，所述负电极为整个芯片的共用负电极。所述负电极和所述正电极均包括金属化合物层以及金属层。钝化层107，设置于所述第一蓝光外延层10A、所述黄光外延层20、所述绿光外延层30、所述红光外延层40、所述第二蓝光外延层10B以及所述多个正电极上，所述钝化层107的材料为SiO2。第一隔离层12、第二隔离层22、第三隔离层32以及第四隔离层42；其中，所述第一隔离层12设置于所述黄光外延层20的四周，所述第二隔离层22设置于所述绿光外延层30的四周，所述第三隔离层32设置于所述红光外延层40的四周，所述第四隔离层42设置于所述第二蓝光外延层10B的四周。所述第一隔离层12、所述第二隔离层22、所述第三隔离层32以及所述第四隔离层42的材料均为SiO2。
第一蓝光外延层10A和第二蓝光外延层10B的材料相同，包括：第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一多量子阱层104、第一AlGaN阻挡层105以及第一p型GaN106；其中，所述第一多量子阱层104为第一GaN势垒层104a和第一InGaN量子阱层101b依次周期性层叠分布。
所述黄光外延层20包括：第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二多量子阱层204、第二AlGaN阻挡层205以及第二p型GaN层206；其中，所述第二多量子阱层204为第二GaN势垒层204a和第二nGaN量子阱层204b依次周期性层叠分布。
所述绿光外延层30包括：第三GaN缓冲层301、第三GaN稳定层302、第三n型GaN层303、第三多量子阱层304、第三AlGaN阻挡层305以及第三p型GaN层306；其中，所述第三多量子阱层304为第三GaN势垒层304a和第三nGaN量子阱层304b依次周期性层叠分布。
所述红光外延层40包括：第四GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、第四多量子阱层404、p型A1GaInP阻挡层405以及p型GaAs层406；其中，所述第四多量子阱层404为GalnP势垒层404a和A1GaInP量子阱层404b依次周期性层叠分布。
综上所述，本文中应用了具体个例对本发明基于智能庭院LED灯的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。

Claims (8)

1.一种智能庭院LED灯，其特征在于，包括：灯柱(60)、驱动电路(65)、散热基座(64)、灯杯(62)、灯罩(61)和LED灯源(63)；其中，
所述驱动电路(65)位于所述灯柱(60)内部；
所述散热基座(64)位于所述灯柱(60)上；
所述灯杯(62)位于所述散热基座(64)上；
所述灯罩(61)位于所述灯杯(62)上；
其中，所述LED灯源(63)为包括白光、绿光、红光以及蓝光的四色LED芯片；所述四色LED芯片包括：依次横向设置的第一蓝光外延层(10A)、黄光外延层(20)、绿光外延层(30)、红光外延层(40)以及第二蓝光外延层(10B)，相邻外延层之间设置有SiO2隔离层；其中，
所述第一蓝光外延层(10A)和所述第二蓝光外延层(10B)的材料相同，自下而上包括：第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一多量子阱层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN(106)；其中，所述第一多量子阱层(104)为第一GaN势垒层(104 a)和第一InGaN量子阱层(101b)依次周期性层叠分布；
所述黄光外延层(20)，自下而上包括：第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二多量子阱层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二多量子阱层(204)为第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)依次周期性层叠分布；
所述绿光外延层(30)，自下而上包括：第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三多量子阱层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)；其中，所述第三多量子阱层(304)为第三GaN势垒层(304a)和第三nGaN量子阱层(304b)依次周期性层叠分布；
所述红光外延层(40)，自下而上包括：第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四多量子阱层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)；其中，所述第四多量子阱层(404)为GalnP势垒层(404a)和A1GaInP量子阱层(404b)依次周期性层叠分布；
所述第一蓝光外延层(10A)发出的蓝光和所述黄光外延层(20)发出的黄光混合形成所述四色LED芯片的白光，所述绿光外延层(30)形成所述四色LED芯片的绿光，所述红光外延层(40)形成所述四色LED芯片的红光，所述第二蓝光外延层(10B)形成所述四色LED芯片的蓝光。
2.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，还包括处理器(66)、通信模块(67)、RTC(68)以及传感器(69)，其中，所述处理器(66)、所述通信模块(67)、所述RTC(68)以及所述传感器(69)均位于所述灯柱(60)内部，所述处理器(66)分别与所述驱动电路(65)、所述通信模块(67)、所述RTC(68)以及所述传感器(69)电连接。
3.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述灯柱(60)的材料为PCB阻燃材料。
4.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述灯杯(62)的材料为透明玻璃，所述灯罩(61)为钢化玻璃。
5.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述散热基座(64)的材料为金属，其中，所述散热基座(64)上设置多个散热通风孔。
6.如权利要求2所述的庭院LED灯，其特征在于，所述传感器(69)包括温度传感器、湿度传感器以及光传感器。
7.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述四色LED芯片还包括多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层(10A)、所述黄光外延层(20)、所述绿光外延层(30)、所述红光外延层(40)以及所述第二蓝光外延层(10B)上。
8.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述四色LED芯片还包括负电极，其中，所述负电极为所述四色LED芯片的共用负电极。
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