JP2013532588A - Real-time monitoring of retaining ring thickness and life - Google Patents

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Abstract

研磨モジュールのキャリアヘッドに配置された保持リングの表面の状態をモニタするための方法および装置が説明される。1つの実施形態では、装置が提供される。この装置は、基板がキャリアヘッドに保持されているとき基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有するキャリアヘッドにおよびそれから基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、キャリアヘッドの移動経路に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含む。  A method and apparatus for monitoring the condition of the surface of the retaining ring located on the carrier head of the polishing module is described. In one embodiment, an apparatus is provided. The apparatus includes a travel path between at least one polishing station for polishing the substrate when the substrate is held by the carrier head and a transfer station for transferring the substrate to and from the carrier head having a retaining ring. And a sensor disposed in the path of movement of the carrier head and operable to provide a metric indicative of the state of the retaining ring.

Description

本発明の実施形態は、半導体基板などの基板を研磨するための研磨システムに関する。より詳細には、本発明の実施形態は、研磨システムの構成要素をモニタするための方法および装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a polishing system for polishing a substrate such as a semiconductor substrate. More particularly, embodiments of the present invention relate to methods and apparatus for monitoring components of a polishing system.

化学機械研磨(CMP)は、高密度集積回路の製造において、基板に堆積された材料の層を平坦化または研磨するために一般に使用される1つのプロセスである。基板は、研磨システムの研磨ステーションに用意され、基板を可動研磨パッドに制御可能に押しつけるキャリアヘッドに保持されうる。基板のフィーチャ側と研磨パッドとの間を接触させ、研磨流体が存在している間研磨パッドに対して基板を移動させることによって、CMPは効果的に使用される。材料は、研磨表面に接触している基板のフィーチャ側から化学的および機械的作用の組合せにより除去される。   Chemical mechanical polishing (CMP) is one process commonly used to planarize or polish a layer of material deposited on a substrate in the manufacture of high density integrated circuits. The substrate can be held on a carrier head that is provided in a polishing station of a polishing system and controllably presses the substrate against a movable polishing pad. CMP is effectively used by contacting the feature side of the substrate and the polishing pad and moving the substrate relative to the polishing pad while the polishing fluid is present. Material is removed by a combination of chemical and mechanical action from the feature side of the substrate in contact with the polishing surface.

基板を囲み、キャリアヘッドに基板を保持しやすくすることができる保持リングをキャリアヘッドは一般に含む。保持リングの1つまたは複数の表面は、一般に、研磨の間研磨パッドに接触する。保持リングは多数の基板の研磨に耐えるように適合されるが、研磨パッドに接触している表面は摩耗を受け、保持リングの定期的な交換が必要である。したがって、摩耗をモニタし、交換時間間隔を決定するために、保持リングの検査が必要である。   The carrier head generally includes a retaining ring that surrounds the substrate and can facilitate holding the substrate on the carrier head. One or more surfaces of the retaining ring generally contact the polishing pad during polishing. Although the retaining ring is adapted to withstand the polishing of multiple substrates, the surface in contact with the polishing pad is subject to wear and requires periodic replacement of the retaining ring. Therefore, inspection of the retaining ring is necessary to monitor wear and determine replacement time intervals.

従来の検査方法は多くの時間を要し、ステーションの構成要素を物理的に取り扱う要員を必要とし、研磨システムの運転停止を必要とする。さらに、従来の方法は、研磨ステーションの部分的な分解とステーションからのキャリアヘッドの取り出しとを必要とすることがあり、それにより、システム内の他の構成要素が汚染にさらされることがある。   Conventional inspection methods are time consuming, require personnel to physically handle the components of the station, and require the polishing system to be shut down. Furthermore, conventional methods may require partial disassembly of the polishing station and removal of the carrier head from the station, thereby exposing other components in the system to contamination.

したがって、物理的な保持リングの取扱いまたは研磨システムの運転停止を必要とすることなしに保持リングをモニタしやすくする方法および装置が必要である。   Therefore, there is a need for a method and apparatus that facilitates monitoring of the retaining ring without requiring physical retaining ring handling or polishing system shutdown.

本発明は、概して、保持リングの状態を決定し、かつ/または保持リングの寿命を評価するために研磨システム内の保持リングをモニタしやすくする方法および装置を提供する。1つの実施形態では、装置が提供される。この装置は、基板がキャリアヘッドに保持されているとき基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有するキャリアヘッドにおよびそれから基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、キャリアヘッドの移動経路に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含む。   The present invention generally provides a method and apparatus that facilitates monitoring of a retaining ring in a polishing system to determine the condition of the retaining ring and / or to evaluate the life of the retaining ring. In one embodiment, an apparatus is provided. The apparatus includes a travel path between at least one polishing station for polishing the substrate when the substrate is held by the carrier head and a transfer station for transferring the substrate to and from the carrier head having a retaining ring. And a sensor disposed in the path of movement of the carrier head and operable to provide a metric indicative of the state of the retaining ring.

別の実施形態では、基板移送デバイスと少なくとも1つのキャリアヘッドとの間で基板を移送するために研磨モジュールに配置された移送ステーションが提供される。移送ステーションは、基板、および少なくとも1つのキャリアヘッドに結合される保持リングの少なくとも一部を受け取るように大きさを合わされる本体を有するロードカップアセンブリと、本体に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含み、基板は第1の半径を含み、センサは第1の半径よりも大きい第2の半径で本体に位置づけられる。   In another embodiment, a transfer station disposed in the polishing module is provided for transferring a substrate between the substrate transfer device and the at least one carrier head. The transfer station is disposed on the body and indicates a state of the retaining ring, and a load cup assembly having a body sized to receive the substrate and at least a portion of the retaining ring coupled to the at least one carrier head. A sensor operable to provide a metric, the substrate includes a first radius, and the sensor is positioned on the body with a second radius greater than the first radius.

別の実施形態では、キャリアヘッドに結合された保持リングの少なくとも1つの表面をモニタする方法が提供される。この方法は、研磨モジュールに配置されたセンサデバイスの近傍にキャリアヘッドを移動させるステップと、センサデバイスからのエネルギーを保持リングの方に送出するステップと、保持リングから反射されたエネルギーを受け取るステップと、受け取ったエネルギーに基づいて保持リングの状態を決定するステップとを含む。   In another embodiment, a method for monitoring at least one surface of a retaining ring coupled to a carrier head is provided. The method includes moving the carrier head proximate to a sensor device disposed in the polishing module, delivering energy from the sensor device toward the retaining ring, and receiving energy reflected from the retaining ring. Determining the state of the retaining ring based on the received energy.

別の実施形態では、キャリアヘッドに結合された保持リングの少なくとも1つの表面をモニタする方法が提供される。この方法は、研磨モジュールに配置されたロードカップアセンブリの近傍にキャリアヘッドを移動させるステップであり、センサデバイスがロードカップアセンブリの本体に配置される、ステップと、保持リングがセンサデバイスの視線内にあるとき、センサデバイスからのエネルギーを保持リングの表面の方に送出するステップと、表面から反射されたエネルギーを受け取るステップと、受け取ったエネルギーに基づいて保持リングの厚さを決定するステップとを含む。   In another embodiment, a method for monitoring at least one surface of a retaining ring coupled to a carrier head is provided. The method includes moving the carrier head proximate to a load cup assembly disposed in the polishing module, wherein the sensor device is disposed in the body of the load cup assembly, and the retaining ring is in line of sight of the sensor device. At some point, the method includes delivering energy from the sensor device toward the surface of the retaining ring, receiving energy reflected from the surface, and determining a thickness of the retaining ring based on the received energy. .

別の実施形態では、キャリアヘッドに結合された保持リングの少なくとも1つの表面をモニタする方法が提供される。この方法は、研磨モジュールに配置されたロードカップアセンブリの近傍にキャリアヘッドを移動させるステップであり、センサデバイスがロードカップアセンブリの本体に配置される、ステップと、保持リングをすすぐステップと、保持リングがセンサデバイスの視線内にあるとき、センサデバイスからのエネルギーを保持リングの表面の方に送出するステップと、表面から反射されたエネルギーを受け取るステップと、受け取ったエネルギーに基づいて保持リングの厚さを決定するステップとを含む。   In another embodiment, a method for monitoring at least one surface of a retaining ring coupled to a carrier head is provided. The method includes moving a carrier head proximate to a load cup assembly disposed in the polishing module, wherein the sensor device is disposed in a body of the load cup assembly, rinsing the retaining ring, retaining ring Is in the line of sight of the sensor device, delivering energy from the sensor device towards the surface of the retaining ring, receiving energy reflected from the surface, and thickness of the retaining ring based on the received energy Determining.

別の実施形態では、装置が提供される。この装置は、基板がキャリアヘッドに保持されているとき基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有するキャリアヘッドにおよびそれから基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、キャリアヘッドの移動経路に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含む。   In another embodiment, an apparatus is provided. The apparatus includes a travel path between at least one polishing station for polishing the substrate when the substrate is held by the carrier head and a transfer station for transferring the substrate to and from the carrier head having a retaining ring. And a sensor disposed in the path of movement of the carrier head and operable to provide a metric indicative of the state of the retaining ring.

別の実施形態では、基板移送デバイスと少なくとも1つのキャリアヘッドとの間で基板を移送するために研磨モジュールに配置された移送ステーションが提供される。移送ステーションは、基板、および少なくとも1つのキャリアヘッドに結合される保持リングの少なくとも一部を受け取るように大きさを合わされる本体を有するロードカップアセンブリと、本体に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含み、基板は第1の半径を含み、センサは第1の半径よりも大きい第2の半径で本体に位置づけられる。   In another embodiment, a transfer station disposed in the polishing module is provided for transferring a substrate between the substrate transfer device and the at least one carrier head. The transfer station is disposed on the body and indicates a state of the retaining ring, and a load cup assembly having a body sized to receive the substrate and at least a portion of the retaining ring coupled to the at least one carrier head. A sensor operable to provide a metric, the substrate includes a first radius, and the sensor is positioned on the body with a second radius greater than the first radius.

本発明の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上述で簡単に要約された本発明のより詳細な説明が実施形態を参照して行われ、その実施形態のうちのいくつかが添付図面に示される。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではなく、本発明は他の同等に有効な実施形態を許容することができることに留意されたい。   In order that the foregoing features of the invention may be more fully understood, a more detailed description of the invention, briefly summarized above, may be had by reference to embodiments, some of which may be It is shown in the accompanying drawings. However, the attached drawings show only typical embodiments of the present invention, and thus should not be considered as limiting the scope of the present invention, and the present invention allows other equally effective embodiments. Note that you can.

研磨システムの1つの実施形態の平面図である。1 is a plan view of one embodiment of a polishing system. 図1の研磨システムで利用することができる移送ステーションの1つの実施形態の部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of one embodiment of a transfer station that can be utilized in the polishing system of FIG. 1. 図1の研磨システムで利用することができる移送ステーションの別の実施形態の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station that can be utilized in the polishing system of FIG. 1. 図1の研磨システムで利用することができる移送ステーションの別の実施形態の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station that can be utilized in the polishing system of FIG. 1. Aは保持リングの1つの実施形態の部分平面図であり、Bは図1の研磨システムで利用することができる移送ステーションの別の実施形態の概略断面図である。A is a partial plan view of one embodiment of a retaining ring and B is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station that can be utilized in the polishing system of FIG. 図1の研磨システムで利用することができる移送ステーションの別の実施形態の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station that can be utilized in the polishing system of FIG. 1. 方法の1つの実施形態を示す流れ図である。2 is a flow diagram illustrating one embodiment of a method.

理解しやすくするために、可能な場合、図に共通な同一の要素を示すのに同一の参照番号が使用される。1つの実施形態で開示されている要素は、特別な記述なしに他の実施形態で有利に利用できることが企図されている。   For ease of understanding, identical reference numerals are used where possible to designate identical elements that are common to the figures. It is contemplated that elements disclosed in one embodiment may be advantageously utilized in other embodiments without special description.

本発明は、概して、保持リングの摩耗を決定し、かつ/または保持リングの寿命を評価するための研磨システム内の保持リングのモニタリングを容易にする方法および装置を提供する。保持リングの物理的な取扱いまたは研磨システムの運転停止を必要とすることなしに、保持リングをモニタするオンツールモニタデバイスが説明される。さらに、モニタデバイスからのデータはコントローラに供給され、後続の研磨プロセスを調整するのに利用されうる。   The present invention generally provides a method and apparatus that facilitates monitoring of a retaining ring in a polishing system to determine retaining ring wear and / or to assess retaining ring life. An on-tool monitoring device is described that monitors the retaining ring without requiring physical handling of the retaining ring or shutting down of the polishing system. In addition, data from the monitoring device can be provided to the controller and used to coordinate subsequent polishing processes.

図1は、研磨モジュール105および基板移送デバイスを有し、電気化学機械研磨および/または化学機械研磨に好適である研磨システム100の平面図である。研磨モジュール105は、環境制御された筐体115に配置された第1の研磨ステーション110A、第2の研磨ステーション110B、および第3の研磨ステーション110Cを含む。カルーセル125などの基板移送デバイスは、研磨ステーション110A、110B、および110Cの間で基板を移動させる。研磨ステーション110A、110B、110Cのいずれも平坦化または研磨プロセスを行い、基板のフィーチャ側から材料を除去してフィーチャ側に平面表面を形成することができる。モジュール105は、カリフォルニア州、サンタクララにあるApplied Materials, Inc.から入手できるREFLEXION(登録商標)、REFLEXION(登録商標) LK、REFLEXION(登録商標) LK ECMP(商標)、MIRRA MESA(登録商標)、およびREFLEXION GT(商標)研磨システムなどのより大きい研磨システムの一部とすることができるが、他の研磨システムを利用することができる。他のタイプの研磨パッド、ベルト、割り出し可能なウエブタイプのパッド、またはそれらの組合せを使用するものと、研磨表面に対して基板を回転、直線、または他の平面の動きで移動させるものとを含む他の研磨モジュールは、やはり、本明細書で説明される実施形態から利益を得るように適合することができる。   FIG. 1 is a plan view of a polishing system 100 having a polishing module 105 and a substrate transfer device and suitable for electrochemical mechanical polishing and / or chemical mechanical polishing. The polishing module 105 includes a first polishing station 110A, a second polishing station 110B, and a third polishing station 110C disposed in an environmentally controlled housing 115. A substrate transfer device, such as carousel 125, moves the substrate between polishing stations 110A, 110B, and 110C. Any of the polishing stations 110A, 110B, 110C can perform a planarization or polishing process to remove material from the feature side of the substrate to form a planar surface on the feature side. Module 105 is available from Applied Materials, Inc., located in Santa Clara, California. One of the larger polishing systems such as REFLEXION®, REFLEXION® LK, REFLEXION® LK ECMP ™, MIRRA MESA®, and REFLEXION GT ™ polishing system available from Other polishing systems can be used. Use other types of polishing pads, belts, indexable web-type pads, or combinations thereof, and those that move the substrate relative to the polishing surface in a rotating, linear, or other plane motion Other polishing modules including may still be adapted to benefit from the embodiments described herein.

1つの実施形態では、研磨モジュール105の110A〜110Cの研磨ステーションの各々は従来の化学機械研磨(CMP)プロセスを行うように構成される。代替として、第1の研磨ステーション110Aは電気化学機械平坦化(ECMP)プロセスを行うように適合することができ、一方、第2の研磨ステーション110Bおよび第3の研磨ステーション110CはCMPプロセスを行うことができる。プロセスの1つの実施形態では、基板内に形成され、バリア層で覆われたフィーチャ輪郭と、バリア層の上に配置された導電性材料とを有する基板は、第1と第2の研磨ステーション110A、110Bの2段階でCMPプロセスによって除去される導電性材料を、基板上に平坦化された表面を形成するために第3のステーション110Cで第3のCMPプロセスによって処理されるバリア層とともに有することができる。   In one embodiment, each of the polishing stations of 110A-110C of the polishing module 105 is configured to perform a conventional chemical mechanical polishing (CMP) process. Alternatively, the first polishing station 110A can be adapted to perform an electrochemical mechanical planarization (ECMP) process, while the second polishing station 110B and the third polishing station 110C perform a CMP process. Can do. In one embodiment of the process, a substrate having a feature profile formed in the substrate and covered with a barrier layer and a conductive material disposed on the barrier layer is provided by the first and second polishing stations 110A. , 110B, having conductive material removed by the CMP process in two stages, along with a barrier layer processed by the third CMP process at the third station 110C to form a planarized surface on the substrate. Can do.

1つの実施形態では、システム100は、研磨ステーション110A、110B、および110Cと、移送ステーション120と、カルーセル125とを支持するモジュール基部118を含む。研磨ステーション110A、110B、および110Cの各々は、研磨プロセスの間研磨表面175に研磨流体を供給するように適合された研磨流体デリバリアーム128を含む。複数の調整デバイス130がモジュール基部118に結合されて示されており、研磨ステーション110A、110B、および110Cの各々に対して調整デバイス130を選択的に配置するために方向Aに移動可能である。移送ステーション120は、一般に、湿式ロボット140を介して基板135をシステム100におよびそれから移送しやすくする。湿式ロボット140は、一般に、移送ステーション120とファクトリインターフェース(図示せず)との間で基板135を移送し、ファクトリインターフェースは洗浄モジュール、計測デバイス、および1つまたは複数の基板ストレージカセットを含むことができる。移送ステーション120は、第1のバッファステーション145、第2のバッファステーション150、移送ロボット155、およびロードカップアセンブリ160を備える。移送ロボット155は、第1のバッファステーション145と、第2のバッファステーション150と、ロードカップアセンブリ160との間で基板を移送する。ロードカップアセンブリ160は、コントローラに結合されているモニタデバイス162を含む。   In one embodiment, system 100 includes a module base 118 that supports polishing stations 110A, 110B, and 110C, a transfer station 120, and a carousel 125. Each of the polishing stations 110A, 110B, and 110C includes a polishing fluid delivery arm 128 that is adapted to supply polishing fluid to the polishing surface 175 during the polishing process. A plurality of adjustment devices 130 are shown coupled to the module base 118 and are movable in direction A to selectively position the adjustment devices 130 for each of the polishing stations 110A, 110B, and 110C. Transfer station 120 generally facilitates transfer of substrate 135 to and from system 100 via wet robot 140. The wet robot 140 generally transfers substrates 135 between the transfer station 120 and a factory interface (not shown), which may include a cleaning module, a metrology device, and one or more substrate storage cassettes. it can. The transfer station 120 includes a first buffer station 145, a second buffer station 150, a transfer robot 155, and a load cup assembly 160. The transfer robot 155 transfers the substrate between the first buffer station 145, the second buffer station 150, and the load cup assembly 160. Load cup assembly 160 includes a monitoring device 162 coupled to the controller.

カルーセル125は複数のアーム170を含み、各アーム170はキャリアヘッド165A〜165Dを支持する。キャリアヘッド165Cおよび165Dならびに2つのアーム170の一部は、移送ステーション120および研磨ステーション110Cの研磨表面175を見ることができるように仮想線で示されている。研磨表面175は、回転可能なプラテン(この図には図示せず)に配置されたパッドアセンブリの上部表面を備える。キャリアヘッド165A〜165Dの各々はアクチュエータ168を含む。カルーセル125は、移送ステーション120と研磨ステーション110A、110B、および110Cとの間でキャリアヘッド165A〜165Dを移動させ、アクチュエータ168は、カルーセル125に対してキャリアヘッド165A〜165Dを移動させるように適合される。カルーセル125は、キャリアヘッド165A〜165Dが、ユーザによって定義されたシーケンスで研磨ステーション110A、110B、110Cと移送ステーション120との間で移動されうるように割り出し可能である。キャリアヘッド165A〜165Dの各々は、研磨プロセスの間1つの基板135を研磨ステーション110A〜110Cに保持する。研磨ステーション当たり1つを超えるキャリアヘッドを含むREFLEXION GT(商標)研磨システムなどの他の研磨モジュールは、やはり、本明細書で説明される実施形態から利益を得るように適合することができる。キャリアヘッド165A〜165Dの各々は各アーム170の長手軸に移動可能である。研磨済み基板135は、移送ステーション120で各キャリアヘッド165A〜165Dから移送することができる。さらに、未研磨基板135は移送ステーション120で各キャリアヘッド165A〜165Dに移送することができる。キャリアヘッド165Dに関連して示されているように、キャリアヘッド165Dは、破線で示された移動経路164でアーム170の長手軸に沿って移動可能であり、それにより、キャリアヘッド165Dはロードカップアセンブリ160にアクセスし、基板の移送を容易にすることができる。   The carousel 125 includes a plurality of arms 170, and each arm 170 supports carrier heads 165A to 165D. Carrier heads 165C and 165D and portions of the two arms 170 are shown in phantom so that the polishing surface 175 of transfer station 120 and polishing station 110C can be seen. The polishing surface 175 comprises the upper surface of the pad assembly disposed on a rotatable platen (not shown in this view). Each of the carrier heads 165A-165D includes an actuator 168. The carousel 125 moves the carrier heads 165A-165D between the transfer station 120 and the polishing stations 110A, 110B, and 110C, and the actuator 168 is adapted to move the carrier heads 165A-165D relative to the carousel 125. The The carousel 125 can be indexed so that the carrier heads 165A-165D can be moved between the polishing stations 110A, 110B, 110C and the transfer station 120 in a sequence defined by the user. Each of the carrier heads 165A-165D holds one substrate 135 at the polishing station 110A-110C during the polishing process. Other polishing modules, such as the REFLEXION GT ™ polishing system that includes more than one carrier head per polishing station, can also be adapted to benefit from the embodiments described herein. Each of the carrier heads 165 </ b> A to 165 </ b> D is movable on the longitudinal axis of each arm 170. The polished substrate 135 can be transferred from each carrier head 165A-165D at the transfer station 120. Further, the unpolished substrate 135 can be transferred to each of the carrier heads 165A-165D at the transfer station 120. As shown in connection with the carrier head 165D, the carrier head 165D is movable along the longitudinal axis of the arm 170 in a movement path 164 indicated by a broken line, whereby the carrier head 165D is loaded with the load cup. The assembly 160 can be accessed to facilitate substrate transfer.

1つの実施形態では、カルーセル125が左回り方向(方向B)に連続して進められ、研磨ステーション110A〜110Cおよび移送ステーション120の上にキャリアヘッド165A〜165Dを移動させる。処理の間、4つのキャリアヘッド165A〜165Dのうちの3つは、その中に保持された基板を有し、研磨ステーション110A、110B、110Cの上に配置され、その上で研磨プロセスが行われる。基板135は、同じキャリアヘッド165A〜165Dに保持されながらステーション間で基板が移動されることによって連続して処理される。1つの例では、3つのキャリアヘッド165A〜165Cは基板を含み、研磨ステーション110A、110B、および110Cの研磨表面175の方に基板135を押しつける。研磨の間、基板を含むキャリアヘッド165A〜165Cは右回り方向(方向C)に回転され、一方、研磨表面175は左回り方向(方向D)に回転される。   In one embodiment, the carousel 125 is continuously advanced in a counterclockwise direction (direction B) to move the carrier heads 165A-165D over the polishing stations 110A-110C and the transfer station 120. During processing, three of the four carrier heads 165A-165D have substrates held therein and are placed on the polishing stations 110A, 110B, 110C on which the polishing process takes place. . The substrate 135 is continuously processed by moving the substrate between stations while being held by the same carrier heads 165A to 165D. In one example, the three carrier heads 165A-165C include a substrate and press the substrate 135 toward the polishing surface 175 of the polishing stations 110A, 110B, and 110C. During polishing, the carrier heads 165A-165C including the substrate are rotated clockwise (direction C) while the polishing surface 175 is rotated counterclockwise (direction D).

この例ではキャリアヘッド165A〜165Cとして示されている3つのキャリアヘッドがステーション110A〜110Cで利用されているので、キャリアヘッド165Dは、基板移送プロセスが行われる移送ステーション120に隣接している。キャリアヘッド165Dは、3つのキャリアヘッド165A〜165Cが研磨プロセスを行っているので、ある期間の間活動停止とすることができる。この期間中、キャリアヘッド165Dは、移送ステーション120において、次のサイクルに研磨ステーション110Aで使用するように準備される。キャリアヘッド165Dは移動経路164に沿って進み、移送ステーション120の非常に近くに存在することができる。キャリアヘッド165Dが移送ステーション120に存在する間に、キャリアヘッド165Dは、研磨済み基板135を取り出し、洗浄され、研磨ステーション110Aでの研磨プロセスのための新しい未研磨基板135を受け取ることができる。1つの実施形態では、キャリアヘッド165Dは、移送ステーション120に配置されたモニタデバイス162を使用して検査される。   Since three carrier heads, shown as carrier heads 165A-165C in this example, are utilized at stations 110A-110C, carrier head 165D is adjacent to transfer station 120 where the substrate transfer process takes place. The carrier head 165D can be deactivated for a period of time because the three carrier heads 165A-165C are performing a polishing process. During this period, the carrier head 165D is prepared at the transfer station 120 for use at the polishing station 110A for the next cycle. The carrier head 165D travels along the travel path 164 and can be very close to the transfer station 120. While the carrier head 165D is in the transfer station 120, the carrier head 165D can remove the polished substrate 135, be cleaned, and receive a new unpolished substrate 135 for the polishing process at the polishing station 110A. In one embodiment, the carrier head 165D is inspected using a monitoring device 162 located at the transfer station 120.

研磨表面175は基板135から材料を機械的に除去しやすくするために粗化される。研磨パッドの研磨表面175はポリマー材料とすることができ、ポリマー材料は研磨プロセスの間の基板135からの材料の除去を容易にするためにもっぱら誘電体とすることができる。代替として、研磨パッドの研磨表面175は、電気化学機械研磨(ECMP)プロセスにおける基板からの材料の電気化学溶解を容易にするために少なくとも部分的に導電性とすることができる。使用することができる好適なポリマー材料には、ポリウレタン、ポリカーボネート、フルオロポリマー、PTFE、PTFA、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、またはそれらの組合せ、および基板表面の研磨で使用される他の研磨材料が含まれる。1つの実施形態では、研磨パッドの研磨表面175は、半導体基板の研磨で有用な研磨パッドの製造で一般に使用される開放気孔または閉鎖気孔ポリウレタン材料などのポリマー材料を含む。別の実施形態では、研磨パッドの研磨表面175は固定研磨剤を含むことができる。研磨流体は、一般に、研磨の間研磨パッドの研磨表面175に供給される。研磨流体は、研磨プロセスおよび使用される研磨パッドのタイプに応じてスラリまたは電解質流体とすることができる。   The polished surface 175 is roughened to facilitate mechanical removal of material from the substrate 135. The polishing surface 175 of the polishing pad can be a polymeric material, and the polymeric material can be exclusively dielectric to facilitate removal of material from the substrate 135 during the polishing process. Alternatively, the polishing surface 175 of the polishing pad can be at least partially conductive to facilitate electrochemical dissolution of material from the substrate in an electrochemical mechanical polishing (ECMP) process. Suitable polymeric materials that can be used include polyurethane, polycarbonate, fluoropolymer, PTFE, PTFA, polyphenylene sulfide (PPS), or combinations thereof, and other abrasive materials used in polishing substrate surfaces. . In one embodiment, the polishing surface 175 of the polishing pad comprises a polymeric material, such as an open or closed pore polyurethane material commonly used in the manufacture of polishing pads useful in semiconductor substrate polishing. In another embodiment, the polishing surface 175 of the polishing pad can include a fixed abrasive. A polishing fluid is generally supplied to the polishing surface 175 of the polishing pad during polishing. The polishing fluid can be a slurry or electrolyte fluid depending on the polishing process and the type of polishing pad used.

図2は、図1の移送ステーション120の1つの実施形態の部分断面図である。前述のように、移送ステーション120は、第1のバッファステーション145に隣接するロードカップアセンブリ160を含む。第1のバッファステーション145は、基板135を支持するように構成される入力または出力バッファステーションとすることができる。移送ロボット155は、第1のバッファステーション145と、基板をキャリアヘッド165Dに移送しやすくするロードカップアセンブリ160との間で基板135を移送する。   FIG. 2 is a partial cross-sectional view of one embodiment of the transfer station 120 of FIG. As previously described, the transfer station 120 includes a load cup assembly 160 adjacent to the first buffer station 145. The first buffer station 145 may be an input or output buffer station configured to support the substrate 135. The transfer robot 155 transfers the substrate 135 between the first buffer station 145 and the load cup assembly 160 that facilitates transferring the substrate to the carrier head 165D.

1つの実施形態では、第1のバッファステーション145は研磨済み基板135を支持して、湿式ロボットロボット140(図1)が後続の研磨および/またはストレージのためにファクトリインターフェースに基板135を移送することができるようにする。別の実施形態では、第1のバッファステーション145は未研磨基板135を支持して、キャリアヘッド165Dが、研磨ステーション110Aで研磨するために基板135を受け取ることができるようにする。1つの実施形態では、移送ロボット155は、第1のバッファステーション145とロードカップアセンブリ160との間で基板135を移送して、キャリアヘッド165Dが図2に仮想線で示したように基板135を受け取ることができるように構成される。   In one embodiment, the first buffer station 145 supports the polished substrate 135 such that the wet robotic robot 140 (FIG. 1) transfers the substrate 135 to the factory interface for subsequent polishing and / or storage. To be able to. In another embodiment, the first buffer station 145 supports the unpolished substrate 135 so that the carrier head 165D can receive the substrate 135 for polishing at the polishing station 110A. In one embodiment, the transfer robot 155 transfers the substrate 135 between the first buffer station 145 and the load cup assembly 160 and the carrier head 165D moves the substrate 135 as shown in phantom in FIG. Configured to be able to receive.

キャリアヘッド165Dはシャフト200に結合され、シャフト200は、アーム170に対して直線運動(Xおよび/またはY方向)でキャリアヘッド165Dを横方向に移動するように構成されたモータ215に結合される。キャリアヘッド165Dは、アーム170に対してZ方向にキャリアヘッド165Dを上昇または下降させるためにアクチュエータまたはモータ210をさらに含む。キャリアヘッド165Dは、さらに、アーム170に対して回転軸のまわりにキャリアヘッド165Dを回転させるように適合される回転アクチュエータまたはモータ220に結合される。キャリアヘッド165Dに配置されたモータ210、215、および220は、さらに、研磨パッドの研磨表面175(図1)に対してキャリアヘッド165Dを移動させるように構成される。1つの実施形態では、モータ210、215、および220は、回転研磨表面175に対してキャリアヘッド165Dを回転させ、ならびに処理の間研磨パッドの研磨表面175に対してキャリアヘッド165Dに保持された基板135を押しつけるように下向きの力を与えるように構成される。図2に示されたキャリアヘッド165Dの構造および動作は図1のキャリアヘッド165A〜165Cを代表しており、キャリアヘッド165A〜165Cは簡潔にするためにこれ以上説明されない。   The carrier head 165D is coupled to the shaft 200, which is coupled to a motor 215 configured to move the carrier head 165D laterally in a linear motion (X and / or Y direction) relative to the arm 170. . The carrier head 165D further includes an actuator or motor 210 to raise or lower the carrier head 165D in the Z direction relative to the arm 170. The carrier head 165D is further coupled to a rotary actuator or motor 220 that is adapted to rotate the carrier head 165D about an axis of rotation relative to the arm 170. Motors 210, 215, and 220 disposed on carrier head 165D are further configured to move carrier head 165D relative to polishing surface 175 (FIG. 1) of the polishing pad. In one embodiment, the motors 210, 215, and 220 rotate the carrier head 165D relative to the rotating polishing surface 175, and the substrate held on the carrier head 165D relative to the polishing surface 175 of the polishing pad during processing. It is comprised so that downward force may be given so that 135 may be pressed. The structure and operation of the carrier head 165D shown in FIG. 2 is representative of the carrier heads 165A-165C of FIG. 1, and the carrier heads 165A-165C are not further described for the sake of brevity.

キャリアヘッド165Dは、保持リング230によって囲まれた本体225を含む。キャリアヘッド165Dは、可撓性膜240に隣接する1つまたは複数のブラダ235A、235Bをさらに含む。可撓性膜240は、基板135がキャリアヘッド165Dに保持されているとき基板135の裏側に接触する。ブラダ235Aおよび235Bは、可撓性膜240に力を加えるためにブラダ235Aおよび235Bに流体を選択的に供給する第1の可変圧力源245Aに結合される。1つの実施形態では、ブラダ235Aは可撓性膜240の外側ゾーンに力を加え、一方、ブラダ235Bは可撓性膜240の中央ゾーンに力を加える。ブラダ235Aおよび235Bから可撓性膜240に加えられる力は基板135の一部に伝えられ、研磨パッド(図示せず)の研磨表面の方に基板135の一部を押しつけるのに使用することができる。第1の可変圧力源245Aは、可撓性膜240による基板135の個別の領域への力を制御するためにブラダ235Aおよび235Bの各々に流体を独立して供給するように構成される。さらに、真空ポート(図示せず)をキャリアヘッド135に設け、基板135の裏側を吸引し、キャリアヘッド165Dに基板135を保持しやすくすることができる。利用することができるキャリアヘッド165Dの例には、カリフォルニア州、サンタクララのApplied Materials, Inc.から入手できるTITAN HEAD(商標)、TITAN CONTOUR(商標)、およびTITAN PROFILER(商標)キャリアヘッドが含まれる。   The carrier head 165D includes a body 225 surrounded by a retaining ring 230. The carrier head 165D further includes one or more bladders 235A, 235B adjacent to the flexible membrane 240. The flexible membrane 240 contacts the back side of the substrate 135 when the substrate 135 is held by the carrier head 165D. The bladders 235A and 235B are coupled to a first variable pressure source 245A that selectively supplies fluid to the bladders 235A and 235B to apply force to the flexible membrane 240. In one embodiment, bladder 235A applies a force to the outer zone of flexible membrane 240, while bladder 235B applies a force to the central zone of flexible membrane 240. The force applied to the flexible membrane 240 from the bladders 235A and 235B is transmitted to a portion of the substrate 135 and may be used to press the portion of the substrate 135 toward the polishing surface of the polishing pad (not shown). it can. The first variable pressure source 245A is configured to independently supply fluid to each of the bladders 235A and 235B to control the force on the individual regions of the substrate 135 by the flexible membrane 240. Further, a vacuum port (not shown) can be provided in the carrier head 135, the back side of the substrate 135 can be sucked, and the substrate 135 can be easily held by the carrier head 165D. Examples of carrier heads 165D that can be used include Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California. TITAN HEAD ™, TITAN CONTROL ™, and TITAN PROFILER ™ carrier heads available from:

1つの実施形態では、保持リング230はアクチュエータ232によって本体225に結合される。アクチュエータ232は第2の可変圧力源245Bによって制御される。第2の可変圧力源245Bは流体をアクチュエータ232に供給するか、またはそれから除去し、それにより、保持リング230はキャリアヘッド165Dの本体225に対して少なくともZ方向に移動する。第2の可変圧力源245Bは、モータ210によって与えられた移動と無関係に保持リング230のZ方向移動を行うように適合される。第2の可変圧力源245Bは、アクチュエータ232および/または保持リング230に負圧または正圧を加えることによって保持リング230の移動を行うことができる。1つの態様では、圧力を保持リング230に加えて、研磨プロセスの間研磨パッド(図示せず)の研磨表面175(図1)の方に保持リング230を押しつける。第1の可変圧力源245Aおよび第2の可変圧力源245Bの各々は、研磨プロセスの間基板135のゾーンへの圧力を自動的に制御する研磨方策を実行しやすくするためにコントローラに結合することができる。   In one embodiment, retaining ring 230 is coupled to body 225 by actuator 232. The actuator 232 is controlled by the second variable pressure source 245B. The second variable pressure source 245B supplies or removes fluid from the actuator 232, thereby moving the retaining ring 230 at least in the Z direction relative to the body 225 of the carrier head 165D. The second variable pressure source 245B is adapted to perform the Z-direction movement of the retaining ring 230 independently of the movement provided by the motor 210. The second variable pressure source 245B can move the holding ring 230 by applying a negative pressure or a positive pressure to the actuator 232 and / or the holding ring 230. In one aspect, pressure is applied to the retaining ring 230 to force the retaining ring 230 toward the polishing surface 175 (FIG. 1) of the polishing pad (not shown) during the polishing process. Each of the first variable pressure source 245A and the second variable pressure source 245B is coupled to a controller to facilitate execution of a polishing strategy that automatically controls the pressure on the zone of the substrate 135 during the polishing process. Can do.

保持リング230は研磨プロセスの間研磨表面175に接触する。保持リング230は、さらに、研磨表面175に研磨流体を輸送しやすくし、かつ研磨表面175との接触から摩擦により熱を生成することができる。流体輸送と生成された熱とを利用して研磨プロセスの間利益を得ることができる。研磨表面175との接触のために、保持リング230は摩耗する。保持リング230の表面の摩耗は研磨プロセスに影響を与え、保持リング230は最終的に交換を必要とすることになる。したがって、保持リング230の厚さを定期的に評価して、摩耗と交換時間間隔とを決定しなければならない。   The retaining ring 230 contacts the polishing surface 175 during the polishing process. The retaining ring 230 further facilitates transport of polishing fluid to the polishing surface 175 and can generate heat by friction from contact with the polishing surface 175. Fluid transport and generated heat can be utilized to benefit during the polishing process. Due to contact with the polishing surface 175, the retaining ring 230 wears. Wear on the surface of the retaining ring 230 will affect the polishing process, and the retaining ring 230 will eventually require replacement. Accordingly, the thickness of the retaining ring 230 must be periodically evaluated to determine wear and replacement time intervals.

1つの実施形態では、保持リング230の表面は、ロードカップアセンブリ160に配置されたモニタデバイス162でモニタされる。キャリアヘッド165Dがロードカップアセンブリ160に隣接しているとき保持リング230の表面を感知することができ、保持リング230の摩耗を表すデータをコントローラに送ることができる。コントローラはモニタと通信し、データをユーザに表示することができる。モニタデバイス162からのデータを使用して保持リング230の状態を予測および/または確認し、保持リング230の状態を利用して保持リング230の寿命および交換を決定する。1つの実施形態では、データは保持リング230の厚さを示す。代替としてまたは追加として、コントローラはシステムコントローラとすることができ、システムコントローラは、データを分析し、プロセス方策における是正措置を実施して、研磨プロセスにおいて保持リング230の摩耗を補償することができる。したがって、モニタデバイス162からのデータは保持リング230の寿命および交換を決定するのに使用され、さらに、研磨プロセスを調整するために制御ノブとして利用されうる。さらに、多数の保持リング付きキャリアヘッドを有するシステムでは、モニタデバイス162からのデータを利用して、個々の保持リングのプロセス方策を、システムの他のキャリアヘッドの他の保持リングから独立して調整することができる。例えば、個々の保持リングが異なる速さで摩耗することがあるので、あるキャリアヘッドのある保持リングのプロセス方策を調整することがあり、一方、残りのキャリアヘッドの他の保持リングの他のプロセス方策は同じままであることがある。   In one embodiment, the surface of the retaining ring 230 is monitored with a monitoring device 162 disposed on the load cup assembly 160. When the carrier head 165D is adjacent to the load cup assembly 160, the surface of the retaining ring 230 can be sensed and data representing wear of the retaining ring 230 can be sent to the controller. The controller can communicate with the monitor and display data to the user. Data from the monitoring device 162 is used to predict and / or confirm the state of the retaining ring 230 and the state of the retaining ring 230 is utilized to determine the life and replacement of the retaining ring 230. In one embodiment, the data indicates the thickness of the retaining ring 230. Alternatively or additionally, the controller can be a system controller, and the system controller can analyze the data and implement corrective actions in the process strategy to compensate for wear of the retaining ring 230 in the polishing process. Thus, the data from the monitoring device 162 can be used to determine the life and replacement of the retaining ring 230 and can further be used as a control knob to adjust the polishing process. In addition, in systems having a number of carrier rings with retaining rings, data from the monitor device 162 is utilized to adjust the individual retaining ring process strategy independently of other retaining rings on other carrier heads of the system. can do. For example, individual retaining rings can wear at different rates, so the process strategy of one retaining ring on one carrier head may be adjusted, while other processes on other retaining rings on the remaining carrier head Strategies may remain the same.

図3は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。移送ステーション120はロードカップアセンブリ160を含み、キャリアヘッド165Dはロードカップアセンブリ160に隣接して配置される。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、キャリアヘッド165Dが、図1の研磨ステーション110A〜110Cでの研磨に利用されていないときキャリアヘッド165Dを洗浄するように適合された洗浄ステーション300として構成される。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station 120 that may be utilized with the polishing system 100 of FIG. The transfer station 120 includes a load cup assembly 160 and the carrier head 165D is positioned adjacent to the load cup assembly 160. In this embodiment, the load cup assembly 160 is configured as a cleaning station 300 adapted to clean the carrier head 165D when the carrier head 165D is not utilized for polishing at the polishing stations 110A-110C of FIG. The

1つの実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、基部309に結合される基準円すいまたはリング307を有する本体305を含む。リング307および基部309は第1のアクチュエータ310Aによってモジュール基部118に対して移動することができる。第1のアクチュエータ310Aを利用して、モジュール基部118に対して少なくとも直線方向(Z方向)に本体305を移動させることができる。ロードカップアセンブリ160は、基板135(仮想線で示された)を支持するように適合されたペデスタル320をさらに含む。ペデスタル320は、ペデスタル320の支持表面321を上昇および降下させるように適合された第2のアクチュエータ310Bに結合される。第2のアクチュエータ310Bは、本体305に対してZ方向に支持表面321を移動させることによって基板135をキャリアヘッド165Dにまたはそれから移送しやすくする。   In one embodiment, the load cup assembly 160 includes a body 305 having a reference cone or ring 307 that is coupled to a base 309. Ring 307 and base 309 can be moved relative to module base 118 by first actuator 310A. The main body 305 can be moved in at least a linear direction (Z direction) with respect to the module base 118 by using the first actuator 310A. The load cup assembly 160 further includes a pedestal 320 adapted to support the substrate 135 (shown in phantom). The pedestal 320 is coupled to a second actuator 310B adapted to raise and lower the support surface 321 of the pedestal 320. The second actuator 310B facilitates transfer of the substrate 135 to or from the carrier head 165D by moving the support surface 321 in the Z direction relative to the body 305.

本体305は、基板がペデスタル320上にないときキャリアヘッド165Dを洗浄するのに利用される複数のノズル315をさらに含む。ノズル315は加圧流体供給源330と流体連通する。加圧流体供給源330は脱イオン水などの流体を含み、流体はノズル315を通して与えられ、キャリアヘッド165Dを洗浄する。1つの実施形態では、ペデスタル320の支持表面321は、ノズル315からの洗浄流体がキャリアヘッド165Dに当たるように多数の開区域を有するリングとして構成される。洗浄流体は、キャリアヘッド165Dに保持されていることがある研磨プロセスからの研磨液体および他のデブリを洗浄する。洗浄ステーション300は、基部309に形成された開口325をさら含み、開口325は、キャリアヘッド165Dから移動された流体および研磨デブリを選択的に取り除くように廃液管として適合される。   The body 305 further includes a plurality of nozzles 315 that are utilized to clean the carrier head 165D when the substrate is not on the pedestal 320. Nozzle 315 is in fluid communication with pressurized fluid supply 330. Pressurized fluid supply 330 includes a fluid, such as deionized water, which is provided through nozzle 315 to clean carrier head 165D. In one embodiment, the support surface 321 of the pedestal 320 is configured as a ring having a number of open areas so that the cleaning fluid from the nozzle 315 strikes the carrier head 165D. The cleaning fluid cleans polishing liquid and other debris from the polishing process that may be held on the carrier head 165D. The cleaning station 300 further includes an opening 325 formed in the base 309 that is adapted as a waste tube to selectively remove fluid and polishing debris moved from the carrier head 165D.

この実施形態では、洗浄ステーション300は、コントローラに結合されたセンサ335を備えるモニタデバイス162を含む。センサ335は保持リング230の厚さTを測定するように適合される。1つの実施形態では、センサ335は超音波センサである。センサ335は、音波を送受信するために本体305に結合させるか、またはその中に埋め込むことができる。音波はコントローラに送信され、保持リング230の厚さTを示すメトリックが生成される。1つの実施形態では、保持リング230は、上部部分355Aおよび下部部分355Bなどの2つの環状部分を備える。1つの実施形態では、上部部分355Aおよび下部部分355Bは、金属材料、セラミック材料、またはプラスチック材料などのCMPプロセスにおいて化学的に不活性である材料を含むことができる。1つの実施形態では、下部部分355Bは、プラスチック、例えば、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、炭素含有PEEK材料、TEFLON(登録商標)含有PEEK材料、または複合材料を含む。上部部分355Aは、下部部分355Bよりも高い剛性または密度である材料を含むことができる。1つの実施形態では、上部部分355Aはステンレス鋼、アルミニウム、モリブデン、またはセラミック材料を含む。   In this embodiment, the cleaning station 300 includes a monitoring device 162 that includes a sensor 335 coupled to a controller. Sensor 335 is adapted to measure the thickness T of retaining ring 230. In one embodiment, sensor 335 is an ultrasonic sensor. The sensor 335 can be coupled to or embedded within the body 305 for transmitting and receiving sound waves. The sound wave is transmitted to the controller, and a metric indicating the thickness T of the retaining ring 230 is generated. In one embodiment, the retaining ring 230 comprises two annular portions such as an upper portion 355A and a lower portion 355B. In one embodiment, the upper portion 355A and the lower portion 355B can include a material that is chemically inert in a CMP process, such as a metallic material, a ceramic material, or a plastic material. In one embodiment, the lower portion 355B comprises a plastic, such as polyphenylene sulfide (PPS), polyetheretherketone (PEEK), a carbon-containing PEEK material, a TEFLON®-containing PEEK material, or a composite material. The upper portion 355A can include a material that is more rigid or dense than the lower portion 355B. In one embodiment, the upper portion 355A includes stainless steel, aluminum, molybdenum, or a ceramic material.

動作の1つの例では、センサ335は、本体305のランド区域345の活性表面340に取り付けられる。ランド区域345はリング307の底面の領域として画定することができ、保持リング230の下部部分355Bはリング307の表面に接触する。活性表面340は、保持リング230が位置づけられるランド区域345においてリング307の表面とじかに面することができる。1つの実施形態では、音波は保持リング230の下部部分355Bにまたはそれを通して送信され、上部部分355Aから反射される。反射された信号はコントローラに送信され、保持リング230の下部部分355Bの厚さTを決定するために利用される。時間経過に伴う厚さTの変化は保持リング230の摩耗を示す。   In one example of operation, sensor 335 is attached to active surface 340 of land area 345 of body 305. Land area 345 can be defined as the area of the bottom surface of ring 307, and lower portion 355 B of retaining ring 230 contacts the surface of ring 307. The active surface 340 can directly face the surface of the ring 307 in the land area 345 where the retaining ring 230 is located. In one embodiment, sound waves are transmitted to or through the lower portion 355B of the retaining ring 230 and reflected from the upper portion 355A. The reflected signal is sent to the controller and used to determine the thickness T of the lower portion 355B of the retaining ring 230. Changes in thickness T over time indicate wear of retaining ring 230.

図4は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、図3に示された実施形態と実質的に同様とすることができる洗浄ステーション400として構成される。図3の移送ステーション120と同様である移送ステーション120の要素は簡潔にするために繰り返されない。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station 120 that may be utilized with the polishing system 100 of FIG. In this embodiment, the load cup assembly 160 is configured as a cleaning station 400 that may be substantially similar to the embodiment shown in FIG. Elements of transfer station 120 that are similar to transfer station 120 of FIG. 3 are not repeated for the sake of brevity.

この実施形態では、モニタデバイス162は、下部部分355Bの厚さTを測定するように適合された渦電流センサであるセンサ335を備える。この実施形態では、下部部分355Bの接触表面405はリング307の活性表面340に接触する。他の実施形態では、保持リング230がリング307から離されているとき、センサ335を利用することができる。1つの態様では、渦電流センサとして適合されたセンサ335を利用して、活性表面340と、保持リング230の上部部分355Aの接触表面405との間の変位を測定することができる。変位は、保持リング230の少なくとも下部部分355Bの厚さの変化に対応する。変位は、保持リング230の下部部分355Bが活性表面340に接触するとき、または下部部分355Bが活性表面340から一定の距離で保持されるとき決定することができる。   In this embodiment, the monitoring device 162 includes a sensor 335 that is an eddy current sensor adapted to measure the thickness T of the lower portion 355B. In this embodiment, the contact surface 405 of the lower portion 355B contacts the active surface 340 of the ring 307. In other embodiments, the sensor 335 can be utilized when the retaining ring 230 is separated from the ring 307. In one aspect, a sensor 335 adapted as an eddy current sensor can be utilized to measure displacement between the active surface 340 and the contact surface 405 of the upper portion 355A of the retaining ring 230. The displacement corresponds to a change in the thickness of at least the lower portion 355B of the retaining ring 230. The displacement can be determined when the lower portion 355B of the retaining ring 230 contacts the active surface 340 or when the lower portion 355B is held at a certain distance from the active surface 340.

図5Aは、1つまたは複数の溝500を有する保持リング230の1つの実施形態の部分平面図である。1つまたは複数の溝500の各々は、保持リング230の接触表面405と溝500の底部505との間を所望の深さで保持リング230に形成される。保持リング230に配置された溝500の各々を利用して、研磨プロセスの間研磨流体の輸送を強化することによって研磨しやすくすることができる。   FIG. 5A is a partial plan view of one embodiment of a retaining ring 230 having one or more grooves 500. Each of the one or more grooves 500 is formed in the retaining ring 230 at a desired depth between the contact surface 405 of the retaining ring 230 and the bottom 505 of the groove 500. Each of the grooves 500 disposed in the retaining ring 230 can be utilized to facilitate polishing by enhancing the transport of polishing fluid during the polishing process.

図5Bは、図1の研磨システム100および図5Aに示された保持リング230で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。保持リング230は、接触表面405および底部505によって画定された深さD’を有する1つまたは複数の溝500を備える。溝500の深さD’の変化は保持リング230の厚さの変化に対応する。1つの実施形態では、センサ335は、リング307に結合するか、またはその内に埋め込むことができる。センサ335は、光センサ、渦電流センサ、超音波センサ、または他の好適なセンシングデバイスとすることができる。1つの実施形態では、センサ335は、接触表面405に当たる信号510として示された音波を送受信するように構成された超音波センサである。音波は、保持リング230が乾いていることを感知しようと湿っていることを感知しようといずれにしても、コントローラに送信され、溝500の深さD’、したがって、保持リング230の厚さを示すメトリックが生成される。したがって、溝500の深さが接触表面405と底部505との間で測定され、保持リング230とロードカップアセンブリ160の他の部分との間の物理的接触なしに摩耗が決定される。キャリアヘッド165Dは所定の回転速度で回転して、保持リング230の多数の場所でセンシングを行うことができる。このように、多数の溝500をモニタすることができる。代替として、キャリアヘッド165Dは静止しており、単一の溝500を感知することができる。別の実施形態では、制御された空気カラムまたは液体カラムを利用して、信号510を取り囲み、保持リング230とセンサ335との間のインターフェースを制御することができる。例えば、バブラ(図示せず)を利用して、信号510の経路を取り囲む円筒状空気カラムを形成することができる。   FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station 120 that may be utilized with the polishing system 100 of FIG. 1 and the retaining ring 230 shown in FIG. 5A. The retaining ring 230 includes one or more grooves 500 having a depth D ′ defined by the contact surface 405 and the bottom 505. A change in the depth D ′ of the groove 500 corresponds to a change in the thickness of the retaining ring 230. In one embodiment, sensor 335 can be coupled to ring 307 or embedded therein. Sensor 335 can be an optical sensor, an eddy current sensor, an ultrasonic sensor, or other suitable sensing device. In one embodiment, sensor 335 is an ultrasonic sensor configured to transmit and receive sound waves indicated as signal 510 that strikes contact surface 405. The sound wave is sent to the controller, whether it senses that the retaining ring 230 is dry or wet, and determines the depth D ′ of the groove 500 and thus the thickness of the retaining ring 230. A metric is generated that indicates. Accordingly, the depth of the groove 500 is measured between the contact surface 405 and the bottom 505 to determine wear without physical contact between the retaining ring 230 and other portions of the load cup assembly 160. The carrier head 165D can rotate at a predetermined rotational speed and perform sensing at a number of locations on the retaining ring 230. In this way, a large number of grooves 500 can be monitored. Alternatively, the carrier head 165D is stationary and can sense a single groove 500. In another embodiment, a controlled air or liquid column can be utilized to surround signal 510 and control the interface between retaining ring 230 and sensor 335. For example, a bubbler (not shown) can be utilized to form a cylindrical air column that surrounds the path of signal 510.

1つの実施形態では、モニタデバイス162の位置は基板135の区域の外側にあり、それにより、基板135、または対象でないキャリアヘッド165Dの一部を意図せずに感知するのが防止される。例えば、基板135は、円形基板の場合に第1の半径Rを含む。1つの実施形態では、第1の半径Rは、200mm直径の基板では約100mmの半径を含む。別の実施形態では、第1の半径Rは、300mm直径の基板では約150mmの半径を含む。1つの実施形態では、モニタデバイス162は、第1の半径Rよりも大きい、またはそれの外側にある第2の半径Rで位置づけられる。第2の半径Rは、200mmの基板では中心線C’から約105mmから約120mmなどの約100mmよりも大きくすることができる。別の例では、第2の半径Rは、300mmの基板では中心線C’から約155mmから約170mmなどの約150mmよりも大きくすることができる。中心線C’は、ロードカップアセンブリ160の幾何学中心および/またはキャリアヘッド165Dの中心とすることができる。したがって、モニタデバイス162のこの位置づけにより、基板135、または対象でないキャリアヘッド165Dの一部を意図せずに感知するのが防止される。 In one embodiment, the position of the monitor device 162 is outside the area of the substrate 135, thereby preventing unintentional sensing of the substrate 135 or a portion of the unintended carrier head 165D. For example, the substrate 135 includes a first radius R 1 in the case of a circular substrate. In one embodiment, the first radius R 1 includes a radius of about 100 mm for a 200 mm diameter substrate. In another embodiment, the first radius R 1 includes a radius of about 150 mm for a 300 mm diameter substrate. In one embodiment, the monitoring device 162 is positioned with a second radius R 2 that is larger than or outside the first radius R 1 . Second radius R 2, in the substrate of 200mm may be greater than about 100mm, such as about 120mm to about 105mm from the center line C '. In another example, the second radius R 2 can be greater than about 150 mm, such as about 155 mm to about 170 mm from the center line C ′ for a 300 mm substrate. Center line C ′ may be the geometric center of load cup assembly 160 and / or the center of carrier head 165D. Thus, this positioning of the monitor device 162 prevents unintentional sensing of the substrate 135 or a portion of the untargeted carrier head 165D.

図6は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は図3、4、および5に示された実施形態と同様である。図3〜5の移送ステーション120と同様である移送ステーション120の要素は簡潔にするために繰り返されない。1つの実施形態では、保持リング230は、図5の保持リング230の実施形態と同様の1つまたは複数の溝500を備える。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of a transfer station 120 that may be utilized with the polishing system 100 of FIG. In this embodiment, the load cup assembly 160 is similar to the embodiment shown in FIGS. Elements of transfer station 120 that are similar to transfer station 120 of FIGS. 3-5 are not repeated for the sake of brevity. In one embodiment, retaining ring 230 includes one or more grooves 500 similar to the embodiment of retaining ring 230 of FIG.

この実施形態では、モニタデバイス162は超音波センサであるセンサ335を備えるが、光センサ、渦電流センサ、または他の好適なセンシングデバイスを利用することができる。1つの実施形態では、センサ335は、保持リング230がセンサ335の視線または視野内にあるときに利用することができる。他の実施形態では、センサ335は、保持リング230がロードカップアセンブリ160に少なくとも部分的に配置されるときに利用することができる。1つの態様では、センサ335は、センサ335に隣接して配置された管状導管600を含む。管状導管600は流体供給源605に結合され、流体供給源605はセンサ335の信号経路を取り囲むように脱イオン水などの流体を供給する。流体を利用して、センサ335からの信号に影響を与えることがある制御されていない空気を排除する。1つの実施形態では、保持リング230の接触表面405はリング307の活性表面340に直接接触する。別の実施形態では、管状導管600はアクチュエータ610に結合され、アクチュエータ610は管状導管600をリング307の活性表面340に対して出し入れさせることができる。管状導管600は、キャリアヘッド165Dがリング307に接触していない場合、仮想線で示されたように接触表面405の方に保持リング230の接触表面405の近傍の位置まで作動されうる。管状導管600はセンサ335の少なくとも一部を含むことができ、センサ335の少なくとも一部は管状導管600によって保持リング230の接触表面405の方に移動する。アクチュエータ610は、さらに、センサ335が必要でないとき管状導管600を引っ込めることができる。   In this embodiment, the monitor device 162 includes a sensor 335 that is an ultrasonic sensor, although an optical sensor, eddy current sensor, or other suitable sensing device may be utilized. In one embodiment, sensor 335 can be utilized when retaining ring 230 is within the line of sight or field of view of sensor 335. In other embodiments, the sensor 335 can be utilized when the retaining ring 230 is at least partially disposed on the load cup assembly 160. In one aspect, sensor 335 includes a tubular conduit 600 disposed adjacent to sensor 335. Tubular conduit 600 is coupled to a fluid source 605 that supplies a fluid, such as deionized water, to surround the signal path of sensor 335. The fluid is utilized to eliminate uncontrolled air that can affect the signal from sensor 335. In one embodiment, the contact surface 405 of the retaining ring 230 contacts the active surface 340 of the ring 307 directly. In another embodiment, the tubular conduit 600 is coupled to an actuator 610 that can cause the tubular conduit 600 to move in and out of the active surface 340 of the ring 307. Tubular conduit 600 can be actuated to a position near contact surface 405 of retaining ring 230 toward contact surface 405 as indicated by phantom lines when carrier head 165D is not in contact with ring 307. Tubular conduit 600 may include at least a portion of sensor 335, at least a portion of sensor 335 being moved by tubular conduit 600 toward contact surface 405 of retaining ring 230. Actuator 610 can further retract tubular conduit 600 when sensor 335 is not needed.

図7は方法700の1つの実施形態を示す流れ図である。705において、保持リング230を有するキャリアヘッド165Dがモニタデバイス162の近傍に移動される。1つの実施形態では、モニタデバイス162は研磨モジュール105内のロードカップアセンブリ160に配置される。他の実施形態では、モニタデバイス162は移送ステーション120に隣接するか、または移送ステーション120に隣接するキャリアヘッド165Dの移動経路にあるか、または研磨モジュール105の他の位置にあることができる。モニタデバイス162はセンサ335を含み、エネルギーが710において示されるようにセンサ335から送出される。エネルギーは、超音波、光波、または磁界もしくは磁気信号とすることができる。715において、保持リング230から反射されたエネルギーがセンサ335で受け取られる。反射されたエネルギーは保持リング230の1つまたは複数の内側または外側表面からのものでありうる。720において、保持リングの状態が、受け取ったエネルギーに基づいて決定される。反射された信号はコントローラに供給され、保持リング230の状態、例えば、保持リング230またはその一部の厚さ、または保持リング230の厚さに関連しうる保持リング230の溝500の深さを示すメトリックを得ることができる。このデータを利用して、保持リング230の交換時間間隔および/または後続の研磨プロセスの変数の調整を決定することができる。   FIG. 7 is a flow diagram illustrating one embodiment of method 700. At 705, the carrier head 165 </ b> D having the retaining ring 230 is moved to the vicinity of the monitor device 162. In one embodiment, the monitoring device 162 is disposed on the load cup assembly 160 in the polishing module 105. In other embodiments, the monitoring device 162 can be adjacent to the transfer station 120, in the path of travel of the carrier head 165 D adjacent to the transfer station 120, or in other locations on the polishing module 105. The monitoring device 162 includes a sensor 335 and energy is delivered from the sensor 335 as indicated at 710. The energy can be ultrasound, light waves, or a magnetic or magnetic signal. At 715, the energy reflected from retaining ring 230 is received at sensor 335. The reflected energy can be from one or more inner or outer surfaces of the retaining ring 230. At 720, the state of the retaining ring is determined based on the received energy. The reflected signal is provided to the controller to determine the condition of the retaining ring 230, for example, the thickness of the retaining ring 230 or a portion thereof, or the depth of the groove 500 in the retaining ring 230 that may be related to the thickness of the retaining ring 230. A metric can be obtained. This data can be used to determine adjustment of the retaining ring 230 replacement time interval and / or subsequent polishing process variables.

本明細書で説明される実施形態は、本明細書で説明されるキャリアヘッド165A〜165Dなどの研磨ステーションのキャリアヘッドに配置された保持リング230の表面の状態をモニタするための方法および装置を提供する。オンツールで取り付けることができ、1つの実施形態では研磨サイクルの間に保持リング230の状態を感知することができるモニタデバイス162が説明される。保持リング230のセンシングは、ルーチンモニタリングの一部として予め定義された時間間隔で、またはユーザ選好に基づいて選ばれた時間間隔でユーザによって設定されうる。モニタデバイス162からのデータは、保持リング230の摩耗をモニタし、保持リング230の寿命を決定し、かつ/または保持リング230の交換時間間隔を決定するのに使用することができるコントローラに供給される。1つの態様では、モニタデバイス162からのデータは、保持リング230の寿命を予測し、実用的な寿命の限界での保持リング230の交換を容易にするのに使用することができる。別の態様では、モニタデバイス162からのデータを使用して、保持リング230が完全には磨滅していない場合でも、寿命を予測し、好都合な交換時間間隔に役立てることができる。   The embodiments described herein provide a method and apparatus for monitoring the condition of the surface of a retaining ring 230 disposed on a carrier head of a polishing station, such as the carrier heads 165A-165D described herein. provide. A monitoring device 162 is described that can be mounted on-tool and in one embodiment can sense the condition of the retaining ring 230 during the polishing cycle. The sensing of the retaining ring 230 can be set by the user at a predefined time interval as part of routine monitoring or at a time interval selected based on user preferences. Data from the monitoring device 162 is provided to a controller that can be used to monitor the wear of the retaining ring 230, determine the life of the retaining ring 230, and / or determine the replacement time interval of the retaining ring 230. The In one aspect, data from the monitoring device 162 can be used to predict the life of the retaining ring 230 and facilitate replacement of the retaining ring 230 at a practical lifetime limit. In another aspect, data from the monitoring device 162 can be used to predict life and aid in convenient replacement time intervals even when the retaining ring 230 is not fully worn.

本明細書で説明されるようなモニタデバイス162の実施形態は、キャリアヘッド165A〜165Dおよび保持リング230の物理的取扱いおよび/またはそれらとの機械的接触を最小にするか、または排除する。例えば、カリパスなどの機械的測定デバイスは保持リング230との接触を必要とする。機械的測定デバイスとの接触は測定の間に保持リング230を損傷することがあり、その結果として、処理の間に研磨表面175が損傷されることがある。測定はツール内で行うことができ、研磨システムを運転停止する必要がない。さらに、測定のために保持リング230を完全に乾燥させる必要があるわけではない。モニタデバイス162はオンツールで取り付けられ、その結果、環境は、環境制御された筐体115(図1)に閉じ込められる。したがって、本明細書で説明されるようなモニタデバイス162は、キャリアヘッド165A〜165Dの取扱いまたは接触による損傷、および/または研磨モジュール105の環境の破壊の潜在的に少ない保持リング230のモニタリングを実現する。この方法および装置は、さらに、時間がかかり、不正確であることがある目視検査を排除または最小にする。さらに、研磨システムは保持リング230の測定および/または観察のために運転停止を必要としないので、スループットを最大化することができる。   Embodiments of monitoring device 162 as described herein minimize or eliminate physical handling and / or mechanical contact with carrier heads 165A-165D and retaining ring 230. For example, a mechanical measurement device such as a caliper requires contact with the retaining ring 230. Contact with the mechanical measurement device can damage the retaining ring 230 during measurement, and as a result, the polishing surface 175 can be damaged during processing. Measurements can be made in the tool without having to shut down the polishing system. Furthermore, it is not necessary for the retaining ring 230 to be completely dried for measurement. The monitoring device 162 is mounted on-tool so that the environment is confined to the environmentally controlled housing 115 (FIG. 1). Accordingly, the monitoring device 162 as described herein provides for the monitoring of the retaining ring 230 with potentially less damage due to handling or contact with the carrier heads 165A-165D and / or destruction of the environment of the polishing module 105. To do. This method and apparatus further eliminates or minimizes visual inspection, which can be time consuming and inaccurate. In addition, the polishing system does not require a shutdown to measure and / or observe the retaining ring 230, thereby maximizing throughput.

さらに、保持リング230の摩耗データは研磨プロセスの間の制御変数として使用することができる。例えば、保持リング230が溝500を含み、溝500が所定の量の摩耗を示す場合、1つまたは複数の研磨パラメータは、研磨均一性に関していかなる保持リング230の厚さ効果も補償するように調整することができる。1つの例では、キャリアヘッド165A〜165Dの回転速度および下向きの力などの研磨パラメータは、保持リング230の摩耗の原因を明らかにし、摩耗の少ない保持リング230の研磨効果を模擬するように調整することができる。1つの態様では、キャリアヘッド165A〜165Dの回転速度は、研磨流体の輸送を容易にし、摩耗の少ない保持リング230の効果と実質的に等価である研磨表面175上の熱を生成するように加速することができる。   Further, the wear data of the retaining ring 230 can be used as a control variable during the polishing process. For example, if the retaining ring 230 includes a groove 500 and the groove 500 exhibits a predetermined amount of wear, one or more polishing parameters may be adjusted to compensate for any retaining ring 230 thickness effect with respect to polishing uniformity. can do. In one example, polishing parameters such as the rotational speed and downward force of the carrier heads 165A-165D are adjusted to account for the cause of wear of the retaining ring 230 and to simulate the polishing effect of the retaining ring 230 with less wear. be able to. In one aspect, the rotational speed of the carrier heads 165A-165D facilitates transport of the polishing fluid and accelerates to generate heat on the polishing surface 175 that is substantially equivalent to the effect of the low wear retaining ring 230. can do.

別の例では、保持リング230の摩耗データを利用して、保持リング230の寿命の間ウエハ内不均一性を最小にすることができる。保持リング230の摩耗データは、図2に示されたキャリアヘッド165Dなどのマルチゾーンキャリアヘッドのブラダ235Aおよび235Bに結合される自動処理制御システムで利用することができる。さらに、自動処理制御システムは、図2に示されたキャリアヘッド165Dのアクチュエータ232と連通することができる。1つの態様では、外側ゾーン(ブラダ235A)に加えられ、かつ/またはアクチュエータ232により保持リング230に加えられる圧力は、保持リング230の厚さの変化に応じて変更することができる。ブラダ235Aおよび235Bによって基板に加えられる圧力および/または保持リング230に加えられる圧力への変更は、保持リング230の厚さデータに基づいて実時間で行うことができる。したがって、研磨される基板の除去速度、除去プロファイル、および/またはトポグラフィは、保持リング230の摩耗に基づいて研磨パラメータを操作することによって制御することができる。さらに、研磨パラメータをキャリアヘッド165A〜165Dごとに調整することができるので、キャリアヘッド間の変動を最小にすることができる。   In another example, wear data of the retaining ring 230 can be utilized to minimize in-wafer non-uniformity over the life of the retaining ring 230. The wear data of the retaining ring 230 can be utilized in an automated process control system coupled to a multi-zone carrier head bladder 235A and 235B, such as the carrier head 165D shown in FIG. Further, the automatic processing control system can be in communication with the actuator 232 of the carrier head 165D shown in FIG. In one aspect, the pressure applied to the outer zone (bladder 235A) and / or applied to the retaining ring 230 by the actuator 232 can vary as the thickness of the retaining ring 230 changes. Changes to the pressure applied to the substrate by the bladders 235A and 235B and / or the pressure applied to the retaining ring 230 can be made in real time based on the thickness data of the retaining ring 230. Accordingly, the removal rate, removal profile, and / or topography of the substrate being polished can be controlled by manipulating polishing parameters based on the wear of the retaining ring 230. Furthermore, since the polishing parameters can be adjusted for each of the carrier heads 165A to 165D, fluctuations between the carrier heads can be minimized.

本明細書で説明される実施形態は、保持リングの状態を決定し、かつ/または保持リングの寿命を評価するために研磨システム内の保持リングをモニタしやすくする方法および装置を提供する。1つの実施形態では、装置が提供される。この装置は、基板がキャリアヘッドに保持されているとき基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有するキャリアヘッドにおよびそれから基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、キャリアヘッドの移動経路に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含む。   The embodiments described herein provide a method and apparatus that facilitates monitoring of the retaining ring in the polishing system to determine the state of the retaining ring and / or to evaluate the life of the retaining ring. In one embodiment, an apparatus is provided. The apparatus includes a travel path between at least one polishing station for polishing the substrate when the substrate is held by the carrier head and a transfer station for transferring the substrate to and from the carrier head having a retaining ring. And a sensor disposed in the path of movement of the carrier head and operable to provide a metric indicative of the state of the retaining ring.

別の実施形態では、基板移送デバイスと少なくとも1つのキャリアヘッドとの間で基板を移送するために研磨モジュールに配置された移送ステーションが提供される。移送ステーションは、基板、および少なくとも1つのキャリアヘッドに結合される保持リングの少なくとも一部を受け取るように大きさを合わされる本体を有するロードカップアセンブリと、本体に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含み、基板は第1の半径を含み、センサは第1の半径よりも大きい第2の半径で本体に位置づけられる。   In another embodiment, a transfer station disposed in the polishing module is provided for transferring a substrate between the substrate transfer device and the at least one carrier head. The transfer station is disposed on the body and indicates a state of the retaining ring, and a load cup assembly having a body sized to receive the substrate and at least a portion of the retaining ring coupled to the at least one carrier head. A sensor operable to provide a metric, the substrate includes a first radius, and the sensor is positioned on the body with a second radius greater than the first radius.

前述の内容は本発明の実施形態に関するが、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態が本発明の基本的な範囲から逸脱することなしに考案されうる。   While the foregoing is directed to embodiments of the invention, other and further embodiments of the invention may be devised without departing from the basic scope thereof.

Claims (15)

基板がキャリアヘッドに保持されているとき前記基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有する前記キャリアヘッドにおよびそれから前記基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、
前記キャリアヘッドの前記移動経路に配置され、前記保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサと
を備える装置。
In a movement path between at least one polishing station for polishing the substrate when the substrate is held on a carrier head and a transfer station for transferring the substrate to and from the carrier head having a holding ring A movable carrier head;
A sensor disposed in the travel path of the carrier head and operable to provide a metric indicative of a state of the retaining ring.
前記センサが超音波センサである、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the sensor is an ultrasonic sensor. 前記センサが渦電流センサである、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the sensor is an eddy current sensor. 前記センサが光センサである、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the sensor is an optical sensor. 前記移送ステーションの本体に配置され、前記保持リングが前記移送ステーションの前記本体に位置合わせされるとき前記保持リングの方に光を誘導するように位置づけられた複数の導波路を、前記センサが備える、請求項4に記載の装置。   The sensor includes a plurality of waveguides disposed in the body of the transfer station and positioned to direct light toward the holding ring when the retaining ring is aligned with the body of the transfer station. The apparatus according to claim 4. 前記センサが送信機と受信機とを備える、請求項4に記載の装置。   The apparatus of claim 4, wherein the sensor comprises a transmitter and a receiver. 前記移送ステーションが、水源と流体連通する1つまたは複数のノズルを備える、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the transfer station comprises one or more nozzles in fluid communication with a water source. 前記移送ステーションが、流体を含むように成形される本体を備える、請求項2に記載の装置。   The apparatus of claim 2, wherein the transfer station comprises a body shaped to contain a fluid. 前記基板が第1の半径を含み、前記センサが前記第1の半径よりも大きい第2の半径で位置づけられる、請求項7に記載の装置。   The apparatus of claim 7, wherein the substrate includes a first radius and the sensor is positioned at a second radius that is greater than the first radius. キャリアヘッドに結合された保持リングの少なくとも1つの表面をモニタする方法であって、
研磨モジュールに配置されたセンサデバイスの近傍にキャリアヘッドを移動させるステップと、
前記センサデバイスからのエネルギーを前記保持リングの方に送出するステップと、
前記保持リングから反射されたエネルギーを受け取るステップと、
前記受け取ったエネルギーに基づいて前記保持リングの状態を決定するステップと
を含む方法。
A method of monitoring at least one surface of a retaining ring coupled to a carrier head, comprising:
Moving the carrier head in the vicinity of the sensor device disposed in the polishing module;
Delivering energy from the sensor device toward the retaining ring;
Receiving energy reflected from the retaining ring;
Determining the state of the retaining ring based on the received energy.
前記送出され受け取られるエネルギーが音波である、請求項10に記載の方法。   The method of claim 10, wherein the transmitted and received energy is sound waves. 前記送出され受け取られるエネルギーが光信号である、請求項10に記載の方法。   The method of claim 10, wherein the transmitted and received energy is an optical signal. 前記送出され受け取られるエネルギーが磁界である、請求項10に記載の方法。   The method of claim 10, wherein the transmitted and received energy is a magnetic field. 前記エネルギーが液体により送出され受け取られる、請求項10に記載の方法。   The method of claim 10, wherein the energy is delivered and received by a liquid. 前記研磨モジュールに配置されたロードカップアセンブリの近傍に前記キャリアヘッドを移動させるステップであり、前記センサデバイスが前記ロードカップアセンブリの本体に配置される、ステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。   The method of claim 10, further comprising moving the carrier head proximate to a load cup assembly disposed in the polishing module, wherein the sensor device is disposed in a body of the load cup assembly. .
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