JP2013253283A - 無電解めっき浴 - Google Patents
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Abstract
【課題】電磁波透過性のある微細アイランド構造を有する金属膜を安定して成膜できる無電解めっき浴を提供する。
【解決手段】無電解めっき浴1は、互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなるパラジウム膜3を基材2上に成膜するめっき浴であって、0.001〜0.1モル/リットルのパラジウム化合物と、0.001〜1.0モル/リットルの次亜リン酸化合物または亜リン酸化合物と、0.01〜5モル/リットルのアミン化合物と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】無電解めっき浴1は、互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなるパラジウム膜3を基材2上に成膜するめっき浴であって、0.001〜0.1モル/リットルのパラジウム化合物と、0.001〜1.0モル/リットルの次亜リン酸化合物または亜リン酸化合物と、0.01〜5モル/リットルのアミン化合物と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、電磁波透過性に優れたパラジウム膜を成膜する無電解めっき浴に関する。
ミリ波レーダ装置は30〜300GHzのミリ波帯の電波を出射し反射波をもとに、100m程度の範囲内の障害物等の存在および障害物等との間の相対速度を検出する。ミリ波レーダ装置は電波を用いるため、霧、降雨、または降雪時においても使用可能である。
近年、自動車にミリ波レーダ装置が搭載され始めている。その目的は、警報発生、警告表示、危険回避を援助する制御、または自動走行制御等である。すなわち、自動車に搭載されたレーダ装置は、ユーザーの視覚を補助し、衝突事故などの防止に役立つ。
自動車の前方の障害物を検知するためには、レーダ装置はフロントグリルの内部に配設する必要がある。しかし、例えば、フロントグリルのエンブレム等は、高度のデザイン性(意匠性)が要求されており、曲面を多用した立体的な外観に加えて、高級感のある金属光沢が不可欠である。軽量化および低コスト化のため、通常のエンブレム等は樹脂の表面に金属膜を成膜することで製造されている。しかし、金属膜はミリ波帯の電波を吸収/散乱してしまうため、レーダ装置の精度低下を招くおそれがあった。
これに対して、特開2002−135030号公報には、樹脂の上に、真空蒸着法により微細アイランド構造を有し、電磁波透過性のあるインジウム膜を形成したエンブレムが開示されている。
また、特開2011−163903号公報および特開2011−162839号公報には、基材である樹脂の上に、無電解めっき法により成膜されたニッケル膜等が、例えば10000個/mm2以下の領域からなる微細アイランド構造を有する場合に、金属光沢があり、かつ電磁波透過性を有することが開示されている。
しかし、複雑な形状の表面に、安定した所定の微細アイランド構造を有する金属膜を成膜することは容易ではないことがあった。これは従来の電磁波透過性膜の微細アイランド構造の発現要因が、金属めっき膜と基材との熱膨張係数差であり、めっき後に加熱処理することにより、めっき膜にクラックを発生させているためと推定される。すなわち、表面形状に凹凸があると、めっき膜に印加される応力に大きな面内分布が生じるため、アイランド構造の形成状態に大きな差が生じるおそれがあった。
このため、電磁波透過性のある微細アイランド構造を有する金属膜を安定して成膜できる無電解めっき浴が求められていた。
本発明の実施形態は、電磁波透過性のある微細アイランド構造を有する金属膜を安定して成膜できる無電解めっき浴を提供することを目的とする。
本発明の実施形態の無電解めっき浴は、互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなるパラジウム膜を基材上に成膜するめっき浴であって、0.001〜0.1モル/リットルのパラジウム化合物と、0.001〜1.0モル/リットルの次亜リン酸化合物または亜リン酸化合物と、0.01〜5モル/リットルのアミン化合物と、を含む。
本発明の実施形態によれば、電磁波透過性のある微細アイランド構造を有する金属膜を安定して成膜できる無電解めっき浴を提供することができる。
以下、実施形態の無電解めっき浴1について説明する。
無電解めっき浴1によれば、図1に示すような、互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなる微細アイランド構造を有するパラジウム膜3を、基材2上に成膜することができる。
無電解めっき浴1によれば、図1に示すような、互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなる微細アイランド構造を有するパラジウム膜3を、基材2上に成膜することができる。
無電解めっき浴1は、パラジウム化合物と、次亜リン酸化合物または亜リン酸化合物と、アミン化合物と、を含む。
パラジウム化合物は、パラジウムイオン源であり、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、酢酸パラジウム、硝酸パラジウム、エチレンジアミンパラジウム、ジニトロジアアミンパラジウム、ジクロロジアミンパラジウムまたはジクロロテトラアンミンパラジウム等から選択される1種以上を用いる。
パラジウム化合物の濃度は、0.001〜0.1モル/リットルであり、好ましくは、0.005〜0.05モル/リットルである。前記範囲内であれば安定して析出が進行する。
次亜リン酸化合物および亜リン酸化合物はパラジウムイオンの還元剤であり、次亜リン酸ナトリウムまたは亜リン酸ナトリウム等から選択される1種以上を用いる。なお、リンはめっき膜に共析するため、パラジウム膜3は厳密にはパラジウムリン合金膜である。パラジウム膜3のリン含有率は、例えば、0〜7wt%程度である。
還元剤濃度は、0.001〜1.0モル/リットルであり、好ましくは、0.002〜0.1モル/リットルである。前記範囲以上であれば安定して析出が進行し、前記範囲以下であれば浴が自己分解するおそれがない。
アミン化合物は、モノアミン類、ジアミン類、ポリアミン類、ニトリロ三酢酸、グリシン、イミノジ酢酸、または前記化合物の塩等から選択される1種以上を用いる。
なお、モノアミン類としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、等がある。ジアミン類としては、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等がある。ポリアミン類としては、ジエチレントリアミン、ペンタエチレンヘキサミン等が好ましく、特に好ましくは、エチレンジアミンである。
アミン化合物の濃度は、0.01〜5モル/リットルであり、好ましくは、0.05〜1モル/リットルである。前記範囲以上であればパラジウムの沈殿が発生するおそれがなく、かつ、めっき膜3に均一な内部応力が発生し、前記範囲以下であれば、浴の粘度が過度に上昇することがない。
アミン化合物は、銅めっき浴等にも添加されることがある。しかし、後述するように、無電解めっき浴1では、めっき膜に均一な内部応力を発生するために添加されている。言い替えれば、アミン化合物は、均一な微細アイランド構造の形成のために不可避の要素である。
基材2としては、樹脂、セラミックス、紙、ガラスまたは繊維等を用いることができる。樹脂としては、熱可塑性絶縁性樹脂および熱硬化性絶縁性樹脂のいずれを用いてもよく、特に限定されるものではない。例えば、ABS樹脂、AES樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、セルロース樹脂、またはポリフェニレンスルフィド樹脂等を用いることができる。
また、基材2の形状は特に限定はなく、板材、シート材、またはフィルム材等の他、自動車のエンブレム等の立体形状のものを用いることもできる。特に、無電解めっき浴1によれば、複雑な立体形状を有する基材2であっても、基材2の表面全面に均一な金属被膜を形成できるだけでなく、凹凸の大きな面上にも均一なアイランド構造が形成できる。
次に、実施形態の無電解めっき浴1によるパラジウム膜3の成膜の一例について説明する。
図3に示すように、基材2としては、自動車のエンブレムを模した表面に大きな凹凸のある立体形状のものを使用した。成膜方法は、通常の無電解めっき法と同様である。すなわち、一般にキャタリスト溶液と称されるスズ−パラジウム混合触媒溶液に基材を浸漬し、水洗の後、5vol%〜10vol%の硫酸または塩酸からなるアクセレータ(促進剤)に浸漬し、基材2の表面に吸着したパラジウムを触媒として、パラジウム膜3を析出させた。
なお、基材2の表面が平滑であり、触媒が吸着しにくい場合等には、触媒化処理の前に、機械的処理、化学的処理または光学的処理(UV処理、プラズマ処理等)等によって、基材2の表面を粗面化または活性化するなどの前処理を行ってもよい。なお、パラジウム膜3を成膜しない基材2の表面には、予め図示しないマスキング層等によるマスキング処理が施されている。もちろん、基材2の全面にパラジウム膜3を成膜してもよいし、全面に成膜後に不要領域のパラジウム膜3を剥離してもよい。
無電解めっき浴1の使用条件は、pHは4.0〜12.0であり、好ましくは、5.0〜11.0である。前記範囲以上であれば析出速度が速く、前記範囲以下であれば浴が自己分解するおそれがない。
浴温は、20〜80℃であり、好ましくは25〜70℃あり、特に好ましくは、室温以上40℃未満である。前記範囲以上であれば析出速度が速く、前記範囲以下であれば安定で、例えば自己分解するおそれがない。
無電解めっき浴1は、浴温が室温以上40℃未満の略常温でも析出反応が進行するため加熱の必要が殆どない。このため、無電解めっき浴1は省エネルギ性に優れている。また、無電解めっき浴1は比較的、安定であるため、略常温においては、いわゆる安定化剤の添加は必要ない。
なお、40℃超の浴温で使用する無電解めっき浴1は、安定化剤として硫黄化合物を含むことが好ましい。
硫黄化合物は、硫化エチル、硫化メチル、チオ尿素、チオジグリコール酸、チオグリコール酸、チオリンゴ酸、チオシアン酸、チオン酸、亜硫酸、または前記化合物の塩等から選択される1種以上が好ましく、特に好ましくは、チオジグリコール酸である。
硫黄化合物の濃度は、0.00001(0.01ミリ)〜0.01モル/リットルであり、好ましくは、0.00003(0.03ミリ)〜0.001モル/リットルであり、特に好ましくは、0.00005〜0.0005モル/リットルである。前記範囲内であれば、無電解めっき浴1は40℃超の浴温においても非常に安定であり、析出反応が大きくは阻害されない。
パラジウム膜3の厚さは、めっき時間により調整される。例えば、めっき時間60秒では、パラジウム膜3の厚さは、0.03μmである。
そして、基材2の表面に成膜されたパラジウム膜3は、水洗工程または乾燥工程等の後処理工程において、膜に残留する内部応力により微細なクラックが生じ、互いに絶縁された複数の微細領域に分割されることで微細アイランド構造が形成される。
パラジウム膜3の微細アイランド構造の原因は、次亜リン酸を還元剤とする無電解めっき浴1では副反応として水素発生すること、パラジウムが水素吸蔵金属であること、水素を吸蔵すると内部応力が増加するとともに脆性化すること、等と考えられる。
アイランド構造が、膜自体の内部応力により形成されるため、凹凸のある基体の表面に成膜されてもパラジウム膜3では、基体の表面形状に起因する応力分布は生じにくい。このため、パラジウム膜3は、凹凸のある表面にも、均一な微細アイランド構造が形成可能である。
パラジウム膜3の電磁波透過減衰量は、アジレント社製ネットワークアナライザーを用いて、30〜300GHzの範囲において測定した。測定では、最初に、基材2の電磁波透過減衰量を測定しておき、次に、試料(基材+パラジウム膜3)電磁波透過減衰量を測定した。そして、試料の電磁波透過減衰量から基材の電磁波透過減衰量を差し引き、パラジウム膜3の電磁波透過減衰量を求めた。
また、パラジウム膜3の微細領域の密度は、顕微鏡により表面写真を撮影し、画像処理ソフトを用いて、所定面積(1mm2)中の個数をカウントした、別途、複数の領域を観察し、密度の相違、すなわち、微細領域の均一性を測定した。
図4に、パラジウム膜3の微細領域の密度(個/mm2)と、76.5GHzにおける透過減衰量(dB)との関係を示す。微細領域の密度が高くなるにつれて、透過減衰量は小さくなっている。実用上、問題とないと判断される透過減衰量−0.5dB以下になるのは、微細領域の密度が10000個/mm2以上であり、特に好ましい透過減衰量−0.1dB以下になるのは、密度が20000個/mm2以上であった。
なお、微細領域の密度は、パラジウム膜3の厚さと相関関係があり、透過減衰量−0.5dB以下になるのは、厚さ0.5μm以下であり、透過減衰量−0.1dB以下になるのは、0.3μm以下であった。
また、基材2の平坦部と、凹部と、凸部と、傾斜部とで、パラジウム膜3の微細領域の密度は略一定であり、微細領域の面内分布の均一性が高いことが確認された。
なお、アミン化合物未添加浴から成膜されたパラジウム膜でも微細アイランド構造が形成されていたが、基材2の平坦部と、凹部と、凸部と、傾斜部とで、パラジウム膜の微細領域の密度は大きく異なっていた。
すなわち、アミン化合物未添加浴では、平坦部では微細領域の密度が20000個/mm2以上であったが、凸部および凸部では、10000個/mm2未満であり、傾斜部では50000個/mm2を超えることがあった。
なお、密度が50000個/mm2を超えた場合、または、厚さ0.05μm未満の場合には、パラジウム膜は金属光沢がなく、装飾めっき用途としては不適であった。
本発明は、上述した実施形態または変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
1…無電解めっき浴
2…基材
3…パラジウム膜
2…基材
3…パラジウム膜
Claims (7)
- 互いに絶縁された10000個/mm2を超える密度の複数の微細領域からなるパラジウム膜を基材上に成膜する無電解めっき浴であって、
0.001〜0.1モル/リットルのパラジウム化合物と、
0.001〜1.0モル/リットルの次亜リン酸化合物または亜リン酸化合物と、
0.01〜5モル/リットルのアミン化合物と、を含むことを特徴とする。 - 前記アミン化合物が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ペンタエチレンヘキサミン、ニトリロ三酢酸、グリシン、イミノジ酢酸、または前記化合物の塩から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の無電解めっき浴。
- 前記金属膜が、前記密度が20000〜50000個/mm2、厚さが0.05〜0.3μmで、76.5GHzの電磁波の透過減衰量が−0.1dB以下の電磁波透過性であることを特徴とする請求項2に記載の無電解めっき浴。
- 成膜温度が、室温以上40℃未満であることを特徴とする請求項3に記載の無電解めっき浴。
- 0.00001〜0.01モル/リットルの硫黄化合物を含むことを特徴とする請求項3に記載の無電解めっき浴。
- 前記硫黄化合物が、硫化エチル、硫化メチル、チオ尿素、チオジグリコール酸、チオグリコール酸、チオリンゴ酸、チオシアン酸、チオン酸、亜硫酸、または前記化合物の塩から選択される1種以上であることを特徴とする請求項5に記載の無電解めっき浴。
- 表面に凹凸のある樹脂からなる前記基材上に前記パラジウム膜を成膜することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の無電解めっき浴。
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