JP2013251312A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、半導体装置のさらなる微細化を実現可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ピラー28の下端28Aに設けられた第1の不純物拡散領域16と、ピラー28の上端28Cに設けられた第2の不純物拡散領域38と、対向配置されたピラー28の第1の側面28aのうち、第1の不純物拡散領域16と第2の不純物拡散領域38との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜22と、ピラー28の上部28Bに位置する第2の側面28bに設けられた第2のゲート絶縁膜32と、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触し、隣接するピラー28間に配置された第1のゲート電極24と、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触し、隣接するピラー28間に設けられた第2のゲート電極34と、を有する。
【選択図】図1B
【解決手段】ピラー28の下端28Aに設けられた第1の不純物拡散領域16と、ピラー28の上端28Cに設けられた第2の不純物拡散領域38と、対向配置されたピラー28の第1の側面28aのうち、第1の不純物拡散領域16と第2の不純物拡散領域38との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜22と、ピラー28の上部28Bに位置する第2の側面28bに設けられた第2のゲート絶縁膜32と、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触し、隣接するピラー28間に配置された第1のゲート電極24と、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触し、隣接するピラー28間に設けられた第2のゲート電極34と、を有する。
【選択図】図1B
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
半導体装置の集積度向上は、主にトランジスタの微細化によって達成されてきた。トランジスタの微細化は、もはや限界に近づいており、これ以上、トランジスタサイズを縮小すると、短チャネル効果などによって正しく動作しない恐れが生じている。
このような問題を根本的に解決する方法として、立体加工した半導体基板にトランジスタを3次元的に形成する方法が提案されている。半導体基板の主面に対して垂直方向に延びるシリコンピラーをチャネルとして用いる3次元トランジスタは、占有面積が小さく且つ完全空乏化によって大きなドレイン電流が得られるという利点を有しており、4F2の最密レイアウトも実現可能である。
図26は、特許文献1に開示されたセルトランジスタの断面図である。
図26に示すように、特許文献1に開示されたセルトランジスタ200は、半導体基板201の主面を掘り下げることで形成されたピラー202と、ピラー202の上端に設けられた第1の不純物拡散領域204と、ピラー202の下部に設けられた第2の不純物拡散領域(図示せず)と、ピラー202の対向する側面を覆うゲート絶縁膜206と、ゲート絶縁膜206を介して、ピラー202の対向する側面に設けられた一対のゲート電極207と、を有する。
図26に示すように、特許文献1に開示されたセルトランジスタ200は、半導体基板201の主面を掘り下げることで形成されたピラー202と、ピラー202の上端に設けられた第1の不純物拡散領域204と、ピラー202の下部に設けられた第2の不純物拡散領域(図示せず)と、ピラー202の対向する側面を覆うゲート絶縁膜206と、ゲート絶縁膜206を介して、ピラー202の対向する側面に設けられた一対のゲート電極207と、を有する。
隣接するピラー202間に配置された2つのゲート電極207は、完全に分離されている。この2つのゲート電極207は、ピラー202間の溝の内面(ピラー202の側面を含む)を覆う導電膜を成膜した後、該導電膜をエッチバックすることで形成する。
図26に示すセルトランジスタ200は、4F2の最密レイアウトが実現可能であるが、さらに微細化が進展した場合、例えば、F40nm以降の4F2のレイアウトの場合、対向するピラー202の側面に成膜された導電膜間に形成される隙間がかなり狭くなるため、エッチバックにより、該隙間の下方に位置する導電膜を除去して導電膜を分割(分離)させることが困難となる恐れがあった。
本発明の一観点によれば、半導体基板に形成されたピラーと、前記ピラーの下端に設けられた第1の不純物拡散領域と、前記ピラーの上端に設けられた第2の不純物拡散領域と、対向配置された前記ピラーの第1の側面のうち、前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜と、前記第1の側面の反対側に位置し、かつ対向配置された前記ピラーの第2の側面のうち、前記ピラーの上端を含む該ピラーの上部に位置する面に設けられた第2のゲート絶縁膜と、対向配置された前記第1のゲート絶縁膜と接触するように、隣接する前記ピラー間に配置され、かつ第1の方向に延在する第1のゲート電極と、対向配置された前記第2のゲート絶縁膜と接触するように、隣接する前記ピラー間に設けられ、かつ前記第1の方向に延在する第2のゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明の半導体装置によれば、ピラーの下端に設けられた第1の不純物拡散領域と、ピラーの上端に設けられた第2の不純物拡散領域と、対向配置されたピラーの第1の側面のうち、第1の不純物拡散領域と第2の不純物拡散領域との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜と、第1の側面の反対側に位置し、かつ対向配置されたピラーの第2の側面のうち、ピラーの上端を含む該ピラーの上部に位置する面に設けられた第2のゲート絶縁膜と、対向配置された第1のゲート絶縁膜と接触するように、隣接するピラー間に配置され、かつ第1の方向に延在する第1のゲート電極と、対向配置された第2のゲート絶縁膜と接触するように、隣接するピラー間に設けられ、かつ前記第1の方向に延在する第2のゲート電極と、を有することにより、1つのピラーの上下にそれぞれ1つのトランジスタが配置され、この2つのトランジスタがOn状態になった際に、選択されたセルに電流を流すことが可能となる。
これにより、隣接するピラー間に配置されるゲート電極を2つに分割する必要がなくなる。言い換えれば、隣接するピラー間にゲート電極の母材となる導電膜を成膜後、異方性エッチングにより、該導電膜を2つに分割する必要がなくなる。
したがって、半導体装置のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現することができる。
したがって、半導体装置のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現することができる。
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
(実施の形態)
図1Aは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、第1及び第2のゲート電極とビット線の位置関係を説明するための図である。図1Aにおいて、X方向はビット線43の延在方向(第2の方向)を示しており、Y方向は第1及び第2のゲート電極24,34の延在方向(第1の方向)を示している。
なお、図1Aは、第1及び第2のゲート電極24,34とビット線43の位置関係を説明する図であるので、これら以外の半導体装置10の構成要素の図示を省略する。
図1Aは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図であり、第1及び第2のゲート電極とビット線の位置関係を説明するための図である。図1Aにおいて、X方向はビット線43の延在方向(第2の方向)を示しており、Y方向は第1及び第2のゲート電極24,34の延在方向(第1の方向)を示している。
なお、図1Aは、第1及び第2のゲート電極24,34とビット線43の位置関係を説明する図であるので、これら以外の半導体装置10の構成要素の図示を省略する。
図1Bは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図1Aに示すA−A線断面に対応する図である。
図1Cは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図1Aに示すB−B線断面に対応する図である。
なお、図1A、図1B、及び図1Cでは、本実施の形態の半導体装置10の一例として、抵抗変化型のセルを有する半導体装置(例えば、ReRAMや相変化メモリ等)を例に挙げて図示する。
図1Cは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図1Aに示すB−B線断面に対応する図である。
なお、図1A、図1B、及び図1Cでは、本実施の形態の半導体装置10の一例として、抵抗変化型のセルを有する半導体装置(例えば、ReRAMや相変化メモリ等)を例に挙げて図示する。
図1A、図1B、及び図1Cを参照するに、本実施の形態の半導体装置10は、半導体基板11と、第1の溝13と、絶縁膜14と、第1の不純物拡散領域16と、第1の層間絶縁膜18と、第2の溝19と、第1の埋め込み絶縁膜21と、第1のゲート絶縁膜22と、第1のゲート電極24と、第2の層間絶縁膜25と、第3の溝27と、ピラー28と、第2の埋め込み絶縁膜31と、第2のゲート絶縁膜32と、第2のゲート電極34と、トランジスタ35−1,35−2と、第3の層間絶縁膜36と、コンタクトホール37と、第2の不純物拡散領域38と、記憶素子41と、ビット線43と、第4の層間絶縁膜44と、を有する。
半導体基板11は、板状とされた基板である。半導体基板11としては、例えば、p型単結晶シリコン基板を用いることができる。以下、半導体基板11としてp型単結晶シリコン基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
第1の溝13は、X方向に延在する溝であり、半導体基板11の主面11aを掘り下げることで形成される。第1の溝13は、Y方向に対して所定の間隔(例えば、L/S=40nm/40nm)で複数設けられている。
複数の第1の溝13は、Y方向において対向配置されたピラー28の第3の側面28c、或いはY方向において対向配置されたピラー28の第4の側面28dを露出している。
第1の溝13の幅が40nmの場合、第1の溝13の深さは、例えば、200nmとすることができる。
複数の第1の溝13は、Y方向において対向配置されたピラー28の第3の側面28c、或いはY方向において対向配置されたピラー28の第4の側面28dを露出している。
第1の溝13の幅が40nmの場合、第1の溝13の深さは、例えば、200nmとすることができる。
絶縁膜14は、第1の溝13の内面(ピラー28の第3及び第4の側面28c,28dを含む)を覆うように設けられている。絶縁膜14の厚さは、第1の溝13を埋め込まない厚さとされている。絶縁膜14としては、例えば、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第1の不純物拡散領域16は、複数のピラー28の下端28Aに設けられると共に、複数のピラー28の下方において層状に設けられている。これにより、複数のピラー28に設けられた第1の不純物拡散領域16は、一体に構成されている。
第1の不純物拡散領域16は、半導体基板11にn型不純物をドープすることで形成される。
第1の不純物拡散領域16は、半導体基板11にn型不純物をドープすることで形成される。
第1の層間絶縁膜18は、絶縁膜14を介して、複数の第1の溝13を埋め込むと共に、第1の溝18の上方で、かつ記憶素子41を構成するコンタクトプラグ46の上面46aよりも下方に位置する部分を埋め込むように配置されている。
第1の層間絶縁膜18の上面18aは、コンタクトプラグ46の上面46aに対して面一とされている。第1の層間絶縁膜18としては、シリコン窒化膜(SiN膜)を用いることができる。
第1の層間絶縁膜18の上面18aは、コンタクトプラグ46の上面46aに対して面一とされている。第1の層間絶縁膜18としては、シリコン窒化膜(SiN膜)を用いることができる。
第2の溝19は、Y方向に延在する溝であり、半導体基板11の主面11aを掘り下げることで形成されている。
第2の溝19は、X方向に対して、所定の間隔(例えば、L/S=120nm/40nm)で複数設けられている。これにより、第2の溝19は、第1の溝13と交差(図1A、図1B、及び図1Cでは直交)している。第2の溝19は、X方向において、対向配置された2つのピラー28の第1の側面28aを露出している。
第2の溝19の幅が40nmの場合、第2の溝19の深さは、例えば、200nmとすることができる。
第2の溝19は、X方向に対して、所定の間隔(例えば、L/S=120nm/40nm)で複数設けられている。これにより、第2の溝19は、第1の溝13と交差(図1A、図1B、及び図1Cでは直交)している。第2の溝19は、X方向において、対向配置された2つのピラー28の第1の側面28aを露出している。
第2の溝19の幅が40nmの場合、第2の溝19の深さは、例えば、200nmとすることができる。
第1の埋め込み絶縁膜21は、第1のゲート電極24の形成領域よりも下方に位置する第2の溝19を埋め込むように配置されている。第1の埋め込み絶縁膜21は、第1のゲート電極24の直下に配置されている。
第1の埋め込み絶縁膜21は、第1のゲート電極24の高さ方向の位置を調整するための絶縁膜である。第1の埋め込み絶縁膜21としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第1の埋め込み絶縁膜21は、第1のゲート電極24の高さ方向の位置を調整するための絶縁膜である。第1の埋め込み絶縁膜21としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第1のゲート絶縁膜22は、対向配置された2つのピラー28の第1の側面28aのうち、第1の埋め込み絶縁膜21よりも上方に位置する面を覆うように設けられている。第1のゲート絶縁膜22としては、例えば、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
なお、第1のゲート絶縁膜22は、少なくともピラー28の第1の側面28aのうち、第1の不純物拡散領域16と第2の不純物拡散領域38との間に位置する面に配置されていればよい。
なお、第1のゲート絶縁膜22は、少なくともピラー28の第1の側面28aのうち、第1の不純物拡散領域16と第2の不純物拡散領域38との間に位置する面に配置されていればよい。
第1のゲート電極24は、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触するように、隣接するピラー28間に配置され、かつY方向に延在している。第1のゲート電極24は、1つの第2の溝19に対して1つ配置されている。
第1のゲート電極24は、その下端がピラー28に設けられた第1の不純物拡散領域16の一部と重なるように配置されている。
第1のゲート電極24は、その下端がピラー28に設けられた第1の不純物拡散領域16の一部と重なるように配置されている。
第2の層間絶縁膜25は、第2の溝19、及び第2の溝19の上方で、かつコンタクトプラグ46の上面46aよりも下方に位置する部分を埋め込むように配置されている。第2の層間絶縁膜25の上面25aは、コンタクトプラグ46の上面46aに対して面一とされている。
第2の層間絶縁膜25としては、例えば、シリコン窒化膜(SiN膜)を用いることができる。
第2の層間絶縁膜25としては、例えば、シリコン窒化膜(SiN膜)を用いることができる。
第3の溝27は、第2の溝19と同じ方向(Y方向)に延在する溝であり、半導体基板11の主面11aを掘り下げることで形成されている。第3の溝27は、第2の溝19により第1の側面28aが露出され、かつY方向に配列された2列のピラー群(複数のピラー28により構成された群)をX方向から挟み込むように配置されている。
ピラー28は、第1乃至第3の溝13,19,27を半導体基板11に形成することで区画された柱状部であり、半導体基板11を母材としている。ピラー28は、X方向及びY方向に対して所定の間隔で、複数配置されている。
ピラー28は、第2の溝19に露出された第1の側面28aと、第3の溝27に露出され、かつ第1の側面28aの反対側に配置された第2の側面28bと、第1の溝13に露出された第3及び第4の側面28c,28dと、を有する。
ピラー28は、第2の溝19に露出された第1の側面28aと、第3の溝27に露出され、かつ第1の側面28aの反対側に配置された第2の側面28bと、第1の溝13に露出された第3及び第4の側面28c,28dと、を有する。
第2の埋め込み絶縁膜31は、第2のゲート電極34の直下に配置されている。第2の埋め込み絶縁膜31は、第3の溝27のうち、第2のゲート電極34よりも下方に位置する部分を埋め込むように設けられている。
第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置されている。第2の埋め込み絶縁膜31は、第2のゲート電極34を第1のゲート電極21よりも上方に配置するための絶縁膜である。
第2の埋め込み絶縁膜31としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置されている。第2の埋め込み絶縁膜31は、第2のゲート電極34を第1のゲート電極21よりも上方に配置するための絶縁膜である。
第2の埋め込み絶縁膜31としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第2のゲート絶縁膜32は、対向配置されたピラー28の第2の側面28bのうち、ピラー28の上部28Bに位置する面(言い換えれば、第2の埋め込み絶縁膜31よりも上方に位置する面)に設けられている。
第2のゲート絶縁膜32としては、例えば、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第2のゲート電極34は、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触するように、隣接するピラー28間に設けられている。第2のゲート電極34は、Y方向に延在している。第2のゲート電極34は、1つの第3の溝27に対して1つ配置されている。第2のゲート電極34は、第1のゲート電極24よりも上方に配置されている。
第2のゲート絶縁膜32としては、例えば、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第2のゲート電極34は、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触するように、隣接するピラー28間に設けられている。第2のゲート電極34は、Y方向に延在している。第2のゲート電極34は、1つの第3の溝27に対して1つ配置されている。第2のゲート電極34は、第1のゲート電極24よりも上方に配置されている。
トランジスタ35−1は、複数のピラー28の下部にそれぞれ1つ設けられており、トランジスタ35−2は、複数のピラー28の上部にそれぞれ1つ設けられている。
つまり、1つのセルに対して、上下に配置されたトランジスタ35−1,35−2が設けられている(図3参照)。
よって、所定のセル(選択セル)を動作させる場合には、2つのトランジスタ35−1,35−2の両方をOn状態にする必要がある。
つまり、1つのセルに対して、上下に配置されたトランジスタ35−1,35−2が設けられている(図3参照)。
よって、所定のセル(選択セル)を動作させる場合には、2つのトランジスタ35−1,35−2の両方をOn状態にする必要がある。
これにより、第1のゲート絶縁膜22を介して、隣接するピラー28と接触する第1のゲート電極24と、第2のゲート絶縁膜32を介して、隣接するピラー28と接触する第2のゲート電極34と、を設けても、所定のセル(選択セル)を動作させる際に、隣接するセルが動作することを防止できる。
第3の層間絶縁膜36は、第2のゲート電極34の上方であって、コンタクトプラグ46の上面46aよりも下方で、かつ第2のゲート電極34の上面との間に位置する部分に配置されている。
第3の層間絶縁膜36の上面36aは、コンタクトプラグ46の上面46aに対して面一とされている。第3の層間絶縁膜36としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第3の層間絶縁膜36の上面36aは、コンタクトプラグ46の上面46aに対して面一とされている。第3の層間絶縁膜36としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
コンタクトホール37は、第2の不純物拡散領域38の上方に、第2の不純物拡散領域38の上面38aを露出するように設けられている。
第2の不純物拡散領域38は、複数のピラー28の上端28C(ピラー28の上部28Bの一部を構成する部分)に設けられている。第2の不純物拡散領域38は、第1のゲート電極24の上方に配置されており、第1のゲート電極24とは重なっていない。第2の不純物拡散領域38は、その一部(下端)が第2のゲート電極34と重なっている。
複数のピラー28に設けられた第2の不純物拡散領域38は、他のピラー28に設けられた第2の不純物拡散領域38とは完全に分離されている。
第2の不純物拡散領域38は、複数のピラー28の上端28Cにn型不純物をドープすることで形成される。
第2の不純物拡散領域38は、複数のピラー28の上端28C(ピラー28の上部28Bの一部を構成する部分)に設けられている。第2の不純物拡散領域38は、第1のゲート電極24の上方に配置されており、第1のゲート電極24とは重なっていない。第2の不純物拡散領域38は、その一部(下端)が第2のゲート電極34と重なっている。
複数のピラー28に設けられた第2の不純物拡散領域38は、他のピラー28に設けられた第2の不純物拡散領域38とは完全に分離されている。
第2の不純物拡散領域38は、複数のピラー28の上端28Cにn型不純物をドープすることで形成される。
記憶素子41は、第2の不純物拡散領域38の上方に配置されており、コンタクトプラグ46と、可変抵抗膜47と、上部電極膜48と、を有する。
コンタクトプラグ46は、コンタクトホール37を充填しており、下端が第2の不純物拡散領域38の上面38aと接触している。
これにより、記憶素子41は、第2の不純物拡散領域38と電気的に接続されている。コンタクトプラグ46の上面46aは、第2の層間絶縁膜25の上面25a、及び第3の層間絶縁膜36の上面36aに対して面一とされている。
コンタクトプラグ46は、コンタクトホール37を充填しており、下端が第2の不純物拡散領域38の上面38aと接触している。
これにより、記憶素子41は、第2の不純物拡散領域38と電気的に接続されている。コンタクトプラグ46の上面46aは、第2の層間絶縁膜25の上面25a、及び第3の層間絶縁膜36の上面36aに対して面一とされている。
可変抵抗膜47は、X方向に延在する帯状の膜(記憶層)であり、X方向に配置された複数のコンタクトプラグ46の上端と接続されている。可変抵抗膜47は、Y方向に所定の間隔で複数設けられている。
可変抵抗膜47は、印加する電圧の大きさによって抵抗値が変化する膜であり、例えば、金属酸化物等を用いることができる。
可変抵抗膜47は、印加する電圧の大きさによって抵抗値が変化する膜であり、例えば、金属酸化物等を用いることができる。
上部電極膜48は、可変抵抗膜47の上面を覆うように設けられている。これにより、上部電極膜48は、X方向に延在している。
上記構成とされた記憶素子41は、記憶素子41の下方に配置された複数のトランジスタ35−2と電気的に接続されている。
上記構成とされた記憶素子41は、記憶素子41の下方に配置された複数のトランジスタ35−2と電気的に接続されている。
ビット線43は、記憶素子41上に配置されており、上部電極膜48の上面を覆うように設けられている。
これにより、ビット線43は、X方向に延在すると共に、第1及び第2のゲート電極24,34と交差(本実施の形態の場合、直交)している。ビット線43は、Y方向に対して、所定の間隔で複数配置されている。
これにより、ビット線43は、X方向に延在すると共に、第1及び第2のゲート電極24,34と交差(本実施の形態の場合、直交)している。ビット線43は、Y方向に対して、所定の間隔で複数配置されている。
第4の層間絶縁膜44は、第1の層間絶縁膜18の上面18a、第2の層間絶縁膜25の上面25a、及び第3の層間絶縁膜36の上面36aに、複数の可変抵抗膜47、複数の上部電極膜48、及び複数のビット線43を覆う厚さで設けられている。
第4の層間絶縁膜44としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
第4の層間絶縁膜44としては、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いることができる。
なお、図1A、図1B、及び図1Cには、図示していないが、ビット線43上に配置された第4の層間絶縁膜44を貫通するビア、及び第4の層間絶縁膜44上に配置され、かつ該ビアと電気的に接続された配線等を設けてもよい。
図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の等価回路を示す図である。図2に示す点線で囲んだ領域Aが図1Bに示す構造体に対応している。図2において、図1Bに示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
また、図2では、説明の便宜上、図3に示す2つの第2のゲート電極34のうち、左側に位置する第2のゲート電極34をWL1、図3に示す第1のゲート電極24をWL2、図3に示す2つの第2のゲート電極34のうち、右側に位置する第2のゲート電極34をWL3、図3に示すビット線43をBL2として図示する。
また、図2では、説明の便宜上、図3に示す2つの第2のゲート電極34のうち、左側に位置する第2のゲート電極34をWL1、図3に示す第1のゲート電極24をWL2、図3に示す2つの第2のゲート電極34のうち、右側に位置する第2のゲート電極34をWL3、図3に示すビット線43をBL2として図示する。
図3は、図1Bに示す半導体装置に設けられた所定のセル(選択セル)を動作させる際に半導体装置の各構成要素に印加する電圧の条件を示す図である。図3において、図2に示す構成要素と同一構成部分には、同一符号を付す。
また、図3では、選択されたセルを選択セルB1として図示し、選択セルと隣接する非選択のセルを非選択セルB2として図示する。
また、図3では、選択されたセルを選択セルB1として図示し、選択セルと隣接する非選択のセルを非選択セルB2として図示する。
図4は、図3に示す条件でセルを動作させた際のIds−Vgateの曲線を示す図である。なお、図4に示すデータを取得する際、記憶素子41の抵抗値Rを100kΩとした。
次に、図3及び図4を参照して、本実施の形態の半導体装置10の動作について説明する。
Vgate=1Vの場合、選択セルB1に設けられたトランジスタ35−1,35−2は、両方ともOn状態となる。よって、選択セルB1には、電流が流れる。
一方、非選択セルB2(選択セルB1に隣接する隣接セル)では、下側に配置されたトランジスタ35−1がOn状態となるが、上側に配置されたトランジスタ35−2がOFF状態となる。このため、非選択セルB2には電流が流れない。
Vgate=1Vの場合、選択セルB1に設けられたトランジスタ35−1,35−2は、両方ともOn状態となる。よって、選択セルB1には、電流が流れる。
一方、非選択セルB2(選択セルB1に隣接する隣接セル)では、下側に配置されたトランジスタ35−1がOn状態となるが、上側に配置されたトランジスタ35−2がOFF状態となる。このため、非選択セルB2には電流が流れない。
このように、1つのピラー28の上下にトランジスタ(トランジスタ35−1,35−2)を設け、2つのトランジスタ35−1,35−2の両方がOn状態のときに、セルを動作させることにより、従来必要であった隣接するピラー28間に配置されるゲート電極の分離(分割)が不要となる。
本実施の形態の半導体装置によれば、ピラー28の下端28Aに設けられた第1の不純物拡散領域16と、ピラー28の上端28Cに設けられた第2の不純物拡散領域38と、対向配置されたピラー28の第1の側面28aのうち、第1の不純物拡散領域16と第2の不純物拡散領域38との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜22と、第1の側面28aの反対側に位置し、かつ対向配置されたピラー28の第2の側面28bのうち、ピラー28の上部28Bに位置する面に設けられた第2のゲート絶縁膜32と、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触するように、隣接するピラー28間に配置され、かつY方向に延在する第1のゲート電極24と、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触するように、隣接するピラー28間に設けられ、かつY方向に延在する第2のゲート電極34と、を有することにより、1つのピラー28の上下にそれぞれ1つのトランジスタ35−1,35−2が配置され、この2つのトランジスタ35−1,35−2がOn状態になった際に、選択セルB1に電流を流すことが可能となる。
これにより、隣接するピラー28間に配置される第1及び第2のゲート電極24,34を2つに分割する必要がなくなる。言い換えれば、隣接するピラー28間に第1及び第2のゲート電極24,34の母材となる導電膜を成膜後、異方性エッチングにより、該導電膜を2つに分割する必要がなくなる。
したがって、半導体装置10のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現することができる。
特に、ReRAMや相変化メモリ等の半導体記憶装置に有効である。
特に、ReRAMや相変化メモリ等の半導体記憶装置に有効である。
図5〜図25は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図5A、図6A、図7A、図8A、図9A、図10A、図11A、図12A、図13A、図14A、図15A、図16A、図17A、図18A、図19A、図20A、図21A、図22A、図23A、及び図24Aは、製造途中の半導体装置の平面図である。図25Aは、完成された半導体装置の平面図である。
なお、図25Aでは、説明の便宜上、半導体装置10を構成する第4の層間絶縁膜44の図示を省略する。
なお、図25Aでは、説明の便宜上、半導体装置10を構成する第4の層間絶縁膜44の図示を省略する。
図5B、図6B、図7B、図8B、図9B、図10B、図11B、図12B、図13B、図14B、図15B、図16B、図17B、図18B、図19B、図20B、図21B、図22B、図23B、及び図24Bは、図1Bに示す半導体装置の切断面に対応する製造途中の半導体装置の断面図である。図25Bは、図1Bに示す半導体装置の切断面に対応する完成された半導体装置の断面図である。
図5C、図6C、図7C、図8C、図9C、図10C、図11C、図12C、図13C、図14C、図15C、図16C、図17C、図18C、図19C、図20C、図21C、図22C、図23C、及び図24Cは、図1Cに示す半導体装置の切断面に対応する製造途中の半導体装置の断面図である。図25Cは、図1Cに示す半導体装置の切断面に対応する完成された半導体装置の断面図である。
図5〜図25を参照して、本実施の形態に係る半導体装置10の製造方法について説明する。
始めに、図5A、図5B、及び図5Cに示す工程では、半導体基板11(例えば、p型単結晶シリコン基板)を準備する。次いで、周知の手法により、半導体基板11上に、シリコン窒化膜(SiN膜)よりなり、かつ第1の溝13の形成領域に位置する主面11aを露出する溝部55Aを複数有したエッチングマスク55を形成する。
シリコン窒化膜(SiN膜)の厚さは、例えば、200nmとすることができる。
始めに、図5A、図5B、及び図5Cに示す工程では、半導体基板11(例えば、p型単結晶シリコン基板)を準備する。次いで、周知の手法により、半導体基板11上に、シリコン窒化膜(SiN膜)よりなり、かつ第1の溝13の形成領域に位置する主面11aを露出する溝部55Aを複数有したエッチングマスク55を形成する。
シリコン窒化膜(SiN膜)の厚さは、例えば、200nmとすることができる。
次いで、エッチングマスク55を介した異方性エッチング(例えば、ドライエッチング)により、複数の溝部55Aの下方に位置する半導体基板11をエッチングすることで、X方向に延在し、かつピラー28(図1C参照)の第3及び第4の側面28c,28dを露出する第1の溝13を形成する。
複数の第1の溝13は、例えば、L/S=40nm/40nm、でかつ深さが200nmとなるように形成する。半導体基板11のうち、第1の溝13間に位置する部分は、ピラー28の母材となる。
複数の第1の溝13は、例えば、L/S=40nm/40nm、でかつ深さが200nmとなるように形成する。半導体基板11のうち、第1の溝13間に位置する部分は、ピラー28の母材となる。
次いで、図6A、図6B、及び図6Cに示す工程では、周知の手法により、複数の第1の溝13の内面(第3及び第4の側面28c,28dを含む面)を覆う絶縁膜14を形成する。
具体的には、例えば、複数の第1の溝13の内面(半導体基板11の面)を熱酸化させることで、絶縁膜14として、厚さ5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。
具体的には、例えば、複数の第1の溝13の内面(半導体基板11の面)を熱酸化させることで、絶縁膜14として、厚さ5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。
次いで、イオン注入法により、絶縁膜14を介して、複数の第1の溝13の底部に位置する半導体基板11にn型不純物をドープする。
これにより、半導体基板11のうち、ピラー28(図1C参照)の下端となる部分11A(図17Bに示すピラー28の下端28Aの母材となる部分)、及びその下方に位置する半導体基板11に、第1の不純物拡散領域16が形成される。
第1の不純物拡散領域16は、半導体基板11の部分11Aの下方において、層状に形成されている。
これにより、半導体基板11のうち、ピラー28(図1C参照)の下端となる部分11A(図17Bに示すピラー28の下端28Aの母材となる部分)、及びその下方に位置する半導体基板11に、第1の不純物拡散領域16が形成される。
第1の不純物拡散領域16は、半導体基板11の部分11Aの下方において、層状に形成されている。
次いで、図7A、図7B、及び図7Cに示す工程では、周知の手法により、絶縁膜14が形成された複数の第1の溝13、及び複数の溝部55Aを埋め込み、かつ上面18aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第1の層間絶縁膜18を形成する。
具体的には、第1の層間絶縁膜18は、例えば、CVD法により、複数の第1の溝13、及び複数の溝部55Aを埋め込むシリコン窒化膜(SiN膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン窒化膜(SiN膜)を除去することで形成する。
次いで、図8A、図8B、及び図8Cに示す工程では、図7A、図7B、及び図7Cに示す構造体上に、第2の溝19の形成領域の上方に位置する第1の層間絶縁膜18の上面18a及びエッチングマスク55の上面55aを露出する溝部57Aを有した第1のレジストマスク57を形成する。
溝部57Aは、Y方向に延在している。なお、図8Aでは、1つの溝部57Aのみを図示したが、溝部57Aは、X方向に複数形成する。
溝部57Aは、Y方向に延在している。なお、図8Aでは、1つの溝部57Aのみを図示したが、溝部57Aは、X方向に複数形成する。
次いで、図9A、図9B、及び図9Cに示す工程では、異方性エッチング(例えば、ドライエッチング)により、図8A、図8B、及び図8Cに示す構造体のうち、溝部57Aの下方に位置する第1の層間絶縁膜18及びエッチングマスク55をエッチングすることで、複数の溝部58を形成する。
次いで、図8A、図8B、及び図8Cに示す第1のレジストマスク57を除去した後、異方性エッチング(例えば、ドライエッチング)により、複数の溝部58が露出する半導体基板11及び第1の層間絶縁膜18をエッチングすることで、第1の溝13と交差するY方向に延在し、かつ対向配置されたピラー28(図1B参照)の第1の側面28aを露出する第2の溝19を複数形成する。
このとき、第2の溝19は、第1の不純物拡散領域16に到達する深さとなるように形成する。第2の溝19の幅が40nmの場合、第2の溝19の深さは、例えば、200nmとすることができる。
このとき、第2の溝19は、第1の不純物拡散領域16に到達する深さとなるように形成する。第2の溝19の幅が40nmの場合、第2の溝19の深さは、例えば、200nmとすることができる。
次いで、図10A、図10B、及び図10Cに示す工程では、周知の手法により、複数の第2の溝19、及び複数の溝部58を埋め込み、かつ上面21aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第1の埋め込み絶縁膜21を形成する。
具体的には、第1の埋め込み絶縁膜21は、例えば、CVD法により、複数の第2の溝19、及び複数の溝部58を埋め込むシリコン酸化膜(SiO2膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン酸化膜(SiO2膜)を除去することで形成する。
この段階では、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aは、図1Bに示す第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置されている。
具体的には、第1の埋め込み絶縁膜21は、例えば、CVD法により、複数の第2の溝19、及び複数の溝部58を埋め込むシリコン酸化膜(SiO2膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン酸化膜(SiO2膜)を除去することで形成する。
この段階では、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aは、図1Bに示す第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置されている。
次いで、図11A、図11B、及び図11Cに示す工程では、シリコン酸化膜(SiO2膜)が選択的にエッチングされ、かつシリコン窒化膜(SiN膜)がエッチングされにくいエッチング条件を用いて、第1の埋め込み絶縁膜21を選択的にエッチバックすることで、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aを第1の不純物拡散領域16の上面16aよりも少し下方に配置する。
これにより、第2の溝19の底部に、第1のゲート電極24の直下に配置される図1Bに示す第1の埋め込み絶縁膜21が形成されると共に、第1の埋め込み絶縁膜21から、第1の側面28aのうち、第1のゲート絶縁膜22の形成領域に対応する面が露出される。
これにより、第2の溝19の底部に、第1のゲート電極24の直下に配置される図1Bに示す第1の埋め込み絶縁膜21が形成されると共に、第1の埋め込み絶縁膜21から、第1の側面28aのうち、第1のゲート絶縁膜22の形成領域に対応する面が露出される。
次いで、図12A、図12B、及び図12Cに示す工程では、周知の手法により、対向配置された第1の側面28aのうち、第1の埋め込み絶縁膜21から露出された面に、第1のゲート絶縁膜22を形成する。
具体的には、第1の埋め込み絶縁膜21から露出された第1の側面28aを熱酸化することで、第1のゲート絶縁膜22として、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。
具体的には、第1の埋め込み絶縁膜21から露出された第1の側面28aを熱酸化することで、第1のゲート絶縁膜22として、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。
次いで、図13A、図13B、及び図13Cに示す工程では、周知の手法により、第1の埋め込み絶縁膜21及び第1のゲート絶縁膜22が形成された第2の溝22、及び溝部58を埋め込み、かつ上面59aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第1の導電膜59を形成する。
次いで、図14A、図14B、及び図14Cに示す工程では、第1の導電膜59をエッチバックして、図13Bに示す状態から第1の導電膜59の上面59aを下方(半導体基板11の主面11aよりも下方)に移動させることで、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aに、第1の導電膜59よりなり、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触し、かつY方向に延在する第1のゲート電極24を形成する。
つまり、図14A、図14B、及び図14Cに示す工程では、1つの第2の溝19に、1つの第1のゲート電極24を形成する。
つまり、図14A、図14B、及び図14Cに示す工程では、1つの第2の溝19に、1つの第1のゲート電極24を形成する。
このように、1つの第2の溝19に1つの第1のゲート電極24を形成することで、第1の導電膜59を2つに分割する異方性エッチングを行う必要がなくなるため、半導体装置10の微細化がさらに進展した場合でも第1のゲート電極24を容易に形成することが可能となる。これにより、半導体装置10のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現できる。
なお、図14A及び図14Bでは、1つの第1のゲート電極24のみを図示したが、図14A、図14B、及び図14Cに示す工程では、X方向に形成された複数の第2の溝19の下部に、それぞれ1つの第1のゲート電極24が形成される。
次いで、図15A、図15B、及び図15Cに示す工程では、周知の手法により、第1のゲート電極24上に位置する第2の溝22、及び溝部58を埋め込み、かつ上面25aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第2の層間絶縁膜25を形成する。
具体的には、例えば、CVD法により、第1のゲート電極24上に位置する第2の溝22、及び溝部58を埋め込むシリコン窒化膜(SiN膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン窒化膜(SiN膜)を除去することで、シリコン窒化膜(SiN膜)よりなる第2の層間絶縁膜25を形成する。
具体的には、例えば、CVD法により、第1のゲート電極24上に位置する第2の溝22、及び溝部58を埋め込むシリコン窒化膜(SiN膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン窒化膜(SiN膜)を除去することで、シリコン窒化膜(SiN膜)よりなる第2の層間絶縁膜25を形成する。
次いで、図16A、図16B、及び図16Cに示す工程では、第1のゲート電極24の両側に位置する半導体基板11であって、ピラー28(図1B参照)の形成領域に対応する部分の上方に位置する第1の層間絶縁膜18の上面18a及びエッチングマスク55の上面55aと、第2の層間絶縁膜25の上面25aと、を覆う第2のレジストマスク62を形成する。第2のレジストマスク62は、Y方向に延在している。
なお、図16A及び図16Bでは、1つの第2のレジストマスク62のみを図示したが、第2のレジストマスク62は、X方向に複数形成されている。
なお、図16A及び図16Bでは、1つの第2のレジストマスク62のみを図示したが、第2のレジストマスク62は、X方向に複数形成されている。
次いで、図17A、図17B、及び図17Cに示す工程では、図16A、図16B、及び図16Cに示す第2のレジストマスク62を介した異方性エッチング(例えば、ドライエッチング)により、エッチングマスク55及び第1の層間絶縁膜18をエッチングすることで、Y方向に延在し、かつピラー28(図1B参照)の形成領域に対応する半導体基板11の主面11a及び第1の層間絶縁膜18を露出する複数の溝部63を形成し、その後、図16A、図16B、及び図16Cに示す第2のレジストマスク62を除去する。
次いで、異方性エッチング(例えば、ドライエッチング)により、複数の溝部63が露出する半導体基板11及び第1の層間絶縁膜18をエッチングすることで、第2の溝19と同じ方向に延在すると共に、第1の溝13と交差し、かつ対向配置されたピラー28の第2の側面28bを露出する第3の溝部63を複数形成する。
このとき、第3の溝部63は、第1の不純物拡散領域16に到達する深さで形成する。 第3の溝63の深さは、第2の溝19と同じ深さにすることができる。
これにより、X方向及びY方向に所定の間隔で配置され、かつ柱状とされた複数のピラー28が形成される。つまり、複数のピラー28は、半導体基板11に第1乃至第3の溝13,19,27を加工することで形成される。
これにより、X方向及びY方向に所定の間隔で配置され、かつ柱状とされた複数のピラー28が形成される。つまり、複数のピラー28は、半導体基板11に第1乃至第3の溝13,19,27を加工することで形成される。
次いで、図18A、図18B、及び図18Cに示す工程では、周知の手法により、第3の溝27及び溝部63を埋め込み、かつ上面31aが第2の層間絶縁膜25の上面25aに対して面一とされた第2の埋め込み絶縁膜31を形成する。
具体的には、例えば、CVD法により、第3の溝27及び溝部63を埋め込むシリコン酸化膜(SiO2膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン酸化膜(SiO2膜)を除去することで、シリコン酸化膜(SiO2膜)よりなる第2の埋め込み絶縁膜31を形成する。
この段階では、第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、図1Bに示す第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aの位置よりも上方に配置されている。
具体的には、例えば、CVD法により、第3の溝27及び溝部63を埋め込むシリコン酸化膜(SiO2膜)を成膜し、その後、CMP法により、エッチングマスク55の上面55aよりも上方に位置する余分なシリコン酸化膜(SiO2膜)を除去することで、シリコン酸化膜(SiO2膜)よりなる第2の埋め込み絶縁膜31を形成する。
この段階では、第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、図1Bに示す第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aの位置よりも上方に配置されている。
次いで、図19A、図19B、及び図19Cに示す工程では、シリコン酸化膜(SiO2膜)を選択的にエッチングする条件(シリコン窒化膜(SiN膜)がエッチングされにくい条件)を用いて、図18A及び図18Bに示す第2の埋め込み絶縁膜31をエッチバックして、第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aを下方に移動させることで、エッチバック後の第2の埋め込み絶縁膜31から第2のゲート絶縁膜32(図1B参照)の形成領域に対応する第2の側面28bを露出させる。
エッチバック後の第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置する。エッチバック後の第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、例えば、第1のゲート電極24の上面24aに対して面一となるように配置する。
これにより、第3の溝27の下部に、第2のゲート電極34(図1B参照)の直下に配置される図1Bに示す第2の埋め込み絶縁膜31が形成される。
エッチバック後の第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、第1の埋め込み絶縁膜21の上面21aよりも上方に配置する。エッチバック後の第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aは、例えば、第1のゲート電極24の上面24aに対して面一となるように配置する。
これにより、第3の溝27の下部に、第2のゲート電極34(図1B参照)の直下に配置される図1Bに示す第2の埋め込み絶縁膜31が形成される。
次いで、図20A、図20B、及び図20Cに示す工程では、周知の手法により、第2の埋め込み絶縁膜31から露出され、第2の埋め込み絶縁膜31の上面31aよりも上方に位置するピラー28の第2の側面28b(言い換えれば、第1のゲート電極24よりも上方に配置されたピラー28の上部28B)を覆う第2のゲート絶縁膜32を形成する。
具体的には、例えば、第2の埋め込み絶縁膜31の上方に位置するピラー28の第2の側面28bを熱酸化することで、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)よりなる第2のゲート絶縁膜32を形成する。
具体的には、例えば、第2の埋め込み絶縁膜31の上方に位置するピラー28の第2の側面28bを熱酸化することで、厚さが5nmのシリコン酸化膜(SiO2膜)よりなる第2のゲート絶縁膜32を形成する。
次いで、図21A、図21B、及び図21Cに示す工程では、周知の手法により、第2のゲート絶縁膜32上に位置する第3の溝27、及び溝部63を埋め込み、かつ上面65aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第2の導電膜65を形成する。
次いで、図22A、図22B、及び図22Cに示す工程では、図21A、図21B、及び図21Cに示す第2の導電膜65をエッチバックして、第2の導電膜65の上面65a(第2のゲート電極34の上面34a)の位置を半導体基板11の主面11aよりも下方に配置することで、Y方向に延在し、第1のゲート電極24よりも上方に配置されると共に、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触し、かつ第2の導電膜65よりなる第2のゲート電極34を複数形成する。
つまり、図22A、図22B、及び図22Cに示す工程では、1つの第3の溝27に、1つの第2のゲート電極34を形成する。
つまり、図22A、図22B、及び図22Cに示す工程では、1つの第3の溝27に、1つの第2のゲート電極34を形成する。
このように、1つの第3の溝27に1つの第2のゲート電極34を形成することで、第2の導電膜65を2つに分割する異方性エッチングを行う必要がなくなるため、半導体装置10の微細化がさらに進展した場合でも第2のゲート電極34を容易に形成することが可能となる。これにより、半導体装置10のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現できる。
次いで、図23A、図23B、及び図23Cに示す工程では、第2のゲート電極34上に位置する第3の溝27、及び溝部63を埋め込み、かつ上面36aがエッチングマスク55の上面55aに対して面一とされた第3の層間絶縁膜36を形成する。
このとき、第3の層間絶縁膜36としては、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いる。
このとき、第3の層間絶縁膜36としては、シリコン酸化膜(SiO2膜)を用いる。
次いで、図24A、図24B、及び図24Cに示す工程では、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により、ピラー28の上面28e(半導体基板11の主面11a)を露出するコンタクトホール37を形成する。
次いで、イオン注入法により、ピラー28の上面28eに、n型不純物をドープすることで、ピラー28の上端28Cに第2の不純物拡散領域38を形成する。このとき、第2の不純物拡散領域38は、その下端が第2のゲート電極34と重なるように形成する。
これにより、1つのピラー28に、ピラー28の下部に配置された1つのトランジスタ35−1と、ピラー28の上部に配置された1つのトランジスタ35−2と、が形成される。
つまり、1つのセルを動作させるための2つのトランジスタ35−1,35−2が形成される。
これにより、1つのピラー28に、ピラー28の下部に配置された1つのトランジスタ35−1と、ピラー28の上部に配置された1つのトランジスタ35−2と、が形成される。
つまり、1つのセルを動作させるための2つのトランジスタ35−1,35−2が形成される。
次いで、周知の手法により、コンタクトホール37を埋め込み、かつ上面46aが第3の層間絶縁膜36の上面36aに対して面一とされたコンタクトプラグ46を形成する。
これにより、コンタクトプラグ46の下端は、第2の不純物拡散領域38の上面38aと接触する。
なお、図24B及び図24Cでは、CMP装置を用いたコンタクトプラグ46を形成する際の研磨により、コンタクトプラグ46の深さを調整してもよい。
これにより、コンタクトプラグ46の下端は、第2の不純物拡散領域38の上面38aと接触する。
なお、図24B及び図24Cでは、CMP装置を用いたコンタクトプラグ46を形成する際の研磨により、コンタクトプラグ46の深さを調整してもよい。
次いで、図25A、図25B、及び図25Cに示す工程では、周知の手法により、第2の層間絶縁膜25の上面25a、第3の層間絶縁膜36の上面36a、及びX方向に配列された複数のコンタクトプラグ46の上面46aに、X方向に延在する帯状の可変抵抗膜47と、可変抵抗膜47の上面を覆い、かつX方向に延在する上部電極膜48と、上部電極膜48の上面を覆い、かつX方向に延在するビット線43と、を一括形成する。
これにより、コンタクトプラグ46、可変抵抗膜47、及び上部電極膜48よりなり、かつ第2の不純物拡散領域38と電気的に接続された記憶素子41が形成される。
また、ビット線43は、第1及び第2のゲート電極24,34と交差している。
これにより、コンタクトプラグ46、可変抵抗膜47、及び上部電極膜48よりなり、かつ第2の不純物拡散領域38と電気的に接続された記憶素子41が形成される。
また、ビット線43は、第1及び第2のゲート電極24,34と交差している。
次いで、周知の手法により、第1の層間絶縁膜18の上面18a、第2の層間絶縁膜25の上面25a、及び第3の層間絶縁膜36の上面36aに、可変抵抗膜47、上部電極膜48、及びビット線43を覆う第4の層間絶縁膜44(例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜))を形成する。
これにより、本実施の形態の半導体装置10が製造される。
これにより、本実施の形態の半導体装置10が製造される。
なお、図25A、図25B、及び図25Cには、図示していないが、ビット線43上に位置する第4の層間絶縁膜44を貫通し、かつビット線43と電気的に接続されたビア(図示せず)、第4の層間絶縁膜44上に配置され、かつ該ビアと電気的に接続された配線(図示せず)等を設けてもよい。
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板11のうち、少なくともピラー28の下端28Aとなる部分11Aに第1の不純物拡散領域16を形成し、次いで、半導体基板11のうち、対向配置されたピラー28の第1の側面28aに、第1のゲート絶縁膜22を形成し、次いで、対向配置された第1のゲート絶縁膜22と接触するように、Y方向に延在する第1のゲート電極24を形成し、次いで、第1の側面28aの反対側に位置し、かつ対向配置されたピラー28の第2の側面28bのうち、第1のゲート電極24よりも上方に位置する面に、第2のゲート絶縁膜32を形成し、次いで、対向配置された第2のゲート絶縁膜32と接触するように、Y方向に延在する第2のゲート電極34を形成し、その後、ピラー28の上端28Cに第2の不純物拡散領域38を形成することにより、1つのピラー28の上下にそれぞれ1つのトランジスタ35−1,35−2が配置され、この2つのトランジスタ35−1,35−2がOn状態になった際に、選択セルB1に電流を流すことが可能となる。
これにより、隣接するピラー28間に配置される第1及び第2のゲート電極24,34を2つに分割する必要がなくなる。言い換えれば、隣接するピラー28間に第1及び第2のゲート電極24,34の母材となる導電膜を成膜後、異方性エッチングにより、該導電膜を2つに分割する必要がなくなる。
したがって、半導体装置10のさらなる微細化(F40nm以降の4F2のレイアウト)を実現することができる。
特に、ReRAMや相変化メモリ等の半導体記憶装置に有効である。
特に、ReRAMや相変化メモリ等の半導体記憶装置に有効である。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
本発明は、半導体装置及びその製造方法に適用可能である。
10…半導体装置、11…半導体基板、11a…主面、11A…部分、13…第1の溝、14…絶縁膜、16…第1の不純物拡散領域、16a,18a,21a,24a,25a,28e,31a,34a,36a,38a,46a,55a,59a,65a…上面、18…第1の層間絶縁膜、19…第2の溝、21…第1の埋め込み絶縁膜、22…第1のゲート絶縁膜、24…第1のゲート電極、25…第2の層間絶縁膜、27…第3の溝、28…ピラー、28a…第1の側面、28b…第2の側面、28c…第3の側面、28d…第4の側面、28A…下端、28B…上部、28C…上端、31…第2の埋め込み絶縁膜、32…第2のゲート絶縁膜、34…第2のゲート電極、35−1,35−2…トランジスタ、36…第3の層間絶縁膜、37…コンタクトホール、38…第2の不純物拡散領域、41…記憶素子、43…ビット線、44…第4の層間絶縁膜、46…コンタクトプラグ、47…可変抵抗膜、48…上部電極膜、55…エッチングマスク、55A,57A,58,63…溝部、57…第1のレジストマスク、59…第1の導電膜、62…第2のレジストマスク、65…第2の導電膜、A…領域、B1…選択セル、B2…非選択セル
Claims (12)
- 半導体基板に形成されたピラーと、
前記ピラーの下端に設けられた第1の不純物拡散領域と、
前記ピラーの上端に設けられた第2の不純物拡散領域と、
対向配置された前記ピラーの第1の側面のうち、前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域との間に位置する面に設けられた第1のゲート絶縁膜と、
前記第1の側面の反対側に位置し、かつ対向配置された前記ピラーの第2の側面のうち、前記ピラーの上端を含む該ピラーの上部に位置する面に設けられた第2のゲート絶縁膜と、
対向配置された前記第1のゲート絶縁膜と接触するように、隣接する前記ピラー間に配置され、かつ第1の方向に延在する第1のゲート電極と、
対向配置された前記第2のゲート絶縁膜と接触するように、隣接する前記ピラー間に設けられ、かつ前記第1の方向に延在する第2のゲート電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の不純物拡散領域の上方に配置され、かつ該第2の不純物拡散領域と電気的に接続された記憶素子と、
前記記憶素子上に配置され、かつ前記第1の方向と交差する第2の方向に延在するビット線と、
を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記記憶素子は、前記第2の不純物拡散領域上に配置され、かつ下端が前記第2の不純物拡散領域の上面と接触するコンタクトプラグと、
前記第2の方向に延在し、かつ前記コンタクトプラグの上端と接続された可変抵抗膜と、
前記可変抵抗膜の上面を覆うように配置され、前記第2の方向に延在する上部電極膜と、
を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記第1の不純物拡散領域は、前記ピラーの下方において層状に配置されており、隣接する前記ピラーに設けられた前記第1の不純物拡散領域は、一体に構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のうち、いずれか1項記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極の直下に配置された第1の埋め込み絶縁膜と、
前記第2のゲート電極の直下に配置され、上面が前記第1の埋め込み絶縁膜よりも上方に配置された第2の埋め込み絶縁膜と、
を有することを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の半導体装置。 - 半導体基板のうち、少なくともピラーの下端となる部分に第1の不純物拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板のうち、対向配置された前記ピラーの第1の側面に、第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
対向配置された前記第1のゲート絶縁膜と接触するように、第1の方向に延在する第1のゲート電極を形成する工程と、
前記第1の側面の反対側に位置し、かつ対向配置された前記ピラーの第2の側面のうち、前記第1のゲート電極よりも上方に配置された前記ピラーの上部に位置する面に、第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
対向配置された前記第2のゲート絶縁膜と接触するように、前記第1の方向に延在する第2のゲート電極を形成する工程と、
前記ピラーの上端に第2の不純物拡散領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板をエッチングすることで、前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延在し、かつ前記ピラーの第3及び第4の側面を露出する第1の溝を形成する工程と、
前記半導体基板をエッチングすることで、前記第1の溝と交差するように前記第1の方向に延在し、かつ対向配置された前記ピラーの前記第1の側面を露出する第2の溝を形成する工程と、
前記半導体基板をエッチングすることで、前記第1の溝と交差するように前記第1の方向に延在し、かつ対向配置された前記ピラーの前記第2の側面を露出する第3の溝を形成する工程と、
を有し、
前記ピラーは、前記第1乃至第3の溝を加工することで形成し、
前記第1のゲート電極を形成する工程では、前記第2の溝を埋め込むように、前記第1のゲート電極の母材となる第1の導電膜を成膜後、該第1の導電膜をエッチバックすることで前記第1のゲート電極を形成し、
前記第2のゲート電極を形成する工程では、前記第3の溝を埋め込むように、前記第2のゲート電極の母材となる第2の導電膜を成膜後、該第2の導電膜をエッチバックすることで前記第2のゲート電極を形成することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1のゲート電極を形成する工程の前に、前記第2の溝の底部に、前記第1のゲート電極の直下に配置される第1の埋め込み絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のゲート電極を形成する工程の前に、前記第3の溝の下部に、前記第2のゲート電極の直下に配置され、かつ上面が前記第1の埋め込み絶縁膜の上面よりも上方に配置された第2の埋め込み絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の不純物拡散領域は、イオン注入法により、前記第1の溝の底部に不純物をドープすることで形成することを特徴とする請求項6乃至9のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の不純物拡散領域の上方に配置され、かつ該第2の不純物拡散領域と電気的に接続された記憶素子を形成する工程と、
前記記憶素子上に配置され、かつ前記第1及び第2のゲート電極と交差し、前記第2の方向に延在するビット線を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項7ないし10のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記記憶素子を形成する工程は、前記第2の不純物拡散領域上に、下端が前記第2の不純物拡散領域の上面と接触するコンタクトプラグを形成する工程と、
前記第2の方向に延在し、かつ前記コンタクトプラグの上端と接続された可変抵抗膜を形成する工程と、
前記可変抵抗膜の上面を覆うように配置され、前記第2の方向に延在する上部電極膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
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JP2012123151A JP2013251312A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
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