JP2013247063A - Conductive pattern forming substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

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秀樹 鈴木
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憲賢 品田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive pattern forming substrate which has low electrical resistance and high reliability in electrical connection, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A conductive pattern forming substrate 1 including an insulating base material 2 and a conductive pattern 4 provided on an outer surface of the insulating base material 2 is characterized in that the conductive pattern 4 includes: a fine particle layer 5 which is held on the insulating base material 2 in a state where a plurality of silver nanowires NW are dispersed in a light transmissive resin; and a connection part 8 which is provided at a part of the fine particle layer 5 and in which the silver nanowires NW are electrically and physically connected to each other.

Description

本発明は、導電パターン形成基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive pattern forming substrate and a manufacturing method thereof.

従来、基板上に形成された導電パターンの例として、ITO(インジウムスズ酸化物)や導電性ナノワイヤーを有する導電パターンが知られている。これらの導電パターンは、光透過性を有する導電パターンを構成することができ、タッチパネルの画面上に配置される透明電極などに採用されている。   Conventionally, as an example of a conductive pattern formed on a substrate, a conductive pattern having ITO (indium tin oxide) or conductive nanowires is known. These conductive patterns can constitute a light-transmitting conductive pattern, and are employed for transparent electrodes arranged on the screen of the touch panel.

例えば特許文献1には、導電パターンと、導電パターンから絶縁された絶縁パターンとが、基材(基体シート)上に形成された導電パターン形成基板(導電性ナノファイバーシート)が開示されている。特許文献1に記載の導電パターンでは、導電性ナノワイヤーが互いに接することにより導通が確保されている。   For example, Patent Document 1 discloses a conductive pattern forming substrate (conductive nanofiber sheet) in which a conductive pattern and an insulating pattern insulated from the conductive pattern are formed on a base material (base sheet). In the conductive pattern described in Patent Document 1, conduction is ensured by bringing the conductive nanowires into contact with each other.

特開2010−140859号公報JP 2010-140859 A

しかしながら、特許文献1に開示された技術では、導電性ナノワイヤーが互いに接した状態で保持されているものの、単に接しているだけなので接触抵抗が高く、また導電性ナノワイヤーが離間して電気的に絶縁状態となる可能性がある。   However, in the technique disclosed in Patent Document 1, although the conductive nanowires are held in contact with each other, the contact resistance is high because they are simply in contact with each other, and the conductive nanowires are separated and electrically There is a possibility of insulation.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、電気抵抗が低く、電気的接続の確実性が高い導電パターン形成基板及びその製造方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of the situation mentioned above, The objective is to provide a conductive pattern formation board | substrate with low electrical resistance and high reliability of electrical connection, and its manufacturing method.

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板は、絶縁基材と、前記絶縁基材の外面に設けられた導電パターンとを備えた導電パターン形成基板であって、前記導電パターンは、前記絶縁基材上に、複数の微小金属粒子が互いに接触する状態で保持された微粒子層と、光透過性樹脂中に前記微粒子層が保持された状態で固定された導電層と、前記微粒子層の一部に設けられ前記微小金属粒子同士が溶接され電気的且つ物理的に接続された接続部と、を有することを特徴とする導電パターン形成基板である。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The conductive pattern forming substrate of the present invention is a conductive pattern forming substrate comprising an insulating base material and a conductive pattern provided on the outer surface of the insulating base material, wherein the conductive pattern is on the insulating base material, A fine particle layer held in a state where a plurality of fine metal particles are in contact with each other, a conductive layer fixed in a state where the fine particle layer is held in a light-transmitting resin, and a part of the fine particle layer provided above A conductive pattern forming substrate having a connection portion in which fine metal particles are welded and electrically and physically connected.

また、前記微小金属粒子は導電性極細繊維であり、前記導電性極細繊維は、2次元状のネットワークを形成するように分散されてなっていてもよい。   The fine metal particles may be conductive fine fibers, and the conductive fine fibers may be dispersed so as to form a two-dimensional network.

また、前記導電パターンには、長手軸を有する電極あるいは長手軸を有する配線が形成されており、前記接続部は、前記長手軸に沿って配されていてもよい。   The conductive pattern may be provided with an electrode having a longitudinal axis or a wiring having a longitudinal axis, and the connecting portion may be arranged along the longitudinal axis.

また、本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、複数の微小金属粒子が光透過性樹脂に分散された微粒子層を絶縁基材上に形成し、前記微粒子層の一部において前記微小金属粒子を除去することにより絶縁パターン及び導電パターンを形成し、前記微粒子層において前記導電パターンとなる部分の一部に対して前記微小金属粒子を加熱する加熱手段を作用させて隣接する前記微小金属粒子の接触箇所を一体化することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法である。   Further, the method for producing a conductive pattern forming substrate of the present invention comprises forming a fine particle layer in which a plurality of fine metal particles are dispersed in a light-transmitting resin on an insulating substrate, and the fine metal particles in a part of the fine particle layer. The insulating pattern and the conductive pattern are formed by removing and the heating means for heating the fine metal particles is applied to a part of the part that becomes the conductive pattern in the fine particle layer. It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate characterized by integrating a contact location.

また、前記加熱手段を作用させた後に前記導電パターンを形成してもよい。
前記加熱手段は、前記微粒子層に対するレーザー光の照射であり、前記レーザー光が照射された部位において隣接する前記微小金属粒子同士を溶接することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
Further, the conductive pattern may be formed after the heating means is operated.
The method for manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the heating means is irradiation of laser light to the fine particle layer, and the adjacent minute metal particles are welded to each other at a portion irradiated with the laser light.

また、前記レーザー光の照射はパルス状レーザーの照射であってもよい。   The laser beam irradiation may be pulsed laser irradiation.

また、前記加熱手段を作用させて隣接する前記微小金属粒子を接続する工程は、複数の前記絶縁基材を切り出し可能な長尺の基材原反における前記導電パターン形成基板となる領域内に対して行なわれてもよい。   Further, the step of connecting the adjacent minute metal particles by applying the heating means is performed in a region that becomes the conductive pattern forming substrate in a long base material that can cut out the plurality of insulating base materials. May be performed.

また、前記導電パターンとして、長手軸を有する電極あるいは長手軸を有する配線を形成し、前記加熱手段を、前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸に沿って線状に作用させてもよい。   Further, an electrode having a longitudinal axis or a wiring having a longitudinal axis may be formed as the conductive pattern, and the heating means may be caused to act linearly along the longitudinal axis of the electrode or the longitudinal axis of the wiring.

また、前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸に沿って前記加熱手段を複数回作用させてもよい。   Further, the heating means may be operated a plurality of times along the longitudinal axis of the electrode or the longitudinal axis of the wiring.

また、前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸と平行で互いに離間する複数個所に対して前記加熱手段を線状に作用させてもよい。   Further, the heating means may be applied linearly to a plurality of locations that are parallel to the longitudinal axis of the electrode or the longitudinal axis of the wiring and are spaced apart from each other.

本発明の導電パターン形成基板及びその製造方法によれば、導電パターンにおける電気抵抗が低く、電気的接続の確実性が高い。   According to the conductive pattern forming substrate and the manufacturing method thereof of the present invention, the electrical resistance in the conductive pattern is low, and the reliability of electrical connection is high.

本発明の一実施形態の導電パターン形成基板の模式的な平面図である。It is a typical top view of the conductive pattern formation board of one embodiment of the present invention. (A)は図1のA−A線における断面図であり、(B)は(A)の模式的な平面図である。(A) is sectional drawing in the AA of FIG. 1, (B) is a typical top view of (A). 同導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the same conductive pattern formation board | substrate. 同導電パターン形成基板の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the same conductive pattern formation board | substrate. 同導電パターン形成基板の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the same conductive pattern formation board | substrate. 図4の模式的なX矢視図である。FIG. 5 is a schematic X arrow view of FIG. 4. 同導電パターン形成基板の変形例の構成を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the structure of the modification of the same conductive pattern formation board | substrate.

本発明の一実施形態の導電パターン形成基板1およびその製造方法について説明する。
まず、本実施形態の導電パターン形成基板1の構成について説明する。図1は、本実施形態の導電パターン形成基板1の模式的な平面図である。図2(A)は図1のA−A線における断面図である。図2(B)は、図2(A)の模式的な平面図である。
The conductive pattern formation board | substrate 1 of one Embodiment of this invention and its manufacturing method are demonstrated.
First, the configuration of the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic plan view of a conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment. 2A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 2B is a schematic plan view of FIG.

図1及び図2(A)に示すように、導電パターン形成基板1は、絶縁基材2と、前記絶縁基材2の外面に設けられた透明導電層3とを備える。
絶縁基材2は、樹脂やガラス等の絶縁性を有する薄板、シート、フィルム、あるいは膜状の部材である。また、本実施形態では、絶縁基材2は光透過性を有する。
また、本実施形態では、絶縁基材2は可撓性を有する。具体的には、絶縁基材2の材料としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などの樹脂を好適に採用することができる。絶縁基材2の具体的な材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、環状ポリオレフィン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアクリル樹脂、シクロオレフィンポリマー、及び、光透過性を有する他の樹脂材料を採用することができる。
As shown in FIGS. 1 and 2A, the conductive pattern forming substrate 1 includes an insulating base 2 and a transparent conductive layer 3 provided on the outer surface of the insulating base 2.
The insulating substrate 2 is a thin plate, sheet, film, or film-like member having insulating properties such as resin or glass. Moreover, in this embodiment, the insulating base material 2 has a light transmittance.
Moreover, in this embodiment, the insulating base material 2 has flexibility. Specifically, as the material of the insulating base material 2, a resin such as a thermoplastic resin or a thermosetting resin can be suitably used. Specific materials for the insulating substrate 2 include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, cyclic polyolefin, polysulfone, polyethersulfone, polyacrylic resin, cycloolefin polymer, and light transmittance. Other resin materials can be used.

透明導電層3は、導電パターン4及び絶縁パターン9と、オーバーコート層10とを有している。   The transparent conductive layer 3 has a conductive pattern 4 and an insulating pattern 9 and an overcoat layer 10.

導電パターン4は、微粒子層5と、接続部8とを有している。
微粒子層5は、複数の微小金属粒子が光透過性樹脂に分散された状態で絶縁基材2上に保持された層である。微粒子層5を構成する微小金属粒子としては、金、銀、銅、ニッケル等を含む粒子など、導電性の高い材料を採用することができる。また、微粒子層5を構成する微小金属粒子の形状は、球状、粒状、ワイヤ状、およびロッド状とすることができる。本実施形態では、微小金属粒子として導電性極細繊維が採用されている。具体的には、導電性極細繊維は、金属ナノワイヤー等を挙げることができる。例えば、微粒子層5は、光透過性樹脂を含むオーバーコート層10により銀ナノワイヤーNWが絶縁基材2に固定されることによって構成されている。
図2(A)及び図2(B)に示すように、微小金属粒子は、互いに接し得る密度でオーバーコート層10内で分散されており、また互いに隙間が空いている。これにより、微粒子層5において微小金属粒子同士は導通し、絶縁基材2の面方向に広がる2次元状のネットワークを形成している。また、微粒子層5を構成する微小金属粒子は、絶縁基材2の厚さ方向の寸法は薄く形成されており、微粒子層5の全体としては光透過性を有する。なお、絶縁基材2の面方向の広がりに加えて絶縁基材2の厚さ方向への広がりも考慮して、微粒子層5における微小金属粒子のネットワークは3次元であると考えることもできる。
微粒子層5は、透明導電層3において電極や配線等となるように、所定の形状のパターンを有している。例えば、本実施形態では、微粒子層5は、長手軸を有し当該長手軸方向に延びる帯状の電極6と、電極6に接続された引き回し配線7とを有するパターン形状とされている。
なお、微粒子層5は、必ずしも電気が流れるパターンである必要はなく、例えば電気的に浮いた状態として構成されたシールド等のパターンも微粒子層5に含まれてよい。
The conductive pattern 4 has a fine particle layer 5 and a connection portion 8.
The fine particle layer 5 is a layer held on the insulating base material 2 in a state where a plurality of fine metal particles are dispersed in a light-transmitting resin. As the fine metal particles constituting the fine particle layer 5, a highly conductive material such as particles containing gold, silver, copper, nickel or the like can be used. Moreover, the shape of the fine metal particles constituting the fine particle layer 5 can be spherical, granular, wire-like, or rod-like. In the present embodiment, conductive ultrafine fibers are employed as the fine metal particles. Specifically, examples of the conductive ultrafine fiber include metal nanowires. For example, the fine particle layer 5 is configured by fixing the silver nanowires NW to the insulating substrate 2 with an overcoat layer 10 containing a light transmissive resin.
As shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B), the fine metal particles are dispersed in the overcoat layer 10 at a density that allows contact with each other, and there are gaps therebetween. Thereby, in the fine particle layer 5, the fine metal particles are electrically connected to each other to form a two-dimensional network extending in the surface direction of the insulating substrate 2. Further, the fine metal particles constituting the fine particle layer 5 are formed so that the dimension in the thickness direction of the insulating substrate 2 is thin, and the fine particle layer 5 as a whole has light transmittance. In addition to the spread in the surface direction of the insulating base material 2, the network of fine metal particles in the fine particle layer 5 can be considered to be three-dimensional in consideration of the spread in the thickness direction of the insulating base material 2.
The fine particle layer 5 has a pattern of a predetermined shape so as to be an electrode, a wiring or the like in the transparent conductive layer 3. For example, in the present embodiment, the fine particle layer 5 has a pattern shape including a strip-like electrode 6 having a longitudinal axis and extending in the longitudinal axis direction, and a lead wiring 7 connected to the electrode 6.
The fine particle layer 5 does not necessarily have a pattern in which electricity flows. For example, a pattern such as a shield configured as an electrically floating state may be included in the fine particle layer 5.

接続部8は、微粒子層5の一部に設けられ、微小金属粒子(本実施形態では銀ナノワイヤーNW)同士が電気的且つ物理的に接続されることにより構成されている。接続部8における微小金属粒子同士の物理的な接続は、微小金属粒子同士が溶接されることにより形成されている。本実施形態では、接続部8は、電極6内で、電極6の長手軸方向に延びる線上に形成されている。例えば、接続部8は、各電極6に対して一筋形成されている。   The connection part 8 is provided in a part of the fine particle layer 5 and is configured by electrically and physically connecting fine metal particles (in this embodiment, silver nanowires NW). The physical connection between the fine metal particles in the connecting portion 8 is formed by welding the fine metal particles. In the present embodiment, the connection portion 8 is formed in the electrode 6 on a line extending in the longitudinal axis direction of the electrode 6. For example, the connection portion 8 is formed in a single line with respect to each electrode 6.

絶縁パターン9は、透明導電層3のうち、導電パターン4以外の部分である。本実施形態では、絶縁パターン9において、微小金属粒子が除去されたことにより残る微小な孔9aが、オーバーコート層10内に形成されている。   The insulating pattern 9 is a portion other than the conductive pattern 4 in the transparent conductive layer 3. In the present embodiment, in the insulating pattern 9, a minute hole 9 a remaining after the minute metal particles are removed is formed in the overcoat layer 10.

オーバーコート層10は、微小金属粒子と絶縁基材2との密着を強化する目的で設けられた光透過性を有する層である。オーバーコート層10の厚さは、絶縁基材2上の微小金属粒子(本実施形態では銀ナノワイヤーNW)の一部がオーバーコート層10内に埋没する厚さであることが好ましい。また、微小金属粒子の一部がオーバーコート層10の外面に露出されている。   The overcoat layer 10 is a light-transmitting layer provided for the purpose of enhancing the adhesion between the fine metal particles and the insulating substrate 2. The thickness of the overcoat layer 10 is preferably such a thickness that a part of the fine metal particles (silver nanowires NW in the present embodiment) on the insulating base material 2 is buried in the overcoat layer 10. A part of the fine metal particles is exposed on the outer surface of the overcoat layer 10.

次に、導電パターン形成基板1の製造方法について説明する。図3は、導電パターン形成基板1の製造方法を示すフローチャートである。図4及び図5は、導電パターン形成基板1の製造工程を説明するための図である。また、図6は、図4の模式的なX矢視図であり、微粒子層5を拡大して示す平面図である。   Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate 1 is demonstrated. FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 1. 4 and 5 are diagrams for explaining a manufacturing process of the conductive pattern forming substrate 1. FIG. 6 is a schematic view taken in the direction of arrow X in FIG. 4 and is an enlarged plan view showing the fine particle layer 5.

まず、絶縁基材2の外面に、微小金属粒子が光透過性樹脂に分散された層状の導電性樹脂層3aを形成する(図3に示すステップS1)。
ステップS1では、まず、微小金属粒子(銀ナノワイヤーNW)と水溶性ポリマーとが水系溶媒に含有された溶液を絶縁基材2の外面に一様に塗布し、この溶液を乾燥させることにより水系溶媒を除去する。ステップS1では、図4に示すように、複数の絶縁基材2を切り出し可能な長尺の基材原反2aにおける導電パターン形成基板1となる領域内に対して溶液の塗布が行なわれる。基材原反2aに対する溶液の塗布は、印刷やコーティング等の公知の方法を適宜選択して行なうことができる。すると、微小金属粒子の外面に水溶性ポリマーが付着した状態で、水溶性ポリマーによって微小金属粒子が絶縁基材2の外面に付着する。水溶性ポリマーによって微小金属粒子が絶縁基材2に付着した状態では、微小金属粒子は絶縁基材2に対して仮固定された状態である。
First, a layered conductive resin layer 3a in which fine metal particles are dispersed in a light-transmitting resin is formed on the outer surface of the insulating substrate 2 (step S1 shown in FIG. 3).
In step S1, first, a solution containing fine metal particles (silver nanowires NW) and a water-soluble polymer in an aqueous solvent is uniformly applied to the outer surface of the insulating substrate 2, and the aqueous system is dried by drying the solution. Remove the solvent. In step S1, as shown in FIG. 4, the solution is applied to the region of the long base material 2a from which the plurality of insulating base materials 2 can be cut out to be the conductive pattern forming substrate 1. The application of the solution to the base material 2a can be performed by appropriately selecting a known method such as printing or coating. Then, with the water-soluble polymer attached to the outer surface of the fine metal particles, the fine metal particles adhere to the outer surface of the insulating substrate 2 by the water-soluble polymer. In a state where the fine metal particles are attached to the insulating base material 2 by the water-soluble polymer, the fine metal particles are temporarily fixed to the insulating base material 2.

さらに、図4に示すように、微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2を、絶縁基材2上の微小金属粒子へ照射する。微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2の照射は、本実施形態において微小金属粒子を加熱する加熱手段である。レーザーL2の照射位置は、微小金属粒子同士が単に接するだけの場合と比較して電気抵抗を低くすることを所望する位置に設定される。例えば、本実施形態では、レーザーL2は、導電パターン4となる領域内における一部に照射される。   Furthermore, as shown in FIG. 4, the laser L2 for welding the fine metal particles is irradiated to the fine metal particles on the insulating base material 2. The irradiation of the laser L2 for welding the fine metal particles is a heating means for heating the fine metal particles in the present embodiment. The irradiation position of the laser L2 is set to a position where it is desired to lower the electric resistance as compared with the case where the minute metal particles are simply in contact with each other. For example, in the present embodiment, the laser L2 is irradiated to a part of the region that becomes the conductive pattern 4.

具体的には、本実施形態において、微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2は、接続部8を形成する目的で照射されるものであり、本実施形態では、電極6となる領域において電極6の長手軸方向に線状に照射される。レーザーL2が微小金属粒子に照射されると、微小金属粒子は加熱され、隣接する微小金属粒子に対して溶接される。図6には、微小金属粒子(金属ナノワイヤーNW)における溶接箇所が符号8aで示されている。なお、微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2は、レーザーエッチングのための後述するレーザーL1よりも出力あるいはエネルギー密度が低いことが好ましい。本実施形態では、微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2の照射はパルス状レーザーの照射である。
これにより、絶縁基材2上において導電パターン4となる領域は、微小金属粒子同士が互いに接した状態で導通している微粒子層5と、微小金属粒子同士が電気的且つ物理的に接続された接続部8とを有する構造となる。
Specifically, in the present embodiment, the laser L2 for welding the fine metal particles is irradiated for the purpose of forming the connection portion 8. In the present embodiment, the electrode is formed in the region to be the electrode 6. 6 is irradiated linearly in the longitudinal direction. When the laser beam L2 is applied to the fine metal particles, the fine metal particles are heated and welded to the adjacent fine metal particles. In FIG. 6, a welded portion in the fine metal particle (metal nanowire NW) is indicated by reference numeral 8 a. The laser L2 for welding the fine metal particles preferably has a lower output or energy density than a laser L1 described later for laser etching. In this embodiment, the irradiation of the laser L2 for welding the fine metal particles is a pulsed laser irradiation.
Thereby, the area | region used as the conductive pattern 4 on the insulating base material 2 was electrically and physically connected with the fine particle layer 5 which is conducting in a state where the fine metal particles are in contact with each other. A structure having a connection portion 8 is obtained.

なお、微小金属粒子同士を溶接するためのレーザーL2の照射は、後述するステップS2におけるレーザーエッチングのためのレーザーL1の照射前あるいは照射後であってもよいし、レーザーエッチングのためのレーザーL1の照射と同時あるいは交互であってもよい。   Note that the irradiation of the laser L2 for welding the fine metal particles may be before or after the irradiation of the laser L1 for laser etching in step S2, which will be described later, or the laser L1 for laser etching. It may be simultaneous or alternating with irradiation.

続いて、微小金属粒子が基材に付着した状態で、オーバーコート層10の材料となる流動体状の光透過性樹脂を絶縁基材2の外面に塗布する。流動体状の光透過性樹脂は、微小金属粒子の隙間に入り込み、微小金属粒子及び絶縁基材2の外面に接した状態となる。なお、流動体状の光透過性樹脂は、水溶性ポリマーを介して絶縁基材2と接する場合もある。この状態で、流動体状に光透過性樹脂に対して硬化処理を行なう。これにより、微小金属粒子と絶縁基材2とを固定するオーバーコート層10が形成される。この段階では、微小金属粒子、微量の水溶性ポリマー、及びオーバーコート層10によって、金属のベタパターンと電気的に同様の導電性を有する導電性樹脂層3aが形成されている。導電性樹脂層3aにおいて、微小金属粒子は、互いに接することにより導通している。
これでステップS1は終了し、ステップS2に進む。
Subsequently, in the state where the fine metal particles are attached to the base material, a fluid-like light-transmitting resin as a material for the overcoat layer 10 is applied to the outer surface of the insulating base material 2. The fluid-like light-transmitting resin enters the gaps between the fine metal particles and comes into contact with the fine metal particles and the outer surface of the insulating substrate 2. The fluid-like light transmissive resin may be in contact with the insulating substrate 2 through a water-soluble polymer. In this state, the light transmissive resin is cured in a fluid form. Thereby, the overcoat layer 10 that fixes the fine metal particles and the insulating base material 2 is formed. At this stage, the conductive resin layer 3a having the same electrical conductivity as the solid metal pattern is formed by the fine metal particles, the trace amount of the water-soluble polymer, and the overcoat layer 10. In the conductive resin layer 3a, the fine metal particles are electrically connected by being in contact with each other.
Step S1 is complete | finished now and it progresses to step S2.

ステップS2は、導電性樹脂層3aに、導電パターン4及び絶縁パターン9を形成するステップである。
ステップS2では、オーバーコート層10が形成された後、レーザーL1を照射するレーザーエッチングにより、絶縁パターン9とする領域内の微小金属粒子を除去する。オーバーコート層10に分散された微小金属粒子にレーザーL1が照射されると、微小金属粒子は蒸散し、オーバーコート層10内には、微小金属粒子に代えて微小な孔9aが残る。微小金属粒子がレーザーエッチングにより除去された部分が絶縁パターン9となり、微小金属粒子が残された部分が導電パターン4となる。
Step S2 is a step of forming the conductive pattern 4 and the insulating pattern 9 on the conductive resin layer 3a.
In step S2, after the overcoat layer 10 is formed, the fine metal particles in the region to be the insulating pattern 9 are removed by laser etching with laser L1 irradiation. When the fine metal particles dispersed in the overcoat layer 10 are irradiated with the laser L1, the fine metal particles evaporate, and the fine holes 9a remain in the overcoat layer 10 instead of the fine metal particles. A portion where the minute metal particles are removed by laser etching is the insulating pattern 9, and a portion where the minute metal particles are left is the conductive pattern 4.

なお、上述のステップS1において微小金属粒子を溶接するためのレーザーL2の照射をしていない場合には、ステップS2における導電パターン4の形成後に微小金属粒子を溶接するためのレーザーL2を照射してもよい。また、上述のステップS1において微小金属粒子を溶接するためのレーザーL2の照射をした後で、微小金属粒子を溶接するためのさらなるレーザーの照射をすることもできる。
また、微小金属粒子を除去するためのレーザーL1を用いたレーザーエッチングは、オーバーコート層10の形成前でもよい。オーバーコート層10の形成前にレーザーエッチングをした場合には、微小金属粒子が蒸散することにより形成される隙間にはオーバーコート層10を構成する光透過性樹脂の流動体が充填されるので、上述の微小な孔9aは形成されない。
これでステップS2は終了する。
ステップS2の後、必要に応じて、樹脂やガラス等によって、導電パターン4及び絶縁パターン9上に保護層を積層してもよい(ステップS3)。保護層は、絶縁性を有し且つ光透過性を有する材料を適宜選択し、接着剤や粘着剤によって貼り付けて設けることができる。
If the laser L2 for welding the fine metal particles is not irradiated in step S1, the laser L2 for welding the fine metal particles is irradiated after the formation of the conductive pattern 4 in step S2. Also good. Further, after the irradiation of the laser L2 for welding the fine metal particles in the above-described step S1, further laser irradiation for welding the fine metal particles can be performed.
Further, the laser etching using the laser L1 for removing the fine metal particles may be performed before the overcoat layer 10 is formed. When laser etching is performed before the overcoat layer 10 is formed, the gap formed by the evaporation of the fine metal particles is filled with a fluid of the light-transmitting resin constituting the overcoat layer 10, The above-mentioned minute hole 9a is not formed.
This ends step S2.
After step S2, a protective layer may be laminated on the conductive pattern 4 and the insulating pattern 9 with resin, glass, or the like as necessary (step S3). The protective layer can be provided by appropriately selecting an insulating and light-transmitting material and attaching it with an adhesive or a pressure-sensitive adhesive.

次に、導電パターン形成基板1の作用について説明する。
従来、微小金属粒子を有する光透過性の導電層においては、微小金属粒子等が互いに接し得る密度となるように光透過性樹脂に対する微小金属粒子の含有量が設定されている。
このため、微小金属粒子同士の導通状態は、微小金属粒子同士の接触状態によって異なる。すなわち、微小金属粒子の密度が高い場合には導通経路となる接点が多く、微小金属粒子の密度が低い場合には導通経路となる接点が少ない。また、可撓性を有する基材上に微小金属粒子を含む層を積層した場合、基材が撓んだ場合に微小金属粒子同士の接触状態が変化し、接触抵抗が変動したり導通不良が生じたりすることがある。
その結果、従来の構成では、微小金属粒子の密度の設定が煩雑であり、また微小金属粒子の密度のばらつきにより電気抵抗のムラが生じる可能性がある。
Next, the operation of the conductive pattern forming substrate 1 will be described.
Conventionally, in a light-transmitting conductive layer having fine metal particles, the content of the fine metal particles relative to the light-transmitting resin is set so that the fine metal particles and the like have a density at which they can contact each other.
For this reason, the conduction | electrical_connection state of minute metal particles changes with contact states of minute metal particles. That is, when the density of the fine metal particles is high, there are many contacts serving as a conduction path, and when the density of the fine metal particles is low, there are few contacts serving as a conduction path. In addition, when a layer containing fine metal particles is laminated on a flexible base material, when the base material is bent, the contact state between the fine metal particles changes, and the contact resistance fluctuates or poor conduction occurs. May occur.
As a result, in the conventional configuration, the setting of the density of the fine metal particles is complicated, and there is a possibility that unevenness of electric resistance may occur due to the variation in the density of the fine metal particles.

これに対して、本実施形態の導電パターン形成基板1では、微小金属粒子同士の物理的な接続がレーザーL2によって行なわれているので、微小金属粒子同士の導通状態をより確実なものとすることができる。
そして、接続部8において微小金属粒子同士が接続されているので、微小金属粒子同士が単に接している場合と比較して、導電パターン4における電気抵抗が低く、電気的接続の確実性が高い。
また、本実施形態の導電パターン形成基板1は、静電容量式タッチパネルのような光透過性を有する透明配線板に好適に適用可能であり、この場合、微小金属粒子が溶接された接続部8を有していることで、細長形状の電極における長手方向に電気抵抗を下げることができる。さらに、接続部8をレーザーL2の照射により形成することができるので、導電パターン4の全体の電気抵抗を低くする場合と比較して、加工に要する時間を低減し、また導電パターン形成基板1の光学特性の悪化を低く抑えることができる。
On the other hand, in the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment, since the physical connection between the fine metal particles is performed by the laser L2, the conduction state between the fine metal particles is made more reliable. Can do.
And since the minute metal particles are connected in the connection part 8, compared with the case where the minute metal particles are simply in contact with each other, the electrical resistance in the conductive pattern 4 is low, and the reliability of the electrical connection is high.
In addition, the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment can be suitably applied to a transparent wiring board having optical transparency such as a capacitive touch panel. In this case, the connection portion 8 to which fine metal particles are welded. The electrical resistance can be lowered in the longitudinal direction of the elongated electrode. Furthermore, since the connection portion 8 can be formed by irradiation with the laser L2, the time required for processing can be reduced as compared with the case where the overall electrical resistance of the conductive pattern 4 is lowered, and the conductive pattern forming substrate 1 Deterioration of optical characteristics can be kept low.

(変形例1)
次に、本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法の変形例について説明する。
本変形例では、同一部位に対してパルス状レーザーの照射を複数回行なう点が異なっている。複数回のレーザー照射をすることにより、微小金属粒子同士の溶接をより確実にすることができる。
(Modification 1)
Next, a modification of the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described.
This modification is different in that the same part is irradiated with a pulsed laser a plurality of times. By performing laser irradiation a plurality of times, welding between the fine metal particles can be made more reliable.

(変形例2)
次に、本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法の他の変形例について説明する。図7は、導電パターン形成基板の変形例の構成を示す模式的な平面図であるである。
本変形例では、1つの電極6上において、互いに平行であって且つ互いに離間する位置に複数の接続部8を形成する点で上述の実施形態と工程が異なる。
本変形例の製造方法によって製造される導電パターン形成基板1は、1つの電極6に対して複数(例えば図7に示すように2つ)の接続部8が、電極6の長手軸に沿って互いに平行に形成されている。
本変形例の製造方法によれば、微小金属粒子同士の溶接箇所が上述の実施形態よりも多くすることができるので、電気的接続をより確実とし、電気抵抗を低く抑えることができる。
(Modification 2)
Next, another modification of the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described. FIG. 7 is a schematic plan view showing a configuration of a modified example of the conductive pattern forming substrate.
This modification is different from the above-described embodiment in that a plurality of connection portions 8 are formed on one electrode 6 at positions that are parallel to each other and separated from each other.
In the conductive pattern forming substrate 1 manufactured by the manufacturing method of this modification, a plurality of (for example, two as shown in FIG. 7) connecting portions 8 with respect to one electrode 6 are provided along the longitudinal axis of the electrode 6. They are formed parallel to each other.
According to the manufacturing method of the present modification, the number of welded portions between the fine metal particles can be increased as compared with the above-described embodiment, so that the electrical connection can be made more reliable and the electrical resistance can be kept low.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述の実施形態およびその変形例では、電極に対して接続部を形成する例を示したが、電極に限らず、導電パターンに含まれる領域に接続部を適宜形成してもよい。例えば、配線に対して接続部を形成すると、微小金属粒子同士の導通の確実性が高まり、線幅を細くしても十分な導電性が得られる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
For example, in the above-described embodiment and the modification thereof, an example in which the connection portion is formed with respect to the electrode has been described. However, the connection portion may be appropriately formed in a region included in the conductive pattern without being limited to the electrode. For example, when the connection portion is formed on the wiring, the certainty of conduction between the fine metal particles is increased, and sufficient conductivity can be obtained even if the line width is reduced.

また、上述の実施形態では、電極を細長の帯状として説明及び図示をしたが、電極の形状はこれに限定されない。例えば、電極は、複数の四角形の電極が互いの対角同士が繋がる状態で並べて配置されたものであってもよいし、細長でない形状であってもよい。また、電極は、互いに平行に延びる一層目の電極と、この電極と交差する方向に互いに平行に延びる二層目の電極とを備えたものであってもよい。
また、上述の実施形態及び各変形例において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
なお、上記具体的な構成に対する設計変更等は上記事項には限定されない。
Further, in the above-described embodiment, the electrode is described and illustrated as an elongated strip shape, but the shape of the electrode is not limited to this. For example, the electrodes may be arranged such that a plurality of rectangular electrodes are arranged side by side with their diagonals connected to each other, or may have a non-elongated shape. The electrodes may include a first layer electrode extending in parallel with each other and a second layer electrode extending in parallel with each other in a direction intersecting with the electrode.
In addition, the constituent elements shown in the above-described embodiment and each modification can be combined as appropriate.
In addition, the design change etc. with respect to the said specific structure are not limited to the said matter.

1 導電パターン形成基板
2 絶縁基材
3 透明導電層
4 導電パターン
5 微粒子層
6 電極
7 引き回し配線
8 接続部
9 絶縁パターン
10 オーバーコート層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive pattern formation board | substrate 2 Insulation base material 3 Transparent conductive layer 4 Conductive pattern 5 Fine particle layer 6 Electrode 7 Lead-out wiring 8 Connection part 9 Insulation pattern 10 Overcoat layer

Claims (11)

絶縁基材と、前記絶縁基材の外面に設けられた導電パターンとを備えた導電パターン形成基板であって、
前記導電パターンは、
前記絶縁基材上に、複数の微小金属粒子が互いに接触する状態で保持された微粒子層と、
光透過性樹脂中に前記微粒子層が保持された状態で固定された導電層と、
前記微粒子層の一部に設けられ前記微小金属粒子同士が溶接され電気的且つ物理的に接続された接続部と、
を有する
ことを特徴とする導電パターン形成基板。
A conductive pattern forming substrate comprising an insulating substrate and a conductive pattern provided on the outer surface of the insulating substrate,
The conductive pattern is
On the insulating substrate, a fine particle layer held in a state where a plurality of fine metal particles are in contact with each other;
A conductive layer fixed in a state where the fine particle layer is held in a light transmissive resin;
A connection part provided in a part of the fine particle layer and electrically and physically connected to each other by welding the fine metal particles;
A conductive pattern forming substrate comprising:
請求項1に記載の導電パターン形成基板であって、
前記微小金属粒子は導電性極細繊維であり、
前記導電性極細繊維は、2次元状のネットワークを形成するように分散されてなることを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to claim 1,
The fine metal particles are conductive ultrafine fibers,
The conductive pattern forming substrate, wherein the conductive ultrafine fibers are dispersed so as to form a two-dimensional network.
請求項1または請求項2に記載の導電パターン形成基板であって、
前記導電パターンには、長手軸を有する電極あるいは長手軸を有する配線が形成されており、
前記接続部は、前記長手軸に沿って配されている
ことを特徴とする導電パターン形成基板。
The conductive pattern forming substrate according to claim 1 or 2,
In the conductive pattern, an electrode having a longitudinal axis or a wiring having a longitudinal axis is formed,
The connection part is disposed along the longitudinal axis. The conductive pattern forming substrate, wherein:
複数の微小金属粒子が光透過性樹脂に分散された微粒子層を絶縁基材上に形成し、
前記微粒子層の一部において前記微小金属粒子を除去することにより絶縁パターン及び導電パターンを形成し、
前記微粒子層において前記導電パターンとなる部分の一部に対して前記微小金属粒子を加熱する加熱手段を作用させて隣接する前記微小金属粒子の接触箇所を一体化する
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
A fine particle layer in which a plurality of fine metal particles are dispersed in a light-transmitting resin is formed on an insulating substrate,
Forming an insulating pattern and a conductive pattern by removing the fine metal particles in a part of the fine particle layer;
Conductive pattern formation characterized in that a heating means for heating the fine metal particles is applied to a part of the portion to be the conductive pattern in the fine particle layer to integrate the contact portions of the adjacent fine metal particles. A method for manufacturing a substrate.
請求項4に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記加熱手段を作用させた後に前記導電パターンを形成することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 4,
A method for producing a conductive pattern forming substrate, wherein the conductive pattern is formed after the heating means is applied.
請求項4または5に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記加熱手段は、前記微粒子層に対するレーザー光の照射であり、前記レーザー光が照射された部位において隣接する前記微小金属粒子同士を溶接することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 4 or 5,
The method for manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the heating means is irradiation of laser light to the fine particle layer, and the adjacent minute metal particles are welded to each other at a portion irradiated with the laser light.
請求項6に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記レーザー光の照射はパルス状レーザーの照射であることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 6,
The method of manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the laser beam irradiation is pulsed laser irradiation.
請求項4から7のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記加熱手段を作用させて隣接する前記微小金属粒子を接続する工程は、複数の前記絶縁基材を切り出し可能な長尺の基材原反における前記導電パターン形成基板となる領域内に対して行なわれることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to any one of claims 4 to 7,
The step of connecting the adjacent minute metal particles by applying the heating means is performed in a region to be the conductive pattern forming substrate in a long base material that can cut out the plurality of insulating base materials. A method for producing a conductive pattern-formed substrate.
請求項4から8のいずれか一項に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記導電パターンとして、長手軸を有する電極あるいは長手軸を有する配線を形成し、
前記加熱手段を、前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸に沿って線状に作用させる
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to any one of claims 4 to 8,
As the conductive pattern, an electrode having a longitudinal axis or a wiring having a longitudinal axis is formed,
The method for manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the heating means is caused to act linearly along the longitudinal axis of the electrode or the longitudinal axis of the wiring.
請求項9に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸に沿って前記加熱手段を複数回作用させることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 9,
A method for manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the heating means is applied a plurality of times along a longitudinal axis of the electrode or a longitudinal axis of the wiring.
請求項9または10に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記電極の長手軸あるいは前記配線の長手軸と平行で互いに離間する複数個所に対して前記加熱手段を線状に作用させることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 9 or 10,
A method of manufacturing a conductive pattern forming substrate, wherein the heating means is applied linearly to a plurality of locations parallel to the longitudinal axis of the electrode or the longitudinal axis of the wiring and spaced apart from each other.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016129898A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-18 동우 화인켐 주식회사 Conductive pattern

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094033A (en) * 2007-10-12 2009-04-30 Konica Minolta Holdings Inc Transparent conductive material and manufacturing method thereof, and transparent conductive element using the material
JP2012068949A (en) * 2010-09-24 2012-04-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd Input device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094033A (en) * 2007-10-12 2009-04-30 Konica Minolta Holdings Inc Transparent conductive material and manufacturing method thereof, and transparent conductive element using the material
JP2012068949A (en) * 2010-09-24 2012-04-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd Input device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6016011560; Nature Materials Vol.11,No.3, 20120205, pp.241-249 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016129898A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-18 동우 화인켐 주식회사 Conductive pattern
KR20160097732A (en) * 2015-02-10 2016-08-18 동우 화인켐 주식회사 Conductive pattern
CN107209605A (en) * 2015-02-10 2017-09-26 东友精细化工有限公司 Conductive pattern
US10884555B2 (en) 2015-02-10 2021-01-05 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Conductive pattern
KR102285456B1 (en) * 2015-02-10 2021-08-03 동우 화인켐 주식회사 Conductive pattern
US11360612B2 (en) 2015-02-10 2022-06-14 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Conductive pattern

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