JP2014013819A - Conductive pattern formation substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電パターンが形成された基板に関する。 The present invention relates to a substrate on which a conductive pattern is formed.
従来、基板上に形成された導電パターンの例として、金属ナノワイヤーやカーボンナノチューブ等の繊維状導体を有する導電パターンが知られている。これらの導電パターンは、光透過性を有する導電パターンとして構成されることがあり、タッチパネルの画面上に配置される透明電極などに採用されている。 Conventionally, as an example of a conductive pattern formed on a substrate, a conductive pattern having a fibrous conductor such as a metal nanowire or a carbon nanotube is known. These conductive patterns are sometimes configured as light-transmitting conductive patterns, and are employed for transparent electrodes and the like disposed on a touch panel screen.
例えば特許文献1には、導電金属細線(金属ナノワイヤー)によって電極及び配線のパターンが形成されたタッチパネルが開示されている。特許文献1に記載のタッチパネルは、紫外線硬化樹脂内に分散された金属ナノワイヤーを有する薄膜をエッチング液に浸漬してパターン形成をすることによって電極が形成されている。
また、特許文献1においては、金属ナノワイヤーが分散された紫外線硬化樹脂からなる層に、銅箔からなる層が積層されることにより、金属ナノワイヤーと銅箔とが導通状態とされている。
For example,
Moreover, in
特許文献1に開示された技術では、金属ナノワイヤーが分散された紫外線硬化樹脂からなる層上に銅箔が積層された積層体から、不要な銅箔をエッチングにより除去し、さらに別のエッチング法により不要な金属ナノワイヤーを除去している。このため、銅箔の下層に配された金属ナノワイヤーを除去することは実質的に不可能であり、電極や配線を配置するための自由度が制限されている。
In the technique disclosed in
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、金属ナノワイヤーを含む層との接続部分における接触抵抗が低く、金属ナノワイヤー同士の接続安定性が高く、且つ電極や配線を配置するための自由度が高い導電パターン形成基板を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and the object thereof is low contact resistance at a connection portion with a layer containing metal nanowires, high connection stability between metal nanowires, and electrodes. Another object is to provide a conductive pattern forming substrate having a high degree of freedom for arranging wiring and wiring.
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板は、基材と、前記基材の外面に設けられ金属ナノワイヤーを含有するナノワイヤー層と、前記金属ナノワイヤーと接するように前記ナノワイヤー層上に設けられ一様な導電性を有する中継導電層と、前記中継導電層と接して設けられた配線層と、を備え、前記配線層は、少なくとも一部が前記中継導電層に接する複数の導電性フィラーと、前記複数の導電性フィラーが分散された状態で前記複数の導電性フィラーを支持するバインダーと、を有し、前記中継導電層に接する前記金属ナノワイヤーは当該中継導電層に接する複数の導電性フィラーに対して前記中継導電層を介して少なくとも一部が電気的に接続されることを特徴とする導電パターン形成基板である。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The conductive pattern forming substrate of the present invention is uniformly provided on the nanowire layer so as to be in contact with the base material, the nanowire layer provided on the outer surface of the base material and containing the metal nanowire, and the metal nanowire. A conductive layer having a conductive property and a wiring layer provided in contact with the relay conductive layer, wherein the wiring layer includes a plurality of conductive fillers at least partially in contact with the relay conductive layer; A binder that supports the plurality of conductive fillers in a state in which the plurality of conductive fillers are dispersed, and the metal nanowires that are in contact with the relay conductive layer are in contact with the plurality of conductive fillers that are in contact with the relay conductive layer. On the other hand, at least a part of the conductive pattern forming substrate is electrically connected through the relay conductive layer.
また、前記配線層は、前記中継導電層より面抵抗が小さくてもよい。 Further, the wiring layer may have a sheet resistance smaller than that of the relay conductive layer.
また、前記中継導電層は、互いに連結された複数の金属粒子を含む層であってもよい。
また、前記中継導電層は、導電性を有する金属酸化物若しくは導電性高分子を含んでいてもよい。
The relay conductive layer may be a layer including a plurality of metal particles connected to each other.
The relay conductive layer may include a conductive metal oxide or a conductive polymer.
また、前記中継導電層は、前記ナノワイヤー層上に積層され、前記配線層は、前記中継導電層の外面のうち前記中継導電層が前記ナノワイヤー層と接する面と反対側の面上に積層されていてもよい。 The relay conductive layer is stacked on the nanowire layer, and the wiring layer is stacked on a surface of the outer surface of the relay conductive layer opposite to the surface where the relay conductive layer is in contact with the nanowire layer. May be.
また、前記配線層は前記基材に接していてもよい。
また、前記配線層の少なくとも一部は前記ナノワイヤー層と接していてもよい。
The wiring layer may be in contact with the base material.
Further, at least a part of the wiring layer may be in contact with the nanowire layer.
本発明の導電パターン形成基板は、金属ナノワイヤーの外面に面接触する中継導電層を介して金属ナノワイヤーと配線層とが電気的に接続されるので、金属ナノワイヤーを含む層との接続部分における接触抵抗が低い。 In the conductive pattern forming substrate of the present invention, the metal nanowire and the wiring layer are electrically connected via the relay conductive layer that is in surface contact with the outer surface of the metal nanowire, so that the connection portion with the layer containing the metal nanowire The contact resistance at is low.
本発明の一実施形態の導電パターン形成基板1(以下単に「基板1」と称する。)について説明する。
まず、基板1の構成について説明する。図1は、本実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。図2は、図1のA−A線における断面図である。図3は、図2において符号Xで示す部分の拡大図である。
図1及び図2に示すように、基板1は、基材2と、ナノワイヤー層3と、中継導電層8と、配線層9とがこの順に積層された積層構造を有している。また、基板1の厚さ方向から見たときの中央部には、光透過性を有し、映像等を基板1の厚さ方向に透過させることができる矩形形状の窓部15が設けられている。窓部15の外側領域は、光透過性を必要としない枠部16となっている。
本実施形態において、枠部16は、基板1が組み込まれる対象となる装置(タッチパネルやタブレット等)の筐体によって覆われる部分となる。また、窓部15は、基板1が組み込まれる対象となる上記装置において操作者が上記映像等を見ながらタッチ入力をするための部分となる。例えば、窓部15は、液晶ディスプレイ装置において映像等が表示される面に重ねて配置される。
A conductive pattern forming substrate 1 (hereinafter simply referred to as “
First, the configuration of the
As shown in FIGS. 1 and 2, the
In the present embodiment, the
基材2は、板材、フィルム、シート、または膜によって形成されており、絶縁性を有する。基材2は、光透過性を有していてもよい。また、基材2は、可撓性を有していてもよい。本実施形態では、基材2として、ポリエチレンテレフタレートのシートが採用されている。なお、基材2の材料としては、ポリエチレンテレフタレートの他に、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、アクリル樹脂、シクロオレフィンポリマー、ガラスなどを採用することができる。
The
図3に示すように、ナノワイヤー層3は、基材2の外面に設けられ金属ナノワイヤー4を含有する層である。具体的には、ナノワイヤー層3は、複数の金属ナノワイヤー4が回路パターンをなして配置された導電パターン5と、金属ナノワイヤー4が取り除かれていることにより絶縁性となっている絶縁部7とを有する。
As shown in FIG. 3, the
導電パターン5は、複数の金属ナノワイヤー4からなる。導電パターン5を構成する金属ナノワイヤー4は、例えば長さが数十μm程度の微細な金属線材である。金属ナノワイヤー4の材料は、銀、金、銅、アルミニウムなど、導電性の高い金属材料であることが好ましい。導電パターン5内において、複数の金属ナノワイヤー4は光透過性樹脂6内に略均一に分散されている。複数の金属ナノワイヤー4の大部分は、隣接する金属ナノワイヤー4と接しており、隣接する金属ナノワイヤー4と電気的に接続されている。これにより、導電パターン5は、電極や配線等として機能する。さらに導電パターン5は、金属ナノワイヤー4間に隙間が空いていることにより、光透過性を有する。
本実施形態では、導電パターン5は、基板1を厚さ方向からみたときの窓部15内において1以上の電極部5a、及び、電極部5aに電気的に接続され窓部15から枠部16へと引き出される引き出し線5bを構成している。
The
In this embodiment, the
図1に示すように、絶縁部7は、導電パターン5の周囲に設けられており、導電パターン5を構成する各線間を絶縁している。
As shown in FIG. 1, the
図2および図3に示すように、中継導電層8は、金属ナノワイヤー4と接するようにナノワイヤー層3に設けられている。本実施形態では、中継導電層8は、ナノワイヤー層3と配線層9とに挟まれている。また、本実施形態における中継導電層8は、枠部16の領域内に配されている。中継導電層8は、一様な導電性を有する。中継導電層8は、互いに連結された複数の金属粒子を含む層や、金属酸化物若しくは導電性高分子を含む層であってよい。具体的には、中継導電層8として、金属箔、金属蒸着膜、金属ペーストの焼結体、インジウムスズ酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、インジウム鉛酸化物(IZO)、酸化亜鉛(ZnO)等を採用することができる。また、中継導電層8としては、導電性ポリマーを採用することもできる。中継導電層8として採用可能な導電性ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン系導電性ポリマーを採用することができる。
本実施形態では、枠部16は窓部15と異なり光透過性が必須でないので、枠部16の領域内に配される中継導電層8は光不透過であってよい。
中継導電層8に含まれる導体成分の一部は、ナノワイヤー層3の外面に露出された金属ナノワイヤー4の表面において、実質的に面接触となるように多数の点若しくは線状に金属ナノワイヤー4と接触する。また、中継導電層8に含まれる導体成分は、中継導電層8内に一様に存在している。なお、中継導電層8は、実質的に絶縁体を含まないことが好ましいが、微量の絶縁体を含んでいても構わない。
As shown in FIGS. 2 and 3, the relay
In the present embodiment, unlike the
A part of the conductor component contained in the relay
配線層9は、中継導電層8と接して設けられている。例えば、配線層9は、導電性フィラー10がバインダー11中に分散されてなる層とすることができる。導電性フィラー10は、少なくとも一部が中継導電層8に接する導電性の粉粒体である。例えば、導電性フィラー10としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、錫、鉛、あるいはこれらの合金等を材料とすることができる。バインダー11は、導電性フィラー10が分散された状態で導電性フィラー10を支持する部材である。バインダー11は、導電性を有することが好ましい。なお、本実施形態では、絶縁体をバインダー11として採用することもできる。
The
次に、本実施形態の基板1の製造方法について説明する。図4は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。
まず、基材2の外面に、ナノワイヤー層3を形成する(図4に示すステップS1)。
ステップS1では、金属ナノワイヤー4が分散された光透過性樹脂の流動体を基材2の外面に塗布し、当該流動体を硬化させて光透過性樹脂6とする。金属ナノワイヤー4が分散された光透過性樹脂6として、例えば、熱硬化性樹脂、溶剤蒸発乾燥性樹脂、2液硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、及び電子線硬化性樹脂等から適宜選択して採用することができる。
これでステップS1は終了し、ステップS2へ進む。
Next, the manufacturing method of the board |
First, the
In step S <b> 1, a light-transmitting resin fluid in which the
Step S1 is complete | finished now and it progresses to step S2.
ステップS2は、ナノワイヤー層3に導電パターン5および絶縁部7を形成するステップである。
ステップS2では、ナノワイヤー層3において絶縁部7とする領域にレーザー光を照射する。すると、レーザー光が照射された領域内の金属ナノワイヤー4が消失する。これにより、絶縁部7においては導体が除去される。ナノワイヤー層3における絶縁部7以外の領域が導電パターン5となる。なお、導電パターン5は、電力や電気信号を伝えるためのパターン以外に、例えば電磁波等のノイズの影響を緩和するためのシールドとなるパターンを含んでいてもよい。
また、ステップS2では、レーザー光を用いた所謂レーザーエッチングに代えて、例えばウェットエッチングによって絶縁部7における金属ナノワイヤー4を除去してもよい。
これでステップS2は終了し、ステップS3へ進む。
Step S <b> 2 is a step of forming the
In step S <b> 2, a laser beam is irradiated to a region to be the insulating
In step S2, the
Step S2 is complete | finished now and it progresses to step S3.
ステップS3は、中継導電層8を形成するステップである。
ステップS3では、中継導電層8となる導体を、所望のパターン形状となるようにナノワイヤー層3上に形成する。
例えば中継導電層8として金属蒸着膜を形成する場合には、所望のパターン形状を有する開口が形成されたマスクを使用して金属蒸着膜のパターンを形成することができる。
また、例えば中継導電層8として金属ペーストの焼結体を形成する場合には、流動体状の金属ペーストを例えばスクリーン印刷によってナノワイヤー層3上に塗布し、その後、塗布された金属ペーストを加熱して金属ペースト中の金属粒子を焼結させる。
また、例えば中継導電層8としてITO、FTO、IZO、若しくはZnO等の光透過性導電膜、又は導電性ポリマー等からなる光透過性導電膜を形成する場合には、光透過性導電膜をナノワイヤー層3上にパターン形成する。
これでステップS3は終了し、ステップS4へ進む。
Step S <b> 3 is a step of forming the relay
In step S3, a conductor to be the relay
For example, when a metal vapor deposition film is formed as the relay
For example, when a sintered body of a metal paste is formed as the relay
For example, when forming a light-transmitting conductive film made of ITO, FTO, IZO, ZnO or the like or a light-transmitting conductive film made of a conductive polymer or the like as the relay
Step S3 is complete | finished now and it progresses to step S4.
ステップS4は、配線層9を形成するステップである。
ステップS4では、中継導電層8に重なるパターン形状となるように配線層9を形成する。例えば、中継導電層8と重なる領域を有する所望の配線パターンをなす開口が形成されたスクリーン版を用いたスクリーン印刷によって配線層9を形成することができる。これにより、中継導電層8がナノワイヤー層3と接する面と反対側の面上に、配線層9が積層される。
これでステップS4は終了する。
Step S4 is a step of forming the
In step S <b> 4, the
This ends step S4.
次に、基板1の作用について説明する。
Next, the operation of the
まず、基板上において金属ナノワイヤーを他の配線に接続する従来の技術について示す。
従来、金属ナノワイヤーは、樹脂の流動体に分散させて塗布された後に樹脂が硬化することによって保持されている。このため、樹脂の外面から露出する金属ナノワイヤーの本数や露出量を厳密に制御することは困難である。その結果、金属ナノワイヤーと他の配線との接触抵抗の大きさにばらつきがあり、また金属ナノワイヤーと他の配線との導通不良が発生する場合もある。
また、従来の技術では、金属ナノワイヤー同士、及び金属ナノワイヤーと他の配線とは、点接触もしくは線接触によって機械的に接しており、例えば、基板が曲げられた場合には金属ナノワイヤーが他の配線から容易に外れる場合がある。金属ナノワイヤーと他の配線との接触機会が失われることにより、製造時には正常な導通状態であった基板の導通状態が使用に伴って不良となる場合もある。
First, a conventional technique for connecting metal nanowires to other wirings on a substrate will be described.
Conventionally, metal nanowires are retained by being cured after the resin is dispersed and applied to a resin fluid. For this reason, it is difficult to strictly control the number of metal nanowires exposed from the outer surface of the resin and the exposure amount. As a result, there is a variation in the contact resistance between the metal nanowire and the other wiring, and a conduction failure may occur between the metal nanowire and the other wiring.
In the conventional technology, metal nanowires and metal nanowires and other wirings are mechanically contacted by point contact or line contact. For example, when a substrate is bent, metal nanowires are There are cases where it is easily disconnected from other wiring. When the contact opportunity between the metal nanowire and the other wiring is lost, the conductive state of the substrate, which was in a normal conductive state at the time of manufacture, may become defective with use.
これに対して、本実施形態では、図3に示すように、ナノワイヤー層3と配線層9との間に、中継導電層8が設けられている。中継導電層8と金属ナノワイヤー4との接点は接触界面8aにおいて無数にあり、また、中継導電層8と配線層9との接点は接触界面8bにおいて無数にある。中継導電層8に接する金属ナノワイヤー4は、中継導電層8に接する複数の導電性フィラー10に対して中継導電層8を介して電気的に接続される。
このように、中継導電層8は、ナノワイヤー層3から露出された金属ナノワイヤー4に実質的に面接触し、且つ、配線層9と実質的に面接触する。これにより、ナノワイヤー層3上に積層された中継導電層8は、ナノワイヤー層3と配線層9との間で電力や電気信号を中継する多数の経路を提供することができる。
さらに、中継導電層8と金属ナノワイヤー4とが実質的に面接触状態であるので、基板1が曲げられた場合に金属ナノワイヤー4が僅かに移動したとしても、金属ナノワイヤー4と中継導電層8との機械的接触が維持される。これにより、金属ナノワイヤー4と中継導電層8とが導通不良となりにくい。
On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 3, the relay
As described above, the relay
Furthermore, since the relay
また、本実施形態では、中継導電層8は、ナノワイヤー層3と配線層9との間に挟まれた層状構造を有しており、中継導電層8の層厚を薄くすれば、ナノワイヤー層3と配線層9との間における電気抵抗を低くすることができる。
In the present embodiment, the relay
以上説明したように、本実施形態の基板1では、金属ナノワイヤー4に対して実質的に面接触状態で導通する中継導電層8を介して配線層9と接続された構成を有しているので、接触抵抗が低い。
さらに、ナノワイヤー層3に導電パターン5および絶縁部7が形成された後に中継導電層8がパターン形成されるので、中継導電層8及び配線層9の下層を絶縁部7とするようなパターン形成も可能であり、導電パターン5及び絶縁部7を形成する自由度が高い。
As described above, the
Further, since the relay
また、配線層9が中継導電層8を介して金属ナノワイヤー4と導通しているので、金属ナノワイヤー4と配線層9とを直接接触させにくいような相性問題がある場合に、配線層9に面接触し、且つ金属ナノワイヤー4に面接触する特性を有する中継導電層8を介在させることにより、当該相性問題を解消できる可能性が高まる。
In addition, since the
(変形例1)
次に、本発明の変形例について説明する。なお、以下に説明する各変形例において、上述の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図5は、本変形例の構成を示す図で、図1のA−A線と同様の位置における断面図である。図6は、本変形例における他の構成を示す図で、図1のA−A線と同様の位置における断面図である。
図5に示すように、本変形例では、配線層9においてナノワイヤー層3に向けられた面とは異なる面に中継導電層8の一部が接している。本変形例の中継導電層8は、ナノワイヤー層3上に配線層9を形成した後に形成される。
本変形例の場合には、配線層9とナノワイヤー層3とが直接接する部分においては、従来と同様の導通状態となっている。これに加えて、本変形例の中継導電層8は、配線層9との双方に面接触し、金属ナノワイヤー4と配線層9との間に上述の実施形態と同様に無数の経路を提供することができる。
なお、本発明と上述の実施形態とを組み合わせて、配線層9の全周を覆うように配線層9に接する中継導電層8としてもよい(図6参照)。この場合、上述の実施形態と比較して配線層9と中継導電層8との接触面積が増え、金属ナノワイヤー4と配線層9との導通経路をさらに増やすことができる。その結果、金属ナノワイヤー4と配線層9とを安定した導通状態で接続することができる。
(Modification 1)
Next, a modified example of the present invention will be described. In addition, in each modified example described below, the same reference numerals are given to the same components as those in the above-described embodiment, and duplicate descriptions are omitted.
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of this modification, and is a cross-sectional view at the same position as the line AA in FIG. FIG. 6 is a diagram showing another configuration in the present modification, and is a cross-sectional view at the same position as the line AA in FIG.
As shown in FIG. 5, in this modification, a part of the relay
In the case of this modification, in the part where the
In addition, it is good also as the relay
(変形例2)
次に、本発明の他の変形例について説明する。図7(a)及び図7(b)は、本変形例の構成を示す図で、図1のA−A線と同様の位置における断面図である。
本変形例では、図7(a)に示すように、配線層9は、基材2に接して設けられている。また、中継導電層8は、ナノワイヤー層3の一部及び配線層9の一部を覆うように、ナノワイヤー層3及び配線層9に積層されている。
また、本変形例では、図7(a)に示すようにナノワイヤー層3と配線層9とは接していてもよいし、例えば図7(b)に示すようにナノワイヤー層3と配線層9とが離間していてもよい。ナノワイヤー層3と配線層9とが離間している場合には、ナノワイヤー層3と配線層9との間の隙間内に中継導電層8が入り込んでいる。
本変形例の場合でも、中継導電層8は、金属ナノワイヤー4の外面に実質的に面接触状態で導通し、且つ配線層9に対して実質的に面接触状態で導通している。これにより、上述の実施形態と同様に、金属ナノワイヤー4と配線層9との間において、電力や電気信号が流れる無数の経路が中継導電層8によって提供されている。
(Modification 2)
Next, another modification of the present invention will be described. FIG. 7A and FIG. 7B are diagrams showing the configuration of this modification, and are cross-sectional views at the same position as the AA line of FIG.
In this modification, the
Moreover, in this modification, as shown to Fig.7 (a), the
Even in the case of this modification, the relay
本変形例でも、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本変形例では、ナノワイヤー層3の外面のうち、基材2に接する面と交差する方向に向けられた面(以下、「ナノワイヤー層3の側面」と称する。)に中継導電層8が入り込んでいるので、例えば製造時の誤差によってナノワイヤー層3と配線層9との間に隙間が生じたとしても、ナノワイヤー層3と配線層9とが中継導電層8を介して導通状態となる。
また、本変形例では、上述の実施形態とは逆に、基材2の外面に配線層9が形成された後に基材2の外面にナノワイヤー層3を形成してもよい。
This modification also has the same effect as the above-described embodiment.
Furthermore, in this modification, the relay conductive layer is formed on a surface (hereinafter, referred to as “side surface of the
Further, in this modified example, the
(変形例3)
次に、本発明のさらに他の変形例について説明する。
本変形例では、上述の実施形態における導電パターン形成基板の製造工程の一部が異なっている。
すなわち、上記ステップS1において、まず、金属ナノワイヤー4及び水溶性ポリマーを含有する分散液を基材2に塗布し、乾燥させる。これにより、金属ナノワイヤー4は、水溶性ポリマーを介して基材2に仮固定される。
続いて、金属ナノワイヤー4を基材2にさらに強固に固定する目的で、流動体状であって光透過性を有する樹脂を、金属ナノワイヤー4の一部が樹脂に埋まるように塗布する。当該樹脂は、所定の硬化処理によって硬化する樹脂であってよい。例えば、当該樹脂として、熱硬化型、光(可視光、紫外光、赤外光を含む)硬化型、電子線硬化型、溶媒蒸発乾燥型、二液硬化型等、あるいはその他公知の樹脂を適宜選択して採用してよい。
流動体状の樹脂を硬化させると、金属ナノワイヤー4が基材2に固定され、金属ナノワイヤー4は、基材2から脱落しないように保護される。
本変形例では、金属ナノワイヤー4の一部は、硬化した樹脂から露出しており、金属ナノワイヤー4のうち硬化した樹脂から露出した部分が中継導電層8に面接触し、上述の実施形態と同様の作用効果を奏する。
(Modification 3)
Next, still another modification of the present invention will be described.
In this modification, a part of manufacturing process of the conductive pattern formation board in the above-mentioned embodiment differs.
That is, in the step S1, first, a dispersion containing the
Subsequently, for the purpose of further firmly fixing the
When the fluid-like resin is cured, the
In this modification, a part of the
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、中継導電層は、導電パターン形成基板における窓部の一部あるいは全部に設けられていてもよい。
また、中継導電層は、金属粒子,金属酸化物,導電性高分子のうちの1つ以上を含む複合材料であってもよい。
また、上述の実施形態及び各変形例において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
なお、上記具体的な構成に対する設計変更等は上記事項には限定されない。
As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
For example, the relay conductive layer may be provided in part or all of the window portion in the conductive pattern formation substrate.
The relay conductive layer may be a composite material including one or more of metal particles, metal oxides, and conductive polymers.
In addition, the constituent elements shown in the above-described embodiment and each modification can be combined as appropriate.
In addition, the design change etc. with respect to the said specific structure are not limited to the said matter.
1 導電パターン形成基板
2 基材
3 ナノワイヤー層
4 金属ナノワイヤー
5 導電パターン
6 光透過性樹脂
7 絶縁部
8 中継導電層
8a 接触界面
8b 接触界面
9 配線層
10 導電性フィラー
11 バインダー
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記基材の外面に設けられ金属ナノワイヤーを含有するナノワイヤー層と、
前記金属ナノワイヤーと接するように前記ナノワイヤー層上に設けられ一様な導電性を有する中継導電層と、
前記中継導電層と接して設けられた配線層と、
を備え、
前記配線層は、
少なくとも一部が前記中継導電層に接する複数の導電性フィラーと、
前記複数の導電性フィラーが分散された状態で前記複数の導電性フィラーを支持するバインダーと、
を有し、
前記中継導電層に接する前記金属ナノワイヤーは当該中継導電層に接する複数の導電性フィラーに対して前記中継導電層を介して少なくとも一部が電気的に接続される
ことを特徴とする導電パターン形成基板。 A substrate;
A nanowire layer containing metal nanowires provided on the outer surface of the substrate;
A relay conductive layer provided on the nanowire layer so as to be in contact with the metal nanowire and having uniform conductivity;
A wiring layer provided in contact with the relay conductive layer;
With
The wiring layer is
A plurality of conductive fillers at least partially in contact with the relay conductive layer;
A binder that supports the plurality of conductive fillers in a state where the plurality of conductive fillers are dispersed;
Have
The metal nanowire in contact with the relay conductive layer is at least partially electrically connected to the plurality of conductive fillers in contact with the relay conductive layer via the relay conductive layer. substrate.
前記配線層は、前記中継導電層より面抵抗が小さいことを特徴とする導電パターン形成基板。 The conductive pattern forming substrate according to claim 1,
The conductive pattern forming substrate, wherein the wiring layer has a smaller surface resistance than the relay conductive layer.
前記中継導電層は、互いに連結された複数の金属粒子を含む層であることを特徴とする導電パターン形成基板。 The conductive pattern forming substrate according to claim 1 or 2,
The conductive pattern forming substrate, wherein the relay conductive layer is a layer including a plurality of metal particles connected to each other.
前記中継導電層は、導電性を有する金属酸化物若しくは導電性高分子を含むことを特徴とする導電パターン形成基板。 A conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 3,
The conductive pattern forming substrate, wherein the relay conductive layer includes a conductive metal oxide or a conductive polymer.
前記中継導電層は、前記ナノワイヤー層上に積層され、
前記配線層は、前記中継導電層の外面のうち前記中継導電層が前記ナノワイヤー層と接する面と反対側の面上に積層されている
ことを特徴とする導電パターン形成基板。 A conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 4,
The relay conductive layer is laminated on the nanowire layer,
The conductive pattern forming substrate, wherein the wiring layer is laminated on a surface of the outer surface of the relay conductive layer opposite to a surface where the relay conductive layer is in contact with the nanowire layer.
前記配線層は前記基材に接していることを特徴とする導電パターン形成基板。 A conductive pattern forming substrate according to any one of claims 1 to 5,
The conductive pattern forming substrate, wherein the wiring layer is in contact with the base material.
前記配線層の少なくとも一部は前記ナノワイヤー層と接していることを特徴とする導電パターン形成基板。 The conductive pattern forming substrate according to claim 6,
At least a part of the wiring layer is in contact with the nanowire layer.
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JP2012150562A JP2014013819A (en) | 2012-07-04 | 2012-07-04 | Conductive pattern formation substrate |
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WO2020000904A1 (en) * | 2018-06-30 | 2020-01-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | Touch panel and manufacturing method therefor, and display device |
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- 2012-07-04 JP JP2012150562A patent/JP2014013819A/en active Pending
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