JP2013246825A - 静電容量誘導式タッチ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アクティブマトリックスの画素マトリックスに用いられる静電容量式タッチ検出方法であって、少なくとも、前記画素マトリックスにおける、少なくとも1つの画素を含む第1感知領域を選択する工程と、第1信号を前記第1感知領域に伝送する工程と、前記第1感知領域に隣接し、重なり又は近接する第2感知領域を選択する工程と、前記第2感知領域に第2信号を伝送・感知する工程と、前記第1信号及び前記第2信号の変化を検出・計算して、感知強度信号、感知位置、距離、接触高度、接触領域を判断する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
101、M11〜M1m、M21〜M2m、M31〜M3m、M41〜M4m、M11〜Mnm 画素
102 薄膜トランジスタ
103 ゲート駆動回路
104 ソース駆動回路
105 センサ
106 タイミングコントローラ
210、212 画素ブロック
401〜404、501〜504 工程
A1〜A6 領域
Cs 蓄積コンデンサ
Clc 液晶コンデンサ
D1〜Dm データ線
G1〜Gn 走査線
T フレーム時間
T1、T2 時間帯
X 行方向
Claims (17)
- アクティブマトリックスの画素マトリックスに用いられる静電容量式タッチ検出方法であって、
少なくとも、
前記画素マトリックスにおける、少なくとも1つの画素を含む第1感知領域を選択する工程と、
第1信号を前記第1感知領域に伝送する工程と、
前記第1感知領域に隣接し、重なり又は近接する第2感知領域を選択する工程と、
前記第2感知領域に第2信号を伝送して感知させる工程と、
前記第1信号及び前記第2信号の変化を検出及び計算して、感知強度信号、感知位置、距離、接触高度、及び接触領域の少なくとも1つを判断する工程と、
を備える静電容量式タッチ検出方法。 - 前記第1感知領域は、画素、画素ブロック、導線又は複数の導線を更に含む請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第2感知領域は、画素、画素ブロック、導線又は複数の導線を更に含む請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1感知領域と前記第2感知領域は、少なくとも部分的に交錯し、少なくとも部分的に重畳し、少なくとも部分的に隣接し、又は一定の間隔をあけている請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1感知領域又は前記第2感知領域は、導線の改良設計、ディスプレイアレイから合わせて設計された走査線、データ線、補助線、バイアス線や電源コード、共通電極線、信号線、読み取り線、バイアス線、制御線、又は補償回路を更に含む請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1感知領域又は前記第2感知領域は、導線の改良設計、合わせて設計された共通電極面又は複数の共通電極線を更に含む請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1信号又は前記第2信号を伝送するタイミングによって、前記複数の共通電極線を切り替えて、共通電極、又は前記第1信号もしくは前記第2信号を伝送する誘導線とする、前記複数の共通電極線と電気的に結合する切替スイッチ回路を更に含む請求項6に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1感知領域に前記第1信号を伝送する前、かつ前記第2感知領域に前記第2信号を伝送して感知させる前に、前記第1感知領域、前記第2感知領域に高電圧シグナル又はパルスシグナルを伝送して感知させる工程を更に備える請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1感知領域に前記第1信号を伝送する前、かつ前記第2感知領域に前記第2信号を伝送して感知させる前に、前記第1感知領域及び前記第2感知領域の電荷を取り除き、又は前記第1感知領域及び前記第2感知領域の少なくとも一方を接地させ、もしくは導体又は大容量コンデンサに接続する工程を更に備える請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1信号及び前記第2信号の間の変化に対する検出は、電荷量、静電容量誘導、又は電圧もしくは電流シグナルの信号を検出し、数値計算によって、誘導変化となる位置、距離、接触高度及び触点を判断する工程を備える請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記画素マトリックスは、アクティブ有機発光ダイオードディスプレイ、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ、電気泳動ディスプレイ、電気湿潤(Electrode Wetting)ディスプレイ、シリコンマイクロディスプレイ、微小電気機械ディスプレイ、及び光干渉微小電気機械ディスプレイの少なくとも1つのディスプレイに用いられる請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記第1信号の電圧値と前記第2信号の電圧値の何れも、前記ディスプレイの固有のターンオン電圧閾値より小さい請求項11に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記ディスプレイは、バックライト及びフロントライトの少なくとも一方を更に有し、前記バックライト及び前記フロントライトの少なくとも一方が消される間に前記静電容量式タッチ検出方法を行う請求項11に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記ディスプレイは、バックライト及びフロントライトの少なくとも一方を更に有し、前記バックライト及び前記フロントライトの少なくとも一方が消される領域に対して前記静電容量式タッチ検出方法を行う請求項11に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記ディスプレイは、自発光光源を更に有し、前記自発光光源が消される間に前記静電容量式タッチ検出方法を行う請求項11に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- 前記ディスプレイは、自発光光源を更に有し、前記自発光光源が消される領域に対して前記静電容量式タッチ検出方法を行う請求項11に記載の静電容量式タッチ検出方法。
- アクティブマトリックスの画素マトリックスの周辺に装設されており、請求項1に記載の静電容量式タッチ検出方法を実行するための駆動集積回路。
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