JP2013225363A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェル上のメモリセルが直列接続され、ソースが接続されたNANDストリングを含む、第1、第2ブロックが配置されたアレイ(7)と、前記ソースと接続された第1ノード(CELSRC)を有し、前記ソース及び前記ウェルの電位を充放電するソース線ドライバ(7)と、第1ノード(CELSRC)の充放電を制御する電圧制御回路(61、62、63)とを具備し、前記電圧制御回路は、読み出し動作の際、前記ウェルの電位を昇圧し、第1規定値よりを超えたことを検知すると前記ソース及び前記ウェルへの昇圧を停止する昇圧部(62、63)と、ソースの電位が第2規定値を超えると前記第1ノード(CELSRC)の電位を放電するよう制御するプルダウンドライバ(61)と、を備える。
【選択図】図4
Description
本実施形態に係る半導体記憶装置は、メモリセルMCが形成されるウェル電位を検知することで、CELSRCの電位を最適な速度で加速するものである。以下、図1〜図5を用いて説明する。なお、CELSRCとは、後述する複数のNANDストリングが共通接続されるソース線SLのノードに相当し、このノードの電位を電圧CELSRCとも表現することがある。
図1を用いて全体構成例について説明する。図1はNAND型フラッシュメモリを一例として示したブロック図である。図示するように、NAND型フラッシュメモリはメモリセルアレイ1、ロウデコーダ2、データ入出力回路3、電圧発生回路4、センスアンプ5、制御部6、及びソース線ドライバ7を備える。
メモリセルアレイ1は、複数の不揮発性のメモリセルMCを含んだブロックBLK0乃至BLKsを備える(sは自然数)。ブロックBLK0乃至BLKsの各々は、不揮発性のメモリセルMCが直列接続された複数のNANDストリング10を備えている。NANDストリング10の各々は、例えば64個のメモリセルMCと、選択トランジスタST1、ST2とを含んでいる。
図2を用いて上記メモリセルMCの閾値分布について説明する。図2は、横軸に閾値分布(電圧)をとり、縦軸にメモリセルMCの数を示したグラフである。図示するように、各々のメモリセルMCは、例えば2値(2-levels)のデータ(1ビットデータ:閾値電圧Vthの低い順に“1”、及び“0”の2種のデータ)を保持できる。また、メモリセルMCは、消去状態において、“1”データ(例えば負電圧)を保持する。電荷蓄積層に電荷を注入することによって正の閾値電圧に設定される。
図1に戻って、周辺回路について説明する。
ロウデコーダ2は、例えば読み出し動作時において制御部6から与えられるブロック選択信号をデコードし、その結果に基づいてブロックBLKを選択する。次いで、選択したブロックBLK内の各ワード線WLに対し、電圧発生回路4から供給された読み出し電圧を転送する。具体的には、ロウデコーダ2は、読み出し電圧として、読み出し対象のメモリセルMCに選択読み出し電圧(以下、Vcgr)を転送し、それ以外のメモリセルMCに非選択読み出し電圧(以下、電圧Vread)を転送する。
データ入出力回路3は、図示せぬI/O端子を介してホスト(host)から供給されたアドレス及びコマンドを制御部6へ出力する。またデータ入出力回路3は、書き込みデータを、データ線Dlineを介してセンスアンプ5へと出力する。読み出しデータをホストへ出力する際は、制御部6の制御に基づきセンスアンプ5が読み出したデータをデータ線Dlineを介して受け取り、次いでI/O端子を介してホストへ出力する。
電圧発生回路4は、外部電圧(電圧Vcc、例えば1.8V)を受け、制御部6に従って所定の電圧を発生する。具体的には、読み出し電圧Vcgr、電圧Vread、消去電圧Veraなどを生成・供給し、また外部電圧をそのまま内部電圧VDDとして各構成に供給する。これら生成された電圧のうち読み出し電圧Vcgr、電圧Vread、消去電圧Veraなどは、ロウデコータ2を介して、ワード線WLに転送され、電圧VDDは後述するソース線SLドライバ7に供給される。なお、後述する第4の実施形態における電圧発生回路4は、外部電圧Vccに基づき、電圧VX2を生成する構成を備える。
センスアンプ5は、データ入出力回路3から転送された書き込みデータをビット線BLを介してメモリセルMCに書き込み、またメモリセルMCから読み出したデータをデータ入出力回路3に転送する。また、後述するセンスアンプ5の動作は、制御部6によって制御される。つまり、センスアンプ5を構成するMOSトランジスタのオン・オフは、制御部6によって制御される。以下、図3を用いてセンスアンプ5の詳細な構成について説明する。
図3に示すようにセンスアンプ5は、nチャネル型MOSトランジスタ20〜23、25、26、及び28〜39、pチャネル型MOSトランジスタ24、及び40〜43、並びにキャパシタ素子27を備える。なお、以下ではMOSトランジスタの閾値電位VthにそのMOSトランジスタの参照符号を付すことでMOSトランジスタの閾値電位を表す。例えば、MOSトランジスタ22の閾値電位はVth22とする。
図1に戻って説明を続ける。制御部6は、NAND型フラッシュメモリ全体の動作を制御する。すなわち、データ入出力回路3を介して、図示せぬホストから与えられた上記アドレス、及びコマンドに基づいて、データの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作における動作シーケンスを実行する。具体的には、データの読み出し時に、ウェルやソース線SLの電圧を検知し、ソース線SLドライバ7を構成する各トランジスタへの信号供給タイミングなどを制御する。
まず、図4にメモリセルアレイ1の一部、ソース線SLドライバ7、及び電圧制御回路6−1の構成を示す。
本実施形態に係るソース線ドライバ7は、データの読み出し時においてソース線SLの電位、すなわちCELSRCの電圧を昇圧又は放電する機能を有する。図示するように、ソース線SLドライバ7は、nチャネル型MOSトランジスタ51〜55を備える。MOSトランジスタ51の電流経路の一端は、ノードN1(CELSRC)でソース線SLに接続され、他端は接地され、ゲートにはSRCAMP_PD61が出力する信号GSRCDRVが供給される。MOSトランジスタ52の電流経路の一端は、ノードN1に接続され、他端はノードN2(CPWELL)に接続され、ゲートには信号S1が供給される。なお、ノードN1における電位をVCELとする。
図4に示すように、第1の実施形態に係る電圧制御回路6−1は、SRCAMP_PD61、SRCBOOT62、SRCRPE63、SRCKEEP64、SRCDTCT65、SRCBOOT_ACC66、BLDR67、及びDREFF68を備える。
次に、図5を用いて読み出し動作時におけるノードN1(CELSRC)、ノードN2(CPWELL)、ノードN3(SRCGND)、ビット線BL、信号BLC、信号BLXの信号レベル、電流IBLC、信号GSRCDRV、及び信号S1〜S4のタイムチャートについて説明する。ここで、電圧IBLCとは、MOSトランジスタ22、23、及び25に供給される電圧を示す。
第1の実施形態に係る半導体記憶装置であると、(1)及び(2)の効果を奏することが出来る。
(1)素早くノードN1の電位を上昇させることが出来る。
すなわち、第1の実施形態に係る半導体記憶装置であると、SRCBOOT62に加え、SRCPRE63を具備する。つまり、これらSRCBOOT62及びSRCPRE63の出力により電流駆動力を上昇させることで、ノードN1の電位を素早く上昇させることが出来る。
すなわち、第1の実施形態に係る半導体記憶装置であると、SRCDTCT65はノードN2の電位を検知する構成を具備する。以下、第1の実施形態に係る構成における効果について比較例を挙げて説明する。上述したように、仮にSRCDTCT65がノードN1の電位を検知する構成であった場合、このSRCDTCT65は、ノードN1が所定値をオーバーシュートした後にSRCBOOT62の出力を“L”レベルとするよう制御する。すると、ノードN2は、このMOSトランジスタ52を介してノードN1から転送されるため、ノードN1のオーバーシュートした際、ノードN2(CELSRC)の電位は若干ノードN1の電位よりも小さくなる。つまり、ノードN1の電位を基準にしてSRCBOOT62の出力を制御すると、このSRCBOOT62の出力を停止した後、ノードN1とノードN2との電位差によって、これらノード間でチャージシェアが生じてしまう。すなわち、ノードN1の電位が所定値に達した後、下降してしまう。そして、SRCBOOT62の出力が停止した後、このノードN1を一定電位とするよう、SRCKEEP64が定電流を流すが、微少であるため、所定値に達するまでに時間を要する。すなわち、ノードN1の電位は、複数回の上昇と下降を繰り返しながら一定の電圧に収束する。
次に、図6及び図7を用いて第2の実施形態について説明する。第2の実施形態に係る構成は、制御部6において、更にGSRC_ACC69を備える点で上記第1の実施形態と異なる。なお、GSRC_ACC69の動作も制御部6によって制御される。
1.構成例
図6に電圧制御回路6−1の構成を示す。GSRC_ACC69は、SRCAMP_PD61の出力を制御する。具体的には、GSRC_ACC69によってMOSトランジスタ51を前倒ししてゆっくりオン状態とするようSRCAMP_PD61の出力を制御する。つまり、ノードN1の電位がオーバーシュートした後、MOSトランジスタ51をオン状態とするのではなく、このノードN1の電位がオーバーシュートする前から、MOSトランジスタ51をゆっくりとオン状態へと遷移させる。具体的には、SRCBOOT62及びSRCPRE63がオン状態とされたタイミングで、MOSトランジスタ51がオン状態に遷移出来るようこのSRCAMP_PD61の出力を制御する。
次に、図7を用いて読み出し動作について説明する。第2の実施形態に係る読み出し動作では、上記第1の実施形態と信号GSRCDRVの出力が異なる。以下、この信号GSRCDRVの出力についてのみ説明する。
第2の実施形態に係る半導体記憶装置であると、(1)に加え、以下(3)の効果を奏することが出来る。
(3)更に、ノードN1の電位を素早く設定電位に収束させることが出来る。
第2の実施形態に係る構成であると、上述したように、GSRC_ACC69を更に具備する。このGSRC_ACC69によってSRCAMP_ACC71の出力を制御することが出来る。つまり、ノードN1、ノードN2の電位がオーバーシュートする前から、具体的にはSRCBOOT62及びSRCPRE63がオン状態とされた時から、MOSトランジスタ51をゆっくりオン状態へと遷移させるよう、このSRCAMP_ACC71の出力を制御することで、ノードN1、N2のオーバーシュート後、所定値に安定するまでの時間を短縮することが出来る。
次に図8を用いて第3の実施形態について説明する。第3の実施形態に係る半導体記憶装置では、ノードN2の電位を接地、すなわちゼロ電位とするウェルグランド方式を採用する。この場合、SRCDTCT65はノードN2の電位を検知出来ないため、第3の実施形態では、更にSRCFB_SEL70を設け、オーバーシュートの検知をノードN1でも検知できるよう自由度を上げたものである。
1−1.SRCFB_SEL70
図8に示すようにSRCFB_SEL70は制御部6によって、ノードN2又はノードN1の電位のいずれかを選択可能とし、選択したいずれか電圧をSRCDTCT65に出力する。またこのSRCFB_SEL70における、これらノードN2又はノードN1いずれか選択は、GSRC_ACC76のオン又はオフ状態、及び信号WELLGNDの値に応じて選択する信号を可変とする。ここで、信号WELLGNDとは、上述したウェルグランド方式を採用するか否かを示す信号であり、“H”レベルでこのウェルグランド方式を採用する。以下、複数モードの各々における選択信号について説明する。
モード1の場合、SRCFB_SEL70はSRC_MON_Bを選択する。
以下、理由を説明する。モード1ではウェルグランド方式を採用しているため、ノードN2の電位を検知することが出来ない。従って、SRCFB_SEL70はノードN1の電位を検知することになる。ここで、ノードN1の物理的位置について説明する。
モード2の場合、ウェルグランド方式を採用しないことから、SRCFB_SEL70はノードN2を選択する。すなわちこのモード2は上記第2の実施形態に相当する。
モード3を本実施形態では採用することは無いため、以下簡単に説明する。モード3の場合では、SRCFB_SEL70はCELSRC(SRC_MON_T)の電位を選択する。このモード3は、上記モード1、2が使用できない時のための予備的モードである。
第3の実施形態におけるSRCAMP_PD61であっても、検知するCELSRCの位置はSRC_MON_Tであるため説明を省略する。またなお、タイムチャートは、上記第2の実施形態と同様であるため説明を省略する。
第3の実施形態に係る半導体記憶装置であっても、上記(1)及び(3)の効果を得ることが出来る。すなわち、素早くノードN1の電位を上昇させることが出来、またこのCELSRCの電位を素早く設定電位に収束させることが出来る。すなわち、ウェルグランド方式を採用する場合、SRC_MON_Bの電位を検知可能なSRCFB_SEL70を更に設けることで、CELSRCの電位を素早く設定電位に収束させることが出来る。
次に、図10を用いて第4の実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。第4の実施形態に係る半導体記憶装置は、読み出し時におけるビット線BLのプリチャージ速度を上げるため、更にIBLC_ACC71を備える構成を具備する。以下、第4の実施形態に係る構成ついて説明する。なお、このIBLC_ACC71の動作についても、制御部6によって制御される。
1−1.IBLC_ACC71の構成
図10を用いてIBLC_ACC71の構成を示す。図示するようにIBLC_ACC71は、転送トランジスタ81−1及びレベルシフタ81−2を備える。このレベルシフタ81−2によってオン状態とされることで、電圧発生回路4で生成された電圧VX2を受け、これをBLDR67に供給する。なお、電圧VX2とは、例えば4V程度の値である。
図10に示すように、BLDR67は電流源67−1、nチャネル型MOSトランジスタ67−2及び67−5、抵抗素子67−3及び67−4、並びにXXL Driverを備える。XXL Driver67−6は、nチャネル型MOSトランジスタ67−6を備える。
次に、図11を用いて第4の実施形態に係る読み出し動作について説明する。図11は信号CELSRC、CPWELL、SRCGND、ビット線BL、電流IBLC_ACC71、信号BLX、信号BLC、信号GSRCDRV、及び信号S1〜信号S4のタイムチャートである。なお、上記第1、第2の実施形態と同様の動作については説明を省略する。
第4の実施形態に係る半導体記憶装置によれば、上記(1)〜(3)の効果に加え、更に書き(4)の効果を得ることが出来る。
(4)ビット線BLの電位の立ち上がりを素早く出来る
第4の実施形態に係る半導体記憶装置によれば、上述したようにIBLC_ACC71を更に備える。仮にこのIBLC_ACC61を設けず、BLDR67の電流源67−1によってノードN4を上昇させる場合、この電流源67−1の出力だけではノードN4の立ち上がりに時間を要してしまい、結果として信号XXL、信号BLX、及び信号BLCを受けるMOSトランジスタ22、23、及び25の立ち上がりに影響を及ぼす。すなわち、ビット線BLのプリチャージに時間を要してしまう。
Claims (7)
- ウェル上に形成された複数のメモリセルが直列接続され、各々のソースが共通接続された複数のNANDストリングを含む、データの消去単位である第1ブロック及び第2ブロックが第1方向に配置されたメモリセルアレイと、
前記ソースと接続された第1ノードを有し、この第1ノードを介して前記ソース及び前記ウェルの電位をそれぞれ充放電するソース線ドライバと、
第1ノードの充放電を制御する電圧制御回路と
を具備し、
前記電圧制御回路は、読み出し動作の際、前記第1ノードを介して前記ウェルの電位を昇圧し、このウェルの電位が第1規定値よりを超えたことを検知すると前記ソース及び前記ウェルへの昇圧を停止する昇圧部と、
前記ソースの電位を検知し、このソースの電位が第2規定値を超えると前記第1ノードの電位を放電するよう制御するプルダウンドライバと、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1ブロックの前記ソースは第2ノードを有し、この第2ノードと前記第1ノードとを接続し、且つ第1の長さを有する第1配線と、
前記第2ブロックの前記ソースは第3ノードを有し、この第3ノードと前記第1ノードとを接続し、且つ前記第1配線の一部であって前記第1の長さよりも短い第2の長さを有する第2配線と
を更に具備し、
前記プルダウンドライバによる検知は、前記第2ノードである
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記ソース線ドライバは、前記第1ノードの電位を放電する第1スイッチを備え、
前記プルダウンドライバは、前記昇圧部の出力と共に、前記第1スイッチにより前記第1ノードの電位を放電し始める
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - ウェル上に形成された複数のメモリセルが直列接続され、各々のソースが共通接続された複数のNANDストリングを含む、データの消去単位である第1ブロック及び第2ブロックが第1方向に配置されたメモリセルアレイと、
前記ウェルを接地電位とし、第1ノードを有し、この第1ノードを介して前記第1ブロック及び第2ブロックの前記ソースの電位を充放電するソース線ドライバと、
前記第1ノードの充放電を制御する電圧制御回路と
を具備し、
前記電圧制御回路は、読み出し動作の際、前記第1ノードの電位を昇圧し、前記第2ブロックの前記ソースの電位が規定値を超えたことを検知すると前記第1ノードへの昇圧を停止する昇圧部と、
第1ブロックの前記ソースの電位を検知し、このソースの電位が前記規定値を超えると前記第1ノードの電位を放電するよう制御するプルダウンドライバと、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記プルダウンドライバは、前記昇圧部の出力と共に、前記第1ノードの電位を放電し始める
ことを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。 - 第1モード及び第2モードを備え、いずれかモードに応じて、検知するノードを選択可能とする選択回路を更に備え、
前記ウェルを充電する第1モードの場合、前記選択回路は前記ウェルの電位を検知するよう選択し、この検知結果を前記昇圧部に出力し、
前記ウェルを接地電位とし、前記第1ノードを充電する第2モードの場合、前記選択回路は、前記第3ノードの電位を検知するよう選択し、この検知結果を前記昇圧部に出力する
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 各々の前記NANDストリングに対応し、前記メモリセルが保持する前記データを読み出すビット線と、
前記ビット線のオン・オフを制御する駆動回路と、
前記ビット線の電位の立ち上がりを制御する加速器と
を更に具備し、
前記加速器は、第1電圧にまで上昇する前記ビット線の電位に対し、この第1電圧よりも大きな第2電圧を発生させ、この第2電圧を前記駆動回路に供給する
ことを特徴とする請求項1乃至6記載のいずれか1項の半導体記憶装置。
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