JP2013216510A - グラフェンの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】グラフェンにダメージを与えずにエッチングする加工方法を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム装置100のノズル12を通してクラスター生成部10内にH2O分子を含む気体(水蒸気)を導入する。導入された水蒸気は、断熱膨張による冷却によって凝集し、ビーム状のH2Oクラスターが形成される。照射部20内に導入されたH2Oクラスターは、イオン化装置22によってイオン化される。イオン化されて正に帯電したH2Oクラスターは、イオン化装置22よりも低い電圧が印加された複数の電極23A〜23Dによって引き出され、電極23A〜23Dによって、加速、ビームの集束およびクラスターサイズの分離が行われた後、シート状のグラフェンが形成された基板Sへ照射され、グラフェンをエッジ形状がアームチェア型のナノリボンにエッチングする。
【選択図】図1
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム装置100のノズル12を通してクラスター生成部10内にH2O分子を含む気体(水蒸気)を導入する。導入された水蒸気は、断熱膨張による冷却によって凝集し、ビーム状のH2Oクラスターが形成される。照射部20内に導入されたH2Oクラスターは、イオン化装置22によってイオン化される。イオン化されて正に帯電したH2Oクラスターは、イオン化装置22よりも低い電圧が印加された複数の電極23A〜23Dによって引き出され、電極23A〜23Dによって、加速、ビームの集束およびクラスターサイズの分離が行われた後、シート状のグラフェンが形成された基板Sへ照射され、グラフェンをエッジ形状がアームチェア型のナノリボンにエッチングする。
【選択図】図1
Description
本発明は、各種電子部品の材料として有用なグラフェンの加工方法に関する。
グラフェンは、炭素原子が平面上に6角形に規則正しく配列した構造を持ち、極めて高い電気伝導性を有している。グラフェンは、電子の移動度が200,000cm2/Vsであり、シリコンの100倍以上という優れた物性を有することから、次世代の高周波デバイス材料として注目されている(例えば、特許文献1〜3)。また、グラフェンは、電子だけでなくスピンもバリスティク輸送できることから、スピントロニクスデバイスへの適用も期待されている。このような特性を持つグラフェンは、ゼロギャップの半導体であり、そのままではオフ状態を作ることができない。しかし、グラフェンの線幅を100nm以下のナノリボン構造にすることによって、その幅に反比例してバンドギャップが大きくなる。ただ、グラフェンのエッジ形状は、ジグザグ端(シスポリアセチレン様構造)とアームチェア端(トランスポリアセチレン様構造)となることが知られており、グラフェンナノリボンは、エッジをアームチェア端にしなければ大きなバンドギャップが生じない。
グラフェンのパターニング手法として、親水化処理及び疎水化処理された基板上に、化学的親和性を利用してパターニングされたグラフェン構造体を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献4)。また、グラフェンのパターニングには、電子線リソグラフィーがよく用いられるが、酸素プラズマエッチングの際にチャネル部のグラフェンに損傷を与えることや、マスク材料の残渣によってトランジスタ性能を低下させることが問題となっている。電子線リソグラフィー以外の加工方法として、例えば原子間力顕微鏡(AFM)のカンチレバーによる陽極酸化法が知られている(例えば非特許文献1)。この方法では、AFMカンチレバーの曲率半径と同程度の10nm以下の微細加工が可能であるが、300mm径ウエハレベルでの大面積加工には不向きであり、スループットに問題があった。
また、Ni触媒ナノ粒子によってグラフェンをエッチングする方法(例えば、非特許文献2)も知られている。しかし、この方法では、Ni触媒ナノ粒子をグラフェン表面の任意の位置に配置しておくことは困難であり、微細なパターニングを行うことは困難である。
また、上記従来技術のどの手法においても、グラフェンのエッジをジグザグ端とアームチェア端とに作り分けることは困難であった。
"NANOSCALE PATTERNING OF GRAPHENE USING AFM LOCAL ANODIC OXIDATION", K.YOSHIDA, S.MASUBUCHI, M.ONO, K.HIRAKAWA, T.MACHIDA, Technical Digest. International Symposium on Graphene Devices: Technology, Physics, and Modeling, 2008
"構造制御した固体基板上グラフェンの評価と加工",荻野俊郎,塚本貴広,日本結晶成長学会誌37(3),207−213,2010
本発明の目的は、グラフェンにダメージを与えずにエッチングする加工方法を提供することである。
本発明に係るグラフェンの加工方法は、ガスクラスターイオンビーム装置を用いて、水分子又は水分子が凝集したクラスターをイオン化して形成したイオンビームをグラフェンに照射してエッチングするものである。この場合、シート状のグラフェンから、エッジ形状がアームチェア型のグラフェンナノリボンに加工するものであることが好ましい。
本発明のグラフェンの加工方法によれば、ガスクラスターイオンビーム装置を用いて水分子又は水分子のクラスターイオンを照射してエッチングすることにより、グラフェンにダメージを与えずに、ナノリボン構造のグラフェンに加工することができる。
[ガスクラスターイオンビーム装置]
図1は本発明の一実施の形態に係るグラフェンの加工方法に好ましく利用できるガスクラスターイオンビーム装置の概略図である。このガスクラスターイオンビーム装置100は、真空容器1を備え、この真空容器1は、隔壁1aで隔てられたクラスター生成部10と照射部20とを有している。照射部20には、被処理体である表面にシート状のグラフェンが形成された基板Sが収容されている。
図1は本発明の一実施の形態に係るグラフェンの加工方法に好ましく利用できるガスクラスターイオンビーム装置の概略図である。このガスクラスターイオンビーム装置100は、真空容器1を備え、この真空容器1は、隔壁1aで隔てられたクラスター生成部10と照射部20とを有している。照射部20には、被処理体である表面にシート状のグラフェンが形成された基板Sが収容されている。
クラスター生成部10には排気口10aを介して図示しない真空ポンプなどを備えた排気装置11が接続され、その内部を真空排気できるように構成されている。クラスター生成部10内には、ガスクラスター生成用の気体である水蒸気(H2O)を導入するノズル12が配置されている。クラスター生成部10と照射部20とを隔てる隔壁1aには、ノズル12から導入されたH2Oクラスターを通過させる孔を有するスキマー13が設けられている。このスキマー13は、クラスタービームからクラスターを形成していない気体分子を分離する機能を有している。図示は省略するが、ノズル12、およびスキマー13は接地されており、それらの電位は0Vである。
照射部20には排気口20aを介して図示しない真空ポンプなどを備えた排気装置21が接続されており、その内部を真空排気できるように構成されている。照射部20内には、隔壁1a側から順に、ガスクラスターに電子を衝突させてガスクラスターをイオン化するイオン化装置22、ガスクラスターイオンに電界をかけて被処理体である基板S側へ向けて加速させる複数の電極23A,23B,23C,23D、及び、基板Sを保持するホルダー24が収容されたファラデーカップ25が配置されている。イオン化装置22は、ガスクラスターに衝突させる電子を供給する図示しない電子供給源を有している。イオン化装置22はイオン化装置電源26によって正の電位に保たれている。イオン化装置22とホルダー24上の基板Sとの間に設置された複数の電極23A〜23Dは、電極電源27によって負の電位に保たれている。なお、ガスクラスターイオンに電界をかけるための電極の配設数は4つに限らない。
ノズル12は、高圧ガス供給管31を介して高圧の水蒸気を供給するH2O供給源32に接続されている。高圧ガス供給管31には、開閉バルブ33が設けられている。
[エッチング方法]
以上の構成を有するガスクラスターイオンビーム装置100では、クラスター生成部10内を排気装置11と照射部20の排気装置21とを用いた差動排気によって減圧する。次に、クラスター生成部10内に設置されたノズル12を通してクラスター生成部10内にH2O分子を含む気体(水蒸気)を導入する。導入された水蒸気は、断熱膨張による冷却によって凝集し、ビーム状のH2Oクラスターが形成される。生成したH2Oクラスターは、スキマー13によりクラスター化されていないH2O分子が分離されるため、主にH2Oクラスターが照射部20内に導入される。
以上の構成を有するガスクラスターイオンビーム装置100では、クラスター生成部10内を排気装置11と照射部20の排気装置21とを用いた差動排気によって減圧する。次に、クラスター生成部10内に設置されたノズル12を通してクラスター生成部10内にH2O分子を含む気体(水蒸気)を導入する。導入された水蒸気は、断熱膨張による冷却によって凝集し、ビーム状のH2Oクラスターが形成される。生成したH2Oクラスターは、スキマー13によりクラスター化されていないH2O分子が分離されるため、主にH2Oクラスターが照射部20内に導入される。
照射部20内に導入されたH2Oクラスターは、イオン化装置22によってイオン化される。イオン化装置22では、図示しない電子源から電子を引き出しH2Oクラスターに衝突させ、クラスターをイオン化する。
上記のとおり、イオン化装置22はイオン化装置電源26によって正の電位に保たれ、電極23A〜23Dは電極電源27によってイオン化装置22の電位よりも低い電位に設定されている。従って、電子との衝突によりイオン化されて正に帯電したH2Oクラスターイオンは、イオン化装置22よりも低い電圧が印加された複数の電極23A〜23Dによって引き出される。つまり、H2Oクラスターイオンビームをイオン化装置22から引き出して基板Sへ輸送するために、イオン化装置22と電極23A〜23Dとの間は数十kV程度の電位差に保たれている。イオン化装置22から引き出されたH2Oクラスターイオンは、電極23A〜23Dによって、加速され、ビームの集束およびクラスターサイズの分離が行われた後、基板Sへ照射される。このようにイオン化されたH2Oクラスターイオンを照射するガスクラスターイオンビーム装置100は、少ない電流で大量のイオンを照射するため大きな加工速度が得られるとともに、シート状のグラフェンの被加工面への照射ダメージが少ないという特長を有している。
<加工条件>
本実施の形態のグラフェンの加工方法では、図1に示したガスクラスターイオンビーム装置100を用いてグラフェンを加工する。図1に示したガスクラスターイオンビーム装置100を用いてグラフェンを加工するための条件としては、1分子あたりの運動エネルギーを低く(好ましくは10eV以下に)抑制できる条件を採用することが好ましい。
本実施の形態のグラフェンの加工方法では、図1に示したガスクラスターイオンビーム装置100を用いてグラフェンを加工する。図1に示したガスクラスターイオンビーム装置100を用いてグラフェンを加工するための条件としては、1分子あたりの運動エネルギーを低く(好ましくは10eV以下に)抑制できる条件を採用することが好ましい。
ガスクラスターイオンビーム装置100では、H2O分子もしくはH2O分子が凝集したクラスターをイオン化し、イオンビームとして加速・輸送する。好ましくは、イオンビームを、1分子あたりの運動エネルギーが10eV以下となるように制御してグラフェンに照射する。照射部位では、H2Oとグラフェンとが次の化学反応を生じ、グラフェンがエッチングされる。
C+2H2O→CO2+2H2
又は
C+2OH→CO2+H2
又は
C+2OH→CO2+H2
上記反応の際に、イオンビームの1分子あたりの運動エネルギーを低く抑制する(好ましくは10eV以下)ことで、化学的に活性なグラフェンのジグザグ端が優先的に反応し、エッチングされる。その結果、化学的に安定なアームチェア型のエッジが形成されたグラフェンが得られる。また、グラフェンの幅を100nm以下に加工し、ナノリボン形状にすることで、ゼロギャップ半導体のグラフェンからバンドギャップを形成することができる。
図2Aは、本実施の形態で加工対象となるシート状グラフェン200を模式的に示す図面である。図2Aのシート状グラフェン200に、ガスクラスターイオンビーム装置100を用いてイオンビームを照射することで、ジグザグ端JEを開裂させる。なお、図2Aでは、開裂する部位をC−C破線で示している。そして、図2Bに示したようなアームチェア端AEのグラフェンナノリボン201を作製できる。
以上のように、本実施の形態のグラフェンの加工方法では、特にH2Oクラスターイオンを利用することにより、他のガス種、例えば酸素、オゾンなどを用いる場合に比べて、低エネルギーのエッチングが可能となる。そして、H2Oは酸化力が弱いことから、ジグザグ端JEを選択的にエッチングすることができる。それに対し、酸化力の強い酸素やオゾンでグラフェンをエッチングすると、ランダムにエッチングが生じてアームチェア端AEとジグザグ端JEを選択的にエッチングすることは難しい。
このように、本実施の形態のグラフェンの加工方法では、ガスクラスターイオンビーム装置により、水分子又は水分子が凝集したクラスターをイオン化して形成したイオンビームを照射することによって、グラフェンのジグザグ端を選択的にエッチングすることが可能であり、アームチェア型のエッジ形状を有し、大きなバンドギャップを有するグラフェンナノリボンを効率良く作製できる。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。例えば、上記実施の形態では、シート状グラフェンからのナノリボン加工について説明したが、本発明のグラフェンの加工方法は、2層以上の多層に形成されたグラフェンに対して、上層からエッチングして層数を減ずる用途にも利用できる。
1…真空容器、1a…隔壁、10…クラスター生成部、10a…排気口、11…排気装置、12…ノズル、13…スキマー、20…照射部、20a…排気口、21…排気装置、22…イオン化装置、23A,23B,23C,23D…電極、24…ホルダー、25…ファラデーカップ、26…イオン化装置電源、27…電極電源、31…高圧ガス供給管、32…H2O供給源、33…開閉バルブ、100…ガスクラスターイオンビーム装置
Claims (2)
- ガスクラスターイオンビーム装置を用いて、水分子又は水分子が凝集したクラスターをイオン化して形成したイオンビームをグラフェンに照射してエッチングするグラフェンの加工方法。
- シート状のグラフェンから、エッジ形状がアームチェア端のグラフェンナノリボンに加工するものである請求項1に記載のグラフェンの加工方法。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
JP2018127369A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの異方性エッチング方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356317A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | グラファイトリボンおよびその製造方法 |
JP2006272076A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seinan Kogyo Kk | イオンビームによる表面改質方法 |
WO2011016832A2 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Guardian Industries Corp. | Electronic device including graphene-based layer(s),and/or method of making the same |
JP2012028369A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気電気効果素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3447492B2 (ja) * | 1996-11-12 | 2003-09-16 | 日本電気株式会社 | 炭素材料とその製造方法 |
-
2012
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2013
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356317A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | グラファイトリボンおよびその製造方法 |
JP2006272076A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seinan Kogyo Kk | イオンビームによる表面改質方法 |
WO2011016832A2 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Guardian Industries Corp. | Electronic device including graphene-based layer(s),and/or method of making the same |
JP2012028369A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気電気効果素子 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6015045536; 岡田 全史 T. Okada: '水クラスターイオンビーム照射によるTi基板の表面改質 Surface Modification of Ti Substrates Irradiat' 2006年(平成18年)春季 第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第2分冊 Extended Abstrac 第2巻, 20060322, (社)応用物理学会 * |
JPN6015045537; 岡田 全史 T. Okada: '水クラスターイオンビーム照射によるSi基板の表面改質 Surface Modification of Si Substrates Irradiat' 2006年(平成18年)秋季 第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集 第2分冊 Extended Abstracts 第2巻, 20060829, (社)応用物理学会 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015168593A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン加工方法 |
Also Published As
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---|---|
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WO2013150931A1 (ja) | 2013-10-10 |
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